JP6540847B2 - 伝送線路および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、複数の高周波信号を伝送する伝送線路およびそれを備えた電子機器に関する発明である。

従来、高周波信号を伝送する各種の伝送線路が考案されている。例えば、特許文献１にストリップライン構造の伝送線路が示されている。特許文献１に記載の伝送線路は、高周波信号の伝送方向に延びる長尺状の積層絶縁体、信号線、および、第１、第２グランド導体を備える。信号線は、積層絶縁体の内部に配置される。第１グランド導体と第２グランド導体は、積層絶縁体の厚さ方向（絶縁体層の積層方向）において信号線を挟むように配置される。また、第１グランド導体と第２グランド導体は、信号線に沿って配列される複数のビアホール導体（層間接続導体）により接続される。この構成により、信号線を第１グランド導体および第２グランド導体で挟むストリップライン構造の伝送線路が構成される。

特許第４９６２６６０号公報

特許文献１に示される構造の伝送線を、通信機器内等に近接させて複数本配置する場合、例えば、１つの積層絶縁体に複数の信号線を配列する態様が考えられる。この態様では、複数の信号線は、積層絶縁体の厚み方向および信号伝送方向に対して直交する方向（積層絶縁体の幅方向）に間隔を空けて配置することが考えられる。

すなわち、特許文献１に示される構造の伝送線路を積層絶縁体の幅方向に沿って並べて積層絶縁体を一体化し、さらに、信号線間に層間接続導体を配置することで、この層間接続導体によって、隣接する信号線間の不要結合が抑制される。

しかし、隣接する信号線間に層間接続導体を配置する上述の構成では、次のような問題が生じる。

（１）隣接する信号線間に配置される層間接続導体のピッチを粗くする態様や層間接続導体を無くす態様とした場合、信号線同士が不要結合し易くなる。一方、層間接続導体のピッチを細かくすると、信号線と層間接続導体との間の容量が大きくなって、伝送線路としての所望の特性インピーダンスを実現しにくくなる。

（２）積層絶縁体の幅を狭くするほど、層間接続導体と信号線との間に生じる容量が大きくなって、伝送線路としての所望の特性インピーダンスを実現しにくくなる。

（３）信号線間に層間接続導体を配置しなければならないため、積層絶縁体の幅は必然的に広くなる。

以上の要因により、伝送線路の幅は大きくなってしまう。

そこで、本発明の目的は、１つの積層絶縁体に複数の信号導体を備えながら、これら複数の信号導体間の不要結合を抑制でき、且つ小型に形成できる伝送線路を提供することにある。

本発明の伝送線路は、
複数の絶縁体層が積層された積層絶縁体と、
前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁体層に沿って配置される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記複数の絶縁体層のうち異なる絶縁体層に沿って順に配置され、
第１信号導体パターンと、前記第１信号導体パターンとは異なる層に配置される第２信号導体パターンと、を含み、
前記複数の絶縁体層は複数の第１絶縁体層と複数の第２絶縁体層とを含み、
前記第１絶縁体層の実効誘電率は前記第２絶縁体層の実効誘電率よりも低く、
前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間の領域に前記第１絶縁体層の少なくとも一つが配置される、
ことを特徴とする。

上記の構成により、第１信号導体パターンと第２信号導体パターンとの間の結合を弱めることができ、第１信号導体パターンを含む伝送線路部と、第２信号導体パターンを含む伝送線路部とのアイソレーションを高めることができる。

本発明によれば、１つの積層絶縁体に複数の信号導体を備えながら、これら複数の信号導体間の不要結合が抑制された、且つ小型の伝送線路および電子機器が得られる。

図１は第１の実施形態に係る伝送線路１０１の分解斜視図である。 図２は、図１に示すＡ−Ａ部分での、伝送線路１０１の断面図である。 図３は、第１の実施形態の比較例としての伝送線路１０１Ｃの断面図である。 図４は第２の実施形態に係る伝送線路１０２の分解斜視図である。 図５（Ａ）は、図１に示すＡ−Ａ部分での断面図であり、図５（Ｂ）は、図１に示すＢ−Ｂ部分での断面図である。 図６は第３の実施形態に係る伝送線路１０３の分解斜視図である。 図７（Ａ）は、図６に示すＡ−Ａ部分での断面図であり、図７（Ｂ）は、図６に示すＢ−Ｂ部分での断面図である。 図８は第４の実施形態に係る伝送線路１０４の分解斜視図である。 図９は第５の実施形態に係る伝送線路１０５の分解斜視図である。 図１０は第６の実施形態に係る伝送線路１０６の分解斜視図である。 図１１は図１０に示すＡ−Ａ部分での断面図である。 図１２は第７の実施形態に係る伝送線路１０７の分解平面図である。 図１３（Ａ）（Ｂ）は、第８の実施形態に係る伝送線路１０８Ａに形成される、信号導体パターン３１，３２、迂回パターン部４１，４２、および層間接続導体５１，５２等の位置関係を示す図である。 図１４（Ａ）（Ｂ）は、本実施形態の比較例である伝送線路に関する図である。 図１５（Ａ）は、本実施形態に係る別の伝送線路１０８Ｂの平面図である。図１５（Ｂ）は伝送線路１０８Ｂのうちの２つの絶縁体層の平面図である。 図１６は第９の実施形態に係る伝送線路１０９の断面図である。 図１７は第１０の実施形態に係る伝送線路１１０の断面図である。 図１８は第１１の実施形態に係る伝送線路１１１の断面図である。 図１９は第１２の実施形態に係るケーブル３１２の一方の端部付近の分解斜視図である。 図２０はケーブル３１２の斜視図である。 図２１は回路基板へのケーブル３１２の実装状態を示す図である。 図２２は第１３の実施形態に係るケーブル３１３の斜視図である。 図２３はケーブル３１３の分解斜視図である。 図２４は第１４の実施形態に係るケーブル３１４の斜視図である。 図２５はケーブル３１４の分解斜視図である。 図２６（Ａ）は、回路基板へのケーブル３１４の実装状態を示す斜視図である。図２６（Ｂ）は、図２６（Ａ）に示す向きでの右側図である。 図２７（Ａ）は、回路基板への比較例のケーブル３１４Ｐの実装状態を示す斜視図である。図２７（Ｂ）は、図２７（Ａ）に示す向きでの右側図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

第９の実施形態、第１０の実施形態および第１１の実施形態を除く実施形態においては、絶縁体層の誘電率以外の構造に関して例示している。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る伝送線路１０１の分解斜視図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ部分での、伝送線路１０１の断面図である。

伝送線路１０１は、絶縁体層１１，１２，１３，１４，１５が積層された積層絶縁体１０と、この積層絶縁体１０の内部に、絶縁体層１１，１２，１３，１４，１５に沿って配置される導体パターンと、積層絶縁体１０の内部に配置される層間接続導体５１，５２と、を備える。

上記導体パターンは、絶縁体層１３の上面に設けられた第１グランド導体パターン２１と、絶縁体層１１の上面に設けられた第２グランド導体パターン２２と、絶縁体層１５の上面に設けられた第３グランド導体パターン２３と、を含む。

また、上記導体パターンは、絶縁体層１２に配置される第１信号導体パターン３１と、絶縁体層１４に配置される第２信号導体パターン３２と、を含む。第１信号導体パターン３１は第１グランド導体パターン２１と第２グランド導体パターン２２との間に配置される。また、第２信号導体パターン３２は第１グランド導体パターン２１と第３グランド導体パターン２３との間に配置される。

上記層間接続導体は、第１グランド導体パターン２１と第２グランド導体パターン２２との間を層間接続する第１層間接続導体５１と、第２グランド導体パターン２２と第３グランド導体パターン２３との間を層間接続する第２層間接続導体５２と、を含む。図２に表れるように、第１層間接続導体５１は絶縁体層１１，１２に形成され、第２層間接続導体５２は絶縁体層１３，１４に形成される。

第１信号導体パターン３１は、第１層間接続導体５１を迂回する第１迂回パターン部４１を有し、第２信号導体パターン３２は、第２層間接続導体５２を迂回する第２迂回パターン部４２を有する。

第１迂回パターン部４１と第２迂回パターン部４２とは、互いに近接し、絶縁体層１１〜１５の積層方向に視て迂回方向は互いに逆の関係にある。

上記の構成により、第１信号導体パターン３１、第１グランド導体パターン２１および第２グランド導体パターン２２によりストリップライン型の第１伝送線路部が構成される。また、第２信号導体パターン３２、第１グランド導体パターン２１および第３グランド導体パターン２３によりストリップライン型の第２伝送線路部が構成される。なお、導体以外の部材も含めれば、第１信号導体パターン３１、第１グランド導体パターン２１、第２グランド導体パターン２２と共に、誘電体および支持層としての絶縁体層１１，１２も第１伝送線路部の構成要素である。同様に、第２信号導体パターン３２、第１グランド導体パターン２１、第３グランド導体パターン２３と共に、絶縁体層１３，１４も第２伝送線路部の構成要素である。

なお、上記絶縁体層１１〜１５は、例えば片面に銅箔が貼られた片面銅貼り絶縁体シートの絶縁体シート部分である。この絶縁体シートは例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）のシートである。液晶ポリマーは誘電率が低いため、信号導体パターンとグランド導体パターンとを近接させても、線路のキャパシタンス成分を抑制できる。また、誘電正接が低いので伝送損失が抑えられる。さらに、誘電正接の温度依存性が低いことにより、環境変化による特性変化を抑制できる。また、上記各種導体パターンは、上記絶縁体シートに貼付された銅箔がパターンニングされたものである。上記積層絶縁体１０は、これら複数の絶縁体シートを積層して加熱圧着することで形成される。

第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間に第１グランド導体パターン２１が介在し、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２とは第１グランド導体パターン２１で電界遮蔽されるので、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との不要結合は抑制される。

また、第２グランド導体パターン２２および第３グランド導体パターン２３は第１層間接続導体５１および第２層間接続導体５２により、第１グランド導体パターン２１と同電位となるので、第１グランド導体パターン２１の電位は安定する、そのため、第１グランド導体パターン２１の電位変動による、第１伝送線路と第２伝送線路との間の信号漏洩も抑制される。

さらに、第１迂回パターン部４１と第２迂回パターン部４２は、第１信号導体パターン３１および第２信号導体パターン３２の延伸方向に対し直交方向に遠ざかる。そのため、積層絶縁体１０の側部近傍の外部空間を介しての、第１迂回パターン部４１と第２迂回パターン部４２との不要結合は抑制される。

ここで、比較例としての伝送線路１０１Ｃの断面図を図３に示す。この伝送線路１０１Ｃは、図１に示した第１迂回パターン部４１と第２迂回パターン部４２とが同方向に偏る。この伝送線路１０１Ｃでは、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２は積層絶縁体１０の側部近傍の外部空間を介して近接する。そのため、図３中に概念的に破線で示すような電界結合が生じ、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２は不要結合する。

これに対し、本実施形態によれば、既に述べたとおり、第１迂回パターン部４１、第２迂回パターン部４２での、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との不要結合は抑制される。したがって、第１伝送線路部と第２伝送線路部との信号漏洩（クロストーク）は低減される。

本実施形態によれば、長尺状伝送線路の幅方向の拡大化を抑制しつつ、１つの積層絶縁体に２つの伝送線路部を構成できる。また、この２つの伝送線路部間の信号漏洩を抑制できる。

なお、図１では、１つの第１層間接続導体５１および１つの第２層間接続導体５２を示したが、伝送線路１０１の長さに応じて、第１信号導体パターン３１および第２信号導体パターン３２の延伸方向に複数の第１層間接続導体５１および第２層間接続導体５２を配置する。そして、第１迂回パターン部４１および第２迂回パターン部４２は第１層間接続導体５１および第２層間接続導体５２を迂回するように複数設けられる。この場合、複数の第１迂回パターン部４１と複数の第２迂回パターン部４２のうち、互いに最も近接する第１迂回パターン部と第２迂回パターン部の組で、絶縁体層１１〜１５の積層方向に視て迂回方向が互いに逆であればよい。

《第２の実施形態》
図４は第２の実施形態に係る伝送線路１０２の分解斜視図である。図５（Ａ）は、図１に示すＡ−Ａ部分での断面図であり、図５（Ｂ）は、図１に示すＢ−Ｂ部分での断面図である。

第２の実施形態は、第１の実施形態に比べて、第２グランド導体パターン２２および第３グランド導体パターン２３のパターンが異なる。また、第１層間接続導体および第２層間接続導体の形成位置が異なる。

伝送線路１０２は、絶縁体層１１，１２，１３，１４，１５が積層された積層絶縁体１０を備える。絶縁体層１３には第１グランド導体パターン２１、絶縁体層１１には第２グランド導体パターン２２、絶縁体層１５には第３グランド導体パターン２３がそれぞれ形成される。絶縁体層１２には第１信号導体パターン３１、絶縁体層１４には第２信号導体パターン３２がそれぞれ形成される。絶縁体層１１，１２には第１層間接続導体５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃがそれぞれ形成される。同様に、絶縁体層１３，１４には第２層間接続導体５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃがそれぞれ形成される。

第１信号導体パターン３１は、第１層間接続導体５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃをそれぞれ迂回する第１迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃを有し、第２信号導体パターン３２は、第２層間接続導体５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃをそれぞれ迂回する第２迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃを有する。

第１迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃは、第１信号導体パターン３１の延伸方向に沿って交互に逆方向に迂回する。また、第２迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃは、第２信号導体パターン３２の延伸方向に沿って交互に逆方向に迂回する。

図５（Ａ）に表れるように、第１層間接続導体５１Ｂの形成位置は積層絶縁体１０の幅方向の中心からＳＬだけ偏る。また、第２層間接続導体５２Ｂの形成位置は積層絶縁体１０の幅方向の中心からＳＲだけ偏る。そのため、第１層間接続導体５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃと第１信号導体パターン３１との面方向の所定の間隔を確保できる。このことで第１迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃの特性インピーダンスを所定値に保てる。また、第１迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃの迂回量を抑制でき、線路の特性インピーダンスの連続性を確保しやすい。それに伴い、積層絶縁体１０の幅方向の拡大が抑制できる。

なお、図４に示した例では、第１迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃが第１信号導体パターン３１の延伸方向に沿って交互に逆方向に迂回し、第２迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃが、第２信号導体パターン３２の延伸方向に沿って交互に逆方向に迂回するものであるが、第１信号導体パターン３１または第２信号導体パターン３２の一方のみについて、信号導体パターンの迂回パターン部の迂回方向が、信号導体パターンの延伸方向順に交互に逆方向であってもよい。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第２の実施形態に比べて、第２グランド導体パターン２２および第３グランド導体パターン２３のパターン等が異なる例を示す。

図６は第３の実施形態に係る伝送線路１０３の分解斜視図である。図７（Ａ）は、図６に示すＡ−Ａ部分での断面図であり、図７（Ｂ）は、図６に示すＢ−Ｂ部分での断面図である。

伝送線路１０３は、絶縁体層１１，１２，１３，１４，１５が積層された積層絶縁体１０を備える。絶縁体層１３には第１グランド導体パターン２１、絶縁体層１１には第２グランド導体パターン２２、絶縁体層１５には第３グランド導体パターン２３がそれぞれ形成される。絶縁体層１２には第１信号導体パターン３１、絶縁体層１４には第２信号導体パターン３２がそれぞれ形成される。絶縁体層１１，１２には第１層間接続導体５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃがそれぞれ形成される。同様に、絶縁体層１３，１４には第２層間接続導体５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃがそれぞれ形成される。

第２グランド導体パターン２２は、絶縁体層１１〜１５の積層方向に視て第１信号導体パターン３１と重なる位置に、第１信号導体パターン３１の延伸方向に周期的に配置される複数の第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃが形成される。

第３グランド導体パターン２３は、絶縁体層１１〜１５の積層方向に視て第２信号導体パターン３２と重なる位置に、第２信号導体パターン３２の延伸方向に周期的に配置される複数の第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃが形成される。

上記構成により、第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃの存在により、第１信号導体パターン３１と第２グランド導体パターン２２との間に生じる容量が抑制されるので、その分、第１信号導体パターン３１と第２グランド導体パターン２２との層間寸法を小さくでき、積層絶縁体を薄型化できる。同様に、第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃの存在により、第２信号導体パターン３２と第３グランド導体パターン２３との間に生じる容量が抑制されるので、その分、第２信号導体パターン３２と第３グランド導体パターン２３との層間寸法を小さくでき、積層絶縁体を薄型化できる。すなわち、絶縁体層１４を薄くしても、特性インピーダンスが下がり過ぎることがないので、所定の特性インピーダンス（例えば５０Ω）に合わせやすくなる、したがって、積層絶縁体を薄型化できる。

第１層間接続導体５１Ａは第１開口６１Ａと第１開口６１Ｂの間に配置され、第１層間接続導体５１Ｂは第１開口６１Ｂと第１開口６１Ｃの間に配置される。第１層間接続導体５１Ｃについても同様に、第１開口６１Ｃと、これに隣接する図外の第１開口との間に配置される。

同様に、第２層間接続導体５２Ａは第２開口６２Ａと第２開口６２Ｂの間に配置され、第２層間接続導体５２Ｂは第２開口６２Ｂと第２開口６２Ｃの間に配置される。第２層間接続導体５２Ｃについても同様に、第２開口６２Ｃとこれに隣接する図外の第２開口との間に配置される。

このように、第１層間接続導体５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃが、第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃが形成されていない位置で、第１グランド導体パターン２１と第２グランド導体パターン２２を層間接続するので、第１層間接続導体５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃを容易に構成できる。同様に、第２層間接続導体５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃが、第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃが形成されていない位置で、第１グランド導体パターン２１と第３グランド導体パターン２３を層間接続するので、第２層間接続導体５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃを容易に構成できる。

本実施形態では、図６に表れるように、第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃと対向する部分と、そうでない部分とで、第１信号導体パターン３１および第２信号導体パターン３２の線幅を変えている。すなわち、第１信号導体パターン３１は、第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃと対向する部分は相対的に太く、対向しない部分（迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ）は相対的に細い。また、第２信号導体パターン３２は、第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃと対向する部分は相対的に太く、対向しない部分（迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ）は相対的に細い。

これにより、第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃと対向する第１信号導体パターン３１の部分は線幅が広くても容量発生による特性インピーダンスの変化が小さいので、第１信号導体パターンの線幅を広くして導体損失を低減できる。同様に、第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃと対向する第２信号導体パターン３２の部分は線幅が広くても容量発生による特性インピーダンスの変化が小さいので、第２信号導体パターンの線幅を広くして導体損失を低減できる。

また、迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃは第２グランド導体パターン２２と対向するが、迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃの線幅を細くすることで、第２グランド導体パターン２２との間で容量が発生することによる特性インピーダンスの変化は小さい。同様に、迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃは第３グランド導体パターン２３と対向するが、迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃの線幅を細くすることで、第３グランド導体パターン２３との間で容量が発生することによる特性インピーダンスの変化は小さい。したがって、迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃの線幅を細くすることで、伝送線路１０３全体の幅を細くできる。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第３の実施形態に比べて、第２グランド導体パターン２２および第３グランド導体パターン２３のパターン等が異なる例を示す。

図８は第４の実施形態に係る伝送線路１０４の分解斜視図である。図６に示した伝送線路１０３とは異なり、第３グランド導体パターン２３には第２開口が形成されない。

このように、２つの伝送線路部のうち一方はグランド導体パターンに開口が形成されていない構成も採り得る。また、２つの伝送線路部のグランド導体パターンに形成される開口の大きさが異なってもよい。

本実施形態によれば、開口が形成されていない側、または開口が小さなグランド導体が形成された側（図８の例では第３グランド導体パターン２３側）への不要輻射を抑制できる。また、開口が形成されていない側、または開口が小さなグランド導体が形成された側を金属部材に近接しても（貼付しても）、その金属の影響を受けにくい。

なお、図４、図６、図８では、第１信号導体パターン３１のうち、迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ以外の部分は、伝送線路部の中央に沿って通る例を示したが、迂回パターン部以外の部分は伝送線路部の中央に沿って通らないパターンでもよい。例えば、伝送線路部の幅方向において、第１迂回パターン部４１Ａから、それに隣接する第１迂回パターン部４１Ｂ側に徐々に近づくように斜めに通るパターンであってもよい。同様に、第２信号導体パターン３２は、伝送線路部の幅方向において、例えば第２迂回パターン部４２Ａから、それに隣接する第２迂回パターン部４２Ｂ側に徐々に近づくように斜めに通るパターンであってもよい。

また、信号導体パターンのうち、迂回パターン部とそれ以外の部分（非迂回パターン部）との境界は、その形状がなめらかに変化するものであってもよい。

これらの構造によれば、伝送線路の特性インピーダンスの急激な変化が抑制され、特性インピーダンスの連続性を確保しやすい。すなわち、低反射特性が得られる。また、信号導体パターンに局部的な電界の集中が生じないので、信号の伝送損失が低減される。

図４、図６、図８では、第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ、第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ等が四角形である例を示したが、開口の形状はこれに限らない。但し、伝送線路の対称性を保つためには、開口は信号導体パターン３１，３２の延伸方向および幅方向に対してそれぞれ対称形であることが好ましい。また、開口の形状は、四角よりも例えば八角形のように、より円形状に近い形状であることが好ましい。また、開口の形状は、信号導体パターンの延伸方向に沿って、開口の幅がテーパー状に変化する形状であることが好ましい。

上記構造によれば、伝送線路の特性インピーダンスの急激な変化が抑制され、特性インピーダンスの連続性を確保しやすい。すなわち、低反射特性が得られる。また、信号導体パターンに局部的な電界の集中が生じないので、信号の伝送損失が低減される。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、第３の実施形態に比べて、第２グランド導体パターン２２および第３グランド導体パターン２３のパターン等の形成位置が異なる例を示す。

図９は第５の実施形態に係る伝送線路１０５の分解斜視図である。図６に示した伝送線路１０３と同様に、第２グランド導体パターン２２には、第１信号導体パターン３１の延伸方向に第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃが周期的に配置され、第３グランド導体パターン２３には、第２信号導体パターン３２の延伸方向に第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃが周期的に配置される。但し、図６に示した伝送線路１０３と異なり、第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃと、第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃの配置は半周期異なる（ずれる）。これに伴い、第１層間接続導体５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃおよび第１迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃの配置と、第２層間接続導体５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃおよび第２迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃの配置は半周期異なる。その他の構成は第３の実施形態で示した伝送線路１０３と同様である。

本実施形態によれば、第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃと第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃとは、第１信号導体パターン３１および第２信号導体パターン３２の延伸方向に遠ざかるので、第１開口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃおよび第２開口６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃを介しての、第１信号導体パターン３１および第２信号導体パターン３２間の不要結合が抑制される。

また、第１迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃと第２迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃとは互いに遠ざかるので、第１迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃおよび第２迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃを介しての、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との不要結合も抑制される。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、３つの信号導体パターンを備える伝送線路について示す。

図１０は第６の実施形態に係る伝送線路１０６の分解斜視図である。図１１は図１０に示すＡ−Ａ部分での断面図である。

本実施形態の伝送線路１０６は、３つの伝送線路部を備える。積層絶縁体１０は絶縁体層１１，１２，１３Ａ，１３Ｃ，１３Ｂ，１４，１５を含む。絶縁体層１３Ａ，１３Ｂには第１グランド導体パターン２１Ａ，２１Ｂが形成される。絶縁体層１３Ｃには第３信号導体パターン３３が形成される。第１グランド導体パターン２１Ａ，２１Ｂは、第３信号導体パターン３３より幅広の導体パターンである。

絶縁体層１１には第２グランド導体パターン２２が形成され、絶縁体層１５には第３グランド導体パターン２３が形成される。絶縁体層１２には第１信号導体パターン３１が形成され、絶縁体層１４には第２信号導体パターン３２が形成される。

第１グランド導体パターン２１Ａ、第２グランド導体パターン２２、第１信号導体パターン３１によって第１伝送線路部が構成される。また、第１グランド導体パターン２１Ｂ、第３グランド導体パターン２３、第２信号導体パターン３２によって第２伝送線路部が構成される。さらに、第１グランド導体パターン２１Ａ，２１Ｂおよび第３信号導体パターン３３によって第３伝送線路部が構成される。

このように、第１グランド導体パターンが、２つの層にそれぞれ形成された２つの第１グランド導体パターン２１Ａ，２１Ｂで構成され、２つの第１グランド導体パターン２１Ａ，２１Ｂの間に第３信号導体パターン３３が配置されることで、第３伝送線路部が構成される。第１グランド導体パターン２１Ａと第２グランド導体パターン２２は第１層間接続導体５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ等で接続され、第１グランド導体パターン２１Ｂと第３グランド導体パターン２３は第２層間接続導体５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ等で接続され、第１グランド導体パターン２１Ａと第１グランド導体パターン２１Ｂは第３層間接続導体５７Ａ，５７Ｂ，５７Ｃ等で接続される。

同様に、第１グランド導体パターンが、３つ以上の層にそれぞれ形成された３つ以上の第１グランド導体パターンで構成され、３つ以上の第１グランド導体パターンのそれぞれの間に第３信号導体パターンが配置されることで、複数の第３伝送線路部が構成される。すなわち、４芯以上の多芯伝送線路が構成される。

《第７の実施形態》
第７の実施形態では、以上に示した各実施形態とは層間接続導体の構造が異なる例を示す。

図１２は第７の実施形態に係る伝送線路１０７の分解平面図である。この伝送線路１０７は、第３の実施形態で示した伝送線路１０３とは、第１、第２の信号導体パターンの形状および第１、第２の層間接続導体の構造が異なる。

伝送線路１０７は、絶縁体層１１，１２，１３，１４，１５が積層された積層絶縁体を備える。絶縁体層１３には第１グランド導体パターン２１、絶縁体層１１には第２グランド導体パターン２２、絶縁体層１５には第３グランド導体パターン２３がそれぞれ形成される。絶縁体層１２には第１信号導体パターン３１、絶縁体層１４には第２信号導体パターン３２がそれぞれ形成される。絶縁体層１１，１２には第１層間接続導体集合体５１Ｇが形成される。同様に、絶縁体層１３，１４には第２層間接続導体集合体５２Ｇが形成される。

第１層間接続導体集合体５１Ｇは、第１信号導体パターン３１の延伸方向に配列された、４つの層間接続導体で構成される。同様に、第２層間接続導体集合体５２Ｇは、第２信号導体パターン３２の延伸方向に配列された、４つの層間接続導体で構成される。

第１信号導体パターン３１は、第１層間接続導体集合体５１Ｇを一度に（まとめて）迂回する第１迂回パターン部４１Ａを有し、第２信号導体パターン３２は、第２層間接続導体集合体５２Ｇを一度に（まとめて）迂回する第２迂回パターン部４２Ａを有する。

上記構成により、第１グランド導体パターン２１は第１層間接続導体集合体５１Ｇを介して第２グランド導体パターン２２と導通するので、第１グランド導体パターン２１および第２グランド導体パターン２２は、電気的により安定な電位となる。また、第２信号導体パターン３２の側部に第２層間接続導体集合体５２Ｇが配置されることになり、第２信号導体パターン３２は伝送方向の側部に対しても遮蔽される。同様に、第２グランド導体パターン２２は第２層間接続導体集合体５２Ｇを介して第３グランド導体パターン２３と導通するので、第２グランド導体パターン２２および第３グランド導体パターン２３は、電気的により安定な電位となる。また、第２信号導体パターン３２の側部に第２層間接続導体集合体５２Ｇが配置されることになり、第２信号導体パターン３２は伝送方向の側部に対しても遮蔽される。

なお、第１、第２の層間接続導体集合体は４つの層間接続導体の集合体であることに限らない。複数であれば同様に作用効果を奏する。

《第８の実施形態》
第８の実施形態では、互いに近接する層間接続導体の位置関係、および互いに近接する迂回パターン部の位置関係に特徴を有する伝送線路について示す。

図１３（Ａ）（Ｂ）は、第８の実施形態に係る伝送線路１０８Ａに形成される、信号導体パターン３１，３２、迂回パターン部４１，４２、および層間接続導体５１，５２等の位置関係を示す図である。図１４（Ａ）（Ｂ）は、本実施形態の比較例である伝送線路に関する図である。

図１３（Ａ）は伝送線路１０８Ａの平面図である。図１３（Ｂ）は伝送線路１０８Ａのうちの２つの絶縁体層の平面図である。伝送線路１０８Ａの基本的な構成は第１の実施形態で図１に示した伝送線路１０１と同様である。

図１３（Ｂ）に表れているように、絶縁体層１２には第１信号導体パターン３１および層間接続導体５１、層間接続用ランドパターン５１Ｌが形成されている。第１信号導体パターン３１は一部に第１迂回パターン部４１を有している。絶縁体層１４には第２信号導体パターン３２および層間接続導体５２、層間接続用ランドパターン５２Ｌが形成されている。第２信号導体パターン３２は一部に第２迂回パターン部４２を有している。

一方、図１４（Ａ）は、比較例としての伝送線路の平面図である。図１４（Ｂ）は、その伝送線路のうちの２つの絶縁体層の平面図である。図１４（Ａ）（Ｂ）に示す比較例の伝送線路では、第１層間接続導体５１と第２層間接続導体５２とは重なってはいないが、第１信号導体パターン３１の延伸方向に対して同一位置（図１４（Ａ）（Ｂ）において一つの破線Ｌ−Ｌに重なる位置）に配置されている。

本実施形態の伝送線路１０８Ａでは、図１３（Ａ）に表れているように、第１層間接続導体５１と第２層間接続導体５２とは、第１信号導体パターン３１の延伸方向に距離Ｌ１２だけずれている。

上記構成により、本実施形態の伝送線路１０８Ａは、図１４に示した比較例の伝送線路の構成に比べて層間接続導体の集中が緩和される。すなわち、面方向に分散配置される。そのことで、積層体の積層方向の厚みは均一化されやすい。

図１５（Ａ）は、本実施形態に係る別の伝送線路１０８Ｂの平面図である。図１５（Ｂ）は伝送線路１０８Ｂのうちの２つの絶縁体層の平面図である。伝送線路１０８Ｂの基本的な構成は第２の実施形態で図４に示した伝送線路１０２と同様である。

図１５（Ｂ）に表れているように、絶縁体層１２には、第１迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ等が連続する第１信号導体パターン３１および層間接続導体５１Ａ，５１Ｂが形成されている。絶縁体層１４には、第２迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂ等が連続する第２信号導体パターン３２および層間接続導体５２Ａ，５２Ｂが形成されている。

図１５（Ａ）に表れているように、第１層間接続導体５１Ａと第２層間接続導体５２Ａとは、第１信号導体パターン３１の延伸方向に距離Ｌａｂだけずれている。同様に、第１層間接続導体５１Ｂと第２層間接続導体５２Ｂとは、第１信号導体パターン３１の延伸方向に距離Ｌａｂだけずれている。また、第２層間接続導体５２Ａと第１層間接続導体５１Ｂとは、第１信号導体パターン３１の延伸方向に距離Ｌｂａだけずれている。

このように、複数の層間接続導体が信号導体パターンの延伸方向に配列される場合、第１層間接続導体と第２層間接続導体とが重なったり、極接近したりしないように、第１信号導体パターン３１の延伸方向にずらすことで層間接続導体の集中が緩和される。すなわち、面方向に分散配置される。そのことで、積層体の積層方向の厚みは均一化されやすい。

《第９の実施形態》
第９の実施形態では、誘電率の異なる複数の絶縁体層を備える伝送線路について示す。

図１６は第９の実施形態に係る伝送線路１０９の断面図である。この伝送線路１０９は、第１〜８の実施形態で示される構成と異なり、複数の絶縁体層のうち、誘電率の異なる絶縁層を備えている。

伝送線路１０９は、第１グランド導体パターン２１、第２グランド導体パターン２２、第１信号導体パターン３１、およびこれら導体パターン間に介在する絶縁体層１１，１２によって第１伝送線路部が構成される。また、第１グランド導体パターン２１、第３グランド導体パターン２３、第２信号導体パターン３２、およびこれら導体パターン間に介在する絶縁体層１３，１４によって第２伝送線路部が構成される。

第１グランド導体パターン２１と第１信号導体パターン３１との間に介在する絶縁体層１２、および第１グランド導体パターン２１と第２信号導体パターン３２との間に介在する絶縁体層１３（すなわち第１領域Ｓ１）の誘電率は、第２グランド導体パターン２２と第１信号導体パターン３１との間に介在する絶縁体層１１（第２領域Ｓ２）の誘電率、および第３グランド導体パターン２３と第２信号導体パターン３２との間に介在する絶縁体層１４（第３領域Ｓ３）の誘電率に比べて低い。

このように、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間に平面視で２つの信号導体パターン３１，３２に重なるように第１グランド導体パターン２１が配置され、各絶縁体層の誘電率を上記関係とすることにより、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間の結合を弱めることができる。すなわち、内側のグランド導体パターン（第１グランド導体パターン２１）に比べて、外側のグランド導体パターン（第２グランド導体パターン２２および第３グランド導体パターン２３）に磁界が広がり易いので、伝送線路１０６の側方を介した（空気を介した）、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間の結合を抑制できる。その結果、第１伝送線路部と第２伝送線路部とのアイソレーションを高めることができる。

《第１０の実施形態》
第１０の実施形態では、誘電率が異なる絶縁体層が混在する伝送線路について示す。

図１７は第１０の実施形態に係る伝送線路１１０の断面図である。この伝送線路１１０は、第１〜８の実施形態で示される構成と異なり、複数の絶縁体層のうち、誘電率の異なる絶縁層を備えている。本実施形態は、第９の実施形態で示される第１領域Ｓ１に部分的に低誘電率の絶縁体層を配置した例である。

伝送線路１１０は、第１グランド導体パターン２１、第２グランド導体パターン２２、第１信号導体パターン３１、およびこれら導体パターン間に介在する絶縁体層１１，１２によって第１伝送線路部が構成される。また、第１グランド導体パターン２１、第３グランド導体パターン２３、第２信号導体パターン３２、およびこれら導体パターン間に介在する絶縁体層１３Ａ，１３Ｂ，１４によって第２伝送線路部が構成される。

本実施形態では、第１グランド導体パターン２１と第２信号導体パターン３２との間の絶縁体層１３Ａ，１３Ｂの実効誘電率が、第３グランド導体パターン２３と第２信号導体パターン３２との間の絶縁体層１４の誘電率より低い。このように、第１領域Ｓ１の一部に低誘電率層を入れることにより、第１領域Ｓ１を低誘電率化させてもよい。

そして、信号導体パターン（図１３の例では第２信号導体パターン３２）に近い（接する）絶縁体層１３Ｂの誘電率を、遠い（離間する）絶縁体層１３Ａの誘電率より低くすれば、波長短縮効果を抑制できる。その結果、１波長分の物理長を長くすることができるので、一定距離を伝送させる際の伝送損失を低減できる。

このように、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間に平面視で２つの信号導体パターン３１，３２に重なるように第１グランド導体パターン２１が配置され、各絶縁体層の誘電率を上述の関係とすることにより、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間の結合を弱めることができる。すなわち、内側のグランド導体パターン（第１グランド導体パターン２１）に比べて、外側のグランド導体パターン（第３グランド導体パターン２３）に磁界が広がり易いので、伝送線路１０７の側方を介した（空気を介した）、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間の結合を抑制できる。その結果、第１伝送線路部と第２伝送線路部とのアイソレーションを高めることができる。

《第１１の実施形態》
第１１の実施形態では、誘電率の異なる複数の絶縁体層を備える伝送線路について示す。

図１８は第１１の実施形態に係る伝送線路１１１の断面図である。この伝送線路１１１は、グランド導体パターンと信号導体パターンとの間に介在される絶縁体層が、誘電率の比較的低い絶縁体層の分散配置により構成される。

第１グランド導体パターン２１と第１信号導体パターン３１との間に絶縁体層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃが介在し、第２グランド導体パターン２２と第１信号導体パターン３１との間に絶縁体層１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが介在する。また、第１グランド導体パターン２１と第２信号導体パターン３２との間に絶縁体層１３Ａ，１３Ｂが介在し、第３グランド導体パターン２３と第２信号導体パターン３２との間に絶縁体層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃが介在する。

本実施形態によれば、低誘電率の絶縁体層を分散配置することにより、低誘電率の絶縁体層とそれ以外の（比較的高誘電率の）絶縁体層の物性差による応力ひずみを分散させることができる。このことにより、誘電率の異なる２種の絶縁体層間が剥離し難い。

また、低誘電率の絶縁体層を第２領域Ｓ２および第３領域Ｓ３にも設けることで、第１信号導体パターン３１と第２グランド導体パターン２２間の間隔、および第２信号導体パターン３２と第３グランド導体パターン２３間の間隔を小さくしても、信号導体パターンとグランド導体パターン間の容量を所定値に抑制できるので、伝送線路を薄く形成できる。この場合でも、第１領域Ｓ１の絶縁体層（１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１３Ａ，１３Ｂ）内の低誘電率部の比率を高くすれば、上述の、伝送線路間のアイソレーションを高める効果が得られる。

このように、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間に平面視で２つの信号導体パターン３１，３２に重なるように第１グランド導体パターン２１が配置され、各絶縁体層の誘電率を上記関係とすることにより、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間の結合を弱めることができる。すなわち、内側のグランド導体パターン（第１グランド導体パターン２１）に比べて、外側のグランド導体パターン（第２グランド導体パターン２２および第３グランド導体パターン２３）に磁界が広がり易いので、伝送線路１１１の側方を介した（空気を介した）、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間の結合を抑制できる。その結果、第１伝送線路部と第２伝送線路部とのアイソレーションを高めることができる。

《第１２の実施形態》
第１２の実施形態では伝送線路を備えるケーブルの例を示す。

図１９は第１２の実施形態に係るケーブル３１２の一方の端部付近の分解斜視図である。図２０はケーブル３１２の斜視図であり、図２１は回路基板へのケーブル３１２の実装状態を示す図である。

本実施形態のケーブル３１２は、端部に同軸コネクタを設けるための構造を備えた伝送線路と、その同軸コネクタとで構成される。伝送線路の基本的構成は以上の各実施形態で示したとおりである。

図１９に表れるように、ケーブル３１２の伝送線路部分は、絶縁体層１１，１２，１３，１４，１５が積層された積層絶縁体を備える。絶縁体層１３には第１グランド導体パターン２１、絶縁体層１１には第２グランド導体パターン２２、絶縁体層１５には第３グランド導体パターン２３がそれぞれ形成される。絶縁体層１２には第１信号導体パターン３１、絶縁体層１４には第２信号導体パターン３２がそれぞれ形成される。

絶縁体層１１にはコネクタ用電極７１，７２が形成される。絶縁体層１１には、コネクタ用電極７１と第１信号導体パターン３１の端部とを接続する層間接続導体８１が形成される。また、絶縁体層１１，１２，１３には、コネクタ用電極７２と第２信号導体パターン３２の端部とを接続する層間接続導体８２が形成される。ケーブル３１２の他方の端部にも上記コネクタ用電極７１，７２と同様のコネクタ用電極が形成されている。

図２０に表れるように、ケーブル３１２の端部には同軸コネクタ２１１，２１２，２２１，２２２が設けられる。同軸コネクタ２１１は、図１９に示したコネクタ用電極７１とその周囲のグランド導体パターン２２に搭載され、同軸コネクタ２１２は、コネクタ用電極７２とその周囲のグランド導体パターン２２に搭載される。必要に応じてケーブル３１２の表層にはレジスト膜が形成される。

ケーブル３１２は、図２１に表れるように回路基板４０１に実装される。回路基板４０１にはバッテリパック４１１や電子部品４１２等も実装される。ケーブル３１２は可撓性を有するので、例えばバッテリパック４１１等の他の部品や部材に沿って配置することができる。

《第１３の実施形態》
第１３の実施形態では、表面実装部品として構成されたケーブルの例を示す。

図２２は第１３の実施形態に係るケーブル３１３の斜視図である。図２３はケーブル３１３の分解斜視図である。

ケーブル３１３は、絶縁体層１１，１２，１３，１４，１５が積層された積層絶縁体１０を備える。積層絶縁体１０の下面に表面実装用の外部端子電極９１Ａ，９１Ｂ，９２Ａ，９２Ｂが形成されている。また、積層絶縁体１０の下面には第３グランド導体パターン２３が露出している。

図２３に表れているように、絶縁体層１３には第１グランド導体パターン２１、絶縁体層１１には第２グランド導体パターン２２、絶縁体層１５には第３グランド導体パターン２３がそれぞれ形成される。絶縁体層１２には第１信号導体パターン３１、絶縁体層１４には第２信号導体パターン３２がそれぞれ形成される。絶縁体層１１，１２には第１層間接続導体５１Ａ，５１Ｂがそれぞれ形成される。同様に、絶縁体層１３，１４には第２層間接続導体５２Ａ，５２Ｂがそれぞれ形成される。

第１信号導体パターン３１は、第１層間接続導体５１Ａ，５１Ｂをそれぞれ迂回する第１迂回パターン部４１Ａ，４１Ｂを有し、第２信号導体パターン３２は、第２層間接続導体５２Ａ，５２Ｂをそれぞれ迂回する第２迂回パターン部４２Ａ，４２Ｂを有する。

第１信号導体パターン３１の第１端は層間接続導体５３Ａを介して外部端子電極９１Ａに接続され、第１信号導体パターン３１の第２端は層間接続導体５３Ｂを介して外部端子電極９１Ｂに接続される。

また、第２信号導体パターン３２の第１端は層間接続導体５４Ａを介して外部端子電極９２Ａに接続され、第２信号導体パターン３２の第２端は層間接続導体５４Ｂを介して外部端子電極９２Ｂに接続される。

第１グランド導体パターン２１は層間接続導体５１Ａ，５１Ｂ，５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ，５６Ｄを介して第２グランド導体パターン２２と接続される。

また、第１グランド導体パターン２１は層間接続導体５２Ａ，５２Ｂ，５６Ｅ，５６Ｆ，５６Ｇ，５６Ｈ，５５Ａ，５５Ｂを介して第３グランド導体パターン２３と接続される。

回路基板には、図２２に示したケーブル３１３の外部端子電極９１Ａ，９１Ｂ，９２Ａ，９２Ｂが対向するランドパターンが形成されていて。これらのランドパターンに上記外部端子電極９１Ａ，９１Ｂ，９２Ａ，９２Ｂがはんだ付けされることで、ケーブル３１３は回路基板に表面実装される。

《第１４の実施形態》
第１４の実施形態では、表面実装部品として構成されたケーブルの例を示す。第１３の実施形態とは下面の構造が異なる。

図２４は第１４の実施形態に係るケーブル３１４の斜視図である。図２５はケーブル３１４の分解斜視図である。

図２５に表れている絶縁体層１６を備える点で、第１３の実施形態で示したケーブル３１３と異なる。絶縁体層１６には開口ＣＷａ〜ＣＷｇが形成されている。開口ＣＷａ，ＣＷｂ，ＣＷｆ，ＣＷｇは、これらの部分で外部端子電極９１Ａ，９２Ａ，９２Ｂ，９１Ｂを露出させる。また、開口ＣＷｃ，ＣＷｄ，ＣＷｅは、これらの部分で第３グランド導体パターン２３を露出させる。図２４において、接合パターンＢｃ，Ｂｄ，Ｂｅは第３グランド導体パターン２３が露出した部分である。

上述の構造により、積層絶縁体１０の下面に表面実装用の外部端子電極９１Ａ，９１Ｂ，９２Ａ，９２Ｂおよび接合パターンＢｃ，Ｂｄ，Ｂｅを備えるケーブル３１４が構成される。

図２６（Ａ）は、回路基板へのケーブル３１４の実装状態を示す斜視図である。図２６（Ｂ）は、図２６（Ａ）に示す向きでの右側図である。また、図２７（Ａ）は、回路基板への比較例のケーブル３１４Ｐの実装状態を示す斜視図である。図２７（Ｂ）は、図２７（Ａ）に示す向きでの右側図である。

回路基板４０１には各種表面実装部品を実装するためのランドが形成されている。これらのランドにクリームはんだが印刷され、表面実装部品４１３，４１４，４１５およびケーブル３１４が搭載される。その後、リフロー炉を通ることによって、これらの部品が回路基板４０１上にはんだ付けされる。

比較例のケーブル３１４Ｐは、積層体内の各導体パターンが長手方向（図２７（Ａ）（Ｂ）に示すＹ軸方向）に対して非対称である。本実施形態のケーブル３１４は、積層体内の各導体パターンが図２６（Ａ）（Ｂ）に示すＹ軸方向に対して対称である。比較例のケーブル３１４Ｐでは、長手方向の軸に対し非対称であるので、絶縁体層の積層時および積層後に変形しやすい。特にＸ軸方向に撓むと、そのケーブル３１４Ｐの回路基板４０１への搭載時に、ケーブル３１４Ｐが、近接する表面実装部品４１４に当接して、表面実装部品４１４の位置をずらせたり、傾けたりするおそれがある。

これに対し、本実施形態のケーブル３１４は、長手方向の軸に対し対称であるので、絶縁体層の積層時および積層後に変形し難く、ケーブル３１４の回路基板４０１への搭載時に、ケーブル３１４が、近接する表面実装部品４１４に当接することなく上記問題は生じにくい。

なお、以上に示した各実施形態では、直線状の伝送線路またはケーブルを例示したが、途中または端部付近に曲がり部があってもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能であることは明らかである。例えば異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

ＣＷａ〜ＣＷｇ…開口
Ｂｃ〜Ｂｅ…接合パターン
１０…積層絶縁体
１１，１２，１３，１４，１５…絶縁体層
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ…絶縁体層
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ…絶縁体層
１３Ａ，１３Ｂ…絶縁体層
１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ…絶縁体層
２１…第１グランド導体パターン
２１Ａ，２１Ｂ…第１グランド導体パターン
２２…第２グランド導体パターン
２３…第３グランド導体パターン
３１…第１信号導体パターン
３２…第２信号導体パターン
３３…第３信号導体パターン
４１…第１迂回パターン部
４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ…第１迂回パターン部
４２…第２迂回パターン部
４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ…第２迂回パターン部
５１…第１層間接続導体
５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ…第１層間接続導体
５１Ｇ…第１層間接続導体集合体
５１Ｌ，５２Ｌ…層間接続用ランドパターン
５２…第２層間接続導体
５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ…第２層間接続導体
５２Ｇ…第２層間接続導体集合体
５７Ａ，５７Ｂ，５７Ｃ…第３層間接続導体
６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ…第１開口
６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ…第２開口
７１，７２…コネクタ用電極
８１，８２…層間接続導体
９１Ａ，９１Ｂ，９２Ａ，９２Ｂ…外部端子電極
１０１…伝送線路
１０１Ｃ…比較例の伝送線路
１０２〜１０７…伝送線路
１０８Ａ，１０８Ｂ…伝送線路
１０９〜１１１…伝送線路
２１１，２１２，２２１，２２２…同軸コネクタ
３１２〜３１４…ケーブル
３１４Ｐ…ケーブル
４０１…回路基板
４１１…バッテリパック
４１２…電子部品
４１３，４１４，４１５…表面実装部品

Claims (6)

1. 複数の絶縁体層が積層された積層絶縁体と、
   前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁体層に沿って配置される導体パターンと、
   を備え、
   前記導体パターンは、第１信号導体パターンと、前記第１信号導体パターンとは異なる層に配置される第２信号導体パターンと、を含み、
   前記複数の絶縁体層は複数の第１絶縁体層と複数の第２絶縁体層とを含み、
   前記第１絶縁体層の実効誘電率は前記第２絶縁体層の実効誘電率よりも低く、
   前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間の領域に、前記複数の第１絶縁体層と前記複数の第２絶縁体層とが配置され、且つ前記第１絶縁体層が積層方向に分散配置される、
   伝送線路。
2. 前記導体パターンは、前記複数の絶縁体層のうち、前記第１信号導体パターンが形成されている絶縁体層と前記第２信号導体パターンが形成されている絶縁体層との間に位置する絶縁体層に配置されるグランド導体パターンを含む、
   請求項１に記載の伝送線路。
3. 前記導体パターンは、前記複数の絶縁体層のうち異なる絶縁体層に沿って、前記積層の方向順に配置される、第２グランド導体パターン、第１グランド導体パターンおよび第３グランド導体パターンを含み、
   前記第１信号導体パターンは前記第１グランド導体パターンと前記第２グランド導体パターンとの間に配置され、前記第２信号導体パターンは前記第１グランド導体パターンと前記第３グランド導体パターンとの間に配置される、
   請求項１に記載の伝送線路。
4. 前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間に存在する複数の前記第１絶縁体層の各々は前記積層の方向で前記第２絶縁体層に挟まれている、
   請求項１から３のいずれかに記載の伝送線路。
5. 前記複数の絶縁体層に平行な、前記積層絶縁体の下面に、前記導体パターンと導通する接合パターンが形成された、
   請求項１から４のいずれかに記載の伝送線路。
6. 請求項５に記載の伝送線路および回路基板を備える電子機器であって、
   前記伝送線路は、他の表面実装部品と共に前記回路基板に表面実装されたことを特徴とする、
   電子機器。

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