JP2721306B2 - 集中定数型非可逆回路素子 - Google Patents
集中定数型非可逆回路素子Info
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- JP2721306B2 JP2721306B2 JP15800394A JP15800394A JP2721306B2 JP 2721306 B2 JP2721306 B2 JP 2721306B2 JP 15800394 A JP15800394 A JP 15800394A JP 15800394 A JP15800394 A JP 15800394A JP 2721306 B2 JP2721306 B2 JP 2721306B2
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- center
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＶＨＦ、ＵＨＦ、マイ
クロ波帯などにおいて用いられる集中定数型非可逆回路
素子に関し、特に１ＧＨｚ以上の高周波で使用される集
中定数型非可逆回路素子に関するものである。
クロ波帯などにおいて用いられる集中定数型非可逆回路
素子に関し、特に１ＧＨｚ以上の高周波で使用される集
中定数型非可逆回路素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の集中定数型非可逆回路素子の一例
として集中定数型アイソレータの一例の分解斜視図を図
６に示す。この従来例は、下ケース６５上にパターン電
極の形成されたセラミック基板６３を配置し、ガーネッ
ト６４と互いに絶縁状態で重ね合わされた中心導体６６
とからなる中心導体部をセラミック基板に形成された穴
に配置し、各中心導体とセラミック基板上の所定のパタ
ーン電極とを接続し、磁石６７の装着された上ケース６
８をかぶせて構成されている。このセラミック基板６３
の６９はダミー抵抗であり、７０はアース電極である。
この従来例の中心導体の平面図を図７に示す。この図７
に示すように、円形のシールド板６１から放射方向に、
１２０度間隔で３つの中心導体端子６２が突出してい
る。そして、この中心導体端子６２は、２本で構成され
ている。この円形のシールド板６１上にガーネット６４
を配置し、そのガーネット６４上に各中心導体端子６２
を折り重ねて、中心導体部を構成している。この折り重
ねられる中心導体端子６２間にはポリイミドシート等の
絶縁板をはさんで、絶縁している。
として集中定数型アイソレータの一例の分解斜視図を図
６に示す。この従来例は、下ケース６５上にパターン電
極の形成されたセラミック基板６３を配置し、ガーネッ
ト６４と互いに絶縁状態で重ね合わされた中心導体６６
とからなる中心導体部をセラミック基板に形成された穴
に配置し、各中心導体とセラミック基板上の所定のパタ
ーン電極とを接続し、磁石６７の装着された上ケース６
８をかぶせて構成されている。このセラミック基板６３
の６９はダミー抵抗であり、７０はアース電極である。
この従来例の中心導体の平面図を図７に示す。この図７
に示すように、円形のシールド板６１から放射方向に、
１２０度間隔で３つの中心導体端子６２が突出してい
る。そして、この中心導体端子６２は、２本で構成され
ている。この円形のシールド板６１上にガーネット６４
を配置し、そのガーネット６４上に各中心導体端子６２
を折り重ねて、中心導体部を構成している。この折り重
ねられる中心導体端子６２間にはポリイミドシート等の
絶縁板をはさんで、絶縁している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の集中定数型非可
逆回路素子では、中心導体の端子部は２本で構成され、
この端子の幅等を変化させ、所望のインダクタンス値を
得ていた。しかしながら、この従来技術により１ＧＨｚ
以上（特に、１．４〜３ＧＨｚ用）の集中定数型非可逆
回路素子を構成しようとしたところ、所望のインダクタ
ンスを得ることができなく、アイソレータ、サーキュレ
ータとしての機能を満足することができなかった。本発
明は、上記の事を鑑みて、１ＧＨｚ以上（特に、１．４
〜３ＧＨｚ用）として十分満足できる集中定数型非可逆
回路素子を提供することを目的とする。
逆回路素子では、中心導体の端子部は２本で構成され、
この端子の幅等を変化させ、所望のインダクタンス値を
得ていた。しかしながら、この従来技術により１ＧＨｚ
以上（特に、１．４〜３ＧＨｚ用）の集中定数型非可逆
回路素子を構成しようとしたところ、所望のインダクタ
ンスを得ることができなく、アイソレータ、サーキュレ
ータとしての機能を満足することができなかった。本発
明は、上記の事を鑑みて、１ＧＨｚ以上（特に、１．４
〜３ＧＨｚ用）として十分満足できる集中定数型非可逆
回路素子を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、円形のシール
ド板から放射方向に３つの中心導体が突出し、該円形の
シールド板上にガーネットを配し、該ガーネット上に前
記３つの中心導体を互いに絶縁状態で折り込んで中心導
体部を構成する集中定数型非可逆回路素子において、前
記３つの中心導体のうち、２つの中心導体は４本の端子
構造であり、１つの中心導体は２本の端子構造となって
いるものである。また、本発明は、３つの中心導体のう
ち、２つの中心導体を４本以上の端子構造とし、かつそ
の中心導体の円形のシールド板の外周上での幅の角度
（ａ）を７０度以下とし、１つの中心導体は２本の端子
構造となっているものである。
ド板から放射方向に３つの中心導体が突出し、該円形の
シールド板上にガーネットを配し、該ガーネット上に前
記３つの中心導体を互いに絶縁状態で折り込んで中心導
体部を構成する集中定数型非可逆回路素子において、前
記３つの中心導体のうち、２つの中心導体は４本の端子
構造であり、１つの中心導体は２本の端子構造となって
いるものである。また、本発明は、３つの中心導体のう
ち、２つの中心導体を４本以上の端子構造とし、かつそ
の中心導体の円形のシールド板の外周上での幅の角度
（ａ）を７０度以下とし、１つの中心導体は２本の端子
構造となっているものである。
【０００５】
【実施例】本発明に係る実施例のシールド板の平面図を
図１に示す。このシールド板は、円形のシールド板１か
ら放射方向に３つの中心導体２、３、４が突出してお
り、このうち中心導体２、３は、端子構造が４本となっ
ており、もう一つの中心導体４は、端子構造が２本とな
っている。このシールド板１及び中心導体２、３、４を
用いた実施例のアイソレータの構造図を図２に示す。こ
の実施例は、下ケース５上にアース板６が配設され、そ
の上に誘電体基板７が配設される。この誘電体基板７
は、中央に中心導体部が挿入される孔８を有し、又各中
心導体が導通される電極パターン９、１０、１１が形成
され、そのうちの一つの電極パターン１１は、ダミー抵
抗１２を介してアース電極１３に接続され、このアース
電極１３は、スルーホールにて裏面に形成されているア
ース電極と導通している。この誘電体基板７は、誘電率
εｒが約２１で、寸法は７ｍｍ×６ｍｍで厚さ０．４ｍ
ｍである。この誘電体基板７の中央の孔に、中心導体部
が挿入される。この中心導体部は、円形のシールド板１
の上に一枚のガーネット１４を置き、各中心導体２、
３、４を折り曲げて構成される。尚、この重複する中心
導体間には絶縁板が挿入される。又、下ケース５の下側
にはプリント基板１５が接合される。このプリント基板
１５は、一面にアース電極１６が形成されており、裏面
には端子電極が形成されている。そして、中心導体２、
３は、誘電体基板７の電極パターン９、１０に接続され
た後、外側で折り曲げられ、プリント基板１５の裏面の
端子電極に接続される。又、アース板６に形成された突
片１７も外側で折り曲げられ、プリント基板１５の裏面
の端子電極に接続される。そして、永久磁石１８が固定
された上ケース１９を下ケース５に取り付けて、アイソ
レータを構成した。この実施例のアイソレータで、２．
２ＧＨｚ用の７ｍｍ角集中定数型アイソレータを構成し
た。この実施例では、挿入損失０．５ｄＢ、アイソレー
ション２０〜３０ｄＢ、Ｖ．Ｓ．Ｗ．Ｒ１．２：１の特
性を得ることができた。
図１に示す。このシールド板は、円形のシールド板１か
ら放射方向に３つの中心導体２、３、４が突出してお
り、このうち中心導体２、３は、端子構造が４本となっ
ており、もう一つの中心導体４は、端子構造が２本とな
っている。このシールド板１及び中心導体２、３、４を
用いた実施例のアイソレータの構造図を図２に示す。こ
の実施例は、下ケース５上にアース板６が配設され、そ
の上に誘電体基板７が配設される。この誘電体基板７
は、中央に中心導体部が挿入される孔８を有し、又各中
心導体が導通される電極パターン９、１０、１１が形成
され、そのうちの一つの電極パターン１１は、ダミー抵
抗１２を介してアース電極１３に接続され、このアース
電極１３は、スルーホールにて裏面に形成されているア
ース電極と導通している。この誘電体基板７は、誘電率
εｒが約２１で、寸法は７ｍｍ×６ｍｍで厚さ０．４ｍ
ｍである。この誘電体基板７の中央の孔に、中心導体部
が挿入される。この中心導体部は、円形のシールド板１
の上に一枚のガーネット１４を置き、各中心導体２、
３、４を折り曲げて構成される。尚、この重複する中心
導体間には絶縁板が挿入される。又、下ケース５の下側
にはプリント基板１５が接合される。このプリント基板
１５は、一面にアース電極１６が形成されており、裏面
には端子電極が形成されている。そして、中心導体２、
３は、誘電体基板７の電極パターン９、１０に接続され
た後、外側で折り曲げられ、プリント基板１５の裏面の
端子電極に接続される。又、アース板６に形成された突
片１７も外側で折り曲げられ、プリント基板１５の裏面
の端子電極に接続される。そして、永久磁石１８が固定
された上ケース１９を下ケース５に取り付けて、アイソ
レータを構成した。この実施例のアイソレータで、２．
２ＧＨｚ用の７ｍｍ角集中定数型アイソレータを構成し
た。この実施例では、挿入損失０．５ｄＢ、アイソレー
ション２０〜３０ｄＢ、Ｖ．Ｓ．Ｗ．Ｒ１．２：１の特
性を得ることができた。
【０００６】比較例 比較例のシールド板の平面図を図３に示す。この比較例
のシールド板は、円形のシールド板２１から放射方向に
３つの中心導体２２、２３、２４が突出し、そのうち中
心導体２２、２３は、端子構造が３本であり、その両側
の端子が湾曲している。残りの中心導体２４は、端子構
造は２本となっている。このシールド板及び中心導体を
用いて、上記実施例の構造の２．２ＧＨｚ用の７ｍｍ角
集中定数型アイソレータを構成した。この比較例のアイ
ソレータでは、アイソレータとしての機能が不十分であ
った。また従来例の端子構造が２本である中心導体を用
いた場合も、アイソレータとして、十分な特性は得られ
なかった。この実施例と比較例の各特性図を図４に示
す。この図４からも明らかなように、本発明により、大
幅に特性を改善したアイソレータを得ることができる。
また、上記実施例と同構造にて、１．９ＧＨｚ用の７ｍ
ｍ角集中定数型アイソレータを構成した。この実施例と
比較例との特性図を図５に示す。この図５からわかると
おり、本発明により、大幅に特性を改善したアイソレー
タを得ることができる。本発明によれば、７ｍｍ角とい
った小型の２〜３ＧＨｚ帯の集中定数型アイソレータを
構成することができた。このとき、中心導体の４端子構
造は、その４本の端子の１本の幅を０．３ｍｍとし、４
本での幅を１．５ｍｍとした。又、このときの円形のシ
ールド板の直径は、３．３ｍｍであった。中心導体の端
子構造を４本というように多数にすることにより、特性
の改善が見られたが、中心導体の幅が広くなると、円形
シールド板の外周に占める中心導体の幅が広くなる。こ
れがあまり広くなり過ぎると、ガーネットを包むように
中心導体を折り曲げたとき、中心導体とガーネットの間
の空間が広がり、特性上好ましくない。従って、中心導
体の端子構造は、４本以上であって良いが、その中心導
体の幅は、図１の角度ａとして、７０度以下が良く、好
ましくは６０度以下が良く、更に好ましくは５５度以下
が良い。上記実施例の場合、約５４度であった。また、
本発明は、２０ｍｍ角以下の小型の集中定数型非可逆回
路素子に有効であり、特に１０ｍｍ角以下、更に７ｍｍ
角以下において有効である。また以上ではアイソレータ
にて説明したが、サーキュレータも同一技術思想で達成
できるものである。
のシールド板は、円形のシールド板２１から放射方向に
３つの中心導体２２、２３、２４が突出し、そのうち中
心導体２２、２３は、端子構造が３本であり、その両側
の端子が湾曲している。残りの中心導体２４は、端子構
造は２本となっている。このシールド板及び中心導体を
用いて、上記実施例の構造の２．２ＧＨｚ用の７ｍｍ角
集中定数型アイソレータを構成した。この比較例のアイ
ソレータでは、アイソレータとしての機能が不十分であ
った。また従来例の端子構造が２本である中心導体を用
いた場合も、アイソレータとして、十分な特性は得られ
なかった。この実施例と比較例の各特性図を図４に示
す。この図４からも明らかなように、本発明により、大
幅に特性を改善したアイソレータを得ることができる。
また、上記実施例と同構造にて、１．９ＧＨｚ用の７ｍ
ｍ角集中定数型アイソレータを構成した。この実施例と
比較例との特性図を図５に示す。この図５からわかると
おり、本発明により、大幅に特性を改善したアイソレー
タを得ることができる。本発明によれば、７ｍｍ角とい
った小型の２〜３ＧＨｚ帯の集中定数型アイソレータを
構成することができた。このとき、中心導体の４端子構
造は、その４本の端子の１本の幅を０．３ｍｍとし、４
本での幅を１．５ｍｍとした。又、このときの円形のシ
ールド板の直径は、３．３ｍｍであった。中心導体の端
子構造を４本というように多数にすることにより、特性
の改善が見られたが、中心導体の幅が広くなると、円形
シールド板の外周に占める中心導体の幅が広くなる。こ
れがあまり広くなり過ぎると、ガーネットを包むように
中心導体を折り曲げたとき、中心導体とガーネットの間
の空間が広がり、特性上好ましくない。従って、中心導
体の端子構造は、４本以上であって良いが、その中心導
体の幅は、図１の角度ａとして、７０度以下が良く、好
ましくは６０度以下が良く、更に好ましくは５５度以下
が良い。上記実施例の場合、約５４度であった。また、
本発明は、２０ｍｍ角以下の小型の集中定数型非可逆回
路素子に有効であり、特に１０ｍｍ角以下、更に７ｍｍ
角以下において有効である。また以上ではアイソレータ
にて説明したが、サーキュレータも同一技術思想で達成
できるものである。
【０００７】
【発明の効果】本発明によれば、１ＧＨｚ以上（特に
１．４〜３ＧＨｚ用）の集中定数型非可逆回路素子を安
定した特性で、しかも小型に構成することができ、移動
体通信分野等において非常に有用である。又、１．４〜
２．２ＧＨｚ帯では、挿入損失の大幅な改良が得られ、
移動体通信分野等において非常に有用である。
１．４〜３ＧＨｚ用）の集中定数型非可逆回路素子を安
定した特性で、しかも小型に構成することができ、移動
体通信分野等において非常に有用である。又、１．４〜
２．２ＧＨｚ帯では、挿入損失の大幅な改良が得られ、
移動体通信分野等において非常に有用である。
【図１】本発明に係る実施例のシールド板の平面図であ
る。
る。
【図２】本発明に係る実施例のアイソレータの構造図で
ある。
ある。
【図３】比較例のシールド板の平面図である。
【図４】２．２ＧＨｚ帯用の実施例、比較例の各特性の
グラフである。
グラフである。
【図５】１．９ＧＨｚ帯用の実施例、比較例の各特性の
グラフである。
グラフである。
【図６】従来例の分解斜視図である。
【図７】従来例のシールド板の平面図である。
１ 円形シールド板 ２、３、４ 中心導体 ５ 下ケース ６ アース板 ７ 誘電体基板 ８ 孔 ９、１０、１１ 電極パターン １２ ダミー抵抗 １３、１６ アース電極 １４ ガーネット １５ プリント基板 １７ 突片 １８ 磁石 １９ 上ケース
Claims (2)
- 【請求項１】 円形のシールド板から放射方向に３つの
中心導体が突出し、該円形のシールド板上にガーネット
を配し、該ガーネット上に前記３つの中心導体を互いに
絶縁状態で折り込んで中心導体部を構成する集中定数型
非可逆回路素子において、前記３つの中心導体のうち、
２つの中心導体は４本の端子構造であり、１つの中心導
体は２本の端子構造となっていることを特徴とする集中
定数型非可逆回路素子。 - 【請求項２】 円形のシールド板から放射方向に３つの
中心導体が突出し、該円形のシールド板上にガーネット
を配し、該ガーネットに前記３つの中心導体を互いに絶
縁状態で折り込んで中心導体部を構成する集中定数型非
可逆回路素子において、前記３つの中心導体のうち、２
つの中心導体は４本以上の端子構造であり、かつ該中心
導体の前記円形のシールド板の外周上での幅の角度
（ａ）が７０度以下であり、１つの中心導体は２本の端
子構造となっていることを特徴とする集中定数型非可逆
回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15800394A JP2721306B2 (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15800394A JP2721306B2 (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088613A JPH088613A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2721306B2 true JP2721306B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=15662132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15800394A Expired - Fee Related JP2721306B2 (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2721306B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100320934B1 (ko) * | 1997-12-09 | 2002-05-13 | 이형도 | 비가역소자의 내부단자 |
| DE10011174A1 (de) | 1999-03-09 | 2000-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Wechselwirkungsfreies Schaltungsgerät, Verfahren zu dessen Herstellung, und dieses einsetzende Mobilkommunikationseinrichtung |
| JP3458806B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2003-10-20 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| JP3395748B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2003-04-14 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| JP4530494B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2010-08-25 | 三菱電機株式会社 | 高周波用複合素子 |
| JP2003115702A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子及び通信装置 |
| KR20030097162A (ko) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | 전자부품연구원 | 스트립 라인을 갖는 전달 격리기 제조방법 |
| US7365616B2 (en) | 2003-10-20 | 2008-04-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Non-reciprocal element with three central conductors and communication apparatus using the same |
-
1994
- 1994-06-15 JP JP15800394A patent/JP2721306B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088613A (ja) | 1996-01-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |