JP3173143U - 高周波信号線路 - Google Patents

Abstract

【課題】薄型化を図ることができる高周波信号線路を提供することである。
【解決手段】誘電体素体１２は、可撓性を有している。信号線２０は、誘電体素体１２に設けられている。グランド導体２４は、誘電体素体１２に設けられ、かつ、信号線２０と対向している。補助グランド導体２２は、誘電体素体１２のｚ軸方向において、信号線２０に関してグランド導体２４の反対側に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０を挟んでいると共に、信号線２０に沿って延在している２つの主要部５８ａ，５８ｂと、２つの主要部５８ａ，５８ｂを接続していると共に、信号線２０と交差するブリッジ部とを含んでいる。ｚ軸方向において、信号線２０と補助グランド導体５８ａ，５８ｂとの間隔Ｔ１は、信号線２０とグランド導体２４との間隔Ｔ２よりも小さい。
【選択図】図４

Description

本考案は、高周波信号線路に関し、より特定的には、可撓性を有する高周波信号線路に関する。

従来の高周波信号線路としては、例えば、特許文献１に記載の信号線路が知られている。図１４は、特許文献１に記載の信号線路５１０の断面構造図である。

信号線路５１０は、本体５１２、グランド導体５３０、５３４及び信号線５３２を備えている。本体５１２は、可撓性材料により作製されている。グランド導体５３０，５３４は、上下方向から信号線５３２を挟んでいる。これにより、グランド導体５３０，５３４及び信号線５３２は、ストリップライン構造をなしている。更に、グランド導体５３４には、信号線５３２と重なる位置にスリットＳ５００が設けられている。以上のように構成された信号線路５１０は、容易にＵ字状に曲げることができ、不要輻射を低減でき、かつ、優れた高周波特性を有する。

しかしながら、特許文献１に記載の信号線路５１０は、薄型化が困難であるという問題を有している。より詳細には、グランド導体５３４は、上方から平面視したときに、信号線５３２と重なっている。そのため、信号線５３２とグランド導体５３４との間には、比較的に大きな容量が発生し易い。ただし、信号線５３２の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに整合させる必要がある。そこで、信号線５３２とグランド導体５３４との間の容量が大きくなりすぎないように、信号線５３２とグランド導体５３４との間の距離を大きくする必要がある。その結果、信号線路５１０の薄型化が困難となる。

特開２０１０−２６３４７０号公報

そこで、本考案の目的は、薄型化を図ることができる高周波信号線路を提供することである。

本考案の一形態に係る高周波信号線路は、可撓性を有する誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線と、前記誘電体素体に設けられ、かつ、前記信号線と対向しているグランド導体と、前記誘電体素体の主面の法線方向において、前記信号線に関して前記グランド導体の反対側に設けられている補助グランド導体であって、該法線方向から平面視したときに、前記信号線を挟んでいると共に、該信号線に沿って延在している２つの主要部と、該２つの主要部を接続していると共に、該信号線と交差するブリッジ部とを含んでいる補助グランド導体と、を備えており、前記法線方向において、前記信号線と前記補助グランド導体との間隔は、該信号線と前記グランド導体との間隔よりも小さいこと、を特徴とする。

本考案の高周波信号線路によれば、薄型化を図ることが可能である。

本考案の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の分解図である。 高周波信号線路を積層方向の上側から透視した図である。 高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路の一部を抜き出したときの等価回路図である。 第２の実施形態に係る高周波信号線路の分解図である。 第２の実施形態に係る高周波信号線路の信号線のインピーダンスを示したグラフである。 第３の実施形態に係る高周波信号線路の分解図である。 第４の実施形態に係る高周波信号線路の分解図である。 第５の実施形態に係る高周波信号線路の分解図である。 図１０の高周波信号線路を積層方向の上側から透視した図である。 第６の実施形態に係る高周波信号線路の分解図である。 図１２の高周波信号線路を積層方向の上側から透視した図である。 特許文献１に記載の信号線路の断面構造図である。

以下に、本考案の実施形態に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態）
（高周波信号線路の構成）
以下に、本考案の第１の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本考案の実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の分解図である。図３は、高周波信号線路１０を積層方向の上側から透視した図である。図４は、高周波信号線路１０の断面構造図である。図５は、高周波信号線路１０の一部を抜き出したときの等価回路図である。図１ないし図４において、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０は、図１及び図２に示すように、誘電体素体１２、保護材（レジスト層）１４、外部端子１６（１６ａ〜１６ｄ）、信号線２０、補助グランド導体２２、グランド導体２４、接続導体２６（２６ａ，２６ｂ）、ビアホール導体ｂ１〜ｂ６，Ｂ１，Ｂ２を備えている。

誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する長方形状をなしており、図２に示す誘電体シート（誘電体層）１８（１８ａ〜１８ｃ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている。

誘電体シート１８は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する長方形状をなしており、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａの厚さＴ１は、図４に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＴ２よりも薄い。例えば、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＴ１は１０〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は５０μｍである。また、厚さＴ２は５０〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は１５０μｍである。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

外部端子１６ａは、図１に示すように、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面において、ｘ軸方向の負方向側の端部に設けられている長方形上の導体である。すなわち、外部端子１６ａは、図２に示すように、誘電体シート１８ａの表面のｘ軸方向の負方向側の端部に設けられている。

外部端子１６ｂは、図１に示すように、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面において、ｘ軸方向の正方向側の端部に設けられている長方形上の導体である。すなわち、外部端子１６ｂは、図２に示すように、誘電体シート１８ａの表面のｘ軸方向の正方向側の端部に設けられている。

外部端子１６ｃは、図１に示すように、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面において、ｘ軸方向の正方向側の端部に設けられている長方形上の導体である。すなわち、外部端子１６ｃは、図２に示すように、誘電体シート１８ａの表面のｘ軸方向の正方向側の端部に設けられている。外部端子１６ｃは、図１及び図２に示すように、外部端子１６ｂよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。

外部端子１６ｄは、図１に示すように、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面において、ｘ軸方向の負方向側の端部に設けられている長方形上の導体である。すなわち、外部端子１６ｄは、図２に示すように、誘電体シート１８ａの表面のｘ軸方向の負方向側の端部に設けられている。外部端子１６ｄは、図１及び図２に示すように、外部端子１６ａよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。

外部端子１６ａ〜１６ｄは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料、好ましくは金属箔により作製されている。なお、外部端子１６（１６ａ〜１６ｄ）のいずれかは、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面（裏面）に形成されていてもよい。すなわち、外部端子１６ａ〜１６ｄは、外部接続を得たい主面側に配置されていればよい。

接続導体２６ａは、図２に示すように、誘電体シート１８ｂのｚ軸方向の正方向側の主面において、ｘ軸方向の正方向側の端部に設けられている長方形状の導体である。接続導体２６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ｃと重なっている。接続導体２６ａは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料、好ましくは金属箔により作製されている。

接続導体２６ｂは、図２に示すように、誘電体シート１８ｂのｚ軸方向の正方向側の主面において、ｘ軸方向の負方向側の端部に設けられている長方形状の導体である。接続導体２６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ｄと重なっている。接続導体２６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料、好ましくは金属箔により作製されている。

信号線２０は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、誘電体シート１８ｂの表面をｘ軸方向に延在している。ただし、信号線２０は、接続導体２６ａ，２６ｂと接触しないように、接続導体２６ａ，２６ｂを迂回している。そして、信号線２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号線２０の線幅は、例えば１００〜５００μｍである。本実施形態では、信号線２０の線幅は２４０μｍである。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料、好ましくは金属箔により作製されている。

グランド導体２４は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面においてｘ軸方向に連続的に延在する長方形状をなしている、いわゆるベタ状の導体であって、誘電体シート１８ｂを介して信号線２０と対向している。なお、グランド導体２４はその形成領域において信号線２０を完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート１８の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすためにグランド導体２４の所定の位置に微小な穴などが設けられるものであってもよい。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料、好ましくは金属箔により作製されている。

補助グランド導体２２は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側（すなわち、信号線２０に関してグランド導体２４の反対側）に設けられ、より詳細には、誘電体シート１８ａの表面に設けられている。すなわち、補助グランド導体２２は、誘電体素体１２のｚ軸方向（誘電体素体１２の法線方向）の正方向側の主面上に設けられている。また、補助グランド導体２２は、外部端子１６ｃ，１６ｄと接続されている。補助グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料、好ましくは金属箔により作製されている。

更に、補助グランド導体２２は、図３に示すように、主要部５８ａ，５８ｂ及びブリッジ部６０を含んでおり、はしご型をなしている。主要部５８ａ，５８ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、ｙ軸方向の両側から信号線２０を挟んでいると共に、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している長方形状をなしている。よって、主要部５８ａ，５８ｂは、ｚ軸方向において信号線２０に重なっていない。また、主要部５８ａ，５８ｂの間隔（ｙ軸方向の距離）は、図３に示すように、距離Ｌ２である。

ブリッジ部６０は、主要部５８ａ，５８ｂを接続していると共に、信号線２０と交差している。より詳細には、ブリッジ部６０は、ｙ軸方向に延在することによって、信号線２０と直交する線状の導体である。ブリッジ部６０の線幅は、主要部５８ａ，５８ｂに近づくにしたがって太くなっている。ブリッジ部６０のｙ軸方向の中央部分の線幅は、線幅Ｗ１である。ブリッジ部６０と主要部５８ａ，５８ｂとが接続されている部分におけるブリッジ部６０の線幅は、線幅Ｗ１よりも大きい線幅Ｗ２である。そして、ブリッジ部６０の線幅は、線幅Ｗ１から線幅Ｗ２に段階的に変化している。

また、ブリッジ部６０は、図２に示すように、信号線２０に沿って等間隔に複数設けられている。ブリッジ部６０間の距離は、距離Ｌ１である。隣り合うブリッジ部６０間の距離とは、隣り合うブリッジ部６０の最も線幅が細くなっている部分（すなわち、線幅が線幅Ｗ１の部分）の間の距離である。そして、距離Ｌ２は、距離Ｌ１よりも短い。

また、ブリッジ部６０のｙ軸方向の長さは、主要部５８ａ，５８ｂの間隔である距離Ｌ２と等しい。そして、図３に示すように、主要部５８ａ，５８ｂのｙ軸方向（信号線２０に直交する方向）の幅Ｗ３は、距離Ｌ２よりも小さい。

ここで、ブリッジ部６０の線幅が最も太い部分（すなわち、線幅が線幅Ｗ２の部分）に挟まれている領域を領域Ａ１と定義する。また、ブリッジ部６０の線幅が最も細い部分の領域を領域Ａ２と定義する。また、領域Ａ１，Ａ２に挟まれた領域を領域Ａ３と定義する。

領域Ａ１では、補助グランド導体２２と信号線２０とは、重なっておらず、最も離れている。領域Ａ２では、補助グランド導体２２と信号線２０とは、重なっており、最も近接している。領域Ａ３では、補助グランド導体２２と信号線２０とは、重なっていない。また、領域Ａ１のｘ軸方向の長さは、例えば、１０００〜１００００μｍである。本実施形態では、領域Ａ１のｘ軸方向の長さは、２０００μｍである。領域Ａ２のｘ軸方向の長さは、例えば、２５〜２００μｍである。本実施形態では、領域Ａ２のｘ軸方向の長さは、１００μｍである。領域Ａ３のｘ軸方向の長さは、例えば、２００〜２０００μｍである。本実施形態では、領域Ａ３のｘ軸方向の長さは、４５０μｍである。

以上のように、信号線２０及びグランド導体２４は、マイクロストリップライン構造をなしている。また、ｚ軸方向における信号線２０と補助グランド導体２２との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、１０〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２０と補助グランド導体２２との間隔は、５０μｍである。一方、ｚ軸方向における信号線２０とグランド導体２４との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、５０〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、１５０μｍである。すなわち、厚みＴ１は厚みＴ２よりも小さくなるように設計されている。よって、信号線２０はグランド導体２４よりも補助グランド導体２２寄りの位置に配置されている。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。

ビアホール導体ｂ３は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｃと接続導体２６ａとを接続している。ビアホール導体ｂ４は、誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、接続導体２６ａとグランド導体２４とを接続している。これにより、グランド導体２４は、ビアホール導体ｂ３，ｂ４及び接続導体２６ａを介して外部端子１６ｃに接続されている。

ビアホール導体ｂ５は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｄと接続導体２６ｂとを接続している。ビアホール導体ｂ６は、誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、接続導体２６ｂとグランド導体２４とを接続している。これにより、グランド導体２４は、ビアホール導体ｂ５，ｂ６及び接続導体２６ｂを介して外部端子１６ｄに接続されている。ビアホール導体ｂ１〜ｂ５は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料、好ましくは金属箔により作製されている。

ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２はそれぞれ、誘電体シート１８ａ，１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、誘電体シート１８ａ，１８ｂに複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、補助グランド導体２２とグランド導体２４とを電気的に接続している。

また、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、図３に示すように、誘電体シート１８ａ，１８ｂの各領域Ａ２に２つずつ設けられている。なお、図３では、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、領域Ａ２から領域Ａ３にわずかにはみ出しているが、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２の中心は、領域Ａ２内に位置している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料、好ましくは金属箔により作製されている。

保護材１４は、誘電体シート１８ａの表面に設けられ、補助グランド導体２２を覆っている。保護材１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなり、誘電体素体１２よりも高い誘電率を有している。

以上のように構成された高周波信号線路１０では、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動する。より詳細には、領域Ａ１における信号線２０と補助グランド導体２２との距離は、領域Ａ３における信号線２０と補助グランド導体２２との距離よりも大きい。これにより、領域Ａ１における信号線２０に発生する磁界の強度が、領域Ａ３における信号線２０に発生する磁界の強度よりも大きくなり、領域Ａ１におけるインダクタンス成分が大きくなる。つまり、領域Ａ１においてはＬ性が支配的になる。

更に、領域Ａ２には、ブリッジ部６０が設けられている。そのため、領域Ａ３における信号線２０と補助グランド導体２２との距離は、領域Ａ２における信号線２０と補助グランド導体２２との距離よりも大きい。これにより、領域Ａ２における信号線２０に発生する静電容量が、領域Ａ３における信号線２０に発生する静電容量よりも大きくなることに加えて、信号線２０の領域Ａ２における磁界強度が領域Ａ３における磁界強度より小さくなる。つまり、領域Ａ２においてはＣ性が支配的になる。

以上より、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ１において、最大値Ｚ１となっている。また、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ３において、中間値Ｚ３となっている。また、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２において、最小値Ｚ２となっている。

これにより、高周波信号線路１０は、図５に示す回路構成を有する。より詳細には、領域Ａ１では、信号線２０と補助グランド導体２２との間に殆ど静電容量が発生しないので、主に、信号線２０のインダクタンスＬ１によって特性インピーダンスＺ１が発生する。また、領域Ａ２では、信号線２０と補助グランド導体２２との間に大きな静電容量Ｃ３が発生しているので、主に、静電容量Ｃ３によって特性インピーダンスＺ２が発生する。また、領域Ａ３では、信号線２０と補助グランド導体２２との間に静電容量Ｃ３よりも小さな静電容量Ｃ２が発生しているので、信号線２０のインダクタンスＬ２及び静電容量Ｃ２によって特性インピーダンスＺ３が発生している。また、特性インピーダンスＺ３は、例えば、５５Ωである。特性インピーダンスＺ１は、特性インピーダンスＺ３よりも高く、例えば、７０Ωである。特性インピーダンスＺ２は、特性インピーダンスＺ３よりも低く、例えば、３０Ωである。また、高周波信号線路１０全体の特性インピーダンスは、５０Ωである。

高周波信号線路１０は、以下に説明するようにして用いられる。具体的には、高周波信号線路１０は、図１に示すように折り曲げられた状態で電子機器内に収容され、電子機器に内蔵されている第１の高周波回路と第２の高周波回路とを接続する。例えば、第１の高周波回路はアンテナ素子であり、第２の高周波回路は給電回路である。高周波信号線路１０のｘ軸方向の負方向側の端部は、第１の高周波回路が設けられた基板（第１の回路基板）のコネクタに接続される。この際、外部端子１６ａは、第１の回路基板のコネクタ内の信号端子に接触し、外部端子１６ｄは、第１の回路基板のコネクタ内のグランド端子に接触する。また、高周波信号線路１０のｘ軸方向の負方向側の端部は、第２の高周波回路が設けられた基板（第２の回路基板）のコネクタに接続される。この際、外部端子１６ｂは、第２の回路基板のコネクタ内の信号端子に接触し、外部端子１６ｃは、第２の回路基板のコネクタ内のグランド端子に接触する。これにより、外部端子１６ｃ，１６ｄには、グランド電位が印加され、外部端子１６ａ，１６ｂには、高周波信号（例えば、２ＧＨｚ）が印加される。

更に、電子機器内には、電池や筐体等の物品が設けられている。高周波信号線路１０の誘電体素体１２は、信号線２０から見てグランド導体２４と同じ方向（すなわち、ｚ軸方向の負方向側）に位置している主面において物品に取り付けられている。すなわち、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面は、電池や筐体等の物品に対して接着剤等により固定されている。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８（１８ａ〜１８ｃ）を準備する。誘電体シート１８の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。誘電体シート１８は、２０μｍ〜８０μｍの厚みを有する液晶ポリマーである。また、銅箔の厚みは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す外部端子１６及び補助グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示す外部端子１６及び補助グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６及び補助グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す信号線２０及び接続導体２６を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体２４を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。なお、これらのフォトリソグラフィ工程は、外部端子１６及び補助グランド導体２２を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１〜ｂ６，Ｂ１，Ｂ２が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、ビアホールを形成する。その後、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成したビアホールに対して、導電性ペーストを充填する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを軟化させて圧着・一体化するとともに、ビアホールに充填された導電性ペーストを固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１〜ｂ６，Ｂ１，Ｂ２を形成する。なお、各誘電体シート１８は、熱及び圧力による圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホールｂ１〜ｂ６，Ｂ１，Ｂ２は、誘電体シート１８を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。

最後に、樹脂ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａ上に保護材１４を形成する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。

（効果）
高周波信号線路１０によれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、特許文献１に記載の信号線路５１０では、グランド導体５３４は、上方から平面視したときに、信号線５３２と重なっている。そのため、信号線５３２とグランド導体５３４との間には、比較的に大きな容量が発生し易い。ただし、信号線５３２の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに整合させる必要がある。そこで、信号線５３２とグランド導体５３４との間の容量が大きくなりすぎないように、信号線５３２とグランド導体５３４との間の距離を大きくする必要がある。その結果、信号線路５１０の薄型化が困難となる。

一方、高周波信号線路１０では、補助グランド導体２２の主要部５８ａ，５８ｂは、信号線２０と重なっていない。よって、補助グランド導体２２は、ブリッジ部６０において信号線２０とわずかに重なっているだけである。そのため、信号線２０と補助グランド導体２２との間に発生する容量は、信号線５３２とグランド導体５３４との間に発生する容量よりも小さい。したがって、信号線２０と補助グランド導体２２とを近づけることが可能となる。その結果、高周波信号線路１０の薄型化が図られる。

以上のように、高周波信号線路１０の薄型化が図られると、高周波信号線路１０を曲げることが容易となる。よって、電子機器内の狭いスペースに高周波信号線路１０を折り曲げて収容することが可能となる。

また、補助グランド導体２２、信号線２０及びグランド導体２４は、誘電体層１８に比べて曲がりにくい。そのため、これらが重なっていると、高周波信号線路１０を曲げにくくなる。そこで、高周波信号線路１０では、信号線２０は、補助グランド導体２２とはブリッジ部６０においてのみ重なっている。そのため、高周波信号線路１０において、ｚ軸方向に補助グランド導体２２、信号線２０及びグランド導体２４が重なる部分が少ない。その結果、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０では、ブリッジ部６０は、信号線２０と交差している。これにより、信号線２０からの不要輻射の発生が抑制される。

また、信号線２０の特性インピーダンスは、高周波信号線路１０のように隣り合う２つのブリッジ部６０間において一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動しているとさらに好ましい。これにより、高周波信号線路１０の薄型化が実現できるとともに、薄型であるにもかかわらず、信号線２０の電極幅が広げられるので、信号線２０、グランド導体２４、および補助グランド導体２２において高周波電流の流れる電極部分の表面積を拡大することができ、高周波信号の伝送損失が小さくなる。また、図３に示すように、１周期（領域Ａ１と２つの領域Ａ２と領域Ａ３）の長さＣが１〜５ｍｍほどと短いので、より高周波域まで不要輻射の抑制と伝送損失の改善ができる。また、領域Ａ１の両端に領域Ａ３を置くことで信号線を流れる電流によって生じる強い磁界を領域Ａ２に直接伝えないため領域Ａ２のグランド電位が安定し、補助グランド導体２２のシールド効果が保たれる。これにより不要輻射の発生が抑制できる。その結果、高周波信号線路１０では、信号線２０と補助グランド導体２２との距離を小さくしたとしても信号線２０の電極幅を広くでき、特性インピーダンスを保ったまま伝送損失が小さく、不要輻射の小さい高周波信号線路１０の薄型化を図ることが可能となる。よって、高周波信号線路１０を容易に折り曲げることが可能となり、高周波信号線路１０を湾曲させて用いることが可能となる。

また、高周波信号線路１０によれば、補助グランド導体２２におけるグランド電位の安定化にともなう伝送ロスの低減、さらにはシールド特性の向上ができる。領域Ａ１における信号線２０と補助グランド導体２２との距離は、領域Ａ３における信号線２０と補助グランド導体２２との距離よりも大きい。これにより、高周波信号線路１０では、領域Ａ１内に位置している信号線２０の磁界エネルギーは、領域Ａ３内に位置している信号線２０の磁界エネルギーよりも高くなる。また、領域Ａ２内に位置している信号線２０の磁界エネルギーは、領域Ａ３内に位置している信号線２０の磁界エネルギーよりも低くなる。よって、信号線２０の特性インピーダンスが、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ１、Ｚ３、Ｚ２・・・の順に繰り返し変動するようになる。よって、信号線２０において、ｘ軸方向に隣り合う部分における磁界エネルギーの変動が緩やかになる。その結果、単位構造（領域Ａ１〜Ａ３）の境界において磁界エネルギーが小さくなり、グランド導体のグランド電位の変動が抑制され、不要輻射の発生および高周波信号の伝送損失が抑制される。言い換えると、領域Ａ３によって、ブリッジ部における不要インダクタンス成分の発生を抑制することができ、その結果、ブリッジ部と信号線との間の相互インダクタンス成分を小さくすることができ、グランド電位も安定化できる。ゆえに、薄型であって、グランド導体に比較的大きな開口部を有しているにもかかわらず、不要輻射を低減できるとともに、高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。

また、ブリッジ部６０の延伸方向にビアホール導体Ｂ１を配置することで、さらにブリッジ部６０における不要インダクタンス成分の発生を抑制できる。特に、主要部５８ａ，５８ｂの間隔Ｌ２をブリッジ部６０間の距離Ｌ１よりも短くすることで、信号線２０が露出している部分の面積をできるだけ大きくして所定の特性インピーダンスを達成しつつも、不要輻射の発生を抑えることができる。

また、ブリッジ部６０は、信号線２０が延在している方向（ｘ軸方向）に周期的に配置される構造の単位構造をなしている。これにより、ブリッジ部６０の間における信号線２０の特性インピーダンスの周波数特性をブリッジ部６０間の距離Ｌ１により決定することができる。すなわち、信号線２０の特性インピーダンスの周波数特性は、ブリッジ部６０間の距離Ｌ１が短くなるほど、より高周波域まで拡大できる。ブリッジ部６０間の距離Ｌ１を短くした場合、特性インピーダンスが変化する部分の電気長が短くなり、高周波域まで安定した電気的特性が得られる。また、主要部５８ａ，５８ｂの間隔Ｌ２を広くすることで、信号線２０と補助グランド導体２２との距離を小さくできる。これにより、信号線２０の線幅を広くすることができるので伝送損失を小さくできる。以上から、不要輻射を小さくし、伝送損失を小さくできるので、高周波信号線路１０のインピーダンス特性の広帯域化、安定化が図られる。

また、以下の理由によっても、高周波信号線路１０を湾曲して用いることが可能である。高周波信号線路１０では、領域Ａ１は、ブリッジ部６０が存在していないので最も撓みやすい。一方、領域Ａ２は、ブリッジ部６０が存在しているので最も撓みにくい。そのため、高周波信号線路１０が折り曲げられて用いられる場合には、領域Ａ１が折り曲げられ、領域Ａ２が殆ど折り曲げられない。そこで、高周波信号線路１０では、誘電体シート１８よりも変形しにくいビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は領域Ａ２に設けられている。これにより、領域Ａ１を容易に曲げることが可能となる。

なお、高周波信号線路１０では、信号線２０と補助グランド導体２２との距離Ｔ１の大きさ、及び、信号線２０とグランド導体２４との距離Ｔ２の大きさを調整することによっても、所望の特性インピーダンスを得ることができる。

また、高周波信号線路１０では、以下に説明する理由により、ブリッジ部６０間の距離Ｌ１は、主要部５８ａ，５８ｂ間の間隔Ｌ２よりも長い。すなわち、高周波信号線路１０における高周波信号の伝送モードは、ＴＥＭモードである。ＴＥＭモードでは、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して、電界及び磁界が直交して形成される。すなわち、磁界は、信号線２０を中心に円を描くように発生し、電界は、信号線２０から補助グランド導体２２及びグランド導体２４に向かって放射状に発生する。ここで、補助グランド導体２２がブリッジ部６０以外において信号線２０と重なっていないと、磁界は、円形を描きやすくなるので、補助グランド導体２２がブリッジ部６０以外において信号線２０と重なっていない部分においてわずかに半径が大きくなるように膨らむだけで、高周波信号線路１０外へと大きく漏れない。一方、電界の一部は高周波信号線路１０外へ放射する。したがって、高周波信号線路１０の不要輻射では、電界放射が大きな割合を示している。

ここで、電界は、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して直交しているので、主要部５８ａ，５８ｂ間の間隔Ｌ２が大きくなると、主要部５８ａ，５８ｂ間から放射される電界の量が多く（不要輻射が増加）なってしまう。一方で、間隔Ｌ２は大きくするほど高周波伝送線路１０の特性インピーダンスが高くすることができるが、高周波伝送線路１０は、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して直交する方向に信号線２０からその線幅のおよそ３倍離れた距離で電界がほぼなくなるため、それ以上間隔Ｌ２を広げても特性インピーダンスをさらに高くすることができない。したがって、間隔Ｌ２が大きくなるほど不要輻射が増加することを考慮すると、必要以上に間隔Ｌ２を広げることは好ましくない。さらに、間隔Ｌ２が高周波信号の波長の１／２近くに達するとスロットアンテナとして電磁波が輻射されてしまい、さらに不要輻射が増加してしまう。

一方、ブリッジ部６０間の距離Ｌ１は、その長さが長くなるほど信号線２０の補助グランド導体２２との対向面積を減少させることができることから、信号線２０の線幅を広くすることが可能となる。これにより、信号線２０における高周波抵抗値を小さくすることができるという利点を有する。

また、距離Ｌ１が間隔Ｌ２よりも大きい場合、補助グランド導体２２における反電流（渦電流）の高周波抵抗値が小さくなる。

以上から、距離Ｌ１は間隔Ｌ２よりも長くすることが好ましく、好ましくは２倍以上とすることが好ましい。ただし、距離Ｌ１が高周波信号の波長の１／２に近くなると、スロットアンテナとして主要部５８ａ，５８ｂ間から電磁波が輻射されることから、距離Ｌ１は、波長に対して十分に短い必要があることは考慮すべきである。

（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図６は、第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ａの分解図である。図７は、第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ａの信号線２０のインピーダンスを示したグラフである。

高周波信号線路１０ａと高周波信号線路１０との相違点は、ブリッジ部６０の形状とブリッジ部６０ａの形状とが異なっている点である。より詳細には、ブリッジ部６０の線幅は、図２に示すように、段階的に変化していた。これに対して、ブリッジ部６０ａの線幅は、連続的に変化している。より詳細には、ブリッジ部６０ａの線幅は、ｙ軸方向において主要部５８ａ，５８ｂに近づくにしたがって連続的に太くなっている。これにより、図７に示すように、信号線２０の磁界エネルギー及び特性インピーダンスは、周期的に連続的に変化するようになる。

なお、高周波信号線路１０ａでは、図６に示すように、領域Ａ１は、ブリッジ部６０の最も線幅が太い部分に挟まれている領域である。そのため、領域Ａ１には、ブリッジ部６０が存在せず、主要部５８ａ，５８ｂが対向している。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ１内において最大値Ｚ１となっている。また、領域Ａ２は、補助グランド導体２２と信号線２０とが重なっていることにより最も近接している領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２内において最小値Ｚ２となっている。また、領域Ａ３は、領域Ａ１と領域Ａ２とに挟まれて領域であり、ブリッジ部６０の線幅が連続的に変化している領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ３内において中間値Ｚ３となっている。

以上のような構成を有する高周波信号線路１０ａにおいても、高周波信号線路１０と同様に、湾曲して用いることができ、不要輻射を低減でき、更に、信号線２０内における伝送損失を抑制できる。

（第３の実施形態）
以下に、第３の実施形態に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図８は、第３の実施形態に係る高周波信号線路１０ｂの分解図である。

高周波信号線路１０ｂと高周波信号線路１０との相違点は、グランド導体４０，４２の有無である。より詳細には、高周波信号線路１０ｂでは、誘電体シート１８ｂの表面上にグランド導体４０，４２が設けられている。グランド導体４０は、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に延在している長方形状の導体である。グランド導体４０は、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２を介して補助グランド導体２２及びグランド導体２４に接続されている。また、グランド導体４２は、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に延在している長方形状の導体である。グランド導体４２は、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２を介して補助グランド導体２２及びグランド導体２４に接続されている。

以上のような高周波信号線路１０ｂでは、信号線２０のｙ軸方向の両側にもグランド導体４０，４２が設けられているので、信号線２０からｙ軸方向の両側へと不要輻射が漏れることが抑制される。

（第４の実施形態）
以下に、第４の実施形態に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図９は、第４の実施形態に係る高周波信号線路１０ｃの分解図である。

高周波信号線路１０ｃと高周波信号線路１０ｂとの相違点は、ｘ軸方向において補助グランド導体２２及びグランド導体２４が設けられていない領域Ａ４が存在している点である。具体的には、高周波信号線路１０ｃでは、図９に示すように、領域Ａ４において補助グランド導体２２及びグランド導体２４が設けられていない。そのため、補助グランド導体２２及びグランド導体２４はそれぞれ２つに分断されている。これにより、領域Ａ４が曲げやすくなるので、高周波信号線路１０ｃを容易に折り曲げることが可能となる。

補助グランド導体２２及びグランド導体２４が設けられていない領域Ａ４の特性インピーダンスは高くなるので、補助グランド導体２２において領域Ａ４の近傍のブリッジ部６０の線幅をその他の部分のブリッジ部６０の線幅より広くしてインピーダンスを下げることにより領域Ａ４の近傍の特性インピーダンスを調整することが好ましい。

（第５の実施形態）
以下に、第５の実施形態に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１０は、第５の実施形態に係る高周波信号線路１０ｄの分解図である。図１１は、図１０の高周波信号線路１０ｄを積層方向の上側から透視した図である。

高周波信号線路１０ｄと高周波信号線路１０との第１の相違点は、ブリッジ部６０における信号線２０の線幅が、信号線２０の特性インピーダンスが最大値Ｚ１となる位置における信号線２０の線幅よりも細い点である。高周波信号線路１０ｄと高周波信号線路１０との第２の相違点は、ブリッジ部６０が、主要部５８ａ，５８ｂとの接続部分においてテーパー状をなしている点である。高周波信号線路１０ｄと高周波信号線路１０との第３の相違点は、ブリッジ部６０が、線幅が最も細くなる部分においてテーパー状をなしている点である。

まず、高周波信号線路１０ｄにおける領域Ａ１〜Ａ３の定義について説明する。領域Ａ１は、ブリッジ部６０の線幅が最も太い部分に挟まれている領域である。領域Ａ２は、ブリッジ部６０の線幅が最も細い部分の領域である。領域Ａ３は、領域Ａ１，Ａ２に挟まれた領域である。領域Ａ３では、主要部５８ａ，５８ｂに近づくにしたがってブリッジ部６０の線幅が太くなっている。

第１の相違点について説明する。図１０及び図１１に示すように、信号線２０の領域Ａ１における線幅は、線幅Ｗｂである。一方、信号線２０の領域Ａ１における信号線２０の線幅は、線幅Ｗｂよりも太い線幅Ｗａである。線幅Ｗａは、例えば、１００〜５００μｍである。本実施形態では、線幅Ｗａは、３５０μｍである。線幅Ｗｂは、例えば、２５〜２５０μｍである。本実施形態では、線幅Ｗｂは、１００μｍである。このように、領域Ａ２における信号線２０の線幅が、領域Ａ１における信号線２０の線幅よりも細くなることにより、信号線２０とブリッジ部６０とが重なる面積が小さくなる。その結果、信号線２０とブリッジ部６０との間に発生する浮遊容量が低減されるようになる。更に、領域Ａ１，Ａ３内の信号線２０の線幅は、線幅Ｗａであるので、かかる部分の信号線２０のインダクタンス値の増加が抑制される。更に、信号線２０の全体の線幅が細くなっているのではなく、信号線２０の線幅が部分的に細くなっているので、信号線２０の抵抗値の増加が抑制される。

また、信号線２０は、線幅が変化する部分においてテーパー状をなしている。これにより、信号線２０の線幅が変化する部分における抵抗値の変動が緩やかになり、信号線２０の線幅が変化する部分において高周波信号の反射が発生することが抑制される。

第２の相違点について説明する。ブリッジ部６０は、主要部５８ａ，５８ｂとの接続部分においてテーパー状をなしている。これにより、補助グランド導体２２に流れる電流の損失が低減される。

第３の相違点について説明する。更に、ブリッジ部６０は、線幅が最も細くなる部分においてテーパー状をなしている。これにより、ブリッジ部６０の線幅は、信号線２０と重なっている部分においてその他の部分よりも細くなる。その結果、ブリッジ部６０と信号線２０との間に発生する浮遊容量が低減される。また、ブリッジ部６０の全体の線幅が細くなっているのではなく、ブリッジ部６０の線幅が部分的に細くなっているので、ブリッジ部６０の抵抗値及びインダクタンス値の増加が抑制される。

（第６の実施形態）
以下に、第６の実施形態に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１２は、第６の実施形態に係る高周波信号線路１０ｅの分解図である。図１３は、図１２の高周波信号線路１０ｅを積層方向の上側から透視した図である。

高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０との相違点は、浮遊導体５０が設けられている点である。より詳細には、高周波信号線路１０ｅは、誘電体シート１８ｄ及び浮遊導体５０を更に備えている。誘電体シート１８ｄは、誘電体シート１８ａのｚ軸方向の正方向側に積層される。

浮遊導体５０は、図１２及び図１３に示すように、長方形状をなす導体層であって、誘電体シート１８ｄの表面上に設けられている。これにより、浮遊導体５０は、補助グランド導体２２に関して信号線２０の反対側に設けられている。

また、浮遊導体５０は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０及び補助グランド導体２２に対向している。浮遊導体５０のｙ軸方向の幅Ｗ４は、図１３に示すように、主要部５８ａ，５８ｂ間の間隔Ｌ２よりも細く、ブリッジ部６０の線幅が最も細い部分のｙ軸方向の長さＬ３よりも太い。これにより、ブリッジ部６０の線幅が最も細い部分は、浮遊導体５０により覆われている。

また、浮遊導体５０は、信号線２０や補助グランド導体２２等の導体層と電気的に接続されておらず、浮遊電位となっている。浮遊電位は、信号線２０と補助グランド導体２２との間の電位である。

また、浮遊導体５０のｚ軸方向の正方向側の面は、保護材１４によって覆われている。

ところで、高周波信号線路１０ｅでは、浮遊導体５０が信号線２０と対向することによって、信号線２０と浮遊導体５０との間に浮遊容量が発生しても、信号線２０の特性インピーダンスが変動しにくい。より詳細には、浮遊導体５０は、信号線２０や補助グランド導体２２と電気的に接続されていないため、浮遊電位となっている。そのため、信号線２０と浮遊導体５０との間の浮遊容量と、浮遊導体５０と補助グランド導体２２との間の浮遊容量とは、直列接続されていることになる。

ここで、浮遊導体５０の幅Ｗ４は、主要部５８ａ，５８ｂ間の間隔Ｌ２よりも細く、ブリッジ部６０の線幅が最も細い部分のｙ軸方向の長さＬ３よりも太い。そのため、補助グランド導体２２と浮遊導体５０とが対向する面積は小さく、補助グランド導体２２と浮遊導体５０との間の浮遊容量も小さい。したがって、直列接続されている信号線２０と浮遊導体５０との間の浮遊容量と、浮遊導体５０と補助グランド導体２２との間の浮遊容量との合成容量は、小さくなる。したがって、浮遊導体５０が設けられることによって、信号線２０の特性インピーダンスに発生する変動も小さい。

（その他の実施形態）
本考案に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅでは、複数のブリッジ部６０，６０ａ，６０ｂはそれぞれ、同じ形状を有している。しかしながら、複数のブリッジ部６０，６０ａ，６０ｂの一部の形状が、その他の複数のブリッジ部６０，６０ａ，６０ｂの形状と異なっていてもよい。また、複数のブリッジ部６０，６０ａ，６０ｂ間の距離Ｌ１は、一定でなくてもよい。これにより、ブリッジ部６０，６０ａ，６０ｂ間の距離Ｌ１が他のブリッジ部６０，６０ａ，６０ｂ間の距離Ｌ１よりも長い部分において、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅを容易に曲げることが可能となる。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅに示した構成を組み合わせてもよい。

また、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅでは、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動していた。しかしながら、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ４、最小値Ｚ２の順に減少するように変動してもよい。すなわち、中間値Ｚ３と中間値Ｚ４とが異なっていてもよい。ただし、その場合、中間値Ｚ４は、最小値Ｚ２よりも大きくかつ、最大値Ｚ１よりも小さい必要がある。

また、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、最小値Ｚ２の値は異なっていてもよい。すなわち、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅが全体として所定の特性インピーダンスに合わせられていれば全ての最小値Ｚ２の値が同じである必要はない。ただし、その場合、一方のブリッジ部６０側の最小値Ｚ２は中間値Ｚ３よりも低い必要があり、他方のブリッジ部６０側の最小値Ｚ２は中間値Ｚ４よりも低い必要がある。

また、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅでは、ブリッジ部６０の線幅は、主要部５８ａ，５８ｂに近づくにしたがって太くなっていたが、本考案はこれに限定されず、ブリッジ部６０の線幅は一定の線幅（太さ）としてもよい。すなわち、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、信号線２０の特性インピーダンスが一定の値とされていてもよく、その場合も高周波信号線路の薄型化が実現できる。ただし、不要輻射の発生の抑制および高周波信号の伝送損失の抑制などの上述した効果を確実に得るためには、ブリッジ部６０の線幅は、主要部５８ａ，５８ｂに近づくにしたがって太くすることが好ましい。

以上のように、本考案は、高周波信号線路に有用であり、特に、薄型化を図ることができる点で優れている。

Ａ１〜Ａ４ 領域
Ｂ１，Ｂ２ ビアホール導体
１０，１０ａ〜１０ｅ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１４ 保護材
１６ａ〜１６ｄ 外部端子
１８ａ〜１８ｅ 誘電体シート
２０ 信号線
２２ 補助グランド導体
２４，４０，４２ グランド導体
２６ 接続導体
５０ 浮遊導体
５８ａ，５８ｂ 主要部
６０，６０ａ，６０ｂ ブリッジ部

Claims (10)

1. 可撓性を有する誘電体素体と、
   前記誘電体素体に設けられている線状の信号線と、
   前記誘電体素体に設けられ、かつ、前記信号線と対向しているグランド導体と、
   前記誘電体素体の主面の法線方向において、前記信号線に関して前記グランド導体の反対側に設けられている補助グランド導体であって、該法線方向から平面視したときに、前記信号線を挟んでいると共に、該信号線に沿って延在している２つの主要部と、該２つの主要部を接続していると共に、該信号線と交差するブリッジ部とを含んでいる補助グランド導体と、
   を備えており、
   前記法線方向において、前記信号線と前記補助グランド導体との間隔は、該信号線と前記グランド導体との間隔よりも小さいこと、
   を特徴とする高周波信号線路。
2. 前記ブリッジ部は、前記信号線に沿って等間隔に複数設けられていること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
3. 前記２つの主要部の間隔は、隣り合う前記ブリッジ部の間隔よりも小さいこと、
   を特徴とする請求項２に記載の高周波信号線路。
4. 前記ブリッジ部の線幅は、前記主要部に近づくにしたがって太くなっていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号線路。
5. 前記信号線に直交する方向における前記２つの主要部の幅は、前記ブリッジ部の長さよりも小さいこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波信号線路。
6. 前記グランド導体と前記補助グランド導体とは、電気的に接続されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波信号線路。
7. 前記誘電体素体は、誘電体層が積層されて構成されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波信号線路。
8. 前記補助グランド導体は、前記誘電体素体の主面上に設けられており、
   前記高周波信号線路は、
   前記補助グランド導体を覆い、かつ、前記誘電体素体の誘電率よりも高い誘電率を有するレジスト層を、
   更に備えていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の高周波信号線路。
9. 前記誘電体素体は、液晶ポリマにより作製されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の高周波信号線路。
10. 前記誘電体素体は、前記信号線から見て前記グランド導体と同じ方向に位置している主面において物品に取り付けられていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の高周波信号線路。

Images