JP2004350164A - 非可逆回路素子、非可逆回路素子の製造方法および通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】整合用コンデンサの静電容量値の増加および減少いずれの調整にも対応でき、かつ、回路構成の簡素な非可逆回路素子、非可逆回路素子の製造方法および通信装置を提供する。
【解決手段】整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６のコールド側コンデンサ電極は樹脂製端子ケース３に露出しているアース接続電極部１６ａにそれぞれはんだ付けされ、ホット側コンデンサ電極は組み立て前にはいずれの電極にも接続していない。整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量が小さ過ぎる場合には、金属製上側ケース８の開口８ａ，８ｂを通して、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３のホット側コンデンサ電極と整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６のホット側コンデンサ電極とをワイヤボンディング法で電気的に接続する。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばマイクロ波帯で使用されるアイソレータなどの非可逆回路素子、非可逆回路素子の製造方法および通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の集中定数型アイソレータは、概略、永久磁石と、永久磁石により直流磁界Ｈが印加されるフェライトと、フェライトに互いに電気的絶縁状態で交差して配置されている複数の中心電極と、これら中心電極に電気的に接続している整合用コンデンサと、金属ケースとで構成されている。
【０００３】
ところで、従来の集中定数型アイソレータにおいて、フェライトの磁気共鳴半値幅（△Ｈ）や飽和磁化（４πＭｓ）などがばらついたり、中心電極の交差角や電極幅などがばらついたりすると、挿入損失や反射損失やアイソレーションが劣化してしまう。そこで、従来は、特許文献１や特許文献２に示すように、整合用コンデンサのコンデンサ電極をレーザやリュータによりトリミングして、整合用コンデンサの静電容量値を調整することにより所望の特性を得ていた。
【０００４】
また、特許文献３のように、異なる複数の周波数帯域で動作させるために、動作周波数に応じてスイッチ回路を切り替えることにより、アイソレータの各中心電極の入出力ポートに接続された共振回路の共振周波数を変更するものも知られている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−３０３６０５号公報
【特許文献２】
特開平９−２８９４０２号公報
【特許文献３】
特開平９−９３００３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１や特許文献２のように、コンデンサ電極のトリミングによる調整は、静電容量値を減少させる調整しかできないという問題があった。また、特許文献３のアイソレータは、回路構成が複雑で大型化するという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、整合用コンデンサの静電容量値の増加および減少いずれの調整にも対応でき、かつ、回路構成の簡素な非可逆回路素子、非可逆回路素子の製造方法および通信装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】
前記目的を達成するため、本発明に係る非可逆回路素子は、
（ａ）永久磁石と、
（ｂ）永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
（ｃ）フェライトに互いに電気的絶縁状態で交差して配置されている複数の中心電極と、
（ｄ）中心電極の少なくとも一つに電気的に接続している整合用主コンデンサと、
（ｅ）中心電極の少なくとも一つに電気的に接続して、整合用主コンデンサとともにインピーダンス整合をとるための整合用副コンデンサと、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
整合用副コンデンサを中心電極の少なくとも一つに電気的に接続することにより、整合用主コンデンサの静電容量に整合用副コンデンサの静電容量が加わる。そして、整合用主コンデンサや整合用副コンデンサのコンデンサ電極をトリミングすることにより、整合用主コンデンサと整合用副コンデンサの合成静電容量を調整する（減少させる）ことができる。整合用副コンデンサの静電容量は、例えば、整合用主コンデンサの静電容量の１／２以下である。
【００１０】
また、整合用主コンデンサと整合用副コンデンサを誘電体基板に設けることにより、非可逆回路素子の構成部品点数が少なくなるとともに、非可逆回路素子の組立て作業が簡素になる。
【００１１】
さらに、整合用副コンデンサと中心電極を、ワイヤボンディング方式もしくはＴＡＢ方式で電気的に接続することにより、作業時間が短く、かつ、信頼性の高い接続が可能となる。
【００１２】
また、本発明に係る通信装置は、前述の特徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、小型で安価なものとなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る非可逆回路素子、非可逆回路素子の製造方法および通信装置の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。
【００１４】
［第１実施形態、図１〜図３］
図１に示すように、集中定数型アイソレータ１は、概略、金属製下側ケース４と、樹脂製端子ケース３と、中心電極組立体１３と、金属製上側ケース８と、永久磁石９と、終端抵抗Ｒと、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３と、整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６等を備えている。金属製上側ケース８には、開口８ａ，８ｂが設けられており、アイソレータ１を組み立てた後、平面視で開口８ａ，８ｂを通してコンデンサＣ１〜Ｃ６の一部がトリミング可能に露出する。
【００１５】
中心電極組立体１３は、円板状のマイクロ波フェライト２０の上面に、中心電極２１〜２３を電気的絶縁状態で、それぞれの交差角が略１２０度になるように配置している。中心電極２１，２２，２３は、それぞれのホットエンドにポート部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を有し、コールドエンドにアース電極２５が接続されている。
【００１６】
中心電極２１，２２，２３共通のアース電極２５は、フェライト２０の下面を略覆うように設けられている。中心電極組立体１３は、フェライト２０の裏面に設けられたアース電極２５が、樹脂製端子ケース３の窓部３ｃを通して、金属製下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付け等の方法により接続され、接地される。
【００１７】
図２に示すように、樹脂製端子ケース３には、入力端子１４、出力端子１５及び四つのアース端子１６がインサートモールドされている。これらの端子１４〜１６は、一端が樹脂製端子ケース３の対向する側壁３ａからそれぞれ外方向へ導出され、他端が樹脂製端子ケース３の底部３ｂに露出してそれぞれ入力接続電極部１４ａ、出力接続電極部１５ａ及びアース接続電極部１６ａを形成している。入力接続電極部１４ａ及び出力接続電極部１５ａは、中心電極２１，２２のポート部Ｐ１，Ｐ２にそれぞれはんだ付けされている。
【００１８】
整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３並びに整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６は、誘電体基板の表裏面にそれぞれホット側コンデンサ電極およびコールド側コンデンサ電極を形成した単板型コンデンサである。整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３のホット側コンデンサ電極は中心電極２１〜２３のポート部Ｐ１〜Ｐ３にそれぞれはんだ付けされ、コールド側コンデンサ電極は樹脂製端子ケース３に露出しているアース接続電極部１６ａにそれぞれはんだ付けされている。
【００１９】
一方、整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６のコールド側コンデンサ電極は樹脂製端子ケース３に露出しているアース接続電極部１６ａにそれぞれはんだ付けされ、ホット側コンデンサ電極は組み立て前にはいずれの電極にも接続していない。整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６の静電容量は、例えば、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量の１／１０〜１／２程度である。
【００２０】
終端抵抗Ｒの一方は、中心電極２３のポート部Ｐ３を介して整合用コンデンサＣ３のホット側コンデンサ電極に接続され、他方は樹脂製端子ケース３の底部３ｂに露出しているアース接続電極部１６ａに接続されている。つまり、整合用コンデンサＣ３と終端抵抗Ｒとは、中心電極２３のポート部Ｐ３とアースとの間に電気的に並列に接続されている。
【００２１】
以上の構成からなる各部品は、例えば、次のようにして組み立てられる。図１に示すように、樹脂製端子ケース３の下方から金属製下側ケース４を装着する。次に、この樹脂製端子ケース３内に、中心電極組立体１３や整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３や整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６や終端抵抗Ｒなどを収容し、金属製上側ケース８を装着する。金属製上側ケース８と中心電極組立体１３の間には、永久磁石９が配置される。永久磁石９は、中心電極組立体１３に直流磁界Ｈを印加する。下側ケース４と上側ケース８は接合して金属ケースをなし、磁気回路を構成しており、ヨークとしても機能している。
【００２２】
次に、こうして組み立てられたアイソレータ１の電気特性が測定される。測定の結果、所望の電気特性が得られていない場合には、以下の調整方法の中から適宜最適な方法が選択される。
【００２３】
整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量が大き過ぎる場合、従来のように、金属製上側ケース８の開口８ａ，８ｂを通して、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３のホット側コンデンサ電極をレーザビームまたはリュータなどでトリミングする。これにより、ホット側コンデンサ電極の一部を除去して、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量を小さくする。
【００２４】
整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量が小さ過ぎる場合、金属製上側ケース８の開口８ａ，８ｂを通して、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３のホット側コンデンサ電極と整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６のホット側コンデンサ電極とをワイヤボンディング法で電気的に接続する。ワイヤボンディング法は、作業時間が短く、かつ、信頼性の高い接続方法である。ワイヤ２８の材質としては、Ａｕ線、Ａｌ線、Ｃｕ線などの低抵抗金属材料が用いられる。なお、コンデンサＣ１〜Ｃ６のホット側コンデンサ電極の表面には予めＡｕめっきやＡｇめっき処理をして、ワイヤボンディングができる状態にしておく必要がある。
【００２５】
こうして、図３に示すように、整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６をそれぞれ整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３や中心電極２１〜２３に対して並列接続し、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量に整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６の静電容量を加える。これで所望の電気特性が得られれば、調整作業は終了する。
【００２６】
しかし、整合用主コンデンサＣ１（Ｃ２，Ｃ３）と整合用副コンデンサＣ４（Ｃ５，Ｃ６）の合成静電容量が大き過ぎる場合には、さらに、金属製上側ケース８の開口８ａ，８ｂを通してコンデンサＣ１とＣ４（Ｃ２とＣ５、または、Ｃ３とＣ６）のホット側コンデンサ電極をレーザビームまたはリュータなどでトリミングする。これにより、ホット側コンデンサ電極の一部を除去して、コンデンサＣ１とＣ４（Ｃ２とＣ５，または、Ｃ３とＣ６）の合成静電容量を小さくする。
【００２７】
以上のように、アイソレータ１は、整合用コンデンサの静電容量値の増加および減少のいずれの調整にも対応できる。その結果、良品率が向上する。また、従来の特許文献３のアイソレータと比較して、本第１実施形態のアイソレータ１は、特別なスイッチ回路を設けなくてもすむので、回路構成が簡素化できる。
【００２８】
［第２実施形態、図４〜図７］
図４に示すように、集中定数型アイソレータ５１は、概略、金属製下側ケース５４と金属製上側ケース５８とからなる金属ケースと、永久磁石５９と、中心電極組立体６０と、終端抵抗Ｒや整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３や整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６を設けた矩形状の積層基板７０を備えている。
【００２９】
中心電極組立体６０は、平面視形状が長方形のマイクロ波フェライト６４の上面に中心電極６１，６２，６３を絶縁層（図示せず）を介在させて略１２０度で交差するように配置している。
【００３０】
中心電極６１〜６３は銅箔を用いてフェライト６４に貼り付けてもよいし、フェライト６４上にＡｇ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕなどの導電ペーストを印刷して形成してもよい。導電ペーストには感光性樹脂が含まれており、導電ペーストをフェライト６４の全面に印刷した後、露光、現像して不要部分を除去してから焼成する。これにより、位置精度の高い厚膜の中心電極６１〜６３が形成されるので、安定な電気特性が得られる。
【００３１】
図５に示すように、積層基板７０は、コンデンサ電極７１〜７３，７６〜７８や中心電極コールドエンド用接続電極７５や終端抵抗Ｒなどを表面に設けた誘電体シートと、グランド電極７９などを表面に設けた誘電体シートとを積み重ねて一体的に焼成したものである。
【００３２】
電極７１〜７３，７５〜７９は、スクリーン印刷やフォトリソグラフ等の方法により誘電体シートに形成されている。電極７１〜７３，７５〜７９等の材料としては、抵抗率が低く、誘電体シートと同時焼成可能なＡｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄなどが用いられる。コンデンサ電極７１〜７３は、中心電極ホットエンド用接続電極としても機能する。
【００３３】
終端抵抗Ｒは、スクリーン印刷等の方法により誘電体シートの表面に形成されている。終端抵抗Ｒの材料としては、サーメット、カーボン、ルテニウムなどが使用される。
【００３４】
ビアホール８０は、誘電体シートにレーザ加工やパンチング加工などにより、予めビアホール用孔を形成した後、そのビアホール用孔に導電ペーストを充填することにより形成される。一般に、導電ペーストの材料としては、電極７１〜７３等と同一の材料（Ａｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄなど）が用いられる。
【００３５】
コンデンサ電極７１〜７３はそれぞれ、誘電体シートを間に挟んでグランド電極７９に対向して整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３を構成する。コンデンサ電極７６〜７８はそれぞれ、誘電体シートを間に挟んでグランド電極７９に対向して整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６を構成する。積層基板７０の底面には、入力端子８４、出力端子８５およびグランド端子８６が突出して配設されている。
【００３６】
以上の構成部品は以下のようにして組み立てられる。すなわち、永久磁石５９は金属製上側ケース５８の天井に接着剤によって固定される。積層基板７０上には、中心電極組立体６０が、中心電極６１〜６３の各々の端部が積層基板７０の表面に形成されたコンデンサ電極７１〜７３や中心電極コールドエンド用接続電極７５にはんだ付けされることにより、実装される。
【００３７】
積層基板７０は金属製下側ケース５４の底部５４ｂ上に載置され、積層基板７０の裏面に設けたグランド電極７９がはんだによって底部５４ｂに固定されるとともに電気的に接続される。
【００３８】
次に、こうして組み立てられたアイソレータ５１の電気特性が測定される。測定の結果、所望の電気特性が得られていない場合には、以下の調整方法の中から適宜最適な方法が選択される。
【００３９】
整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量が大き過ぎる場合、従来のように、金属製上側ケース５８の開口５８ａ〜５８ｃを通して、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３のホット側コンデンサ電極７１〜７３をレーザビームまたはリュータなどでトリミングする。これにより、ホット側コンデンサ電極７１〜７３の一部を除去して、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量を小さくする。
【００４０】
整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量が小さ過ぎる場合、金属製上側ケース５８の開口５８ａ〜５８ｃを通して、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３のホット側コンデンサ電極７１〜７３と整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６のホット側コンデンサ電極７６〜７８とをＴＡＢ法で電気的に接続する。
【００４１】
ＴＡＢ法は、半導体チップ実装に使用されている周知の方法である。図６に示すように、バンプ９０は、樹脂フィルムキャリアテープ８１のリード導体パターン８２と積層基板７０のコンデンサ電極７１〜７３，７６〜７８とを接続するための媒体である。バンプ９０はコンデンサ電極７１〜７３，７６〜７８上に形成されている。ただし、バンプ９０はリード導体パターン８２の表面に形成されていてもよい。
【００４２】
ＴＡＢ法は、リード導体パターン８２とコンデンサ電極７１〜７３，７６〜７８のバンプ９０とを接合するＩＬＢ（Ｉｎｎｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）工程と、接合部を保護するための樹脂塗布工程と、樹脂フィルムキャリアテープ８１から所定寸法に切り出すパンチング工程とからなる。リード導体パターン８２としては、通常、Ｃｕ母材にＡｕめっきやＳｎめっきを施したものが使用される。
【００４３】
こうして、図７に示すように、整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６をそれぞれ、リード導体パターン８２を介して整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３に接続することができ、図３に示したアイソレータ１と同様の電気回路を有するアイソレータ５１が得られる。すなわち、整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６をそれぞれ整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３や中心電極６１〜６３に対して並列接続し、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量に整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６の静電容量を加える。これで所望の電気特性が得られれば、調整作業は終了する。
【００４４】
しかし、整合用主コンデンサＣ１（Ｃ２，Ｃ３）と整合用副コンデンサＣ４（Ｃ５，Ｃ６）の合成静電容量が大き過ぎる場合には、さらに、金属製上側ケース５８の開口５８ａ〜５８ｃを通してコンデンサＣ１とＣ４（Ｃ２とＣ５、または、Ｃ３とＣ６）のホット側コンデンサ電極７１〜７３，７６〜７８をレーザビームまたはリュータなどでトリミングする。これにより、ホット側コンデンサ電極７１〜７３，７６〜７８の一部を除去して、コンデンサＣ１とＣ４（Ｃ２とＣ５，または、Ｃ３とＣ６）の合成静電容量を小さくする。本第２実施形態のアイソレータ５１は前記第１実施形態のアイソレータ１と同様の作用効果を奏する。
【００４５】
また、本発明では、整合用コンデンサＣ１〜Ｃ６の数が、通常のアイソレータと比較して多くなるため、個別部品の整合用コンデンサＣ１〜Ｃ６を用いると、部品点数や接続箇所が増加して信頼性が低下し、小型化にも不利である。そこで、整合用コンデンサＣ１〜Ｃ６を積層基板７０に内蔵することで、小型で高信頼性のアイソレータ５１を得ることができる。
【００４６】
［第３実施形態、図８］
第３実施形態は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。
【００４７】
図８は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気回路ブロック図である。図８において、１２２はアンテナ素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレータ、１３２は送信側電力増幅器、１３３は送信側段間用帯域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信側電力増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣＯ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００４８】
ここに、送信側アイソレータ１３１として、例えば前記第１実施形態または第２実施形態のアイソレータ１，５１が用いられる。これらのアイソレータ１，５１を実装することにより、電気的特性の向上した、かつ、高信頼性で小型の携帯電話１２０を実現することができる。
【００４９】
［他の実施形態］
なお、本発明は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。例えば、本発明に係る非可逆回路素子は、アイソレータ以外に、サーキュレータやカップラ内蔵の非可逆回路素子などであってもよい。
【００５０】
また、図９に示すように、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３の各々に対して、複数の整合用副コンデンサＣ４，Ｃ７、Ｃ５，Ｃ８、Ｃ６，Ｃ９を並列接続することにより、調整精度をさらに向上させてもよい。
【００５１】
さらに、前記第１実施形態で、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３のホット側コンデンサ電極と整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６のホット側コンデンサ電極とをＴＡＢ法で電気的に接続するものであってもよい。また、前記第２実施形態で、整合用主コンデンサＣ１〜Ｃ３のホット側コンデンサ電極７１〜７３と整合用副コンデンサＣ４〜Ｃ６のホット側コンデンサ電極７６〜７８とをワイヤボンディング法で電気的に接続するものであってもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、整合用副コンデンサを中心電極の少なくとも一つに電気的に接続することにより、整合用主コンデンサの静電容量に整合用副コンデンサの静電容量を加えることができる。従って、トリミングによる調整方法を併用することにより、非可逆回路素子の整合用コンデンサの静電容量値の増加および減少のいずれの調整にも対応することができる。この結果、小型で優れた周波数特性を有する通信装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の第１実施形態を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した非可逆回路素子の内部平面図。
【図３】図１に示した非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図４】本発明に係る非可逆回路素子の第２実施形態を示す分解斜視図。
【図５】図４に示された積層基板の断面図。
【図６】ＴＡＢ法を説明するための拡大断面図。
【図７】ＴＡＢ法による整合用主コンデンサと整合用副コンデンサの接続状態を示す平面図。
【図８】本発明に係る通信装置の一実施形態を示す電気回路ブロック図。
【図９】他の実施形態を示す電気等価回路図。
【符号の説明】
１，５１…アイソレータ
４，５４…金属製下側ケース
８，５８…金属製上側ケース
９，５９…永久磁石
２０，６４…フェライト
２１〜２３，６１〜６３…中心電極
１２０…携帯電話
Ｒ…終端抵抗
Ｃ１〜Ｃ３…整合用主コンデンサ
Ｃ４〜Ｃ６…整合用副コンデンサ

Claims (6)

1. 永久磁石と、
   前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
   前記フェライトに互いに電気的絶縁状態で交差して配置されている複数の中心電極と、
   前記中心電極の少なくとも一つに電気的に接続している整合用主コンデンサと、
   前記中心電極の少なくとも一つに電気的に接続して、前記整合用主コンデンサとともにインピーダンス整合をとるための整合用副コンデンサと、
   を備えたことを特徴とする非可逆回路素子。
2. 前記整合用主コンデンサと前記整合用副コンデンサを誘電体基板に設けたことを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
3. 前記整合用副コンデンサがワイヤボンディング方式もしくはＴＡＢ方式で前記中心電極に電気的に接続していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の非可逆回路素子。
4. 前記整合用副コンデンサの静電容量が前記整合用主コンデンサの静電容量の１／２以下であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
5. 永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、前記フェライトに互いに電気的絶縁状態で交差して配置されている複数の中心電極と、前記中心電極の少なくとも一つに電気的に接続している整合用主コンデンサと、前記中心電極の少なくとも一つに電気的に接続して、前記整合用主コンデンサとともにインピーダンス整合をとるための整合用副コンデンサとを備えた非可逆回路素子の製造方法であって、
   前記整合用副コンデンサを前記中心電極の少なくとも一つに電気的に接続して、前記整合用主コンデンサの静電容量に前記整合用副コンデンサの静電容量を加える工程と、
   前記整合用主コンデンサのコンデンサ電極および前記整合用副コンデンサのコンデンサ電極の少なくともいずれか一方をトリミングすることにより、前記整合用主コンデンサと前記整合用副コンデンサの合成静電容量を調整する工程と、
   を備えたことを特徴とする非可逆回路素子の製造方法。
6. 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の非可逆回路素子の少なくともいずれか一つを備えたことを特徴とする通信装置。

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