JP2861975B2 - 平面型フィルタ素子 - Google Patents
平面型フィルタ素子Info
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- JP2861975B2 JP2861975B2 JP8291766A JP29176696A JP2861975B2 JP 2861975 B2 JP2861975 B2 JP 2861975B2 JP 8291766 A JP8291766 A JP 8291766A JP 29176696 A JP29176696 A JP 29176696A JP 2861975 B2 JP2861975 B2 JP 2861975B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体基板の表面
に複数の共振素子が形成されてなる平面型のフィルタ素
子に関する。
に複数の共振素子が形成されてなる平面型のフィルタ素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の平面型フィルタ素子の構成を図９
に示す。誘電体基板１上に複数の共振素子２が多段に形
成されている。その左端には電気信号を入力するための
入力線２ａが形成され、右端には電気信号を取り出すた
めの出力線２ｂが形成されている。入力線２ａ、出力線
２ｂには、Ａｕ等の金属電極により構成された入力端子
３、出力端子４がそれぞれ設けられている。
に示す。誘電体基板１上に複数の共振素子２が多段に形
成されている。その左端には電気信号を入力するための
入力線２ａが形成され、右端には電気信号を取り出すた
めの出力線２ｂが形成されている。入力線２ａ、出力線
２ｂには、Ａｕ等の金属電極により構成された入力端子
３、出力端子４がそれぞれ設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した複数の共振素
子２は、図９中のｘ軸方向に形成されるが、その共振素
子２の段数が少ないと、フィルタ素子の通過特性が図１
０（ａ）に示すようになり、スカート特性が低くなる。
この場合、図１０（ｂ）に示す理想的な通過特性を得る
ためには、共振素子２の段数を多くする必要がある。
子２は、図９中のｘ軸方向に形成されるが、その共振素
子２の段数が少ないと、フィルタ素子の通過特性が図１
０（ａ）に示すようになり、スカート特性が低くなる。
この場合、図１０（ｂ）に示す理想的な通過特性を得る
ためには、共振素子２の段数を多くする必要がある。
【０００４】しかしながら、共振素子２の段数を多くす
ると、複数の共振素子２の形成パターンが図９のｘ軸方
向に長くなり、１軸方向に長くなってフィルタ素子をコ
ンパクトに構成することができなくなるという問題があ
る。本発明は上記問題に鑑みたもので、複数の共振素子
を１軸方向にのみ長くすることなく、共振素子の段数を
多くしてフィルタ特性を良好にすることを目的とする。
ると、複数の共振素子２の形成パターンが図９のｘ軸方
向に長くなり、１軸方向に長くなってフィルタ素子をコ
ンパクトに構成することができなくなるという問題があ
る。本発明は上記問題に鑑みたもので、複数の共振素子
を１軸方向にのみ長くすることなく、共振素子の段数を
多くしてフィルタ特性を良好にすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１、２に記載の発明においては、複数の共振
素子（２）を第１、第２の共振素子群（２０、２１）に
分け、第１の共振素子群（２０）と第２の共振素子群
（２１）とを結合用給電線（２ｃ、２ｃ１、２ｃ２）に
よって電磁界結合するようにし、さらに第１、第２の共
振素子群（２０、２１）をｙ軸方向に対向して配置した
ことを特徴としている。
め、請求項１、２に記載の発明においては、複数の共振
素子（２）を第１、第２の共振素子群（２０、２１）に
分け、第１の共振素子群（２０）と第２の共振素子群
（２１）とを結合用給電線（２ｃ、２ｃ１、２ｃ２）に
よって電磁界結合するようにし、さらに第１、第２の共
振素子群（２０、２１）をｙ軸方向に対向して配置した
ことを特徴としている。
【０００６】従って、複数の共振素子（２）を第１、第
２の共振素子群（２０、２１）に分けるとともに、第
１、第２の共振素子群（２０、２１）をｙ軸方向、すな
わち共振素子（２）の長手方向に対向して配置すること
によって、複数の共振素子を１軸方向にのみ長くするこ
となく、共振素子の段数を多くしてフィルタ特性を良好
にすることができる。なお、１つの誘電体基板上に複数
の共振素子を形成する場合、通常、超伝導材等の導体を
成膜してそれをパターニング形成するが、従来のものの
ようにｙ軸方向に比べｘ軸方向だけを長くして共振素子
２を形成すると、ｘ軸方向の長さ分だけ成膜面積が必要
となるため成膜面積が大きくなるが、本発明によれば、
複数の共振素子を複数列に分離しているから、成膜面積
を小さくすることができる。
２の共振素子群（２０、２１）に分けるとともに、第
１、第２の共振素子群（２０、２１）をｙ軸方向、すな
わち共振素子（２）の長手方向に対向して配置すること
によって、複数の共振素子を１軸方向にのみ長くするこ
となく、共振素子の段数を多くしてフィルタ特性を良好
にすることができる。なお、１つの誘電体基板上に複数
の共振素子を形成する場合、通常、超伝導材等の導体を
成膜してそれをパターニング形成するが、従来のものの
ようにｙ軸方向に比べｘ軸方向だけを長くして共振素子
２を形成すると、ｘ軸方向の長さ分だけ成膜面積が必要
となるため成膜面積が大きくなるが、本発明によれば、
複数の共振素子を複数列に分離しているから、成膜面積
を小さくすることができる。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る平面型フィル
タ素子を分布定数型フィルタ素子に適用した種々の実施
形態について説明する。 （第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態を示す
分布定数型フィルタ素子の構成を示す。（ａ）は平面
図、（ｂ）は斜視図である。
タ素子を分布定数型フィルタ素子に適用した種々の実施
形態について説明する。 （第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態を示す
分布定数型フィルタ素子の構成を示す。（ａ）は平面
図、（ｂ）は斜視図である。
【００１２】図において、誘電体基板１上には、超伝導
材で構成された複数の共振素子２が形成されている。こ
れら複数の共振素子２は、平面的に対向配置された第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１に分離さ
れており、第１列の共振素子群２０と第２列の共振素子
群２１は、結合用給電線２ｃを介して電磁界結合されて
いる。
材で構成された複数の共振素子２が形成されている。こ
れら複数の共振素子２は、平面的に対向配置された第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１に分離さ
れており、第１列の共振素子群２０と第２列の共振素子
群２１は、結合用給電線２ｃを介して電磁界結合されて
いる。
【００１３】また、誘電体基板１上には、第１列の共振
素子群２０に電気信号を入力するための入力線２ａおよ
び第２列の共振素子群２１から電気信号を取り出すため
の出力線２ｂが設けられており、入力線２ａ、出力線２
ｂには入力端子３、出力端子４が設けられている。入力
端子３、出力端子４ともＡｕ等の金属電極により構成さ
れている。
素子群２０に電気信号を入力するための入力線２ａおよ
び第２列の共振素子群２１から電気信号を取り出すため
の出力線２ｂが設けられており、入力線２ａ、出力線２
ｂには入力端子３、出力端子４が設けられている。入力
端子３、出力端子４ともＡｕ等の金属電極により構成さ
れている。
【００１４】このような構成により、入力端子３から入
力された電気信号は、第１列の共振素子群２０、結合用
給電線２ｃ、第２列の共振素子群２１を介して出力端子
４から取り出され、所望のフィルタ特性を得ることがで
きる。なお、誘電体基板１の裏面には超伝導材で構成さ
れたグランドプレーン５が形成されている。また、この
図１に示すフィルタ素子は、図示しないケース内に取り
付けられている。
力された電気信号は、第１列の共振素子群２０、結合用
給電線２ｃ、第２列の共振素子群２１を介して出力端子
４から取り出され、所望のフィルタ特性を得ることがで
きる。なお、誘電体基板１の裏面には超伝導材で構成さ
れたグランドプレーン５が形成されている。また、この
図１に示すフィルタ素子は、図示しないケース内に取り
付けられている。
【００１５】本実施形態においては、複数の共振素子２
を２列に分離しているため、成膜面積を従来のもののよ
うに大きくすることなく、共振素子２の段数を増やし
て、理想的な通過特性を得るようにすることができる。
ここで、複数の共振素子２を２列に分離した場合、第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１との間で
不要な電磁界結合が生じ、本来の特性が得られない可能
性がある。また、入力端子３と出力端子４が同じ側（図
の左側）になるため、入力端子３から出力端子４に電波
が直接入ってしまう可能性もある。
を２列に分離しているため、成膜面積を従来のもののよ
うに大きくすることなく、共振素子２の段数を増やし
て、理想的な通過特性を得るようにすることができる。
ここで、複数の共振素子２を２列に分離した場合、第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１との間で
不要な電磁界結合が生じ、本来の特性が得られない可能
性がある。また、入力端子３と出力端子４が同じ側（図
の左側）になるため、入力端子３から出力端子４に電波
が直接入ってしまう可能性もある。
【００１６】そこで、本実施形態においては、第１列の
共振素子群２０と第２列の共振素子群２１との間に遮断
部材６を設けて、それらの間の不要な電磁界結合を遮断
するようにしている。この遮断部材６としては、金属材
料で構成した導電部材、あるいは誘電体基板の表面に金
属が形成された導電部材を用いることができる。また、
この導電部材は、図示しない接地用の端子を有して、接
地されている。
共振素子群２０と第２列の共振素子群２１との間に遮断
部材６を設けて、それらの間の不要な電磁界結合を遮断
するようにしている。この遮断部材６としては、金属材
料で構成した導電部材、あるいは誘電体基板の表面に金
属が形成された導電部材を用いることができる。また、
この導電部材は、図示しない接地用の端子を有して、接
地されている。
【００１７】図２に、遮断部材６の取り付け状態を示
す。誘電体基板１にはスリット１ａが設けられており、
角状の遮断部材６をスリット１ａに挿入することにより
遮断部材６が誘電体基板１に取り付けられる。なお、遮
断部材６の挿入により、遮断部材６とグランドプレーン
５が接触するようにすれば、遮断部材６に接地用の端子
を設けなくてよい。 （第２実施形態）第１実施形態においては、遮断部材６
の両側に入力端子３と出力端子４を近接して配置するも
のを示したが、本実施形態では、図３に示すように、入
力端子３と出力端子４を、入力線２ａおよび出力線２ｂ
上で互いに最も離れた位置に形成している。
す。誘電体基板１にはスリット１ａが設けられており、
角状の遮断部材６をスリット１ａに挿入することにより
遮断部材６が誘電体基板１に取り付けられる。なお、遮
断部材６の挿入により、遮断部材６とグランドプレーン
５が接触するようにすれば、遮断部材６に接地用の端子
を設けなくてよい。 （第２実施形態）第１実施形態においては、遮断部材６
の両側に入力端子３と出力端子４を近接して配置するも
のを示したが、本実施形態では、図３に示すように、入
力端子３と出力端子４を、入力線２ａおよび出力線２ｂ
上で互いに最も離れた位置に形成している。
【００１８】このような配置とすることにより、入力端
子３から出力端子４への電波の影響を一層低減すること
ができる。 （第３実施形態）第１実施形態では、遮断部材６として
金属材料を用いて構成するものを示したが、この場合、
第１列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１から
の電波により金属材料にうず電流が発生し、ジュール損
の問題が生じる。
子３から出力端子４への電波の影響を一層低減すること
ができる。 （第３実施形態）第１実施形態では、遮断部材６として
金属材料を用いて構成するものを示したが、この場合、
第１列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１から
の電波により金属材料にうず電流が発生し、ジュール損
の問題が生じる。
【００１９】そこで、本実施形態では、超伝導材を用い
て遮断部材６を構成し、うず電流によるジュール損の問
題をなくすようにしている。具体的には、図４に示すよ
うに、遮断部材６として、誘電体基板６ａの両面（第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１側の面）
に、超伝導材で構成した遮断面６ｂが形成されたものを
用いる。
て遮断部材６を構成し、うず電流によるジュール損の問
題をなくすようにしている。具体的には、図４に示すよ
うに、遮断部材６として、誘電体基板６ａの両面（第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１側の面）
に、超伝導材で構成した遮断面６ｂが形成されたものを
用いる。
【００２０】この図４に示す遮断部材６は、誘電体基板
１の両面に超伝導膜を形成した状態で、誘電体基板１の
端部を切断し、それを加工して得ることができる。な
お、本実施形態においても、図４に示す遮断部材６を誘
電体基板１のスリット１ａに挿入したとき、超伝導材で
構成した遮断面６ｂとグランドプレーン５とが接触する
ようにすれば、超伝導材で構成した遮断面６ｂを接地す
ることができる。 （第４実施形態）第１実施形態においては、１つの誘電
体基板１上に第１列、第２列の共振素子群２０、２１を
形成するものを示したが、第１列の共振素子群２０と第
２列の共振素子群２１を別々の誘電体基板上に形成する
ようにしてもよい。
１の両面に超伝導膜を形成した状態で、誘電体基板１の
端部を切断し、それを加工して得ることができる。な
お、本実施形態においても、図４に示す遮断部材６を誘
電体基板１のスリット１ａに挿入したとき、超伝導材で
構成した遮断面６ｂとグランドプレーン５とが接触する
ようにすれば、超伝導材で構成した遮断面６ｂを接地す
ることができる。 （第４実施形態）第１実施形態においては、１つの誘電
体基板１上に第１列、第２列の共振素子群２０、２１を
形成するものを示したが、第１列の共振素子群２０と第
２列の共振素子群２１を別々の誘電体基板上に形成する
ようにしてもよい。
【００２１】この場合の構成を図５に示す。第１の誘電
体基板１１上に第１列の共振素子群２０が形成され、第
２の誘電体基板１２上に第２列の共振素子群２１が形成
されている。また、結合用給電線２ｃは、第１、第２の
結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 に分離されている。第１、
第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 の端部には、Ａｕ等
の金属電極３０、３１がそれぞれ形成されており、その
間がＡｕワイヤ３２によるボンディングにて電気的に接
続されている。
体基板１１上に第１列の共振素子群２０が形成され、第
２の誘電体基板１２上に第２列の共振素子群２１が形成
されている。また、結合用給電線２ｃは、第１、第２の
結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 に分離されている。第１、
第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 の端部には、Ａｕ等
の金属電極３０、３１がそれぞれ形成されており、その
間がＡｕワイヤ３２によるボンディングにて電気的に接
続されている。
【００２２】また、第１、第２の誘電体基板１１、１２
の間には、第１、第３実施形態で示したのと同様の遮断
部材６が設けられている。なお、この実施形態では、第
１、第２の誘電体基板１１、１２、および遮断部材６
が、図示しないケースにそれぞれ取り付け固定されてい
る。この実施形態においても、入力端子３から入力され
た電気信号は、第１列の共振素子群２０、第１の結合用
給電線２ｃ1 、Ａｕワイヤ３２、第２の結合用給電線２
ｃ2 、および第２列の共振素子群２１を介して出力端子
４から取り出され、所望のフィルタ特性を得ることがで
きる。
の間には、第１、第３実施形態で示したのと同様の遮断
部材６が設けられている。なお、この実施形態では、第
１、第２の誘電体基板１１、１２、および遮断部材６
が、図示しないケースにそれぞれ取り付け固定されてい
る。この実施形態においても、入力端子３から入力され
た電気信号は、第１列の共振素子群２０、第１の結合用
給電線２ｃ1 、Ａｕワイヤ３２、第２の結合用給電線２
ｃ2 、および第２列の共振素子群２１を介して出力端子
４から取り出され、所望のフィルタ特性を得ることがで
きる。
【００２３】また、本実施形態においては、複数の共振
素子２を２つの誘電体基板１１、１２に分離して形成し
ているから、１つの誘電体基板における共振素子形成の
ための成膜面積を小さくすることができる。なお、図に
おいて、第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 に設
けられた三角の超伝導パターン２ｄは、インピーダンス
調整を行うためのスタブである。 （第５実施形態）第４実施形態においては、ワイヤボン
ディングを用いて第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２
ｃ2 を電気的に接続するものを示したが、本実施形態で
は、ワイヤボンディングに代えて超伝導線を用いるよう
にしている。
素子２を２つの誘電体基板１１、１２に分離して形成し
ているから、１つの誘電体基板における共振素子形成の
ための成膜面積を小さくすることができる。なお、図に
おいて、第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 に設
けられた三角の超伝導パターン２ｄは、インピーダンス
調整を行うためのスタブである。 （第５実施形態）第４実施形態においては、ワイヤボン
ディングを用いて第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２
ｃ2 を電気的に接続するものを示したが、本実施形態で
は、ワイヤボンディングに代えて超伝導線を用いるよう
にしている。
【００２４】この場合の構成を図６に示す。（ａ）は平
面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。誘電体基板３
３上に超伝導線３４が形成され、その両端がＡｕ等の金
属３５を介して第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ
2 に接続されている。 （第６実施形態）第５実施形態においては、第１、第２
の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 を超伝導線３４により接
続するようにしたものを示したが、それらを１つの結合
用給電線で構成するようにすることもできる。
面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。誘電体基板３
３上に超伝導線３４が形成され、その両端がＡｕ等の金
属３５を介して第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ
2 に接続されている。 （第６実施形態）第５実施形態においては、第１、第２
の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 を超伝導線３４により接
続するようにしたものを示したが、それらを１つの結合
用給電線で構成するようにすることもできる。
【００２５】この場合の構成を図７に示す。本実施形態
においては、図７（ａ）に示すように、誘電体基板３６
上に結合用給電線２ｃが形成され、誘電体基板３６が誘
電体基板１１、１２に取り付けられている。この場合、
図７（ｂ）の部分平面図に示すように、誘電体基板３６
と第１、第２の誘電体基板１１、１２は、バンプ３７を
用いて位置決め固定されている。 （第７実施形態）上述した種々の実施形態においては、
遮断部材６を設けて、第１列、第２列の共振素子群２
０、２１間の電磁界結合を遮断するものを示したが、そ
の電磁界結合は距離の２乗に比例して減衰するので、図
８に示すように、第１列の共振素子群２０と第２列の共
振素子群２１との間の距離を大きくとり、また、入力端
子３と出力端子４を第２実施形態で示したように入力線
２ａおよび出力線２ｂ上で互いに最も離れた位置に形成
すれば、遮断部材６を設けなくても、第１列、第２列の
共振素子群２０、２１間の電磁界結合および入力端子３
から出力端子４への電波の影響をほとんど受けることが
ないようにすることができる。
においては、図７（ａ）に示すように、誘電体基板３６
上に結合用給電線２ｃが形成され、誘電体基板３６が誘
電体基板１１、１２に取り付けられている。この場合、
図７（ｂ）の部分平面図に示すように、誘電体基板３６
と第１、第２の誘電体基板１１、１２は、バンプ３７を
用いて位置決め固定されている。 （第７実施形態）上述した種々の実施形態においては、
遮断部材６を設けて、第１列、第２列の共振素子群２
０、２１間の電磁界結合を遮断するものを示したが、そ
の電磁界結合は距離の２乗に比例して減衰するので、図
８に示すように、第１列の共振素子群２０と第２列の共
振素子群２１との間の距離を大きくとり、また、入力端
子３と出力端子４を第２実施形態で示したように入力線
２ａおよび出力線２ｂ上で互いに最も離れた位置に形成
すれば、遮断部材６を設けなくても、第１列、第２列の
共振素子群２０、２１間の電磁界結合および入力端子３
から出力端子４への電波の影響をほとんど受けることが
ないようにすることができる。
【００２６】なお、上述した種々の実施形態において、
複数の共振素子２を２列に分離したものを示したが、そ
れよりも多くの複数列に分離してもよい。また、上述し
た種々の実施形態は、それ単独でも、あるいは必要に応
じて実施形態同志を組み合わせて構成することもでき、
さらに本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で適宜変更が可
能である。
複数の共振素子２を２列に分離したものを示したが、そ
れよりも多くの複数列に分離してもよい。また、上述し
た種々の実施形態は、それ単独でも、あるいは必要に応
じて実施形態同志を組み合わせて構成することもでき、
さらに本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で適宜変更が可
能である。
【００２７】さらに、本発明は分布定数型フィルタに限
らず集中定数型フィルタ素子にも適用することができ
る。
らず集中定数型フィルタ素子にも適用することができ
る。
【図１】本発明の第１実施形態を示すフィルタ素子の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】図１に示す構成において、遮断部材６を誘電体
基板１に取り付ける状態を示す図である。
基板１に取り付ける状態を示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態を示すフィルタ素子の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態における遮断部材６の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図５】本発明の第４実施形態を示すフィルタ素子の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図６】本発明の第５実施形態を示すフィルタ素子の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図７】本発明の第６実施形態における結合用給電線の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図８】本発明の第７実施形態を示すフィルタ素子の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図９】従来のフィルタ素子の構成を示す図である。
【図１０】フィルタ素子の特性を示す図である。
１…誘電体基板、２…共振素子、２ａ…入力線、２ｂ…
出力線、３…入力端子、４…出力端子、５…グランドプ
レーン、６…遮断部材、２０…第１列の共振素子群、２
１…第２列の共振素子群。
出力線、３…入力端子、４…出力端子、５…グランドプ
レーン、６…遮断部材、２０…第１列の共振素子群、２
１…第２列の共振素子群。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 祥樹 愛知県日進市米野木町南山500番地１ 株式会社 移動体通信先端技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−19301（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−193302（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−215202（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−13786（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−363078（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−305702（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−98986（ＪＰ，Ａ) ソ連国特許発明1385165（ＳＵ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01P 1/203
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の誘電体基板（１１）と、 前記第１の誘電体基板（１１）の表面に形成され、長手
方向をｙ軸方向とする複数の共振素子（２）がｘ軸方向
に並んで構成された第１の共振素子群（２０）と、 前記第１の誘電体基板（１１）の表面に形成された第１
の結合用給電線（２ｃ １ ）と、 第２の誘電体基板（１２）と、 前記第２の誘電体基板（１２）の表面に形成され、長手
方向をｙ軸方向とする複数の共振素予（２）がｘ軸方向
に並んで構成された第２の共振素子群（２１）と、 前記第２の誘電体基板（１２）の表面に形成された第２
の結合用給電線（２ｃ ２ ）と、 前記第１の結合用給電線（２ｃ １ ）と前記第２の結合用
給電線（２ｃ ２ ）とを電気的に接続する接続手段（３
２、３３〜３５）とを備え、 前記第１の共振素子群（２０）と前記第２の共振素子群
（２１）がｙ軸方向に対向して配置されてなる平面型フ
ィルタ素子であって、 前記第１、第２の共振素子群（２０、２１）における前
記複数の共振素子（２）および前記第１、第２の結合用
給電線（２ｃ １ 、２ｃ ２ ）が超伝導材で構成されてお
り、 前記接続手段（３３〜３５）は、第３の誘電体基板（３
３）と、この第３の誘電体基板（３３）の表面に形成さ
れた超伝導線（３４）と、この超伝導線（３４）と前記
第１、第２の結合用給電線（２ｃ １ 、２ｃ ２ ）のそれぞ
れ間に介在して両者を接続する金属（３５）から構成さ
れている ことを特徴とする平面型フィルタ素子。 - 【請求項２】 第１の誘電体基板（１１）と、 前記第１の誘電体基板（１１）の表面に形成され、長手
方向をｙ軸方向とする複数の共振素子（２）がｘ軸方向
に並んで構成された第１の共振素予群（２０）と、 第２の誘電体基板（１２）と、 前記第２の誘電体基板（１２）の表面に形成され、長手
方向をｙ軸方向とする複数の共振素子（２）がｘ軸方向
に並んで構成された第２の共振素子群（２１）と、 表面に結合用給電線（２ｃ）が形成され、この結合用給
電線（２ｃ）を介して前記第１の共振素子群（２０）と
前記第２の共振素子群（２１）とが電磁界結合されるよ
うに、前記第１、第２の誘電体基板（１１、１２）の上
に固定された第３の誘電体基板（３６）とを備え、 前記第１の共振素子群（２０）と前記第２の共振素子群
（２１）がｙ軸方向に対向して配置されてなる平面型フ
ィルタ素子であって、 前記第１、第２の共振素子群（２０、２１）における前
記複数の共振素子（２）および前記結合用給電線（２
ｃ）が超伝導材で構成されており、 前記第３の誘電体基板（３６）が前記第１、第２の誘電
体基板（１１、１２）の上にバンプ（３７）によって位
置決め固定されている ことを特徴とする平面型フィルタ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8291766A JP2861975B2 (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 平面型フィルタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8291766A JP2861975B2 (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 平面型フィルタ素子 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH10135706A JPH10135706A (ja) | 1998-05-22 |
| JP2861975B2 true JP2861975B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=17773148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8291766A Expired - Lifetime JP2861975B2 (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 平面型フィルタ素子 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2861975B2 (ja) |
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| SU1385165A1 (ru) | 1986-03-28 | 1988-03-30 | Московский Электротехнический Институт Связи | Микрополосковый решетчатый фильтр |
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| JPS62193302A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 帯域通過フイルタ |
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-
1996
- 1996-11-01 JP JP8291766A patent/JP2861975B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1385165A1 (ru) | 1986-03-28 | 1988-03-30 | Московский Электротехнический Институт Связи | Микрополосковый решетчатый фильтр |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10135706A (ja) | 1998-05-22 |
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