JPH09116309A - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
- Publication number
- JPH09116309A JPH09116309A JP27429095A JP27429095A JPH09116309A JP H09116309 A JPH09116309 A JP H09116309A JP 27429095 A JP27429095 A JP 27429095A JP 27429095 A JP27429095 A JP 27429095A JP H09116309 A JPH09116309 A JP H09116309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite substrate
- conductor
- input
- circuit device
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面実装を容易に実現することができ、小型
化が図れる非可逆回路素子を提供することである。 【解決手段】 フェライト基板１の上面に形成された中
心導体２をストリップ線路で構成する。フェライト基板
１の裏面には中心導体２の導体枝と同数の入出力電極３
が形成され、前記裏面の入出力電極３形成領域以外の領
域には入出力電極３と電気的に絶縁された状態で導体層
４が形成され、中心導体２が、フェライト基板１の側面
上に延設され、入出力電極３と電気的に接続されてい
る。
化が図れる非可逆回路素子を提供することである。 【解決手段】 フェライト基板１の上面に形成された中
心導体２をストリップ線路で構成する。フェライト基板
１の裏面には中心導体２の導体枝と同数の入出力電極３
が形成され、前記裏面の入出力電極３形成領域以外の領
域には入出力電極３と電気的に絶縁された状態で導体層
４が形成され、中心導体２が、フェライト基板１の側面
上に延設され、入出力電極３と電気的に接続されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は移動体通信分野等で
使用される非可逆回路素子に関する。
使用される非可逆回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】この分野で使用される非可逆回路素子は
比較的低い周波数で使用される集中定数型と、それより
も高い周波数帯で使用される分布定数型とに大別され
る。このいずれの非可逆回路素子でも中心導体が金属板
や箔等で形成されているのが一般的で、素子への入出力
は素子から直接引き出されている中心導体の金属板や箔
を必要部分に半田付け等の方法で接続されている。
比較的低い周波数で使用される集中定数型と、それより
も高い周波数帯で使用される分布定数型とに大別され
る。このいずれの非可逆回路素子でも中心導体が金属板
や箔等で形成されているのが一般的で、素子への入出力
は素子から直接引き出されている中心導体の金属板や箔
を必要部分に半田付け等の方法で接続されている。
【０００３】一部プリント基板上に印刷成形された中心
導体を用いた集中定数型の非可逆回路素子もあるが、集
中定数型においては部品点数が多く、入出力の外部への
引き出しも複数の基板をスルーホールを介してなされて
いる。
導体を用いた集中定数型の非可逆回路素子もあるが、集
中定数型においては部品点数が多く、入出力の外部への
引き出しも複数の基板をスルーホールを介してなされて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来構造の非
可逆回路素子においては、各ポートからの入出力の引き
出しが必要であり、素子の小型化を実現することが難し
かった。
可逆回路素子においては、各ポートからの入出力の引き
出しが必要であり、素子の小型化を実現することが難し
かった。
【０００５】本発明の課題は、表面実装を容易に実現す
ることができ、小型化が図れる非可逆回路素子を提供す
ることである。
ることができ、小型化が図れる非可逆回路素子を提供す
ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、フェラ
イト基板の上面に形成された中心導体をストリップ線路
で構成した非可逆回路素子において、前記フェライト基
板の裏面には前記中心導体の導体枝と同数の入出力電極
が形成され、前記裏面の前記入出力電極形成領域以外の
領域には前記入出力電極と電気的に絶縁された状態で導
体層が形成され、前記中心導体が、前記フェライト基板
の側面上に延設され、前記入出力電極と電気的に接続さ
れることを特徴とする非可逆回路素子が得られる。
イト基板の上面に形成された中心導体をストリップ線路
で構成した非可逆回路素子において、前記フェライト基
板の裏面には前記中心導体の導体枝と同数の入出力電極
が形成され、前記裏面の前記入出力電極形成領域以外の
領域には前記入出力電極と電気的に絶縁された状態で導
体層が形成され、前記中心導体が、前記フェライト基板
の側面上に延設され、前記入出力電極と電気的に接続さ
れることを特徴とする非可逆回路素子が得られる。
【０００７】又、本発明によれば、フェライト基板の上
面に形成された中心導体をストリップ線路で構成した非
可逆回路素子において、前記フェライト基板の裏面には
前記中心導体の導体枝と同数の入出力電極が形成され、
前記裏面の前記入出力電極形成領域以外の領域には前記
入出力電極と電気的に絶縁された状態で導体層が形成さ
れ、前記中心導体が前記入出力電極とスルーホールを介
して電気的に接続されることを特徴とする非可逆回路素
子が得られる。
面に形成された中心導体をストリップ線路で構成した非
可逆回路素子において、前記フェライト基板の裏面には
前記中心導体の導体枝と同数の入出力電極が形成され、
前記裏面の前記入出力電極形成領域以外の領域には前記
入出力電極と電気的に絶縁された状態で導体層が形成さ
れ、前記中心導体が前記入出力電極とスルーホールを介
して電気的に接続されることを特徴とする非可逆回路素
子が得られる。
【０００８】
【作用】本発明によれば、中心導体がフェライト基板の
側面に延設されることによって、若しくはスルーホール
を介して裏面の入出力電極に接続されることによって、
容易に表面実装を可能とする。
側面に延設されることによって、若しくはスルーホール
を介して裏面の入出力電極に接続されることによって、
容易に表面実装を可能とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の非可逆回路素子の
第１の実施の形態について説明する。図１は本発明の第
１の実施の形態における非可逆回路素子の構造を示した
分解斜視図である。図２（ａ）は図１のフェライト基板
の上面図であり、図２（ｂ）は（ａ）の裏面図である。
フェライト基板１の上面には１２０度の角度間隔で放射
状に延在する３つの導体枝からなる中心導体２が密着形
成されており、裏面には中心導体枝と同数の３つの入出
力電極３が形成されている。また、入出力電極３とは電
気的に絶縁された状態で裏面の他の領域は導体層４が密
着形成されている。フェライト基板１の上面に形成され
た中心導体２はフェライト基板１の側面に延設された延
設部分２′を有し、その延設部分２′は裏面の入出力電
極３に達している。
第１の実施の形態について説明する。図１は本発明の第
１の実施の形態における非可逆回路素子の構造を示した
分解斜視図である。図２（ａ）は図１のフェライト基板
の上面図であり、図２（ｂ）は（ａ）の裏面図である。
フェライト基板１の上面には１２０度の角度間隔で放射
状に延在する３つの導体枝からなる中心導体２が密着形
成されており、裏面には中心導体枝と同数の３つの入出
力電極３が形成されている。また、入出力電極３とは電
気的に絶縁された状態で裏面の他の領域は導体層４が密
着形成されている。フェライト基板１の上面に形成され
た中心導体２はフェライト基板１の側面に延設された延
設部分２′を有し、その延設部分２′は裏面の入出力電
極３に達している。
【００１０】本実施例において、中心導体２、延設部分
２′、入出力電極３、導体層４は、所定の形状にメッキ
法によって銅を２０μｍの厚さで密着形成されたもので
ある。尚、材質や形成方法については他の材料、形状、
方法でも差し支えない。
２′、入出力電極３、導体層４は、所定の形状にメッキ
法によって銅を２０μｍの厚さで密着形成されたもので
ある。尚、材質や形成方法については他の材料、形状、
方法でも差し支えない。
【００１１】フェライト基板１は下側ヨーク５上に配設
され、フェライト基板１の裏面に形成された入出力電極
３は下側ヨーク５に形成されたスルーホール６を介して
下側ヨーク５の裏面に形成された外部引き出し電極７か
ら外部と接続される。上記した第１の実施の形態では下
側ヨーク５は、アース基板としての機能も兼ねており、
外部引き出し電極７とスルーホール６の周辺を除いて磁
性金属膜で被われている。フェライト基板１の上には永
久磁石８と上側ヨーク９が順次重ね合わされ、上側ヨー
ク９と下側ヨーク５によって閉磁路が形成されてサーキ
ュレータとして機能する。
され、フェライト基板１の裏面に形成された入出力電極
３は下側ヨーク５に形成されたスルーホール６を介して
下側ヨーク５の裏面に形成された外部引き出し電極７か
ら外部と接続される。上記した第１の実施の形態では下
側ヨーク５は、アース基板としての機能も兼ねており、
外部引き出し電極７とスルーホール６の周辺を除いて磁
性金属膜で被われている。フェライト基板１の上には永
久磁石８と上側ヨーク９が順次重ね合わされ、上側ヨー
ク９と下側ヨーク５によって閉磁路が形成されてサーキ
ュレータとして機能する。
【００１２】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図３は本発明の第２の実施の形態における非
可逆回路素子の構造を示した分解斜視図であり、図４
（ａ）は図３のフェライト基板の裏面を示した図であ
り、（ｂ）は（ａ）の縦断面図である。第２の実施の形
態においては、フェライト基板１の入出力電極３を除い
た部分に凹部１′が形成されている。下側ヨーク１５は
凹部１′の形状に合わせた形となっており、フェライト
基板１にはめ込まれる構造となっている。フェライト基
板１に形成された入出力電極３から直接外部に接続され
る。又、下側ヨーク７は磁性金属板で形成されており、
閉磁路形成の機能と共にアースの機能も兼ねている。フ
ェライト基板１の上には上記第１の実施の形態と同様に
永久磁石８、上側ヨーク９が順次重ねられサーキュレー
タが構成される。
説明する。図３は本発明の第２の実施の形態における非
可逆回路素子の構造を示した分解斜視図であり、図４
（ａ）は図３のフェライト基板の裏面を示した図であ
り、（ｂ）は（ａ）の縦断面図である。第２の実施の形
態においては、フェライト基板１の入出力電極３を除い
た部分に凹部１′が形成されている。下側ヨーク１５は
凹部１′の形状に合わせた形となっており、フェライト
基板１にはめ込まれる構造となっている。フェライト基
板１に形成された入出力電極３から直接外部に接続され
る。又、下側ヨーク７は磁性金属板で形成されており、
閉磁路形成の機能と共にアースの機能も兼ねている。フ
ェライト基板１の上には上記第１の実施の形態と同様に
永久磁石８、上側ヨーク９が順次重ねられサーキュレー
タが構成される。
【００１３】この第２の実施の形態では第１の実施の形
態と比較して薄型に構成することができ、更に入出力電
極が直接外部と接続されるため、組み立て時の半田付け
等の工程を省略することが可能である。
態と比較して薄型に構成することができ、更に入出力電
極が直接外部と接続されるため、組み立て時の半田付け
等の工程を省略することが可能である。
【００１４】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。図５は本発明の第３の実施の形態における非
可逆回路素子の構造を示した分解斜視図であり、図６
（ａ）は図５のフェライト基板の上面を示した図であ
り、（ｂ）は（ａ）の裏面を示した図である。本実施の
形態の基本的な構成は上記した第１の実施の形態と同様
である。本実施の形態においては、フェライト基板１上
に導体枝が１２０度の角度間隔で形成された中心導体１
２が側面上に延設される代わりにフェライト基板１に設
けられたスルーホール１２′を介して裏面に形成された
入出力電極１３と電気的に接続されている。入出力電極
１３は下側ヨーク７に形成されたスルーホール６を介し
て下側ヨーク７の裏面に形成された外部引き出し電極７
と電気的に接続され外部と接続される。
説明する。図５は本発明の第３の実施の形態における非
可逆回路素子の構造を示した分解斜視図であり、図６
（ａ）は図５のフェライト基板の上面を示した図であ
り、（ｂ）は（ａ）の裏面を示した図である。本実施の
形態の基本的な構成は上記した第１の実施の形態と同様
である。本実施の形態においては、フェライト基板１上
に導体枝が１２０度の角度間隔で形成された中心導体１
２が側面上に延設される代わりにフェライト基板１に設
けられたスルーホール１２′を介して裏面に形成された
入出力電極１３と電気的に接続されている。入出力電極
１３は下側ヨーク７に形成されたスルーホール６を介し
て下側ヨーク７の裏面に形成された外部引き出し電極７
と電気的に接続され外部と接続される。
【００１５】上記第３の実施の形態はまた、上記第２の
実施の形態で示したようなフェライト基板に凹部を形成
したものにおいても適用することが可能で、側面に延設
する部分の代わりにスルーホールによって入出力電極１
３と接続すれば良く、そこから直接外部に接続すること
ができる。その他の構成は第２の実施の形態と同様にす
ればよい。
実施の形態で示したようなフェライト基板に凹部を形成
したものにおいても適用することが可能で、側面に延設
する部分の代わりにスルーホールによって入出力電極１
３と接続すれば良く、そこから直接外部に接続すること
ができる。その他の構成は第２の実施の形態と同様にす
ればよい。
【００１６】本実施例ではサーキユレータの場合につい
て示したが、一端を終端することによってアイソレータ
を構成することもできる。また、必要に応じて補正容量
を付け加えて構成しても良い。
て示したが、一端を終端することによってアイソレータ
を構成することもできる。また、必要に応じて補正容量
を付け加えて構成しても良い。
【００１７】また、図７に示すように、フェライト１
０′の回りに誘電率の高い材料からなる誘電体１０″を
配置してなる複合基板１０を有する非可逆回路素子に応
用することも可能である。これによれば、比較的低い周
波数においても非常に小型で表面実装可能な非可逆回路
素子を提供することができる。
０′の回りに誘電率の高い材料からなる誘電体１０″を
配置してなる複合基板１０を有する非可逆回路素子に応
用することも可能である。これによれば、比較的低い周
波数においても非常に小型で表面実装可能な非可逆回路
素子を提供することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば従来できなかった非可逆回路素子の表面実装が接続部
も非常に少ない形で容易に達成することが可能になる。
ば従来できなかった非可逆回路素子の表面実装が接続部
も非常に少ない形で容易に達成することが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における非可逆回路
素子の構造を示した分解斜視図である。
素子の構造を示した分解斜視図である。
【図２】（ａ）は図１のフェライト基板の上面図であ
り、（ｂ）は（ａ）の裏面図である。
り、（ｂ）は（ａ）の裏面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態における非可逆回路
素子の構造を示した分解斜視図である。
素子の構造を示した分解斜視図である。
【図４】（ａ）は図３のフェライト基板の裏面を示した
図であり、（ｂ）は（ａ）の縦断面図である。
図であり、（ｂ）は（ａ）の縦断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態における非可逆回路
素子の構造を示した分解斜視図である。
素子の構造を示した分解斜視図である。
【図６】（ａ）は図５のフェライト基板の上面を示した
図であり、（ｂ）は（ａ）の裏面を示した図である。
図であり、（ｂ）は（ａ）の裏面を示した図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態における非可逆回路
素子の構造を示した分解斜視図である。
素子の構造を示した分解斜視図である。
１ フェライト基板 １′ 凹部 ２，１２ 中心導体 ２′ 延設部分 ３ 入出力電極 ４ 導体層 ５ 下側ヨーク ６，１２′ スルーホール ７ 外部引き出し電極 ８ 永久磁石 ９ 上側ヨーク １０ 複合基板 １０′ フェライト １０″ 誘電体
Claims (2)
- 【請求項１】 フェライト基板の上面に形成された中心
導体をストリップ線路で構成した非可逆回路素子におい
て、前記フェライト基板の裏面には前記中心導体の導体
枝と同数の入出力電極が形成され、前記裏面の前記入出
力電極形成領域以外の領域には前記入出力電極と電気的
に絶縁された状態で導体層が形成され、前記中心導体
が、前記フェライト基板の側面上に延設され、前記入出
力電極と電気的に接続されることを特徴とする非可逆回
路素子。 - 【請求項２】 フェライト基板の上面に形成された中心
導体をストリップ線路で構成した非可逆回路素子におい
て、前記フェライト基板の裏面には前記中心導体の導体
枝と同数の入出力電極が形成され、前記裏面の前記入出
力電極形成領域以外の領域には前記入出力電極と電気的
に絶縁された状態で導体層が形成され、前記中心導体が
前記入出力電極とスルーホールを介して電気的に接続さ
れることを特徴とする非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27429095A JPH09116309A (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27429095A JPH09116309A (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 非可逆回路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116309A true JPH09116309A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17539591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27429095A Pending JPH09116309A (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116309A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015525495A (ja) * | 2012-05-18 | 2015-09-03 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 挿入損性能が向上した接合型フェライトデバイスに関する装置および方法 |
| WO2018020801A1 (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子、非可逆回路モジュール、フロントエンド回路および通信装置 |
-
1995
- 1995-10-23 JP JP27429095A patent/JPH09116309A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015525495A (ja) * | 2012-05-18 | 2015-09-03 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 挿入損性能が向上した接合型フェライトデバイスに関する装置および方法 |
| WO2018020801A1 (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子、非可逆回路モジュール、フロントエンド回路および通信装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040305 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040324 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040714 |