JPWO2013094471A1 - 高周波信号線路及び電子機器 - Google Patents

Abstract

折り曲げて用いることが容易な高周波信号線路及び電子機器を提供することである。
誘電体素体（１２）は、可撓性を有する複数の誘電体シート（１８）が積層されて構成されている。線状の信号線（２０）は、誘電体素体（１２）に設けられている。グランド導体（２２）は、誘電体素体（１２）に設けられており、信号線（２０）の一部を含む領域（Ｅ１）において信号線（２０）と対向せず、かつ、領域（Ｅ１）に隣接する領域（Ｅ２）において信号線（２０）と対向している。グランド導体（２６）は、領域（Ｅ１）において信号線（２０）に沿うように、信号線（２０）が設けられている誘電体シート（１８）上に設けられている。グランド導体（２６）の少なくとも一部は、領域（Ｅ１）において、グランド導体（２２）と対向していない。

Description

本発明は、高周波信号線路及び電子機器に関し、より特定的には、可撓性を有する素体に信号線が設けられてなる高周波信号線路及び電子機器に関する。

高周波回路間を接続するための高周波線路としては、同軸ケーブルが一般的に用いられる。同軸ケーブルは、曲げ等の変形が容易であり、かつ、安価であることから広く用いられている。

ところで、近年、移動体通信端末等の高周波機器の小型化が進んでいる。そのため、高周波機器において、円形の断面形状を有する同軸ケーブルを配置するスペースを確保することが困難になってきている。

そこで、特許文献１に記載の信号線路が提案されている。特許文献１に記載の信号線路では、可撓性材料からなる複数の絶縁シートが積層された本体内に、信号線及び２つのグランド導体が設けられている。２つのグランド導体は、信号線を積層方向の両側から挟んでいる。すなわち、信号線及び２つのグランド導体は、ストリップライン構造をなしている。以上のような信号線路の積層方向の厚みは、同軸ケーブルの直径よりも小さい。そのため、信号線路は、同軸ケーブルの収容が不可能である小さなスペースに収容されることが可能である。

しかしながら、特許文献１に記載の信号線路では、折り曲げて用いることが困難である。信号線路に用いられているグランド導体は、変形しにくい銅箔により作製されている。そのため、信号線路が折り曲げられることによりグランド導体に強い力が加わると、グランド導体が破損するおそれがある。

特開２０１１−７１４０３号公報

そこで、本発明の目的は、折り曲げて用いることが容易な高周波信号線路及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体に設けられている第１のグランド導体であって、前記信号線の一部を含む第１の領域において該信号線と対向せず、かつ、該第１の領域に隣接する第２の領域において該信号線と対向している第１のグランド導体と、前記第１の領域において前記信号線に沿うように、該信号線が設けられている前記絶縁体層上に設けられている第２のグランド導体と、を備え、前記第２のグランド導体の少なくとも一部は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体と対向していないこと、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収容されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体に設けられている第１のグランド導体であって、前記信号線の一部を含む第１の領域において該信号線と対向せず、かつ、該第１の領域に隣接する第２の領域において該信号線と対向している第１のグランド導体と、前記第１の領域において前記信号線に沿うように、該信号線が設けられている前記絶縁体層上に設けられている第２のグランド導体と、を備え、前記第２のグランド導体の少なくとも一部は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体と対向していないこと、を特徴とする。

本発明によれば、高周波信号線路を折り曲げて用いることが容易となる。

本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 図１の高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図及び断面構造図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。 図６（ａ）のＣにおける断面構造図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 第３の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 第４の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 第５の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図１の高周波信号線路１０の断面構造図である。図４は、高周波信号線路１０の断面構造図である。図５は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図及び断面構造図である。図１ないし図５において、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）、信号線２０、グランド導体２２，２４，２６，２８、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ１６及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示す保護層１４及び誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ〜１８ｃ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面（第１の主面）称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面（第２の主面）と称す。

線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。

誘電体シート１８は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａの厚さＴ１は、図４に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＴ２よりも厚い。例えば、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＴ１は５０〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１５０μｍである。また、厚さＴ２は１０〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は５０μｍである。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

信号線２０は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、誘電体シート１８ｂの表面をｘ軸方向に延在している。信号線２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号線２０の線幅は、例えば１００〜５００μｍである。本実施形態では、信号線２０の線幅は２４０μｍである。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ここで、誘電体素体１２は、３つの領域Ｅ１〜Ｅ３に区分されている。領域Ｅ１は、信号線２０の一部を含む領域であり、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している。領域Ｅ２，Ｅ３は、領域Ｅ１をｘ軸方向の両側から挟んでいる。領域Ｅ２は、領域Ｅ１のｘ軸方向の負方向側に隣接しており、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している。領域Ｅ３は、領域Ｅ１のｘ軸方向の正方向側に隣接しており、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している。

グランド導体２２（第１のグランド導体）は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、より詳細には、誘電体素体１２の表面に最も近い誘電体シート１８ａの表面に設けられている。グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面においてｘ軸方向に延在しており、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向している。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体２２は、線路部２２ａ−１，２２ａ−２，端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａ−１は、領域Ｅ２において線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。これにより、線路部２２ａ−１は、領域Ｅ２において信号線２０と対向している。線路部２２ａ−２は、領域Ｅ３において線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。これにより、線路部２２ａ−２は、領域Ｅ３において信号線２０と対向している。また、領域Ｅ１には、グランド導体２２は設けられていない。これにより、グランド導体２２は、領域Ｅ１において信号線２０と対向していない。

端子部２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａ−１のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、線路部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａ−２のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

グランド導体２４（第４のグランド導体）は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。これにより、グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂ，１８ｃ間に設けられている。グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面においてｘ軸方向に延在しており、誘電体シート１８ｂを介して信号線２０と対向している。すなわち、グランド導体２４は、信号線２０を挟んでグランド導体２２と対向している。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体２４は、線路部２４ａ−１，２４ａ−２，端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａ−１は、領域Ｅ２において線路部１８ｃ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。これにより、線路部２４ａ−１は、領域Ｅ２において信号線２０と対向している。線路部２４ａ−２は、領域Ｅ３において線路部１８ｃ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。これにより、線路部２４ａ−２は、領域Ｅ３において信号線２０と対向している。また、領域Ｅ１には、グランド導体２４は設けられていない。これにより、グランド導体２４は、領域Ｅ１において信号線２０と対向していない。

端子部２４ｂは、線路部１８ｃ−ｂの表面に設けられ、端子部２２ｂと同じ形状をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａ−１のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、線路部１８ｃ−ｃの表面に設けられ、端子部２２ｃと同じ形状をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａ−２のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

以上のように、信号線２０は、ｚ軸方向の両側から誘電体シート１８ａ，１８ｂを介してグランド導体２２，２４によって挟まれている。すなわち、信号線２０及びグランド導体２２，２４は、領域Ｅ２，Ｅ３において、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線２０とグランド導体２２との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２２との間隔は、１５０μｍである。一方、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、５０μｍである。すなわち、厚みＴ１は厚みＴ２よりも大きくなるように設計されている。

以上のように、厚みＴ１が厚みＴ２よりも大きいことで、グランド導体２２と信号線２０間に発生する静電容量が小さくなり、所定のインピーダンス（例えば５０Ω）とするための信号線２０の線幅が広くなる。これにより、伝送ロスが小さくなるので、高周波信号線路の電気特性の向上が図られる。本実施形態では、グランド導体２２と信号線２０の間に発生する静電容量がインピーダンス設計の主であり、グランド導体２４は信号の輻射を小さくするためのグランド導体としてインピーダンス設計されている。すなわち、グランド導体２２と信号線２０とで特性インピーダンスを高く設定（例えば７０Ω）し、グランド導体２４を付加することによって高周波信号線路の一部に低インピーダンスが低くなる領域（例えば３０Ω）を設けることにより、高周波信号線路全体のインピーダンスが所定のインピーダンス（例えば５０Ω）になるように設計している。

グランド導体２６（第２のグランド導体）は、領域Ｅ１において信号線２０に沿うように、信号線２０が設けられている誘電体シート１８ｂの表面上に設けられている。より詳細には、グランド導体２６は、誘電体シート１８ｂの表面上において、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられ、信号線２０と平行に延在している長方形状をなしている。また、グランド導体２６のｘ軸方向の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、領域Ｅ２，Ｅ３に位置することによって線路部２２ａ−１，２２ａ−２，２４ａ−１，２４ａ−２と重なっている。ただし、領域Ｅ１には、グランド導体２２が設けられていないので、グランド導体２６は、ｚ軸方向から平面視したときに、領域Ｅ１においてグランド導体２２と対向していない。

グランド導体２８（第３のグランド導体）は、領域Ｅ１において信号線２０に沿うように、信号線２０が設けられている誘電体シート１８ｂの表面上に設けられている。より詳細には、グランド導体２８は、誘電体シート１８ｂの表面上において、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられ、信号線２０と平行に延在している長方形状をなしている。これにより、グランド導体２８は、グランド導体２６と共に信号線２０を挟んでいる。すなわち、信号線２０及びグランド導体２６，２８は、コプレーナ構造をなしている。また、グランド導体２８のｘ軸方向の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、領域Ｅ２，Ｅ３に位置することによって線路部２２ａ−１，２２ａ−２，２４ａ−１，２４ａ−２と重なっている。ただし、領域Ｅ１には、グランド導体２２が設けられていないので、グランド導体２８は、ｚ軸方向から平面視したときに、領域Ｅ１においてグランド導体２２と対向していない。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ１は、領域Ｅ２の線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に等間隔に一列に並ぶように複数個設けられている（図２では、１つだけ図示）。ビアホール導体Ｂ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ２は、領域Ｅ２の線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に等間隔に一列に並ぶように複数個設けられている（図２では、１つだけ図示）。ビアホール導体Ｂ２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に位置している。そして、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、線路部２２ａ−１と線路部２４ａ−１とを接続している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ３は、領域Ｅ２の線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に等間隔に一列に並ぶように複数個設けられている（図２では、１つだけ図示）。ビアホール導体Ｂ３は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ４は、領域Ｅ２の線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に等間隔に一列に並ぶように複数個設けられている（図２では、１つだけ図示）。ビアホール導体Ｂ４は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に位置している。そして、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、線路部２２ａ−１と線路部２４ａ−１とを接続している。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ５は、領域Ｅ２の線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ５は、線路部２２ａ−１とグランド導体２６のｘ軸方向の負方向側の端部とを電気的に接続している。これにより、グランド導体２２とグランド導体２６とは、電気的に接続されている。

ビアホール導体Ｂ６は、領域Ｅ２の線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ６は、線路部２４ａ−１とグランド導体２６のｘ軸方向の負方向側の端部とを電気的に接続している。これにより、グランド導体２４とグランド導体２６とは、電気的に接続されている。

ビアホール導体Ｂ７は、領域Ｅ２の線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ７は、線路部２２ａ−１とグランド導体２８のｘ軸方向の負方向側の端部とを電気的に接続している。これにより、グランド導体２２とグランド導体２８とは、電気的に接続されている。

ビアホール導体Ｂ８は、領域Ｅ２の線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ８は、線路部２４ａ−１とグランド導体２８のｘ軸方向の負方向側の端部とを電気的に接続している。これにより、グランド導体２４とグランド導体２８とは、電気的に接続されている。

ビアホール導体Ｂ９は、領域Ｅ３の線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に等間隔に一列に並ぶように複数個設けられている（図２では、１つだけ図示）。ビアホール導体Ｂ９は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ１０は、領域Ｅ３の線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に等間隔に一列に並ぶように複数個設けられている（図２では、１つだけ図示）。ビアホール導体Ｂ１０は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に位置している。そして、ビアホール導体Ｂ９，Ｂ１０は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、線路部２２ａ−２と線路部２４ａ−２とを接続している。ビアホール導体Ｂ９，Ｂ１０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ１１は、領域Ｅ３の線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に等間隔に一列に並ぶように複数個設けられている（図２では、１つだけ図示）。ビアホール導体Ｂ１１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ１２は、領域Ｅ３の線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に等間隔に一列に並ぶように複数個設けられている（図２では、１つだけ図示）。ビアホール導体Ｂ１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に位置している。そして、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、線路部２２ａ−２と線路部２４ａ−２とを接続している。ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ１３は、領域Ｅ３の線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ１３は、線路部２２ａ−２とグランド導体２６のｘ軸方向の正方向側の端部とを電気的に接続している。これにより、グランド導体２２とグランド導体２６とは、電気的に接続されている。

ビアホール導体Ｂ１４は、領域Ｅ３の線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ１４は、線路部２４ａ−２とグランド導体２６のｘ軸方向の正方向側の端部とを電気的に接続している。これにより、グランド導体２４とグランド導体２６とは、電気的に接続されている。

ビアホール導体Ｂ１５は、領域Ｅ３の線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ１５は、線路部２２ａ−２とグランド導体２８のｘ軸方向の正方向側の端部とを電気的に接続している。これにより、グランド導体２２とグランド導体２８とは、電気的に接続されている。

ビアホール導体Ｂ１６は、領域Ｅ３の線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ１６は、線路部２４ａ−２とグランド導体２８のｘ軸方向の正方向側の端部とを電気的に接続している。これにより、グランド導体２４とグランド導体２８とは、電気的に接続されている。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａ−１，２２ａ−２を覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。

コネクタ１００ｂは、図１及び図５に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６及び中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板に円筒が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体２２，２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

以上のように構成された高周波信号線路１０には、グランド導体２２，２４が設けられていない領域Ｅ１が１箇所だけ設けられているが、領域Ｅ１は複数個所設けられていてもよい。以下では、高周波信号線路１０が電子機器に用いられた例を示すが、該高周波信号線路１０は２箇所の領域Ｅ１を有しているものとする。図６は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。図７は、図６（ａ）のＣにおける断面構造図である。

電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

筐体２１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ及びバッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

ここで、高周波信号線路１０は、図６（ａ）及び図７に示すように、２箇所の領域Ｅ１において折り曲げられてバッテリーパック２０６の表面に貼り付けられている。そして、保護層１４とバッテリーパック２０６とが接着剤等により固定されることにより、高周波信号線路１０はバッテリーパック２０６に貼り付けられている。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８を準備する。誘電体シート１８の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。誘電体シート１８は、２０μｍ〜８０μｍの厚みを有する液晶ポリマーである。また、銅箔の厚みは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す外部端子１６及びグランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示す外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）及びグランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６及びグランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す信号線２０を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体２４を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。なお、これらのフォトリソグラフィ工程は、外部端子１６及びグランド導体２２を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ１６が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、ビアホールを形成する。その後、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成したビアホールに対して、導電性ペーストを充填する。

次に、グランド導体２２、信号線２０及びグランド導体２４がストリップライン構造をなすように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを軟化させて圧着・一体化するとともに、ビアホールに充填された導電性ペーストを固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ１６を形成する。なお、各誘電体シート１８は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ１６は、誘電体シート１８を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。

最後に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａ上に保護層１４を形成する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。

（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、折り曲げて用いることが可能である。より詳細には、特許文献１に記載の信号線路を折り曲げようとすると、折り曲げた部分において、外周側に位置するグランド導体には引っ張り応力がかかり、内周側に位置するグランド導体には圧縮応力がかかる。銅箔からなるグランド導体は変形しにくいので、グランド導体は信号線路が折り曲げられることを妨げる。更に、大きな引っ張り応力がグランド導体にかかった場合には、外周側に位置するグランド導体が破損するおそれがある。

そこで、高周波信号線路１０では、グランド導体２２，２４は、信号線２０の一部を含む領域Ｅ１において信号線２０と対向していない。すなわち、領域Ｅ１には、グランド導体２２，２４が設けられていない。そのため、高周波信号線路１０が領域Ｅ１で折り曲げられた場合に信号線２０よりも外周側及び内周側に位置するグランド導体２２，２４が設けられていない。よって、高周波信号線路１０が折り曲げられることが、グランド導体２２，２４によって阻害されない。更に、外周側に位置するグランド導体２２又はグランド導体２４が破損することが抑制される。以上より、高周波信号線路１０によれば、容易に折り曲げることが可能である。

また、高周波信号線路１０では、領域Ｅ１において、グランド導体２６，２８が、領域Ｅ１において信号線２０に沿うように、信号線２０が設けられている誘電体シート１８ｂ上に設けられている。これにより、領域Ｅ１における高周波信号線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスに保たれている。また、信号線２０に近接するグランド導体２６，２８によって、信号線２０からの不要輻射を抑制することができる。

ここで、以下に説明するように、グランド導体２６，２８がグランド導体２２，２４の代わりに領域Ｅ１に設けられたとしても、高周波信号線路１０を容易に折り曲げることが可能である。グランド導体２６，２８は、信号線２０が設けられている誘電体シート１８ｂに設けられている。そのため、高周波信号線路１０が領域Ｅ１で折り曲げられた場合に、グランド導体２６，２８には大きな圧縮応力又は大きな引っ張り応力がかかりにくい。そのため、グランド導体２６，２８は、高周波信号線路１０が折り曲げられることを大きく阻害せず、破損する可能性も低い。以上より、高周波信号線路１０を折り曲げて用いることが可能である。

また、高周波信号線路１０では、折り曲げられた際に、特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれることが抑制される。より詳細には、特許文献１に記載の信号線路では、銅箔からなるグランド導体は、誘電体シートよりも伸び縮みしにくい。そのため、信号線路が折り曲げられると、外周側に位置するグランド導体は、引っ張り応力によって十分に延びることができない。一方、内周側に位置するグランド導体は、圧縮応力によって十分に縮むことができない。そのため、２つのグランド導体に挟まれた誘電体シートは、積層方向に圧縮される。その結果、信号線と２つのグランド導体との距離が小さくなり、信号線路の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれてしまう。

一方、高周波信号線路１０では、領域Ｅ１にはグランド導体２２，２４が設けられていない。グランド導体２２，２４の代わりに、グランド導体２６，２８が、領域Ｅ１おいて信号線２０に沿うように、信号線２０が設けられている誘電体シート１８ｂ上に設けられている。これにより、高周波信号線路１０が領域Ｅ１において折り曲げられた場合に、領域Ｅ１の誘電体シート１８がグランド導体２２，２４により圧縮されることがない。また、高周波信号線路１０が領域Ｅ１において折り曲げられた場合であっても、信号線２０及びグランド導体２６，２８は同じ誘電体シート１８ｂ上に設けられているので、これらの間隔は殆ど変動しない。よって、高周波信号線路１０では、折り曲げられた際に、特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図８は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ａと高周波信号線路１０との相違点は、グランド導体２４に開口３０が設けられている点である。より詳細には、高周波信号線路１０ａでは、線路部２４ａは、導体層が形成されていない部分である複数の開口３０と導体層が形成されている部分である複数のブリッジ部６０とが交互に信号線２０に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口３０は、図８に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状をなしており、信号線２０と重なっている。これにより、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０とブリッジ部６０と交互に重なっている。また、開口３０は、等間隔に並んでいる。

ここで、高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスは、主に、信号線路２０と基準グランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの比誘電率に基づいて定まる。そこで、高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線路２０と基準グランド導体２２によって高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線路２０と基準グランド導体２２と補助グランド導体２４によって高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが５０Ωとなるように、後述する補助グランド導体２４の形状を調整する。

補助グランド導体２４は、シールドとしても機能するグランド導体である。また、補助グランド導体２４は、前記の通り、高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが５０Ωとなるように最終的な調整を行うために設計されている。更に、補助グランド導体２４のブリッジ部６０のｘ軸方向の間隔は、使用帯域内において輻射ノイズが発生しないように設計される。以下では、補助グランド導体２４のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、基準グランド導体２４のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

以上のように構成された高周波信号線路１０ａでは、開口３０が設けられているので、グランド導体２４が変形しやすくなる。また、高周波信号線路１０では、領域Ｅ２，Ｅ３において、高周波信号線路１０ａを所定のインピーダンス（例えば５０Ω）に合わせる必要があることから、信号線２０とグランド導体２２，２４間に発生する浮遊容量が大きくなることを防ぐために誘電体シート１８の薄型化に限界があった。

一方、高周波信号線路１０ａでは、開口３０により、グランド導体２４と信号線２０との間に形成される浮遊容量が小さくなることから、誘電体シート１８を薄型化することができる。その結果、高周波信号線路１０ａを曲げることが更に容易となる。また、開口３０が設けられることにより、信号線２０のｙ軸方向の線幅を広くすることができるので、高周波抵抗値を小さくすることができる。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図９は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ａと高周波信号線路１０ｂとの相違点は、開口３０の形状である。以下に、かかる相違点を中心に、高周波信号線路１０ｂの構成について説明する。

高周波信号線路１０ｂでは、グランド導体２４は、複数の開口３０と複数のブリッジ部６０とが交互に信号線２０に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。ただし、開口３０は、図９に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、十字型をなしている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｂでは、開口３０のｙ軸方向の幅は、ｘ軸方向の両端において小さく、ｘ軸方向の中央（すなわち開口３０の中央付近）では大きい。これにより、信号線２０を流れる電流によって生じる強い磁界がブリッジ部６０に直接伝わりにくくなる。そのため、ブリッジ部６０のグランド電位が安定し、グランド導体２４のシールド効果が保たれる。これにより不要輻射の発生が抑制される。その結果、高周波信号線路１０ｂでは、信号線２０とグランド導体２２，２４との距離を小さくしたとしても、所定の特性インピーダンスを保ったまま、信号線２０からの不要輻射の小さい高周波信号線路１０ｂを得ることができる。また、高周波信号線路１０ｂの薄型化を図ることが可能となり、高周波信号線路１０ｂを更に容易に折り曲げることが可能となる。また、開口３０が設けられることにより、信号線２０のｙ軸方向の線幅を広くすることができるので、高周波抵抗値を小さくすることができる。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１０は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｃと高周波信号線路１０ａとの相違点は、開口３０の形状である。高周波信号線路１０ｃでは、開口３０は、ｘ軸方向に延在するスリットである。すなわち、高周波信号線路１０ｃでは、ブリッジ部６０が存在しない。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｃでは、開口３０が設けられているので、グランド導体２４が変形しやすくなる。その結果、高周波信号線路１０ｃを曲げて用いることが容易となる。また、グランド導体２４が信号線２０と重なる領域を有していないので、信号線２０の線幅を広げることができる。したがって、信号線２０の伝送ロスを小さくすることができる。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１１は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｄと高周波信号線路１０との相違点は、接続部（接続導体部）２２ｄ，２２ｅ，２４ｄ，２４ｅが設けられている点である。

高周波信号線路１０ｄでは、グランド導体２２は、接続部２２ｄ，２２ｅを更に含んでいる。また、グランド導体２４は、接続部２４ｄ，２４ｅを更に含んでいる。

接続部２２ｄ，２２ｅは、線路部２２ａ−１，２２ａ−２のｙ軸方向の幅よりも細い線幅を有しており、領域Ｅ１においてｘ軸方向に延在している。ただし、接続部２２ｄ，２２ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０には重なっていない。そして、接続部２２ｄ，２２ｅはそれぞれ、線路部２２ａ−１と線路部２２ａ−２とを接続している。高周波信号線路１０ｄを曲げやすくする観点から、接続部２２ｄ，２２ｅは、領域Ｅ１において平面視でグランド導体２６，２８と重ならないようにしている。

また、接続部２４ｄ，２４ｅは、線路部２４ａ−１，２４ａ−２のｙ軸方向の幅よりも細い線幅を有しており、領域Ｅ１においてｘ軸方向に延在している。ただし、接続部２４ｄ，２４ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０には重なっていない。そして、接続部２４ｄ，２４ｅはそれぞれ、線路部２４ａ−１と線路部２４ａ−２とを接続している。高周波信号線路１０ｄを曲げやすくする観点から、接続部２４ｄ，２４ｅは、領域Ｅ１において平面視でグランド導体２６，２８と重ならないようにしている。

高周波信号線路１０ｄのように、領域Ｅ１には、接続部２２ｄ，２２ｅ，２４ｄ，２４ｅが設けられていてもよい。ただし、接続部２２ｄ，２２ｅ，２４ｄ，２４ｅの線幅は、領域Ｅ１において高周波信号線路１０ｄが折り曲げられることを大きく阻害しない程度が好ましく、例えば、線路部２２ａ−１，２２ａ−２のｙ軸方向の幅よりも細いことが好ましい。

高周波信号線路１０ｄによれば、線路部２２ａ−１と線路部２２ａ−２とが電気的に接続されているので、グランド導体２２の電位が安定して接地電位に保たれるようになる。同様に、線路部２４ａ−１と線路部２４ａ−２とが電気的に接続されているので、グランド導体２４の電位が安定して接地電位に保たれるようになる。

（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１２は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０との相違点は、浮遊導体４０、４２が設けられている点である。

高周波信号線路１０ｅでは、浮遊導体４０，４２は、領域Ｅ１において、信号線２０と対向していると共に、無数の開口が設けられているメッシュ状の導体であって、グランド導体２２，２４及び信号線２０に対して電気的に接続されていない。具体的には、浮遊導体４０は、領域Ｅ１において、誘電体シート１８ａの表面上に設けられており、グランド導体２２とは接続されていない。また、浮遊導体４２は、領域Ｅ１において、誘電体シート１８ｃの表面上に設けられており、グランド導体２４とは接続されていない。これにより、浮遊導体４２の電位は、浮遊電位となる。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｅは、電子機器２００に用いられた際に、領域Ｅ１において、特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０が電子機器２００に用いられると、図７に示すように、領域Ｅ１では、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、グランド導体等の導体が存在しない。そのため、信号線２０とバッテリーパック２０６とが容量結合し、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれるおそれがある。

そこで、高周波信号線路１０ｅでは、浮遊導体４０，４２が設けられている。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には浮遊導体４０が存在するようになる。その結果、信号線２０とバッテリーパック２０６とが容量結合することが抑制され、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

また、高周波信号線路１０ｅでは、信号線２０と浮遊導体４０，４２とが重なっているので、信号線２０が発生する電磁界が不要輻射として高周波信号線路１０ｅ外に放射されることが抑制される。

なお、浮遊導体４０，４２は、領域Ｅ１において高周波信号線路１０が折り曲げられることを大きく阻害してはいけない。よって、浮遊導体４０，４２は、開口が設けられていないベタ状の導体層ではなく、比較的に変形し易い、開口が設けられている導体層であることが好ましい。

更に、曲げ性を確保するために、領域Ｅ１における誘電体シート１８の導体密度（導体形成領域の総面積／誘電体シートの総面積）は、領域Ｅ２および領域Ｅ３と比較して小さくする必要がある。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅでは、保護層１４が設けられているが、保護層１４の代わりに誘電体シート１８が更に積層されていてもよい。

また、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅにおいて、誘電体シート１８ｂの表面上に信号線２０及びグランド導体２６，２８が設けられ、誘電体シート１８ｂの裏面にグランド導体２４が設けられていてもよい。これにより、２層の誘電体シート１８により高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅを作製することが可能となる。また、信号線２０とグランド導体２４とが同じ誘電体シート１８ｂに形成されているので、誘電体シート１８ａ，１８ｂの積層時に発生する積層ずれによって、信号線２０とグランド導体２４との位置関係がずれることがない。

また、グランド導体２６，２８は、いずれか一方のみが設けられていてもよい。ただし、信号線２０の特性インピーダンスの調整の観点及び信号線２０からの不要輻射の低減の観点から、グランド導体２６，２８の両方が設けられていることが好ましい。

また、グランド導体２６，２８は、領域Ｅ１において、グランド導体２２と対向していない。しかしながら、グランド導体２６，２８の少なくとも一部が、グラン路導体２２と領域Ｅ１において対向していなければよい。よって、高周波信号線路１０ｄにおいて、グランド導体２６，２８の一部が、領域Ｅ１において、接続部２２ｄ，２２ｅと重なっていてもよい。ただし、グランド導体２２とグランド導体２６，２８とが重なると高周波信号線路１０ｄが曲げにくくなる可能性がある。したがって、グランド導体２２は、領域Ｅ１において、ｚ軸方向から平面視したときに、グランド導体２６，２８と重ならないようにすることが好ましい。

なお、高周波信号線路１０では、図７に示すように、高周波信号線路１０の表面が谷折りされているが、高周波信号線路１０の裏面が谷折りされてもよい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅにおいて、複数の領域Ｅ１が設けられていてもよい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。

以上のように、本発明は、高周波信号線路及び電子機器に有用であり、特に、折り曲げて用いることができる点において優れている。

Ｂ１〜Ｂ１６，ｂ１，ｂ２ ビアホール導体
１０，１０ａ〜１０ｅ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１２ａ 線路部
１２ｂ，１２ｃ 接続部
１４ 保護層
１８ａ〜１８ｃ 誘電体シート
２０ 信号線
２２，２４，２６，２８ グランド導体
２２ａ，２４ａ 線路部
２２ｂ，２２ｃ，２４ｂ，２４ｃ 端子部
２２ｄ，２２ｅ，２４ｄ，２４ｅ 接続部
２６，２８ グランド導体
４０，４２ 浮遊導体
Ｅ１〜Ｅ３ 領域

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体に設けられている第１のグランド導体であって、前記信号線の一部を含む第１の領域において該信号線と対向せず、かつ、該第１の領域に隣接する第２の領域において該信号線と対向している第１のグランド導体と、前記第１の領域において前記信号線に沿うように、該信号線が設けられている前記絶縁体層上に設けられている第２のグランド導体と、を備え、前記第２のグランド導体の少なくとも一部は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体と対向しておらず、前記素体は、前記第１の領域において曲げられること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収容されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体に設けられている第１のグランド導体であって、前記信号線の一部を含む第１の領域において該信号線と対向せず、かつ、該第１の領域に隣接する第２の領域において該信号線と対向している第１のグランド導体と、前記第１の領域において前記信号線に沿うように、該信号線が設けられている前記絶縁体層上に設けられている第２のグランド導体と、を備え、前記第２のグランド導体の少なくとも一部は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体と対向しておらず、前記素体は、前記第１の領域において曲げられること、を特徴とする。

端子部２２ｂは、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａ−１のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａ−２のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

端子部２４ｂは、接続部１８ｃ−ｂの表面に設けられ、端子部２２ｂと同じ形状をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａ−１のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、接続部１８ｃ−ｃの表面に設けられ、端子部２２ｃと同じ形状をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａ−２のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

ここで、高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスは、主に、信号線２０と基準グランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの比誘電率に基づいて定まる。そこで、高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線２０と基準グランド導体２２によって高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線２０と基準グランド導体２２と補助グランド導体２４によって高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが５０Ωとなるように、後述する補助グランド導体２４の形状を調整する。

補助グランド導体２４は、シールドとしても機能するグランド導体である。また、補助グランド導体２４は、前記の通り、高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが５０Ωとなるように最終的な調整を行うために設計されている。更に、補助グランド導体２４のブリッジ部６０のｘ軸方向の間隔は、使用帯域内において輻射ノイズが発生しないように設計される。以下では、補助グランド導体２４のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、補助グランド導体２４のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、グランド導体２６，２８は、領域Ｅ１において、グランド導体２２と対向していない。しかしながら、グランド導体２６，２８の少なくとも一部が、グランド導体２２と領域Ｅ１において対向していなければよい。よって、高周波信号線路１０ｄにおいて、グランド導体２６，２８の一部が、領域Ｅ１において、接続部２２ｄ，２２ｅと重なっていてもよい。ただし、グランド導体２２とグランド導体２６，２８とが重なると高周波信号線路１０ｄが曲げにくくなる可能性がある。したがって、グランド導体２２は、領域Ｅ１において、ｚ軸方向から平面視したときに、グランド導体２６，２８と重ならないようにすることが好ましい。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体に設けられている第１のグランド導体であって、前記信号線の一部を含む第１の領域において該信号線と対向せず、かつ、該第１の領域に隣接する第２の領域において該信号線と対向している第１のグランド導体と、前記第１の領域において前記信号線に沿うように、該信号線が設けられている前記絶縁体層上に設けられている第２のグランド導体と、を備え、前記第２のグランド導体の少なくとも一部は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体と対向しておらず、前記素体は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体が前記信号線よりも外周側に位置するように曲げられること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収容されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体に設けられている第１のグランド導体であって、前記信号線の一部を含む第１の領域において該信号線と対向せず、かつ、該第１の領域に隣接する第２の領域において該信号線と対向している第１のグランド導体と、前記第１の領域において前記信号線に沿うように、該信号線が設けられている前記絶縁体層上に設けられている第２のグランド導体と、を備え、前記第２のグランド導体の少なくとも一部は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体と対向しておらず、前記素体は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体が前記信号線よりも外周側に位置するように曲げられること、を特徴とする。

Claims (10)

1. 可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、
   前記素体に設けられている線状の信号線と、
   前記素体に設けられている第１のグランド導体であって、前記信号線の一部を含む第１の領域において該信号線と対向せず、かつ、該第１の領域に隣接する第２の領域において該信号線と対向している第１のグランド導体と、
   前記第１の領域において前記信号線に沿うように、該信号線が設けられている前記絶縁体層上に設けられている第２のグランド導体と、
   を備え、
   前記第２のグランド導体の少なくとも一部は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体と対向していないこと、
   を特徴とする高周波信号線路。
2. 前記第１の領域において前記信号線に沿い、かつ、前記第２のグランド導体と共に該信号線を挟むように、該信号線が設けられている前記絶縁体層上に設けられている第３のグランド導体を、
   更に備え、
   前記第３のグランド導体の少なくとも一部は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体と対向していないこと、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
3. 前記素体に設けられている第４のグランド導体であって、前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向し、かつ、前記第１の領域において該信号線と対向していない第４のグランド導体を、
   更に備えていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号線路。
4. 前記第２のグランド導体及び前記第３のグランド導体は、前記第１のグランド導体及び前記第４のグランド導体と電気的に接続されていること、
   を特徴とする請求項３に記載の高周波信号線路。
5. 前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とは、ビアホール導体により電気的に接続されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波信号線路。
6. 前記素体は、前記第１の領域において曲げられること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波信号線路。
7. 前記第１のグランド導体は、実質的に前記第１の領域には設けられていないこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波信号線路。
8. 前記第１のグランド導体は、
   前記第２の領域及び該第２の領域と共に前記第１の領域を挟んでいる第３の領域のそれぞれに設けられている第１のグランド導体部及び第２のグランド導体部と、
   前記第１のグランド導体部と前記第２のグランド導体部とを接続し、かつ、該第１のグランド導体部及び該第２のグランド導体部よりも細い線幅を有している接続導体部と、
   含んでいること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波信号線路。
9. 前記高周波信号線路は、
   前記第１の領域において、前記信号線と対向していると共に、開口が設けられている浮遊導体であって、前記第１のグランド導体及び前記信号線に対して電気的に接続されていない浮遊導体を、
   更に備えていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の高周波信号線路。
10. 筐体と、
    前記筐体に収容されている高周波信号線路と、
    を備えており、
    前記高周波信号線路は、
    可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、
    前記素体に設けられている線状の信号線と、
    前記素体に設けられている第１のグランド導体であって、前記信号線の一部を含む第１の領域において該信号線と対向せず、かつ、該第１の領域に隣接する第２の領域において該信号線と対向している第１のグランド導体と、
    前記第１の領域において前記信号線に沿うように、該信号線が設けられている前記絶縁体層上に設けられている第２のグランド導体と、
    を備え、
    前記第２のグランド導体の少なくとも一部は、前記第１の領域において、前記第１のグランド導体と対向していないこと、
    を特徴とする電子機器。

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