JP2003318609A - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
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Abstract
する。 【解決手段】 樹脂ケース及び金属ケース下と金属ケー
ス上との間に、フェライトコアに中心導体を配置した中
心導体部と、前記フェライトコアを位置決めする樹脂モ
ールドを備え、前記樹脂モールドは、外形が四角形状
で、前記下ケースの側面及び前記樹脂ケースの側面で規
定した領域の内側と略等しい大きさであり、かつ中央に
前記フェライトコアの外周とほぼ同じ大きさに形成した
貫通孔を有している。
Description
ーキュレータとして利用される非可逆回路素子に関する
ものである。
中定数型アイソレータの一例の分解斜視図を図9に示
す。この従来例は、下ケース65上にパターン電極の形
成された誘電体基板63を配置し、フェライト64と互
いに絶縁状態で重ね合わされた中心導体66とからなる
中心導体部を誘電体基板に形成された穴に配置し、各中
心導体と誘電体基板上の所定のパターン電極とを接続
し、磁石67の装着された上ケース68を被せて構成さ
れている。この誘電体基板63の69はダミー抵抗であ
り、70はアース電極である。このアース電極に接続さ
れたダミー抵抗69により、中心導体の一つの端子が終
端されている。
ソレータでは、例えば携帯電話等に使用されるため、小
型化・薄型化の要求が強い。もちろん、使用に耐える電
気特性を有することと低価格であることが同時に要求さ
れる。この小型化を考えたとき、所望の電気特性を得る
ためには、フェライト64の外径がある程度必要であ
り、フェライト64の小型化には限界がある。そのた
め、全体を小型化してゆくと図10に示すように、フェ
ライトが挿入される穴72が相対的に大きくなる。その
結果、誘電体基板に強度的に弱い部分71ができ、生産
工程での取り扱い時に基板が割れる危険性が高まり、量
産性が低くなる。このため、従来の構造では、小型化が
困難であった。また、ダミー抵抗は、誘電体基板上に印
刷された抵抗により形成されている。この誘電体基板で
は、放熱性が良くなく、しかも他の静電容量用及びアー
ス用のパターン電極も形成されているので、スペース的
にも余裕がない。このため、そのダミー抵抗部における
耐電力が小さく、せいぜい1W程度の耐電力しか実現出
来なかった。従って、スペースを広げると小型化の流れ
に逆行し、比較的大きな耐電力を必要とする用途では、
小型の集中定数型アイソレータを構成することが困難で
あった。本発明は、上記のことを鑑みて、小型でしかも
耐電力の大きい非可逆回路素子を提供する事を目的とす
る。
び金属ケース下と金属ケース上との間に、フェライトコ
アに中心導体を配置した中心導体部と、前記フェライト
コアを位置決めする樹脂モールドを備え、前記樹脂モー
ルドは、外形が四角形状で、前記下ケースの側面及び前
記樹脂ケースの側面で規定される領域の内側と略等しい
大きさであり、かつ中央に前記フェライトコアの外周と
ほぼ同じ大きさに形成された貫通孔を有していることを
特徴とする非可逆回路素子である。本発明においては、
前記中心導体部は金属ケース下の上に配置され、フェラ
イトコアを包む中心導体が前記金属ケース下とアース接
続するのが好ましい。
図を図1に示す。この実施例について説明する。まず、
最下部に樹脂ケース1がある。この樹脂ケース1の平面
図とその3方向の側面図を図2に、底面図を図3に示
す。この図2、3において、導体部分を斜線で示す。
又、図2のA−A’断面図を図4に、B−B’断面図を
図5に示す。この樹脂ケース1は、3つの導電体板が樹
脂部分と一体に形成されている。この1つの導電体板
は、アース電極板2であり、樹脂ケース1の底部に広く
配置され、それとつながるアース端子3が樹脂ケース1
の装着面となる裏面に導出されている。また、他の2つ
の導電体板は、入出力端子用であり、内側の回路接続端
子4と外側の入出力端子5とがつながったコ字状の導電
体板である。この内側回路接続端子4は、アース板電極
2の配置されている面に突起部6が形成され、その突起
部6の上に配置されている。
が載せられる。この金属ケース下7は、樹脂ケース1の
突起部6に対応する切り欠き部8を有し、この樹脂ケー
ス1のアース電極板2と半田付けされる。この金属ケー
ス下7の上に、誘電体板の上下面に電極が形成された板
状コンデンサ9とチップ抵抗10と、フェライトコア1
1上に中心導体12を互いに絶縁状態で、120度の間
隔で回転対称に配置された中心導体部とを配置する。こ
の中心導体部は、図6に示すように、円板部14から1
20度間隔で放射状に伸びるそれぞれ2本の導体からな
り、先端で接続されている3つの中心導体12からな
り、その円板部14上にフェライトコア11を配置し、
各中心導体14を折り曲げ、各中心導体間に絶縁シート
を挟んで構成されている。そして、3つの中心導体12
のうち、2つの中心導体12の先端部13a、13b
は、それぞれ板状コンデンサ9と樹脂ケース1上の内側
回路接続端子4に接続され、他の一つの中心導体の先端
部13cは、板状コンデンサ9とチップ抵抗10に接続
される。この中心導体部の円板部14は金属ケース下7
に接続され、アース接続される。又、板状コンデンサ9
も中心導体の先端部が接続される面の対向面側で金属ケ
ース下7に接続され、アース接続される。
面図を図7に示す。このチップ抵抗10は、一面に2つ
の端子電極15、16を有し、その端子電極間に酸化ル
テニウムによる抵抗膜17が形成されている。この抵抗
膜上には絶縁コートが施されている。また一方の端子電
極16は、側面に形成された電極19を介して、底面の
端子電極18と導通している。そして、一つの中心導体
の先端部13cは、チップ抵抗10の端子電極15と接
続され、そして、そのチップ抵抗10の端子電極18が
金属ケース下7と接続され、アース接続される。
を被せる。この樹脂モールド20は、中央にフェライト
コアの外径とほぼ同じ大きさの貫通孔21を有し、下部
にフェライトコア11の外周部に当接するようなつめ部
22が3ヶ所形成されている。このつめ部22は、フェ
ライトコアの側面の中心導体の部分に位置し、フェライ
トコアの位置決めを行うとともに、フェライトコア側面
の中心導体の保護・絶縁も兼ねている。この樹脂モール
ド20は、外形が樹脂ケース1及び金属ケース下7の内
側に収納される大きさであり、上面に磁石24を位置決
めする突出部23が形成されている。そして、この突出
部23で位置決めされる位置に磁石24が配置される。
そして、金属ケース上25を被せ、金属ケース上25と
金属ケース下7とを半田付けして非可逆回路素子を構成
した。この金属ケース上25の側面の一つの対向面26
は、金属ケース下7の側面28の内側に挿入され、半田
付けされる。他の対向面27は、樹脂ケース1の側面2
9の上端上に位置する。この実施例は、集中定数型アイ
ソレータであり、その斜視図を図8に示す。
ップ抵抗10に接続し、終端しているので、アイソレー
タとなっているが、その中心導体を終端しないで入出力
端子とすれば、サーキュレータとして使用出来る。
回路接続端子4が形成されている突起部6の高さを、板
状コンデンサ9とほぼ同一としておき、中心導体12の
先端部13a、13bの接続を容易としている。また、
この突起部6により、この接続端子4とアース電極板2
の絶縁を確実にしている。また、この樹脂ケース1によ
り、表面実装が可能となる。また本発明のチップ抵抗1
0は、一方の端子電極16が側面を介して底面に導出さ
れ、底面に端子電極18が形成され、その端子電極18
により、金属ケース下7の上にその底面を直接接続した
ので、広い面積で金属ケース下と接続され、放熱性が高
く、接続も容易である。放熱性の改善により、耐電力を
改善出来る。また本発明の実施例では、フェライトコア
と磁石とを一つの樹脂モールドで位置決めするので、位
置決めが容易であるとともに、取り付けも容易である。
又、この樹脂モールドのつめ部がフェライトコア側面の
中心導体をカバーしているので、このフェライトコア側
面の中心導体と板状コンデンサとのショートを防止して
いる。この実施例の構造によれば、フェライトコアの大
きさを相対的に大きくしても、従来のような穴を有する
誘電体基板を用いないので、小型化を達成出来る。
中定数型アイソレータを得ることができ、例えば携帯電
話等においてミスマッチングによる耐反射電力の増加に
よるアンプの保護に、極めて有効なものである。
び側面図である。
ある。
る。
側面図及び底面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 樹脂ケース及び金属ケース下と金属ケー
ス上との間に、フェライトコアに中心導体を配置した中
心導体部と、前記フェライトコアを位置決めする樹脂モ
ールドを備え、 前記樹脂モールドは、外形が四角形状で、前記下ケース
の側面及び前記樹脂ケースの側面で規定される領域の内
側と略等しい大きさであり、かつ中央に前記フェライト
コアの外周とほぼ同じ大きさに形成された貫通孔を有し
ていることを特徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項2】 前記中心導体部は金属ケース下の上に配
置され、フェライトコアを包む中心導体が前記金属ケー
ス下とアース接続されることを特徴とする請求項1に記
載の非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003117108A JP3788790B2 (ja) | 2003-04-22 | 2003-04-22 | 非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003117108A JP3788790B2 (ja) | 2003-04-22 | 2003-04-22 | 非可逆回路素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00288596A Division JP3682797B2 (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | 非可逆回路素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003318609A true JP2003318609A (ja) | 2003-11-07 |
JP3788790B2 JP3788790B2 (ja) | 2006-06-21 |
Family
ID=29546110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003117108A Expired - Lifetime JP3788790B2 (ja) | 2003-04-22 | 2003-04-22 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3788790B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117954815A (zh) * | 2024-03-26 | 2024-04-30 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 高一致性小型化带状线环行器及其制作方法 |
-
2003
- 2003-04-22 JP JP2003117108A patent/JP3788790B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117954815A (zh) * | 2024-03-26 | 2024-04-30 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 高一致性小型化带状线环行器及其制作方法 |
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Publication number | Publication date |
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JP3788790B2 (ja) | 2006-06-21 |
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