JPH11168304A - 集中定数型非可逆回路素子 - Google Patents
集中定数型非可逆回路素子Info
- Publication number
- JPH11168304A JPH11168304A JP33335797A JP33335797A JPH11168304A JP H11168304 A JPH11168304 A JP H11168304A JP 33335797 A JP33335797 A JP 33335797A JP 33335797 A JP33335797 A JP 33335797A JP H11168304 A JPH11168304 A JP H11168304A
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- center conductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低コストで低損失、かつ小型化が可能な集中
定数型非可逆回路素子を提供する。 【解決手段】 フェライト、中心導体からなる中心導体
部分、前記中心導体に接続される容量素子、前記フェラ
イトに直流磁界を印可する永久磁石、これらを磁性ヨー
クを兼ねるケース内に配置してなる集中定数型非可逆回
路素子であって、前記永久磁石は矩形状に形成され、前
記ケース内面に位置決めされ、ほぼ密着状態で配置され
ていることを特徴とする集中定数型非可逆回路素子。
定数型非可逆回路素子を提供する。 【解決手段】 フェライト、中心導体からなる中心導体
部分、前記中心導体に接続される容量素子、前記フェラ
イトに直流磁界を印可する永久磁石、これらを磁性ヨー
クを兼ねるケース内に配置してなる集中定数型非可逆回
路素子であって、前記永久磁石は矩形状に形成され、前
記ケース内面に位置決めされ、ほぼ密着状態で配置され
ていることを特徴とする集中定数型非可逆回路素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波通信機
器に使用されるアイソレータ、サーキュレータなどの集
中定数型非可逆回路素子に関する。
器に使用されるアイソレータ、サーキュレータなどの集
中定数型非可逆回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にアイソレータ、サーキュレータ等
の非可逆回路素子は、信号の伝送方向にはほとんど減衰
がなく、かつ逆方向には減衰が大きくなるような機能を
有しており、例えばマイクロ波帯、ＵＨＦ帯で使用され
る携帯電話、自動車電話等の移動体通信機器の送受信回
路部に用いられている。
の非可逆回路素子は、信号の伝送方向にはほとんど減衰
がなく、かつ逆方向には減衰が大きくなるような機能を
有しており、例えばマイクロ波帯、ＵＨＦ帯で使用され
る携帯電話、自動車電話等の移動体通信機器の送受信回
路部に用いられている。
【０００３】図３に、従来例の集中定数型アイソレータ
の分解斜視図を示す。この従来例は、最下部に樹脂ケー
ス１がある。この樹脂ケース１は、３つの導電体板が樹
脂部分と一体に形成されている。この１つの導電体板
は、アース電極板２であり、樹脂ケース１の底部に広く
配置され、それと繋がるアース端子３が樹脂ケース１の
装着面となる裏面に導出されている。また、他の２つの
導電体板は、入出力端子用であり、内側の回路接続端子
４と外側の入出力端子５とが繋がったコ字状の導電体板
である。この内側回路接続端子４は、アース板電極２の
配置されている面に突起部６が形成され、その突起部６
の上に配置されている。
の分解斜視図を示す。この従来例は、最下部に樹脂ケー
ス１がある。この樹脂ケース１は、３つの導電体板が樹
脂部分と一体に形成されている。この１つの導電体板
は、アース電極板２であり、樹脂ケース１の底部に広く
配置され、それと繋がるアース端子３が樹脂ケース１の
装着面となる裏面に導出されている。また、他の２つの
導電体板は、入出力端子用であり、内側の回路接続端子
４と外側の入出力端子５とが繋がったコ字状の導電体板
である。この内側回路接続端子４は、アース板電極２の
配置されている面に突起部６が形成され、その突起部６
の上に配置されている。
【０００４】この樹脂ケース１の上に、金属ケース下７
が載せられる。この金属ケース下７は、樹脂ケース１の
突起部６に対応する切り欠き部８を有し、この樹脂ケー
ス１のアース電極板２と半田付けされる。
が載せられる。この金属ケース下７は、樹脂ケース１の
突起部６に対応する切り欠き部８を有し、この樹脂ケー
ス１のアース電極板２と半田付けされる。
【０００５】この金属ケース下７の上に、誘電体板の上
下面に電極が形成された板状コンデンサ９とチップ抵抗
１０と、フェライトコア１１上に中心導体１２を互いに
絶縁状態で、１２０度の間隔で回転対称に配置された中
心導体部とを配置する。この３つの中心導体１２のう
ち、２つの中心導体１２の先端部１３ａ、１３ｂは、そ
れぞれ板状コンデンサ９と樹脂ケース１上の内側回路接
続端子４に接続され、他の一つの中心導体の先端部１３
ｃは、板状コンデンサ９とチップ抵抗１０に接続され
る。この中心導体部のフェライトコア１１の下部は、３
つの中心導体の共通部であり、この共通部は金属ケース
下７に接続され、アース接続される。又、板状コンデン
サ９も中心導体の先端部が接続される面の対向面側で金
属ケース下７に接続され、アース接続される。そして、
そのチップ抵抗１０の端子電極が金属ケース下７と接続
され、アース接続される。
下面に電極が形成された板状コンデンサ９とチップ抵抗
１０と、フェライトコア１１上に中心導体１２を互いに
絶縁状態で、１２０度の間隔で回転対称に配置された中
心導体部とを配置する。この３つの中心導体１２のう
ち、２つの中心導体１２の先端部１３ａ、１３ｂは、そ
れぞれ板状コンデンサ９と樹脂ケース１上の内側回路接
続端子４に接続され、他の一つの中心導体の先端部１３
ｃは、板状コンデンサ９とチップ抵抗１０に接続され
る。この中心導体部のフェライトコア１１の下部は、３
つの中心導体の共通部であり、この共通部は金属ケース
下７に接続され、アース接続される。又、板状コンデン
サ９も中心導体の先端部が接続される面の対向面側で金
属ケース下７に接続され、アース接続される。そして、
そのチップ抵抗１０の端子電極が金属ケース下７と接続
され、アース接続される。
【０００６】次に、この中心導体部に樹脂モールド２０
を被せる。この樹脂モールド２０は、中央にフェライト
コア１１の外径とほぼ同じ大きさの貫通孔２１を有し、
下部にフェライトコア１１の外周部に当接するような爪
部２２が３ヶ所形成されている。この爪部２２は、フェ
ライトコアの側面の中心導体の部分に位置し、フェライ
トコアの位置決めを行っている。この樹脂モールド２０
は、外形が樹脂ケース１及び金属ケース下７の内側に収
納される大きさであり、上面に磁石２４を位置決めする
突出部２３が形成されている。そして、この突出部２３
で位置決めされる位置に磁石２４が配置される。そし
て、金属ケース上２５を被せ、金属ケース上２５と金属
ケース下７とを半田付けして非可逆回路素子を構成して
いる。
を被せる。この樹脂モールド２０は、中央にフェライト
コア１１の外径とほぼ同じ大きさの貫通孔２１を有し、
下部にフェライトコア１１の外周部に当接するような爪
部２２が３ヶ所形成されている。この爪部２２は、フェ
ライトコアの側面の中心導体の部分に位置し、フェライ
トコアの位置決めを行っている。この樹脂モールド２０
は、外形が樹脂ケース１及び金属ケース下７の内側に収
納される大きさであり、上面に磁石２４を位置決めする
突出部２３が形成されている。そして、この突出部２３
で位置決めされる位置に磁石２４が配置される。そし
て、金属ケース上２５を被せ、金属ケース上２５と金属
ケース下７とを半田付けして非可逆回路素子を構成して
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この集中定数型非可逆
回路素子が用いられる携帯電話などのマイクロ波通信機
器の小型、薄型化の要求は強く、低コストで低損失、か
つ小型、薄型の集中定数型非可逆回路素子が強く望まれ
ている。本発明は、以上のことから、低コストで低損
失、かつ小型化が可能な集中定数型非可逆回路素子を提
供することを目的とする。
回路素子が用いられる携帯電話などのマイクロ波通信機
器の小型、薄型化の要求は強く、低コストで低損失、か
つ小型、薄型の集中定数型非可逆回路素子が強く望まれ
ている。本発明は、以上のことから、低コストで低損
失、かつ小型化が可能な集中定数型非可逆回路素子を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、フェライト、
中心導体からなる中心導体部分、前記中心導体に接続さ
れる容量素子、前記フェライトに直流磁界を印可する永
久磁石、これらを磁性ヨークを兼ねるケース内に配置し
てなる集中定数型非可逆回路素子であって、前記永久磁
石は矩形状に形成され、前記ケース内面に位置決めさ
れ、ほぼ密着状態で配置されていることを特徴とする集
中定数型非可逆回路素子である。
中心導体からなる中心導体部分、前記中心導体に接続さ
れる容量素子、前記フェライトに直流磁界を印可する永
久磁石、これらを磁性ヨークを兼ねるケース内に配置し
てなる集中定数型非可逆回路素子であって、前記永久磁
石は矩形状に形成され、前記ケース内面に位置決めさ
れ、ほぼ密着状態で配置されていることを特徴とする集
中定数型非可逆回路素子である。
【０００９】本発明において、永久磁石がケース内面に
位置決めされ、ほぼ密着状態で配置されるということ
は、従来技術に示したような樹脂モールドのように、永
久磁石とケースとの間に介在させ、位置決めさせる部材
を不要とし、永久磁石をケースに直接接合させ、永久磁
石の外面とケースの内面を合わせ、位置決めするもので
ある。従って、永久磁石の外形寸法とケースの内形寸法
は、クリアランスを考慮した寸法でほぼ同じとなる。ま
た本発明において、永久磁石が矩形状というのは、ケー
ス形状が矩形状であること、及び外形が円形よりも矩形
の方が製造が容易であることから、永久磁石は、ケース
の内面形状に合った矩形状であることが望ましい。
位置決めされ、ほぼ密着状態で配置されるということ
は、従来技術に示したような樹脂モールドのように、永
久磁石とケースとの間に介在させ、位置決めさせる部材
を不要とし、永久磁石をケースに直接接合させ、永久磁
石の外面とケースの内面を合わせ、位置決めするもので
ある。従って、永久磁石の外形寸法とケースの内形寸法
は、クリアランスを考慮した寸法でほぼ同じとなる。ま
た本発明において、永久磁石が矩形状というのは、ケー
ス形状が矩形状であること、及び外形が円形よりも矩形
の方が製造が容易であることから、永久磁石は、ケース
の内面形状に合った矩形状であることが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係る係る一実施例の分解
斜視図を図１に示す。また、この実施例の樹脂ケース７
の平面図を図２に示す。この実施例について説明する。
まず、この実施例の中心導体部分は、円板状のシールド
板から放射状に３つの中心導体４、５、６が突出した構
造の導電板を用意し、その導電板の円板状部にフェライ
ト円板３を配置する。そして、３つの中心導体４、５、
６を折り曲げて重ねる。このとき、各中心導体４、５、
６は絶縁されて重ねられる。このようにして、中心導体
部分が構成される。
斜視図を図１に示す。また、この実施例の樹脂ケース７
の平面図を図２に示す。この実施例について説明する。
まず、この実施例の中心導体部分は、円板状のシールド
板から放射状に３つの中心導体４、５、６が突出した構
造の導電板を用意し、その導電板の円板状部にフェライ
ト円板３を配置する。そして、３つの中心導体４、５、
６を折り曲げて重ねる。このとき、各中心導体４、５、
６は絶縁されて重ねられる。このようにして、中心導体
部分が構成される。
【００１１】そして、下ケース１２上に樹脂ケース７が
配置される。このとき、下ケース１２と樹脂ケース７の
アース電極１４ａとは導通している。下ケース１２は、
樹脂ケース７の底部の凹部１８に合致する構造となって
いる。これにより、樹脂ケース７の側面に形成された外
部端子１５ａ、１５ｂ、１５ｃ（対向側面にも３つの外
部端子１５ｄ、１５ｅ、１５ｆが形成されている）での
面実装を可能としている。
配置される。このとき、下ケース１２と樹脂ケース７の
アース電極１４ａとは導通している。下ケース１２は、
樹脂ケース７の底部の凹部１８に合致する構造となって
いる。これにより、樹脂ケース７の側面に形成された外
部端子１５ａ、１５ｂ、１５ｃ（対向側面にも３つの外
部端子１５ｄ、１５ｅ、１５ｆが形成されている）での
面実装を可能としている。
【００１２】この樹脂ケース７の容量素子用の凹部１３
ｂ、１３ｃ、１３ｄにそれぞれ容量素子８、９、１０を
挿入する。この容量素子は、その上下面に電極が形成さ
れた平板コンデンサであり、下面の電極と各凹部の底部
に形成されたアース電極１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとは半
田接続される。また、抵抗素子用の貫通凹部１７に抵抗
素子１１が配置され、抵抗素子１１の一方の電極は、貫
通凹部１７の下にある下ケース１７上に配置され、半田
接続される。
ｂ、１３ｃ、１３ｄにそれぞれ容量素子８、９、１０を
挿入する。この容量素子は、その上下面に電極が形成さ
れた平板コンデンサであり、下面の電極と各凹部の底部
に形成されたアース電極１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとは半
田接続される。また、抵抗素子用の貫通凹部１７に抵抗
素子１１が配置され、抵抗素子１１の一方の電極は、貫
通凹部１７の下にある下ケース１７上に配置され、半田
接続される。
【００１３】次いで、樹脂ケース７の中央の中心導体部
分用の円形状の凹部１３ａに、上記した中心導体部分を
配置する。このとき、中心導体部分の円板状のシールド
板は、アース電極１４ａと半田接続される。これによ
り、中心導体の一端はアース接続される。
分用の円形状の凹部１３ａに、上記した中心導体部分を
配置する。このとき、中心導体部分の円板状のシールド
板は、アース電極１４ａと半田接続される。これによ
り、中心導体の一端はアース接続される。
【００１４】そして、中心導体４の他端は、容量素子８
の上面の電極と抵抗素子１１の他方の電極とに接続され
る。また、中心導体５の他端は、容量素子９の上面の電
極と端子電極部１６ｂに接続される。また、中心導体６
の他端は、容量素子１０の上面の電極と端子電極部１６
ｃに接続される。このとき、端子電極部１６ｂ、１６ｃ
の高さは、容量素子９、１０の上面の電極の高さと一致
するように構成し、中心導体の接続性を良くしている。
また、この端子電極部１６ｂ、１６ｃは、外部端子に導
通している。（１６ｃと１５ｃが対応している）
の上面の電極と抵抗素子１１の他方の電極とに接続され
る。また、中心導体５の他端は、容量素子９の上面の電
極と端子電極部１６ｂに接続される。また、中心導体６
の他端は、容量素子１０の上面の電極と端子電極部１６
ｃに接続される。このとき、端子電極部１６ｂ、１６ｃ
の高さは、容量素子９、１０の上面の電極の高さと一致
するように構成し、中心導体の接続性を良くしている。
また、この端子電極部１６ｂ、１６ｃは、外部端子に導
通している。（１６ｃと１５ｃが対応している）
【００１５】そして、フェライト円板３に直流磁界を印
加する永久磁石２を上ケース１に位置決めし、上ケース
１と下ケース１２を接合させて、アイソレータを構成し
た。この永久磁石２は、矩形状をしており、上ケース１
の内面に位置決めされている。この実施例によると、５
ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍといった非常に小型、薄型の集中
定数型非可逆回路素子を得ることが出来た。このとき、
上ケース１の内形寸法は、４．６ｍｍ×４．１ｍｍであ
り、永久磁石２の外形寸法は、４．４ｍｍ×３．９ｍｍ
×０．６ｍｍ（高さ）とした。これに対し、フェライト
円板３の外形は、直径２．２ｍｍとした。この実施例と
比較例との比較を表１に示す
加する永久磁石２を上ケース１に位置決めし、上ケース
１と下ケース１２を接合させて、アイソレータを構成し
た。この永久磁石２は、矩形状をしており、上ケース１
の内面に位置決めされている。この実施例によると、５
ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍといった非常に小型、薄型の集中
定数型非可逆回路素子を得ることが出来た。このとき、
上ケース１の内形寸法は、４．６ｍｍ×４．１ｍｍであ
り、永久磁石２の外形寸法は、４．４ｍｍ×３．９ｍｍ
×０．６ｍｍ（高さ）とした。これに対し、フェライト
円板３の外形は、直径２．２ｍｍとした。この実施例と
比較例との比較を表１に示す
【００１６】
【表１】
【００１７】表１に示すように、本実施例によれば、挿
入損失が僅かであるが改善されている。また、この結果
から、永久磁石の大きさ（ガーネットに対する面積）
は、大きくすることが良いことがわかる。また、従来
は、永久磁石の側面とケースの内側面との間には、エア
ーギャップを介在させることが一般的に行われていた
が、このエアーギャップは特に設ける必要がないことが
確認できた。これにより、本発明によれば、永久磁石を
ケース内面にほぼ密着状態で位置決めすることが可能と
なり、小型化を達成するとともに特性の良好な集中定数
型非可逆回路素子を得ることができる。さらに、本発明
によれば、矩形状の永久磁石を用いることにより、低コ
スト化を図ることができる。
入損失が僅かであるが改善されている。また、この結果
から、永久磁石の大きさ（ガーネットに対する面積）
は、大きくすることが良いことがわかる。また、従来
は、永久磁石の側面とケースの内側面との間には、エア
ーギャップを介在させることが一般的に行われていた
が、このエアーギャップは特に設ける必要がないことが
確認できた。これにより、本発明によれば、永久磁石を
ケース内面にほぼ密着状態で位置決めすることが可能と
なり、小型化を達成するとともに特性の良好な集中定数
型非可逆回路素子を得ることができる。さらに、本発明
によれば、矩形状の永久磁石を用いることにより、低コ
スト化を図ることができる。
【００１８】本発明によれば、集中定数型非可逆回路素
子の小型、薄型化及び低コスト化が進むなかで、永久磁
石をケース内側いっぱいに配置することができ、接地面
積を広く設定することができる。これにより、良好な特
性が得られるとともに、低コスト化を達成することがで
きる。上記実施例は、アイソレータで説明したが、サー
キュレータを同様の技術で構成できることは言うまでも
ない。
子の小型、薄型化及び低コスト化が進むなかで、永久磁
石をケース内側いっぱいに配置することができ、接地面
積を広く設定することができる。これにより、良好な特
性が得られるとともに、低コスト化を達成することがで
きる。上記実施例は、アイソレータで説明したが、サー
キュレータを同様の技術で構成できることは言うまでも
ない。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、永久磁石をケース内側
いっぱいに配置することができ、永久磁石の接地面積を
広く設定することができる。これにより、良好な特性が
得られるとともに、低コスト化を達成することができ、
集中定数型非可逆回路素子の小型、薄型化を可能とする
とともに、安価に生産することができる。
いっぱいに配置することができ、永久磁石の接地面積を
広く設定することができる。これにより、良好な特性が
得られるとともに、低コスト化を達成することができ、
集中定数型非可逆回路素子の小型、薄型化を可能とする
とともに、安価に生産することができる。
【図１】本発明に係る一実施例の分解斜視図である。
【図２】本発明に係る樹脂ケースの平面図である。
【図３】従来例の分解斜視図である。
１ 上ケース ２ 永久磁石 ３ フェライト円板 ４、５、６ 中心導体 ７ 樹脂ケース ８、９、１０ 容量素子 １１ 抵抗素子 １２ 下ケース １３ａ 中心導体部分用凹部 １３ｂ、１３ｃ、１３ｄ 容量素子用凹部 １４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ アース電極 １５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、１５ｆ 外
部端子 １６ａ、１６ｂ、１６ｃ 端子電極部 １７ 抵抗素子用貫通凹部 １８ 凹部
部端子 １６ａ、１６ｂ、１６ｃ 端子電極部 １７ 抵抗素子用貫通凹部 １８ 凹部
Claims (1)
- 【請求項１】 フェライト、中心導体からなる中心導体
部分、前記中心導体に接続される容量素子、前記フェラ
イトに直流磁界を印可する永久磁石、これらを磁性ヨー
クを兼ねるケース内に配置してなる集中定数型非可逆回
路素子であって、前記永久磁石は矩形状に形成され、前
記ケース内面に位置決めされ、ほぼ密着状態で配置され
ていることを特徴とする集中定数型非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33335797A JPH11168304A (ja) | 1997-12-03 | 1997-12-03 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33335797A JPH11168304A (ja) | 1997-12-03 | 1997-12-03 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11168304A true JPH11168304A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=18265215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33335797A Pending JPH11168304A (ja) | 1997-12-03 | 1997-12-03 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11168304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6566972B2 (en) * | 2001-06-14 | 2003-05-20 | Tyco Electronics Corporation | Ferrite-circuit aligning frame |
-
1997
- 1997-12-03 JP JP33335797A patent/JPH11168304A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6566972B2 (en) * | 2001-06-14 | 2003-05-20 | Tyco Electronics Corporation | Ferrite-circuit aligning frame |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041111 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20041111 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060825 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061024 |
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