JP4423602B2 - 非可逆回路素子 - Google Patents
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Description
前記凹部13に中心導体組立体20、平板コンデンサ8、9、10、ダミー抵抗11等を収容してアース電極と適宜はんだ付けし、さらに中心導体5,6,7と平板コンデンサ8、9、10とをはんだ付けするとともに、下ケース12の内側面と樹脂ケース7の裏面側に露出した金属導体とをはんだ付けして一体化している。
そして、磁石2を固着した上ケース1の側壁の突起部100を下ケース12の切欠部101に嵌入した後、当該部位を支点として上ケース1を旋回させ、他の側壁に形成された突起部100により下ケース12の壁部を弾性変形させ、さらに切欠部101に嵌合させて、上ケース1を装着したアイソレータを構成していた(第1の従来例)。
即ち、どちらの場合も切欠部101と突起100とで、上ケース1と下ケース12とを位置決めする構造である。
また第2の従来例では、下ケース12の壁部にまで及ぶ樹脂により、下ケース12が変形し難くなり、上ケースを装着する際に、無理な力を作用させて下ケース12に塑性変形を生じさせ、非可逆回路素子の歩留まりを著しく低下させる場合もあった。
そこで本発明は、上ケースと下ケースとの装着において、それぞれに不要な塑性変形を生じさせることが無く、またガーネットフェライトと永久磁石との間隔を精度良く構成することが可能な非可逆回路素子を提供することを目的とする。
図1は、本発明の参考例に係る非可逆回路素子の外観図であり、図2はその分解斜視図であり、図3は下ケースの平面図である。図1〜図3において、斜線部は樹脂で構成された部分を示す。
しかる後、金型で所定部位を折り曲げ加工して、図5に示すように、下ケースの下面部を形成する磁気ヨーク部から立設して対向する2つの壁部25を形成する。図5に示すように、他の支持部54の先端は磁気ヨーク部と分離して形成される。この指示部54は下ケースとしたときに、非可逆回路素子の入出力端子を構成する。
支持部53、54の途中には、その幅を狭くした部位が形成されている。後工程で、この幅狭部でフープ60と切り離されるが、このように幅狭部で切り離しを行うことで、磁気ヨーク部の金属表面が露出する面積を極力小さくし、露出部の酸化を低減している。
さらに、その表面には、銀、銅、金、アルミニウムのうち少なくとも一つを含む金属または合金で電気抵抗率が5.5μΩ・cm以下の導電性の高い金属皮膜が形成されている。このときの皮膜厚さは0.5〜25μmである。磁気ヨークはグランドとしても機能するが、このように構成することで前記金属皮膜が高周波電流のアース端子への経路となり、よって高周波信号の伝送効率を高めるとともに、外部との相互干渉を抑制して損失を低減することができる。
導電性の高い前記金属皮膜のうち銀は、半田付け性がよく、接触抵抗が小さく、金に比べ安価等、優れた特性を持っている。しかしながら、銀表面は非常に活性で表面吸着傾向をもつ空気中の硫黄,塩素.水分等の腐食媒体との反応により変色が容易に生じる。この変色膜は半田付け性を損ない、接触抵抗を増大させる。このため銀表面に有機キレート皮膜などの保護膜を形成させ、銀の表面を保護するのが好ましい。
下ケース12は、磁気ヨーク部で構成される2つの側面部25と、残余の2つの壁部を構成する樹脂部35を備えた矩形箱型に形成され、下ケース12の隅部近傍の樹脂部には、壁部35と一体的に形成された複数の樹脂柱状部26を有するとともに、前記樹脂柱状部26の間には、上ケース1の壁部と対応する窪み60が形成される。
積層基板15は、誘電体セラミックグリーンシートに、キャパシタンス素子を形成する電極パターンを印刷し、電極パターンどうしを適宜対向するように積層してなり、所定のコンデンサ容量を有する複数のキャパシタンス素子が形成されてなるものである。セラミックグリーンシートは積層、圧着され、積層体とした後焼成され積層基板15となる。積層基板内部の電極は、セラミックとの同時焼成によって形成される。この積層基板において、異なる層にまたがる電極は基板内に形成されたビア電極によって導通されている。積層基板15の上面には複数の電極パターン17が形成されており、前記電極パターン間には印刷、焼き付け法により抵抗11が形成されている。
前記上ケース1は、下ケース30と同様に磁性金属材料からなる長尺状のシート材を、プレス加工機で所定の形状に打ち抜き、さらに金型で折り曲げ加工して、上面部および4つの壁部を備えた略箱形状に形成され、隣り合う側面の稜部には高さ方向に連続するスリット部22が形成されている。前記スリット部22と前記下ケース30の樹脂柱状部26とをあわせて、上ケース1を下ケース30に被せている。図7は、上ケース1を下ケース30に被せた状態を示す平面図である。上ケース1のスリット部22と下ケース30の樹脂柱状部26とで上ケース1の平面方向の移動を制限している。本実施例においては、下ケース30の4隅に樹脂柱状部26を形成しているが、上ケース12の位置決めを行う機能を発揮するには、少なくとも下ケースの対角に位置する2隅に形成すれば良い。
また図1あるいは図2に示すように、下ケース30の樹脂部の2つの壁部35には、前記上ケース1の壁部の高さに対応する窪み60が形成されており、前記窪みの上端面と前記上ケースの壁部の下端面とを当接させることで、上ケースの高さ方向の位置決めを行い、上下ケースそれぞれに塑性変形を生じさせることが無く、また中心導体組立体と永久磁石との間隔を精度良く構成している。
2 永久磁石
3 ガーネットフェライト
5,6,7 中心導体
12 下ケース
15 積層基板
20 中心導体組立体
Claims (2)
- フェリ磁性体に複数の中心導体が配された中心導体組立体と、前記中心導体と共振回路を構成する複数のキャパシタンス素子を夫々収容する略箱形状の下ケースと、前記フェリ磁性体に直流磁界を印加する永久磁石と、前記永久磁石を収容する上ケースを備えた非可逆回路素子であって、
前記下ケースは、その下面部と前記下面部から立設して対向する2つの壁部を構成する磁気ヨーク部と、残余の2つの壁部を構成する樹脂部を備え、
前記上ケースは、矩形状に形成され、上面部、および対向する2つの壁部と、壁部が形成されない2方向に前記上面部から延出した凸部を備え、上面の4隅に切欠き部が設けられており、
前記下ケースの隅部近傍の樹脂部には、高さ方向に延長する樹脂柱状部を有し、
前記下ケースの樹脂柱状部と前記上ケースの切欠き部とを合わせて下ケースに上ケースを被せ、上ケースの前記凸部と磁気ヨーク部の前記壁部に形成された凹部とを当接して固定したことを特徴とする非可逆回路素子。 - 前記下ケースの樹脂部の2つの壁部には前記上ケースの壁部の高さに対応する窪みが形成され、前記窪みの上端面と前記上ケースの壁部の下端面を近接させたことを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
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