JP2002217610A - 非可逆回路素子及び通信装置 - Google Patents
非可逆回路素子及び通信装置Info
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Abstract
しており、組み立てが容易で電気特性の優れた非可逆回
路素子及び通信装置を提供する。 【解決手段】 アイソレータ41は、磁性体金属からな
る上側ケース8及び磁性体金属からなる下側ケース4
と、樹脂ケース3と、中心電極組立体13と、永久磁石
9と、整合用コンデンサ素子C1,C2と樹脂部材30
等を備えている。樹脂部材30は平面形状が略矩形状を
有し、下面30bの中央部には、中心電極組立体13を
収容する中心電極組立体収容用凹部32が設けられてい
る。中心電極組立体収容用凹部32の底部33は、フェ
ライト20の上部に中心電極21〜23及び絶縁シート
26が積層されて形成された錐形状(凸側)と嵌合する
錐形状(凹側)を有している。
Description
び通信装置に関する。
1の垂直断面図を、図18に図17と直角に交わる方向
のアイソレータ1の垂直断面図を示す。アイソレータ1
は、永久磁石9と、この永久磁石9により直流磁界が印
加されるフェライト20と、フェライト20に配置され
た複数の中心電極10と、永久磁石9と中心電極10の
間に配置される樹脂部材35と、フェライト20と中心
電極10を収容する樹脂ケース3と、永久磁石9とフェ
ライト20と中心電極10を収容する磁性体金属からな
る上側ケース8及び下側ケース4等を備えている。中心
電極組立体13は、フェライト20と中心電極10等か
らなる。
0が積層されているので、中心電極組立体13の厚み
は、外周部分より中央部分が厚い。つまり、中心電極組
立体13の上部は凸形状(略錐形状)になっている。従
って、樹脂部材35の下面に矩形状の凹部37を設ける
と共に、その中央部に貫通穴36を形成し、この凹部3
7や貫通穴36に、中心電極10の重なり部分を収容す
ることにより、アイソレータ1の低背化を実現してい
る。凹部37の部分(ただし、貫通穴36は除く)の樹
脂部材35の肉厚は一定である。
及び整合用コンデンサ素子C等は、樹脂ケース3に設け
られたそれぞれのポケットに収容されている。樹脂ケー
ス3のポケットの内周面と樹脂部材35の外周面との間
には隙間S1が設けられ、樹脂ケース3のポケットの内
周面と中心電極組立体13の外周面との間には隙間S2
が設けられている。樹脂部材35や中心電極組立体13
を樹脂ケース3のポケットに挿入する作業を容易にする
ためである。隙間S1,S2は、従来、50〜150μ
m程度であった。
らなるアイソレータ1は隙間S1,S2が設けられてい
るため、アイソレータ1を組み立てると、樹脂部材35
と中心電極組立体13の相対位置がばらつく。一方、中
心電極組立体13は、フェライト20の上面中央部では
三つの中心電極10が重なった状態で配置されており、
上面外周部では一つの中心電極10しか配置されていな
い。このため、中心電極組立体13は、フェライト20
の中央部と外周部とでは、中心電極10の厚みが約0.
05mmであるので約0.1mmの厚みの差が生じる。
ライト20上で異なるのに対して、樹脂部材35の凹部
37の部分の肉厚は一定であるため、このアイソレータ
1を組み立てる際に、樹脂部材35と中心電極組立体1
3の相対位置がずれると、樹脂部材35が傾く。これに
より、上側ケース8が傾き、アイソレータ1の高さTが
不揃いになる。つまり、中心電極組立体13の場所によ
る厚みの差は約0.1mmであるが、上側ケース8が傾
くことにより、アイソレータ1の高さTのばらつきは更
に大きくなる。特に、最近の携帯電話等の移動用通信装
置に用いられるアイソレータ1は、小型化及び、低背化
を要求されており、高さは約2mmであるので、その影
響は大きい。
5の上に搭載した永久磁石9も傾くので、それぞれの中
心電極10と永久磁石9との間の距離がばらつく。この
ばらつきは、実効誘電率、実効透磁率、実効損失角のば
らつきを招く。従って、それぞれの中心電極10のイン
ダクタンス値とQ値がばらつき、この結果、アイソレー
タ1の特性がばらつくこととなる。
8が、下側ケース4を介してアース端子16(図17参
照)に電気的に接続されているアイソレータ1の場合で
は、上側ケース8が傾くと、各中心電極10からアース
までの距離がばらつくので、各中心電極10のインダク
タンス値がばらつく。つまり、アイソレータ1の特性が
ばらつくことになる。このとき、上側ケース8が全体的
に上下方向に平行移動するだけであれば、各中心電極1
0のインダクタンス値は同じように変化するので、永久
磁石9の磁力を調整することにより、アイソレータ1の
電気的特性の調整が可能な場合がある。しかし、上側ケ
ース8が傾くと、各中心電極10のインダクタンス値の
変化量もそれぞれ異なり、永久磁石9による調整は難し
い。
35が浮いている部分では、中心電極10のポート部P
と整合用コンデンサ素子Cの接続部分の押さえが不十分
になり、オープン不良が生じるおそれがある。逆に、樹
脂部材35が沈んでいる部分では、上側ケース8の上面
を押さえながら整合用コンデンサ素子Cをはんだ付けす
る際の力が整合用コンデンサ素子Cに集中し、整合用コ
ンデンサ素子Cを破壊するおそれがある。
と樹脂部材の相対位置が安定しており、組み立てが容易
で電気特性の優れた非可逆回路素子及び通信装置を提供
することにある。
するため、本発明に係る非可逆回路素子は、(a)永久
磁石と、(b)前記永久磁石により直流磁界が印加され
るフェライトと、前記フェライトの上部に配置された複
数の中心電極とからなる中心電極組立体と、(c)前記
中心電極組立体と前記永久磁石との間に配置された樹脂
部材と、(d)前記永久磁石と前記中心電極組立体と前
記樹脂部材とを収容する金属ケースとを備え、(e)前
記樹脂部材の中心電極組立体側の前記フェライトに相対
する位置に、断面が略錐形状の凹部を設け、前記凹部の
外周部から中央部に向かって前記樹脂部材の肉厚が相対
的に薄くなっていること、を特徴とする。
電極は、フェライトの上面中央部で重なり、中心電極組
立体の上部は凸形状(略錐形状)になっている。この凸
形状の中心電極組立体の上部と、樹脂部材に設けた略錐
形状の凹部とが、嵌合することにより、中心電極組立体
と樹脂部材の相対位置関係が安定する。
を備え、中心電極組立体及び樹脂部材を樹脂ケースに設
けられたそれぞれのポケット内に収容することが好まし
い。ここで、「金属ケースと一体化した樹脂ケース」と
は、金属ケースと樹脂ケースを別々に作り、それらを一
体的に組み合わせたものも含む。これにより、非可逆回
路素子の組み立て作業の際に、それぞれのポケットが中
心電極組立体及び樹脂部材の配置位置を規制し、中心電
極組立体及び樹脂部材の位置決めが容易になる。
周の少なくとも一辺を面取りしたり、樹脂ケースの樹脂
部材収容用ポケットの内周の少なくとも一辺を面取りし
たりすることが好ましい。これにより、樹脂部材を樹脂
ケースのポケットに挿入する作業が容易になる。
設けることによって、フェライトの上面中央部に配置さ
れた複数の中心電極の重なり部分が、凹部の底面に面接
触しないようにしてもよい。
リマーやポリフェニレンサルファイド樹脂(PPS)か
らなることが好ましい。液晶ポリマー及びポリフェニレ
ンサルファイド樹脂は、耐熱性と低損失に優れているの
で、電気特性が良くかつ信頼性の高い非可逆回路素子が
得られる。
接続している場合には、非可逆回路素子の高さのばらつ
きが電気特性のばらつきの要因となる。しかし、このよ
うな場合においても、中心電極組立体の上部と樹脂部材
に設けた凹部を嵌合させることにより、非可逆回路素子
の高さが安定するため、電気特性のばらつきを低減でき
る。
徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、優れた
電気特性が得られる。
素子及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参
照して説明する。なお、各実施形態において、同一部品
及び同一部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略
する。
係る非可逆回路素子の一実施形態の構成を示す分解斜視
図を図1に示す。図2は樹脂部材30を下面30b側か
ら見た外観斜視図を、図3は図1に示した非可逆回路素
子41の組立完成後の外観斜視図をそれぞれ示す。該非
可逆回路素子41は、集中定数型アイソレータである。
タ41は、概略、磁性体金属からなる上側ケース8及び
磁性体金属からなる下側ケース4と、樹脂ケース3と、
中心電極組立体13と、永久磁石9と、抵抗素子Rと、
整合用コンデンサ素子C1〜C3と、樹脂部材30等を
備えている。
波フェライト20の上面に中心電極21〜23を絶縁シ
ート26(図4及び図5参照)を介在させて略120度
ごとに交差するように配置している。フェライト20の
上面中央部に、中心電極21〜23と絶縁シート26が
積層されており、中心電極組立体13の厚みは外周部よ
り中央部分が厚い。つまり、中心電極組立体13の上部
は、凸形状(略錐形状)になっている。中心電極21〜
23は、各々の一端側のポート部P1〜P3を水平に導
出するとともに、他端側の中心電極21〜23の共通の
アース電極25をフェライト20の下面に当接させてい
る。共通のアース電極25は、フェライト20の下面を
略覆っている。中心電極21〜23とアース電極25
は、Ag,Cu,Au,Al,Be等の導電性材料から
なり、金属薄板を打ち抜き加工や、エッチング加工する
ことによって一体に形成される。
体セラミック基板の上面に位置するホット側端子電極2
7と、下面に位置するコールド側(アース側)端子電極
28を有している。
印刷等でアース側端子電極18及びホット側端子電極1
9を形成し、その間にサーメット系やカーボン系やルテ
ニウム系等の厚膜あるいは金属薄膜の抵抗体を配設して
いる。絶縁性基板の材料は、例えば、アルミナ等の誘電
体セラミックが用いられる。
bを有している。下側ケース4の底壁4bの対向する一
対の辺からは、それぞれ2本のアース端子16が延在し
ている。すなわち、下側ケース4の底壁4bとアース端
子16は一体になっている。また、上側ケース8は、平
面視矩形状であり、上壁8aと左右の側壁8bを有して
いる。下側ケース4及び上側ケース8は、例えば、Fe
やケイ素鋼等の高透磁率からなる板材を打ち抜き、曲げ
加工した後、表面に銅や銀をめっきしたものである。下
側ケース4は、樹脂ケース3、入力端子14及び出力端
子15とともに、インサートモールド法によって一体的
に形成されている。
bを有している。四つの側壁3bは、樹脂部材30を収
容するための樹脂部材収容用ポケット50を構成してい
る。底壁3aの中央部には矩形状のポケット51が形成
されており、ポケット51の周縁にはそれぞれ整合用コ
ンデンサ素子C1〜C3や抵抗素子Rをそれぞれ収納す
るためのポケット52が形成されている。ポケット51
は中心電極組立体13を収容する中心電極収容用ポケッ
トとされる。ポケット51,52には下側ケース4の底
壁4bが露出している。入力端子14及び出力端子15
は、それぞれ一端が樹脂ケース3の外側面に露出し、他
端が樹脂ケース3の底壁3aに露出している。
状が略矩形状を有し、下面30bには、アイソレータ4
1の低背化のために、中心電極組立体13を収容する中
心電極組立体収容用凹部32が設けられると共に、その
中央部に貫通穴31が形成されている。中心電極組立体
収容用凹部32は、フェライト20に相対する位置に形
成され、垂直断面形状が略錐形状を有している。樹脂部
材30の肉厚は、中心電極組立体収容用凹部32の外周
部から中央部に向かって相対的に薄くなっている。従っ
て、アイソレータ41を組み立てたときに、凸形状の中
心電極組立体13の上部と中心電極組立体収容用凹部3
2の底部33とが、嵌合する。樹脂部材30や樹脂ケー
ス3の材料としては、液晶ポリマー又はポリフェニレン
サルファイド樹脂であることが好ましい。液晶ポリマー
やポリフェニレンサルファイド樹脂は、耐熱性と低損失
に優れているからである。
立てられる。下側ケース4と一体化している樹脂ケース
3のそれぞれのポケット50〜52内に、樹脂部材30
や中心電極組立体13や整合用コンデンサ素子C1〜C
3や抵抗素子R等を収容する。これにより、アイソレー
タ41の組み立て作業の際に、それぞれのポケット50
及び51が樹脂部材30及び中心電極組立体13の配置
位置を規制し、樹脂部材30及び中心電極組立体13等
の位置決めが容易になる。
ケット51に露出している下側ケース4の底壁4bには
んだ付け等の方法により接続され、接地される。中心電
極21のポート部P1は、樹脂ケース3の底壁3aに露
出している入力端子14の接続部に、中心電極22のポ
ート部P2は、樹脂ケース3の底壁3aに露出している
出力端子15の接続部に、それぞれはんだ付けされる。
抵抗素子Rのホット側端子電極19はポート部P3には
んだ付けされ、アース側端子電極18は樹脂ケース3の
ポケット52に露出している下側ケース4の底壁4bに
はんだ付けされる。整合用コンデンサ素子C1〜C3の
ホット側端子電極27はポート部P1〜P3に電気的に
接続され、コールド側端子電極28は樹脂ケース3のポ
ケット52に露出している下側ケース4の底壁4bにそ
れぞれはんだ付けされる。つまり、整合用コンデンサ素
子C3と抵抗素子Rとは、中心電極23のポート部P3
とアース端子16との間に電気的に並列に接続される
(図6参照)。
収容用ポケット50に収容し、永久磁石9を樹脂部材3
0の上面30aの上に積み重ねた後、上側ケース8を装
着する。このとき、最初、樹脂部材30と中心電極組立
体13の水平方向の相対位置関係が比較的大きくずれて
いても、中心電極組立体13の上部の傾斜部(肩部)と
中心電極組立体収容用凹部32の傾斜部とが滑り合い、
最終的に両者は嵌合する。樹脂部材30は、中心電極組
立体13、抵抗素子R及び整合用コンデンサ素子C1〜
C3の上に配置され、ポート部P1〜P3をホット側端
子電極19,27及び入出力端子14,15の接続部に
圧接させている。そして、永久磁石9は中心電極組立体
13に直流磁界を印加する。下側ケース4と上側ケース
8は接合して金属ケースをなし、磁気回路を構成してお
り、ヨークとしても機能している。
イソレータ41が得られる。図4は図3のIV−IV断
面を、図5は図3のV−V断面をそれぞれ示す。また、
図6は集中定数型アイソレータ41の電気等価回路図で
ある。
材30と中心電極組立体13及び整合用コンデンサ素子
C1〜C3等の位置関係を詳細に説明する。樹脂部材3
0の中央部に設けた中心電極組立体収容用凹部32に
は、中心電極組立体13が収容されている。さらに、凸
形状の中心電極組立体13の上部と、樹脂部材30に設
けた略錐形状の凹部32とが、嵌合している。これによ
り、樹脂部材30と、中心電極組立体13の水平方向の
相対位置関係が安定する。従って、樹脂部材30は略水
平な状態で中心電極組立体13、抵抗素子R及び整合用
コンデンサ素子C1〜C3の上に配置される。なお、貫
通穴31は、中心電極21〜23と絶縁シート26の重
なり部分を避けている。
いて、樹脂部材30の厚みは、フェライト20の外周部
が最も厚く、その内側になるほど薄くなっているため、
アイソレータ41の高さのばらつきを低減させることが
できる。従って、ばらつきの分だけアイソレータ41を
低背化することができる。
厚み方向の相対距離が安定し、アイソレータ41の特性
ばらつきを安定させることができる。
ス8と下側ケース4からなる金属ケースにアース端子1
6が電気的に接続している場合には、アイソレータ41
の高さのばらつきが電気特性のばらつきの要因となる。
しかし、このような場合においても、中心電極組立体1
3の上部と樹脂部材30に設けた凹部32を嵌合させる
ことにより、アイソレータ41の高さが安定するため、
電気特性のばらつきを低減できる。
等に中心電極21〜23のポート部P1〜P3と抵抗素
子Rのホット側端子電極19及び整合用コンデンサ素子
C1〜C3のホット側端子電極27を押さえることがで
きるので、オープン不良の防止をすることができる。さ
らに、均等に押さえているので、一部に応力が集中する
ことを防ぐことができ、抵抗素子R及び整合用コンデン
サ素子C1〜C3等のセラミック部品の破損を防止する
ことができる。
び図8に示すように、二つの段部34a,34bを形成
したものであってもよい。また、樹脂部材30の凹部3
2は、中心電極21〜23の重なり部を避けるような形
状であれば、図9及び図10に示すように、貫通穴31
を設けないものであってもよい。
実施形態は、前記第1実施形態で示した樹脂部材30の
外周縁部と樹脂ケース3の内周縁部を、それぞれ面取り
したものである。
り部30cを形成した樹脂部材30を示す。また、図1
2及び図13に、側壁3bの内周縁部にC面取り部3e
を形成した樹脂ケース3を示す。
0を樹脂ケース3内に挿入するときに、ガイドとなって
樹脂部材30を所定の配設位置に導く。従って、樹脂部
材30を樹脂部材収容用ポケット50に挿入する作業が
容易になると共に、樹脂部材30の外周面と樹脂部材収
容用ポケット50の内周面との間の隙間Sを小さくする
ことができる。具体的には、隙間Sは20μmにするこ
とができる。
と、ガイドとして機能しにくくなるが、ある程度の大き
さに達すると、それ以上大きくしてもガイド機能の作用
効果はほとんど変化しない。例えば、アイソレータ61
の大きさが、7mm×7mm以下の場合、樹脂ケース3
の側壁3bの厚みは、0.3mm以下に設定される。従
って、面取り部3e,30cの大きさは、0.05〜
0.3mmの範囲(代表値:0.1mm)であることが
好ましい。
態のアイソレータ41と同様の作用効果を奏する。さら
に、樹脂部材30の外周縁部や樹脂ケース3の側壁3b
の内周縁部をC面取りをしたので、樹脂部材30と樹脂
ケース3の隙間Sを狭くすることができ、樹脂ケース3
と樹脂部材30の水平方向の位置関係がより安定する。
樹脂ケース3内で中心電極組立体13の位置が安定する
と、整合用コンデンサ素子C1〜C3や抵抗素子Rまで
の各中心電極21〜23の長さが安定するので、中心電
極21〜23のインダクタンス値が安定し、電気特性の
ばらつきがより小さいアイソレータ61が得られる。
R形状(曲面形状)の面取り部3f,30dであっても
よい。R形状の半径は、例えば、0.1mmに設定され
る。この場合、隙間Sは30μmにすることができる。
また、図15に示すように、樹脂ケース3にはR形状の
面取り部3fを形成し、樹脂部材30にはC面取り部3
0cを形成してもよい。
は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして
説明する。
回路ブロック図である。図16において、122はアン
テナ素子、123はデュプレクサ、131は送信側アイ
ソレータ、132は送信側増幅器、133は送信側段間
用帯域通過フィルタ、134は送信側ミキサ、135は
受信側増幅器、136は受信側段間用帯域通過フィル
タ、137は受信側ミキサ、138は電圧制御発振器
(VCO)、139はローカル用帯域通過フィルタであ
る。
て、第1実施形態及び第2実施形態の集中定数型アイソ
レータ41,61を使用することができる。このアイソ
レータ41,61を実装することにより、優れた電気特
性を有する携帯電話を実現することができる。
に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種
々の構成に変更することができる。例えば、面取り部
は、内外周縁部全体に形成する必要はなく、対向する縁
部や片側のみに形成してもよい。また、内外周の面取り
部全てを同一寸法にする必要もない。また、金属ケース
と樹脂ケースは一体化したものとして説明したが、これ
に限定されるものではなく、例えば、金属ケースと樹脂
ケースを別々に作り、それぞれを一体的に組み合わせた
ものでもよい。
用したが、本発明は、勿論サーキュレータにも適用でき
るとともに、他の高周波部品にも適用できる。また、そ
れぞれの中心電極の交差角は、110〜140度の範囲
であればよい。さらに、金属ケースは三つ以上に分割さ
れていてもよい。また、フェライトは直方体形状に限定
されるものではなく、円板や六角形等の他の形状でもよ
い。また、中心電極組立体収容用凹部32の形状は、例
えば、垂直断面形状が円弧形状のものであってもよく、
前記実施形態に限定されないことは言うまでもない。
によれば、樹脂部材の中心電極組立体側のフェライトに
相対する位置に、断面が略錐形状の凹部を設け、この凹
部の外周部から中央部に向かって樹脂部材の肉厚が相対
的に薄くなっているので、凸形状の中心電極組立体の上
部と、樹脂部材に設けた略錐形状の凹部とが、嵌合する
ことにより、中心電極組立体と樹脂部材の相対位置関係
を安定にすることができる。従って、非可逆回路素子や
通信装置の電気的特性が向上する。
構成を示す分解斜視図。
図。
観斜視図。
図。
図。
子の垂直断面図。
図。
素子の垂直断面図。
に用いられる樹脂部材を示す斜視図。
路素子の垂直断面図。
す垂直断面図。
を示す垂直断面図。
変形例を示す垂直断面図。
ロック図。
垂直断面図。
Claims (9)
- 【請求項1】 永久磁石と、 前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライト
と、前記フェライトの上部に配置された複数の中心電極
とからなる中心電極組立体と、 前記中心電極組立体と前記永久磁石との間に配置された
樹脂部材と、 前記永久磁石と前記中心電極組立体と前記樹脂部材とを
収容する金属ケースとを備え、 前記樹脂部材の中心電極組立体側の前記フェライトに相
対する位置に、断面が略錐形状の凹部を設け、前記凹部
の外周部から中央部に向かって前記樹脂部材の肉厚が相
対的に薄くなっていること、 を特徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項2】 前記金属ケースに電気的に接続されてい
るアース端子を備えたことを特徴とする請求項1記載の
非可逆回路素子。 - 【請求項3】 前記金属ケースと一体化した樹脂ケース
を備え、前記中心電極組立体及び前記樹脂部材を前記樹
脂ケースに設けられたそれぞれのポケット内に収容した
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の非可逆回
路素子。 - 【請求項4】 前記樹脂部材に設けた凹部の中央部に貫
通穴を設けたことを特徴とする請求項1〜請求項3のい
ずれかに記載の非可逆回路素子。 - 【請求項5】 前記樹脂部材の中心電極組立体側の外周
の少なくとも一辺を面取りしたことを特徴とする請求項
1〜請求項4のいずれかに記載の非可逆回路素子。 - 【請求項6】 前記樹脂ケースの樹脂部材収容用ポケッ
トの内周の少なくとも一辺を面取りしたことを特徴とす
る請求項3〜請求項5のいずれかに記載の非可逆回路素
子。 - 【請求項7】 前記樹脂部材が、液晶ポリマー及びポリ
フェニレンサルファイド樹脂のうちの一つからなること
を特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の非
可逆回路素子。 - 【請求項8】 前記樹脂ケースが、液晶ポリマー及びポ
リフェニレンサルファイド樹脂のうちの一つからなるこ
とを特徴とする請求項3〜請求項7のいずれかに記載の
非可逆回路素子。 - 【請求項9】 請求項1〜請求項8のいずれかに記載の
非可逆回路素子を少なくとも一つ備えたことを特徴とす
る通信装置。
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JP2001012283A JP4284869B2 (ja) | 2001-01-19 | 2001-01-19 | 非可逆回路素子及び通信装置 |
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