JP2002204108A - 非可逆回路素子及び通信装置 - Google Patents
非可逆回路素子及び通信装置Info
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- JP2002204108A JP2002204108A JP2000401571A JP2000401571A JP2002204108A JP 2002204108 A JP2002204108 A JP 2002204108A JP 2000401571 A JP2000401571 A JP 2000401571A JP 2000401571 A JP2000401571 A JP 2000401571A JP 2002204108 A JP2002204108 A JP 2002204108A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低挿入損失の非可逆回路素子及び通信装置を
提供する。 【解決手段】 アイソレータ１は、永久磁石９と、永久
磁石９により直流磁界が印加されるフェライト２０と、
フェライト２０に配置された中心電極２１〜２３と、永
久磁石９とフェライト２０と中心電極２１〜２３とを収
容する下側ケース４及び上側ケース８とを備える。下側
ケース４及び上側ケース８は、表面粗さＲａの平均値が
０．９μｍ以下の鉄を主成分とする材料を使用し、その
表裏面にＡｇめっきを施したものである。
提供する。 【解決手段】 アイソレータ１は、永久磁石９と、永久
磁石９により直流磁界が印加されるフェライト２０と、
フェライト２０に配置された中心電極２１〜２３と、永
久磁石９とフェライト２０と中心電極２１〜２３とを収
容する下側ケース４及び上側ケース８とを備える。下側
ケース４及び上側ケース８は、表面粗さＲａの平均値が
０．９μｍ以下の鉄を主成分とする材料を使用し、その
表裏面にＡｇめっきを施したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非可逆回路素子及
び通信装置に関する。
び通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、携帯電話等の移動用の通信装置
に採用される集中定数型アイソレータ（非可逆回路素
子）は、信号を伝送方向にのみ通過させ、逆方向への伝
送を阻止する機能を有している。また、最近の移動用の
通信装置では、その用途からして信頼性及び高性能に対
する要請が強くなっており、これに伴って集中定数型ア
イソレータにおいても信頼性及び高性能が要請されてい
る。
に採用される集中定数型アイソレータ（非可逆回路素
子）は、信号を伝送方向にのみ通過させ、逆方向への伝
送を阻止する機能を有している。また、最近の移動用の
通信装置では、その用途からして信頼性及び高性能に対
する要請が強くなっており、これに伴って集中定数型ア
イソレータにおいても信頼性及び高性能が要請されてい
る。
【０００３】このような集中定数型アイソレータは、永
久磁石と、この永久磁石により直流磁界が印加されるフ
ェライトと、フェライトに配置された複数の中心電極
と、フェライトと中心電極を収容する樹脂ケースと、永
久磁石とフェライトと中心電極を収容する上側ケースと
下側ケース等を備えている。この上側ケースと下側ケー
スは接合して磁気回路を構成しており、ヨークとしても
機能している。上側ケースと下側ケースの材料として
は、通常、鉄を主成分とする薄板が使用される。
久磁石と、この永久磁石により直流磁界が印加されるフ
ェライトと、フェライトに配置された複数の中心電極
と、フェライトと中心電極を収容する樹脂ケースと、永
久磁石とフェライトと中心電極を収容する上側ケースと
下側ケース等を備えている。この上側ケースと下側ケー
スは接合して磁気回路を構成しており、ヨークとしても
機能している。上側ケースと下側ケースの材料として
は、通常、鉄を主成分とする薄板が使用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、鉄を主成分
とする薄板については、従来より、アイソレータの小型
化や永久磁石によって印加される直流磁界の漏れ低減を
目的として、厚みや形状が検討されてきた。また、アイ
ソレータの挿入損失低減を目的として、鉄を主成分とす
る薄板の表面に電気抵抗の小さい材料（Ａｇ等）でめっ
きを施すことも検討されてきた。
とする薄板については、従来より、アイソレータの小型
化や永久磁石によって印加される直流磁界の漏れ低減を
目的として、厚みや形状が検討されてきた。また、アイ
ソレータの挿入損失低減を目的として、鉄を主成分とす
る薄板の表面に電気抵抗の小さい材料（Ａｇ等）でめっ
きを施すことも検討されてきた。
【０００５】しかしながら、鉄を主成分とする薄板の表
面粗さについては、特に制限することなく使用されてい
た。これは、薄板（圧延鋼板）を製作する段階で使用さ
れる圧延ロールの種類によっては表面粗さに差が生じる
ためである。このため、従来のアイソレータの挿入損失
低減には限界があった。
面粗さについては、特に制限することなく使用されてい
た。これは、薄板（圧延鋼板）を製作する段階で使用さ
れる圧延ロールの種類によっては表面粗さに差が生じる
ためである。このため、従来のアイソレータの挿入損失
低減には限界があった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、挿入損失を改善
した高信頼性及び高性能の非可逆回路素子及び通信装置
を提供することにある。
した高信頼性及び高性能の非可逆回路素子及び通信装置
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係る非可逆回路素子は、（ａ）永久
磁石と、（ｂ）前記永久磁石により直流磁界が印加され
るフェライトと、（ｃ）前記フェライトに配置された複
数の中心電極と、（ｄ）前記永久磁石と前記フェライト
と前記中心電極とを収容する金属ケースとを備え、
（ｅ）前記金属ケースが鉄を主成分とする材料で形成さ
れ、前記金属ケース全体の表面粗さＲａの平均値が０．
９μｍ以下であること、を特徴とする。
するため、本発明に係る非可逆回路素子は、（ａ）永久
磁石と、（ｂ）前記永久磁石により直流磁界が印加され
るフェライトと、（ｃ）前記フェライトに配置された複
数の中心電極と、（ｄ）前記永久磁石と前記フェライト
と前記中心電極とを収容する金属ケースとを備え、
（ｅ）前記金属ケースが鉄を主成分とする材料で形成さ
れ、前記金属ケース全体の表面粗さＲａの平均値が０．
９μｍ以下であること、を特徴とする。
【０００８】以上の構成により、金属ケースの表面粗さ
Ｒａの全体の平均値を０．９μｍ以下にしたため、非可
逆回路素子の挿入損失が低減される。
Ｒａの全体の平均値を０．９μｍ以下にしたため、非可
逆回路素子の挿入損失が低減される。
【０００９】また、本発明に係る通信装置は、前述の特
徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、優れた
高周波特性が得られる。
徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、優れた
高周波特性が得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る非可逆回路
素子及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参
照して説明する。
素子及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参
照して説明する。
【００１１】［第１実施形態、図１〜図５］本発明に係
る非可逆回路素子の一実施形態の構成を示す分解斜視図
を図１に示す。図２に、図１に示した非可逆回路素子１
の組立完成後の外観斜視図を示す。該非可逆回路素子１
は、集中定数型アイソレータである。
る非可逆回路素子の一実施形態の構成を示す分解斜視図
を図１に示す。図２に、図１に示した非可逆回路素子１
の組立完成後の外観斜視図を示す。該非可逆回路素子１
は、集中定数型アイソレータである。
【００１２】図１に示すように、集中定数型アイソレー
タ１は、概略、下側ケース４及び上側ケース８と、樹脂
ケース３と、中心電極組立体１３と、永久磁石９と、抵
抗素子Ｒと、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３と樹脂部
材１０等を備えている。
タ１は、概略、下側ケース４及び上側ケース８と、樹脂
ケース３と、中心電極組立体１３と、永久磁石９と、抵
抗素子Ｒと、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３と樹脂部
材１０等を備えている。
【００１３】下側ケース４は、左右の側壁４ａと底壁４
ｂとを有している。また、上側ケース８は、平面視矩形
状であり、上壁８ａと四つの側壁８ｂを有している。下
側ケース４及び上側ケース８は鉄を主成分とする材料か
らなり、例えば鉄を主成分とする圧延鋼材の薄板のプレ
ス成形品である。この薄板の表面粗さＲａは圧延ロール
の選定により平均値０．９μｍ以下に仕上げている。な
お、前記仕上がり条件では、薄板の全面において表面粗
さにばらつきが生じるので、本第１実施形態では、薄板
の表面粗さＲａの最大値を５μｍ以下に設定している。
この薄板の表裏面にＣｕめっきやＡｇめっきを施し、打
ち抜き、曲げ加工をして、下側ケース４及び上側ケース
８を得る。
ｂとを有している。また、上側ケース８は、平面視矩形
状であり、上壁８ａと四つの側壁８ｂを有している。下
側ケース４及び上側ケース８は鉄を主成分とする材料か
らなり、例えば鉄を主成分とする圧延鋼材の薄板のプレ
ス成形品である。この薄板の表面粗さＲａは圧延ロール
の選定により平均値０．９μｍ以下に仕上げている。な
お、前記仕上がり条件では、薄板の全面において表面粗
さにばらつきが生じるので、本第１実施形態では、薄板
の表面粗さＲａの最大値を５μｍ以下に設定している。
この薄板の表裏面にＣｕめっきやＡｇめっきを施し、打
ち抜き、曲げ加工をして、下側ケース４及び上側ケース
８を得る。
【００１４】樹脂ケース３は、底部３ａと四つの側部３
ｂを有している。この底部３ａの中央部には円形状の窓
部３ｃが形成されている。また、樹脂ケース３には、入
力端子１４、出力端子１５及びアース端子１６がインサ
ートモールドされている。入力端子１４は一端が樹脂ケ
ース３の外側面に露出し、他端が樹脂ケース３の内側面
に露出して入力引出電極１４ａを形成している。出力端
子１５は一端が樹脂ケース３の外側面に露出し、他端が
樹脂ケース３の内側面に露出して入出力引出電極（図示
せず）を形成している。同様に、二つのアース端子１６
はそれぞれ、一端が樹脂ケース３の対向する外側面に露
出し、他端が樹脂ケース３の内側面に露出してアース引
出電極１６ａを形成している。樹脂ケース３の材料は、
例えば、液晶ポリマー、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルフ
ァイド樹脂）、プラスチック等であることが好ましい。
液晶ポリマーやＰＰＳは、耐熱性と低損失に優れている
からである。
ｂを有している。この底部３ａの中央部には円形状の窓
部３ｃが形成されている。また、樹脂ケース３には、入
力端子１４、出力端子１５及びアース端子１６がインサ
ートモールドされている。入力端子１４は一端が樹脂ケ
ース３の外側面に露出し、他端が樹脂ケース３の内側面
に露出して入力引出電極１４ａを形成している。出力端
子１５は一端が樹脂ケース３の外側面に露出し、他端が
樹脂ケース３の内側面に露出して入出力引出電極（図示
せず）を形成している。同様に、二つのアース端子１６
はそれぞれ、一端が樹脂ケース３の対向する外側面に露
出し、他端が樹脂ケース３の内側面に露出してアース引
出電極１６ａを形成している。樹脂ケース３の材料は、
例えば、液晶ポリマー、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルフ
ァイド樹脂）、プラスチック等であることが好ましい。
液晶ポリマーやＰＰＳは、耐熱性と低損失に優れている
からである。
【００１５】中心電極組立体１３は、円形状のマイクロ
波フェライト２０の上面に三つの中心電極２１〜２３を
絶縁シート（図示せず）を介在させて略１２０度ごとに
交差するように配置している。これら中心電極２１〜２
３は、各々の一端側のポート部Ｐ１〜Ｐ３を水平に導出
するとともに、他端側の中心電極２１〜２３の共通のア
ース電極２５をフェライト２０の下面に当接させてい
る。共通のアース電極２５は、フェライト２０の下面を
略覆っており、後述する樹脂ケース３の窓部３ｃを通し
て、下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付け等の方法によ
り接続され、接地される。中心電極２１〜２３とアース
電極２５は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｂｅ等の導電性
材料からなり、金属薄板を打ち抜き加工や、エッチング
加工することによって一体に形成される。
波フェライト２０の上面に三つの中心電極２１〜２３を
絶縁シート（図示せず）を介在させて略１２０度ごとに
交差するように配置している。これら中心電極２１〜２
３は、各々の一端側のポート部Ｐ１〜Ｐ３を水平に導出
するとともに、他端側の中心電極２１〜２３の共通のア
ース電極２５をフェライト２０の下面に当接させてい
る。共通のアース電極２５は、フェライト２０の下面を
略覆っており、後述する樹脂ケース３の窓部３ｃを通し
て、下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付け等の方法によ
り接続され、接地される。中心電極２１〜２３とアース
電極２５は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｂｅ等の導電性
材料からなり、金属薄板を打ち抜き加工や、エッチング
加工することによって一体に形成される。
【００１６】整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３は、ホッ
ト側コンデンサ電極がポート部Ｐ１〜Ｐ３にそれぞれは
んだ付けされ、コールド側コンデンサ電極が樹脂ケース
３の内側面に露出しているアース端子１６のアース引出
電極１６ａにそれぞれはんだ付けされている。
ト側コンデンサ電極がポート部Ｐ１〜Ｐ３にそれぞれは
んだ付けされ、コールド側コンデンサ電極が樹脂ケース
３の内側面に露出しているアース端子１６のアース引出
電極１６ａにそれぞれはんだ付けされている。
【００１７】抵抗素子Ｒは、絶縁性基板の両端部に厚膜
印刷等でアース側端子電極及びホット側端子電極を形成
し、その間にサーメット系やカーボン系やルテニウム系
等の厚膜あるいは金属薄膜の抵抗体を配設している。絶
縁性基板の材料は、例えば、アルミナ等の誘電体セラミ
ックが用いられる。また、抵抗体の表面にはガラス等の
被膜が形成されていてもよい。アース側端子電極はアー
ス端子１６のアース引出電極１６ａにはんだ付けされ、
ホット側端子電極はポート部Ｐ３に抵抗素子Ｒの上面で
はんだ付けされる。つまり、図３に示すように、整合用
コンデンサ素子Ｃ３と抵抗素子Ｒとは、中心電極２３の
ポート部Ｐ３とアース端子１６との間に電気的に並列に
接続される。
印刷等でアース側端子電極及びホット側端子電極を形成
し、その間にサーメット系やカーボン系やルテニウム系
等の厚膜あるいは金属薄膜の抵抗体を配設している。絶
縁性基板の材料は、例えば、アルミナ等の誘電体セラミ
ックが用いられる。また、抵抗体の表面にはガラス等の
被膜が形成されていてもよい。アース側端子電極はアー
ス端子１６のアース引出電極１６ａにはんだ付けされ、
ホット側端子電極はポート部Ｐ３に抵抗素子Ｒの上面で
はんだ付けされる。つまり、図３に示すように、整合用
コンデンサ素子Ｃ３と抵抗素子Ｒとは、中心電極２３の
ポート部Ｐ３とアース端子１６との間に電気的に並列に
接続される。
【００１８】なお、はんだは、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐ
ｂ系、Ｓｎ−Ａｇ系のはんだが用いられる。この中で
も、環境汚染防止やアイソレータ１のリフロー作業性か
ら、非鉛系かつ高温融点を有するＳｎ−Ｓｂ系のはんだ
を用いることが好ましい。
ｂ系、Ｓｎ−Ａｇ系のはんだが用いられる。この中で
も、環境汚染防止やアイソレータ１のリフロー作業性か
ら、非鉛系かつ高温融点を有するＳｎ−Ｓｂ系のはんだ
を用いることが好ましい。
【００１９】図１に示すように、樹脂部材１０は、抵抗
素子Ｒ及び整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３の上に配置
されている。この樹脂部材１０の中央付近には、アイソ
レータ１の低背化のために、中心電極組立体１３の上面
中央に積み重ねられている中心電極２１〜２３や絶縁シ
ートを収容する孔１０ａが設けられている。なお、この
孔１０ａは必ずしも必要なものではない。樹脂部材１０
の材料としては、液晶ポリマー又はＰＰＳ（ポリフェニ
レンサルファイド樹脂）であることが好ましい。液晶ポ
リマーやＰＰＳは、耐熱性と低損失に優れているからで
ある。
素子Ｒ及び整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３の上に配置
されている。この樹脂部材１０の中央付近には、アイソ
レータ１の低背化のために、中心電極組立体１３の上面
中央に積み重ねられている中心電極２１〜２３や絶縁シ
ートを収容する孔１０ａが設けられている。なお、この
孔１０ａは必ずしも必要なものではない。樹脂部材１０
の材料としては、液晶ポリマー又はＰＰＳ（ポリフェニ
レンサルファイド樹脂）であることが好ましい。液晶ポ
リマーやＰＰＳは、耐熱性と低損失に優れているからで
ある。
【００２０】以上の構成部品は、下側ケース４内に、樹
脂ケース３や中心電極組立体１３や整合用コンデンサ素
子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒ等を収容し、さらに、その上
に樹脂部材１０及び永久磁石９を積み重ねた後、上側ケ
ース８を装着している。永久磁石９は中心電極組立体１
３に直流磁界を印加する。下側ケース４と上側ケース８
は接合して金属ケースをなし、磁気回路を構成してお
り、ヨークとしても機能している。
脂ケース３や中心電極組立体１３や整合用コンデンサ素
子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒ等を収容し、さらに、その上
に樹脂部材１０及び永久磁石９を積み重ねた後、上側ケ
ース８を装着している。永久磁石９は中心電極組立体１
３に直流磁界を印加する。下側ケース４と上側ケース８
は接合して金属ケースをなし、磁気回路を構成してお
り、ヨークとしても機能している。
【００２１】こうして、図２に示す集中定数型アイソレ
ータ１が得られる。この集中定数型アイソレータ１は、
縦７．０×横７．０×厚さ２．０ｍｍの大きさである。
また、図３は、集中定数型アイソレータ１の電気等価回
路図である。
ータ１が得られる。この集中定数型アイソレータ１は、
縦７．０×横７．０×厚さ２．０ｍｍの大きさである。
また、図３は、集中定数型アイソレータ１の電気等価回
路図である。
【００２２】以上のアイソレータ１は、下側ケース４及
び上側ケース８の表面粗さＲａの平均値を０．９μｍ以
下にしたので、下側ケース４及び上側ケース８を流れる
高周波電流の損失が少なくなり、アイソレータ１の挿入
損失を小さくできる。この結果、高信頼性及び高性能の
アイソレータ１を得ることができる。
び上側ケース８の表面粗さＲａの平均値を０．９μｍ以
下にしたので、下側ケース４及び上側ケース８を流れる
高周波電流の損失が少なくなり、アイソレータ１の挿入
損失を小さくできる。この結果、高信頼性及び高性能の
アイソレータ１を得ることができる。
【００２３】図４は、下側ケース４及び上側ケース８の
表面粗さＲａの平均値が０．２μｍと０．９μｍの場合
のアイソレータ１の挿入損失特性を示すグラフである。
比較のために、図４には、表面粗さＲａの平均値が４μ
ｍの場合のアイソレータ１の挿入損失特性も併せて記載
している。図４より、表面粗さＲａの平均値が０．２μ
ｍの場合と０．９μｍの場合には、挿入損失に大きな差
はなく、十分に挿入損失が低下されていることがわか
る。
表面粗さＲａの平均値が０．２μｍと０．９μｍの場合
のアイソレータ１の挿入損失特性を示すグラフである。
比較のために、図４には、表面粗さＲａの平均値が４μ
ｍの場合のアイソレータ１の挿入損失特性も併せて記載
している。図４より、表面粗さＲａの平均値が０．２μ
ｍの場合と０．９μｍの場合には、挿入損失に大きな差
はなく、十分に挿入損失が低下されていることがわか
る。
【００２４】また、図５は、下側ケース４及び上側ケー
ス８の表面粗さＲａの平均値とアイソレータ１の挿入損
失特性の関係を示したグラフである。図５より、表面粗
さＲａの平均値が０．９μｍ以下の場合には、挿入損失
に大きな差はなく、十分に挿入損失が低下されているこ
とがわかる。逆に、表面粗さＲａの平均値が０．９μｍ
を超えると、挿入損失が急増していることがわかる。
ス８の表面粗さＲａの平均値とアイソレータ１の挿入損
失特性の関係を示したグラフである。図５より、表面粗
さＲａの平均値が０．９μｍ以下の場合には、挿入損失
に大きな差はなく、十分に挿入損失が低下されているこ
とがわかる。逆に、表面粗さＲａの平均値が０．９μｍ
を超えると、挿入損失が急増していることがわかる。
【００２５】［第２実施形態、図６］第２実施形態は、
本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明
する。
本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明
する。
【００２６】図６は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気回
路ブロック図である。図６において、１２２はアンテナ
素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレ
ータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間用帯
域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信
側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１
３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣ
Ｏ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
路ブロック図である。図６において、１２２はアンテナ
素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレ
ータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間用帯
域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信
側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１
３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣ
Ｏ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００２７】ここに、送信側アイソレータ１３１とし
て、第１実施形態の集中定数型アイソレータ１を使用す
ることができる。このアイソレータ１を実装することに
より、優れた電気特性を有する携帯電話を実現すること
ができる。
て、第１実施形態の集中定数型アイソレータ１を使用す
ることができる。このアイソレータ１を実装することに
より、優れた電気特性を有する携帯電話を実現すること
ができる。
【００２８】［他の実施形態］本発明は、前記実施形態
に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種
々の構成に変更することができる。例えば、前記実施形
態ではアイソレータに適用したが、本発明は、勿論サー
キュレータにも適用できるとともに、他の高周波部品に
も適用できる。さらに、中心電極は、金属板を打ち抜
き、曲げ加工して形成するものの他に、基板（誘電体基
板や磁性体基板や積層基板等）にパターン電極を設ける
ことによっても形成することができる。また、それぞれ
の中心電極の交差角は、１１０〜１４０度の範囲であれ
ばよい。さらに、金属ケースは３以上に分割されていて
もよい。また、フェライトは円板状に限定されるもので
はなく、矩形や六角形等の他の形状でもよい。
に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種
々の構成に変更することができる。例えば、前記実施形
態ではアイソレータに適用したが、本発明は、勿論サー
キュレータにも適用できるとともに、他の高周波部品に
も適用できる。さらに、中心電極は、金属板を打ち抜
き、曲げ加工して形成するものの他に、基板（誘電体基
板や磁性体基板や積層基板等）にパターン電極を設ける
ことによっても形成することができる。また、それぞれ
の中心電極の交差角は、１１０〜１４０度の範囲であれ
ばよい。さらに、金属ケースは３以上に分割されていて
もよい。また、フェライトは円板状に限定されるもので
はなく、矩形や六角形等の他の形状でもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、金属ケースの表面粗さＲａの平均値を０．９
μｍ以下にすることにより、挿入損失を低減することが
でき、高信頼性及び高性能の非可逆回路素子を得ること
ができる。
によれば、金属ケースの表面粗さＲａの平均値を０．９
μｍ以下にすることにより、挿入損失を低減することが
でき、高信頼性及び高性能の非可逆回路素子を得ること
ができる。
【００３０】また、本発明に係る通信装置は、前述の特
徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、優れた
高周波特性を有することができる。
徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、優れた
高周波特性を有することができる。
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態の構
成を示す分解斜視図。
成を示す分解斜視図。
【図２】図１に示す非可逆回路素子の組立完成後の外観
斜視図。
斜視図。
【図３】図２に示す非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図４】本発明に係る非可逆回路素子の周波数に対する
挿入損失特性を示すグラフ。
挿入損失特性を示すグラフ。
【図５】本発明に係る非可逆回路素子の表面粗さＲａの
平均値に対する挿入損失特性を示すグラフ。
平均値に対する挿入損失特性を示すグラフ。
【図６】本発明に係る通信装置の一実施形態を示すブロ
ック図。
ック図。
１…集中定数型アイソレータ（非可逆回路素子） ４…下側ケース ８…上側ケース ９…永久磁石 １３…中心電極組立体 ２０…マイクロ波フェライト ２１〜２３…中心電極 １２０…携帯電話（通信装置）
Claims (2)
- 【請求項１】 永久磁石と、 前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライト
と、 前記フェライトに配置された複数の中心電極と、 前記永久磁石と前記フェライトと前記中心電極とを収容
する金属ケースとを備え、 前記金属ケースが鉄を主成分とする材料で形成され、前
記金属ケース全体の表面粗さＲａの平均値が０．９μｍ
以下であること、 を特徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の非可逆回路素子を少なく
とも一つ備えたことを特徴とする通信装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401571A JP2002204108A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 非可逆回路素子及び通信装置 |
| US10/033,773 US6603370B2 (en) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | Nonreciprocal circuit device with a casing average surface roughness less than or equal to 0.9 microns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401571A JP2002204108A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 非可逆回路素子及び通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002204108A true JP2002204108A (ja) | 2002-07-19 |
Family
ID=18865984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000401571A Pending JP2002204108A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 非可逆回路素子及び通信装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6603370B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002204108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170294696A1 (en) * | 2012-05-18 | 2017-10-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Methods related to junction ferrite devices having improved insertion loss performance |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526219B2 (ja) * | 1986-10-23 | 1996-08-21 | 日立フェライト 株式会社 | 集中定数型サ−キユレ−タ及びアイソレ−タ |
| JP3275806B2 (ja) * | 1997-12-04 | 2002-04-22 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
| JP3235560B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2001-12-04 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000401571A patent/JP2002204108A/ja active Pending
-
2001
- 2001-12-28 US US10/033,773 patent/US6603370B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170294696A1 (en) * | 2012-05-18 | 2017-10-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Methods related to junction ferrite devices having improved insertion loss performance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6603370B2 (en) | 2003-08-05 |
| US20020084865A1 (en) | 2002-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040629 |