JP3649161B2 - 中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータ等を構成する中心電極組立体、非可逆回路素子及び該素子を備えた通信装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、携帯電話等の移動体通信装置に採用される集中定数型アイソレータ(可逆回路素子)では、中心電極組立体として図30に示すものが知られている。この中心電極組立体200は、円盤形状のマイクロ波フェライト201を3本の中心電極211,212,213を備えた電極板210で包み込んだものである。
【0003】
電極板210は中央平面部(アース電極)215から各中心電極211,212,213を所定の角度で外方に延在させたものであり、中心電極211,212は1本のラインで形成され、中心電極213は2本のラインで形成されている。組立ては、まず、中央平面部215をフェライト201の下面に当接させて中心電極211,212,213をフェライト201の側面から上面へ折り曲げ(折曲げ部a,b)、該中心電極をフェライト201の上面で所定の交差角で交差させる。
【0004】
この種の中心電極組立体200を備えた非可逆回路素子は主に移動体通信装置に用いられているが、小型化が著しく進んでおり、電極板210も一層の小型化が必要なため、中心電極211,212,213のライン幅が細くなる傾向にある。このような中心電極は金型によるプレス加工又はエッチング加工で形成されるが、加工精度に限界があり、全ての中心電極を2本のラインで形成することは困難で、1本のラインで形成せざるを得なくなっている。
【0005】
図31にいま一つの従来の中心電極組立体を示す。この中心電極組立体240は、マイクロ波フェライト270の上面に入力中心電極271、出力中心電極272及び終端中心電極273を、絶縁シート220を介在させて、互いの中心線が交差してなる交差角Gが略120゜になるように配置している。これらの中心電極271,272,273は、それぞれの一端部がポート部P1,P2,P3に電気的に接続している。さらに、中心電極271,272,273の他端部がフェライト270の側面を経て、フェライト270の下面に設けたアース電極276に電気的に接続している。アース電極276は、フェライト270の下面を略覆っている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、集中定数型非可逆回路素子に組み込まれる中心電極組立体においては、3本の中心電極の交差角がばらつくと、挿入損失やアイソレーションなどの電気特性に大きく影響するため、交差角の安定化を図ることが極めて重要である。
【0007】
しかしながら、図30に示した従来の中心電極組立体200では、中心電極はライン幅が細いため、組立て作業時、あるいは実装された通信装置の使用中の振動、加熱等により断線するおそれを有している。このような断線は折曲げ部a,bで発生し、特に、1本のラインで形成されている中心電極が断線すると、致命的な不良となる。
【0008】
また、アイソレータの性能を示すものに、挿入損失とアイソレーション特性がある。挿入損失はそれが小さいほどよく、アイソレーション特性はアイソレーション帯域幅が広いほどよい。図32に、交差角Gが120゜の前記中心電極組立体240を組み込んだアイソレータの挿入損失280とアイソレーション特性282を示す(点線参照)。
【0009】
ここに、挿入損失を改善する方法として、入力中心電極271と出力中心電極272の交差角Gを広げる方法がある。例えば、図32に、交差角Gが125゜の中心電極組立体240を組み込んだアイソレータの挿入損失281とアイソレーション特性283を示す(実線参照)。ところが、この方法では、挿入損失を改善させることはできるが、アイソレーション帯域幅が狭くなり、中心電極組立体240の製造ロットごとの特性ばらつきによるアイソレータの不良率が高くなりやすい。
【0010】
また、入力中心電極271と出力中心電極272の交差角Gを広げると、入力中心電極271のエッジと出力中心電極272のエッジの交点A(図31参照)から絶縁シート220の縁部までの距離A−A’が短くなる。従って、絶縁シート220が二点鎖線で示した220aの位置にずれると、入力中心電極271と出力中心電極272の短絡不良が発生しやすくなる。
【0011】
そこで、本発明の目的は、特性が安定し、中心電極の断線のおそれを解消でき、信頼性の高い中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置を提供することにある。
【0012】
本発明のいま一つの目的は、他の電気特性を低下させることなく、挿入損失を改善することができ、しかも、短絡不良の発生しにくい中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段及び作用】
以上の目的を達成するため、第1の発明に係る中心電極組立体は、中央平面部から複数の中心電極が所定の角度で外方に延在している電極板とフェライトとで構成され、中央平面部をフェライトの下面に当接させて中心電極をフェライトの側面から上面へ折り曲げ、該中心電極をフェライトの上面で交差させた中心電極組立体において、少なくとも一つの中心電極を1本のラインで形成し、該中心電極のライン幅がフェライト中心部よりもフェライト縁端部が広くなるように形成したことを特徴とする。
【0015】
前記第1の発明に係る中心電極組立体において、中心電極はコールドエンド側フェライト縁端部で折り曲げてフェライトを包み込む。折曲げ部であるコールドエンド側フェライト縁端部は幅広く形成されているため、強度的に強くなり、断線するおそれが大きく解消する。また、中心電極の交差角も安定し、良好な電気特性を発揮する。
【0016】
第2の発明に係る中心電極組立体のように、中央平面部から複数の中心電極が所定の角度で外方に延在している電極板とフェライトとで構成され、中央平面部をフェライトの下面に当接させて中心電極をフェライトの側面から上面へ折り曲げ、該中心電極をフェライトの上面で交差させ、少なくとも一つの中心電極を1本のラインで形成し、該中心電極のライン幅がコールドエンド側フェライト縁端部において部分的に広くなるように形成した中心電極組立体において、第1、第2、第3の中心電極を有する場合、第1の中心電極と一方の側で隣接する第2の中心電極との交差角θ12と第1の中心電極と他方の側で隣接する第3の中心電極との交差角θ31をθ12>θ31となるように設定し、第1の中心電極のコールドエンド側フェライト縁端部の幅をフェライト中心部での中心線に対して第3の中心電極に近い方よりも第2の中心電極に近い方が広くなるように形成することが、第1及び第2の中心電極間の電気的短絡を防止するうえでも好ましい。また、第3の発明に係る中心電極組立体のように、中央平面部から複数の中心電極が所定の角度で外方に延在している電極板とフェライトとで構成され、中央平面部をフェライトの下面に当接させて中心電極をフェライトの側面から上面へ折り曲げ、該中心電極をフェライトの上面で交差させ、少なくとも一つの中心電極を1本のラインで形成し、該中心電極のライン幅がコールドエンド側フェライト縁端部において部分的に広くなるように形成した中心電極組立体において、第1、第2、第3の中心電極を有する場合、第 1 の中心電極と一方の側で隣接する第2の中心電極との交差角θ12と第 1 の中心電極と他方の側で隣接する第3の中心電極との交差角θ31をθ12<θ31となるように設定し、第1の中心電極のコールドエンド側フェライト縁端部の幅をフェライト中心部での中心線に対して第2の中心電極に近い方よりも第3の中心電極に近い方が広くなるように形成しても同様の効果を得ることができる。
【0023】
また、本発明に係る非可逆回路素子及び通信装置は、前述の特徴を有する中心電極組立体を備えることにより、安定した電気特性が得られ、信頼性が向上する。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置の実施形態について、添付図面を参照して説明する。なお、各実施形態を示す図面において、同じ部材、部分には同じ参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
【0025】
(第1実施形態、図1〜4参照)
図1は本発明の第1実施形態である中心電極組立体1を備えた非可逆回路素子(集中定数型アイソレータ)の各構成部品を示し、図2はそれらを組み立てた状態での断面を示し、図3は電極板20の展開状態と中心電極組立体1を示す。さらに、図4は非可逆回路素子の等価回路を示す。
【0026】
この非可逆回路素子は、以下に詳述する中心電極組立体1、永久磁石55、整合用コンデンサ素子C1,C2,C3、抵抗素子Rを樹脂ケース50に収容し、上下から金属ケース(ヨーク)56,57を被せたものである。
【0027】
樹脂ケース50には、入出力端子51やコンデンサ素子C1,C2,C3、抵抗素子Rを接続するための導体部が設けられ、金属ケース57にはアース端子58が形成され、各部品は図4に示す等価回路を構成するようにケース50に組み付けられる。
【0028】
図4を参照して回路を説明すると、中心電極21,22,23は、それぞれの一端側(ホットエンド側)が入出力ポート部P1,P2,P3とされ、他端側(コールドエンド側)はアースに落とされている。整合用コンデンサ素子C1,C2,C3は、ホット側電極がポート部P1,P2,P3にそれぞれはんだ付けされ、コールド側電極がアース電極にそれぞれはんだ付けされている。
【0029】
抵抗素子Rは、その一方の端子部が整合用コンデンサ素子C3のホット側電極に接続され、他方はアース電極に接続されている。即ち、整合用コンデンサ素子C3と抵抗素子Rとは、中心電極23のポート部P3とアース電極との間に並列に接続されている。
【0030】
本第1実施形態における中心電極組立体1は、図3に示すように、円盤形状のフェライト15と電極板20とで構成されている。電極板20は、アース電極となる中央平面部25から三つの中心電極21,22,23が所定の角度で外方に延在している。
【0031】
中心電極組立体1は、電極板20の中央平面部25をフェライト15の下面に当接させて中心電極21,22,23をフェライトの側面から上面へ折り曲げ(折曲げ部a,b)、中心電極21,22,23をフェライト15の上面で約120°の所定の交差角で交差させたものである。また、フェライト15の上面において、各中心電極21,22,23は、図2に示すように、絶縁シート(ポリイミドシート)16を挿入することによって互いに絶縁されている。
【0032】
中心電極21,22は1本の導体ラインで形成され、中心電極23は2本の導体ラインで形成されている。そして、1本の導体ラインで形成されている中心電極21,22のライン幅は、コールドエンド側フェライト縁端部xがフェライト中心部y及びホットエンド側フェライト縁端部zよりも広くなるように形成されている。幅広くされている部分には折曲げ部a,bが含まれている。
【0033】
本第1実施形態である中心電極組立体1において、中心電極21,22は折曲げ部a,bが比較的幅広く形成されているため、折曲げ部a,bの強度が大きく、曲げ角度が安定すると共に交差角も安定し、挿入損失やアイソレーションなどの電気特性が安定した所望の値を維持し、入力インピーダンス特性等の均一度も向上する。また、折曲げ部a,bでの断線のおそれが解消する。
【0034】
(第2実施形態、図5参照)
第2実施形態である中心電極組立体2は、1本の導体ラインで形成されている中心電極21,22のライン幅を、中心部yからコールドエンド側フェライト縁端部xにわたって漸増するように(いわば、テーパ状に)形成したものである。
【0035】
本第2実施形態の他の構成は前記第1実施形態と同様であり、その作用効果も基本的には第1実施形態と同様である。さらに、第2実施形態では、中心電極21,22のライン幅はいわばテーパ状であるため、コールドエンド側フェライト縁端部xに段差が生じることがなく、特に、折曲げ部bでの応力集中を避けることができ、中心電極21,22,23のフェライト15上面での交差角がより安定する。
【0036】
(第3実施形態、図6参照)
第3実施形態である中心電極組立体3は、1本の導体ラインで形成されている中心電極21,22のライン幅を、フェライト中心部yからコールドエンド側フェライト縁端部x及びホットエンド側フェライト縁端部zにわたって漸増するように(いわば、テーパ状に)形成したものである。
【0037】
本第3実施形態の他の構成は前記第1及び第2実施形態と同様であり、その作用効果も基本的には第1及び第2実施形態と同様である。さらに、第3実施形態では、ホットエンド側フェライト縁端部zも幅広く形成されている。この縁端部zは、図2に示されているようにほぼ45°に折り曲げられるため、ここでのライン幅が狭いと、曲げ角度や曲げ形状が安定せず、コンデンサ素子と中心電極との間あるいは中心電極と入出力端子との間で接続不良や断線を生じるおそれがある。本第3実施形態のように縁端部zを幅広く形成すれば、その曲げ角度や曲げ形状が安定し、接続不良、断線のおそれを解消できる。
【0038】
(第4実施形態、図7参照)
第4実施形態である中心電極組立体4は、前記第1実施形態と同様に、1本の導体ラインで形成されている中心電極21,22のライン幅を、コールドエンド側フェライト縁端部xがホットエンド側フェライト縁端部zよりも広くなるように形成したものである。
【0039】
さらに、第4実施形態において、中心電極21,22の交差角をθ12とし、中心電極21,23の交差角をθ31とし、中心電極22,23の交差角をθ23とするとき、θ12>θ31、θ12>θ23の関係にある。
【0040】
また、ポート部P1を構成する中心電極21のコールドエンド側フェライト縁端部xでのライン幅は、中心電極21のフェライト中心部yでの中心線を基準として、ポート部P2を構成する中心電極22側に膨出している。同様に、ポート部P2を構成する中心電極22のコールドエンド側フェライト縁端部xでのライン幅は、中心電極22のフェライト中心部yでの中心線を基準として、ポート部P1を構成する中心電極21側に膨出している。
【0041】
交差角θ31,θ23の関係は、θ31=θ23であってもよいし、θ31≠θ23であってもよい。
【0042】
交差角θ12は必ずしも120°である必要はなく、ポート部P1,P2間の挿入損失をよくするためには、120°<θ12<140°が望ましい。交差角θ12が140°以上であると、アイソレーションが劣化しすぎて実用的でなくなる。また、120°より小さいと挿入損失が悪化する。
【0043】
さらに、θ12>120°の場合、120°と比較してポート部P3のポートインピーダンスが高くなるので、ポートインピーダンスを下げるために、ポート部P3を構成する中心電極23を複数のラインで形成することが望ましい。
【0044】
本第4実施形態の他の構成は前記第1実施形態と同様であり、その作用効果も基本的には第1実施形態と同様である。さらに、第4実施形態では、前記電極板20とフェライト15とを組み立てて中心電極組立体4としたとき、中心電極21,22間の間隔vが広くなり、この間での電気的短絡を防止できる。
【0045】
(第5実施形態、図8参照)
第5実施形態である中心電極組立体5は、前記第1実施形態と同様に、1本の導体ラインで形成されている中心電極21,22,23のライン幅を、コールドエンド側フェライト縁端部xがホットエンド側フェライト縁端部zよりも広くなるように形成したものである。
【0046】
さらに、第5実施形態において、中心電極21,22の交差角をθ12とし、中心電極21,23の交差角をθ31とし、中心電極22,23の交差角をθ23とするとき、θ12<θ31、θ12<θ23の関係にある。
【0047】
また、ポート部P1を構成する中心電極21のコールドエンド側フェライト縁端部xでのライン幅は、中心電極21のフェライト中心部yでの中心線を基準として、ポート部P3を構成する中心電極23側に膨出している。同様に、ポート部P2を構成する中心電極22のコールドエンド側フェライト縁端部xでのライン幅は、中心電極22のフェライト中心部yでの中心線を基準として、ポート部P3を構成する中心電極23側に膨出している。
【0048】
交差角θ31,θ23の関係は、θ31=θ23であってもよいし、θ31≠θ23であってもよい。
【0049】
交差角θ12は必ずしも120°である必要はなく、ポート部P1,P2間のアイソレーションをよくするためには、100°<θ12<120°が望ましい。交差角θ12が100°以下であると、挿入損失が劣化しすぎて実用的でなくなる。また、120°より大きいとアイソレーションが悪化する。
【0050】
さらに、θ12<120°の場合、120°と比較してポート部P3のポートインピーダンスが低くなるので、ポートインピーダンスを上げるために、ポート部P3を構成する中心電極23を1本の導体ラインで形成することが望ましい。
【0051】
本第5実施形態の他の構成は前記第1実施形態と同様であり、その作用効果も基本的には第1実施形態と同様である。さらに、第5実施形態では、前記電極板20とフェライト15とを組み立てて中心電極組立体5としたとき、中心電極21,23間及び中心電極22,23間の間隔vが広くなり、この間での電気的短絡を防止できる。
【0052】
(第6実施形態、図9参照)
第6実施形態である中心電極組立体6は、2本の導体ラインで形成されている中心電極23の各ラインをフェライト15の上面において近接させた(非平行とした)ものである。また、中心電極23の各導体ラインは中心線に対して非対称であってもよい。
【0053】
1本の導体ラインで形成されている中心電極21,22の構成、形状及びその他の構成は前記第1実施形態と同様である。また、その作用効果も第1実施形態と同様である。なお、2本の導体ラインを非平行あるいは非対称とすることは、他の実施形態に適用することもできる。
【0054】
(第7実施形態、図10参照)
第7実施形態である中心電極組立体7は、ポート部P3を構成する中心電極23を3本の導体ラインで形成したものである。また、中心電極23の各導体ラインは3本以上であってもよい。
【0055】
1本の導体ラインで形成されている中心電極21,22の構成、形状及びその他の構成は前記第1実施形態と同様である。また、その作用効果も第1実施形態と同様である。なお、中心電極23を3本あるいはそれ以上とすることは、他の実施形態に適用することもできる。
【0056】
(第8実施形態、図11参照)
第8実施形態である中心電極組立体8は、中心電極21,22,23をそれぞれ1本の導体ラインで形成し、前記第1実施形態と同様に、各中心電極21,22,23のライン幅を、コールドエンド側フェライト縁端部xが部分的に広くなるように形成したものである。
【0057】
本第8実施形態の他の構成は前記第1実施形態と同様であり、その作用効果も第1実施形態と同様である。
【0058】
(第9実施形態、図12参照)
第9実施形態である中心電極組立体9は、各中心電極21,22,23が中央平面部25に対して滑らかな円弧状部分rを有して連続するようにしたものである。
【0059】
本第9実施形態の他の構成は前記第1実施形態と同様であり、その作用効果も基本的には第1実施形態と同様である。さらに、第9実施形態では、中心電極21,22,23の根元部分に円弧状部分rを形成することにより、折曲げ部aの幅がより広くなって応力の集中がより緩和され、中心電極の曲げ角度がより安定すると共に交差角もより安定する。また、断線のおそれが確実に解消される。
【0060】
(第10実施形態、図13,14参照)
図13は本発明の第10実施形態である中心電極組立体10を備えた非可逆回路素子(集中定数型アイソレータ)の各構成部品を示し、図14は電極板20の展開状態と中心電極組立体10を示す。
【0061】
この非可逆回路素子は、図1に示した非可逆回路素子と基本的には同じ構成部品からなり、アース端子58は樹脂ケース50に設けられている。また、等価回路は図4に示したものと同じである。
【0062】
中心電極組立体10はフェライト15に直方体形状のものを使用している。従って、電極板20の中央平面部25はフェライト15の直方体形状に合わせて形成されている。中心電極21,22は1本の導体ラインで形成され、中心電極23は2本の導体ラインで形成されている。また、中心電極21,22のライン幅は、前記第1実施形態と同様に、コールドエンド側フェライト縁端部xがフェライト中心部y及びホットエンド側フェライト縁端部zよりも部分的に広くなるように形成されており、幅広くされている部分には折曲げ部a,bが含まれている。
【0063】
本第10実施形態の他の構成は、フェライト15に直方体形状のものを使用した以外は前記第1実施形態と同様であり、その作用効果も第1実施形態と同様である。
【0064】
(第11実施形態、図15参照)
第11実施形態である中心電極組立体11は、中心電極21,22の幅広に形成されているコールドエンド側フェライト縁端部xが中心電極21,22の本体部に連続する箇所に傾斜部Kを設けたものである。
【0065】
本第11実施形態の他の構成は前記第10実施形態と同様であり、その作用効果も基本的には第10実施形態と同様である。さらに、第11実施形態では、前記傾斜部Kを設けることにより、折曲げ部bの近傍に段差がなくなって応力の集中が緩和される。
【0066】
(第12実施形態、図16,17参照)
図16は本発明の第12実施形態である中心電極組立体12を示す。この中心電極組立体12は、概略、平面形状が円形状のマイクロ波フェライト15の上面(第1の主面)に入力中心電極21、出力中心電極22及び終端中心電極23を略円形状の絶縁シート16を介在させて、入力中心電極21と出力中心電極22の交差角Gが125゜になるように交差させて配置している。また、終端中心電極23は、入力中心電極21と出力中心電極22の間になるように交差させて配置している。中心電極21,22,23は、フェライト15の上面に、入力中心電極21、絶縁シート16、出力中心電極22、絶縁シート16、終端中心電極23の順に重ねられる。
【0067】
入力中心電極21、出力中心電極22及び終端中心電極23は、それぞれの一端側にポート部P1,P2,P3を有し、他端側にアース電極(中央平面部)25が接続されている。各中心電極21,22,23に共通のアース電極25は、フェライト15の下面(第2の主面)を略覆うように設けられている。入力中心電極21及び出力中心電極22は、ポート部P1,P2側の電極幅よりアース電極25側の電極幅が広い漸増幅形状である。具体的には、ポート部P1,P2側よりアース電極25側に向かって傾斜状に広くなっている。
【0068】
ここで、入力中心電極21、出力中心電極22及び終端中心電極23とアース電極25は、Ag,Cu,Au,Al,Be等の導電性材料からなり、金属薄板を打ち抜き加工、またはエッチングすることによって一体に形成される。
【0069】
こうして、中心電極組立体12が得られる。この中心電極組立体12は、入力中心電極21と出力中心電極22が、ポート部P1,P2側の電極幅よりアース電極25側の電極幅が広い漸増幅形状を有しているので、高周波電流が最大となるアース電極25側において、その高周波電流の集中度を緩和することができる。この結果、入力中心電極21と出力中心電極22の交差角Gを広くしても、中心電極組立体12を組み込んだアイソレータのアイソレーション帯域幅を狭くすることなく、そのアイソレータの挿入損失を小さくすることができる。
【0070】
図17に、入力中心電極21と出力中心電極22の交差角Gが125゜の中心電極組立体12を組み込んだアイソレータと、従来の交差角Gが120゜の中心電極組立体240(図31)を組み込んだアイソレータのそれぞれの挿入損失とアイソレーション特性を示す。ここで、実線41は交差角Gが125゜の中心電極組立体12を組み込んだアイソレータの挿入損失を表し、実線43はそのアイソレーション特性を表す。また、点線40は従来の交差角Gが120゜の中心電極組立体240を組み込んだアイソレータの挿入損失を表し、点線42はそのアイソレーション特性を表す。図17より、アイソレーション帯域幅は両者共に略同じであるのに対して、挿入損失は、従来の中心電極組立体240を用いた場合に比べて本第12実施形態の中心電極組立体12を用いた場合の方が、挿入損失が小さいことがわかる。
【0071】
さらに、入力中心電極21及び出力中心電極22の根元であるアース電極25側の電極幅が広いので、各中心電極21,22,23のぐらつきを安定させることができる。その結果、製造ロットごとの特性ばらつきがなくなり、中心電極組立体12の特性ばらつきを低減させることができる。
【0072】
(第12実施形態の変形例、図18〜21参照)
ところで、中心電極21,22,23の幅や形状は図16に示した以外に種々に変更することができる。
【0073】
例えば、図18に示すように、入力中心電極21と出力中心電極22は、アース電極25側に向かってステップ状に広がっており、ポート部P1,P2側の電極幅よりアース電極25側の電極幅が広い漸増幅形状を有していてもよい。
【0074】
また、図19に示すように、中心電極21,22,23はそれぞれ2本ずつの導体ライン21c,21d、22c,22d、23c,23dにて構成されてもよい。
【0075】
また、図20に示すように、中心電極21,22,23はそれぞれ2本ずつの導体ライン21c,21d、22c,22d、23c,23dにて構成され、それらの導体ライン21c,21d、22c,22d、23c,23dが途中で一体的に接合して1本になってもよい。図20の場合、アース電極25側で一体的に接合している。
【0076】
また、図21に示すように、中心電極21,22,23はそれぞれ2本ずつの導体ライン21e,21f、22e,22f、23e,23fにて構成され、それらの導体ライン21e,21f、22e,22fがステップ状に広がっていてもよい。
【0077】
(第13実施形態、図22参照)
図22は本発明の第13実施形態である中心電極組立体13を示す。この中心電極組立体13は、マイクロ波フェライト15の上面に入力中心電極21、出力中心電極22及び終端中心電極23を、絶縁シート16を間に挟んで、交差させて配置している。入力中心電極21と出力中心電極22の交差角Gは122゜である。各中心電極21,22,23は、それぞれ2本ずつの導体ライン21g,21h、22g,22h、23g,23hにて構成されている。中心電極21,22,23は、それぞれの一端側がポート部P1,P2,P3とされ、他端側にアース電極25が接続されている。中心電極21,22,23に共通のアース電極25は、フェライト15の下面を略覆うように設けられている。
【0078】
ところで、図31に示した従来の中心電極組立体240において、入力中心電極271と出力中心電極272の交差角Gを120゜より広げると、入力中心電極271のエッジe4と出力中心電極272のエッジe5の交点Aから絶縁シート220の縁部までの距離A−A’より、入力中心電極271のエッジe1と終端中心電極273のエッジe10の交点Bから絶縁シート220の縁部までの距離B−B’の方が大きくなる。
【0079】
そこで、本第13実施形態では、大きい方の距離B−B’、つまり、中心電極間の絶縁距離が長い方を利用して、入力中心電極21及び出力中心電極22の電極幅を広げている。具体的には、入力中心電極21及び出力中心電極22の終端ポート部P3に最も近い導体ライン21g,22gのエッジe1,e5側を電極幅方向に展延させることにより、入力中心電極21及び出力中心電極22を、ポート部P1,P2側の電極幅よりアース電極25側の電極幅が広い片漸増幅形状にしている。
【0080】
即ち、入力中心電極21の導体ライン21gのエッジe2と導体ライン21hの両側のエッジe3,e4とは互いに平行に形成されている。そして、入力中心電極21のエッジe4と出力中心電極22のエッジe5の交点Aから絶縁シート16の縁部までの距離A−A’と、入力中心電極21のエッジe1と終端中心電極23のエッジe10の交点Bから絶縁シート16の縁部までの距離B−B’とが同じになるまで、終端ポート部P3に最も近いエッジe1側を電極幅方向に展延させることが好ましい。
【0081】
同様に、出力中心電極22の導体ライン22gのエッジe6と導体ライン22hの両側のエッジe7,e8とは互いに平行に形成されている。そして、出力中心電極22のエッジe8と入力中心電極21のエッジe1の交点から絶縁シート32の縁部までの距離と、出力中心電極22のエッジe5と終端中心電極23のエッジe9の交点から絶縁シート32の縁部までの距離とが同じになるまで、終端ポート部P3に最も近いエッジe5側を電極幅方向に展延させることが好ましい。
【0082】
前記中心電極組立体13は、終端ポート部P3に最も近いエッジe1,e5側を電極幅方向に展延させることにより、前記第12実施形態の中心電極組立体12と比較して、絶縁シート16の位置ずれによる中心電極21,22,23相互間の短絡不良を起きにくくすることができる。
【0083】
さらに、入力中心電極21及び出力中心電極22の根元であるアース電極25側の電極幅が広いので、中心電極21,22,23の交差角Gを安定させ、この中心電極組立体13の特性ばらつきを低減させることができる。
【0084】
(第14実施形態、図23参照)
図23は本発明の第14実施形態である中心電極組立体14を示す。この中心電極組立体14は、平面形状が矩形であるフェライト15を用いたものである。入力中心電極21及び出力中心電極22は、終端ポート部P3に最も近い導体ライン21g,22gのエッジe1,e5側を電極幅方向に展延させることにより、ポート部P1,P2側の電極幅よりアース電極25側の電極幅が広い片漸増幅形状に形成されている。
【0085】
中心電極組立体14は、中心電極21,22の導体ライン21g,21h,22g,22hの根元であるアース電極25側の幅を広くして、中心電極21,22の交差角Gを安定させることができるので、特性ばらつきをさらに低減させることができる。
【0086】
(非可逆回路素子の実施形態、図24,25参照)
図24に本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態の各構成部品を示し、図25にそれらの組立完成後の外観を示す。この非可逆回路素子は、集中定数型アイソレータであり、前記中心電極組立体12が組み込まれている。
【0087】
図24に示すように、非可逆回路素子(集中定数型アイソレータ)は、概略、金属製下側ケース57と、樹脂製端子ケース50と、前記中心電極組立体12dと、金属製上側ケース56と、永久磁石55と、抵抗素子Rと、整合用コンデンサ素子C1,C2,C3等を備えている。
【0088】
中心電極組立体12dは、フェライト15の裏面15bに設置されたアース電極25が、樹脂製端子ケース50の窓部50aを通して、金属製下側ケース57の底壁57bにはんだ付け等の方法により接続され、アースされる。
【0089】
樹脂製端子ケース50には、入力端子51、出力端子52及びアース端子53がインサートモールドされている。出力端子52は一端が樹脂製端子ケース50の外側壁に露出し、他端が樹脂製端子ケース50の内側面に露出して出力引出し電極部52aを形成している。入力端子51は一端が樹脂製端子ケース50の外側壁に露出し、他端が樹脂製端子ケース50の内側面に露出して入力引出し電極部(図示せず)を形成している。同様に、二つのアース端子53はそれぞれ、一端が樹脂製端子ケース50の対向する外側壁に露出し、他端が樹脂製端子ケース50の内側面に露出してアース引出し電極部53aを形成している。
【0090】
整合用コンデンサ素子C1,C2,C3は、ホット側コンデンサ電極がポート部P1,P2,P3に電気的に接続され、コールド側コンデンサ電極が樹脂製端子ケース50の内側面に露出しているアース引出し電極部53aにそれぞれ電気的に接続されている。
【0091】
抵抗素子Rは、絶縁性基板の両端部に厚膜印刷等で電極を形成し、その間にサーメット系やカーボン系やルテニウム系等の厚膜あるいは金属薄膜の抵抗体を配設したものである。絶縁性基板の材料は、例えば、アルミナ等の誘電体セラミックが用いられる。また、抵抗体の表面にはガラス等の被膜が形成されていてもよい。
【0092】
抵抗素子Rの一方の電極は整合用コンデンサ素子C3のホット側コンデンサ電極に接続され、他方の電極はアース引出し電極部53aに接続される。つまり、整合用コンデンサ素子C3と抵抗素子Rとは、中心電極組立体12dのポート部P3とアースとの間に電気的に並列に接続される。
【0093】
金属製下側ケース57は、左右の側壁57aと底壁57bとを有している。この金属製下側ケース57上に樹脂製端子ケース50を配置すると共に、樹脂製端子ケース50内に中心電極組立体12dや整合用コンデンサ素子C1,C2,C3等を収容し、金属製上側ケース56を装着する。金属製上側ケース56の下面には永久磁石55が貼着され、この永久磁石55により中心電極組立体12dに直流磁界を印加するようになっている。金属製下側ケース57と金属製上側ケース56は磁気回路を構成しており、ヨークとしても機能している。金属製下側ケース57、金属製上側ケース56は、例えば、Feやケイ素鋼などの高透磁率からなる板材を打ち抜き、曲げ加工した後、表面にCuやAgをめっきしてなるものである。
【0094】
こうして、図25に示すような非可逆回路素子(集中定数型アイソレータ)が得られる。この集中定数型アイソレータの電気等価回路は図4に示したとおりである。この集中定数型アイソレータは、前述した特徴を有する中心電極組立体12dを備えているので、特性ばらつきが少なく、挿入損失が小さく、十分なアイソレーション帯域幅を有している。
【0095】
なお、この集中定数型アイソレータには前記中心電極組立体12dの他に、前記各実施形態で示した中心電極組立体12,12a,12b,12c等を用いてもよい。
【0096】
(非可逆回路素子の他の実施形態、図26,27,28参照)
図26は前記第1実施形態として説明した中心電極組立体1及びコンデンサ素子としてを機能する誘電体シート(ポリイミドシート)26を備えた他の実施形態である非可逆回路素子(集中定数型アイソレータ)の各構成部品を示し、図27はそれらを組み立てた状態での断面を示す。さらに、図28はこの非可逆回路素子の等価回路を示す。
【0097】
この非可逆回路素子は、中心電極組立体1(その詳細は図3に示した第1実施形態と同様である)の中央平面部25と下金属ケース57との間に誘電体シート26を挿入し、図28に示すようにコンデンサ素子C4を形成するようにしたものである。従って、この非可逆回路素子において、電極板20の中央平面部25はアース電極としては機能していない。
【0098】
なお、コンデンサ素子C4を追加することは、これまでに説明した中心電極組立体を備えた非可逆回路素子においても適用可能である。
【0099】
(通信装置、図29参照)
次に、本発明に係る通信装置の一実施形態として携帯電話を例にして説明する。図29は携帯電話のRF部分の電気回路120を示し、122はアンテナ素子、123はデュプレクサ、131は送信側アイソレータ、132は送信側増幅器、133は送信側段間用帯域通過フィルタ、134は送信側ミキサ、135は受信側増幅器、136は受信側段間用帯域通過フィルタ、137は受信側ミキサ、138は電圧制御発振器(VCO)、139はローカル用帯域通過フィルタである。
【0100】
ここに、送信側アイソレータ131として、前記第1〜14実施形態として示した中心電極組立体1〜14,12a〜12dのいずれかを備えた非可逆回路素子(集中定数型アイソレータ)を使用することができる。これらの非可逆回路素子を実装することにより、電気特性の安定した信頼性の高い携帯電話を実現することができる。
【0101】
(他の実施形態)
なお、本発明に係る中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。
【0102】
例えば、中心電極は、3本以上の導体ラインで構成されていてもよく、それらの導体ラインは中心電極の任意の位置で一体的に接合して1本又は2本以上になってもよい。また、フェライトの平面形状は、円形や多角形や角が丸まった三角形等であってもよい。また、アイソレータの他に、サーキュレータ等の各種非可逆回路素子にも本発明を適用することができる。
【0103】
また、中心電極は、金属板を打ち抜き、曲げ加工して形成するものの他に、基板(誘電体基板や磁性体基板や積層基板等)にパターン電極を設けることによっても形成することができる。さらに、絶縁シートの代わりに、絶縁膜を印刷等の方法で形成してもよい。また、交差角Gは、110゜〜140゜の範囲であればよい。
【0104】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、第1、第2及び第3の発明によれば、1本のラインで形成されている中心電極のコールドエンド側フェライト縁端部を部分的に幅広く形成するようにしたため、中心電極の断線のおそれが格段に減少して信頼性が向上し、かつ、電気特性が安定した中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置を得ることができる。
【0108】
また、本発明に係る非可逆回路素子及び通信装置は、前述の特徴を有する中心電極組立体を備えることにより、優れた電気特性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態である中心電極組立体を備えた非可逆回路素子を示す分解斜視図。
【図2】前記非可逆回路素子の内部構成を示す断面図。
【図3】(A)は第1実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図4】前記非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図5】(A)は第2実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図6】(A)は第3実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図7】(A)は第4実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図8】(A)は第5実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図9】(A)は第6実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図10】(A)は第7実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図11】(A)は第8実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図12】第9実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図。
【図13】第10実施形態である中心電極組立体を備えた非可逆回路素子を示す分解斜視図。
【図14】(A)は第10実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図15】(A)は第11実施形態である中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図16】第12実施形態である中心電極組立体を示す平面図。
【図17】図16に示した中心電極組立体の挿入損失とアイソレーション特性を示すグラフ。
【図18】図16に示した中心電極組立体の変形例を示す平面図。
【図19】図16に示した中心電極組立体の別の変形例を示す平面図。
【図20】図16に示した中心電極組立体のさらに別の変形例を示す平面図。
【図21】図16に示した中心電極組立体のさらに別の変形例を示す平面図。
【図22】第13実施形態である中心電極組立体を示す平面図。
【図23】第14実施形態である中心電極組立体を示す平面図。
【図24】本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態を示す分解斜視図。
【図25】図24に示した非可逆回路素子の外観斜視図。
【図26】前記第1実施形態である中心電極組立体を備えたいま一つの非可逆回路素子を示す分解斜視図。
【図27】図26に示した非可逆回路素子の内部構成を示す断面図。
【図28】図26に示した非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図29】本発明に係る通信装置(携帯電話)の電気回路を示すブロック図。
【図30】(A)は従来の中心電極組立体の電極板を示す展開平面図、(B)は該電極板とフェライトとを組み立てた状態を示す平面図。
【図31】従来の他の中心電極組立体を示す平面図。
【図32】図31に示した従来の中心電極組立体の挿入損失とアイソレーション特性を示すグラフ。
【符号の説明】
1〜14,12a〜12d…中心電極組立体
15…フェライト
16…絶縁シート
20…電極板
21,22,23…中心電極
25…中央平面部(アース電極)
50…樹脂製端子ケース
55…永久磁石
56…金属製上側ケース
57…金属製下側ケース
120…携帯電話の電気回路
131…送信側アイソレータ
x…コールドエンド側フェライト縁端部
y…フェライト中央部
z…ホットエンド側フェライト縁端部
r…円弧状部分
θ12,θ23,θ31…交差角
e1〜e10…エッジ
P1,P2,P3…ポート部
C1,C2,C3…整合用コンデンサ素子
R…抵抗素子
Claims (8)
- 中央平面部から複数の中心電極が所定の角度で外方に延在している電極板とフェライトとで構成され、中央平面部をフェライトの下面に当接させて中心電極をフェライトの側面から上面へ折り曲げ、該中心電極をフェライトの上面で交差させた中心電極組立体において、
少なくとも一つの中心電極を1本のラインで形成し、該中心電極のライン幅がフェライト中心部よりもフェライト縁端部が広くなるように形成したこと、
を特徴とする中心電極組立体。 - 中央平面部から複数の中心電極が所定の角度で外方に延在している電極板とフェライトとで構成され、中央平面部をフェライトの下面に当接させて中心電極をフェライトの側面から上面へ折り曲げ、該中心電極をフェライトの上面で交差させ、少なくとも一つの中心電極を1本のラインで形成し、該中心電極のライン幅がコールドエンド側フェライト縁端部において部分的に広くなるように形成した中心電極組立体において、
第1、第2、第3の中心電極を有し、
第1の中心電極と一方の側で隣接する第2の中心電極との交差角θ12と第1の中心電極と他方の側で隣接する第3の中心電極との交差角θ31をθ12>θ31となるように設定し、
第1の中心電極のコールドエンド側フェライト縁端部の幅をフェライト中心部での中心線に対して第3の中心電極に近い方よりも第2の中心電極に近い方が広くなるように形成したこと、
を特徴とする中心電極組立体。 - 中央平面部から複数の中心電極が所定の角度で外方に延在している電極板とフェライトとで構成され、中央平面部をフェライトの下面に当接させて中心電極をフェライトの側面から上面へ折り曲げ、該中心電極をフェライトの上面で交差させ、少なくとも一つの中心電極を1本のラインで形成し、該中心電極のライン幅がコールドエンド側フェライト縁端部において部分的に広くなるように形成した中心電極組立体において、
第1、第2、第3の中心電極を有し、
第1の中心電極と一方の側で隣接する第2の中心電極との交差角θ12と第1の中心電極と他方の側で隣接する第3の中心電極との交差角θ31をθ12<θ31となるように設定し、
第1の中心電極のコールドエンド側フェライト縁端部の幅をフェライト中心部での中心線に対して第2の中心電極に近い方よりも第3の中心電極に近い方が広くなるように形成したこと、
を特徴とする中心電極組立体。 - 第1、第2、第3の中心電極を有し、
第1の中心電極と一方の側で隣接する第2の中心電極との交差角θ12と第1の中心電極と他方の側で隣接する第3の中心電極との交差角θ31をθ12>θ31となるように設定し、
第1の中心電極のコールドエンド側フェライト縁端部の幅をフェライト中心部での中心線に対して第3の中心電極に近い方よりも第2の中心電極に近い方が広くなるように形成したこと、
を特徴とする請求項1に記載の中心電極組立体。 - 第1、第2、第3の中心電極を有し、
第1の中心電極と一方の側で隣接する第2の中心電極との交差角θ12と第1の中心電極と他方の側で隣接する第3の中心電極との交差角θ31をθ12<θ31となるように設定し、
第1の中心電極のコールドエンド側フェライト縁端部の幅をフェライト中心部での中心線に対して第2の中心電極に近い方よりも第3の中心電極に近い方が広くなるように形成したこと、
を特徴とする請求項1に記載の中心電極組立体。 - 二つの中心電極を1本のラインで形成し、一つの中心電極を2本のラインで形成したことを特徴とする請求項1、請求項2、請求項3、請求項4又は請求項5に記載の中心電極組立体。
- 永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加される請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5又は請求項6に記載の中心電極組立体と、
前記永久磁石と前記中心電極組立体とを収容するケースと、
を備えたことを特徴とする非可逆回路素子。 - 請求項7に記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信装置。
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