JP4024709B2 - 非可逆回路素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はアンテナ共用器等に適用されるアイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の非可逆回路素子の構成を図8,図9に基づいて説明すると、従来の非可逆回路素子は、鉄板からなる箱形の第1のヨーク51と、この第1のヨーク51内に配置された板状の磁石52と、この磁石52の下部に配置されたフェライト部材53と、120度の間隔でフェライト部材53に取り付けられ、一部が互いに交叉した状態となった金属板からなる三つの第1,第2,第3の中心導体54、55,56と、箱形の樹脂ケース57と、樹脂ケース57の下部に埋設された鉄板からなるコ字状の第2のヨーク58を有する。
【0003】
また、樹脂ケース57には、第2のヨーク58から切り離された状態で、樹脂ケース57に埋設された鉄板からなる入出力端子59,60と、第2のヨーク58の底板58aと一体的に設けられた端子61が設けられており、更に、端子61の根本部に位置する底板58aの下面には、半田レスト膜66が設けられている。
【0004】
そして、第1,第2,第3の中心導体54,55,56を取り付けたフェライト部材53は、樹脂ケース57内に配置されて、第1,第2,第3の中心導体54,55,56の一端側のアース部54a、55a、56aが第2のヨーク58に接続されている。
【0005】
チップ型のコンデンサ62,63,64とチップ型の抵抗器65は、樹脂ケース57内に配置され、コンデンサ62,63,64の下面電極と抵抗器65の一端側の電極65aは、第2のヨーク58に接続されている。
【0006】
そして、第1、第2の中心導体54、55の他端部のポート部54b、55bは、コンデンサ62、63の上面電極に半田付けされて、入出力端子59,60から導出されると共に、第3の中心導体56の他端部のポート部56bは、コンデンサ64の上部電極と抵抗器65の他端側の電極65bの上面に半田付して接続されている。
【0007】
そして、第1,第2のヨーク51,58で磁石52とフェライト部材53を挟持した状態で、第1,第2のヨーク51,58を結合して、第1,第2のヨーク51,58とで磁気閉回路が形成され、非可逆回路素子であるアイソレータが構成されている。(例えば、特許文献1参照)
【0008】
このような構成を有する非可逆回路素子は、ここでは図示しないが、導電パターンを有する回路基板上に底板58aの下面が載置され、入出力端子59,60とアース用の端子61が所望の導電パターンに半田付けされることによって、回路基板に面実装されるようになっている。
【0009】
また、非可逆回路素子が導電パターンに半田付けされた際、半田レジスト膜66の存在によって、半田が底板58aの下面中央部側に流れるのを防止して、端子61の部分でのみ半田付ができるようにしている。
【0010】
【特許文献1】
特開2001−24406号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
従来の非可逆回路素子は、底板58aの下面中央部側に半田が流出するのを防止するための半田レジスト膜66を必要とし、このため、半田レジスト膜66の形成作業が必要で、生産性が悪く、コスト高になるという問題がある。
また、半田レジスト膜66は、底板58aの下面から盛り上がった状態となり、このため、端子61と導電パターンとの半田付性が悪くなるという問題がある。
【0012】
そこで、本発明は生産性が良く、安価で、且つ、半田付性の良好な非可逆回路素子を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための第1の解決手段として、平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第1,第2,第3の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石を覆うように配置された第1のヨークと、前記フェライト部材の下面側に配置され、前記第1のヨークとで磁気閉回路を構成する第2のヨークと、この第2のヨークの底板から延びる端子とを備え、前記端子は、前記底板の対応する一対の辺から延びて形成されると共に、前記端子の近傍に位置する前記底板の下面には前記端子を形成した一対の対向する辺に沿って2個の凹部が設けられ、前記2個の凹部に挟まれた位置にコンデンサと抵抗が載置された構成とした。
【0014】
また、第2の解決手段として、前記凹部内には半田レジスト膜が形成された構成とした。
また、第3の解決手段として、前記凹部の両端部が前記底板の端縁に至る状態で形成された構成とした。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の非可逆回路素子の図面を説明すると、図1は本発明の非可逆回路素子の分解斜視図、図2は本発明の非可逆回路素子に係り、第1のヨークと磁石を取り去った状態の平面図、図3は図2の3−3線における断面図、図4は図2の4−4線における断面図、図5は本発明の非可逆回路素子の下面図である。
【0016】
また、図6は本発明の非可逆回路素子をアイソレータに適用した場合の等価回路図、図7は本発明の非可逆回路素子をサーキュレータに適用した等価回路図である。
【0017】
次に、本発明の非可逆回路素子の構成を図1〜図5に基づいて説明すると、磁性板(鉄板等)からなる箱形の第1のヨーク1には、板状の磁石2が第1のヨークの上板の内面に接触した状態で、適宜手段によって取り付けられている。
【0018】
コ字状の磁性板(鉄板等)からなる第2のヨーク3は、四角形の底板3aと、この底板3aの対向する辺から上方に折り曲げられた対向する一対の側板3bと、一対の側板3b間に位置する底壁3aの対向する一対の辺3dから延びて上方に折り曲げて形成された複数個の端子3cを有する。
【0019】
また、第2のヨーク3の底板3aの下面には、特に図5に示すように、端子3cの近傍で、端子3cを形成した一対の対向する辺3dに沿った状態で、底板3aの端縁3eに至って設けられた2個の凹部3fが形成されている。
【0020】
この凹部3f内には、絶縁材からなる半田レジスト膜19が形成されており、この半田レジスト膜19は、図4では凹部3fの天井部に、また、図5では凹部3fの底部に形成されて、半田レジスト膜19の表面が底板3aの下面と面一、或いは、下面よりも凹部3f内側に凹んだ状態となっている。
そして、この第2のヨーク3は、第1のヨーク1に対向して配置された状態で、一対の側板3bが第1のヨーク1と結合されて、磁気閉回路が形成される。
【0021】
なお、この実施例では、凹部3f内に半田レジスト膜19を設けたもので説明したが、この半田レジスト膜19を削除したものでも良い。
【0022】
合成樹脂の成型品からなる箱形の絶縁基体8は、四角型の底壁8aと、この底壁8aの四方から上方に延びる4つの側壁8bと、底壁8aの中心部に設けられた円形状の第1の凹部8cと、この第1の凹部8cを囲むように、底壁8aに設けられた長方形の複数の第2の凹部8dを有する。
【0023】
そして、この絶縁基体8は、成形加工によって第2のヨーク3と一体化され、第1,第2の凹部8c、8dから第2のヨーク3の底板3aが露出した状態になると共に、図4に示すように、端子3cが底壁8aの下面と側壁8bの外面から露出した状態となっている。
【0024】
第2のヨーク(鉄板)3よりも電気抵抗の小さい銅や銅合金からなる板状の入出力端子9,10は、絶縁基体8に埋設して取り付けられ、図3に示すように、入出力端子9,10の一端側が絶縁基体8の底壁8aの上面から露出すると共に、他端側が底壁8aの下面と側壁8bの外面から露出した状態となっている。
【0025】
即ち、絶縁基体8には、第2のヨーク3と入出力端子9,10が埋設された一体化された構成となっている。
そして、この製造方法は、ここでは図示しないが、入出力端子9,10を形成する銅や銅合金からなる一つの第1のフープ材が金型によって打ち抜き、折り曲げ加工され、また、第2のヨーク3を形成する鉄材からなる一つの第2のフープ材が金型によって打ち抜き、折り曲げ加工され、この第1,第2のフープ材が成型金型に順送りされて、成形加工によって絶縁基体8を形成することによって、第2のヨーク3と入出力端子9,10が一体化されるものである。
【0026】
なお、この実施例において、絶縁基体8には、第2のヨーク3と入出力端子9,10が埋設されて一体化された構成で説明したが、絶縁基体8には入出力端子9,10を一体化し、この一体化された部品に、別部品で形成された第2のヨーク3を組み合わせるようにしても良い。
【0027】
チップ型の第1,第2,第3のコンデンサC1、C2,C3は、ここでは図示しないが、板状のセラミック等からなる絶縁板の上面には、銀等からなる上部電極が設けられると共に、絶縁板の下面には、銀等からなる下部電極が設けられ、互いに対向する上部電極と下部電極との間で容量が形成されている。
【0028】
このように構成された第1,第2,第3のコンデンサC1、C2,C3は、第2の凹部8d内に配置されて位置決めされると共に、第1,第2,第3のコンデンサC1、C2,C3の下部電極のそれぞれは、第2の凹部8dに露出した第2のヨーク3の底板3aに接続(半田付け)されている。
【0029】
また、第1,第2,第3のコンデンサC1、C2,C3が第2の凹部8d内に配置された時、第1,第2,第3のコンデンサC1、C2,C3の上部電極と第1,第2の入出力端子9,10は、底壁8a上で面一状態となっている。
【0030】
チップ型の抵抗器Rは、板状の絶縁板15と、この絶縁板15の一端側で、上面と側面に形成された銀等からなる第1の電極部16と、絶縁板15の他端側で、上面から側面、及び下面に跨って形成された銀等からなる第2の電極部17と、第1,第2の電極部16,17に接続された状態で、絶縁板15の上面に設けられた抵抗体18とで構成されている。
【0031】
そして、この抵抗器Rは、図4に示すように、第3のコンデンサC3に並設された状態で、第3のコンデンサC3が配置された第2の凹部8dに隣接して設けられたもう一つの第2の凹部8d内に配置され、第1の電極部16が第2のヨーク3の底板3aに半田付けによって固着されて、接地された構成となっている。
【0032】
YIG(Yttrium iron garnet)等からなる平板状のフェライト部材4は、第2のヨーク3の底板3a上に載置された状態で、取り付けられている。
【0033】
銅等の薄い導電板からなる第1、第2,第3の中心導体5、6,7は、それぞれの一端側が繋がったアース部5a、6a、7aと、他端側に設けられたポート部5b、6b、7bを有する。
【0034】
そして、この第1,第2,第3の中心導体5、6,7は、アース部5a、6a、7aがフェライト部材4の下面に位置した状態で、フェライト部材4の側面と上面に沿って折り曲げられて、互いに120度の間隔を置いて、フェライト部材4の上面に配置されている。
この時、第1,第2,第3の中心導体5、6,7間は、絶縁材からなる誘電体(図示せず)が配置されて、互いに絶縁された状態で、上下方向に交差した状態となっている。
【0035】
このように、第1,第2,第3の中心導体5、6,7を取り付けたフェライト部材4は、第1の凹部8c内に配置されて位置決めされると共に、アース部5a、6a、7aは、第1の凹部8cに露出した第2のヨーク3の底板3aに半田付けされて、接地状態で電気的に接続される。
【0036】
そして、絶縁基体8内に配置された第1,第2,第3の中心導体5、6,7は、ポート部5bが第1のコンデンサC1の上部電極と入出力端子9に半田付けされ、また、ポート部6bが第2のコンデンサC2の上部電極と入出力端子10に半田付けされ、更に、ポート部7bが第3のコンデンサC3の上部電極と抵抗器Rの第2の電極部17に半田付けされる。
【0037】
そして、第1,第2,第3の中心導体5、6,7上には、第1のヨーク1に位置決めされた磁石2が配置され、この状態で、第1,第2のヨーク1,3同士が結合されると、第1,第2のヨーク1,3間で磁石2,フェライト部材4を挟持されて、アイソレータからなる非可逆回路素子が形成される。
【0038】
このような構成を有する非可逆回路素子は、ここでは図示しないが、導電パターンを有する回路基板上に底板3の下面が載置され、端子3cと入出力端子9,10が所望の導電パターンに半田付けされることによって、回路基板に面実装されるようになっている。
【0039】
また、非可逆回路素子が導電パターンに半田付けされた際、凹部3fの存在によって、半田が底板3aの下面中央部側に流れるのを防止すると共に、半田レジスト膜19の存在によって、半田が底板3aの下面中央部側に流れるのを更に防止した構成となっている。
【0040】
また、図6は、本発明の非可逆回路素子をアイソレータに適用した等価回路図を示し、第1,第2,第3の中心導体5、6,7のアース部5a、6a、7aがそれぞれ接地され、また、第1,第2の中心導体5,6のポート部5b、6bのそれぞれは、接地された第1,第2のコンデンサC1,C2に接続され、更に、第3の中心導体7のポート部7bは、接地された第3のコンデンサC3と抵抗器Rに接続された構成となっている。
【0041】
なお、上記実施例においては、非可逆回路素子をアイソレータに適用したもので説明したが、非可逆回路素子をサーキュレータに適用したものでも良い。
そして、サーキュレータにおいては、抵抗器Rが削除され、且つ、第3の中心導体7のポート部7bが接続される入出力端子が設けられており、その他の構成は、上述の構成と同様である。
【0042】
また、図7は、本発明の非可逆回路素子をサーキュレータに適用した等価回路図を示し、第1,第2,第3の中心導体5、6,7のアース部5a、6a、7aのそれぞれが接地され、また、第1,第2、第3の中心導体5,6、7のポート部5b、6b、7bのそれぞれは、接地された第1,第2、第3のコンデンサC1,C2、C3に接続された構成となっている。
【0043】
【発明の効果】
本発明の非可逆回路素子は、平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第1,第2,第3の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石を覆うように配置された第1のヨークと、フェライト部材の下面側に配置され、第1のヨークとで磁気閉回路を構成する第2のヨークと、この第2のヨークの底板から延びる端子とを備え、前記端子は、前記底板の対応する一対の辺から延びて形成されると共に、前記端子の近傍に位置する前記底板の下面には前記端子を形成した一対の対向する辺に沿って2個の凹部が設けられ、前記2個の凹部に挟まれた位置にコンデンサと抵抗が載置されたため、凹部によって、底板の下面中央部側への半田の流出を防止でき、このため、従来の半田レジスト膜の形成が不要となって、生産性が良く、安価なものが得られる。また、凹部の形成が簡単で、凹部の精度の良いものが得られ、更にコンデンサおよび抵抗の位置を低くして形成することができるので、非可逆回路素子の薄型化を図ることができる。
【0044】
また、凹部内には半田レジスト膜が形成されたため、この半田レジスト膜によって、底板の下面中央部側への半田の流出を一層防止できると共に、半田レジスト膜は、底板の下面から盛り上がることが無く、このため、端子と導電パターンとの半田付性の良好なものが得られる。
【0046】
また、凹部の両端部が底板の端縁に至る状態で形成されたため、端子と底板の中央部側の間が凹部によって確実に仕切られ、このため、底板の下面中央部側への半田の流出を確実に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の非可逆回路素子の分解斜視図。
【図2】本発明の非可逆回路素子に係り、第1のヨークと磁石を取り去った状態の平面図。
【図3】図2の3−3線における断面図。
【図4】図2の4−4線における断面図。
【図5】本発明の非可逆回路素子の下面図。
【図6】本発明の非可逆回路素子をアイソレータに適用した場合の等価回路図。
【図7】本発明の非可逆回路素子をサーキュレータに適用した等価回路図。
【図8】従来の非可逆回路素子の分解斜視図。
【図9】従来の非可逆回路素子の下面図。
【符号の説明】
1 第1のヨーク
2 磁石
3 第2のヨーク
3a 底板
3b 側板
3c 端子
3d 辺
3e 端縁
3f 凹部
4 フェライト部材
5 第1の中心導体
5a アース部
5b ポート部
6 第2の中心導体
6a アース部
6b ポート部
7 第3の中心導体
7a アース部
7b ポート部
8 絶縁基体
8a 底壁
8b 側壁
8c 第1の凹部
8d 第2の凹部
9 入出力端子
10 入出力端子
C1 第1のコンデンサ
C2 第2のコンデンサ
C3 第3のコンデンサ
R 抵抗器
15 絶縁板
16 第1の電極部
17 第2の電極部
18 抵抗体
Claims (3)
- 平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第1,第2,第3の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石を覆うように配置された第1のヨークと、前記フェライト部材の下面側に配置され、前記第1のヨークとで磁気閉回路を構成する第2のヨークと、この第2のヨークの底板から延びる端子とを備え、前記端子は、前記底板の対応する一対の辺から延びて形成されると共に、前記端子の近傍に位置する前記底板の下面には前記端子を形成した一対の対向する辺に沿って2個の凹部が設けられ、前記2個の凹部に挟まれた位置にコンデンサと抵抗が載置されたことを特徴とする非可逆回路素子。
- 前記凹部内には半田レジスト膜が形成されたことを特徴とする請求項1記載の非可逆回路素子。
- 前記凹部の両端部が前記底板の端縁に至る状態で形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の非可逆回路素子。
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