JP3883071B2 - 非可逆回路素子 - Google Patents

非可逆回路素子 Download PDF

Info

Publication number
JP3883071B2
JP3883071B2 JP2004079838A JP2004079838A JP3883071B2 JP 3883071 B2 JP3883071 B2 JP 3883071B2 JP 2004079838 A JP2004079838 A JP 2004079838A JP 2004079838 A JP2004079838 A JP 2004079838A JP 3883071 B2 JP3883071 B2 JP 3883071B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
central conductor
resin case
terminal electrode
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004079838A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005269317A (ja
Inventor
晋 太田
彰規 三澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Priority to JP2004079838A priority Critical patent/JP3883071B2/ja
Publication of JP2005269317A publication Critical patent/JP2005269317A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3883071B2 publication Critical patent/JP3883071B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Description

本発明は、携帯電話などの移動体通信システムの中で使用され、一般にアイソレータやサーキュレータと呼ばれる非可逆回路素子に関し、特には、これに用いる樹脂ケースに関する。
従来、携帯電話等に用いられる高周波部品の一つとして、アイソレータ,サーキュレータ等の非可逆回路素子がある。一般に非可逆回路素子は、電力増幅器などの破損を防止する目的で使用され、信号の伝送方向の挿入損失は小さいが、逆方向への逆方向損失は大きくなるような機能を持たせたものである。
図9は、特許文献1に記載された非可逆回路素子の構造を示す分解斜視図である。この非可逆回路素子は、互いに電気的絶縁状態で、所定の角度間隔で重ねられた3つの中心導体4,5,6をフェライト3上に配置した中心導体部20と、フェライト3に直流磁界を印加するための永久磁石2と、容量素子8、9,10と終端抵抗11を有し、これらを、磁気ヨークを兼ねた上ケース1と下ケース12とで構成する金属ケース内に配置して構成されている。上ケース1および下ケース12間には、絶縁体に金属材料をインサートした樹脂ケース7が設けられており、樹脂ケース7内には、容量素子8,9,10、終端抵抗11、中心導体部20が収納されている。
この樹脂ケース7は、例えば銅、あるいは銅合金のような電気良導体の薄板を用い、前記薄板を、プレス成形などにより必要な形に打ち抜き、折曲げ成形して、図8に示すような、リードフレーム250に繋がった状態のベース部22と、入出力端子部とし、これを液晶ポリマーなどの耐熱性樹脂とともに射出成形し、再度打ち抜き加工を行い、薄板の不必要な部分を取り去って形成される。
樹脂ケース7は、前記耐熱性樹脂で形成された外壁及び内部の仕切り壁を有し、この外壁と仕切り壁によって、中心導体部20と容量素子8,9,10を受け入れるための空洞(凹部)を形成している。また、樹脂ケース7の対向する外壁の2側面には、実装基板との接続を行う外部端子が形成されている。前記外部端子の内、外部端子15b、15c、15e、15fは、実装基板のグランドと接続されるグランド端子であり、前記ベース部22と繋がっている。また、外部端子15a,15bは高周波信号を扱う入出力端子であり、樹脂ケース7内に形成された端子電極16a,16dと繋がっている。
中央に形成された凹部13aには中心導体部20が配置され、その3方を囲むように形成された凹部13b、13c、13dには、容量素子8,9,10、チップ抵抗11の構成部品が配置され、前記凹部の底部から露出しているベース部22とはんだ接続される。また、中心導体4,5,6の端部は帯状に形成されおり、前記端子電極16a,16d、容量素子8,9,10の一方の電極、チップ抵抗11の一方の電極とはんだ接続される。
図7は、一般的な非可逆回路素子の等価回路である。この等価回路は、入力ポートP1、出力ポートP2,終端ポートP3を有し、所望の周波数(中心周波数)で動作するアイソレータを示している。図9に示した非可逆回路素子と対比すると、インダクタンスL1,L2,L3は、中心導体4,5,6が巻回されたフェライト3部分で形成され、コンデンサC1,C2,C3、抵抗Rは、容量素子8,9,10、終端抵抗11と対応し、入力ポートP1、出力ポートP2は入出力端子15a,15bと対応する。
ここで、入出力端子15a,15bのうち、どちらを入力ポートP1、あるいは出力ポートP2として用いるかは、ユーザーが求める仕様により決定される。同じ端子配置で高周波信号の入出力の関係を逆にする場合には、フェライトに印加する直流磁界の極性を反転させ、入出力の非可逆特性を反転させるのが一般的であるが、より簡便な方法として、特許文献2には、入出力端子を点対称に配置して、入力と出力の関係を容易に逆転できるようにした非可逆回路素子が提案されている。
たとえば、図9に示した非可逆回路素子において、一側面に並んで形成された3つの外部端子の内、中央の外部端子15b、15eを入出力端子とし、外部端子15a、15c、15d、15fをグランド端子とすれば、入出力端子15b、15eの配置は点対称となり、実装方向を反転するだけで、入力と出力の関係を逆転することが出来る。
特開平11―205011号 特開2001―292006号
携帯電話の小型化、多機能化に伴い、非可逆回路素子も小型化が強く求められている。前記特許文献1の実施例には、外形寸法が5mm×5mm×2mmといった非可逆回路素子が開示されているが、現在では外形寸法が4mm×4mm×1.7mmといった小型の非可逆回路素子が広く用いられるようになり、さらに3.2mm×3.2mm×1.6mmといった外形寸法の非可逆回路素子も提案されている。
このような非可逆回路素子の小型化に伴い、樹脂ケース、中心導体部他の構成部品も小型化されるが、構造自体大きな変化は無く、各構成部品間の接続は、従来同様、小型化された各構成部品を樹脂ケースに配置し、はんだ接続していた。
しかしながら、従来のような構造の樹脂ケースを単に小型化したのでは、中心導体の端部が接続される端子電極も小面積化し、中心導体とのはんだ接続面積が減少して、振動や衝撃に対する接続信頼性が乏しくなるといった問題があった。
また、入出力端子の配置を点対称とした樹脂ケースを用いる場合には、前記はんだ接続の問題に加えて以下の問題があった。
図11は、入出力端子の配置を点対称とした樹脂ケースの一例を示す平面図である。この樹脂ケースでは、その側面に並んで形成された、それぞれ3つの外部端子の内、中央の外部端子を入出力端子15a,15dとしている。このような樹脂ケースにおいては、端子電極16a,16dの形成位置や寸法は、中心導体部、容量素子等を配置する凹部により限定され、端子電極21aは凹部13a,13b,13dに囲まれた領域に、端子電極21bは凹部13a,13c,13dに囲まれた領域に形成せざるを得なかった。また中心導体は、前記端子電極との接続のため、その端部を端子電極21a,21bまで及ぶような帯状に形成していた。
図10は、中心導体部20の組立て途中の状態を示す平面図である。中心導体部20の組立てする場合には、導電板のシールド板にフェライト3を配置して、中心導体をフェライト3に折りたたむ様に巻き回すが、中心導体4を巻き回すと、その帯状端部100が他の中心導体5と近接する、あるいは重なってしまう。このため、前記帯状端部100が中心導体5をフェライト3に巻き回す際の妨げになり、前記端部100と中心導体5が接触して中心導体が変形したり、中心導体の交差角度が所望の角度からずれたりして、電気的特性にばらつきを生じさせる場合があった。
そこで本発明の目的は、中心導体の端部を特別な形状としなくても、樹脂ケースに形成された端子電極との接続が可能であり、小型の非可逆回路素子であっても、端子電極と中心導体、容量素子の接続が容易かつ強固に出来る、信頼性の高い新規な接続構造を備えた非可逆回路素子を提供することである。
本発明は、 フェライト及び中心導体からなる中心導体部と、容量素子と、前記中心導体部、前記容量素子を収容する樹脂ケースを有し、
前記樹脂ケースには、前記中心導体及び前記容量素子と接続される端子電極と、前記容量素子をグランドと導通するグランド電極と、前記端子電極と導通する入出力端子と、前記グランド電極と導通するグランド端子と、前記容量素子を配置する樹脂で囲まれた凹部を備え、前記端子電極は、前記入出力端子と一体の導体薄板からなる部材をインサート成形して、前記凹部の内側に向かって現れるとともに屈曲されて形成されており、
前記凹部に容量素子を収容した後、前記端子電極を折り曲げて前記中心導体及び前記容量素子と接続する非可逆回路素子である。
本発明においては、前記容量素子を、板状誘電体基板片の2つの主面に電極を形成した板状コンデンサとし、前記端子電極を前記板状コンデンサの電極の一方と接続するのが好ましい。
本発明によれば、小型の非可逆回路素子であっても、中心導体と端子の接続が確実かつ強固に出来る、信頼性の高い、中心導体と端子の新規な接続構造を有する非可逆回路素子を提供することが出来る。
本発明に係る非可逆回路素子と、図9に示した従来の非可逆回路素子との相違点は、樹脂ケース7における端子電極の構造にある。従って、永久磁石、上下ケース等の構成部品は、従来の非可逆回路素子と実質的に同じ構造として構成することが出来る。
本発明に係る非可逆回路素子に用いる樹脂ケース7について、図面を参照して詳述する。
図1は、(a)本発明に係る非可逆回路素子に用いる樹脂ケース7の一実施例を示す平面図であり、(b)正面図であり、(c)側面図であり、図2は、図1におけるA−A‘断面図であり、図3は図1におけるD−D’断面図であり、図4は樹脂ケースを構成するベース部、端子電極部の斜視図である。
樹脂ケース7は、0.1mm程度の銅板などの導体薄板からなる帯状のシート状材を、プレス加工機で所定の形状に打ち抜き、折り曲げ加工したフープ状のベース部22を金型内に配置し、液晶ポリマーやポリフェニレンサルファイド等の高耐熱の熱可塑性エンジニアリングプラスチックを用いて射出成形して形成する。さらに射出成形後、フレーム(図示せず)とベース部22を連係するリード部(図示せず)を金型で切断、折り曲げ加工して、前記リード部を外部端子15a〜15fとした。外部端子15b,15c,15e,15fはグランド端子であって、前記ベース部22と一体に形成されている。外部端子15a,15dは入出力端子であって、前記ベース部22とは電気的に切り離して形成されている。
図5は入出力端子部の拡大図である。入出力端子部60a,60bは、前記フレームから切断された金属片からなり、金属片の一端が入出力端子となる外部端子15a,15b、他端が中心導体と接続する端子電極21a,21bとして形成されている。そして端子電極21a,21bを除く部分が樹脂材料により前記ベース部とともに支持されている。
前記端子電極21a,21bは、前記ベース部22に対して垂直な方向に伸張するように根元部でL字状に屈曲形成されている。また、後でベース部22と平行となるように伸ばすのが容易なように、前記根元部を端子電極部よりもその幅を狭く形成し、切り欠いている。
樹脂ケース7のほぼ中央部には、中心導体部を配置する円形状の凹部13aを有し、その周囲に容量素子を配置する凹部13b、13c、13dを有する。本実施例においては、比較的高いQが得られる、板状誘電体基板片の2つの主面に電極を形成した板状コンデンサを容量素子として用いた。
前記凹部13b、13c、13dの底部は、平板コンデンサの外形寸法よりも若干大きく、かつ相似形に矩形状に開口している。この平板コンデンサ用の凹部13b、13c、13dの底部には、グランド端子と接続するベース部(図中ハッチングで示す)が露出している。また、中心導体部を配置する円形状の凹部13aの底部は、前記ベース部が打ち抜かれた透孔50となっている。このように構成する理由は、非可逆回路素子としての高さを積極的に低背化させたい場合に、前記凹部13aに中心導体部を配置した時の高さを、導体薄板分だけ減少させることが出来、もって全体の高さを減じることが出来るという理由による。従って、低背化を積極的に行う必要がない場合には、前記凹部13aの底部も、他の凹部13b、13c、13dの底部と同様に、グランド端子と接続するベース部が露出するように構成しても良い。
図2、図3の断面図に示すように、平板コンデンサ用の矩形状凹部13b、13cの短辺側の内側面から、前記端子電極部21a,21bが前記ベース部と所定の間隔をもって、前記凹部に引き出されている。また凹部13b、13cの端子電極部21a,21bが形成された側面は、段差状、あるいは傾斜状になっており、L字状に屈曲された端子電極部21a,21bが平板コンデンサの配置領域と平面視で重ならないようにし、平板コンデンサを収容する際の干渉を防いでいる。
このような樹脂ケース7を用いて、3.2mm角アイソレータを作製した。その平面図を図6に示す。なおここでは、永久磁石、上ケース、下ケース等の構成部品を省略して示している。
凹部13b〜13eに平板コンデンサ8,9,10、チップ抵抗11を配置した後、端子電極21a,21bを、板状コンデンサの電極面に向かって曲げている。そして、凹部13aに中心導体部20を配置して、中心導体4,5,6の端部と平板コンデンサ8,9,10、チップ抵抗11とをはんだ接続した。
図11で示した従来構造の場合には、小さな端子電極に中心導体の細い帯状端部を接続していたが、本実施例においては、比較的広い板状コンデンサの電極面で、端子電極21a,21bのはんだ接続を行っているため、はんだ接続が容易であり、接続を確実かつ強固にすることが出来た。
また、入出力端子と接続するために中心導体の端部に帯状電極部を形成する必要がなく、端子電極21a,21bと接続する中心導体4,5の端部は、中心電極6の端部のような帯状部を有していない。このため、フェライト3に中心導体を巻き回す際に、中心導体間の干渉がないので、中心導体の交差角度にずれが生じる事がない。
そして、得られた非可逆回路素子について、挿入損失特性の周波数特性を測定したところ、挿入損失のピーク値は従来のものと同等以上のものが得られた。
本発明の非可逆回路素子は、小型の非可逆回路素子であっても、中心導体と端子の接続が確実かつ強固に出来る、信頼性の高い、中心導体と端子の新規な接続構造を有する非可逆回路素子を得ることが出来る。
(a)本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる樹脂ケースの平面図であり、(b)その正面図であり、(c)その側面図である。 図1に示した樹脂ケースのA−A‘断面図である。 図1に示した樹脂ケースのD−D‘断面図である。 図1に示した樹脂ケースを構成するベース部、端子電極部の斜視図である。 図1に示した樹脂ケースの入出力端子部の拡大図である。 本発明の一実施例に係る非可逆回路素子の平面図である。 一般的な非可逆回路素子の等価回路図である。 従来の非可逆回路素子に用いられる樹脂ケースを構成するベース部、端子電極部の斜視図である。 従来の非可逆回路素子の分解斜視図である。 中心導体部の組み立てを説明するための平面図である。 従来の非可逆回路素子に用いられる樹脂ケースの平面図である。
符号の説明
1 上ケース
2 永久磁石
3 フェライト
4、5、6 中心導体
7 樹脂ケース
8、9、10 容量素子(平板コンデンサ)
11 抵抗
12 下ケース
13a、13b、13c、13d、13e 凹部
15a、15b、15c、15d、15e、15f 外部端子
16a、16d、21a、21b 端子電極
20 中心導体部

Claims (2)

  1. フェライト及び中心導体からなる中心導体部と、容量素子と、前記中心導体部、前記容量素子を収容する樹脂ケースを有し、
    前記樹脂ケースには、前記中心導体及び前記容量素子と接続される端子電極と、前記容量素子をグランドと導通するグランド電極と、前記端子電極と導通する入出力端子と、前記グランド電極と導通するグランド端子と、前記容量素子を配置する樹脂で囲まれた凹部を備え、前記端子電極は、前記入出力端子と一体の導体薄板からなる部材をインサート成形して、前記凹部の内側に向かって現れるとともに屈曲されて形成されており、
    前記凹部に容量素子を収容した後、前記端子電極を折り曲げて前記中心導体及び前記容量素子と接続することを特徴とする非可逆回路素子。
  2. 前記容量素子を、板状誘電体基板片の2つの主面に電極を形成した板状コンデンサとし、前記端子電極を前記板状コンデンサの電極の一方と接続したことを特長とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
JP2004079838A 2004-03-19 2004-03-19 非可逆回路素子 Expired - Lifetime JP3883071B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004079838A JP3883071B2 (ja) 2004-03-19 2004-03-19 非可逆回路素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004079838A JP3883071B2 (ja) 2004-03-19 2004-03-19 非可逆回路素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005269317A JP2005269317A (ja) 2005-09-29
JP3883071B2 true JP3883071B2 (ja) 2007-02-21

Family

ID=35093370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004079838A Expired - Lifetime JP3883071B2 (ja) 2004-03-19 2004-03-19 非可逆回路素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3883071B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005269317A (ja) 2005-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3883071B2 (ja) 非可逆回路素子
KR100379060B1 (ko) 비가역 회로 소자 및 이를 사용한 통신 장치
KR100340718B1 (ko) 비가역 회로 소자 및 그것을 사용한 통신 장치
JP3419369B2 (ja) 非可逆回路素子
US6724276B2 (en) Non-reciprocal circuit device and communication apparatus
JP3649161B2 (ja) 中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置
JP2002261512A (ja) 非可逆回路素子、通信装置及び非可逆回路素子の製造方法
KR100340452B1 (ko) 비가역 회로 소자 및 통신 장치
JP4423602B2 (ja) 非可逆回路素子
JP4189920B2 (ja) 非可逆回路素子及びその製造方法
JP4284869B2 (ja) 非可逆回路素子及び通信装置
JP2003115702A (ja) 非可逆回路素子及び通信装置
JPH1098309A (ja) 非可逆回路素子
JP2002135009A (ja) 非可逆回路素子及び通信装置
US7138883B2 (en) Non-reciprocal circuit element
JP4066333B2 (ja) 非可逆回路素子
JPH11205011A (ja) 集中定数型非可逆回路素子
JP4193350B2 (ja) 非可逆回路素子及び通信装置
JP2006222520A (ja) 非可逆回路素子
JPH11298205A (ja) 非可逆回路素子
JPH11168304A (ja) 集中定数型非可逆回路素子
JP2001267811A (ja) 非可逆回路素子および通信装置
JPH01117502A (ja) 非可逆回路素子
JP2002353706A (ja) 中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置
JP2003179410A (ja) 非可逆回路素子

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060721

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061027

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061109

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3883071

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131124

Year of fee payment: 7

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term