JP4284869B2

JP4284869B2 - 非可逆回路素子及び通信装置

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Publication number: JP4284869B2
Application number: JP2001012283A
Authority: JP
Inventors: 長谷川　　隆
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-01-19
Filing date: 2001-01-19
Publication date: 2009-06-24
Anticipated expiration: 2021-01-19
Also published as: JP2002217610A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非可逆回路素子及び通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１７に従来の集中定数型アイソレータ１の垂直断面図を、図１８に図１７と直角に交わる方向のアイソレータ１の垂直断面図を示す。アイソレータ１は、永久磁石９と、この永久磁石９により直流磁界が印加されるフェライト２０と、フェライト２０に配置された複数の中心電極１０と、永久磁石９と中心電極１０の間に配置される樹脂部材３５と、フェライト２０と中心電極１０を収容する樹脂ケース３と、永久磁石９とフェライト２０と中心電極１０を収容する磁性体金属からなる上側ケース８及び下側ケース４等を備えている。中心電極組立体１３は、フェライト２０と中心電極１０等からなる。
【０００３】
フェライト２０の上面中央部に中心電極１０が積層されているので、中心電極組立体１３の厚みは、外周部分より中央部分が厚い。つまり、中心電極組立体１３の上部は凸形状（略錐形状）になっている。従って、樹脂部材３５の下面に矩形状の凹部３７を設けると共に、その中央部に貫通穴３６を形成し、この凹部３７や貫通穴３６に、中心電極１０の重なり部分を収容することにより、アイソレータ１の低背化を実現している。凹部３７の部分（ただし、貫通穴３６は除く）の樹脂部材３５の肉厚は一定である。
【０００４】
また、樹脂部材３５、中心電極組立体１３及び整合用コンデンサ素子Ｃ等は、樹脂ケース３に設けられたそれぞれのポケットに収容されている。樹脂ケース３のポケットの内周面と樹脂部材３５の外周面との間には隙間Ｓ１が設けられ、樹脂ケース３のポケットの内周面と中心電極組立体１３の外周面との間には隙間Ｓ２が設けられている。樹脂部材３５や中心電極組立体１３を樹脂ケース３のポケットに挿入する作業を容易にするためである。隙間Ｓ１，Ｓ２は、従来、５０〜１５０μｍ程度であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、以上の構成からなるアイソレータ１は隙間Ｓ１，Ｓ２が設けられているため、アイソレータ１を組み立てると、樹脂部材３５と中心電極組立体１３の相対位置がばらつく。一方、中心電極組立体１３は、フェライト２０の上面中央部では三つの中心電極１０が重なった状態で配置されており、上面外周部では一つの中心電極１０しか配置されていない。このため、中心電極組立体１３は、フェライト２０の中央部と外周部とでは、中心電極１０の厚みが約０．０５ｍｍであるので約０．１ｍｍの厚みの差が生じる。
【０００６】
従って、中心電極組立体１３の厚みがフェライト２０上で異なるのに対して、樹脂部材３５の凹部３７の部分の肉厚は一定であるため、このアイソレータ１を組み立てる際に、樹脂部材３５と中心電極組立体１３の相対位置がずれると、樹脂部材３５が傾く。これにより、上側ケース８が傾き、アイソレータ１の高さＴが不揃いになる。つまり、中心電極組立体１３の場所による厚みの差は約０．１ｍｍであるが、上側ケース８が傾くことにより、アイソレータ１の高さＴのばらつきは更に大きくなる。特に、最近の携帯電話等の移動用通信装置に用いられるアイソレータ１は、小型化及び、低背化を要求されており、高さは約２ｍｍであるので、その影響は大きい。
【０００７】
また、樹脂部材３５が傾くと、樹脂部材３５の上に搭載した永久磁石９も傾くので、それぞれの中心電極１０と永久磁石９との間の距離がばらつく。このばらつきは、実効誘電率、実効透磁率、実効損失角のばらつきを招く。従って、それぞれの中心電極１０のインダクタンス値とＱ値がばらつき、この結果、アイソレータ１の特性がばらつくこととなる。
【０００８】
さらに、図１８に示すように、上側ケース８が、下側ケース４を介してアース端子１６（図１７参照）に電気的に接続されているアイソレータ１の場合では、上側ケース８が傾くと、各中心電極１０からアースまでの距離がばらつくので、各中心電極１０のインダクタンス値がばらつく。つまり、アイソレータ１の特性がばらつくことになる。このとき、上側ケース８が全体的に上下方向に平行移動するだけであれば、各中心電極１０のインダクタンス値は同じように変化するので、永久磁石９の磁力を調整することにより、アイソレータ１の電気的特性の調整が可能な場合がある。しかし、上側ケース８が傾くと、各中心電極１０のインダクタンス値の変化量もそれぞれ異なり、永久磁石９による調整は難しい。
【０００９】
さらに、樹脂部材３５が傾くと、樹脂部材３５が浮いている部分では、中心電極１０のポート部Ｐと整合用コンデンサ素子Ｃの接続部分の押さえが不十分になり、オープン不良が生じるおそれがある。逆に、樹脂部材３５が沈んでいる部分では、上側ケース８の上面を押さえながら整合用コンデンサ素子Ｃをはんだ付けする際の力が整合用コンデンサ素子Ｃに集中し、整合用コンデンサ素子Ｃを破壊するおそれがある。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、中心電極組立体と樹脂部材の相対位置が安定しており、組み立てが容易で電気特性の優れた非可逆回路素子及び通信装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】
前記目的を達成するため、本発明に係る非可逆回路素子は、
（ａ）永久磁石と、
（ｂ）前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、前記フェライトの上部に配置された複数の中心電極とからなる中心電極組立体と、
（ｃ）前記中心電極組立体と前記永久磁石との間に配置された樹脂部材と、
（ｄ）前記永久磁石と前記中心電極組立体と前記樹脂部材とを収容する金属ケースと、
（ｅ）前記金属ケースと一体化した樹脂ケースと、
を備え、
（ｆ）前記樹脂部材の中心電極組立体側の前記フェライトに相対する位置に、断面が略錐形状の凹部を設け、前記凹部の外周部から中央部に向かって前記樹脂部材の肉厚が相対的に薄くなっており、
（ｇ）前記中心電極組立体及び前記樹脂部材は前記樹脂ケースに設けられたそれぞれのポケット内に収容されていること、
を特徴とする。
【００１２】
フェライトの上部に配置された複数の中心電極は、フェライトの上面中央部で重なり、中心電極組立体の上部は凸形状（略錐形状）になっている。この凸形状の中心電極組立体の上部と、樹脂部材に設けた略錐形状の凹部とが、嵌合することにより、中心電極組立体と樹脂部材の相対位置関係が安定する。
【００１３】
また、本発明では、金属ケースと一体化した樹脂ケースを備え、中心電極組立体及び樹脂部材は樹脂ケースに設けられたそれぞれのポケット内に収容されている。ここで、「金属ケースと一体化した樹脂ケース」とは、金属ケースと樹脂ケースを別々に作り、それらを一体的に組み合わせたものも含む。これにより、非可逆回路素子の組み立て作業の際に、それぞれのポケットが中心電極組立体及び樹脂部材の配置位置を規制し、中心電極組立体及び樹脂部材の位置決めが容易になる。
【００１４】
樹脂部材の中心電極組立体側の外周の少なくとも一辺を面取りしたり、樹脂ケースの樹脂部材収容用ポケットの内周の少なくとも一辺を面取りしたりすることが好ましい。これにより、樹脂部材を樹脂ケースのポケットに挿入する作業が容易になる。
【００１５】
また、樹脂部材の凹部の中央部に貫通穴を設けることによって、フェライトの上面中央部に配置された複数の中心電極の重なり部分が、凹部の底面に面接触しないようにしてもよい。
【００１６】
また、樹脂部材及び樹脂ケースは、液晶ポリマーやポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）からなることが好ましい。液晶ポリマー及びポリフェニレンサルファイド樹脂は、耐熱性と低損失に優れているので、電気特性が良くかつ信頼性の高い非可逆回路素子が得られる。
【００１７】
また、金属ケースにアース端子が電気的に接続している場合には、非可逆回路素子の高さのばらつきが電気特性のばらつきの要因となる。しかし、このような場合においても、中心電極組立体の上部と樹脂部材に設けた凹部を嵌合させることにより、非可逆回路素子の高さが安定するため、電気特性のばらつきを低減できる。
【００１８】
また、本発明に係る通信装置は、前述の特徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、優れた電気特性が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る非可逆回路素子及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。なお、各実施形態において、同一部品及び同一部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。
【００２０】
［第１実施形態、図１〜図１０］
本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態の構成を示す分解斜視図を図１に示す。図２は樹脂部材３０を下面３０ｂ側から見た外観斜視図を、図３は図１に示した非可逆回路素子４１の組立完成後の外観斜視図をそれぞれ示す。該非可逆回路素子４１は、集中定数型アイソレータである。
【００２１】
図１に示すように、集中定数型アイソレータ４１は、概略、磁性体金属からなる上側ケース８及び磁性体金属からなる下側ケース４と、樹脂ケース３と、中心電極組立体１３と、永久磁石９と、抵抗素子Ｒと、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３と、樹脂部材３０等を備えている。
【００２２】
中心電極組立体１３は、矩形状のマイクロ波フェライト２０の上面に中心電極２１〜２３を絶縁シート２６（図４及び図５参照）を介在させて略１２０度ごとに交差するように配置している。フェライト２０の上面中央部に、中心電極２１〜２３と絶縁シート２６が積層されており、中心電極組立体１３の厚みは外周部より中央部分が厚い。つまり、中心電極組立体１３の上部は、凸形状（略錐形状）になっている。中心電極２１〜２３は、各々の一端側のポート部Ｐ１〜Ｐ３を水平に導出するとともに、他端側の中心電極２１〜２３の共通のアース電極２５をフェライト２０の下面に当接させている。共通のアース電極２５は、フェライト２０の下面を略覆っている。中心電極２１〜２３とアース電極２５は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｂｅ等の導電性材料からなり、金属薄板を打ち抜き加工や、エッチング加工することによって一体に形成される。
【００２３】
整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３は、誘電体セラミック基板の上面に位置するホット側端子電極２７と、下面に位置するコールド側（アース側）端子電極２８を有している。
【００２４】
抵抗素子Ｒは、絶縁性基板の両端部に厚膜印刷等でアース側端子電極１８及びホット側端子電極１９を形成し、その間にサーメット系やカーボン系やルテニウム系等の厚膜あるいは金属薄膜の抵抗体を配設している。絶縁性基板の材料は、例えば、アルミナ等の誘電体セラミックが用いられる。
【００２５】
下側ケース４は、左右の側壁４ａと底壁４ｂを有している。下側ケース４の底壁４ｂの対向する一対の辺からは、それぞれ２本のアース端子１６が延在している。すなわち、下側ケース４の底壁４ｂとアース端子１６は一体になっている。また、上側ケース８は、平面視矩形状であり、上壁８ａと左右の側壁８ｂを有している。下側ケース４及び上側ケース８は、例えば、Ｆｅやケイ素鋼等の高透磁率からなる板材を打ち抜き、曲げ加工した後、表面に銅や銀をめっきしたものである。下側ケース４は、樹脂ケース３、入力端子１４及び出力端子１５とともに、インサートモールド法によって一体的に形成されている。
【００２６】
樹脂ケース３は、底壁３ａと四つの側壁３ｂを有している。四つの側壁３ｂは、樹脂部材３０を収容するための樹脂部材収容用ポケット５０を構成している。底壁３ａの中央部には矩形状のポケット５１が形成されており、ポケット５１の周縁にはそれぞれ整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒをそれぞれ収納するためのポケット５２が形成されている。ポケット５１は中心電極組立体１３を収容する中心電極収容用ポケットとされる。ポケット５１，５２には下側ケース４の底壁４ｂが露出している。入力端子１４及び出力端子１５は、それぞれ一端が樹脂ケース３の外側面に露出し、他端が樹脂ケース３の底壁３ａに露出している。
【００２７】
図２に示すように、樹脂部材３０は平面形状が略矩形状を有し、下面３０ｂには、アイソレータ４１の低背化のために、中心電極組立体１３を収容する中心電極組立体収容用凹部３２が設けられると共に、その中央部に貫通穴３１が形成されている。中心電極組立体収容用凹部３２は、フェライト２０に相対する位置に形成され、垂直断面形状が略錐形状を有している。樹脂部材３０の肉厚は、中心電極組立体収容用凹部３２の外周部から中央部に向かって相対的に薄くなっている。従って、アイソレータ４１を組み立てたときに、凸形状の中心電極組立体１３の上部と中心電極組立体収容用凹部３２の底部３３とが、嵌合する。樹脂部材３０や樹脂ケース３の材料としては、液晶ポリマー又はポリフェニレンサルファイド樹脂であることが好ましい。液晶ポリマーやポリフェニレンサルファイド樹脂は、耐熱性と低損失に優れているからである。
【００２８】
以上の構成部品は、以下のようにして組み立てられる。下側ケース４と一体化している樹脂ケース３のそれぞれのポケット５０〜５２内に、樹脂部材３０や中心電極組立体１３や整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒ等を収容する。これにより、アイソレータ４１の組み立て作業の際に、それぞれのポケット５０及び５１が樹脂部材３０及び中心電極組立体１３の配置位置を規制し、樹脂部材３０及び中心電極組立体１３等の位置決めが容易になる。
【００２９】
中心電極組立体１３は、中心電極収容用ポケット５１に露出している下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付け等の方法により接続され、接地される。中心電極２１のポート部Ｐ１は、樹脂ケース３の底壁３ａに露出している入力端子１４の接続部に、中心電極２２のポート部Ｐ２は、樹脂ケース３の底壁３ａに露出している出力端子１５の接続部に、それぞれはんだ付けされる。抵抗素子Ｒのホット側端子電極１９はポート部Ｐ３にはんだ付けされ、アース側端子電極１８は樹脂ケース３のポケット５２に露出している下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付けされる。整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３のホット側端子電極２７はポート部Ｐ１〜Ｐ３に電気的に接続され、コールド側端子電極２８は樹脂ケース３のポケット５２に露出している下側ケース４の底壁４ｂにそれぞれはんだ付けされる。つまり、整合用コンデンサ素子Ｃ３と抵抗素子Ｒとは、中心電極２３のポート部Ｐ３とアース端子１６との間に電気的に並列に接続される（図６参照）。
【００３０】
さらに、その上に樹脂部材３０を樹脂部材収容用ポケット５０に収容し、永久磁石９を樹脂部材３０の上面３０ａの上に積み重ねた後、上側ケース８を装着する。このとき、最初、樹脂部材３０と中心電極組立体１３の水平方向の相対位置関係が比較的大きくずれていても、中心電極組立体１３の上部の傾斜部（肩部）と中心電極組立体収容用凹部３２の傾斜部とが滑り合い、最終的に両者は嵌合する。樹脂部材３０は、中心電極組立体１３、抵抗素子Ｒ及び整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３の上に配置され、ポート部Ｐ１〜Ｐ３をホット側端子電極１９，２７及び入出力端子１４，１５の接続部に圧接させている。そして、永久磁石９は中心電極組立体１３に直流磁界を印加する。下側ケース４と上側ケース８は接合して金属ケースをなし、磁気回路を構成しており、ヨークとしても機能している。
【００３１】
こうして、図３〜図５に示す集中定数型アイソレータ４１が得られる。図４は図３のＩＶ−ＩＶ断面を、図５は図３のＶ−Ｖ断面をそれぞれ示す。また、図６は集中定数型アイソレータ４１の電気等価回路図である。
【００３２】
ここで、図４及び図５を参照して、樹脂部材３０と中心電極組立体１３及び整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３等の位置関係を詳細に説明する。樹脂部材３０の中央部に設けた中心電極組立体収容用凹部３２には、中心電極組立体１３が収容されている。さらに、凸形状の中心電極組立体１３の上部と、樹脂部材３０に設けた略錐形状の凹部３２とが、嵌合している。これにより、樹脂部材３０と、中心電極組立体１３の水平方向の相対位置関係が安定する。従って、樹脂部材３０は略水平な状態で中心電極組立体１３、抵抗素子Ｒ及び整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３の上に配置される。なお、貫通穴３１は、中心電極２１〜２３と絶縁シート２６の重なり部分を避けている。
【００３３】
以上のように、フェライト２０の上部において、樹脂部材３０の厚みは、フェライト２０の外周部が最も厚く、その内側になるほど薄くなっているため、アイソレータ４１の高さのばらつきを低減させることができる。従って、ばらつきの分だけアイソレータ４１を低背化することができる。
【００３４】
また、中心電極組立体１３と永久磁石９の厚み方向の相対距離が安定し、アイソレータ４１の特性ばらつきを安定させることができる。
【００３５】
また、本第１実施形態のように、上側ケース８と下側ケース４からなる金属ケースにアース端子１６が電気的に接続している場合には、アイソレータ４１の高さのばらつきが電気特性のばらつきの要因となる。しかし、このような場合においても、中心電極組立体１３の上部と樹脂部材３０に設けた凹部３２を嵌合させることにより、アイソレータ４１の高さが安定するため、電気特性のばらつきを低減できる。
【００３６】
また、樹脂部材３０が、傾くことなく、均等に中心電極２１〜２３のポート部Ｐ１〜Ｐ３と抵抗素子Ｒのホット側端子電極１９及び整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３のホット側端子電極２７を押さえることができるので、オープン不良の防止をすることができる。さらに、均等に押さえているので、一部に応力が集中することを防ぐことができ、抵抗素子Ｒ及び整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３等のセラミック部品の破損を防止することができる。
【００３７】
なお、樹脂部材３０の凹部３２は、図７及び図８に示すように、二つの段部３４ａ，３４ｂを形成したものであってもよい。また、樹脂部材３０の凹部３２は、中心電極２１〜２３の重なり部を避けるような形状であれば、図９及び図１０に示すように、貫通穴３１を設けないものであってもよい。
【００３８】
［第２実施形態、図１１〜図１５］
本第２実施形態は、前記第１実施形態で示した樹脂部材３０の外周縁部と樹脂ケース３の内周縁部を、それぞれ面取りしたものである。
【００３９】
図１１に、下面３０ｂの外周縁部にＣ面取り部３０ｃを形成した樹脂部材３０を示す。また、図１２及び図１３に、側壁３ｂの内周縁部にＣ面取り部３ｅを形成した樹脂ケース３を示す。
【００４０】
この面取り部３０ｃ，３ｅは、樹脂部材３０を樹脂ケース３内に挿入するときに、ガイドとなって樹脂部材３０を所定の配設位置に導く。従って、樹脂部材３０を樹脂部材収容用ポケット５０に挿入する作業が容易になると共に、樹脂部材３０の外周面と樹脂部材収容用ポケット５０の内周面との間の隙間Ｓを小さくすることができる。具体的には、隙間Ｓは２０μｍにすることができる。
【００４１】
なお、面取り部３０ｃ，３ｅは小さすぎると、ガイドとして機能しにくくなるが、ある程度の大きさに達すると、それ以上大きくしてもガイド機能の作用効果はほとんど変化しない。例えば、アイソレータ６１の大きさが、７ｍｍ×７ｍｍ以下の場合、樹脂ケース３の側壁３ｂの厚みは、０．３ｍｍ以下に設定される。従って、面取り部３ｅ，３０ｃの大きさは、０．０５〜０．３ｍｍの範囲（代表値：０．１ｍｍ）であることが好ましい。
【００４２】
このアイソレータ６１は、前記第１実施形態のアイソレータ４１と同様の作用効果を奏する。さらに、樹脂部材３０の外周縁部や樹脂ケース３の側壁３ｂの内周縁部をＣ面取りをしたので、樹脂部材３０と樹脂ケース３の隙間Ｓを狭くすることができ、樹脂ケース３と樹脂部材３０の水平方向の位置関係がより安定する。樹脂ケース３内で中心電極組立体１３の位置が安定すると、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒまでの各中心電極２１〜２３の長さが安定するので、中心電極２１〜２３のインダクタンス値が安定し、電気特性のばらつきがより小さいアイソレータ６１が得られる。
【００４３】
なお、面取り部は、図１４に示すように、Ｒ形状（曲面形状）の面取り部３ｆ，３０ｄであってもよい。Ｒ形状の半径は、例えば、０．１ｍｍに設定される。この場合、隙間Ｓは３０μｍにすることができる。また、図１５に示すように、樹脂ケース３にはＲ形状の面取り部３ｆを形成し、樹脂部材３０にはＣ面取り部３０ｃを形成してもよい。
【００４４】
［第３実施形態、図１６］
第３実施形態は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。
【００４５】
図１６は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気回路ブロック図である。図１６において、１２２はアンテナ素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間用帯域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣＯ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００４６】
ここに、送信側アイソレータ１３１として、第１実施形態及び第２実施形態の集中定数型アイソレータ４１，６１を使用することができる。このアイソレータ４１，６１を実装することにより、優れた電気特性を有する携帯電話を実現することができる。
【００４７】
［他の実施形態］
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の構成に変更することができる。例えば、面取り部は、内外周縁部全体に形成する必要はなく、対向する縁部や片側のみに形成してもよい。また、内外周の面取り部全てを同一寸法にする必要もない。また、金属ケースと樹脂ケースは一体化したものとして説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、金属ケースと樹脂ケースを別々に作り、それぞれを一体的に組み合わせたものでもよい。
【００４８】
また、前記実施形態ではアイソレータに適用したが、本発明は、勿論サーキュレータにも適用できるとともに、他の高周波部品にも適用できる。また、それぞれの中心電極の交差角は、１１０〜１４０度の範囲であればよい。さらに、金属ケースは三つ以上に分割されていてもよい。また、フェライトは直方体形状に限定されるものではなく、円板や六角形等の他の形状でもよい。また、中心電極組立体収容用凹部３２の形状は、例えば、垂直断面形状が円弧形状のものであってもよく、前記実施形態に限定されないことは言うまでもない。
【００４９】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、樹脂部材の中心電極組立体側のフェライトに相対する位置に、断面が略錐形状の凹部を設け、この凹部の外周部から中央部に向かって樹脂部材の肉厚が相対的に薄くなっているので、凸形状の中心電極組立体の上部と、樹脂部材に設けた略錐形状の凹部とが、嵌合することにより、中心電極組立体と樹脂部材の相対位置関係を安定にすることができる。従って、非可逆回路素子や通信装置の電気的特性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の第１実施形態の構成を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した樹脂部材を下面側から見た斜視図。
【図３】図１に示した非可逆回路素子の組立完成後の外観斜視図。
【図４】図３に示した非可逆回路素子のＩＶ−ＩＶ断面図。
【図５】図３に示した非可逆回路素子のＶ−Ｖ断面図。
【図６】図３に示した非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図７】図２に示した樹脂部材の変形例を示す斜視図。
【図８】図７に示した樹脂部材を使用した非可逆回路素子の垂直断面図。
【図９】図２に示した樹脂部材の別の変形例を示す斜視図。
【図１０】図９に示した樹脂部材を使用した非可逆回路素子の垂直断面図。
【図１１】本発明に係る非可逆回路素子の第２実施形態に用いられる樹脂部材を示す斜視図。
【図１２】図１１に示した樹脂部材を使用した非可逆回路素子の垂直断面図。
【図１３】図１２に示した非可逆回路素子の変形例を示す垂直断面図。
【図１４】図１２に示した非可逆回路素子の別の変形例を示す垂直断面図。
【図１５】図１２に示した非可逆回路素子のさらに別の変形例を示す垂直断面図。
【図１６】本発明に係る通信装置の一実施形態を示すブロック図。
【図１７】従来の非可逆回路素子を示す垂直断面図。
【図１８】図１７に示した非可逆回路素子の別の箇所の垂直断面図。
【符号の説明】
３…樹脂ケース
３ｅ，３ｆ…樹脂ケースの面取り部
４…下側ケース
８…上側ケース
９…永久磁石
１３…中心電極組立体
２０…マイクロ波フェライト
２１〜２３…中心電極
３０…樹脂部材
３０ｃ，３０ｄ…樹脂ケースの面取り部
３１…貫通穴
３２…中心電極組立体収容用凹部
３３…底部
４１，６１…集中定数型アイソレータ
５０…樹脂部材収容用ポケット
５１…中心電極収容用ポケット
１２０…携帯電話（通信装置）

Claims

永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、前記フェライトの上部に配置された複数の中心電極とからなる中心電極組立体と、
前記中心電極組立体と前記永久磁石との間に配置された樹脂部材と、
前記永久磁石と前記中心電極組立体と前記樹脂部材とを収容する金属ケースと、
前記金属ケースと一体化した樹脂ケースと、
を備え、
前記樹脂部材の中心電極組立体側の前記フェライトに相対する位置に、断面が略錐形状の凹部を設け、前記凹部の外周部から中央部に向かって前記樹脂部材の肉厚が相対的に薄くなっており、
前記中心電極組立体及び前記樹脂部材は前記樹脂ケースに設けられたそれぞれのポケット内に収容されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。
前記金属ケースに電気的に接続されているアース端子を備えたことを特徴とする請求項１記載の非可逆回路素子。
前記樹脂部材に設けた凹部の中央部に貫通穴を設けたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
前記樹脂部材の中心電極組立体側の外周の少なくとも一辺を面取りしたことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
前記樹脂ケースの樹脂部材収容用ポケットの内周の少なくとも一辺を面取りしたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の非可逆回路素子。
前記樹脂部材が、液晶ポリマー及びポリフェニレンサルファイド樹脂のうちの一つからなることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の非可逆回路素子。
前記樹脂ケースが、液晶ポリマー及びポリフェニレンサルファイド樹脂のうちの一つからなることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の非可逆回路素子。
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の非可逆回路素子を少なくとも一つ備えたことを特徴とする通信装置。