WO2015005028A1

WO2015005028A1 - 高周波伝送線路

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Publication number: WO2015005028A1
Application number: PCT/JP2014/064911
Authority: WO
Inventors: 加藤登
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2013-07-09
Filing date: 2014-06-05
Publication date: 2015-01-15
Also published as: US9570786B2; JP5967290B2; CN205248409U; US10062942B2; US20160028140A1; US20170104257A1; JPWO2015005028A1; CN205863358U

Abstract

高周波伝送ケーブル（１０）の伝送線路部（２０）は、誘電体素体（２００）を備える。誘電体素体（２００）には、第１主面側から厚み方向に沿って、グランド導体（２１１）、信号導体（２２１）、グランド導体（２３１，２３２）が形成されている。グランド導体（２３１，２３２）は、第１主面に直交する方向に見て、信号導体（２２１）と重ならない位置に配置されている。グランド導体（２２２１，２２２２）は、誘電体素体（２００）の厚み方向における信号導体（２１１）と同じ位置に形成されている。グランド導体（２２２１，２２２２，２３１，２３２）は、層間接続導体２９０によってグランド導体（２１１）に接続されている。各グランド導体（２２２１，２２２２，２３１，２３２）幅は信号導体（２２１）の幅よりも狭いが、グランド導体（２２２１，２２２２，２３１，２３２）幅の和は、信号導体（２２１）の幅よりも広い。

Description

高周波伝送線路

　本発明は、高周波信号を伝送する高周波伝送線路に関する。

　従来、高周波信号を伝送する薄型の高周波伝送線路として、特許文献１に示すような構造のものが考案されている。特許文献１に記載の高周波伝送ケーブルは、所謂トリプレート型のストリップライン構造である。具体的には、平板状の誘電体素体の厚み方向沿って、第１グランド導体、信号導体、第２グランド導体が順に間隔をおいて配置されている。第１グランド導体と第２グランド導体は、ビア導体によって接続されている。第２グランド導体は、誘電体素体の長手方向に沿って伸長する二本の長尺導体を備える。二本の長尺導体は、誘電体素体の長手方向に直交する短手方向の両端付近に形成されている。二本の長尺導体は、長手方向に沿って間隔をおいてブリッジ導体によって接続されている。これにより、第２グランド導体には、長手方向（伸長方向）に沿って、複数の開口部が設けられている。このように開口部を設けることで、高周波伝送線路を湾曲しやすくしている。

　また、高周波伝送線路のインピーダンスを所望値にするためには、信号導体と第２グランド導体との容量性結合を抑制することが必要である。したがって、信号導体と第２グランド導体とは、ブリッジ導体を除けば、高周波伝送線路を平面視して重ならないように形成されている。

特開２０１２－２５３３６２号公報

　トリプレート型のストリップ線路を基本構成とする特許文献１に記載の高周波伝送線路では、高周波伝送線路の幅を狭くしようとした場合、次に示すような問題が生じる。

　特許文献１に記載の高周波伝送線路では、高周波信号の伝送のため、信号導体に電流（以下、信号電流と称する。）が流れると、第１グランド導体と第２グランド導体には、信号電流と反対方向に流れる帰還電流が発生する。

　ここで、高周波伝送線路の幅を狭くしようとした場合、上述のように、信号導体と第２グランド導体とが平面視して重ならないようにするためには、少なくとも一方、もしくは両方の導体幅を狭くしなければならない。ここで、信号導体の伝送損失を抑えるためには、信号導体の幅を狭くすることはできない。このため、必然的に第２グランド導体の幅を狭くしなければならない。

　しかしながら、上述のように、第２グランド導体には帰還電流が流れるので、第２グランド導体の幅が狭くなると、帰還電流による伝送損失が大きくなり、高周波伝送線路としての伝送損失が大きくなってしまう。

　この発明の目的は、狭幅にしても伝送損失が低下することを抑制できる高周波伝送線路を実現することにある。

　この発明の高周波伝送線路は、誘電体素体、信号導体、第１、第２、第３グランド導体を備える。誘電体素体は、互いに対向する第１主面と第２主面とを有する平板状である。信号導体は、誘電体素体における第１主面と第２主面に直交する厚み方向の途中位置に設けられた所定方向に伸長する形状である。第１グランド導体は、信号導体よりも第１主面側に、信号導体に沿う形状で形成されている。第２グランド導体は、信号導体よりも第２主面側に、信号導体に沿う形状であり厚み方向において信号導体と重ならない形状で且つ信号導体よりも狭い幅で形成されている。第３グランド導体は、誘電体素体の厚み方向において、第２グランド導体と異なる位置に形成され、第２グランド導体に重なり信号導体と重ならない形状からなり、第２グランド導体に接続されている。

　この構成では、第２グランド導体と第３グランド導体の両方に、帰還電流が流れる。したがって、第２グランド導体単体では、信号導体よりも幅が狭くても、帰還電流が流れる導体の幅は、第２グランド導体の幅と第３グランド導体の幅を合わせた幅になるので、帰還電流の伝送損失が低くなる。

　また、この発明の高周波伝送線路の第３グランド導体は、厚み方向において、信号導体と同じ位置に形成されていることが好ましい。

　この構成では、第３グランド導体を信号導体と異なる位置形成する態様よりも、誘電体素体の厚みを薄くできる。したがって、高周波伝送線路を薄型にできる。また、第３グランド導体と信号導体を単一の工程で形成することができる。したがって、高周波伝送線路の製造工程が簡素化される。

　また、この発明の高周波伝送線路では、第２グランド導体の幅と第３グランド導体の幅は同じであってもよく、第３グランド導体の幅は第２グランド導体の幅よりも狭くてもよい。

　これらの構成では、第２グランド導体と第３グランド導体の具体的な態様例を示している。第２グランド導体と第３グランド導体の幅を同じにすれば、第２グランド導体の帰還電流に対する抵抗と第３グランド導体の帰還電流に対する抵抗を同じにできる。第３グランド導体の幅が第２グランド導体の幅よりも狭ければ、第３グランド導体と第１グランド導体との電界結合を抑制できる。

　また、この発明の高周波伝送線路では、次の構成であってもよい。第２グランド導体は、信号導体の伸長方向に直交する方向に沿って間隔を空けて配置された第１導体と第２導体とからなる。第２グランド導体は、第１導体と第２導体とを信号導体の伸長方向に沿って所定の間隔で接続するブリッジ導体を備える。

　この構成では、第２グランド導体を信号導体に重ねないようにしながら、全体としての幅を広くできる。また、第２グランド導体を構成する第１導体と第２導体を電気的に接続することができ、同電位にすることができる。

　また、この発明の高周波伝送線路では、第２グランド導体の断面積と第３グランド導体の断面積の和は、信号導体の断面積以上であることが好ましい。また、この発明の高周波伝送線路では、信号導体、第２グランド導体、および第３グランド導体の厚みが同じであり、第２グランド導体の幅と第３グランド導体の幅の和が信号導体の幅以上である構成であってもよい。

　これらの構成では、帰還電流による伝送損失で高周波伝送線路の伝送損失が増加することを防止できる。

　また、この発明の高周波伝送線路では、第２グランド導体の幅および第３グランド導体の幅は信号導体の幅よりも狭いことが好ましい。また、この発明の高周波伝送線路では、信号導体は部分的に狭幅部を備えており、第２グランド導体の幅および第３グランド導体の幅は狭幅部の幅よりも狭いことがより好ましい。

　これらの構成では、信号導体、第２グランド導体、および第３グランド導体のより具体的な形状例を示している。

　この発明によれば、伝送損失が低く、薄型で狭幅の高周波伝送線路を実現することができる。

本発明の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの外観斜視図である。本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの伝送線路部の分解斜視図である。本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの伝送線路部を構成する誘電体素体の各層を示す平面図である。図３のＡ－Ａ断面図、および、図３のＢ－Ｂ断面図である。本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの伝送線路部における電流の流れを示す図である。本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの外部接続部の分解斜視図である。本発明の第１の実施形態に係る携帯電子機器の部品構成を示す側面断面図および平面断面図である。本発明の第２の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの伝送線路部の分解斜視図である。図８における信号導体が幅狭部でない範囲における断面図である。本発明の第３の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの伝送線路部の分解斜視図である。図１０における信号導体が幅狭部でない範囲における断面図である。

　本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送線路である高周波伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る高周波伝送ケーブル１０の外観斜視図である。

　高周波伝送ケーブル１０は、伝送線路部２０、外部接続部２１，２２からなるフラットケーブル状の高周波伝送線路である。伝送線路部２０は一方向に伸長する長尺形状の平板からなる。以下では、この伸長方向を長手方向と称し、伸長方向に直交する方向を短手方向と称する。外部接続部２１は、伝送線路部２０の長手方向の一方端に配置されていている。外部接続部２２は、伝送線路部２０の長手方向の他方端に配置されている。伝送線路部２０と外部接続部２１，２２は、平板状で可撓性を有する誘電体素体２００によって一体形成されている。なお、以下では、誘電体素体２００の厚み方向に直交する二面を、それぞれ第１主面および第２主面とする。すなわち、誘電体素体２００は、第１主面と第２主面とが対向しており厚みを有する平板からなる。

　レジスト膜３０は、誘電体素体２００の第１主面に配置されている。レジスト膜３０は、絶縁性を有し、可撓性を有する樹脂膜である。コネクタ４１は、誘電体素体２００における外部接続部２１の領域の第１主面に配設されている。コネクタ４２は、誘電体素体２００における外部接続部２２の領域の第１主面に配設されている。コネクタ４１，４２は、接続構成を図示していないが、後述する信号導体２２１、およびグランド導体２１１に接続されている。なお、コネクタ４１，４２は、省略することもできる。

　次に、伝送線路部２０の構成について、図を参照して、より具体的に説明する。図２は、本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの伝送線路部の分解斜視図である。なお、図２では、レジスト膜３０の図示を省略している。図３は、本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの伝送線路部を構成する誘電体素体の各層を示す平面図である。図４（Ａ）は、図３のＡ－Ａ断面図であり、図４（Ｂ）は図３のＢ－Ｂ断面図である。

　伝送線路部２０は、誘電体層２０１，２０２，２０３を積層してなる誘電体素体２００によって形成される。誘電体層２０１，２０２，２０３は、可撓性を有する絶縁性樹脂からなり、例えば液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂からなる。液晶ポリマからなる誘電体層２０１，２０２，２０３を用いる場合、積層後、熱圧着することで各誘電体層間の界面を接合することにより、誘電体素体２００が作製される。

　誘電体層２０１の第１主面側の面、すなわち誘電体素体２００の第１主面には、グランド導体２１１が形成されている。このグランド導体２１１が本発明の「第１グランド導体」に相当する。グランド導体２１１は、導電性の高い材料からなり、例えば銅（Ｃｕ）等の金属箔からなる。グランド導体２１１は、誘電体層２０１の第１主面側の面の略全面に形成されている。言い換えれば、グランド導体２１１は、誘電体層２０１の長手方向（誘電体素体２００の長手方向）に沿って全長に亘り形成されている。より具体的には、グランド導体２１１は、誘電体層２０１の短手方向の両端部に非形成部を残す形状で、全面に形成されている。このように、短手方向の両端部に導体の非形成部を設けることで、グランド導体２１１への外部環境からの影響（吸湿等）を抑制することができる。また、誘電体層２０１の第１主面側の面には、レジスト膜３０が配置されている。

　誘電体層２０２における誘電体層２０１側の面には、信号導体２２１、グランド導体２２２１，２２２２が形成されている。信号導体２２１、およびグランド導体２２２１，２２２２は、グランド導体２１１と同様の材料（例えば、銅等の金属箔）からなり、同じ厚みで形成されている。これらグランド導体２２２１，２２２２が本発明の「第３グランド導体」に相当する。

　信号導体２２１は、誘電体層２０２の長手方向に沿って伸長する形状で形成されている。信号導体２２１は、誘電体層２０２の短手方向の略中央に形成されている。信号導体２２１は、伸長方向に沿って間隔をおいて、複数の幅狭部２２１Ｎが設けられている。各幅狭部２２１Ｎは、信号導体２２１の他の部分よりも幅が狭い、言い換えれば短手方向に沿った長さが短い。

　グランド導体２２２１，２２２２は、誘電体層２０２の長手方向に沿って伸長する形状で形成されている。グランド導体２２２１，２２２２は同じ幅であり、同じ厚みである。グランド導体２２２１，２２２２は、誘電体層２０２の短手方向に沿って、信号導体２２１を間に挟むように形成されている。この際、グランド導体２２２１，２２２２と信号導体２２１は、誘電体層２０２の短手方向に沿って間隔を空けて形成されている。また、グランド導体２２２１，２２２２は、信号導体２２１に沿って伸長している。

　グランド導体２２２１，２２２２は、伸長方向に沿って間隔をおいて、複数の幅広部２２２Ｐが設けられている。各幅広部２２２Ｐは、グランド導体２２２１，２２２２の他の部分よりも幅が広い、言い換えれば短手方向に沿った長さが長い。グランド導体２２２１に設けられた幅広部２２２Ｐと、グランド導体２２２２に設けられた幅広部２２２Ｐの誘電体層２０２の長手方向における位置は、同じである。

　誘電体層２０２の長手方向において、グランド導体２２２１，２２２２の幅広部２２２Ｐの位置と、信号導体２２１の幅狭部２２１Ｎの誘電体層２０２の長手方向における位置は、同じである。言い換えれば、誘電体層２０２の長手方向において、グランド導体２２２１，２２２２の幅が広くなっている部分では、信号導体２２１の幅が狭くなっている。これにより、グランド導体２２２１，２２２２を部分的に幅広にしても、グランド導体２２２１，２２２２と信号導体２２１との間隔が部分的に狭くなることを防止できる。

　ここで、図４に示すように、グランド導体２２２１，２２２２の幅Ｗ_２２２の和は、信号導体２２１の幅Ｗ_２１１よりも狭い。すなわち、２Ｗ_２２２＜Ｗ_２２１である。さらには、グランド導体２２２１，２２２２の幅Ｗ_２２２の和は、信号導体２２１の幅狭部２２１Ｎの幅Ｗ_２２１Ｎよりも狭い。すなわち、２Ｗ_２２２＜Ｗ_２２１Ｎである。なお、２Ｗ_２２２＜Ｗ_２２１Ｎとなる関係は必須ではなく、２Ｗ_２２２＜Ｗ_２２１Ｎとなる場合に、本実施形態の構成はより有用である。

　誘電体層２０３における誘電体層２０２側の面には、グランド導体２３１，２３２、ブリッジ導体２３３が形成されている。グランド導体２３１，２３２およびブリッジ導体２３３は、他の導体と同様の材料（例えば、銅等の金属箔）からなる。これらグランド導体２３１，２３２が本発明の「第２グランド導体」に相当する。

　グランド導体２３１，２３２は、誘電体層２０３の長手方向に沿って伸長する形状で形成されている。グランド導体２３１，２３２は、誘電体層２０３の短手方向の両端付近に形成されている。グランド導体２３１，２３２は、グランド導体２２２１，２２２２と同じ幅である。グランド導体２３１は、誘電体素体２００を第１、第２主面に直交する方向から見て、グランド導体２２２１と重なるように形成されている。グランド導体２３２は、誘電体素体２００を第１、第２主面に直交する方向から見て、グランド導体２２２２と重なるように形成されている。この構成により、グランド導体２３１，２３２は、誘電体素体２００を第１、第２主面に直交する方向から見て、信号導体２２１と重ならない。

　ここで、図４に示すように、グランド導体２３１，２３２の幅は、グランド導体２２２１，２２２２と同じ幅Ｗ_２２２である。しかしながら、グランド導体２３１，２３２の幅とシールド導体２２２１，２２２２の幅を合わせた幅は、信号導体２２１の幅Ｗ２２１以上である。すなわち、４Ｗ_２２２≧Ｗ_２２１であり、少なくとも４Ｗ_２２２≧Ｗ_２２１Ｎであってもよい。

　ブリッジ導体２３３は、誘電体層２０３の短手方向に伸長する形状からなり、グランド導体２３１，２３２を、接続している。ブリッジ導体２３３は、誘電体層２０３の長手方向に沿って間隔をおいて、複数設けられている。誘電体素体２００の長手方向において、ブリッジ導体２３３の位置と、グランド導体２２２１，２２２２の幅広部２２２Ｐ位置は、同じである。

　グランド導体２１１と、グランド導体２２２１，２２２２と、グランド導体２３１，２３２は、誘電体層２０１，２０２を貫通するように形成された層間接続導体２９０によって接続されている。層間接続導体２９０は、例えばビアホール導体であり、例えばＡｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎから選ばれる１つもしくは複数の金属を含む導電性ペーストを、誘電体層２０１，２０２に設けた孔に付与し、熱により固化させることにより形成される。液晶ポリマからなる誘電体層２０１，２０２，２０３を用いる場合、誘電体層２０１，２０２，２０３を熱圧着する工程における熱により、孔に付与された導電性ペーストを固化させる。層間接続導体２９０は、誘電体素体２００を第１、第２主面に直交する方向から見て、グランド導体２２２１，２２２２の幅広部２２２Ｐ内を通る位置に形成されている。すなわち、グランド導体２３１，２３２に対しては、ブリッジ導体２３３の接続箇所に層間接続導体２９０が接続している。この構成により、グランド導体２１１と、グランド導体２２２１，２２２２と、グランド導体２３１，２３２を略同電位、すなわち、これらの導体をグランド電位にすることができる。そして、本実施形態に示すように、グランド導体２２２１，２２２２に幅広部２２２Ｐを設け、当該幅広部２２２Ｐで層間接続導体２９０に接続させ、グランド導体２３１，２３２に対してはブリッジ導体２３３の接続する箇所で層間接続導体２９０に接続させることで、グランド導体２２２１，２２２２およびグランド導体２３１，２３２の幅を狭くしても、層間接続導体２９０の径を大きくでき、層間接続導体２９０の接続信頼性を高め、低抵抗化できる。

　そして、このような構成とすることで、信号導体２２１を主線路とするストリップ線路型の伝送線路部２０が薄型で形成される。この際、伝送線路部２０では、信号導体２２１とグランド導体２１１との結合が強いので、グランド導体２１１がメイングランドとなり、グランド導体２２２１，２２２２およびグランド導体２３１，２３２がサブグランドとなる。また、グランド導体２２２１，２２２２およびグランド導体２３１，２３２によって、信号導体２２１から外部へ漏洩する電磁波を遮断できる。

　なお、当該伝送線路部２０の特性インピーダンスは、信号導体２２１とグランド導体２１１の形状や位置関係、および誘電体素体２００の材質特性によって基本的に決定される。すなわち、図４に示す、信号導体２２１の幅Ｗ２２１、信号導体２２１とグランド導体２１１との距離Ｄ_０１によって、基本的な特性インピーダンスは決定される。さらに、信号導体２２１とグランド導体２２２１，２２２２，２３１，２３２との結合を加味して、最終的に所望とする特性インピーダンス（例えば５０Ω）に設定される。すなわち、グランド導体２２２１，２２２２，２３１，２３２の幅Ｗ_２２２と、信号導体２２１と各グランド導体２２２１，２２２２，２３１，２３２との位置関係等によって設定される。

　例えば、具体的には、図４に示すように、誘電体層２０１の厚みＤ_０１を誘電体層２０２の厚みＤ_０２よりも厚くすることで、信号導体２２１とグランド導体２１１との距離を誘電体素体２００の厚みの半分以上にする。すなわち、信号導体２２１は、誘電体素体２００の厚み方向において、厚み方向の中心よりもグランド導体２１１側と反対側にオフセットして配置されている。このような構成により、信号導体２２１とグランド導体２１１との容量性結合を低減して、特性インピーダンスを所望値になるように設定している。

　そして、このような構成の伝送線路部２０では、高周波信号が伝搬される際、図５に示すように、各導体に電流が流れる。図５は、本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの伝送線路部における電流の流れを示す図である。

　図５に示すように、伝送線路部２０で高周波信号を伝送する場合、信号導体２２１には信号電流Ｓｓが流れる。図５に示すタイミングでは、信号電流Ｓｓは長手方向における第１方向に信号電流Ｓｓが流れている。

　信号導体２２１に信号電流Ｓｓが流れると、グランド導体２２２１，２２２２，２３１，２３２には帰還電流Ｓｒｓが流れ、グランド導体２１１には帰還電流Ｓｒ_Ｇが流れる。この際、帰還電流Ｓｒｓ，Ｓｒ_Ｇは、信号電流Ｓｓと逆方向、すなわち図５における第１方向と逆の第２方向に流れる。

　ここで、上述のように、グランド導体２３１，２３２の幅とグランド導体２２２１，２２２２の幅を合わせた幅は、信号導体２２１の幅Ｗ２２１以上である。したがって、グランド導体２２２１，２２２２，２３１，２３２の伸長方向に直交する断面の面積の和は、信号導体２２１の伸長方向に直交する断面の面積以上となる。

　このため、グランド導体２２２１，２２２２，２３１，２３２の純抵抗（直流抵抗）は、信号導体２２１の純抵抗以下となる。したがって、グランド導体２２２１，２２２２，２３１，２３２による高周波信号の伝送損失は、信号導体２２１による高周波信号の伝送損失以下となる。

　これにより、グランド導体２２２１，２２２２，２３１，２３２による伝送線路部２０の伝送損失の増加を防止できる。したがって、低損失な伝送線路部２０を構成することができる。

　この際、従来構成と異なり、複数の層にグランド導体を設けることで、個々のグランド導体の幅が狭くても、グランド導体による伝送損失を抑制できるので、誘電体素体２００の幅すなわち伝送線路部２０の幅を、従来構成よりも狭くできる。特に、本実施形態に示すように、グランド導体の一部と信号導体が同層、すなわち誘電体素体２００の厚み方向の同じ位置に配置されることで、グランド導体を増加させても、誘電体素体２００の厚みが厚くなることを防止できる。これにより、薄く幅狭な伝送線路部２０を形成することができる。

　次に、外部接続部２１，２２の構成について、図を参照して、より具体的に説明する。図６は、本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの外部接続部の分解斜視図である。なお、図６では、外部接続部２２を図示しているが、外部接続部２１も同様の構造である。

　外部接続部２２は、上述のように、誘電体素体２００によって伝送線路部２０と一体形成されている。誘電体素体２００の外部接続部２２に対応する部分は、伝送線路部２０に対応する部分と比較して幅広に形成されている。なお、これらは同じ幅であってもよい。

　誘電体層２０１の第１主面側の面には、伝送線路部２０のグランド導体２１１に接続するグランド接続用導体２１０が形成されている。グランド接続用導体２１０は、誘電体層２０１の外部接続部２２に対応する領域の略全面に形成されている。グランド接続用導体２１０の中央には、導体非形成部が設けられている。導体非形成部内には、信号接続用導体２１００が形成されている。信号接続用導体２１００は、層間接続導体２９０が形成可能な程度の面積で形成されている。

　誘電体層２０２の誘電体層２０１側の面には、信号導体２２１の伸長方向の端部領域、およびグランド接続用導体２２０が形成されている。グランド接続用導体２２０は、グランド導体２２２１，２２２２に接続されている。グランド接続用導体２２０は、誘電体素体２００の第１，第２主面に直交する方向に見て、グランド接続用導体２１０と重なる形状で形成されている。

　誘電体層２０３の誘電体層２０２側の面には、グランド接続用導体２３０は、グランド導体２３１，２３２に接続されている。グランド接続用導体２３０は、誘電体素体２００の第１，第２主面に直交する方向に見て、グランド接続用導体２１０，２２０と重なる形状で形成されている。

　グランド接続用導体２１０，２２０，２３０は、複数の層間接続導体２９０で接続されている。信号導体２２１と信号接続用導体２１００は、グランド接続用導体２１０，２２０，２３０に用いる層間接続導体とは別の層間接続導体２９０で接続されている。

　レジスト膜３０の外部接続部２２に対応する領域には、開口部３０１，３０２が設けられている。開口部３０１によって、信号接続用導体２１００は、レジスト膜３０側の外面に開口している。開口部３０２によって、グランド接続用導体２１０は、レジスト膜３０側の外面に開口している。これら開口部３０１，３０２によって、信号接続用導体２１００およびグランド接続用導体２１０が、コネクタ４２の各端子にはんだ等の導電性材料を介して接続される。なお、コネクタ４１，４２は省略することもできる。その場合、開口部３０１から露出する信号接続用導体２１００と、開口部３０２から露出するグランド接続用導体２１０がそれぞれ外部端子として機能する。

　以上のような構成からなる高周波伝送ケーブルは、例えば次に示すように製造される。

　まず、片面銅貼りの液晶ポリマシートである第１、第２、第３の誘電体シートを用意する。第１の誘電体フィルムの第１主面側に、パターニング処理により、グランド導体２１１、グランド接続用導体２１０、および信号接続用導体２１００を形成する。第２の誘電体フィルムの第１主面側に、パターニング処理により、信号導体２２１，グランド導体２２２１，２２２２、グランド接続用導体２２０を形成する。第３の誘電体フィルムの第１主面側に、パターニング処理により、グランド導体２３１，２３２、ブリッジ導体２３３、グランド接続用導体２３０を形成する。なお、第１、第２、第３の誘電体フィルムには、各導体との組が、それぞれ複数個、配列形成されている。

　第１、第２の誘電体シートにおける層間接続導体２９０を形成すべき位置に、貫通孔を設けて導電性ペーストを充填する。

　第１、第２、第３の誘電体シートを積層し、熱圧着する。この熱圧着により、導電性ペーストが固化し、層間接続導体２９０が形成される。これにより、誘電体素体２００が複数配列形成された積層誘電体シートが形成される。

　誘電体素体２００にレジスト膜３０を装着し、はんだ等の導電性材料を用いてコネクタ４１，４２を実装する。これにより、複数の高周波伝送ケーブル１０が配列形成された複合体が形成される。この複合体から、それぞれ個別の高周波伝送ケーブル１０を切り出す。

　上述の構造からなる高周波伝送ケーブル１０は、次に示す携帯電子機器に用いることができる。図７（Ａ）は本発明の第１の実施形態に係る携帯電子機器の部品構成を示す側面断面図であり、図７（Ｂ）は当該携帯電子機器の部品構成を説明する平面断面図である。

　携帯電子機器７０は、薄型の機器筐体７１を備える。機器筐体７１内には、実装回路基板７２Ａ，７２Ｂと、バッテリーパック７００が配置されている。実装回路基板７２Ａ，７２Ｂの表面には、複数のＩＣチップ７４および実装部品７５が実装されている。実装回路基板７２Ａ，７２Ｂおよびバッテリーパック７００は、機器筐体７１を平面視して、実装回路基板７２Ａ，７２Ｂ間にバッテリーパック７００が配置されるように、機器筐体７１に設置されている。ここで、機器筐体７１はできる限り薄型に形成されているので、機器筐体７１の厚み方向においては、バッテリーパック７００と機器筐体７１との間隔が極狭い。したがって、この間に同軸ケーブルを配置することができない。

　しかしながら、本実施形態に示した高周波伝送ケーブル１０を、当該高周波伝送ケーブル１０の厚み方向と、機器筐体７１の厚み方向とが一致するように配置することで、バッテリーパック７００と機器筐体７１との間に、高周波伝送ケーブル１０を通すことができる。これにより、バッテリーパック７００を中間に配して離間された実装回路基板７２Ａ，７２Ｂを高周波伝送ケーブル１０で接続することができる。

　さらに、本実施形態に示したように、高周波伝送ケーブル１０は、低損失に高周波信号伝送できるので、実装回路基板７２Ａ，７２Ｂ間で、高周波信号を低損失に伝送することができる。

　次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。本実施形態の高周波伝送ケーブル１０Ａは、伝送線路部２０Ａの構成が第１の実施形態に示した高周波伝送ケーブル１０と異なる。したがって、伝送線路部２０Ａの構成のみを具体的に説明する。

　図８は、本発明の第２の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの伝送線路部の分解斜視図である。図９は、図８における信号導体２２１が幅狭部２２１Ｎでない範囲における断面図である。

　伝送線路部２０Ａは、誘電体素体２００Ａからなる。誘電体素体２００Ａは、第１の実施形態に示した誘電体素体２００に対して、誘電体層２０４を追加したものであり、他の誘電体層の基本構成は、第１の実施形態の誘電体素体２００と同じである。したがって、伝送線路部２０Ａについても、異なる箇所のみを具体的に説明する。

　誘電体層２０４は、誘電体層２０１と誘電体層２０２との間に配置されている。誘電体層２０４の誘電体層２０１側の面には、グランド導体２４２１Ａ，２４２２Ａが形成されている。このグランド導体２４２１Ａ，２４２２Ａが本発明の「第３グランド導体」に相当する。

　グランド導体２４２１Ａ，２４２２Ａは、誘電体層２０４の長手方向に沿って伸長する形状で形成されている。グランド導体２４２１Ａ，２４２２Ａは、誘電体層２０４の短手方向の両端付近に形成されている。グランド導体２４２１Ａは、誘電体素体２００Ａを第１、第２主面に直交する方向から見て、誘電体層２０２のグランド導体２２２１Ａおよび誘電体層２０３のグランド導体２３１と重なるように形成されている。グランド導体２４２２Ａは、誘電体素体２００Ａを第１、第２主面に直交する方向から見て、誘電体層２０２のグランド導体２２２２Ａと誘電体層２０３のグランド導体２３２と重なるように形成されている。この構成により、グランド導体２４２１Ａ，２４２２Ａは、誘電体素体２００Ａを第１、第２主面に直交する方向から見て、信号導体２２１と重ならない。

　グランド導体２４２１Ａ，２４２２Ａには、伸長方向に沿って間隔をおいて、複数の幅広部２４２Ｐが設けられている。各幅広部２４２Ｐは、グランド導体２４２１Ａ，２２２２Ａの他の部分よりも幅が広い、言い換えれば短手方向に沿った長さが長い。グランド導体２４２１Ａに設けられた幅広部２４２Ｐと、グランド導体２４２２Ａに設けられた幅広部２４２Ｐの誘電体層２０４の長手方向における位置は、同じである。また、各幅広部２４２Ｐは、誘電体素体２００Ａを第１、第２主面に直交する方向から見て、各幅広部２２２Ｐと重なる位置に形成されている。

　グランド導体２４２１Ａは、層間接続導体２９０により、グランド導体２２２１Ａ，２３１、およびグランド導体２１１に接続されている。グランド導体２４２２Ａは、層間接続導体２９０により、グランド導体２２２２Ａ，２３２、およびグランド導体２１１に接続されている。

　本実施形態の伝送線路部２０Ａでは、図９に示すように、シールド導体２２２１Ａ，２２２２Ａの幅Ｗ_２２２Ａ、シールド導体２４２１Ａ，２４２２Ａの幅Ｗ_２４２Ａ、およびシールド導体２３１，２３２の幅Ｗ_２３１は同じである。すなわち、Ｗ_２４２Ａ＝Ｗ_２２２Ａ＝Ｗ_２３１である。このような構成とすることで、グランド導体をより多くの層に形成でき、各グランド導体の幅が狭くても、帰還電流による伝送損失を低減し、伝送線路部２０Ａの伝送損失の劣化を抑制できる。

　次に、本発明の第３の実施形態に係る高周波伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。本実施形態の高周波伝送ケーブル１０Ｂは、伝送線路部２０Ｂの構成が第２の実施形態に示した高周波伝送ケーブル１０Ａの伝送線路部２０Ａと異なる。具体的には、各層に形成したグランド導体の幅が、第２の実施形態に示した伝送線路部２０Ａと異なる。したがって、伝送線路部２０Ｂの各グランド導体の幅の構成のみを具体的に説明する。

　図１０は、本発明の第３の実施形態に係る高周波伝送ケーブルの伝送線路部の分解斜視図である。図１１は、図１０における信号導体２２１が幅狭部２２１Ｎでない範囲における断面図である。

　図１０、図１１に示すように、グランド導体２２２１Ｂ，２２２２Ｂの幅Ｗ_２２２Ｂは、グランド導体２３１，２３２の幅Ｗ_２３１よりも狭い。さらに、グランド導体２４２１Ｂ，２４２２Ｂの幅Ｗ_２４２Ｂは、グランド導体２２２１Ｂ，２２２２Ｂの幅Ｗ_２２２Ｂよりも狭い。すなわち、Ｗ_２４２Ｂ＜Ｗ_２２２Ｂ＜Ｗ_２３１であり、グランド導体２１１に近づくほど、グランド導体の幅が狭くなる。

　このような構成とすることで、グランド導体を複数の層に形成しても、狭幅のグランド導体と主面の全面に形成されたグランド導体（第１グランド導体）との間の容量結合を抑制できる。すなわち、複数の狭幅のグランド導体で構成される全幅をより広くしながら、狭幅のグランド導体と主面の全面に形成されたグランド導体と容量結合を抑制できる。

　なお、本実施形態では、主面の全面に形成されたグランド導体に近い狭幅のグランド導体ほど幅狭に形成する例を示したが、グランド導体２３１，２３２よりもグランド導体２１１側に配置される各グランド導体の幅は、グランド導体２３１，２３２の幅よりも短ければ、同じであってもよい。

　また、狭幅のグランド導体は、さらに厚み方向の異なる層に設けてもよい。この場合、各狭幅のグランド導体は、誘電体素体を第１、第２主面に直交する方向に見て、信号導体と重ならないように配置すればよい。

　また、上述の説明では、各導体の厚みが同じである場合を示したが、帰還電流の流れる狭幅のグランド導体の断面積の和が、信号電流の流れる信号導体の断面積以上であれば、本願発明の作用効果を得ることができる。したがって、各導体の厚みが同じでなくても、例えば、信号導体および信号導体と同じ層のグランド導体の厚みが、他の層のグランド導体の厚みよりも厚い等の場合には、狭幅のグランド導体の断面積の和が信号導体の断面積以上になるように、狭幅のグランド導体および信号導体を形成すればよい。

　また、上述の説明では、高周波伝送線路として、高周波伝送ケーブルを例にとって説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、回路基板の一部を構成する高周波伝送線路部が本発明の構成となっていてもよい。

１０，１０Ａ，１０Ｂ：高周波伝送ケーブル
２０，２０Ａ，２０Ｂ：伝送線路部
２１，２２：外部接続部
３０：レジスト膜
４１，４２：コネクタ
７０：携帯電子機器
７１：機器筐体
７２Ａ，７２Ｂ：実装回路基板
７４：ＩＣチップ
７５：実装部品
２００，２００Ａ，２００Ｂ：誘電体素体
２０１，２０２，２０３，２０４：誘電体層
２１０，２２０，２３０：グランド接続用導体
２１１：グランド導体
２２１：信号導体
２２１Ｎ：幅狭部
２２２Ｐ，２４２Ｐ：幅広部
２３１，２３２：シールド導体
２３３：ブリッジ導体
２９０：層間接続導体
３０１，３０２：開口部
７００：バッテリーパック
２１００：信号接続用導体
２２２１，２２２２，２２２１Ａ，２２２２Ａ，２２２１Ｂ，２２２２Ｂ，２３１，２３２，２４２１Ａ，２４２２Ａ，２４２１Ｂ，２４２２Ｂ：グランド導体（狭幅）

Claims

　互いに対向する第１主面と第２主面とを有する誘電体素体と、
　前記誘電体素体における前記第１主面と前記第２主面に直交する厚み方向の途中位置に設けられた所定方向に伸長する形状の信号導体と、
　前記信号導体よりも前記第１主面側に、前記信号導体に沿う形状で形成された第１グランド導体と、
　前記信号導体よりも前記第２主面側に、前記信号導体に沿う形状であり前記厚み方向において前記信号導体と重ならない形状で且つ前記信号導体よりも狭い幅で形成された第２グランド導体と、
　前記厚み方向において、前記第２グランド導体と異なる位置に形成され、前記第２グランド導体に重なり前記信号導体と重ならない形状からなり、前記第２グランド導体に接続されている第３グランド導体と、
　を備えた、高周波伝送線路。
　前記第３グランド導体は、前記厚み方向において、前記信号導体と同じ位置に形成されている、
　請求項１に記載の高周波伝送線路。
　前記第２グランド導体の幅と前記第３グランド導体の幅は同じである、
　請求項１または請求項２に記載の高周波伝送線路。
　前記第３グランド導体の幅は、前記第２グランド導体の幅よりも狭い、
　請求項１または請求項２に記載の高周波伝送線路。
　前記第２グランド導体は、前記信号導体の伸長方向に直交する方向に間隔を空けて配置された第１導体と第２導体とからなり、
　前記第１導体と前記第２導体とを、前記信号導体の伸長方向に間隔を空けて接続するブリッジ導体を備える、
　請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の高周波伝送線路。
　前記第２グランド導体の断面積と前記第３グランド導体の断面積の和は、前記信号導体の断面積以上である、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の高周波伝送線路。
　前記信号導体、前記第２グランド導体、および前記第３グランド導体の厚みは同じであり、
　前記第２グランド導体の幅と前記第３グランド導体の幅の和は、前記信号導体の幅以上である、請求項６に記載の高周波伝送線路。
　前記第２グランド導体の幅および第３グランド導体の幅は、前記信号導体の幅よりも狭い、
　請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の高周波伝送線路。
　前記信号導体は、部分的に狭幅部を備えており、
　前記第２グランド導体の幅および第３グランド導体の幅は、前記狭幅部の幅よりも狭い、
　請求項８に記載の高周波伝送線路。