JP5472551B2 - 高周波信号線路及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高周波信号線路及び電子機器に関し、より特定的には、絶縁体層が積層されて構成されている素体に信号線が設けられてなる高周波信号線路及び電子機器に関する。

信号線がグランド導体によって上下から挟まれてなるトリプレート型のストリップライン構造を有する高周波信号線路では、信号線の高周波伝送ロスを小さくするために、信号線の線幅を広くすることが行われる。これにより、信号線の表面積が大きくなると共に、信号線と対向するグランド導体部分の面積が大きくなる。その結果、信号線の高周波伝送ロスが小さくなる。高周波伝送ロスとは、インピーダンス整合が取られた状態において主に高周波信号が熱に変化することによって生じるロスである。

しかしながら、信号線の線幅が広くなると、信号線とグランド導体とが対向する面積が大きくなり、信号線とグランド導体との間に発生する静電容量が大きくなる。したがって、高周波信号線路の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）に一致させるためには、信号線とグランド導体との距離を大きくして、これらの間の静電容量を小さくする必要がある。ところが、信号線とグランド導体との距離が大きくなると、高周波信号線路の厚みが大きくなる。

そこで、特許文献１に記載のフレキシブル基板が提案されている。図１６は、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００を積層方向から平面視した図である。

フレキシブル基板６００は、信号線路６０２及びグランド層６０４を備えている。信号線路６０２は、線状の導体である。グランド層６０４は、誘電体層を介して、信号線路６０２の積層方向の上側に積層されている。また、図示しないが、信号線路６０２の積層方向の下側にはグランド層が設けられている。そして、フレキシブル基板６００では、グランド層６０４には、複数の開口６０６が設けられている。開口６０６は、長方形状をなしており、信号線路６０２上において、信号線路６０２が延在している方向に一列に並んでいる。これにより、信号線路６０２は、積層方向の上側から平面視したときに、一部においてグランド層６０４と重なるようになる。その結果、信号線路６０２とグランド層６０４との間に形成される静電容量が小さくなる。よって、信号線路６０２とグランド層６０４との間隔を小さくすることができ、フレキシブル基板６００の薄型化が図られる。

しかしながら、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００は、以下に説明するように、フレキシブル基板６００の薄型化を図ることが依然として困難であるという問題を有している。図１７は、信号線路６０２及びグランド層６０４の等価回路図である。

フレキシブル基板６００では、信号線路６０２に高周波信号が流れると、グランド層６０４の開口６０６間に位置するブリッジ部６０８には、図１６に示すように、電磁誘導により電流ｉ１，ｉ２が流れる。電流ｉ１，ｉ２は、ブリッジ部６０８のｙ軸方向の中央から互いに反対方向に流れる。ここで、フレキシブル基板６００のグランド層６０４は、図１７に示す回路構造を有している。より詳細には、ブリッジ部６０８の右半分がインダクタ成分Ｌ１１を形成し、ブリッジ部６０８の左半分がインダクタ成分Ｌ１２を形成している。また、信号線路６０２とグランド層６０４との間には、キャパシタ成分Ｃ１０が形成されている。インダクタ成分Ｌ１１に電流ｉ１が流れ、インダクタ成分Ｌ１２に電流ｉ２が流れると、電流ｉ１の向きと電流ｉ２の向きとが逆であるので、インダクタ成分Ｌ１１が発生する磁界とインダクタ成分Ｌ１２が発生する磁界とが打ち消し合う。その結果、図１７に示す等価回路図において、インダクタ成分Ｌ１１，Ｌ１２が存在しない、もしくはインダクタ成分が著しく減少してしまう。よって、ブリッジ部６０８と重なっている部分の信号線路６０２の特性インピーダンスは、キャパシタ成分Ｃ１０が支配的となり、所定の特性インピーダンスよりも低くなってしまう。以上より、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００では、信号線路６０２とグランド層６０４との間隔を大きくしなればならず、フレキシブル基板６００の薄型化を図ることが困難である。

特開２００７−１２３７４０号公報

そこで、本発明の目的は、高周波信号線路の薄型化を図ることができる高周波信号線路及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体において、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、前記絶縁体層を介して該信号線と対向している第１のグランド導体と、を備えており、前記第１のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記信号線よりも該信号線に直交する方向の一方側において該信号線に沿って延在している第１の本体部と、積層方向から平面視したときに、前記第１の本体部から前記信号線に向かって突出し、かつ、該信号線と重なっている第１の突起部であって、該第１の本体部以外の導体と接続されていない第１の突起部と、を含んでいること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収容されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体において、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、前記絶縁体層を介して該信号線と対向している第１のグランド導体と、を備えており、前記第１のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記信号線よりも該信号線に直交する方向の一方側において該信号線に沿って延在している第１の本体部と、積層方向から平面視したときに、前記第１の本体部から前記信号線に向かって突出し、かつ、該信号線と重なっている第１の突起部であって、該第１の本体部以外の導体と接続されていない第１の突起部と、を含んでいること、を特徴とする。

本発明によれば、高周波信号線路の薄型化を図ることができる。

本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 図１の高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図及び断面構造図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。 高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 信号線及びグランド導体の等価回路図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第３の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第４の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第５の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 第６の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第６の変形例に係る高周波信号線路をｚ軸方向から平面視した図である。 特許文献１に記載のフレキシブル基板を積層方向から平面視した図である。 信号線路及びグランド導体層の等価回路図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図１の高周波信号線路１０の断面構造図である。図４は、高周波信号線路１０の断面構造図である。図５は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図及び断面構造図である。図１ないし図５において、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）、信号線２０、グランド導体２２，２４，２６、端子部２８ｂ，２８ｃ、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示す保護層１４及び誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ〜１８ｃ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面（第１の主面）と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面（第２の主面）と称す。

線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。

誘電体シート１８は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａの厚さＴ１は、図４に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＴ２よりも厚い。例えば、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＴ１は５０〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１５０μｍである。また、厚さＴ２は１０〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は５０μｍである。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

信号線２０は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、誘電体シート１８ｂの表面をｘ軸方向に延在している。信号線２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に設けられている。これにより、グランド導体２２は、図３に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、かつ、誘電体シート１８ａを介して、信号線２０と対向している。

より詳細には、グランド導体２２は、線路部２２ａ及び端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。端子部２２ｂは、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ここで、高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、主に、信号線２０とグランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの比誘電率に基づいて定まる。そこで、高周波信号線路１０の特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線２０とグランド導体２２によって高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線２０とグランド導体２２とグランド導体２４によって高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが５０Ωとなるように、後述するグランド導体２４の形状を調整する。以上のように、グランド導体２２は、基準グランド導体としての役割を果たす。

グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。これにより、グランド導体２４は、図３に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、かつ、誘電体シート１８ｂを介して、信号線２０と対向している。

より詳細には、グランド導体２４は、本体部２４ａ及び複数の突起部２４ｂを含んでいる。本体部２４ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、ｙ軸方向（信号線２０に直交する方向）の正方向側において信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している長方形状の導体である。本体部２４ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０とは重なっていない。

複数の突起部２４ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、本体部２４ａのｙ軸方向の負方向側の長辺からｙ軸方向の負方向側に向かって（すなわち、信号線２０に向かって）突出し、かつ、信号線２０と重なっている長方形状の導体である。複数の突起部２４ｂは、ｘ軸方向において等間隔に並んでいる。これにより、グランド導体２４は、突起部２４ｂにおいて信号線２０の一部と重なっている。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

グランド導体２６は、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。これにより、グランド導体２４は、図３に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、かつ、誘電体シート１８ｂを介して、信号線２０と対向している。

より詳細には、グランド導体２６は、本体部２６ａ及び複数の突起部２６ｂを含んでいる。本体部２６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、ｙ軸方向（信号線２０に直交する方向）の負方向側において信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している長方形状の導体である。本体部２６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０とは重なっていない。グランド導体２６は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

複数の突起部２６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、本体部２６ａのｙ軸方向の正方向側の長辺からｙ軸方向の正方向側に向かって（すなわち、信号線２０に向かって）突出し、かつ、信号線２０と重なっている長方形状の導体である。複数の突起部２６ｂは、ｘ軸方向において等間隔に並んでいる。これにより、グランド導体２６は、突起部２６ｂにおいて信号線２０の一部と重なっている。

突起部２４ｂ，２６ｂは、信号線２０に沿ってｘ軸方向に交互に並んでいる。ただし、突起部２４ｂは、他の導体に接続されておらず、グランド導体２６に接続されていない。また、突起部２６ｂは、他の導体に接続されておらず、グランド導体２４に接続されていない。これにより、グランド導体２４とグランド導体２６との間には、隙間が形成されている。この隙間は、図２に示すように、ｙ軸方向に振動しながらｘ軸方向に進行するジグザグ状をなしている。また、信号線２０は、突起部２４ｂ，２６ｂと重なっていると共に、隙間とも重なっている。また、隙間がｘ軸方向に延在している部分の幅Ｇ１は、隙間がｙ軸方向に延在している部分の幅Ｇ２よりも小さいことが好ましい。

グランド導体２４，２６は、シールドとしても機能する補助グランド導体である。また、グランド導体２４，２６は、前記の通り、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように最終的な調整を行うために設計されている。更に、グランド導体２４，２６の隙間の幅は、使用帯域内において輻射ノイズが発生しないように設計される。

端子部２８ｂは、接続部１８ｃ−ｂの表面に設けられ、端子部２２ｂと略同じ形状をなしている。端子部２８ｂは、グランド導体２４，２６のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２８ｃは、線路部１８ｃ−ｃの表面に設けられ、端子部２２ｃと略同じ形状をなしている。端子部２８ｃは、グランド導体２４，２６のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子部２８ｂ，２８ｃは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

複数のビアホール導体Ｂ１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａにおいて一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、突起部２４ｂに対してｙ軸方向（信号線２０に直交する方向）の正方向側に設けられている。複数のビアホール導体Ｂ３は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ｂ−ａにおいて一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ３は、ｚ軸方向から平面視したときに、突起部２４ｂに対してｙ軸方向（信号線２０に直交する方向）の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３は、互いに接続されることにより一本のビアホール導体を構成しており、グランド導体２２とグランド導体２４の本体部２４ａとを接続している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

複数のビアホール導体Ｂ２は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａにおいて一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ２は、ｚ軸方向から平面視したときに、突起部２６ｂに対してｙ軸方向（信号線２０に直交する方向）の負方向側に設けられている。複数のビアホール導体Ｂ２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ｂ−ａにおいて一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ４は、ｚ軸方向から平面視したときに、突起部２６ｂに対してｙ軸方向（信号線２０に直交する方向）の負方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４は、互いに接続されることにより一本のビアホール導体を構成しており、グランド導体２２とグランド導体２６の本体部２６ａとを接続している。ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

以上のような高周波信号線路１０では、信号線２０とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離は、図４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離は、１５０μｍである。一方、信号線２０とグランド導体２４，２６とのｚ軸方向における距離は、図４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２４，２６とのｚ軸方向の距離は、５０μｍである。すなわち、信号線２０とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離が、信号線２０とグランド導体２４，２６とのｚ軸方向における距離よりも大きくなるように設計されている。

更に、高周波信号線路１０では、信号線２０と突起部２４ｂとが重なっている部分からビアホール導体Ｂ１，Ｂ３までの距離Ｌ１、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３の長さＬ２、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３からビアホール導体Ｂ２，Ｂ４までの距離Ｌ３、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４の長さＬ４、及び、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４から信号線２０と突起部２４ｂに隣り合う突起部２６ｂとが重なっている部分までの距離Ｌ５の合計は、信号線２０を伝送される高周波信号の波長の１／４と略等しい。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。

コネクタ１００ｂは、図１及び図５に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６及び中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板に円筒が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体２２，２４，２６は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図６は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨｚの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２の表面とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線２０に関してグランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状のグランド導体２２が位置している。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８を準備する。誘電体シート１８の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚みは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す外部端子１６及びグランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示す外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）及びグランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６及びグランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す信号線２０を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体２４，２６及び端子部２８ｂ，２８ｃを誘電体シート１８ｃの表面に形成する。なお、これらのフォトリソグラフィ工程は、外部端子１６及びグランド導体２２を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４を形成する。なお、各誘電体シート１８は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４は、誘電体シート１８を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。なお、ビアホール導体とは、貫通孔に導体が完全に充填されたもののほか、貫通孔に導体が完全に充填されることなく、貫通孔の内周面が導体によって覆われたものも含む。

最後に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａ上に保護層１４を形成する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。

（効果）
本実施形態に係る高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０の薄型化を図ることができる。図７は、高周波信号線路１０をｚ軸方向から平面視した図である。図８は、信号線２０及びグランド導体２４，２６の等価回路図である。

特許文献１に記載のフレキシブル基板６００では、信号線路６０２に高周波信号が流れると、グランド層６０４の開口６０６間に位置するブリッジ部６０８には、図１６に示すように、電磁誘導により電流ｉ１，ｉ２が流れる。電流ｉ１，ｉ２は、ブリッジ部６０８のｙ軸方向の中央から互いに反対方向に流れる。ここで、フレキシブル基板６００のグランド層６０４は、図１７に示す回路構造を有している。より詳細には、ブリッジ部６０８の右半分がインダクタ成分Ｌ１１を形成し、ブリッジ部６０８の左半分がインダクタ成分Ｌ１２を形成している。また、信号線路６０２とグランド層６０４との間には、キャパシタ成分Ｃ１０が形成されている。インダクタ成分Ｌ１１に電流ｉ１が流れ、インダクタ成分Ｌ１２に電流ｉ２が流れると、電流ｉ１の向きと電流ｉ２の向きとが逆であるので、インダクタ成分Ｌ１１が発生する磁界とインダクタ成分Ｌ１２が発生する磁界とが打ち消し合う。その結果、図１７に示す等価回路図において、インダクタ成分Ｌ１１，Ｌ１２が存在しない、もしくはインダクタ成分が著しく減少してしまう。よって、ブリッジ部６０８と重なっている部分の信号線路６０２の特性インピーダンスは、キャパシタ成分Ｃ１０が支配的となり、所定の特性インピーダンスよりも低くなってしまう。以上より、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００では、信号線路６０２とグランド層６０４との間隔を大きくしなればならず、フレキシブル基板６００の薄型化を図ることが困難である。

一方、高周波信号線路１０は、本体部２４ａ，２６ａ及び突起部２４ｂ，２６ｂを含んでいる。本体部２４ａ，２６ａはそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側及び負方向側において信号線２０に沿って延在している。また、突起部２４ｂ，２６ｂはそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、本体部２４ａ，２６ａから信号線２０に向かって突出し、かつ、信号線２０と重なっている。更に、突起部２４ｂはグランド導体２６と接続されておらず、突起部２６ｂはグランド導体２４に接続されていない。これにより、高周波信号線路１０の信号線２０及びグランド導体２４，２６は、図８に示す回路構造を有している。より詳細には、突起部２４ｂ，２６ｂがそれぞれ、インダクタ成分Ｌ１，Ｌ２を形成している。突起部２４ｂ，２６ｂはそれぞれ、グランド導体２６，２４に接続されていないので、インダクタ成分Ｌ１，Ｌ２以外のインダクタ成分を形成していない。また、信号線２０とグランド導体２４，２６との間には、キャパシタ成分Ｃ１が形成されている。インダクタ成分Ｌ１，Ｌ２とキャパシタ成分Ｃ１とは直列に接続されている。

ここで、電流ｉ３が信号線２０をｘ軸方向の正方向側に向かって流れると、電磁誘導により、グランド導体２４，２６にはｘ軸方向の負方向側に向かって電流が流れるようになる。この際、突起部２４ｂには、ｙ軸方向の正方向側に向かって電流ｉ５が流れる。すなわち、インダクタ成分Ｌ１に電流ｉ５が流れる。ただし、突起部２４ｂがグランド導体２６に接続されていないので、電流ｉ５と逆向きの電流が突起部２４ｂには流れない。よって、インダクタ成分Ｌ１が発生する磁界が打ち消されることはない。また、突起部２６ｂには、ｙ軸方向の正方向側に向かって電流ｉ７が流れる。すなわち、インダクタ成分Ｌ２に電流ｉ７が流れる。ただし、突起部２６ｂがグランド導体２４に接続されていないので、電流ｉ７と逆向きの電流が突起部２６ｂには流れない。よって、インダクタ成分Ｌ２が発生する磁界が打ち消されることはない。なお、電流ｉ３と逆向きの電流が信号線２０に流れる場合も、同様の現象が生じる。その結果、信号線２０の特性インピーダンスは、インダクタ成分Ｌ１，Ｌ２及びキャパシタ成分Ｃ１が支配的となり、所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）に整合される。その結果、高周波信号線路１０では、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００のように、信号線２０とグランド導体２４，２６とのｚ軸方向の距離を大きくする必要がなく、高周波信号線路１０の薄型化を図ることができる。または、高周波信号線路１０の薄型化を図る代わりに、信号線２０の線幅を太くすることが可能である。

また、高周波信号線路１０は、不要輻射が発生することを抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０では、信号線２０と突起部２４ｂとが重なっている部分からビアホール導体Ｂ１，Ｂ３までの距離Ｌ１、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３の長さＬ２、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３からビアホール導体Ｂ２，Ｂ４までの距離Ｌ３、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４の長さＬ４、及び、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４から信号線２０と突起部２４ｂに隣り合う突起部２６ｂとが重なっている部分までの距離Ｌ５の合計は、信号線２０を伝送される高周波信号の波長の１／４と略等しい。これにより、隣り合う突起部２４ｂと突起部２６ｂとの電位差が最大となる。その結果、突起部２４ｂと突起部２６ｂとの間には、強い電界が形成されるようになる。よって、信号線２０からの電界は、突起部２４ｂと突起部２６ｂとの間から高周波信号線路１０外に放射されることなく、突起部２４ｂ，２６ｂに向かうようになる。その結果、高周波信号線路１０では、不要輻射が発生することが抑制される。

（第１の変形例）
以下に第１の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図９は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａをｚ軸方向から平面視した図である。

高周波信号線路１０ａでは、突起部２４ｂ，２６ｂが相対的に疎に設けられている領域Ａ１と、突起部２４ｂ，２６ｂが相対的に密に設けられている領域Ａ２とが信号線２０に沿ってｘ軸方向に周期的に並んでいる。また、領域Ａ１における信号線２０の線幅Ｗ１が領域Ａ２における信号線２０の線幅Ｗ２よりも広くなっている。

領域Ａ２では、突起部２４ｂ，２６ｂの間隔が相対的に小さく、領域Ａ１では、突起部２４ｂ，２６ｂの間隔が相対的に大きい。これにより、領域Ａ１では、突起部２４ｂ，２６ｂが相対的に疎に設けられ、領域Ａ２では、突起部２４ｂ，２６ｂが相対的に密に設けられている。よって、領域Ａ１では、信号線２０とグランド導体２４，２６との間の静電容量が相対的に小さくなって、信号線２０の特性インピーダンスが相対的に高くなる。また、領域Ａ２では、信号線２０とグランド導体２４，２６との間の静電容量が相対的に大きくなって、信号線２０の特性インピーダンスが相対的に低くなる。そして、領域Ａ１，Ａ２は、ｘ軸方向に交互に並んでいるので、信号線２０の特性インピーダンスは、周期的に変動するようになる。

以上のように、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動すると、不要輻射の発生を抑制できる。より詳細には、高周波信号線路において、信号線が一定の特性インピーダンスを有している場合には、特性インピーダンスが高い信号線路の両端が節となって比較的に長い波長を有する定常波が発生する。比較的に長い波長の定常波は、比較的に低い周波数を有している。このような比較的に低い周波数が、高周波信号線路において伝送される高周波信号の周波数よりも低いと、比較的に低い周波数の不要輻射が高周波信号線路から発生する。

そこで、高周波信号線路１０では、相対的に特性インピーダンスが高い領域Ａ１と相対的に特性インピーダンスが低い領域Ａ２とが設けられている。よって、領域Ａ１が定常波の節となる。これにより、信号線２０に発生し得る定常波の波長は、隣り合う領域Ａ１間の距離の２倍となる。その結果、信号線２０に発生し得る定常波の周波数は、比較的に高くなる。よって、信号線２０の領域Ａ１の間隔を十分に短くすることにより、信号線２０に発生し得る定常波の周波数を高周波信号線路１０において伝送される高周波信号の周波数よりも高くすることが可能である。これにより、高周波信号線路１０に高周波信号が伝送されたとしても、高周波信号線路１０から不要輻射が発生することが抑制されるようになる。なお、高周波信号線路１０から不要輻射が発生することをより効果的に抑制するために、信号線２０の領域Ａ１（すなわち、グランド導体２４）の間隔は、高周波信号線路１０を伝送される高周波信号の波長の半分よりも短いことが好ましい。

また、高周波信号線路１０では、領域Ａ１における信号線２０の線幅Ｗ１が領域Ａ２における信号線２０の線幅Ｗ２よりも広くなっている。領域Ａ１では、突起部２４ｂ，２６ｂが相対的に疎に設けられているので、突起部２４ｂ，２６ｂと信号線２０との間に形成される静電容量も相対的に小さい。よって、信号線２０の線幅Ｗ１を変化させても、突起部２４ｂ，２６ｂと信号線２０との間に形成される静電容量が殆ど変化せず、信号線２０の特性インピーダンスもほとんど変化しない。そこで、信号線２０の線幅Ｗ１を広くして、信号線２０の特性インピーダンスを大きく変化させることなく、信号線２０の直流抵抗を低減することができる。

なお、高周波信号線路１０ａのその他の構成は、高周波信号線路１０の構成と同じであるので説明を省略する。

（第２の変形例）
以下に第２の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１０は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂをｚ軸方向から平面視した図である。

高周波信号線路１０ｂでは、突起部２４ｂ，２６ｂが相対的に疎に設けられている領域Ａ１と、突起部２４ｂ，２６ｂが相対的に密に設けられている領域Ａ２，Ａ３とが信号線２０に沿ってｘ軸方向に周期的に並んでいる。

領域Ａ２では、突起部２４ｂ−１、２６ｂ−１，２４ｂ−２，２６ｂ−２，２４ｂ−３がｘ軸方向にこの順に並んでいる。そして、突起部２４ｂ−１，２６ｂ−１の間隔Ｄ１及び突起部２６ｂ−２，２４ｂ−３の間隔Ｄ１は、突起部２６ｂ−１，２４ｂ−２の間隔Ｄ２及び突起部２４ｂ−２，２６ｂ−２の間隔Ｄ２よりも大きい。更に、突起部２４ｂ−１，２４ｂ−３の幅Ｗ３は、突起部２６ｂ−１，２６ｂ−２の幅Ｗ５よりも狭く、突起部２６ｂ−１，２６ｂ−２の幅Ｗ５は、突起部２４ｂ−２の幅Ｗ４よりも狭い。以上のように、領域Ａ２では、ｘ軸方向の両端に行くにしたがって、突起部の幅が小さくなると共に、突起部の間隔が大きくなる。その結果、領域Ａ２では、ｘ軸方向の両端に行くにしたがって、信号線２０とグランド導体２４，２６との間の静電容量が小さくなるので、信号線２０の特性インピーダンスが高くなる。更に、領域Ａ２では、ｘ軸方向の両端に行くにしたがって、グランド導体２４，２６のインダクタ成分が大きくなるので、信号線２０の特性インピーダンスが高くなる。

領域Ａ３では、突起部２６ｂ−３、２４ｂ−４，２６ｂ−４，２４ｂ−５，２６ｂ−５がｘ軸方向にこの順に並んでいる。そして、突起部２６ｂ−３，２４ｂ−４の間隔Ｄ１及び突起部２４ｂ−５，２６ｂ−５の間隔Ｄ１は、突起部２４ｂ−４，２６ｂ−４の間隔Ｄ２及び突起部２６ｂ−４，２４ｂ−５の間隔Ｄ２よりも大きい。更に、突起部２６ｂ−３，２６ｂ−５の幅Ｗ３は、突起部２４ｂ−４，２４ｂ−５の幅Ｗ５よりも狭く、突起部２４ｂ−４，２４ｂ−５の幅Ｗ５は、突起部２６ｂ−４の幅Ｗ４よりも狭い。以上のように、領域Ａ３では、ｘ軸方向の両端に行くにしたがって、突起部の幅が小さくなると共に、突起部の間隔が大きくなる。その結果、領域Ａ３では、ｘ軸方向の両端に行くにしたがって、信号線２０とグランド導体２４，２６との間の静電容量が小さくなるので、信号線２０の特性インピーダンスが高くなる。更に、領域Ａ３では、ｘ軸方向の両端に行くにしたがって、グランド導体２４，２６のインダクタ成分が大きくなるので、信号線２０の特性インピーダンスが高くなる。

以上のように、高周波信号線路１０ｂでは、領域Ａ２，Ａ３における信号線２０の特性インピーダンスが一定ではなく、段階的に変動するようになる。その結果、領域Ａ１と領域Ａ２との境界及び領域Ａ１と領域Ａ３との境界において信号線２０の特性インピーダンスが急激に変動することが抑制される。その結果、領域Ａ１と領域Ａ２との境界及び領域Ａ１と領域Ａ３との境界において高周波信号が反射することが抑制される。

なお、高周波信号線路１０ｂのその他の構成は、高周波信号線路１０の構成と同じであるので説明を省略する。

（第３の変形例）
以下に第３の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１１は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃをｚ軸方向から平面視した図である。

高周波信号線路１０ｃのように、ブリッジ部３０によって、グランド導体２４とグランド導体２６とが接続されていてもよい。

（第４の変形例）
以下に第４の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１２は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄをｚ軸方向から平面視した図である。

高周波信号線路１０ｄでは、突起部２４ｂ，２６ｂが先端に行くにしたがって幅が小さくなる台形状をなしている。このように、突起部２４ｂ，２６ｂの形状を調整することによって、信号線２０と突起部２４ｂ，２６ｂとの間に形成される静電容量を調整することが可能である。なお、突起部２４ｂ，２６ｂは、先端に行くにしたがって幅が広くなる台形状をなしていてもよい。

また、高周波信号線路１０ｄでは、突起部２４ｂ，２６ｂが設けられている部分における信号線２０の線幅Ｗａは、突起部２４ｂ，２６ｂが設けられていない部分における信号線２０の線幅Ｗｂよりも広い。これにより、信号線２０と突起部２４ｂ，２６ｂとの間に形成される静電容量が大きくなる。このように、信号線２０の線幅を調整することによって、信号線２０と突起部２４ｂ，２６ｂとの間に形成される静電容量を調整することが可能である。

（第５の変形例）
以下に第５の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１３は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅをｚ軸方向から平面視した図である。

高周波信号線路１０ｅでは、突起部２４ｂ，２６ｂがｙ軸方向において対向している。また、突起部２４ｂ，２６ｂが設けられている部分における信号線２０の線幅Ｗａは、突起部２４ｂ，２６ｂが設けられていない部分における信号線２０の線幅Ｗｂよりも広い。これにより、突起部２４ｂ，２６ｂは、ｙ軸方向に対向した状態で信号線２０に対して重なっている。

（第６の変形例）
以下に第６の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１４は、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｆの分解図である。図１５は、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｆをｚ軸方向から平面視した図である。

高周波信号線路１０ｆは、図１４及び図１５に示すように、グランド導体２２の代わりに、それぞれ突起部２３ｂ，２５ｂを有するグランド導体２３，２５及び端子部２７ａ，２７ｂが設けられている点において高周波信号線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ｆについて説明する。

グランド導体２３は、グランド導体２４と同じ構造を有している。また、グランド導体２５は、グランド導体２６と同じ構造を有している。端子部２７ａは、端子部２８ａと同じ構造を有している。また、端子部２７ｂは、端子部２８ｂと同じ構造を有している。

また、グランド導体２３，２５は、図１５に示すように、グランド導体２４，２６に対して半周期だけｘ軸方向にずれている。すなわち、グランド導体２３とグランド導体２５とに挟まれたジグザグ状の隙間と、グランド導体２４とグランド導体２６とに挟まれたジグザグ状の隙間とは、ｘ軸方向において半周期だけずれている。

また、突起部２３ｂと突起部２４ｂとは、２つのビアホール導体Ｂ１，Ｂ３及び２つのビアホール導体Ｂ２，Ｂ４により接続されている。すなわち、突起部２３ｂと突起部２４ｂとは、４本のビアホール導体により接続されている。同様に、突起部２５ｂと突起部２６ｂとは、２つのビアホール導体Ｂ１，Ｂ３及び２つのビアホール導体Ｂ２，Ｂ４により接続されている。すなわち、突起部２５ｂと突起部２６ｂとは、４本のビアホール導体により接続されている。

以上のような高周波信号線路１０ｆによれば、信号線２０のｙ軸方向の両側に隙間が存在しない。すなわち、信号線２０のｙ軸方向のいずれか一方にしか隙間が存在しない。よって、信号線２０の特性インピーダンスが急激に変化することが抑制される。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｆに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、各実施形態においては、グランド導体２４，２６はいずれも設けられたが、いずれか片方だけでもよい。この場合も特許文献１に記載のフレキシブル基板のように不所望なインダクタンス成分の減少により薄型化が阻害されることがない。したがって、高周波信号線路の薄型化が図れる。なお、不要輻射が発生することをさらに確実に抑制するためにグランド導体２４，２６はいずれも設けられることが好ましい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｆに示した構成を組み合わせてもよい。

なお、図１の高周波信号線路１０において、グランド導体２２がグランド導体２４と同じ形状であってもよい。また、グランド導体２２は、信号線２０に沿って並ぶ複数の開口が設けられることによりはしご状をなしていてもよい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｆは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。

以上のように、本発明は、高周波信号線路及び電子機器に有用であり、特に、高周波信号線路１０の薄型化を図ることができる点において優れている。

Ｂ１〜Ｂ４，ｂ１，ｂ２ ビアホール導体
１０，１０ａ〜１０ｆ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１８ａ〜１８ｃ 誘電体シート
２０ 信号線
２２，２３，２４，２５，２６ グランド導体
２４ａ，２６ａ 本体部
２４ｂ，２６ｂ 突起部

Claims (7)

1. 複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、
   前記素体に設けられている線状の信号線と、
   前記素体において、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、前記絶縁体層を介して該信号線と対向している第１のグランド導体と、
   を備えており、
   前記第１のグランド導体は、
   積層方向から平面視したときに、前記信号線よりも該信号線に直交する方向の一方側において該信号線に沿って延在している第１の本体部と、
   積層方向から平面視したときに、前記第１の本体部から前記信号線に向かって突出し、かつ、該信号線と重なっている第１の突起部であって、該第１の本体部以外の導体と接続されていない第１の突起部と、
   を含んでいること、
   を特徴とする高周波信号線路。
2. 前記高周波信号線路は、
   前記素体において、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、前記絶縁体層を介して該信号線と対向している第２のグランド導体と、
   を更に備えており、
   前記第１の突起部は、前記第２のグランド導体には接続されておらず、
   前記第２のグランド導体は、
   積層方向から平面視したときに、前記信号線よりも該信号線に直交する方向の他方側において該信号線に沿って延在している第２の本体部と、
   積層方向から平面視したときに、前記第２の本体部から前記信号線に向かって突出し、かつ、該信号線と重なっている第２の突起部であって、前記第１のグランド導体には接続されていない第２の突起部と、
   を含んでいること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
3. 前記第１の突起部と前記第２の突起部とは前記信号線に沿って交互に並んでいること、
   を特徴とする請求項２に記載の高周波信号線路。
4. 前記第１の突起部及び前記第２の突起部が相対的に密に設けられている第１の領域と該第１の突起部及び該第２の突起部が相対的に疎に設けられている第２の領域とが前記信号線に沿って周期的に並んでいること、
   を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の高周波信号線路。
5. 前記高周波信号線路は、
   前記素体において、前記信号線よりも積層方向の他方側に設けられ、かつ、前記絶縁体層を介して該信号線と対向している第３のグランド導体と、
   前記第１のグランド導体と前記第３のグランド導体とを接続する第１のビアホール導体と、
   前記第２のグランド導体と前記第３のグランド導体とを接続する第２のビアホール導体と、
   を更に備えていること、
   を特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の高周波信号線路。
6. 前記第１のビアホール導体は、前記第１の突起部に対して前記信号線に直交する方向の一方側に設けられており、
   前記第２のビアホール導体は、前記第２の突起部に対して前記信号線に直交する方向の他方側に設けられており、
   前記信号線と前記第１の突起部とが重なっている部分から前記第１のビアホール導体までの距離、該第１のビアホール導体の長さ、該第１のビアホール導体から前記第２のビアホール導体までの距離、該第２のビアホール導体の長さ、及び、該第２のビアホール導体から該信号線と該第１の突起部に隣り合う前記第２の突起部とが重なっている部分までの距離の合計は、該信号線を伝送される高周波信号の波長の１／４と略等しいこと、
   を特徴とする請求項５に記載の高周波信号線路。
7. 筐体と、
   前記筐体に収容されている高周波信号線路と、
   を備えており、
   前記高周波信号線路は、
   複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、
   前記素体に設けられている線状の信号線と、
   前記素体において、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、前記絶縁体層を介して該信号線と対向している第１のグランド導体と、
   を備えており、
   前記第１のグランド導体は、
   積層方向から平面視したときに、前記信号線よりも該信号線に直交する方向の一方側において該信号線に沿って延在している第１の本体部と、
   積層方向から平面視したときに、前記第１の本体部から前記信号線に向かって突出し、かつ、該信号線と重なっている第１の突起部であって、該第１の本体部以外の導体と接続されていない第１の突起部と、
   を含んでいること、
   を特徴とする電子機器。

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