JP5472553B2 - 高周波信号線路及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高周波信号線路に関し、より特定的には、可撓性を有する素体に信号線が設けられてなる高周波信号線路及び電子機器に関する。

従来の高周波信号線路としては、例えば、特許文献１に記載のフレキシブル基板が知られている。図１７は、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００を積層方向から平面視した図である。

フレキシブル基板６００は、信号線路６０２及びグランド層６０４を備えている。信号線路６０２は、線状の導体である。グランド層６０４は、誘電体層を介して、信号線路６０２の積層方向の上側に積層されている。また、図示しないが、信号線路６０２の積層方向の下側にはグランド層が設けられている。そして、フレキシブル基板６００では、グランド層６０４には、複数の開口６０６が設けられている。複数の開口６０６は、長方形状をなしており、信号線路６０２上において一列に並んでいる。このように複数の開口６０６が設けられることにより、フレキシブル基板６００の薄型化が図られている。

しかしながら、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００では、信号線路６０２は、グランド層６０４及び図示しないグランド層により挟まれている。グランド層６０４及び図示しないグランド層は、変形しにくい銅箔などにより作製されるので、高周波信号線路が折り曲げられることを阻害する。

特開２００７−１２３７４０号公報

そこで、本発明の目的は、折り曲げて用いることが容易な高周波信号線路及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体に設けられ、かつ、前記信号線に沿って延在している第１のグランド導体と、前記素体に設けられ、かつ、前記信号線よりも積層方向の一方側において、該信号線が延びる方向に所定間隔をおいて並んでいる複数のグランド導体であって、前記絶縁体層を介して該信号線と対向している複数の第２のグランド導体と、前記絶縁体層を貫通している複数のビアホール導体であって、前記第１のグランド導体と前記複数の第２のグランド導体とを接続している複数の第１のビアホール導体と、を備えていること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収容されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体に設けられ、かつ、前記信号線に沿って延在している第１のグランド導体と、前記素体に設けられ、かつ、前記信号線よりも積層方向の一方側において、該信号線が延びる方向に所定間隔をおいて並んでいる複数のグランド導体であって、前記絶縁体層を介して該信号線と対向している複数の第２のグランド導体と、前記絶縁体層を貫通している複数のビアホール導体であって、前記第１のグランド導体と前記複数の第２のグランド導体とを接続している複数の第１のビアホール導体と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、高周波信号線路を折り曲げて用いることが容易となる。

本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 図１の高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図及び断面構造図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。 高周波信号線路の等価回路図である。 高周波信号線路の位置と特性インピーダンスとの関係を示したグラフである。 第１の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 高周波信号線路のグランド導体の等価回路図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 第４の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 第５の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 第６の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 第７の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 特許文献１に記載のフレキシブル基板を積層方向から平面視した図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図１の高周波信号線路１０の断面構造図である。図４は、高周波信号線路１０の断面構造図である。図５は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図及び断面構造図である。図１ないし図５において、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）、信号線２０、グランド導体２２，２４、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示す保護層１４及び誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ〜１８ｄ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面（第１の主面）と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面（第２の主面）と称す。

線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。

誘電体シート１８は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａ，１８ｂの合計の厚さＴ１は、図４に示すように、誘電体シート１８ｃの厚さＴ２よりも厚い。例えば、誘電体シート１８ａ〜１８ｄの積層後において、厚さＴ１は５０〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１５０μｍである。また、厚さＴ２は１０〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は５０μｍである。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｄは、線路部１８ｄ−ａ及び接続部１８ｄ−ｂ，１８ｄ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａ，１８ｄ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂ，１８ｄ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃ，１８ｄ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

信号線２０は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、誘電体シート１８ｃの表面をｘ軸方向に延在している。信号線２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

グランド導体２２（第１のグランド導体）は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、より詳細には、誘電体素体１２の表面に最も近い誘電体シート１８ａの表面に設けられている。グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面において信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在しており、図２に示すように、誘電体シート１８ａ，１８ｂを介して信号線２０と対向している。グランド導体２２には、実質的に開口が設けられていない。すなわち、グランド導体２２は、線路部１２ａにおける信号線２０に沿ってｘ軸方向に連続的に延在する電極、所謂ベタ状の電極である。ただし、グランド導体２２は線路部１２ａを完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート１８の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすためにグランド導体２２の所定の位置に微小な穴などが設けられるものであってもよい。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体２２は、線路部２２ａ、端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。端子部２２ｂは、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

ここで、高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、主に、信号線２０とグランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｄの比誘電率に基づいて定まる。そこで、高周波信号線路１０の特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線２０とグランド導体２２によって高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線２０とグランド導体２２とグランド導体２４によって高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが５０Ωとなるように、後述するグランド導体２４の形状を調整する。以上のように、グランド導体２２は、基準グランド導体としての役割を果たす。

グランド導体２４（第２のグランド導体）は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート１８ｄの表面に設けられている。これにより、グランド導体２４は、図２に示すように、誘電体シート１８ｃ，１８ｄ間に設けられている。グランド導体２４は、ｙ軸方向に延在する長方形状をなしており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と交差している。そして、グランド導体２４は、誘電体シート１８ｄの表面において、信号線２０に沿ってｘ軸方向に一列に所定間隔をおいて（本実施形態では、等間隔に）並んでいる。複数のグランド導体２４の間隔は、信号線２０を伝送される高周波信号の波長の半分以下であることが望ましい。更に、グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃを介して信号線２０と対向している。これにより、グランド導体２４は、信号線２０を挟んでグランド導体２２と対向している。また、グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ここで、図２に示すように、高周波信号線路１０において、信号線２０とグランド導体２４とが重なっていない領域を領域Ａ１と呼び、信号線２０とグランド導体２４とが重なっている領域を領域Ａ２と呼ぶ。領域Ａ１と領域Ａ２とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。また、図２に示すように、領域Ａ１における信号線２０の線幅Ｗａは、領域Ａ２における信号線２０の線幅Ｗｂよりも大きい。領域Ａ１においては、信号線２０はグランド導体２４と重なっていないため、線幅Ｗａを大きくして信号線の高周波抵抗値を小さくすることができる。一方、領域Ａ２においては、信号線２０はグランド導体２４と重なっているため、高周波抵抗値の低下を抑制するために領域Ａ１よりも線幅Ｗｂを小さく設定している。

グランド導体２４は、シールドとしても機能する補助グランド導体である。また、グランド導体２４は、前記の通り、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように最終的な調整を行うために設計されている。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ３は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１，ｂ３は、互いに接続されることにより一本のビアホール導体を構成しており、外部端子１６ａと信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。

ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ４は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ２，ｂ４は、互いに接続されることにより一本のビアホール導体を構成しており、外部端子１６ｂと信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１〜ｂ４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

複数のビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３はそれぞれ、誘電体シート１８ａ，１８ｂ，１８ｃの線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａにおいて一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側（信号線２０が延在している方向に直交する直交方向の一方側）に設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、グランド導体２２とグランド導体２４のｙ軸方向の正方向側の端部とを接続している。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

複数のビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６はそれぞれ、誘電体シート１８ａ，１８ｂ，１８ｃの線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａにおいて一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側（信号線２０が延在している方向に直交する直交方向の他方側）に設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、グランド導体２２とグランド導体２４のｙ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

以上のように、信号線２０は、図４に示すように、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６及びグランド導体２２，２４により周囲を囲まれている。また、信号線２０は、ｚ軸方向の両側からグランド導体２２，２４によって挟まれているので、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。そして、信号線２０とグランド導体２２との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ａ，１８ｂの合計の厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２２との間隔は、１５０μｍである。一方、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ｃの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、５０μｍである。すなわち、厚みＴ１は厚みＴ２よりも大きくなるように設計されている。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。

コネクタ１００ｂは、図１及び図５に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６及び中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板に円筒が接合された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体２２，２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図６は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

筐体２１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ及びバッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２の表面とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線２０に関してグランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状のグランド導体２２が位置している。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８を準備する。誘電体シート１８の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚みは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す外部端子１６及びグランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示す外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）及びグランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６及びグランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す信号線２０を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体２４を誘電体シート１８ｄの表面に形成する。なお、これらのフォトリソグラフィ工程は、外部端子１６及びグランド導体２２を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｄをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｄに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｄを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６を形成する。なお、各誘電体シート１８は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６は、誘電体シート１８を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。なお、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６は必ずしも貫通孔が導体で完全に埋められている必要はなく、例えば貫通孔の内周面のみに沿って導体を形成することによって形成されてもよい。

最後に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａ上に保護層１４を形成する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。

（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０を折り曲げて用いることができる。より詳細には、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００では、信号線路６０２は、グランド層６０４及び図示しないグランド層により挟まれている。グランド層６０４及び図示しないグランド層は、変形しにくい銅箔などにより作製されるので、高周波信号線路が折り曲げられることを阻害する。

一方、高周波信号線路１０では、グランド導体２４は、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側において信号線２０に沿って並んでいる。そして、複数のグランド導体２４は、互いに接続されていない。したがって、高周波信号線路１０では、グランド導体２４が設けられていない領域Ａ１が存在する。これにより、高周波信号線路１０では、領域Ａ１において高周波信号線路１０を折り曲げることが容易となる。

また、高周波信号線路１０によれば、以下の理由によっても、高周波信号線路１０を容易に曲げることが容易である。高周波信号線路１０の特性インピーダンスＺは、√（Ｌ／Ｃ）で表される。Ｌは、高周波信号線路１０の単位長さ当たりのインダクタンス値である。Ｃは、高周波信号線路１０の単位長さ当たりの容量値である。高周波信号線路１０は、Ｚが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）となるように設計される。

ここで、高周波信号線路１０を容易に曲げることができるようにするためには、高周波信号線路１０のｚ軸方向の厚み（以下、単に厚みと称す）を薄くすることが考えられる。ところが、高周波信号線路１０の厚みを薄くすると、信号線２０とグランド導体２２，２４との距離が小さくなり、容量値Ｃが大きくなってしまう。その結果、特性インピーダンスＺが所定の特性インピーダンスよりも小さくなってしまう。

そこで、信号線２０の線幅を細くして、信号線２０のインダクタンス値Ｌを大きくすると共に、信号線２０とグランド導体２２，２４との対向面積を小さくして、容量値Ｃを小さくすることが考えられる。

しかしながら、信号線２０の線幅を細くすると、信号線２０の直流抵抗が大きくなり、高周波ロスが増大する。高周波ロスとは、インピーダンス整合が取られた状態において、高周波信号が熱に変換されて発生する損失である。

そこで、高周波信号線路１０では、信号線２０とグランド導体２４とが重なっていない領域Ａ１が設けられている。これにより、信号線２０とグランド導体２４との対向面積が小さくなり、容量値Ｃが小さくなる。よって、信号線２０とグランド導体２４との距離を大きくする必要がなくなる。その結果、高周波信号線路１０において、特性インピーダンスＺを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、容易に曲げることができるようになる。

また、高周波信号線路１０では、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれることが抑制される。図７は、高周波信号線路１０の等価回路図である。

領域Ａ１では、図７に示すように、信号線２０によるインダクタ成分Ｌ１が形成されている。更に、領域Ａ１では、信号線２０はグランド導体２２と対向しているので、キャパシタ成分Ｃ１が形成されている。これにより、領域Ａ１では、インダクタ成分Ｌ１の一端にキャパシタ成分Ｃ１の一端が接続され、キャパシタ成分Ｃ１の他端が接地された回路が形成されている。

一方、領域Ａ２では、図７に示すように、信号線２０によるインダクタ成分Ｌ２が形成されている。更に、領域Ａ２では、信号線２０はグランド導体２２，２４と対向しているので、キャパシタ成分Ｃ２が形成されている。これにより、領域Ａ２では、インダクタ成分Ｌ２の一端にキャパシタ成分Ｃ２の一端が接続され、キャパシタ成分Ｃ２の他端が接地された回路が形成されている。そして、領域Ａ１，Ａ２が交互に直列に接続されている。

ここで、領域Ａ１には、グランド導体２４が設けられていないので、領域Ａ１におけるキャパシタ成分Ｃ１は、領域Ａ２におけるキャパシタ成分Ｃ２よりも小さい。これにより、領域Ａ１における信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスよりも高くなる。そこで、領域Ａ１における信号線２０の線幅Ｗａは、領域Ａ２における信号線２０の線幅Ｗｂよりも大きくなっている。これにより、インダクタ成分Ｌ１は、インダクタ成分Ｌ２よりも小さくなる。その結果、領域Ａ１における信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスに近づく。よって、信号線２０の特性インピーダンスの変動が抑制されるようになり、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。なお、領域Ａ１においては、信号線２０はグランド導体２４と重なっていないため、線幅Ｗａを大きくして信号線２０の高周波抵抗値を小さくすることができる。

また、高周波信号線路１０によれば、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれることを抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０では、信号線２０に関してグランド導体２２側に位置する誘電体素体１２の表面が、バッテリーパック２０６に対して接触している。すなわち、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、実質的に開口が設けられていないグランド導体２２が設けられている。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６との間で電磁界結合が発生することが抑制される。その結果、高周波信号線路１０では、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

また、高周波信号線路１０では、信号線２０のｚ軸方向の正方向側にはグランド導体２２が設けられており、信号線２０のｚ軸方向の負方向側にはグランド導体２４が設けられている。また、信号線２０のｙ軸方向の両側には、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６が設けられている。これにより、高周波信号線路１０から不要輻射が発生することが抑制される。

また、高周波信号線路１０によれば、以下の理由によっても、不要輻射の発生を抑制できる。図８は、高周波信号線路１０の位置と特性インピーダンスとの関係を示したグラフである。より詳細には、高周波信号線路において、信号線が一定の特性インピーダンスを有している場合には、特性インピーダンスが高い信号線路の両端が節となって比較的に長い波長を有する定常波が発生する。比較的に長い波長の定常波は、比較的に低い周波数を有している。このような比較的に低い周波数が、高周波信号線路において伝送される高周波信号の周波数よりも低いと、比較的に低い周波数の不要輻射が高周波信号線路から発生する。

そこで、高周波信号線路１０では、グランド導体２４が設けられていない領域Ａ１とグランド導体２４が設けられている領域Ａ２とが設けられている。これにより、領域Ａ１における信号線２０の特性インピーダンスは、図８に示すように、領域Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスよりも高くなる。そして、信号線２０の特性インピーダンスは、周期的に増減するようになる。そのため、特性インピーダンスが高くなっている領域Ａ１が定常波の節となる。これにより、信号線２０に発生し得る定常波の波長は、隣り合う領域Ａ１間の距離の２倍となる。その結果、信号線２０に発生し得る定常波の周波数は、比較的に高くなる。よって、信号線２０の領域Ａ１の間隔を十分に短くすることにより、信号線２０に発生し得る定常波の周波数を高周波信号線路１０において伝送される高周波信号の周波数よりも高くすることが可能である。これにより、高周波信号線路１０に高周波信号が伝送されたとしても、高周波信号線路１０から不要輻射が発生することが抑制されるようになる。なお、高周波信号線路１０から不要輻射が発生することをより効果的に抑制するために、信号線２０の領域Ａ１（すなわち、グランド導体２４）の間隔は、高周波信号線路１０を伝送される高周波信号の波長よりも短いことが好ましい。

また、領域Ａ２では、信号線２０とグランド導体２４とが対向しているので、これらの間に容量が形成される。そのため、領域Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスは領域Ａ１における信号線２０の特性インピーダンスに比べて低くなる。ただし、領域Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスが小さくなり過ぎることを防止するために、領域Ａ２における信号線２０の線幅Ｗｂは、領域Ａ１における信号線２０の線幅Ｗａよりも小さくなっている。これにより、領域Ａ１と領域Ａ２との境界において高周波信号が反射することが抑制されている。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図９は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ａとの相違点は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６の配置である。より詳細には、高周波信号線路１０では、全てのグランド導体２４は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３及びビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６によりグランド導体２２に接続されている。一方、高周波信号線路１０ａでは、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３によりグランド導体２２に接続されているグランド導体２４と、ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６によりグランド導体２４に接続されているグランド導体２４とが、ｘ軸方向に交互に並ぶように配置されている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ａでは、高周波信号線路１０と同様に、折り曲げて用いることが容易である。また、高周波信号線路１０ａでは、高周波信号線路１０と同様に、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。また、高周波信号線路１０ａでは、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射の発生が抑制される。

また、高周波信号線路１０ａでは、以下の理由により、高周波信号線路１０ａの薄型化を図ること、又は、高周波ロスの低減を図ることができる。図１０（ａ）は、高周波信号線路１０のグランド導体２４の等価回路図であり、図１０（ｂ）は、高周波信号線路１０ａのグランド導体２４の等価回路図である。

高周波信号線路１０では、信号線２０に高周波信号が流れると、グランド導体２４には、図２に示すように、電磁誘導により電流ｉ１，ｉ２が流れる。電流ｉ１，ｉ２は、グランド導体２４のｙ軸方向の中央から反対方向に流れる。ここで、高周波信号線路１０のグランド導体２４は、図１０（ａ）に示す回路構造を有している。より詳細には、グランド導体２４のｙ軸方向の正方向側の半分がインダクタ成分Ｌ１１を形成し、グランド導体２４のｙ軸方向の負方向側の半分がインダクタ成分Ｌ１２を形成している。また、信号線２０とグランド導体２４との間には、キャパシタ成分Ｃ１０が形成されている。図２に示すように、インダクタ成分Ｌ１１に電流ｉ１が流れ、インダクタ成分Ｌ１２に電流ｉ２が流れると、電流ｉ１の向きと電流ｉ２の向きとが逆であるので、インダクタ成分Ｌ１１が発生する磁界とインダクタ成分Ｌ１２が発生する磁界とが打ち消し合う。その結果、図１０（ａ）に示す等価回路図において、インダクタ成分Ｌ１１，Ｌ１２が存在しないものとみなされてしまう。その結果、領域Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスは、キャパシタ成分Ｃ１０が支配的となり、所定の特性インピーダンスよりも低くなってしまう。よって、信号線２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに近づけるためには、信号線２０とグランド導体２４との距離を大きくするか、又は、信号線２０の線幅を細くする必要がある。

一方、高周波信号線路１０ａでは、グランド導体２４は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３又はビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６のいずれか一方しか接続されていない。そのため、グランド導体２４には、図９に示すように、ｙ軸方向の正方向側又はｙ軸方向の負方向側のいずれか一方に向かって流れる電流ｉ３しか発生しない。ここで、高周波信号線路１０ａのグランド導体２４は、図１０（ｂ）に示す回路構造を有している。より詳細には、グランド導体２４がインダクタ成分Ｌ１３を形成している。また、信号線２０とグランド導体２４との間には、コンデンサ成分Ｃ１０が形成されている。そのため、インダクタ成分Ｌ１３に電流ｉ３が流れたとしても、インダクタ成分Ｌ１３が発生する磁界は打ち消し合うことがない。その結果、図１０（ｂ）に示す等価回路図において、インダクタ成分Ｌ１３が存在しないものとみなされることはない。その結果、領域Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスは、インダクタ成分Ｌ１３が支配的となり、所定の特性インピーダンスよりも高くなる。そこで、信号線２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに近づけるために、信号線２０とグランド導体２４との距離を小さくするか、又は、信号線２０の線幅を太くすればよい。これにより、高周波信号線路１０ａの薄型化を図ること、又は、高周波ロスの低減を図ることができる。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１１は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ｂとの相違点は、グランド導体２２に開口５０が設けられている点である。より詳細には、グランド導体２２には、ｘ軸方向に沿って等間隔に並ぶ矩形状の複数の開口５０が設けられている。開口５０は、ｚ軸方向から平面視したときに、領域Ａ２における信号線２０と重なっている。

高周波信号線路１０においては、信号線２０が領域Ａ２においてグランド導体２２，２４の両方に対向することよって、領域Ａ１と比較して特性インピーダンスが低くなる。そこで、高周波信号線路１０ｂによれば、グランド導体２２に開口５０を設けることにより領域Ａ１と比較して特性インピーダンスが低くなりすぎることを抑制できる。したがって、信号線２０の特性インピーダンスが領域Ａ１と領域Ａ２との境界で急激に変動することが抑制される。

なお、高周波信号線路１０ｂにおいて、高周波信号線路１０ａと同様に、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３によりグランド導体２２に接続されているグランド導体２４と、ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６によりグランド導体２４に接続されているグランド導体２４とが、ｘ軸方向に交互に並ぶように配置されていてもよい。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１２は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ｃとの相違点は、グランド導体２４がｙ軸方向に対して斜めに傾斜している点である。より詳細には、グランド導体２４は、ｘ軸方向の正方向側に進行しながらｙ軸方向の正方向側に進行するようにｙ軸方向に対して傾いている。これにより、領域Ａ２において、信号線２０とグランド導体２４との距離が、領域Ａ２のｘ軸方向の中央に近づくにしたがって、徐々に減少するようになる。そのため、領域Ａ２において、信号線２０とグランド導体２４との間に形成される容量が緩やかに変動するようになる。その結果、信号線２０の特性インピーダンスの急激な変動が抑制されるようになる。

なお、高周波信号線路１０ｃにおいて、高周波信号線路１０ａと同様に、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３によりグランド導体２２に接続されているグランド導体２４と、ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６によりグランド導体２４に接続されているグランド導体２４とが、ｘ軸方向に交互に並ぶように配置されていてもよい。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１３は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｄと高周波信号線路１０ｃとの相違点は、グランド導体２４の傾いている方向である。より詳細には、高周波信号線路１０ｄでは、ｘ軸方向の正方向側に進行しながらｙ軸方向の正方向側に進行するようにｙ軸方向に対して傾いているグランド導体２４と、ｘ軸方向の正方向側に進行しながらｙ軸方向の負方向側に進行するようにｙ軸方向に対して傾いているグランド導体２４とが交互に並んでいる。

なお、高周波信号線路１０ｄにおいて、高周波信号線路１０ａと同様に、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３によりグランド導体２２に接続されているグランド導体２４と、ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６によりグランド導体２４に接続されているグランド導体２４とが、ｘ軸方向に交互に並ぶように配置されていてもよい。

なお、ｘ軸方向の正方向側に進行しながらｙ軸方向の正方向側に進行するようにｙ軸方向に対して傾いているグランド導体２４と、ｘ軸方向の正方向側に進行しながらｙ軸方向の負方向側に進行するようにｙ軸方向に対して傾いているグランド導体２４とは必ずしも交互に配置されなくてもよい。ただし、接地電位のバランスを考慮すると、高周波信号線路１０ｄのように交互に配置することが好ましい。

（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１４は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ｅとの相違点は、グランド導体２２の代わりにグランド導体２６，２８が設けられている点である。より詳細には、高周波信号線路１０ｅは、グランド導体２６，２８、端子部２９ｂ，２９ｃ及びビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１４を更に備えている。

グランド導体２６，２８は、誘電体素体１２の誘電体シート１８ａの表面に設けられており、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している。グランド導体２６は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｙ軸方向の正方向側（すなわち、信号線２０が延在している方向に直交する直交方向の一方側）に設けられている。また、グランド導体２８は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｙ軸方向の負方向側（すなわち、信号線２０が延在している方向に直交する直交方向の他方側）に設けられている。これにより、信号線２０及びグランド導体２６，２８は、コプレナ構造をなしている。

複数のビアホール導体Ｂ１１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａにおいて一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１１は、グランド導体２６とグランド導体２４のｙ軸方向の正方向側の端部とを接続している。

複数のビアホール導体Ｂ１４は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａにおいて一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１４は、グランド導体２８とグランド導体２４のｙ軸方向の負方向側の端部とを接続している。

また、端子部２９ｂは、グランド導体２６，２８のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、図２の端子部２２ｂと同じ構造を有している。端子部２９ｃは、グランド導体２６，２８のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、図２の端子部２２ｃと同じ構造を有している。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｅでは、高周波信号線路１０と同様に、折り曲げて用いることが容易である。また、高周波信号線路１０ｅでは、高周波信号線路１０と同様に、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。また、高周波信号線路１０ｅでは、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射の発生が抑制される。

また、高周波信号線路１０ｅでは、以下の理由によっても、折り曲げて用いることが容易である。より詳細には、信号線からｚ軸方向に離れた位置に設けられているグランド導体には、高周波信号線路が折り曲げられる際に、引っ張り応力又は圧縮応力が働く。そのため、高周波信号線路が折り曲げられることを阻害する。

そこで、高周波信号線路１０ｅでは、高周波信号線路１０ｅが折り曲げられることを阻害するグランド導体が信号線２０のｚ軸方向の正方向側には設けられていない。その代わりに、信号線２０が設けられている誘電体シート１８ａ上にグランド導体２６，２８が設けられている。ただし、信号線２０が設けられている誘電体シート１８ａ上に設けられているグランド導体２６，２８には大きな引っ張り応力又は圧縮応力が働かない。したがって、グランド導体２６，２８は、高周波信号線路１０ｅが折り曲げられることを大きく阻害しない。よって、高周波信号線路１０ｅでは、折り曲げて用いることが容易である。

（第６の変形例）
以下に、第６の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１５は、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｆの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ｆとの相違点は、グランド導体２５が更に設けられている点である。より詳細には、高周波信号線路１０ｆは、誘電体シート１８ｅ、グランド導体２５及びビアホール導体Ｂ１２、Ｂ１５を更に備えている。

誘電体シート１８ｅは、誘電体シート１８ａの表面上に積層されている。グランド導体２５は、グランド導体２４と同じ形状を有しており、ｚ軸方向から平面視したときに一致した状態で重なっている。

ビアホール導体Ｂ１２は、誘電体シート１８ｅの線路部１８ｅ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ｅ−ａにおいて一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１２は、グランド導体２６とグランド導体２５のｙ軸方向の正方向側の端部とを接続している。

ビアホール導体Ｂ１５は、誘電体シート１８ｅの線路部１８ｅ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ｅ−ａにおいて一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１５は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１５は、グランド導体２８とグランド導体２５のｙ軸方向の負方向側の端部とを接続している。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｆでは、高周波信号線路１０と同様に、折り曲げて用いることが容易である。また、高周波信号線路１０ｆでは、高周波信号線路１０と同様に、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。また、高周波信号線路１０ｆでは、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射の発生が抑制される。

（第７の変形例）
以下に、第７の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１６は、第７の変形例に係る高周波信号線路１０ｇの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｇでは、信号線２０は、領域Ａ１のｘ軸方向の両端においてテーパーをなしている。そのため、信号線２０の線幅は緩やかに変動している。また、信号線２０とグランド導体２６との間には、均一な隙間が形成されている。よって、グランド導体２６は、信号線２０と対向する部分において、信号線２０の形状に倣った形状をなしている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｇでは、信号線２０の線幅が緩やかに変動しているので、信号線２０の特性インピーダンスの変動が緩やかになる。また、信号線２０とグランド導体２６との間に形成されている隙間が均一なので、信号線２０とグランド導体２６との間に形成される容量が信号線２０の位置によって変動することが抑制される。その結果、信号線２０の特性インピーダンスの変動が抑制される。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｇに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｇに示した構成を組み合わせてもよい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｇは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。

以上のように、本発明は、高周波信号線路及び電子機器に有用であり、特に、折り曲げて用いることができる点において優れている。

Ａ１，Ａ２ 領域
Ｂ１〜Ｂ６，Ｂ１１，Ｂ１２，Ｂ１４，Ｂ１５ ビアホール導体
１０，１０ａ〜１０ｇ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１８ａ〜１８ｅ 誘電体シート
２０ 信号線
２２，２４，２５，２６，２８ グランド導体

Claims (9)

1. 可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、
   前記素体に設けられている線状の信号線と、
   前記素体に設けられ、かつ、前記信号線に沿って延在している第１のグランド導体と、
   前記素体に設けられ、かつ、前記信号線よりも積層方向の一方側において、該信号線が延びる方向に所定間隔をおいて並んでいる複数のグランド導体であって、前記絶縁体層を介して該信号線と対向している複数の第２のグランド導体と、
   前記絶縁体層を貫通している複数のビアホール導体であって、前記第１のグランド導体と前記複数の第２のグランド導体とを接続している複数の第１のビアホール導体と、
   を備えていること、
   を特徴とする高周波信号線路。
2. 前記第１のグランド導体は、前記信号線よりも積層方向の他方側に設けられ、かつ、前記絶縁体層を介して該信号線に対向していること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
3. 前記高周波信号線路は、
   前記絶縁体層を貫通している複数の第２のビアホール導体であって、前記第１のグランド導体と前記複数の第２のグランド導体とを接続している複数の第２のビアホール導体を、
   更に備えており、
   前記第１のビアホール導体は、積層方向から平面視したときに、前記信号線よりも該信号線が延在している方向に直交する直交方向の一方側に設けられており、
   前記第２のビアホール導体は、積層方向から平面視したときに、前記直交方向の他方側に設けられていること、
   を特徴とする請求項２に記載の高周波信号線路。
4. 前記各第２のグランド導体は、前記第１のビアホール導体及び前記第２のビアホール導体により前記第１のグランド導体に接続されていること、
   を特徴とする請求項３に記載の高周波信号線路。
5. 前記高周波信号線路は、
   前記素体に設けられ、かつ、前記信号線に沿って延在している第３のグランド導体と、
   前記絶縁体層を貫通している複数の第２のビアホール導体であって、前記第３のグランド導体と前記複数の第２のグランド導体とを接続している複数の第２のビアホール導体と、
   を更に備えており、
   前記第１のビアホール導体は、積層方向から平面視したときに、前記信号線よりも該信号線が延在している方向に直交する直交方向の一方側に設けられており、
   前記第２のビアホール導体は、積層方向から平面視したときに、前記直交方向の他方側に設けられており、
   前記第１のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記信号線よりも該信号線が延在している方向に直交する直交方向の一方側に設けられており、
   前記第３のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記直交方向の他方側に設けられていること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
6. 前記信号線と前記第２のグランド導体とが重なっていない領域における該信号線の線幅は、該信号線と該第２のグランド導体とが重なっている領域における該信号線の線幅よりも大きいこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波信号線路。
7. 前記複数の第２のグランド導体は、等間隔に並んでいること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波信号線路。
8. 前記複数の第２のグランド導体の間隔は、前記信号線を伝送される高周波信号の波長の半分以下であること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の高周波信号線路。
9. 筐体と、
   前記筐体に収容されている高周波信号線路と、
   を備えており、
   前記高周波信号線路は、
   可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、
   前記素体に設けられている線状の信号線と、
   前記素体に設けられ、かつ、前記信号線に沿って延在している第１のグランド導体と、
   前記素体に設けられ、かつ、前記信号線よりも積層方向の一方側において、該信号線が延びる方向に所定間隔をおいて並んでいる複数のグランド導体であって、前記絶縁体層を介して該信号線と対向している複数の第２のグランド導体と、
   前記絶縁体層を貫通している複数のビアホール導体であって、前記第１のグランド導体と前記複数の第２のグランド導体とを接続している複数の第１のビアホール導体と、
   を備えていること、
   を特徴とする電子機器。

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