JP4193350B2

JP4193350B2 - 非可逆回路素子及び通信装置

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Publication number: JP4193350B2
Application number: JP2000318924A
Authority: JP
Inventors: 長谷川　　隆
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-10-19
Filing date: 2000-10-19
Publication date: 2008-12-10
Anticipated expiration: 2020-10-19
Also published as: JP2002135006A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非可逆回路素子及び通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、携帯電話等の移動用の通信装置に採用される集中定数型アイソレータは、信号を伝送方向にのみ通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有している。また、最近の移動用の通信装置では、その用途からして信頼性及び低コストに対する要請が強くなっており、これに伴って集中定数型アイソレータにおいても信頼性及び低コストが要請されている。
【０００３】
このような集中定数型アイソレータは、永久磁石と、この永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、フェライトに配置された複数の中心電極と、整合用コンデンサ素子と、永久磁石と中心電極との間に配置される樹脂部材と、フェライトと中心電極と整合用コンデンサ素子を収容する樹脂ケースと、永久磁石とフェライトと中心電極を収容する磁性体金属からなる上側ケースと磁性体金属からなる下側ケース等を備えている。
【０００４】
このアイソレータの抵抗素子及び整合用コンデンサ素子付近の垂直断面図を図１５に示す。アイソレータ２００は、樹脂ケース３と一体成形されている下側ケース４内に、回路基板２８が配置され、その回路基板２８上に整合用コンデンサ素子Ｃと抵抗素子Ｒがはんだ付けされている。これら整合用コンデンサ素子Ｃや抵抗素子Ｒを覆うようにして樹脂部材２３０が配置されている。樹脂部材２３０の下面には抵抗素子Ｒと整合用コンデンサ素子Ｃを収容するための凹部２３０ｂ，２３０ｃが形成されている。なお、８は上側ケース、９は永久磁石を示す。
【０００５】
このとき、樹脂部材２３０は、その厚み方向において、抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃとの間に隙間がない。抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃをはんだ付けする際に、いわゆるチップ立ち現像が発生するのを防止するためである。また、樹脂部材２３０は、抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃなどの内部部品素子の位置決めの機能も有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このアイソレータ２００は、樹脂部材２３０と抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃとの間に隙間がない構造を有しているので、アイソレータ２００を組み立てるときに、永久磁石９を搭載したり、上側ケース８を被せたりするときにかかる圧力がそのまま、樹脂部材２３０を通して抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃの内部部品素子に伝わり、これらの内部部品素子を破損させることがあった。特に、セラミックを材料とする抵抗素子や整合用コンデンサ素子等が破損し易いという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、組み立てや取り扱いの容易な構造を有するとともに、信頼性の高い非可逆回路素子及び通信装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】
前記目的を達成するために、本発明に係る非可逆回路素子は、
（ａ）永久磁石と、
（ｂ）前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
（ｃ）前記フェライトに配置された複数の中心電極と、
（ｄ）内部部品素子と、
（ｅ）前記永久磁石と前記内部部品素子の間に配置される樹脂部材と、
（ｆ）前記永久磁石と前記フェライトと前記中心電極と前記樹脂部材と前記内部部品素子を収容する金属ケースとを備え、
（ｇ）前記樹脂部材の第１の主面側に前記内部部品素子が配置され、該第１の主面に前記内部部品素子の少なくとも一部を囲う大きさの凹部を設け、前記第１の主面と対向する第２の主面に凹部を設けたこと、
を特徴とする。
【０００９】
ここに、内部部品素子は、抵抗素子や整合用コンデンサ素子等である。また、内部部品素子の厚み方向において、樹脂部材と内部部品素子との間の距離が、２００μｍ以下であることが好ましい。さらに、内部部品素子がはんだを用いて実装されていることが好ましい。
【００１０】
以上の構成により、永久磁石を搭載したり、金属ケースを被せたりするときにかかる圧力は、樹脂部材が第２の主面に設けた凹部やその近傍でたわむことにより、樹脂部材に吸収される。
【００１１】
さらに、樹脂部材の第１の主面に凹部を設ける。該凹部は、内部部品素子の少なくとも一部を囲う大きさに設定される。これにより、該凹部に内部部品素子が収容されて、内部部品素子の位置決めが行われ、平面視で、内部部品素子の位置が樹脂部材の第２の主面に設けた凹部の位置に確実に重なる。
【００１２】
また、樹脂部材が液晶ポリマー及びＰＰＳのいずれか一つの材料からなることが好ましい。液晶ポリマー及びＰＰＳは、耐熱性と低損失に優れているので、信頼性の高い非可逆回路素子が得られる。
【００１３】
また、本発明に係る通信装置は、前述の特徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、優れた周波数特性が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る非可逆回路素子及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。なお、各実施形態において、同一部品及び同一部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。
【００１５】
［第１実施形態、図１〜図９］
本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態の構成を示す分解斜視図を図１に示す。図２は、図１に示した非可逆回路素子１の組立完成後の外観斜視図を示す。該非可逆回路素子１は、集中定数型アイソレータである。
【００１６】
図１に示すように、集中定数型アイソレータ１は、概略、磁性体金属からなる上側ケース８及び磁性体金属からなる下側ケース４と、樹脂ケース３と、中心電極組立体１３と、永久磁石９と、抵抗素子Ｒと、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３と樹脂部材３０等を備えている。
【００１７】
下側ケース４は、左右の側壁４ａと底壁４ｂとを有している。この下側ケース４は、インサートモールド法によって、樹脂ケース３と一体成形されている。下側ケース４の底壁４ｂの対向する一対の辺からは、それぞれ２本のアース端子１６が延在している。また、上側ケース８は、平面視矩形状であり、上壁８ａと左右の側壁８ｂを有している。下側ケース４及び上側ケース８は、例えばＦｅやケイ素鋼などの高透磁率からなる板材を打ち抜き、曲げ加工した後、表面にＣｕやＡｇをめっきしてなるものである。
【００１８】
中心電極組立体１３は、矩形状のマイクロ波フェライト２０の上面に三つの中心電極２１〜２３を絶縁シート（図示せず）を介在させて略１２０度ごとに交差するように配置している。これら中心電極２１〜２３は、各々の一端側のポート部Ｐ１〜Ｐ３を水平に導出するとともに、他端側の中心電極２１〜２３の共通のアース電極２５をフェライト２０の下面に当接させている。共通のアース電極２５は、フェライト２０の下面を略覆っており、樹脂ケース３の窓部３ｃを通して、下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付け等の方法により接続され、接地される。中心電極２１〜２３とアース電極２５は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｂｅ等の導電性材料からなり、金属薄板を打ち抜き加工や、エッチング加工することによって一体に形成される。
【００１９】
樹脂ケース３は、電気的絶縁樹脂からなり、底部３ａと二つの側部３ｂを有している。この底部３ａの中央部には矩形状の窓部３ｃが形成されており、窓部３ｃの周縁にはそれぞれ整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒがそれぞれ収納される窓部３ｄが形成されている。窓部３ｃ，３ｄには下側ケース４の底壁４ｂが露出している。樹脂ケース３には、入力端子１４及び出力端子１５がインサートモールドされている。入力端子１４及び出力端子１５は、それぞれ一端が樹脂ケース３の外側面に露出し、他端が樹脂ケース３の内側面に露出している。アース端子１６はそれぞれ、樹脂ケース３の対向する外側面から外方向へ導出している。樹脂ケース３の材料は、例えば、液晶ポリマー、ＰＰＳ、プラスチック等が用いられる。
【００２０】
整合用コンデンサ素子Ｃ１，Ｃ２は、ホット側コンデンサ電極がポート部Ｐ１，Ｐ２に電気的に接続され、コールド側コンデンサ電極が樹脂ケース３の窓部３ｄに露出している下側ケース４の底壁４ｂにそれぞれはんだ付けされている。整合用コンデンサ素子Ｃ３と抵抗素子Ｒは、回路基板２８の上面に配置されている。抵抗素子Ｒは、絶縁性基板の両端部に厚膜印刷等で端子電極を形成し、その間にサーメット系やカーボン系やルテニウム系等の厚膜あるいは金属薄膜の抵抗体を配設している。絶縁性基板の材料は、例えば、アルミナ等の誘電体セラミックが用いられる。また、抵抗体の表面にはガラス等の被膜が形成されていてもよい。
【００２１】
回路基板２８は、絶縁体からなる基板に電極２６ａ，２６ｂが形成されている。抵抗素子Ｒの一方の端子電極は電極２６ａに、他方の端子電極は電極２６ｂに、はんだを用いてそれぞれ電気的に接続されている。同様に、整合用コンデンサ素子Ｃ３のホット側コンデンサ電極は電極２６ａに、整合用コンデンサ素子Ｃ３のコールド側コンデンサ電極は電極２６ｂに、はんだを用いてそれぞれ電気的に接続されている。
【００２２】
さらに、中心電極組立体１３のポート部Ｐ３が電極２６ａに、はんだ付けされている。電極２６ｂは、回路基板２８の表面から側面を介して裏面まで延在し、下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付けされている（図３参照）。つまり、整合用コンデンサ素子Ｃ３と抵抗素子Ｒとは、中心電極組立体１３のポート部Ｐ３とアースとの間に電気的に並列に接続される。
【００２３】
なお、はんだは、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ａｇ系のはんだが用いられる。この中でも、環境汚染防止や非可逆回路素子１のリフロー作業性から、非鉛系かつ高温融点を有するＳｎ−Ｓｂ系のはんだを用いることが好ましい。
【００２４】
樹脂部材３０は、中心電極組立体１３の上面に配置されている。この樹脂部材３０の中央付近には、アイソレータ１の低背化のために、中心電極組立体１３を収容する孔３０ａが設けられている。図３に示すように、樹脂部材３０の外周縁部の下面には、四つの側面を有する升状の内部部品素子を収容するための素子収容用凹部３３，３４が形成されている。素子収容用凹部３３は抵抗素子Ｒを収容し、素子収容用凹部３４は整合用コンデンサ素子Ｃ３を収容する。なお、本第１実施形態の場合、素子収容用凹部３３，３４は、それぞれ抵抗素子Ｒと整合用コンデンサ素子Ｃ３の全部を略囲う大きさに設定されているが、必ずしも全部を収容する必要はなく、抵抗素子Ｒ等の一部分を囲う大きさに設定されていればよい。
【００２５】
一方、樹脂部材３０の外周縁部の上面には、圧力を吸収するための四つの側面を有する升状の圧力吸収用凹部３２と、圧力を吸収するための二つの側面を有する圧力吸収用凹部３１が形成されている。圧力吸収用凹部３２は抵抗素子Ｒの上方に位置し、圧力吸収用凹部３１は整合用コンデンサ素子Ｃ３の上方に位置している。素子収容用凹部３３，３４で抵抗素子Ｒと整合用コンデンサ素子Ｃ３の位置決めが行われ、平面視で、抵抗素子Ｒと整合用コンデンサ素子Ｃ３の位置が圧力吸収用凹部３１，３２の位置に確実に重なる。樹脂部材３０の材料としては、液晶ポリマー又はＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド樹脂）であることが好ましい。液晶ポリマーやＰＰＳは、耐熱性と低損失に優れているからである。
【００２６】
そして、以上の構成部品は、下側ケース４と一体成形している樹脂ケース３内に、中心電極組立体１３や整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒ等を収容し、上側ケース８を装着している。上側ケース８の上壁８ａの下側に永久磁石９が配置され、さらに、この永久磁石９の下側に樹脂部材３０が配置されている。永久磁石９は中心電極組立体１３に直流磁界を印加する。下側ケース４と上側ケース８は接合して金属ケースをなし、磁気回路を構成しており、ヨークとしても機能している。
【００２７】
こうして、図２及び図３に示す集中定数型アイソレータ１が得られる。この集中定数型アイソレータ１は、縦４．０×横４．０×厚さ２．０ｍｍの大きさである。また、図４は、集中定数型アイソレータ１の電気等価回路図である。このアイソレータ１は、組み立て工程で、永久磁石９を搭載したり、上側ケース８を被せたりするときに圧力がかかっても、樹脂部材３０が圧力吸収用凹部３１，３２やその近傍でたわむことにより、樹脂部材３０が圧力を吸収する。このため、抵抗素子Ｒと整合用コンデンサ素子Ｃ３の破損を防止することができる。さらに、素子収容用凹部３３，３４を樹脂部材３０に形成することにより、抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃ３を圧力吸収用凹部３２，３１の下方に確実に位置決めすることができるので、抵抗素子Ｒと整合用コンデンサ素子Ｃ３の破損を確実に防止できる。この結果、組み立てや取り扱いの容易な構造を有するとともに、信頼性の高いアイソレータ１が得られる。
【００２８】
なお、アイソレータ１は上述の他に種々に変更することができる。例えば、図５及び図６に示すように、圧力吸収用凹部は、２段の凹部を有する圧力吸収用凹部３６や、横断面が円弧状の圧力吸収用凹部３５であってもよい。このように、圧力吸収用凹部の底面が平面に限定されないことは言うまでもない。
【００２９】
また、図７及び図８に示すように、圧力吸収用凹部は、抵抗素子Ｒの面積より小さい圧力吸収用凹部３７であってもよい。通常、圧力吸収用凹部は、保護する内部部品素子よりも面積が大きい方が望ましいが、素子によっては、組み立て工程でかかる圧力に十分耐えられる厚みを部分的に有している場合がある。従って、その部分の圧力吸収用凹部の形成を省略することができる。つまり、圧力吸収用凹部を必ずしも内部部品素子の面積より大きく設定する必要はない。また、保護する内部部品素子の上方に、複数の圧力吸収用凹部を配置してもよい。図７及び図８には、整合用コンデンサ素子Ｃ３の上方に、二つの圧力吸収用凹部３８，３９を配置した場合が示されている。
【００３０】
さらに、素子収容用凹部の底面も平面に限定されない。例えば、図７及び図８に示すように、２段の凹部を有する素子収容用凹部３４ａであってもよい。この素子収容用凹部３４ａは、二つの圧力吸収用凹部３８，３９と協働して整合用コンデンサ素子Ｃ３に加わる圧力を吸収する。さらに、図９に示すように、樹脂部材３０の上面に四つの側面を有する升状の圧力吸収用凹部４０，４１を形成し、下面に二つの側面を有する素子収容用凹部４２と四つの側面を有する素子収容用凹部４３を形成してもよい。素子収容用凹部４３内には、整合用コンデンサ素子Ｃ３に当接する凸部４３ａが形成されている。
【００３１】
［第２実施形態、図１０及び図１１］
本発明に係る非可逆回路素子の別の実施形態を示す分解斜視図を図１０に示す。
【００３２】
図１０に示すように、集中定数型アイソレータ１ａは、概略、磁性体金属からなる上側ケース８及び磁性体金属からなる下側ケース４と、樹脂ケース３と、中心電極組立体１３と、永久磁石９と、抵抗素子Ｒと、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３と樹脂部材３０等を備えている。
【００３３】
整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３は、ホット側コンデンサ電極がポート部Ｐ１〜Ｐ３に電気的に接続され、コールド側コンデンサ電極が樹脂ケース３の窓部３ｄに露出している下側ケース４の底壁４ｂにそれぞれはんだ付けされている。
【００３４】
抵抗素子Ｒの一方の端子電極は、整合用コンデンサ素子Ｃ３のホット側コンデンサ電極に、中継電極２７とポート部Ｐ３を介して接続され、他方の端子電極は下側ケース４の底壁４ｂに接続されている。つまり、整合用コンデンサ素子Ｃ３と抵抗素子Ｒとは、中心電極組立体１３のポート部Ｐ３とアースとの間に電気的に並列に接続されている。なお、中継電極２７は、樹脂ケース３の底部３ａにインサートモールドされている。
【００３５】
樹脂部材３０の外周縁部の上面には、二つの側面を有する圧力吸収用凹部４４と四つの側面を有する升状の圧力吸収用凹部４５が形成されている。図１１に示すように、樹脂部材３０の下面は、平面になっている。圧力吸収用凹部４４は、抵抗素子Ｒの上方に位置し、圧力吸収用凹部４５は、整合用コンデンサ素子Ｃ３とポート部Ｐ３の接合部分の上方に位置している。
【００３６】
以上の構成からなる集中定数型アイソレータ１ａは、前記第１実施形態の集中定数型アイソレータ１と同様の作用効果を奏する。さらに、樹脂部材３０の片面のみに圧力吸収用凹部４４，４５を形成しているので、樹脂部材３０の成形金型の構造が簡単になり金型のコストを抑えることができ、樹脂部材３０の成形が容易になる。
【００３７】
［第３実施形態、図１２及び図１３］
本発明に係る非可逆回路素子のさらに別の実施形態を示す垂直断面図を図１２に示す。本第３実施形態の集中定数型アイソレータ１ｂは、前記第１実施形態（図１〜図３参照）の集中定数型アイソレータ１と略同様の構造を有している。つまり、図１２に示すアイソレータ１ｂは、図３に示す樹脂部材３０の下面の素子収容用凹部３３，３４の深さを寸法ｇだけ深くするとともに、素子収容用凹部３３と素子収容用凹部３４の間の部分３０ｂの高さを寸法ｇだけ低くしたものと同様のものである。
【００３８】
図１２に示すように、アイソレータ１ｂは、内部部品素子の抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３等が回路基板２８等にはんだで接合されている。通常、アイソレータの大きさが縦７ｍｍ×横７ｍｍ以下の場合には、はんだペーストの厚みは２００μｍ程度である。はんだペーストの材料としては、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ａｇ系のはんだが用いられる。この中でも、環境汚染防止や非可逆回路素子１のリフロー作業性から、非鉛系かつ高温融点を有するＳｎ−Ｓｂ系のはんだを用いることが好ましい。
【００３９】
ところで、一般に、アイソレータ内の内部部品素子の電気的接続にはんだを使用した場合、アイソレータを構成する全ての部品を搭載した後に、はんだリフロー処理を行ってはんだペーストを溶融し、はんだ付けする。このため、永久磁石や上側ケースを搭載するときに、はんだペースト塗布部分（この部分は、はんだペーストの塗布厚み分だけ他の部分より厚い）に圧力が集中し易いという問題がある。
【００４０】
そこで、アイソレータ１ｂは、あらかじめ、はんだペースト６０の厚み寸法ｇ分だけ樹脂部材３０の下面に設けている素子収容用凹部３３ｂ，３４ｂの深さを深くするとともに、素子収容用凹部３３ｂと素子収容用凹部３４ｂの間の部分３０ｄの高さをはんだペースト６０の厚み寸法ｇ分だけ低く設定している。寸法ｇは、２００μｍ以下が好ましく、本第３実施形態では、寸法ｇを２００μｍに設定した。
【００４１】
これにより、抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃ３やポート部Ｐ３に圧力が集中するのを阻止することができるので、抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃ３やポート部Ｐ３の破損を防ぐことができる。
【００４２】
また、寸法ｇを２００μｍ以下にすることにより、はんだ溶融前は、回路基板２８の上面に配置された抵抗素子Ｒと整合用コンデンサ素子Ｃ３とポート部Ｐ３が、樹脂部材３０の素子収容用凹部３３ｂ，３４ｂ及び部分３０ｄによってそれぞれ押さえられているので、はんだペースト６０をリフローさせても、抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃ３は、チップ立ちをすることがなく、チップ立ちによるオープン不良を防止することができる。従って、組み立てや取り扱いの容易な構造を有するとともに、信頼性の高いアイソレータ１ｂを得ることができる。
【００４３】
以上の構成からなるアイソレータ１ｂについて、図１３を用いて、抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃ３やポート部Ｐ３のはんだ接合時の金属ケース内部の状態を説明する。
【００４４】
回路基板２８の所定の位置には、はんだペースト６０が塗布されており、抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃ３がその上に載置されている。さらに、その上に、樹脂部材３０、永久磁石９、上側ケース８等が被せられている。アイソレータ１ｂをリフロー処理すると、はんだペースト６０は一時的に溶融し、抵抗素子Ｒと整合用コンデンサ素子Ｃ３とポート部Ｐ３がはんだ接合する。
【００４５】
通常使用するはんだペーストは、はんだ金属とフラックスとが半分ずつ含有されている。フラックスは、はんだ溶融時に気化してしまうため、はんだ溶融後には、はんだの体積は少なくとも半分になる。この結果、はんだの厚みは半分以下になり、抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃ３やポート部Ｐ３の上面の位置はその分だけ低くなる。実際には、抵抗素子Ｒ等がその自重により、溶融したはんだに沈み込むため、さらに、抵抗素子Ｒ等の上面の位置は低くなる。従って、図１２に示すように、抵抗素子Ｒや整合用コンデンサ素子Ｃ３やポート部Ｐ３の上面と樹脂部材３０との間に隙間ｇが形成される。
【００４６】
［第４実施形態、図１４］
第４実施形態は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。
【００４７】
図１４は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気回路ブロック図である。図１４において、１２２はアンテナ素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間用帯域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣＯ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００４８】
ここに、送信側アイソレータ１３１として、第１〜第３実施形態の集中定数型アイソレータ１，１ａ，１ｂを使用することができる。このアイソレータ１，１ａ，１ｂを実装することにより、優れた電気特性を有する携帯電話を実現することができる。
【００４９】
［他の実施形態］
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の構成に変更することができる。例えば、樹脂部材の第１の主面及び第２の主面にそれぞれ設けた凹部の底面形状は矩形状の他に、例えば、楕円形状や台形状等でもよい。
【００５０】
また、前記実施形態ではアイソレータに適用したが、本発明は、勿論サーキュレータにも適用できるとともに、他の高周波部品にも適用できる。さらに、中心電極は、金属板を打ち抜き、曲げ加工して形成するものの他に、基板（誘電体基板や磁性体基板や積層基板等）にパターン電極を設けることによっても形成することができる。また、それぞれの中心電極の交差角は、１１０〜１４０度の範囲であればよい。さらに、金属ケースは３以上に分割されていてもよい。
【００５１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、樹脂部材の第１の主面側に内部部品素子が配置され、第１の主面と対向する第２の主面に凹部を設けたので、永久磁石を搭載したり、金属ケースを被せたりするときにかかる圧力を、樹脂部材の該凹部やその近傍でたわませることにより、樹脂部材に吸収させることができる。この結果、内部部品素子の破損の防止効果を得ることができ、組み立てや取り扱いの容易な構造にするとともに、信頼性の高い非可逆回路素子を得ることができる。
【００５２】
さらに、樹脂部材の第１の主面に凹部を設け、該凹部に内部部品素子を収容したので、該凹部で内部部品素子の位置決めをおこなうことができ、平面視で、内部部品素子の位置を樹脂部材の第２の主面に設けた凹部の位置に確実に重ねることができる。この結果、内部部品素子を第２の主面に設けた凹部の下方に確実に位置決めすることができ、内部部品素子の破損をより確実に防止できる。
【００５３】
また、本発明に係る通信装置は、前述の特徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、優れた電気特性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態を示す分解斜視図。
【図２】図１に示す非可逆回路素子の組立斜視図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図。
【図４】図１に示す非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図５】別の樹脂部材の外観斜視図。
【図６】図５を用いた非可逆回路素子の垂直断面図。
【図７】さらに別の樹脂部材の外観斜視図。
【図８】図７を用いた非可逆回路素子の垂直断面図。
【図９】さらに別の樹脂部材を用いた非可逆回路素子の垂直断面図。
【図１０】本発明に係る非可逆回路素子の別の実施形態を示す分解斜視図。
【図１１】図１０に示した非可逆回路素子の垂直断面図。
【図１２】本発明に係る非可逆回路素子のさらに別の実施形態を示す垂直断面図。
【図１３】図１２のはんだペーストの溶融前を説明する垂直断面図。
【図１４】本発明に係る通信装置の一実施形態を示すブロック図。
【図１５】従来の非可逆回路素子の一実施形態を示す垂直断面図。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ…集中定数型アイソレータ（非可逆回路素子）
３…樹脂ケース
４…下側ケース
８…上側ケース
９…永久磁石
１３…中心電極組立体
２０…マイクロ波フェライト
２１〜２３…中心電極
３０…樹脂部材
３３，３４，３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ，４３…（素子収容用）凹部
３１，３２，３５〜４１，４４，４５…（圧力吸収用）凹部
６０…はんだペースト
１２０…携帯電話
Ｃ１〜Ｃ３…整合用コンデンサ素子
Ｒ…抵抗素子

Claims

永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトに配置された複数の中心電極と、
内部部品素子と、
前記永久磁石と前記内部部品素子の間に配置される樹脂部材と、
前記永久磁石と前記フェライトと前記中心電極と前記樹脂部材と前記内部部品素子を収容する金属ケースとを備え、
前記樹脂部材の第１の主面側に前記内部部品素子が配置され、該第１の主面に前記内部部品素子の少なくとも一部を囲う大きさの凹部を設け、前記第１の主面と対向する第２の主面に凹部を設けたこと、
を特徴とする非可逆回路素子。
前記内部部品素子の厚み方向において、前記樹脂部材と前記内部部品素子との間の距離が、２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
前記内部部品素子がはんだを用いて実装されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
前記樹脂部材が、液晶ポリマー及びＰＰＳのいずれか一つからなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の非可逆回路素子を少なくとも備えたことを特徴とする通信装置。