JP3395748B2 - 非可逆回路素子及び通信機装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯等の
高周波帯域で使用されるアイソレータやサーキュレータ
等の非可逆回路素子、及びこれを用いた通信機装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、集中定数型のアイソレータやサ
ーキュレータ等の非可逆回路素子は、信号の伝送方向に
対する減衰量が極めて小さく、逆方向への減衰量が極め
て大きい、という特性を利用して通信機装置等に用いら
れている。

【０００３】従来のアイソレータの分解斜視図を図９
に、その内部構造を図１０に示す。このアイソレータ
は、左右の側壁８ｂと底壁８ａとを有するコ字状の下部
ヨーク８上に樹脂製端子ケース７を配置し、該端子ケー
ス７内に、中心導体５１，５２，５３及び磁性体５５か
らなる磁性組立体５、整合用のコンデンサＣ１，Ｃ２，
Ｃ３、終端抵抗Ｒを配置し、これらの上に永久磁石３を
配置し、上部全体を覆うように箱状の上部ヨーク２を下
ケース８に装着して構成されている。上部ヨーク２と下
部ヨーク８は、上部ヨーク２の対向する２つの側壁と下
部ヨーク８の両側壁８ｂで接続されており、上壁、下壁
及び上下壁に連続する２つの側壁を有する略四角形筒状
のヨークを形成している。この上部・下部ヨーク２，８
と永久磁石３とで磁気閉回路を構成している。

【０００４】各中心導体５１〜５３は、共通のアース部
を磁性体５５の下面に当接し、磁性体５５の側面を経て
磁性体５５の上面に略１２０度の角度で交差させて配置
されている。中心導体５１，５２のポートＰ１，Ｐ２
は、端子ケース７に形成された入出力端子７１，７２及
びコンデンサＣ１，Ｃ２に接続され、中心導体５３のポ
ートＰ３はコンデンサＣ３及び終端抵抗Ｒに接続され、
各コンデンサＣ１〜Ｃ３及び終端抵抗Ｒの一端はアース
端子７３に接続されている。各中心導体５１〜５３の共
通のアース部は下部ヨーク８の底壁８ａに接続されてい
る。

【０００５】１つの中心導体５３は、上・下部ヨーク
２，８の対向する側壁８ｂに対して垂直方向に配置さ
れ、他の２つの中心導体５１，５２は、中心導体５３と
略１２０度の角度で交差して配置されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような非可逆回路
素子においては、図１１に示すように各中心導体（図１
１では中心導体５３のみを図示）を流れる電流ｉは、ア
ース部から上部ヨークと下部ヨークに分かれて流れる。
このとき、各中心導体５１〜５３の導体幅及び導体間隔
を同様のものを用いると、下部ヨーク８の側壁８ｂに対
して垂直方向に配置された中心導体５３から上部ヨーク
２に流れる電流は、他の２つの中心導体５１，５２から
上部ヨーク２に流れる電流よりも大きくなり、逆に中心
導体５３から下部ヨーク８に流れる電流は、中心導体５
１，５２から下部ヨーク８に流れる電流より小さくな
る。これは中心導体５３が他の２つの中心導体５１，５
２よりもヨーク側壁８ｂに近接して配置されるととも
に、その上部ヨーク２上の電流経路が短くなるためであ
る。このため、ヨークの側壁８ｂに垂直な中心導体５３
の電流ｉ３による磁性体５５内を通る磁束は、他の中心
導体５１，５２の電流ｉ１，ｉ２による磁性体５５内を
通る磁束に比べて小さくなる。これにより、ヨークの側
壁８ｂに垂直な中心導体５３は他の中心導体５１，５２
との結合が小さくなり、中心導体５３のポートでのイン
ピーダンス（以下、ポートインピーダンスと記す）は、
他の２つの中心導体５１，５２のポートインピーダンス
よりも高くなる。

【０００７】通常、これら非可逆回路素子が用いられる
回路の入出力部のインピーダンスは所定のインピーダン
ス値（通常、５０Ω）となっており、非可逆回路素子の
各ポートインピーダンスも所定の同じ値のインピーダン
スとなるように設定される。

【０００８】しかしながら、上記のように従来の非可逆
回路素子おいては、ヨークの側壁に垂直な中心導体は、
他の２つの中心導体よりもポートインピーダンスが高く
なるので、この中心導体のポートの反射特性が劣化する
という問題があった。

【０００９】また、３つの中心導体の導体幅や導体間隔
を各ポート毎に設定した非可逆回路素子が特開平７−３
０７６０３号公報に示されているが、この非可逆回路素
子では、各中心導体とヨーク側壁との配置関係について
は述べられていない。本願発明者は、各中心導体とヨー
ク側壁との配置関係について考察し本願発明を成すに至
った。

【００１０】そこで、本発明の目的は、ヨークの側壁に
対して垂直方向に配置された中心導体のポートの反射特
性を向上した非可逆回路素子及びこれを用いた通信機装
置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る非可逆回路素子は、上壁、下壁及び上
下壁に連続しかつ互いに対向する２つの側壁を有するヨ
ーク内に、永久磁石、磁性体、該磁性体に互いに電気的
絶縁状態でかつ所定の角度で交差させて配置された３つ
の中心導体を収納してなり、１つの中心導体をヨークの
側壁に対して略垂直方向に配置した非可逆回路素子にお
いて、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中
心導体の導体幅を他の２つの中心導体の導体幅よりも広
く設定する。また、各中心導体を複数の導体で構成した
場合、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中
心導体の導体間隔を他の２つの中心導体の導体間隔より
も広く設定する。

【００１２】この構成によれば、ヨークの側壁に対して
略垂直方向に配置された中心導体のポートインピーダン
スは低くなり、この中心導体のポートの反射特性を向上
することができる。すなわち、本発明では、ヨークの側
壁に対して略垂直方向に配置された中心導体のポートイ
ンピーダンスを他の２つの中心導体のポートインピーダ
ンスに近づくように、ヨークの側壁に対して略垂直方向
に配置された中心導体の導体幅または導体間隔を他の２
つの中心導体の導体幅または導体間隔よりも広く設定し
ている。したがって、各ポートで適正なインピーダンス
マッチングをとることができるので、各中心導体のポー
トでの反射特性を向上することができる。

【００１３】また、各中心導体を２つの導体で構成する
ことにより、簡単な構造で挿入損失を低減することがで
きる。

【００１４】また、いずれか１つの中心導体のポートに
終端抵抗を接続してアイソレータを構成する。この場
合、ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心
導体のポートは他の中心導体のポートよりもポートイン
ピーダンスがずれやすいので任意の値の抵抗で終端でき
るアイソレーションポートに適しており、このポートに
終端抵抗を接続するのが望ましい。

【００１５】また、本発明に係る通信機装置は上記の特
徴を有する非可逆回路素子を備えて構成される。これに
より、特性が良好な通信機装置を得ることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態に係るアイ
ソレータの構成を図１及び図２を参照して説明する。図
１はアイソレータの全体構造を示す分解斜視図、図２は
上部ヨーク及び永久磁石を取り外した状態での平面図で
ある。

【００１７】本実施形態のアイソレータは、略コ字状の
下部ヨーク８上に端子ケース７を配置し、該端子ケース
７内に、中心導体５１，５２，５３及び磁性体５５から
なる磁性組立体５、整合用のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ
３、終端抵抗Ｒを配置し、これらの上に永久磁石３を配
置し、上部全体を覆うように箱状の上部ヨーク２を下ケ
ース８に装着し、磁性組立体５に永久磁石３により直流
磁界を印加するように構成されている。

【００１８】上部ヨーク２及び下部ヨーク８は軟鉄等の
磁性体金属板をそれぞれ打ち抜き、曲げ加工して形成さ
れており、上部ヨーク２は上壁と４つの側壁を有し、下
部ヨーク８は底壁（下壁）８ａと対向する左右の側壁８
ｂを有している。上部ヨーク２と下部ヨーク８は、上部
ヨーク２の対向する２つの側壁と下部ヨーク８の両側壁
８ｂにおいて半田、導電性接着剤等で接続されている。
この上部・下部ヨーク２，８からなるヨークは、下部ヨ
ーク側壁８ｂ側で上下壁が連続し、これと垂直な方向で
は上下壁が不連続な筒状の構造体となっており、磁気閉
回路を形成するとともに、各構成部材を収納する外部ケ
ースとして機能する。

【００１９】中心導体５１，５２，５３は、銅等の金属
導体板を打ち抜き加工して形成されたものであり、共通
のアース端となるアース部で連接一体化され、アース部
から外方に突出して設けられている。磁性組立体５は、
共通のアース部上に磁性体５５を載置し、磁性体５５を
包み込むように各中心導体５１〜５３を磁性体５５の上
面に絶縁シート（図示省略）を介在させて互いに略１２
０度の角度をなすように折り曲げて配置して構成されて
いる。各中心導体５１〜５３の先端部にあたる各ポート
Ｐ１〜Ｐ３は他の部材との接続に適した形状とされ、磁
性体５５の外周から外方に突出するように構成されてい
る。各中心導体５１〜５３はそれぞれ２つの導体で構成
され、１つの中心導体５３は、下部ヨーク８の対向する
側壁８ｂに対して垂直方向に配置され、他の２つの中心
導体５１，５２は、中心導体５３と略１２０度の角度で
交差して配置されている。

【００２０】そして、本実施形態では、ヨーク側壁８ｂ
に対して垂直方向に配置された中心導体５３の各導体幅
Ａ３は、他の中心導体５１，５２の各導体幅Ａ１，Ａ２
よりも広く形成されている。すなわち、本実施形態で
は、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心
導体５３を構成する２つの導体の導体幅Ａ３を他の中心
導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２よりも広く設定して
いる。各中心導体５１〜５３の導体間隔Ｂ１，Ｂ２，Ｂ
３は同一寸法で形成されている。

【００２１】端子ケース７は、電気的絶縁部材からな
り、矩形枠状の側壁７ａに底壁７ｂを一体形成した構造
のもので、入出力端子７１、７２、アース端子７３がそ
の一部を樹脂内に埋設して設けられ、底壁７ｂの略中央
部には挿通孔７ｃが形成され、挿通孔７ｃの周縁部には
所定の箇所に複数の凹部が形成されている。

【００２２】挿通孔７ｃの周縁に形成された凹部には整
合用コンデンサＣ１〜Ｃ３、終端抵抗Ｒが配置され、挿
通孔７ｃ内には磁性組立体５が挿入配置され、磁性組立
体５の上部に永久磁石３が配設されている。磁性組立体
５下壁の共通のアース部５４は下部ヨーク８の底壁８ａ
に接続されている。各整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３の下
面電極、及び終端抵抗Ｒの一端側の電極はそれぞれアー
ス端子７３に接続されている。各整合用コンデンサＣ１
〜Ｃ３の上面電極にはそれぞれ各中心導体５１〜５３の
ポートＰ１〜Ｐ３が接続され、終端抵抗Ｒの他端側はポ
ートＰ３に接続されている。

【００２３】次に、第１実施形態の構成での効果を図３
を参照して説明する。図３はヨーク側壁に対して垂直方
向に配置された中心導体５３のポートにおける第１実施
形態の構成と従来の構成（各中心導体を同一の導体幅、
導体間隔で構成）の反射特性を示す図である。磁性体の
寸法はいずれも直径３．０ｍｍ、厚み０．５ｍｍ、実施
形態の中心導体５３の導体幅０．３ｍｍ、導体間隔０．
２ｍｍ、従来例の各中心導体５１〜５３及び実施形態の
中心導体５１，５２の導体幅０．１５ｍｍ、導体間隔
０．２ｍｍのものを用いている。なお、飽和磁化は０．
１Ｔに設定し、測定系のインピーダンスは５０Ωであ
る。従来例のものでは、ポートＰ３に対応するポートイ
ンピーダンスが中心周波数で約６０Ωであるのに対し、
実施形態のポートＰ３のポートインピーダンスは中心周
波数で約５０Ωとなる。他のポートインピーダンスは中
心周波数でいずれも約５０Ωである。

【００２４】図３に示すように、本実施形態のポートＰ
３での反射特性は、所要の周波数帯域において従来例の
ものに比べ大幅に向上している。例えば中心周波数（９
００ＭＨｚ）での反射損失は、従来例のものが１９．１
ｄＢであるのに対して、実施形態のものは４６．６ｄＢ
と大幅に改善されている。

【００２５】このように、本実施形態においては、従来
のように各中心導体を同一導体幅で構成した場合にポー
トインピーダンスが最も大きくなる中心導体、すなわち
ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体
５３の導体幅Ａ３を他の中心導体５１，５２の導体幅Ａ
１，Ａ２よりも広く形成したので、この中心導体５３の
ポートインピーダンスは低くなり、このポートの反射特
性が向上する。すなわち、導体幅Ａ３を広く設定するこ
とにより中心導体５３のポートインピーダンスを下げ
て、回路系のインピーダンスにより近づくようにし、他
の中心導体５１，５２のポートインピーダンスとほぼ同
様の値となるようにしている。これにより、全ての中心
導体のポートインピーダンスを回路系のインピーダンス
に合致するように設定することができる。したがって、
本実施形態の構成とすれば、ヨーク側壁に対して垂直方
向に配置された中心導体のポートを入出力ポートとした
場合の挿入損失、及びヨーク側壁に対して垂直方向に配
置された中心導体のポートをアイソレーションポートと
した場合のアイソレーション特性を向上することができ
る。

【００２６】上記実施形態では、ヨーク側壁８ｂに対し
て垂直方向に配置された中心導体５３に終端抵抗Ｒを接
続してアイソレータとしたが、これに限るものではな
く、中心導体５１または５２のいずれかに終端抵抗Ｒを
接続してアイソレータを構成するようにしてもよい。し
かし、上記のように中心導体５１，５２に対してそのポ
ートインピーダンスがずれ易い中心導体５３に終端抵抗
Ｒを接続するのが望ましい。すなわち終端抵抗Ｒの値を
中心導体５３のポートインピーダンスに正確に合わせる
ことにより、さらにアイソレーション特性を向上するこ
とができる。

【００２７】次に、第２実施形態に係るアイソレータの
構成を図４を参照して説明する。図４に示すアイソレー
タでは、各中心導体５１〜５３はそれぞれ２つの導体で
構成され、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置され
た中心導体５３の導体間隔Ｂ３は、他の中心導体５１，
５２の導体間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く形成されている。
すなわち、本実施形態では、ヨーク側壁８ｂに対して垂
直方向に配置された中心導体５３を構成する２つの導体
の導体間隔Ｂ３を他の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ
１，Ｂ２よりも広く設定している。各中心導体５１〜５
３の各導体幅Ａ１，Ａ２，Ａ３は同一寸法で形成されて
いる。

【００２８】図５はヨーク側壁に対して垂直方向に配置
された中心導体５３のポートにおける第２実施形態の構
成と従来の構成の反射特性を示す図である。実施形態の
中心導体５３の導体幅０．１５ｍｍ、導体間隔０．５の
ものを用いている。なお、他の寸法や測定条件は前述の
第１実施形のときと同様である。本実施形態では、ポー
トＰ３のポートインピーダンスは中心周波数で約５５Ω
となる。他のポートインピーダンスは中心周波数でいず
れも約５０Ωである。

【００２９】図５に示すように、本実施形態のポートＰ
３の反射特性は、所要の周波数帯域において従来例のも
のに比べ大幅に向上している。例えば中心周波数での反
射損失は、従来例のものが１９．１ｄＢであるのに対し
て、本実施形態のものは２６．３ｄＢと改善されてい
る。

【００３０】このように、本実施形態においては、従来
のように各中心導体を同一導体間隔で構成した場合にポ
ートインピーダンスが最も大きくなる中心導体、すなわ
ちヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体５
３の導体間隔Ｂ３を他の中心導体５１，５２の導体間隔
Ｂ１，Ｂ２よりも広く形成したので、この中心導体５３
のポートインピーダンスは低くなり、このポートの反射
特性が向上する。すなわち、導体間隔Ｂ３を広く設定す
ることにより中心導体５３のポートインピーダンスを下
げて、回路系のインピーダンスにより近づくようにして
いる。したがって、本実施形態の構成とすれば、ヨーク
側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポートを
入出力ポートとした場合の挿入損失、及びヨーク側壁に
対して垂直方向に配置された中心導体のポートをアイソ
レーションポートとした場合のアイソレーション特性を
向上することができる。

【００３１】次に、第３実施形態に係るアイソレータの
構成を図６を参照して説明する。図６に示すアイソレー
タでは、各中心導体５１〜５３はそれぞれ２つの導体で
構成され、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置され
た中心導体５３の各導体幅Ａ３は他の中心導体５１，５
２の導体幅Ａ１，Ａ２よりも広く、かつ中心導体５３の
導体間隔Ｂ３は他の中心導体５１，５２の導体間隔Ｂ
１，Ｂ２よりも広く形成されている。すなわち、本実施
形態では、ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置され
た中心導体５３を構成する２つの導体の導体幅Ａ３及び
導体間隔Ｂ３を他の中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，
Ａ２及び導体間隔Ｂ１，Ｂ２よりも広く設定している。

【００３２】図７はヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に
配置された中心導体５３のポートにおける第３実施形態
の構成と従来の構成の反射特性を示す図である。実施形
態の中心導体５３の導体幅０．２５ｍｍ、導体間隔０．
３のものを用いている。なお、他の寸法や測定条件は前
述の第１実施形のときと同様である。本実施形態では、
ポートＰ３のポートインピーダンスは中心周波数で約５
０Ωとなる。他のポートインピーダンスは中心周波数で
いずれも約５０Ωである。

【００３３】図７に示すように、本実施形態のポートＰ
３の反射特性は、所要の周波数帯域において従来例のも
のに比べ大幅に向上している。例えば中心周波数での反
射損失は、従来例のものが１９．１ｄＢであるのに対し
て、本実施形態のものは３８．７ｄＢと改善されてい
る。

【００３４】このように、本実施形態においては、従来
のように各中心導体を同一導体幅及び同一導体間隔で構
成した場合にポートインピーダンスが最も大きくなる中
心導体、すなわちヨーク側壁に対して垂直方向に配置さ
れた中心導体５３の導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３を他の
中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２及び導体間隔Ｂ
１，Ｂ２よりも広く形成したので、この中心導体５３の
ポートインピーダンスは低くなり、このポートの反射特
性が向上する。すなわち、導体幅Ａ３及び導体間隔Ｂ３
を広く設定することにより中心導体５３のポートインピ
ーダンスを下げて、回路系のインピーダンスにより近づ
くようにしている。したがって、本実施形態の構成とす
れば、ヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導
体のポートを入出力ポートとした場合の挿入損失、及び
ヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポ
ートをアイソレーションポートとした場合のアイソレー
ション特性を向上することができる。

【００３５】なお、上記各実施形態では、各中心導体５
１，５２，５３を２つの導体で構成したもので説明した
が、これに限るものではなく、各中心導体を１つの導体
で構成してもよく、また各中心導体を３つ以上の導体で
構成してもよい。

【００３６】また、上記実施形態では金属導体板からな
る各中心導体を磁性体に折り曲げて配置した構造のもの
で説明したが、中心導体の構造はこれに限るものではな
く、中心導体を誘電体や磁性体の内部または表面に電極
膜で形成した構造のものであってもよい。また、永久磁
石３の形状及び磁性体５５の形状は平面視円形に限るも
のではなく、平面視四角形等の多角形状のものを用いる
ようにしてもよい。

【００３７】また、上記各実施形態では１つのポートＰ
３に終端抵抗Ｒを接続したアイソレータを例にとって説
明したが、ポートＰ３に終端抵抗Ｒを接続することな
く、ポートＰ３を第３の入出力ポートとしたサーキュレ
ータにも本発明を適用することができる。

【００３８】また、上記実施形態では、上部ヨークと下
部ヨークを接続してヨークを形成しているが、これに限
るものではなく、１つの部材で一体に形成された略四角
形筒状のヨークを用いてもよい。

【００３９】次に、第４実施形態に係る通信機装置の構
成を図８に示す。この通信機装置は、送信用フィルタＴ
Ｘ及び受信用フィルタＲＸからなるデュプレクサＤＰＸ
のアンテナ端にアンテナＡＮＴが接続され、送信用フィ
ルタＴＸの入力端とと送信回路との間にアイソレータＩ
ＳＯが接続され、受信用フィルタＲＸの出力端に受信回
路が接続されて構成されている。送信回路からの送信信
号はアイソレータＩＳＯを経由し、送信用フィルタＴＸ
を通してアンテナＡＮＴから発信される。また、アンテ
ナＡＮＴで受信された受信信号は受信用フィルタＲＸを
通して受信回路に入力される。

【００４０】ここに、アイソレータＩＳＯとして、上記
各実施形態のアイソレータを使用することができる。本
発明に係る反射特性を向上した非可逆回路素子を用いる
ことにより、特性が良好な通信機装置を得ることができ
る。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る非可
逆回路素子によれば、ヨーク側壁に対して垂直方向に配
置された中心導体の導体幅または導体間隔を他の２つの
中心導体の導体幅または導体間隔よりも広く設定してい
るので、ヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心
導体のポートインピーダンスが低くなり、このポートで
の反射特性を向上することができる。したがって、本発
明によれば、挿入損失及びアイソレーション特性が良好
な非可逆回路素子を得ることができる。

【００４２】また、本発明に係る非可逆回路素子を実装
することにより、特性が良好な通信機装置を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態に係るアイソレータの全体構造を
示す分解斜視図

【図２】第１実施形態に係るアイソレータの永久磁石及
び上部ヨークを除いた状態での平面図

【図３】第１実施形態及び従来の構成における反射損失
を示す図

【図４】第２実施形態に係るアイソレータの永久磁石及
び上部ヨークを除いた状態での平面図

【図５】第２実施形態及び従来の構成における反射損失
を示す図

【図６】第３実施形態に係るアイソレータの永久磁石及
び上部ヨークを除いた状態での平面図

【図７】第３実施形態及び従来の構成における反射損失
を示す図

【図８】第４実施形態に係る通信機装置のブロック図

【図９】従来のアイソレータの全体構造を示す分解斜視
図

【図１０】従来のアイソレータの永久磁石及び上部ヨー
クを除いた状態での平面図

【図１１】図１０のアイソレータの模式断面図

【符号の説明】

２ 上部ヨーク ３ 永久磁石 ５ 磁性組立体 ５１〜５３ 中心導体 Ａ１〜Ａ３ 導体幅 Ｂ１〜Ｂ３ 導体間隔 ５５ 磁性体 ７ 端子ケース ７１、７２ 入出力端子 ７３ アース端子 ８ 下部ヨーク ８ｂ 側壁 Ｃ１〜Ｃ３ コンデンサ Ｒ 終端抵抗 Ｐ１〜Ｐ３ ポート

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互い
   に対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、
   磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の
   角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納して
   なり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方
   向に配置した非可逆回路素子において、 ヨークの側壁に対して略垂直方向に配置された中心導体
   の導体幅を他の２つの中心導体の導体幅よりも広く設定
   したことを特徴とする非可逆回路素子。
2. 【請求項２】 上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互い
   に対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、
   磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の
   角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納して
   なり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方
   向に配置した非可逆回路素子において、 前記各中心導体を複数の導体で構成し、ヨークの側壁に
   対して略垂直方向に配置された中心導体の導体間隔を他
   の２つの中心導体の導体間隔よりも広く設定したことを
   特徴とする非可逆回路素子。
3. 【請求項３】 上壁、下壁及び上下壁に連続しかつ互い
   に対向する２つの側壁を有するヨーク内に、永久磁石、
   磁性体、該磁性体に互いに電気的絶縁状態でかつ所定の
   角度で交差させて配置された３つの中心導体を収納して
   なり、１つの中心導体をヨークの側壁に対して略垂直方
   向に配置した非可逆回路素子において、 前記各中心導体を複数の導体で構成し、ヨークの側壁に
   対して略垂直方向に配置された中心導体の導体幅及び導
   体間隔を他の２つの中心導体の導体幅及び導体間隔より
   も広く設定したことを特徴とする非可逆回路素子。
4. 【請求項４】 前記各中心導体を２つの導体で構成した
   ことを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３に
   記載の非可逆回路素子。
5. 【請求項５】 前記３つの中心導体のうちいずれか１つ
   の中心導体のポートに終端抵抗を接続したことを特徴と
   する請求項１、２、３または４に記載の非可逆回路素
   子。
6. 【請求項６】 前記ヨークの側壁に対して略垂直方向に
   配置された中心導体のポートに終端抵抗を接続したこと
   を特徴とする請求項５に記載の非可逆回路素子。
7. 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５または６に記
   載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信機装
   置。