JPH06188603A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
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- JPH06188603A JPH06188603A JP4355321A JP35532192A JPH06188603A JP H06188603 A JPH06188603 A JP H06188603A JP 4355321 A JP4355321 A JP 4355321A JP 35532192 A JP35532192 A JP 35532192A JP H06188603 A JPH06188603 A JP H06188603A
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- ground
- microwave circuit
- ground layer
- dielectric film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波回路の接続部での電気長を等しく
し、さらに、その接続部と左右に配置されたマイクロ波
回路とのインピーダンスを一致させることにより良好な
定在波比を有するマイクロ波回路を得ることを目的とす
る。 【構成】 基板３ａ，３ｂ上に第１の貫通孔９ａ，９ｂ
を介して第１のグランド層２ａ，２ｂと導通されたグラ
ンド端子１１ａ，１１ｂを設け、第２のＲＦライン１３
とグランドライン１４とが形成された誘電体フィルム１
２により、基板３ａ，３ｂ間のＲＦライン４ａ，４ｂお
よびグランド端子１１ａ，１１ｂ間を接続したものであ
る。
し、さらに、その接続部と左右に配置されたマイクロ波
回路とのインピーダンスを一致させることにより良好な
定在波比を有するマイクロ波回路を得ることを目的とす
る。 【構成】 基板３ａ，３ｂ上に第１の貫通孔９ａ，９ｂ
を介して第１のグランド層２ａ，２ｂと導通されたグラ
ンド端子１１ａ，１１ｂを設け、第２のＲＦライン１３
とグランドライン１４とが形成された誘電体フィルム１
２により、基板３ａ，３ｂ間のＲＦライン４ａ，４ｂお
よびグランド端子１１ａ，１１ｂ間を接続したものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波の変換お
よび伝送等を行うマイクロ波回路に関するものである。
よび伝送等を行うマイクロ波回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のマイクロ波回路の接続部を
示す斜視図、図８はその側面図であり、図において、１
はベース部であり導体で作られている。２ａ，２ｂはベ
ース部１上に配置されたグランド層（層厚０．５〜１．
０ｍｍ程度）、３ａ，３ｂはそれらグランド層２ａ，２
ｂ上に配置された基板（板厚１００〜１５０μｍ程
度）、４ａ，４ｂはそれら基板３ａ，３ｂ上に形成さ
れ、マイクロ波を伝送するＲＦライン、５ａ，５ｂはＲ
Ｆライン４ａ，４ｂの端部に設けられたＲＦ信号接続端
子である。６はＲＦ信号接続端子５ａ，５ｂにボンディ
ングされ、ＲＦライン４ａからのＲＦ信号をＲＦライン
４ｂに伝送する金リボンである。なお、グランド層２
ａ，２ｂは上記マイクロ波回路をサブデバイスとして組
み立てた場合、導電路となる。
示す斜視図、図８はその側面図であり、図において、１
はベース部であり導体で作られている。２ａ，２ｂはベ
ース部１上に配置されたグランド層（層厚０．５〜１．
０ｍｍ程度）、３ａ，３ｂはそれらグランド層２ａ，２
ｂ上に配置された基板（板厚１００〜１５０μｍ程
度）、４ａ，４ｂはそれら基板３ａ，３ｂ上に形成さ
れ、マイクロ波を伝送するＲＦライン、５ａ，５ｂはＲ
Ｆライン４ａ，４ｂの端部に設けられたＲＦ信号接続端
子である。６はＲＦ信号接続端子５ａ，５ｂにボンディ
ングされ、ＲＦライン４ａからのＲＦ信号をＲＦライン
４ｂに伝送する金リボンである。なお、グランド層２
ａ，２ｂは上記マイクロ波回路をサブデバイスとして組
み立てた場合、導電路となる。
【０００３】次に動作について説明する。図の左側のマ
イクロ波回路をより伝送してきたＲＦ信号は、ＲＦ信号
接続端子５ａに接続された金リボン６を介して図に破線
で示す経路７を通り右側のマイクロ波回路に伝送され
る。また、左側のマイクロ波回路より右側のマイクロ波
回路に伝送される信号は、金リボン６を通る成分の他
に、破線で示す経路８のように、グランド層２ａ，ベー
ス部１，グランド層２ｂを通る経路がある。このような
マイクロ波回路で、理想的に信号伝送を行うためには、
経路７と経路８との電気長を等しくし、かつ、ＲＦ信号
接続端子５ａ，５ｂでインピーダンス変化が生じないこ
とが条件となる。
イクロ波回路をより伝送してきたＲＦ信号は、ＲＦ信号
接続端子５ａに接続された金リボン６を介して図に破線
で示す経路７を通り右側のマイクロ波回路に伝送され
る。また、左側のマイクロ波回路より右側のマイクロ波
回路に伝送される信号は、金リボン６を通る成分の他
に、破線で示す経路８のように、グランド層２ａ，ベー
ス部１，グランド層２ｂを通る経路がある。このような
マイクロ波回路で、理想的に信号伝送を行うためには、
経路７と経路８との電気長を等しくし、かつ、ＲＦ信号
接続端子５ａ，５ｂでインピーダンス変化が生じないこ
とが条件となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波回路
は以上のように構成されているので、金リボン６等によ
り、経路７と経路８との電気長に差が生じ、マイクロ波
回路の接続部での位相差が生じ、ＲＦ信号の伝達の度合
いである定在波比（ＶＳＷＲ特性）が悪化するなどの問
題点があった。また、ＲＦ信号接続端子５ａ，５ｂ間に
接続された金リボン６のインピーダンスは左右に配置さ
れたマイクロ波回路のインピーダンスと一致せず、ま
た、その金リボン６のインピーダンスを調整するための
スペースもＲＦ信号接続端子５ａ，５ｂにはなく、した
がって、インピーダンスの不連続によって、さらに、定
在波比が悪化するなどの問題点があった。
は以上のように構成されているので、金リボン６等によ
り、経路７と経路８との電気長に差が生じ、マイクロ波
回路の接続部での位相差が生じ、ＲＦ信号の伝達の度合
いである定在波比（ＶＳＷＲ特性）が悪化するなどの問
題点があった。また、ＲＦ信号接続端子５ａ，５ｂ間に
接続された金リボン６のインピーダンスは左右に配置さ
れたマイクロ波回路のインピーダンスと一致せず、ま
た、その金リボン６のインピーダンスを調整するための
スペースもＲＦ信号接続端子５ａ，５ｂにはなく、した
がって、インピーダンスの不連続によって、さらに、定
在波比が悪化するなどの問題点があった。
【０００５】請求項１の発明は上記のような問題点を解
消するためになされたもので、マイクロ波回路の接続部
での電気長を等しくし、さらに、その接続部と左右に配
置されたマイクロ波回路とのインピーダンスを一致させ
ることにより良好な定在波比を有するマイクロ波回路を
得ることを目的とする。
消するためになされたもので、マイクロ波回路の接続部
での電気長を等しくし、さらに、その接続部と左右に配
置されたマイクロ波回路とのインピーダンスを一致させ
ることにより良好な定在波比を有するマイクロ波回路を
得ることを目的とする。
【０００６】請求項２の発明は、グランド層を強化する
ことにより、さらに、安定したグランド層を有するマイ
クロ波回路を得ることを目的とする。
ことにより、さらに、安定したグランド層を有するマイ
クロ波回路を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るマ
イクロ波回路は、基板上に第１の貫通孔を介して第１の
グランド層と導通されたグランド端子を設け、第２のＲ
Ｆラインとグランドラインとが形成された誘電体フィル
ムにより、基板間のＲＦラインおよびグランド端子間を
接続したものである。
イクロ波回路は、基板上に第１の貫通孔を介して第１の
グランド層と導通されたグランド端子を設け、第２のＲ
Ｆラインとグランドラインとが形成された誘電体フィル
ムにより、基板間のＲＦラインおよびグランド端子間を
接続したものである。
【０００８】請求項２の発明に係るマイクロ波回路は、
基板上に第１の貫通孔を介して第１のグランド層と導通
されたグランド端子を設け、表面上に第２のＲＦライン
とグランドラインとが形成されると共にその裏面上に第
２のグランド層が形成されそのグランドラインと第２の
グランド層とが第２の貫通孔を介して導通された誘電体
フィルムにより、基板間のＲＦラインおよびグランド端
子間を接続したものである。
基板上に第１の貫通孔を介して第１のグランド層と導通
されたグランド端子を設け、表面上に第２のＲＦライン
とグランドラインとが形成されると共にその裏面上に第
２のグランド層が形成されそのグランドラインと第２の
グランド層とが第２の貫通孔を介して導通された誘電体
フィルムにより、基板間のＲＦラインおよびグランド端
子間を接続したものである。
【０００９】
【作用】請求項１の発明におけるマイクロ波回路は、第
２のＲＦラインとグランドラインとが形成された誘電体
フィルムにより、基板間のＲＦラインおよびグランド端
子間の電気長を等しくし、したがって、基板間での位相
差の発生を防ぐ。また、誘電体フィルムの第２のＲＦラ
インとグランドラインは、その電気長および幅の調整を
容易にする。したがって、左右に配置されたマイクロ波
回路とのインピーダンスの調整を容易にする。
２のＲＦラインとグランドラインとが形成された誘電体
フィルムにより、基板間のＲＦラインおよびグランド端
子間の電気長を等しくし、したがって、基板間での位相
差の発生を防ぐ。また、誘電体フィルムの第２のＲＦラ
インとグランドラインは、その電気長および幅の調整を
容易にする。したがって、左右に配置されたマイクロ波
回路とのインピーダンスの調整を容易にする。
【００１０】請求項２の発明におけるマイクロ波回路
は、表面上に第２のＲＦラインとグランドラインとが形
成された誘電体フィルムにより、基板間のＲＦラインお
よびグランド端子間の電気長を等しくし、したがって、
基板間での位相差の発生を防ぐ。また、誘電体フィルム
の第２のＲＦラインとグランドラインは、その電気長お
よび幅の調整を容易にする。したがって、左右に配置さ
れたマイクロ波回路とのインピーダンスの調整を容易に
する。さらに、誘電体フィルムの裏面上に形成され第２
の貫通孔を介してグランドラインと導通された第２のグ
ランド層により、グランド層の電荷の保有容量が増大し
グランド層を強化する。
は、表面上に第２のＲＦラインとグランドラインとが形
成された誘電体フィルムにより、基板間のＲＦラインお
よびグランド端子間の電気長を等しくし、したがって、
基板間での位相差の発生を防ぐ。また、誘電体フィルム
の第２のＲＦラインとグランドラインは、その電気長お
よび幅の調整を容易にする。したがって、左右に配置さ
れたマイクロ波回路とのインピーダンスの調整を容易に
する。さらに、誘電体フィルムの裏面上に形成され第２
の貫通孔を介してグランドラインと導通された第２のグ
ランド層により、グランド層の電荷の保有容量が増大し
グランド層を強化する。
【００１１】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１は請求項１の発明の一実施例によ
るマイクロ波回路の接続部を示す斜視図、図２はその側
面図であり、従来技術である図７と図８に示した相当部
分には同一符号を付しその説明を省略する。図におい
て、９ａ，９ｂは左右の基板３ａ，３ｂを貫通させて設
けられたスルーホールまたはバイアホール等の貫通孔
（第１の貫通孔）、１０ａ，１０ｂは基板３ａ，３ｂ上
に形成され貫通孔９ａ，９ｂを介してグランド層（第１
のグランド層）２ａ，２ｂと導通されたグランド部、１
１ａ，１１ｂはグランド部１０ａ，１０ｂと接続された
グランド端子である。
ついて説明する。図１は請求項１の発明の一実施例によ
るマイクロ波回路の接続部を示す斜視図、図２はその側
面図であり、従来技術である図７と図８に示した相当部
分には同一符号を付しその説明を省略する。図におい
て、９ａ，９ｂは左右の基板３ａ，３ｂを貫通させて設
けられたスルーホールまたはバイアホール等の貫通孔
（第１の貫通孔）、１０ａ，１０ｂは基板３ａ，３ｂ上
に形成され貫通孔９ａ，９ｂを介してグランド層（第１
のグランド層）２ａ，２ｂと導通されたグランド部、１
１ａ，１１ｂはグランド部１０ａ，１０ｂと接続された
グランド端子である。
【００１２】１２は誘電体フィルムであり、表面上にＲ
Ｆライン（第２のＲＦライン）１３とグランドライン１
４とで構成されるコプレーナラインが形成されている。
このＲＦライン１３はＲＦライン（第１のＲＦライン）
４ａ，４ｂの端部に設けられたＲＦ信号接続端子５ａ，
５ｂに接続され、また、グランドライン１４は基板３
ａ，３ｂ上に形成されたグランド端子１１ａ，１１ｂに
例えば熱圧着等により接続される。なお、誘電体フィル
ム１２の具体的構成を図３の平面図、および図４の側面
図で示す。
Ｆライン（第２のＲＦライン）１３とグランドライン１
４とで構成されるコプレーナラインが形成されている。
このＲＦライン１３はＲＦライン（第１のＲＦライン）
４ａ，４ｂの端部に設けられたＲＦ信号接続端子５ａ，
５ｂに接続され、また、グランドライン１４は基板３
ａ，３ｂ上に形成されたグランド端子１１ａ，１１ｂに
例えば熱圧着等により接続される。なお、誘電体フィル
ム１２の具体的構成を図３の平面図、および図４の側面
図で示す。
【００１３】次に動作について説明する。図の左側のマ
イクロ波回路をより伝送してきたＲＦ信号は、ＲＦ信号
接続端子５ａに接続された誘電体フィルム１２のＲＦラ
イン１３を通り右側のマイクロ波回路に伝送される。ま
た、左側のマイクロ波回路より右側のマイクロ波回路に
伝送される信号は、ＲＦライン１３を通る成分の他に、
グランド層２ａ，貫通孔９ａ，グランド部１０ａ，グラ
ンド端子１１ａ，グランドライン１４，グランド端子１
１ｂ，グランド部１０ｂ，貫通孔９ｂ，グランド層２ｂ
を通る経路がある。従来技術では図８に示したように２
つの電気長の差により、マイクロ波回路の接続部での位
相差が生じたが、この実施例１の構成によれば、誘電体
フィルム１２の表面上に形成されたＲＦライン１３とグ
ランドライン１４とに信号が伝送されるので、２つの電
気長に差が生じることはなく、マイクロ波回路の接続部
での位相を一致させることができ、定在波比を良好にす
ることができる。なお、グランドライン１４を伝送する
信号は貫通孔９ａ，９ｂ分の電気長だけ長くなるが、貫
通孔９ａ，９ｂの長さは、基板厚（板厚１００〜１５０
μｍ程度）と同一なので小さく無視することができる。
イクロ波回路をより伝送してきたＲＦ信号は、ＲＦ信号
接続端子５ａに接続された誘電体フィルム１２のＲＦラ
イン１３を通り右側のマイクロ波回路に伝送される。ま
た、左側のマイクロ波回路より右側のマイクロ波回路に
伝送される信号は、ＲＦライン１３を通る成分の他に、
グランド層２ａ，貫通孔９ａ，グランド部１０ａ，グラ
ンド端子１１ａ，グランドライン１４，グランド端子１
１ｂ，グランド部１０ｂ，貫通孔９ｂ，グランド層２ｂ
を通る経路がある。従来技術では図８に示したように２
つの電気長の差により、マイクロ波回路の接続部での位
相差が生じたが、この実施例１の構成によれば、誘電体
フィルム１２の表面上に形成されたＲＦライン１３とグ
ランドライン１４とに信号が伝送されるので、２つの電
気長に差が生じることはなく、マイクロ波回路の接続部
での位相を一致させることができ、定在波比を良好にす
ることができる。なお、グランドライン１４を伝送する
信号は貫通孔９ａ，９ｂ分の電気長だけ長くなるが、貫
通孔９ａ，９ｂの長さは、基板厚（板厚１００〜１５０
μｍ程度）と同一なので小さく無視することができる。
【００１４】また、誘電体フィルムの表面上にＲＦライ
ン１３とグランドライン１４とで構成されるコプレーナ
ラインのライン長（誘電体フィルムの横幅に相当）と、
ＲＦライン１３とグランドライン１４とのライン幅を考
慮することにより、左右のマイクロ波回路が有するイン
ピーダンスとコプレーナラインが有するインピーダンス
とを容易に一致させることができる。したがって、従来
技術では金リボン６のインピーダンスと、左右に配置さ
れたマイクロ波回路のインピーダンスとの不連続によっ
て定在波比が悪化したが、この実施例１の構成によれ
ば、インピーダンスの不連続は生じないので定在波比は
悪化することはない。
ン１３とグランドライン１４とで構成されるコプレーナ
ラインのライン長（誘電体フィルムの横幅に相当）と、
ＲＦライン１３とグランドライン１４とのライン幅を考
慮することにより、左右のマイクロ波回路が有するイン
ピーダンスとコプレーナラインが有するインピーダンス
とを容易に一致させることができる。したがって、従来
技術では金リボン６のインピーダンスと、左右に配置さ
れたマイクロ波回路のインピーダンスとの不連続によっ
て定在波比が悪化したが、この実施例１の構成によれ
ば、インピーダンスの不連続は生じないので定在波比は
悪化することはない。
【００１５】また、この実施例１の構成によれば、コプ
レーナラインであるＲＦライン１３とグランドライン１
４とを、基板３ａ，３ｂ上に形成されたＲＦ信号接続端
子５ａ，５ｂとグランド端子１１ａ，１１ｂとに熱圧着
等により接続することができるので、従来技術のように
ＲＦ信号接続端子５ａ，５ｂに金リボン６をボンディン
グする構成に比べて、製作を容易にすることができ、さ
らに、上記コプレーナラインを単位として製作すれば、
安価に製作することができる。
レーナラインであるＲＦライン１３とグランドライン１
４とを、基板３ａ，３ｂ上に形成されたＲＦ信号接続端
子５ａ，５ｂとグランド端子１１ａ，１１ｂとに熱圧着
等により接続することができるので、従来技術のように
ＲＦ信号接続端子５ａ，５ｂに金リボン６をボンディン
グする構成に比べて、製作を容易にすることができ、さ
らに、上記コプレーナラインを単位として製作すれば、
安価に製作することができる。
【００１６】実施例２．図５は請求項２の発明の一実施
例による誘電体フィルムを示す平面図、図６はその側面
図であり、図において、１５は誘電体フィルム１２の表
面上に形成されたグランドライン１４に設けられた複数
のスルーホールまたはバイアホール等の貫通孔（第２の
貫通孔）、１６は誘電体フィルム１２の裏面上に形成さ
れたグランド層（第２のグランド層）であり、上記グラ
ンドライン１４とグランド層１６とは貫通孔１５により
導通されている。したがって、この実施例２の構成によ
れば、グランド層１６により、グランド層の電荷の保有
容量を増大させることができグランド層を強化すること
ができる。また、貫通孔１５を複数設けることにより、
グランドライン１４からグランド層１６に電荷が流れや
すく、さらに、インダクタンスを小さくする効果があ
る。
例による誘電体フィルムを示す平面図、図６はその側面
図であり、図において、１５は誘電体フィルム１２の表
面上に形成されたグランドライン１４に設けられた複数
のスルーホールまたはバイアホール等の貫通孔（第２の
貫通孔）、１６は誘電体フィルム１２の裏面上に形成さ
れたグランド層（第２のグランド層）であり、上記グラ
ンドライン１４とグランド層１６とは貫通孔１５により
導通されている。したがって、この実施例２の構成によ
れば、グランド層１６により、グランド層の電荷の保有
容量を増大させることができグランド層を強化すること
ができる。また、貫通孔１５を複数設けることにより、
グランドライン１４からグランド層１６に電荷が流れや
すく、さらに、インダクタンスを小さくする効果があ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、基板上に第１の貫通孔を介して第１のグランド層と
導通されたグランド端子を設け、第２のＲＦラインとグ
ランドラインとが形成された誘電体フィルムにより、基
板間のＲＦラインおよびグランド端子間を接続するよう
に構成したので、誘電体フィルムに形成された第２のＲ
Ｆラインとグランドラインとにより、基板間のＲＦライ
ンおよびグランド端子間の電気長が等しくなり、基板間
での位相差の発生を防ぐことができ、定在波比を良好に
することができる。また、誘電体フィルムの第２のＲＦ
ラインとグランドラインは、その電気長および幅の調整
を容易にすることができ、左右に配置されたマイクロ波
回路とのインピーダンスを容易に一致させることがで
き、したがって、さらに、定在波比を良好にすることが
できる効果がある。
ば、基板上に第１の貫通孔を介して第１のグランド層と
導通されたグランド端子を設け、第２のＲＦラインとグ
ランドラインとが形成された誘電体フィルムにより、基
板間のＲＦラインおよびグランド端子間を接続するよう
に構成したので、誘電体フィルムに形成された第２のＲ
Ｆラインとグランドラインとにより、基板間のＲＦライ
ンおよびグランド端子間の電気長が等しくなり、基板間
での位相差の発生を防ぐことができ、定在波比を良好に
することができる。また、誘電体フィルムの第２のＲＦ
ラインとグランドラインは、その電気長および幅の調整
を容易にすることができ、左右に配置されたマイクロ波
回路とのインピーダンスを容易に一致させることがで
き、したがって、さらに、定在波比を良好にすることが
できる効果がある。
【００１８】請求項２の発明によれば、基板上に第１の
貫通孔を介して第１のグランド層と導通されたグランド
端子を設け、表面上に第２のＲＦラインとグランドライ
ンとが形成されると共にその裏面上に第２のグランド層
が形成されそのグランドラインと第２のグランド層とが
第２の貫通孔を介して導通された誘電体フィルムによ
り、基板間のＲＦラインおよびグランド端子間を接続す
るように構成したので、誘電体フィルムに形成された第
２のＲＦラインとグランドラインとにより、基板間のＲ
Ｆラインおよびグランド端子間の電気長が等しくなり、
基板間での位相差の発生を防ぐことができ、定在波比を
良好にすることができる。また、誘電体フィルムの第２
のＲＦラインとグランドラインは、その電気長および幅
の調整を容易にすることができ、左右に配置されたマイ
クロ波回路とのインピーダンスを容易に一致させること
ができ、したがって、さらに、定在波比を良好にするこ
とができる効果がある。また、誘電体フィルムの裏面上
に形成され第２の貫通孔を介してグランドラインと導通
された第２のグランド層により、グランド層の電荷の保
有容量を増大させることができグランド層を強化するこ
とができる効果がある。
貫通孔を介して第１のグランド層と導通されたグランド
端子を設け、表面上に第２のＲＦラインとグランドライ
ンとが形成されると共にその裏面上に第２のグランド層
が形成されそのグランドラインと第２のグランド層とが
第２の貫通孔を介して導通された誘電体フィルムによ
り、基板間のＲＦラインおよびグランド端子間を接続す
るように構成したので、誘電体フィルムに形成された第
２のＲＦラインとグランドラインとにより、基板間のＲ
Ｆラインおよびグランド端子間の電気長が等しくなり、
基板間での位相差の発生を防ぐことができ、定在波比を
良好にすることができる。また、誘電体フィルムの第２
のＲＦラインとグランドラインは、その電気長および幅
の調整を容易にすることができ、左右に配置されたマイ
クロ波回路とのインピーダンスを容易に一致させること
ができ、したがって、さらに、定在波比を良好にするこ
とができる効果がある。また、誘電体フィルムの裏面上
に形成され第２の貫通孔を介してグランドラインと導通
された第２のグランド層により、グランド層の電荷の保
有容量を増大させることができグランド層を強化するこ
とができる効果がある。
【図１】請求項１の発明の一実施例によるマイクロ波回
路の接続部を示す斜視図である。
路の接続部を示す斜視図である。
【図２】図１の側面図である。
【図３】誘電体フィルムの具体的構成を示す平面図であ
る。
る。
【図４】図３の側面図である。
【図５】請求項２の発明の一実施例による誘電体フィル
ムを示す平面図である。
ムを示す平面図である。
【図６】図５の側面図である。
【図７】従来のマイクロ波回路の接続部を示す斜視図で
ある。
ある。
【図８】図７の側面図である。
１ ベース部 ２ａ，２ｂ グランド層（第１のグランド層） ３ａ，３ｂ 基板 ４ａ，４ｂ ＲＦライン（第１のＲＦライン） ９ａ，９ｂ 貫通孔（第１の貫通孔） １１ａ，１１ｂ グランド端子 １２ 誘電体フィルム １３ ＲＦライン（第２のＲＦライン） １４ グランドライン １５ 貫通孔（第２の貫通孔） １６ グランド層（第２のグランド層）
Claims (2)
- 【請求項１】 ベース部上に少なくとも２枚以上配置さ
れた第１のグランド層と、それら各第１のグランド層上
に配置された基板と、それら基板上に形成されマイクロ
波を伝送する第１のＲＦラインと、上記基板に設けられ
た第１の貫通孔を介して上記第１のグランド層と導通さ
れその基板上に配置されたグランド端子と、第２のＲＦ
ラインとグランドラインとが形成され、上記基板間のＲ
Ｆラインをその第２のＲＦラインで接続すると共に上記
グランド端子間をそのグランドラインで接続する誘電体
フィルムとを備えたマイクロ波回路。 - 【請求項２】 ベース部上に少なくとも２枚以上配置さ
れた第１のグランド層と、それら各第１のグランド層上
に配置された基板と、それら基板上に形成されマイクロ
波を伝送する第１のＲＦラインと、上記基板に設けられ
た第１の貫通孔を介して上記第１のグランド層と導通さ
れその基板上に配置されたグランド端子と、表面上に第
２のＲＦラインとグランドラインとが形成されると共に
その裏面上に第２のグランド層が形成されそのグランド
ラインと第２のグランド層とが第２の貫通孔を介して導
通され、上記基板間のＲＦラインをその第２のＲＦライ
ンで接続すると共に上記グランド端子間をそのグランド
ラインで接続する誘電体フィルムとを備えたマイクロ波
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355321A JPH06188603A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355321A JPH06188603A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188603A true JPH06188603A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18443249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4355321A Pending JPH06188603A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | マイクロ波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188603A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09223906A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Nec Corp | マイクロ波ミリ波集積回路基板間接続方法 |
| JPH10135706A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Idotai Tsushin Sentan Gijutsu Kenkyusho:Kk | 平面型フィルタ素子 |
| US6331806B1 (en) * | 1996-04-24 | 2001-12-18 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Microwave circuit package and edge conductor structure |
| WO2013094471A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波信号線路及び電子機器 |
| US8604891B2 (en) | 2008-03-27 | 2013-12-10 | Nec Corporation | High frequency substrate including a signal line breaking portion coupled by a capacitor |
| CN103733427A (zh) * | 2012-02-03 | 2014-04-16 | 株式会社村田制作所 | 高频信号传输线路及电子设备 |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP4355321A patent/JPH06188603A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09223906A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Nec Corp | マイクロ波ミリ波集積回路基板間接続方法 |
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| JPH10135706A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Idotai Tsushin Sentan Gijutsu Kenkyusho:Kk | 平面型フィルタ素子 |
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| WO2013094471A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波信号線路及び電子機器 |
| CN103733425A (zh) * | 2011-12-22 | 2014-04-16 | 株式会社村田制作所 | 高频信号线路及电子设备 |
| JPWO2013094471A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2015-04-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波信号線路及び電子機器 |
| CN105070997A (zh) * | 2011-12-22 | 2015-11-18 | 株式会社村田制作所 | 高频信号线路及电子设备 |
| US9401534B2 (en) | 2011-12-22 | 2016-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency signal line and electronic device |
| CN103733427A (zh) * | 2012-02-03 | 2014-04-16 | 株式会社村田制作所 | 高频信号传输线路及电子设备 |
| CN103733427B (zh) * | 2012-02-03 | 2015-08-26 | 株式会社村田制作所 | 高频信号传输线路及电子设备 |
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