JP2001339205A - 非可逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信装置 - Google Patents
非可逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信装置Info
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- JP2001339205A JP2001339205A JP2000156048A JP2000156048A JP2001339205A JP 2001339205 A JP2001339205 A JP 2001339205A JP 2000156048 A JP2000156048 A JP 2000156048A JP 2000156048 A JP2000156048 A JP 2000156048A JP 2001339205 A JP2001339205 A JP 2001339205A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 設計の自由度が高くかつ低背化が可能な非可
逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信装置を
提供する。 【解決方法】 非可逆回路素子１は、磁性体金属からな
る下側ケース２と、端子ケース３と、中心電極組立体２
０と、磁性体金属からなる上側ケース８と、角形の永久
磁石９と、電気回路素子組立体３０等を備えている。永
久磁石９の側方に配置された電気回路素子組立体３０
は、基板３１上にコイルＬ及びコンデンサＣを実装した
ものである。この電気回路素子組立体３０は、永久磁石
９の厚み方向に対して平行な方向において、永久磁石９
の上面を超えない位置に配置され、かつ、永久磁石９に
オーバーラップしている部分を有している。
逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信装置を
提供する。 【解決方法】 非可逆回路素子１は、磁性体金属からな
る下側ケース２と、端子ケース３と、中心電極組立体２
０と、磁性体金属からなる上側ケース８と、角形の永久
磁石９と、電気回路素子組立体３０等を備えている。永
久磁石９の側方に配置された電気回路素子組立体３０
は、基板３１上にコイルＬ及びコンデンサＣを実装した
ものである。この電気回路素子組立体３０は、永久磁石
９の厚み方向に対して平行な方向において、永久磁石９
の上面を超えない位置に配置され、かつ、永久磁石９に
オーバーラップしている部分を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非可逆回路素子、
特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキ
ュレータ等の非可逆回路素子及びその非可逆回路素子を
備えた通信装置に関する。
特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキ
ュレータ等の非可逆回路素子及びその非可逆回路素子を
備えた通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、携帯電話等の移動通信機器に採
用される集中定数型アイソレータは、信号を伝送方向に
のみ通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有して
いる。
用される集中定数型アイソレータは、信号を伝送方向に
のみ通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有して
いる。
【０００３】この種の集中定数型アイソレータとして、
図７に示す構造のものが知られている（特開平１１−２
９８２０５号公報）。この集中定数型アイソレータ２０
０は磁性体金属からなる金属製上側ケース２５０と、永
久磁石２６０と、中心電極組立体２４０と、端子ケース
２３０と、磁性体金属からなる金属製下側ケース２２０
と、スペーサ２８０と、終端抵抗Ｒと、整合用コンデン
サＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３等からなる。
図７に示す構造のものが知られている（特開平１１−２
９８２０５号公報）。この集中定数型アイソレータ２０
０は磁性体金属からなる金属製上側ケース２５０と、永
久磁石２６０と、中心電極組立体２４０と、端子ケース
２３０と、磁性体金属からなる金属製下側ケース２２０
と、スペーサ２８０と、終端抵抗Ｒと、整合用コンデン
サＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３等からなる。
【０００４】中心電極組立体２４０は、フェライト２７
０の上面に３本の中心電極２７１〜２７３を絶縁シート
を介在させて略１２０度角度ごとに交差するように配置
されている。スペーサ２８０の上面には、インダクタパ
ターンＬ１０が形成されている。このインダクタパター
ンＬ１０は、アイソレータ２００の外部に電気的に接続
された外付けコンデンサ（図示せず）とともに帯域通過
フィルタを構成している。この帯域通過フィルタはアイ
ソレータ２００の入力側に接続され、アイソレータ２０
０の動作周波数帯域外、特に高周波側の帯域（２倍波、
３倍波）における減衰量を大きくさせ、高周波歪み及び
不要輻射を低減する機能を有している。
０の上面に３本の中心電極２７１〜２７３を絶縁シート
を介在させて略１２０度角度ごとに交差するように配置
されている。スペーサ２８０の上面には、インダクタパ
ターンＬ１０が形成されている。このインダクタパター
ンＬ１０は、アイソレータ２００の外部に電気的に接続
された外付けコンデンサ（図示せず）とともに帯域通過
フィルタを構成している。この帯域通過フィルタはアイ
ソレータ２００の入力側に接続され、アイソレータ２０
０の動作周波数帯域外、特に高周波側の帯域（２倍波、
３倍波）における減衰量を大きくさせ、高周波歪み及び
不要輻射を低減する機能を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の移動
通信機器では、その用途からして薄型、軽量化に対する
要望が強くなっており、これに伴ってアイソレータにお
いても低背化が要請されている。これに対応するための
一つの方法として、中心電極組立体２４０と永久磁石２
６０の間隔を小さくする方法が考えられる。しかしなが
ら、中心電極組立体２４０と永久磁石２６０の間隙を小
さくすると、インダクタパターンＬ１０を設けたスペー
サ２８０を配設する空間が確保できないという問題があ
る。
通信機器では、その用途からして薄型、軽量化に対する
要望が強くなっており、これに伴ってアイソレータにお
いても低背化が要請されている。これに対応するための
一つの方法として、中心電極組立体２４０と永久磁石２
６０の間隔を小さくする方法が考えられる。しかしなが
ら、中心電極組立体２４０と永久磁石２６０の間隙を小
さくすると、インダクタパターンＬ１０を設けたスペー
サ２８０を配設する空間が確保できないという問題があ
る。
【０００６】また、帯域通過フィルタのインダクタを、
中心電極組立体２４０と永久磁石２６０の間の狭い隙間
に配置しているので、インダクタは平面的なものに限ら
れる。従って、帯域通過フィルタのインダクタとして、
高さ寸法が大きい巻線型インダクタや積層型インダクタ
（チップインダクタ）を採用することができず、帯域通
過フィルタの設計の自由度が小さかった。
中心電極組立体２４０と永久磁石２６０の間の狭い隙間
に配置しているので、インダクタは平面的なものに限ら
れる。従って、帯域通過フィルタのインダクタとして、
高さ寸法が大きい巻線型インダクタや積層型インダクタ
（チップインダクタ）を採用することができず、帯域通
過フィルタの設計の自由度が小さかった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、設計の自由度が
高くかつ低背化が可能な非可逆回路素子及びこの非可逆
回路素子を備えた通信装置を提供することにある。
高くかつ低背化が可能な非可逆回路素子及びこの非可逆
回路素子を備えた通信装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】以上の目的を
達成するため、本発明に係る非可逆回路素子は、（ａ）
永久磁石と、（ｂ）前記永久磁石により直流磁界が印加
されるフェライトと、（ｃ）前記フェライトに配置され
た複数の中心電極と、（ｄ）前記中心電極の少なくとも
一つに電気的に接続された、少なくとも一つの電気回路
素子を有した電気回路素子組立体と、（ｅ）前記中心電
極と前記電気回路素子組立体と前記フェライトを収容す
る樹脂ケースと、（ｆ）前記永久磁石と前記フェライト
と前記中心電極を収容する金属ケースとを備え、（ｇ）
前記永久磁石の側方に配置された電気回路素子組立体
が、前記永久磁石の厚み方向に対して平行な方向におい
て、前記永久磁石の上面を超えない位置に配置され、か
つ、前記永久磁石にオーバーラップしている部分を有し
ていること、を特徴とする。
達成するため、本発明に係る非可逆回路素子は、（ａ）
永久磁石と、（ｂ）前記永久磁石により直流磁界が印加
されるフェライトと、（ｃ）前記フェライトに配置され
た複数の中心電極と、（ｄ）前記中心電極の少なくとも
一つに電気的に接続された、少なくとも一つの電気回路
素子を有した電気回路素子組立体と、（ｅ）前記中心電
極と前記電気回路素子組立体と前記フェライトを収容す
る樹脂ケースと、（ｆ）前記永久磁石と前記フェライト
と前記中心電極を収容する金属ケースとを備え、（ｇ）
前記永久磁石の側方に配置された電気回路素子組立体
が、前記永久磁石の厚み方向に対して平行な方向におい
て、前記永久磁石の上面を超えない位置に配置され、か
つ、前記永久磁石にオーバーラップしている部分を有し
ていること、を特徴とする。
【０００９】以上の構成により、電気回路素子組立体が
永久磁石の側方に配置されているため、中心電極組立体
と永久磁石の隙間を小さくすることができ、非可逆回路
素子が低背化される。
永久磁石の側方に配置されているため、中心電極組立体
と永久磁石の隙間を小さくすることができ、非可逆回路
素子が低背化される。
【００１０】また、永久磁石の形状を角形や円形等に設
定して、永久磁石がフェライトを覆うような形状にする
ことにより、フェライトに印加する直流磁界の磁界分布
が均一に保たれる。
定して、永久磁石がフェライトを覆うような形状にする
ことにより、フェライトに印加する直流磁界の磁界分布
が均一に保たれる。
【００１１】また、電気回路素子組立体が低域通過フィ
ルタ、高域通過フィルタ及び帯域通過フィルタのいずれ
か一つを備えることで、非可逆回路素子の動作周波数帯
域外における減衰量を大きくさせ、高周波歪み及び不要
輻射を低減する機能を有する。
ルタ、高域通過フィルタ及び帯域通過フィルタのいずれ
か一つを備えることで、非可逆回路素子の動作周波数帯
域外における減衰量を大きくさせ、高周波歪み及び不要
輻射を低減する機能を有する。
【００１２】また、本発明に係る通信装置は、前述の特
徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、薄型、
軽量化を図ることができる。
徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、薄型、
軽量化を図ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る非可逆回路素
子及びこの非可逆回路素子を備えた通信装置の実施形態
について添付の図面を参照して詳細に説明する。
子及びこの非可逆回路素子を備えた通信装置の実施形態
について添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】［第１実施形態、図１〜図５］図１及び図
２に示すように、集中定数型アイソレータ１は、概略、
磁性体金属からなる金属製下側ケース２と、樹脂製端子
ケース３と、中心電極組立体２０と、磁性体金属からな
る金属製上側ケース８と、永久磁石９と、電気回路素子
組立体３０と、終端抵抗Ｒと整合用コンデンサＣ１，Ｃ
２，Ｃ３等を備えている。
２に示すように、集中定数型アイソレータ１は、概略、
磁性体金属からなる金属製下側ケース２と、樹脂製端子
ケース３と、中心電極組立体２０と、磁性体金属からな
る金属製上側ケース８と、永久磁石９と、電気回路素子
組立体３０と、終端抵抗Ｒと整合用コンデンサＣ１，Ｃ
２，Ｃ３等を備えている。
【００１５】中心電極組立体２０は、矩形状のマイクロ
波フェライト７の上面（一方の磁極面）に３本の中心電
極４〜６を絶縁シートを介在させて略１２０度角度ごと
に交差するように配置している。これら中心電極４〜６
は、各々の一端側のポートＰ１〜Ｐ３を水平に導出する
とともに、他端側の中心電極４〜６の共通シールド部１
１（図３参照）をフェライト７の下面に当接させてい
る。共通シールド部１１は、フェライト７の下面を略覆
っている。
波フェライト７の上面（一方の磁極面）に３本の中心電
極４〜６を絶縁シートを介在させて略１２０度角度ごと
に交差するように配置している。これら中心電極４〜６
は、各々の一端側のポートＰ１〜Ｐ３を水平に導出する
とともに、他端側の中心電極４〜６の共通シールド部１
１（図３参照）をフェライト７の下面に当接させてい
る。共通シールド部１１は、フェライト７の下面を略覆
っている。
【００１６】樹脂製端子ケース３は電気的絶縁樹脂から
なり、矩形枠状の側面３ａに底壁３ｂを一体形成した構
造のものである。この底壁３ｂには矩形状の挿通孔３ｃ
が形成されており、底壁３ｂの挿通孔３ｃの周縁にはそ
れぞれ整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３が収納される凹部３
ｄが形成されている。
なり、矩形枠状の側面３ａに底壁３ｂを一体形成した構
造のものである。この底壁３ｂには矩形状の挿通孔３ｃ
が形成されており、底壁３ｂの挿通孔３ｃの周縁にはそ
れぞれ整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３が収納される凹部３
ｄが形成されている。
【００１７】金属製下側ケース２は左右の側面２ａと底
壁２ｂとを有している。この金属製下側ケース２上に樹
脂製端子ケース３が配置されている。そして、樹脂製端
子ケース３の挿通孔３ｃに矩形状の中心電極組立体２０
が挿入され、中心電極組立体２０の共通シールド部１１
は金属製下側ケース２の底壁２ｂにはんだ付けなどの方
法により電気的に接続され、接地される。
壁２ｂとを有している。この金属製下側ケース２上に樹
脂製端子ケース３が配置されている。そして、樹脂製端
子ケース３の挿通孔３ｃに矩形状の中心電極組立体２０
が挿入され、中心電極組立体２０の共通シールド部１１
は金属製下側ケース２の底壁２ｂにはんだ付けなどの方
法により電気的に接続され、接地される。
【００１８】樹脂製端子ケース３の側壁３ｅの外面には
表面実装用の入力端子１４と出力端子１５及びアース端
子１６が形成されている。入力端子１４及び出力端子１
５のそれぞの端部は底壁３ｂの上面のコーナー部に露出
している。また、アース端子１６の端部は各凹部３ｄの
上面に露出している。これらの端子１４〜１６は樹脂製
端子ケース３にインサートモールドされている。
表面実装用の入力端子１４と出力端子１５及びアース端
子１６が形成されている。入力端子１４及び出力端子１
５のそれぞの端部は底壁３ｂの上面のコーナー部に露出
している。また、アース端子１６の端部は各凹部３ｄの
上面に露出している。これらの端子１４〜１６は樹脂製
端子ケース３にインサートモールドされている。
【００１９】整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３の上面のホッ
ト側コンデンサ電極は中心電極４〜６の入出力ポートＰ
１〜Ｐ３に電気的に接続され、コールド側コンデンサ電
極は凹部３ｄに露出しているアース端子１６に電気的に
接続されている。中心電極組立体２０の一つの構成要素
である中心電極４のポートＰ１は電気回路素子組立体３
０を介して入力端子１４に電気的に接続され、中心電極
組立体２０の構成要素である中心電極５のポートＰ２は
出力端子１５に電気的に接続され、中心電極組立体２０
の構成要素である中心電極６のポートＰ３は基板２５上
の終端抵抗Ｒの一端に電気的に接続されている。終端抵
抗Ｒの他端はアース端子１６に電気的に接続されている
（図４参照）。
ト側コンデンサ電極は中心電極４〜６の入出力ポートＰ
１〜Ｐ３に電気的に接続され、コールド側コンデンサ電
極は凹部３ｄに露出しているアース端子１６に電気的に
接続されている。中心電極組立体２０の一つの構成要素
である中心電極４のポートＰ１は電気回路素子組立体３
０を介して入力端子１４に電気的に接続され、中心電極
組立体２０の構成要素である中心電極５のポートＰ２は
出力端子１５に電気的に接続され、中心電極組立体２０
の構成要素である中心電極６のポートＰ３は基板２５上
の終端抵抗Ｒの一端に電気的に接続されている。終端抵
抗Ｒの他端はアース端子１６に電気的に接続されている
（図４参照）。
【００２０】中心電極組立体２０の上面にはスペーサ１
０が配設されている。スペーサ１０は、永久磁石９を水
平な状態で安定してアイソレータ内に配置させるための
ものである。これにより安定した電気特性を得ることが
できる。また、スペーサ１０の略中央には、中心電極組
立体２０の中央部の中心電極４〜６が重なって厚くなっ
ている部分を収容するための孔１０ａが形成されてい
る。さらに、スペーサ１０の縁部には終端抵抗Ｒを収容
するための切り欠き１０ｂが形成されている。
０が配設されている。スペーサ１０は、永久磁石９を水
平な状態で安定してアイソレータ内に配置させるための
ものである。これにより安定した電気特性を得ることが
できる。また、スペーサ１０の略中央には、中心電極組
立体２０の中央部の中心電極４〜６が重なって厚くなっ
ている部分を収容するための孔１０ａが形成されてい
る。さらに、スペーサ１０の縁部には終端抵抗Ｒを収容
するための切り欠き１０ｂが形成されている。
【００２１】電気回路素子組立体３０は、基板３１上に
インダクタＬとコンデンサＣを実装したものである。イ
ンダクタＬとコンデンサＣは電気的に直列に接続してＬ
Ｃ共振回路を形成しており、インダクタＬの他端側は入
力端子１４に、コンデンサＣの他端側はポートＰ１に電
気的に接続されている。これにより、帯域通過フィルタ
を構成している。この帯域通過フィルタはアイソレータ
１の入力側に接続され、アイソレータ１の動作周波数帯
域外、特に高周波側の帯域（２倍波、３倍波）における
減衰量を大きくさせ、高周波歪み及び不要輻射を低減す
る機能を有している。図４はアイソレータ１の電気等価
回路である。
インダクタＬとコンデンサＣを実装したものである。イ
ンダクタＬとコンデンサＣは電気的に直列に接続してＬ
Ｃ共振回路を形成しており、インダクタＬの他端側は入
力端子１４に、コンデンサＣの他端側はポートＰ１に電
気的に接続されている。これにより、帯域通過フィルタ
を構成している。この帯域通過フィルタはアイソレータ
１の入力側に接続され、アイソレータ１の動作周波数帯
域外、特に高周波側の帯域（２倍波、３倍波）における
減衰量を大きくさせ、高周波歪み及び不要輻射を低減す
る機能を有している。図４はアイソレータ１の電気等価
回路である。
【００２２】なお、本第１実施形態では、電気回路素子
組立体３０が帯域通過フィルタを構成している場合につ
いて説明するが、必ずしもこれに限るものではなく、低
域通過フィルタや高域通過フィルタ等を構成するもので
あってもよい。
組立体３０が帯域通過フィルタを構成している場合につ
いて説明するが、必ずしもこれに限るものではなく、低
域通過フィルタや高域通過フィルタ等を構成するもので
あってもよい。
【００２３】電気回路素子組立体３０は、図３に示すよ
うに、永久磁石９の上面と下面の間の範囲Ｔ内に電気回
路素子組立体３０の頂部が位置するように配置されてい
る。すなわち、永久磁石９の側方に配置された電気回路
素子組立体３０は、永久磁石９の厚み方向に対して平行
な方向において、永久磁石９の上面を超えない位置に配
置され、かつ、永久磁石９にオーバーラップしている部
分を有している。
うに、永久磁石９の上面と下面の間の範囲Ｔ内に電気回
路素子組立体３０の頂部が位置するように配置されてい
る。すなわち、永久磁石９の側方に配置された電気回路
素子組立体３０は、永久磁石９の厚み方向に対して平行
な方向において、永久磁石９の上面を超えない位置に配
置され、かつ、永久磁石９にオーバーラップしている部
分を有している。
【００２４】以上の構成により、電気回路素子組立体３
０を、永久磁石９と中心電極組立体２０の間に設ける必
要がなくなり、アイソレータ１の厚みを決定する際に電
気回路素子組立体３０の厚みは影響しなくなる。つま
り、アイソレータ１の厚みは、金属製下側ケース２の厚
みと、中心電極組立体２０の厚みと、スペーサ１０の厚
みと、永久磁石９の厚みと、金属製上側ケース８の厚み
とによって決定されることになる。
０を、永久磁石９と中心電極組立体２０の間に設ける必
要がなくなり、アイソレータ１の厚みを決定する際に電
気回路素子組立体３０の厚みは影響しなくなる。つま
り、アイソレータ１の厚みは、金属製下側ケース２の厚
みと、中心電極組立体２０の厚みと、スペーサ１０の厚
みと、永久磁石９の厚みと、金属製上側ケース８の厚み
とによって決定されることになる。
【００２５】さらに、電気回路素子組立体３０は、永久
磁石９と中心電極組立体２０の間の狭い隙間に設けなく
てもよいので、インダクタなどの電気回路素子を平面的
なものに限定する必要がなく、高さ寸法が大きい巻線型
インダクタや積層型インダクタ（チップインダクタ）を
採用することができる。この結果、帯域通過フィルタの
設計の自由度が大きくなる。本第１実施形態では、イン
ダクタＬとして空芯の巻線型インダクタを用い、コンデ
ンサＣとして誘電体基板の表裏面に金属焼結体からなる
コンデンサ電極をそれぞれ設けた単板型コンデンサを用
いた。
磁石９と中心電極組立体２０の間の狭い隙間に設けなく
てもよいので、インダクタなどの電気回路素子を平面的
なものに限定する必要がなく、高さ寸法が大きい巻線型
インダクタや積層型インダクタ（チップインダクタ）を
採用することができる。この結果、帯域通過フィルタの
設計の自由度が大きくなる。本第１実施形態では、イン
ダクタＬとして空芯の巻線型インダクタを用い、コンデ
ンサＣとして誘電体基板の表裏面に金属焼結体からなる
コンデンサ電極をそれぞれ設けた単板型コンデンサを用
いた。
【００２６】また、図２に示すように、本第１実施形態
の永久磁石９の形状は、中心電極組立体２０の上面を完
全に覆うために角形とされ、永久磁石９からの直流磁界
がフェライト７に均一に印加されるように工夫されてい
る。さらに、永久磁石９を電気回路素子組立体３０の近
傍まで近づけることにより、中心電極組立体２０に対向
する永久磁石９の面の面積を大きくすることができ、永
久磁石９より印加される磁界分布を中心電極組立体２０
内で均一に保つことができる。
の永久磁石９の形状は、中心電極組立体２０の上面を完
全に覆うために角形とされ、永久磁石９からの直流磁界
がフェライト７に均一に印加されるように工夫されてい
る。さらに、永久磁石９を電気回路素子組立体３０の近
傍まで近づけることにより、中心電極組立体２０に対向
する永久磁石９の面の面積を大きくすることができ、永
久磁石９より印加される磁界分布を中心電極組立体２０
内で均一に保つことができる。
【００２７】なお、永久磁石９及び中心電極組立体２０
は角形の形状に限定されるものではなく、図５に示すよ
うに、円形状の永久磁石９ａ、中心電極組立体２０ａを
用いてもよい。図５において、電気回路素子組立体３０
の基板３１ａは、永久磁石９ａに合わせた形状を有して
いる。
は角形の形状に限定されるものではなく、図５に示すよ
うに、円形状の永久磁石９ａ、中心電極組立体２０ａを
用いてもよい。図５において、電気回路素子組立体３０
の基板３１ａは、永久磁石９ａに合わせた形状を有して
いる。
【００２８】［第２実施形態、図６］第２実施形態は、
本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明
する。
本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明
する。
【００２９】図６は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気回
路ブロック図である。図６において、１２２はアンテナ
素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレ
ータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間用帯
域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信
側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１
３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣ
Ｏ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
路ブロック図である。図６において、１２２はアンテナ
素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレ
ータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間用帯
域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信
側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１
３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣ
Ｏ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００３０】ここに、送信側アイソレータ１３１とし
て、前記第１実施形態の集中定数型アイソレータ１を使
用することができる。このアイソレータ１を実装するこ
とにより、通信特性が優れた薄型の携帯電話を実現する
ことができる。
て、前記第１実施形態の集中定数型アイソレータ１を使
用することができる。このアイソレータ１を実装するこ
とにより、通信特性が優れた薄型の携帯電話を実現する
ことができる。
【００３１】［他の実施形態］なお、本発明は、前記実
施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲
内で種々に変更することができる。例えば、整合用コン
デンサＣ１〜Ｃ３の実装は、はんだ付けに代えて導電性
接着剤により行うこともできる。この整合用コンデンサ
Ｃ１〜Ｃ３は、積層型コンデンサであってもよい。ま
た、本発明は、アイソレータのほかに、サーキュレータ
等の他の高周波部品に採用される非可逆回路素子にも適
用することができる。さらに、中心電極は、金属板を打
抜き、曲げ加工して形成するものの他に、基板（誘電体
基板や磁性体基板や積層基板など）にパターン電極を設
けることによっても形成することができる。
施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲
内で種々に変更することができる。例えば、整合用コン
デンサＣ１〜Ｃ３の実装は、はんだ付けに代えて導電性
接着剤により行うこともできる。この整合用コンデンサ
Ｃ１〜Ｃ３は、積層型コンデンサであってもよい。ま
た、本発明は、アイソレータのほかに、サーキュレータ
等の他の高周波部品に採用される非可逆回路素子にも適
用することができる。さらに、中心電極は、金属板を打
抜き、曲げ加工して形成するものの他に、基板（誘電体
基板や磁性体基板や積層基板など）にパターン電極を設
けることによっても形成することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、電気回路素子組立体が永久磁石の側方に配置
されているため、中心電極組立体と永久磁石の隙間を小
さくすることができ、非可逆回路素子や通信装置を低背
化することができる。さらに、電気回路素子組立体は、
永久磁石と中心電極組立体の間の狭い隙間に設けなくて
もよいので、インダクタなどの電気回路素子を平面的な
ものに限定する必要がなく、高さ寸法が大きい巻線型イ
ンダクタや積層型インダクタ（チップインダクタ）を採
用することができる。この結果、電気回路素子組立体の
設計の自由度が大きくなる。
によれば、電気回路素子組立体が永久磁石の側方に配置
されているため、中心電極組立体と永久磁石の隙間を小
さくすることができ、非可逆回路素子や通信装置を低背
化することができる。さらに、電気回路素子組立体は、
永久磁石と中心電極組立体の間の狭い隙間に設けなくて
もよいので、インダクタなどの電気回路素子を平面的な
ものに限定する必要がなく、高さ寸法が大きい巻線型イ
ンダクタや積層型インダクタ（チップインダクタ）を採
用することができる。この結果、電気回路素子組立体の
設計の自由度が大きくなる。
【００３３】また、永久磁石の形状を角形や円形等に設
定して、永久磁石がフェライトを覆うような形状にする
ことにより、フェライトに印加する直流磁界の磁界分布
を均一化することができる。
定して、永久磁石がフェライトを覆うような形状にする
ことにより、フェライトに印加する直流磁界の磁界分布
を均一化することができる。
【００３４】また、電気回路素子組立体が低域通過フィ
ルタ、高域通過フィルタ及び帯域通過フィルタのいずれ
か一つを備えることで、非可逆回路素子の動作周波数帯
域外における減衰量を大きくさせ、高周波歪み及び不要
輻射を低減する機能を有することができる。
ルタ、高域通過フィルタ及び帯域通過フィルタのいずれ
か一つを備えることで、非可逆回路素子の動作周波数帯
域外における減衰量を大きくさせ、高周波歪み及び不要
輻射を低減する機能を有することができる。
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態の分
解斜視図。
解斜視図。
【図２】図１に示した非可逆回路素子の組立完成後の内
部を示す概略平面図。
部を示す概略平面図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩの一部断面図。
【図４】図１に示した非可逆回路素子の電気等価回路
図。
図。
【図５】図１に示した非可逆回路素子の変形例を示す概
略平面図。
略平面図。
【図６】本発明に係る通信装置の一実施形態を示すブロ
ック図。
ック図。
【図７】従来の非可逆回路素子の分解斜視図。
１…集中定数型アイソレータ ２…金属製下側ケース ３…樹脂製端子ケース ４〜６…中心電極 ７…マイクロ波フェライト ８…金属製上側ケース ９…永久磁石 ２０…中心電極組立体 ３０…電気回路素子組立体 ３１…基板 Ｃ…コンデンサ Ｌ…インダクタ
Claims (6)
- 【請求項１】 永久磁石と、 前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライト
と、 前記フェライトに配置された複数の中心電極と、 前記中心電極の少なくとも一つに電気的に接続された、
少なくとも一つの電気回路素子を有した電気回路素子組
立体と、 前記中心電極と前記電気回路素子組立体と前記フェライ
トを収容する樹脂ケースと、 前記永久磁石と前記フェライトと前記中心電極を収容す
る金属ケースとを備え、 前記永久磁石の側方に配置された電気回路素子組立体
が、前記永久磁石の厚み方向に対して平行な方向におい
て、前記永久磁石の上面を超えない位置に配置され、か
つ、前記永久磁石にオーバーラップしている部分を有し
ていること、 を特徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項２】 前記電気回路素子組立体がインダクタを
有していることを特徴とする請求項１記載の非可逆回路
素子。 - 【請求項３】 前記インダクタが巻線型インダクタ及び
積層型インダクタのいずれか一つであることを特徴とす
る請求項２記載の非可逆回路素子。 - 【請求項４】 前記永久磁石が角形及び円形のいずれか
一つであることを特徴とする請求項１ないし請求項３記
載の非可逆回路素子。 - 【請求項５】 前記電気回路素子組立体が、低域通過フ
ィルタ、高域通過フィルタ及び帯域通過フィルタのいず
れか一つのフィルタであることを特徴とする請求項１な
いし請求項４記載の非可逆回路素子。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項５記載の非可逆回
路素子の少なくともいずれか一つを備えたことを特徴と
する通信装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000156048A JP2001339205A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 非可逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信装置 |
| US09/865,226 US6597253B2 (en) | 2000-05-26 | 2001-05-25 | Nonreciprocal circuit device and communication apparatus including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000156048A JP2001339205A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 非可逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001339205A true JP2001339205A (ja) | 2001-12-07 |
Family
ID=18660890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000156048A Pending JP2001339205A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 非可逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6597253B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001339205A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6906597B2 (en) * | 2001-10-29 | 2005-06-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Non-reciprocal circuit device and resin casing used therefor |
| CN104378082B (zh) | 2013-08-12 | 2017-11-07 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 振荡频率偏移侦测方法以及振荡频率偏移侦测电路 |
| TWI551036B (zh) * | 2013-08-22 | 2016-09-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 振盪頻率偏移偵測方法以及振盪頻率偏移偵測電路 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204712A (ja) * | 1992-12-30 | 1994-07-22 | Tdk Corp | 非可逆回路素子 |
| JP3269409B2 (ja) * | 1996-07-26 | 2002-03-25 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
| JPH10303605A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Hitachi Metals Ltd | アイソレータ |
| JP3959797B2 (ja) * | 1997-09-17 | 2007-08-15 | 有限会社ケイラボラトリー | 集中定数型サーキュレータ |
| JPH11298205A (ja) | 1998-04-06 | 1999-10-29 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子 |
| JP3438683B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2003-08-18 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子、通信装置および非可逆回路素子の製造方法 |
-
2000
- 2000-05-26 JP JP2000156048A patent/JP2001339205A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-25 US US09/865,226 patent/US6597253B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6597253B2 (en) | 2003-07-22 |
| US20020030549A1 (en) | 2002-03-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041026 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050308 |