JPWO2014002758A1 - 伝送線路 - Google Patents
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Abstract
信号線路導体14は信号伝搬方向に延び、誘電体12もまた信号線路導体14を囲んで信号伝搬方向に延びる。グランド導体として機能する導電膜18a〜18eは、誘電体12の側面を信号伝搬方向に延びる。また、ブリッジ導体として機能する導電膜26,26,…は、誘電体12の側面を信号伝搬方向と交差する方向に延びて導電膜18a〜18eを互いに接続する。
Description
この発明は、伝送線路に関し、特に高周波信号を伝送するための伝送線路に関する。
高周波回路や高周波素子を互いに接続して高周波信号を伝送するための伝送線路としては、同軸ケーブルが代表的である。この同軸ケーブルは、高周波信号を伝送する中心導体とその周囲に同心円状に設けられたシールド導体とからなり、伝送線路のシールド性に優れかつ安価なことから、各種の高周波機器に利用されている。しかし、携帯機器の小型化、薄型化に伴い、機器に内蔵されるケーブルの薄型化が求められている。
これに関連して、同軸ケーブルよりも薄く携帯機器への内蔵に適したトリプレート型の伝送線路が、特許文献1に提案されている。こうした構成の伝送線路に柔軟性のある樹脂基材を用いることで上下方向の可撓性が向上し、携帯端末の筐体内の曲面に沿った薄い隙間に伝送線路を配置することが可能となる。
しかしながら、特許文献1では上下のグランド導体がビアホール導体によって接続されるため、伝送線路の作製に掛かる負担が大きいという問題がある。
つまり、通常、グランド導体は、銅箔と導電ペースト等、異種の材料を接合して作られる。このため、伝送線路を屈曲して用いた場合に屈曲部の近くにビアがあると、ビアと銅箔の界面に応力がかかり破断によりビアが断線するおそれがある。また、ビアを基材の側面に近づけすぎると、集合基材を切断し個片化する際等の応力により基材にクラックが生じたりするため、一定のマージンをみて側面から内側に設ける必要がある。このため、特性で必要とされる以上に線路の幅を大きくしなければならないなど、伝送線路の作製に掛かる負担が大きくなる。
それゆえに、この発明の主たる目的は、作製に掛かる負担を抑制することができる、伝送線路を提供することである。
この発明に従う伝送線路は、信号伝搬方向に延びる信号線路導体、信号線路導体を埋設するように信号伝搬方向に延び、一方主面と一方主面に対向する他方主面と、一方主面と他方主面とに連なる側面と、を有する誘電体素体、平面視したときに、信号線路導体に沿って信号線路導体と重なる導体非形成部が形成されるように、誘電体素体の一方主面上に配置されたグランド導体、および導体非形成部に跨るように、かつグランド導体と電気的に接続するように、誘電体素体の一方主面上に配置されたブリッジ導体を備える伝送線路であって、ブリッジ導体は、誘電体素体に巻き付けられたフィルム上に形成されている。
好ましくは、グランド導体は、誘電体素体に巻き付けられたフィルム上に形成されている。
好ましくは、ブリッジ導体およびグランド導体は、同一のフィルム上に形成されている。
好ましくは、グランド導体は、誘電体素体に巻き付けられた第1フィルム上に形成されており、ブリッジ導体は、第1フィルム上に巻き付けられた第2フィルム上に形成されている。
好ましくは、ブリッジ導体の長さは、誘電体素体の外周の長さより長い。
好ましくは、フィルムは、熱収縮性を有する。
この発明に従う伝送線路は、信号伝搬方向に延びる信号線路導体、信号線路導体を埋設するように信号伝搬方向に延び、一方主面と一方主面に対向する他方主面と、一方主面と他方主面とに連なる側面と、を有する誘電体素体、平面視したときに、信号線路導体に沿って信号線路導体と重なる導体非形成部が形成されるように、誘電体素体の一方主面上に配置されたグランド導体、および導体非形成部に跨るように、かつグランド導体と電気的に接続するように、誘電体素体の一方主面上に配置されたブリッジ導体を備える伝送線路であって、ブリッジ導体は、線状導体を誘電体素体に巻き付けて形成されている。
好ましくは、ブリッジ導体は、信号伝搬方向を巻回軸とする螺旋状となるように、誘電体素体に巻き付けられている。
ブリッジ導体を誘電体の側面に形成することで、信号線路の作製に掛かる作業負担を低減できる。
この発明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
図1を参照して、この実施例の伝送部材10は、テフロン(登録商標),PET,ポリイミド等の誘電性の素材によって角柱状に形成された誘電体12を含む。誘電体12は、単一の素材を押し出し成形することで一体形成される。また、誘電体12の長さはX軸に沿って延び、誘電体12の幅はY軸に沿って延び、誘電体12の厚みはZ軸に沿って延びる。長さは任意に調整され、幅および厚みは全長にわたって均一の大きさに調整される。
誘電体12には、X軸に沿って延びる信号線路導体14が埋め込まれる。信号線路導体14は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料を素材とし、かつX軸方向に直交する誘電体12の断面の中央に埋め込まれる。高周波信号は、信号線路導体14をX軸方向に伝搬する。
図2を参照して、フィルム部材16は、テフロン(登録商標),PET,ポリイミド等の誘電性でかつ熱収縮性を有する素材によって形成された誘電性フィルム20と、アルミ箔を素材として誘電性フィルム20の主面にプリントされた導電膜18a〜18eとによって形成される。誘電性フィルム20の主面は長方形をなし、かつ長方形の長さ,幅および厚みはX軸,Y軸およびZ軸に沿って延びる。また、誘電性フィルム20の長さは誘電体12の長さとほぼ一致し、誘電性フィルム20の幅はX軸周り方向における誘電体12の外周の長さとほぼ一致する。
導電膜18a〜18eの長さはいずれも、誘電性フィルム20の長さとほぼ一致する。ただし、導電膜18aおよび18eの各々の幅は誘電体12の幅の1/2よりも僅かに小さく、導電膜18bおよび18dの各々の幅は誘電体12の厚みよりも僅かに小さく、そして導電膜18cの幅は誘電体12の幅よりも僅かに小さい。さらに、導電膜18a〜18eは、Y軸方向の負側に向かってこの順でかつ互いに非接触に並ぶように、誘電性フィルム20の下面(Z軸方向の負側を向く主面)にプリントされる。
図3を参照して、フィルム部材22は、テフロン(登録商標),PET,ポリイミド等の誘電性でかつ熱収縮性を有する素材によって形成された誘電性フィルム24と、アルミ箔を素材として誘電性フィルム24の主面にプリントされた複数の導電膜26,26,…とによって形成される。誘電性フィルム24の主面も長方形をなし、かつ長方形の長さ,幅および厚みもまたX軸,Y軸およびZ軸に沿って延びる。さらに、誘電性フィルム24の長さは誘電体12の長さとほぼ一致し、誘電性フィルム24の幅はX軸周り方向における誘電体12の外周の長さとほぼ一致する。
導電膜26,26,…の各々は、主面が長方形をなすように形成される。ここで、長方形の長さは、誘電性フィルム24の幅よりも僅かに短い。また、導電膜26,26,…は、各々の長さがY軸に沿って延びかつX軸方向に等間隔に並ぶ姿勢で、誘電性フィルム24の下面(Z軸方向の負側を向く主面)にプリントされる。
図2に示すフィルム部材16は、図4に示す要領で伝送部材10に巻き付けられる。具体的には、フィルム部材16は、誘電性フィルム20の下面が伝送部材10の主面または側面に対向する姿勢で、X軸周りに巻き付けられる。巻き付け状態において、導電膜18aおよび18eの主面はZ軸方向の正側に露出し、導電膜18bの主面はY軸方向の正側に露出し、導電膜18cの主面はY軸方向の負側に露出し、そして導電膜18dの主面はY軸方向の負側に露出する。
こうして伝送部材10に取り付けられた導電膜18a〜18eは、グランド導体として機能する。また、導電膜18a〜18eは信号線路導体14とともにトリプレート構造をなし、導電膜18aおよび18eの間にはX軸に沿って延びるスリットが設けられる。導電膜18aおよび18eの間にスリットを設けることで、線路の特性インピーダンスを保ったまま、信号線路導体14とグランド導体の距離を小さくできる。すなわち、線路の厚みを薄くできる。
図3に示すフィルム部材22は、図4に示す要領で巻き付けられたフィルム部材16の外側に図5〜図6に示す要領で巻き付けられる。具体的には、フィルム部材は、誘電性フィルム22の下面が導電膜18a〜18eに対向する姿勢で、X軸周りに巻き付けられる。こうして作製された高周波伝送線路30では、導電膜26,26,…の各々が導電膜18a〜18eと接触する。つまり、導電膜26,26,…は、ブリッジ導体として機能する。これによって、導電膜18a〜18eがX軸方向において等間隔で電気的に接続され、グランド電位の安定化が図られる。換言すれば、X軸方向におけるスリットの両端間に大きな定在波が生じたり、この定在波によって外部への不要輻射が発生したりすることを抑制することができる。
こうして作製された高周波伝送線路30は、移動体通信端末等の高周波機器において、アンテナ素子等の高周波素子とRF回路等の高周波デバイス間を接続するために用いられる。高周波伝送線路30の長さ方向両端には同軸コネクタ32が図7に示す要領で装着され、高周波伝送線路30は同軸コネクタ32を介して高周波デバイスと接続される。
同軸コネクタ32の断面を示す図8から分かるように、誘電体38は金属製のジャケット36に収められ、中心導体40は誘電体38に埋め込まれる。また、ジャケット36には外部導体34が設けられる。同軸コネクタ32は、外部導体34によって高周波伝送線路30とかしめられる。このとき、外部導体34は導電膜18a〜18eと接続され、中心導体40は信号線路導体14と接続される。
以上の説明から分かるように、信号線路導体14は信号伝搬方向(X軸方向)に延び、誘電体12もまた信号線路導体14を囲んで信号伝搬方向に延びる。グランド導体として機能する導電膜18a〜18eは、誘電体12の側面を信号伝搬方向に延びる。また、ブリッジ導体として機能する導電膜26,26,…は、誘電体12の側面を信号伝搬方向と交差する方向に延びて導電膜18a〜18eを互いに接続する。
グランド導体を接続するブリッジ導体を導電膜26,26,…によって構成することで、ビアホール導体を形成する場合に比べて高周波伝送線路30の作製に掛かる負担が低減される。また、誘電体12の外側にブリッジ導体を形成することで、ビアホール導体のような横のマージンが不要になり、高周波伝送線路30の幅も最適化しやすくなる。
なお、導電膜26,26,…の間隔は、伝送する高周波信号の最大周波数に相当する波長の1/2以下にすることが望ましい。導電膜26,26,…によって高周波伝送線路30の特性インピーダンスの不連続部を設け、反射波の発生個所を分散させることで、局所的に大きな定在波が生じることを防ぐことができる。
また、この実施例では、ブリッジ導体により信号線路導体14とグランド導体との容量値が大きくなることで、特性インピーダンスの下がる点を設けている。しかし、インピーダンスの不連続部を生じさせるために、スリットの幅を周期的に変化させたり、中心導体の幅を変化させたりしてもよい。
誘電体12としては可撓性を有する素材(テフロン(登録商標),PET,ポリミド等)が採用されるため、導電膜18a〜18e,26,26,…の厚みを調整することで、高周波伝送線路30の曲げ性やスプリングバック性をコントロールすることができる。
図9を参照して、他の実施例の伝送部材50は、テフロン(登録商標),PET,ポリイミド等の誘電性の素材によって角柱状に形成された誘電体52を含む。誘電体52は、単一の素材を押し出し成形することで一体形成される。また、誘電体52の長さはX軸に沿って延び、誘電体52の幅はY軸に沿って延び、誘電体52の厚みはZ軸に沿って延びる。長さは任意に調整され、幅および厚みは全長にわたって均一の大きさに調整される。
誘電体52には、X軸に沿って延びる信号線路導体54が埋め込まれる。信号線路導体54は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料を素材とし、かつX軸方向に直交する誘電体52の断面の中央に埋め込まれる。高周波信号は、信号線路導体54をX軸方向に伝搬する。
図10を参照して、フィルム部材56は、テフロン(登録商標),PET,ポリイミド等の誘電性でかつ熱収縮性を有する素材によって形成された誘電性フィルム62と、アルミ箔を素材として誘電性フィルム62の主面にプリントされた導電膜58a〜58e,60,60,…とによって形成される。誘電性フィルム62の主面は長方形をなし、かつ長方形の長さ,幅および厚みはX軸,Y軸およびZ軸に沿って延びる。また、誘電性フィルム62の長さは誘電体52の長さとほぼ一致し、誘電性フィルム62の幅はX軸周り方向における誘電体52の外周の長さよりも僅かに長い。
導電膜58a〜58eの長さはいずれも、誘電性フィルム62の長さとほぼ一致する。ただし、導電膜58aおよび58bの各々の幅は誘電体12の幅の1/2よりも僅かに小さく、導電膜58cおよび58eの各々の幅は誘電体52の厚みよりも僅かに小さく、そして導電膜58dの幅は誘電体52の幅よりも僅かに小さい。さらに、導電膜58a〜58eは、Y軸方向の負側に向かってこの順でかつ互いに非接触に並ぶように、誘電性フィルム62の下面(Z軸方向の負側を向く主面)にプリントされる。
一方、導電膜60,60,…の各々は、主面が長方形をなすように形成される。ここで、長方形の長さは、誘電体52の外周の長さよりも僅かに長く、かつ誘電性フィルム62の幅よりも僅かに短い。また、導電膜60,60,…は、各々の長さがY軸に沿って延びかつX軸方向に等間隔に並ぶ姿勢で、誘電性フィルム62の下面(Z軸方向の負側を向く主面)にプリントされる。導電膜58a〜58eは、こうしてプリントされた導電膜60,60,…によって電気的に結合される。
フィルム部材56は、図11〜図12に示す要領で伝送部材50に巻き付けられる。具体的には、フィルム部材56は、誘電性フィルム62の下面が伝送部材50の主面または側面に対向する姿勢で、X軸周りに巻き付けられる。巻き付け状態において、導電膜58a〜58eは信号伝搬方向に沿って延び、導電膜60,60,…は信号伝搬方向に交差する方向に延びる。
また、導電膜58aおよび58bの主面はZ軸方向の正側に露出し、導電膜58cの主面はY軸方向の正側に露出し、導電膜58dの主面はZ軸方向の負側に露出する。ただし、導電膜58eの主面は、フィルム部材56によってほぼ覆われる。一方、導電膜60,60,…の主面は、外部にほぼ露出する。このとき、導電膜60,60,…の各々の両端は、X軸周り方向において部分的に重なり、容量結合する。これによって、高周波信号については、導電膜60の両端が互いに接続されているとみなされる。
こうして伝送部材50に取り付けられた導電膜58a〜58eは、グランド導体として機能する。また、導電膜58a〜58eは信号線路導体54とともにトリプレート構造をなし、導電膜58aおよび58bの間にはX軸に沿って延びるスリットが設けられる。導電膜58aおよび58bの間にスリットを設けることで、線路の特性インピーダンスを保ったまま、信号線路導体54とグランド導体の距離を小さくできる。すなわち、線路の厚みを薄くできる。
また、導電膜60,60,…は、ブリッジ導体として機能する。これによって、導電膜58a〜58eがX軸方向において等間隔で電気的に接続され、グランド電位の安定化が図られる。換言すれば、X軸方向におけるスリットの両端間に大きな定在波が生じたり、この定在波によって外部への不要輻射が発生したりすることを抑制することができる。さらに、この実施例では、フィルム部材が1枚で済むため、上述の実施例よりも簡便に高周波伝送線路64を作製でき、さらに高周波伝送線路64の厚みも薄くできる。
こうして作製された高周波伝送線路64もまた、移動体通信端末等の高周波機器において、アンテナ素子等の高周波素子とRF回路等の高周波デバイス間を接続するために用いられる。上述と同様、高周波伝送線路64は同軸コネクタ32を介して高周波デバイスと接続される。なお、導電膜60の両端は高周波伝送線路64の上面または下面で重複させるようにしてもよい。しかし、高周波伝送線路64の薄型化の観点からは、重複部を側面に設けるのが好ましい。また、図13に示すように絶縁性の保護層66を高周波伝送線路64の外周に設けるようにしてもよい。
図14を参照して、その他の実施例の伝送部材70は、テフロン(登録商標),PET,ポリイミド等の誘電性の素材によって長尺状に形成された誘電体72を含む。誘電体72は、単一の素材を押し出し成形することで一体形成される。また、誘電体72の長さはX軸に沿って延び、誘電体72の幅はY軸に沿って延び、誘電体72の厚みはZ軸に沿って延びる。長さは任意に調整され、幅および厚みは全長にわたって均一の大きさに調整される。
さらに、X軸に直交する誘電体72の断面は、八角形をなす。具体的には、Z軸方向を向く2つの面が主面をなし、Y軸方向を向く2つの面が側面をなす。これに加えて、互いに接する主面および側面によって形成される4つの角が面取りされ、これによって4つの斜面が形成される。
誘電体72には、X軸に沿って延びる板状の信号線路導体74が埋め込まれる。信号線路導体74は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料を素材とし、かつX軸方向に直交する誘電体72の断面の中央に埋め込まれる。高周波信号は、信号線路導体74をX軸方向に伝搬する。
図15を参照して、フィルム部材76は、テフロン(登録商標),PET,ポリイミド等の誘電性でかつ熱収縮性を有する素材によって形成された誘電性フィルム82と、アルミ箔を素材として誘電性フィルム82の主面にプリントされた導電膜78a〜78c,80,80,…とによって形成される。誘電性フィルム82の主面は長方形をなし、かつ長方形の長さ,幅および厚みはX軸,Y軸およびZ軸に沿って延びる。また、誘電性フィルム82の長さは誘電体72の長さとほぼ一致し、誘電性フィルム82の幅はX軸周り方向における誘電体72の外周の長さよりも僅かに長い。
導電膜80,80,…の各々は、主面が長方形をなすように形成される。ここで、長方形の長さは、誘電体82の外周の長さよりも僅かに長く、かつ誘電性フィルム82の幅よりも僅かに短い。また、導電膜80,80,…は、各々の長さがY軸に沿って延びかつX軸方向に等間隔に並ぶ姿勢で、誘電性フィルム82の上面(Z軸方向の負側を向く上面)にプリントされる。
一方、導電膜78a〜78cの長さはいずれも、誘電性フィルム82の長さとほぼ一致する。ただし、導電膜78aおよび78bの各々の幅は誘電体72の主面の幅の1/2よりも僅かに小さく、導電膜78cの幅は誘電体72の主面の幅よりも僅かに小さい。さらに、導電膜78a〜78cは、Y軸方向の負側に向かってこの順でかつ互いに非接触に並ぶように、誘電性フィルム82の上面(Z軸方向の正側を向く主面)にプリントされる。導電膜78a〜78cは、導電膜80,80,…によって電気的に結合される。
フィルム部材76は、図16に示す要領で伝送部材70に巻き付けられる。具体的には、フィルム部材76は、誘電性フィルム82の下面が伝送部材70の主面,側面または斜面に対向する姿勢で、X軸周りに巻き付けられる。巻き付け状態において、導電膜78a〜78cは信号伝搬方向に沿って延び、導電膜80,80,…は信号伝搬方向に交差する方向に延びる。
また、導電膜78aおよび88bの主面はZ軸方向の正側に露出し、導電膜78cの主面はZ軸方向の負側に露出する。一方、導電膜80,80,…の主面は、外部にほぼ露出する。このとき、導電膜80,80,…の各々の両端は、X軸周り方向において部分的に重複する。これによって、高周波信号については、導電膜80の両端が互いに接続されているとみなされる。
こうして伝送部材70に取り付けられた導電膜78a〜78cは、グランド導体として機能する。また、導電膜78a〜78cは信号線路導体74とともにトリプレート構造をなし、導電膜78aおよび78bの間にはX軸に沿って延びるスリットが設けられる。導電膜78aおよび78bの間にスリットを設けることで、線路の特性インピーダンスを保ったまま、信号線路導体74とグランド導体の距離を小さくできる。すなわち、線路の厚みを薄くできる。
また、導電膜80,80,…は、ブリッジ導体として機能する。これによって、導電膜78a〜78cがX軸方向において等間隔で電気的に接続され、グランド電位の安定化が図られる。換言すれば、X軸方向におけるスリットの端部に大きな定在波が生じたり、この定在波によって外部への不要輻射が発生したりすることを抑制することができる。さらに、この実施例では、フィルム部材が1枚で済むため、上述の実施例よりも簡便に高周波伝送線路84を作製でき、さらに高周波伝送線路84の厚みも薄くできる。
また、この実施例では、誘電体72の断面が多角形をなすように誘電体72を形成するようにしているため、上述の実施例に比べて、高周波伝送線路84を屈曲したときに導電膜80の角部にかかる応力をさらに緩和できる。つまり、高周波伝送線路84の可撓性がさらに向上する。
こうして作製された高周波伝送線路84もまた、移動体通信端末等の高周波機器において、アンテナ素子等の高周波素子とRF回路等の高周波デバイス間を接続するために用いられる。上述と同様、高周波伝送線路84は同軸コネクタ32を介して高周波デバイスと接続される。なお、導電膜80の両端は高周波伝送線路84の上面または下面で重複させるようにしてもよい。しかし、高周波伝送線路84の薄型化の観点からは、重複部を側面に設けるのが好ましい。
また、図17に示すように絶縁性の保護層86を高周波伝送線路84の外周に設けるようにしてもよい。さらに、この実施例では、誘電体72の断面を多角形に形成するようにしているが、断面を円形(楕円形を含む)に形成するようにしてもよい。
図18を参照して、この実施例の伝送部材90は、テフロン(登録商標),PET,ポリイミド等の誘電性の素材によって角柱状に形成された誘電体92を含む。誘電体92は、単一の素材を押し出し成形することで一体形成される。また、誘電体92の長さはX軸に沿って延び、誘電体92の幅はY軸に沿って延び、誘電体92の厚みはZ軸に沿って延びる。長さは任意に調整され、幅および厚みは全長にわたって均一の大きさに調整される。
誘電体92には、X軸に沿って延びる信号線路導体94が埋め込まれる。信号線路導体94は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料を素材とし、かつX軸方向に直交する誘電体92の断面の中央に埋め込まれる。高周波信号は、信号線路導体94をX軸方向に伝搬する。
誘電体94の一方主面(Z軸方向の正側を向く主面)には、銅箔を素材とする導電膜96aおよび96bが熱圧着等によって貼り付けられる。誘電体92の他方主面(Z軸方向の負側を向く主面)にも、銅箔を素材とする導電膜96cが熱圧着等によって貼り付けられる。具体的には、導電膜96a〜96cのいずれも、誘電体92の押し出し成形後にロール状の銅箔を圧着することで形成される。
ここで、導電膜96a〜96cの長さはいずれも、誘電体92の長さとほぼ一致する。また、導電膜96cの幅は、誘電体92の幅とほぼ一致する。ただし、導電膜96aおよび96bの各々の幅は誘電体92の幅の1/2よりも僅かに小さい。また、導電膜96aのY軸方向負側端部は誘電体92の一方主面のY軸方向負側端部に接し、導電膜96bのY軸方向正側端部は誘電体92の一方主面のY軸方向正側端部に接する。
導電膜96a〜96cの形成が完了すると、図20〜図21に示すように、リボン状の導体98が伝送部材90に螺旋状に巻かれる。導体98の主面は導電膜96a〜96cの主面と接触し、これによっては導電膜96a〜96cが導体98を介して電気的に接続される。ここで、隣接する螺旋の間隔は、伝送する高周波信号の最大周波数に相当する波長の1/2以下にすることが望ましい。これによって、導電体96aおよび96bの間に形成されたスリットや誘電体92の側面からの不要輻射を抑制することができる。
こうして作製された高周波伝送線路100もまた、移動体通信端末等の高周波機器において、アンテナ素子等の高周波素子とRF回路等の高周波デバイス間を接続するために用いられる。上述と同様、高周波伝送線路100は同軸コネクタ32を介して高周波デバイスと接続される。なお、図22に示すように絶縁性の保護層102を高周波伝送線路100の外周に設けるようにしてもよい。また、導電膜96a〜96cのアンカー効果を高めるために、導電膜96a〜96cの裏面に突起を設けてもよいし、さらには導電膜96a〜96cに小さな穴を連続的に設け、誘電体92をこの穴に進入させるようにしてもよい。
なお、上述の実施例では、押し出し成型によって誘電体12,52,72または92を作製するようにしているが、誘電体12,52,72または92は複数の誘電体基板を積層して作製してもよい。
また、図1〜図8に示す実施例では、フィルム部材16を伝送部材10に巻き付けるようにしているが、パターン形成された筒状フィルムの中に伝送部材10を入れ込むようにしてもよい。
さらに、図1〜図8に示す実施例では、X軸方向に直交する誘電体12の断面の中央に信号線路導体14を埋め込むようにしている。しかし、X軸方向に直交する誘電体12の断面の中央よりもY軸方向および/またはZ軸方向にずれた位置に信号線路導体14を埋め込むようにしてもよく、さらにはX軸に沿う誘電体12の側面に信号線路導体14の一部を露出させるようにしてもよい。なお、Z軸方向にずれた位置に信号線路導体14を埋め込んだ場合、X軸に直交する高周波伝送線路30の断面は図23(A)に示すように構成される。
さらに、図1〜図8に示す実施例では、フィルム部材16を伝送部材10に巻き付けたときに伝送部材10の角部に導電体のスリットが形成されるように、5つの導電膜18a〜18eを誘電性フィルム20の主面にプリントするようにしている。しかし、スリットを形成する必要がないのであれば、誘電性フィルム20の主面とほぼ同じサイズを有する単一の導電膜を誘電性フィルム20の主面にプリントすればよい。この場合、X軸に直交する高周波伝送線路30の断面は図23(B)に示すように構成される。
また、図9〜図13に示す実施例では、導電膜60,60,…の各々をX軸周り方向において部分的に重ならせて、各々の導電膜60の両端を容量結合させるようにしている。しかし、各々の導電膜60の重複部分において導電性フィルム62を貫通するスルーホール或いはビアホール導体を形成することによって、各々の導電膜60の両端を直接的に接続するようにしてもよい。
30,64,84,100 …高周波伝送線路
14,54,74,94 …信号線路導体
12,20,24,52,62,72,82,92 …誘電体
18a〜18e,58a〜58e,78a〜78c,96a〜96c …グランド導体
26,60,80,98 …ブリッジ導体
14,54,74,94 …信号線路導体
12,20,24,52,62,72,82,92 …誘電体
18a〜18e,58a〜58e,78a〜78c,96a〜96c …グランド導体
26,60,80,98 …ブリッジ導体
好ましくは、ブリッジ導体の長さは、誘電体素体の信号伝搬方向に垂直な断面の外周の長さより長い。
Claims (8)
- 信号伝搬方向に延びる信号線路導体、
前記信号線路導体を埋設するように前記信号伝搬方向に延び、一方主面と前記一方主面に対向する他方主面と、前記一方主面と前記他方主面とに連なる側面と、を有する誘電体素体、
平面視したときに、前記信号線路導体に沿って前記信号線路導体と重なる導体非形成部が形成されるように、前記誘電体素体の一方主面上に配置されたグランド導体、および
前記導体非形成部に跨るように、かつ前記グランド導体と電気的に接続するように、前記誘電体素体の一方主面上に配置されたブリッジ導体を備える伝送線路であって、
前記ブリッジ導体は、前記誘電体素体に巻き付けられたフィルム上に形成されている、伝送線路。 - 前記グランド導体は、前記誘電体素体に巻き付けられたフィルム上に形成されている、請求項1記載の伝送線路。
- 前記ブリッジ導体および前記グランド導体は、同一のフィルム上に形成されている、請求項1または2記載の伝送線路。
- 前記グランド導体は、前記誘電体素体に巻き付けられた第1フィルム上に形成されており、前記ブリッジ導体は、前記第1フィルム上に巻き付けられた第2フィルム上に形成されている、請求項1または2記載の伝送線路。
- 前記ブリッジ導体の長さは、前記誘電体素体の外周の長さより長い、請求項1から4いずれかに記載の伝送線路。
- 前記フィルムは、熱収縮性を有する、請求項1から5いずれかに記載の伝送線路。
- 信号伝搬方向に延びる信号線路導体、
前記信号線路導体を埋設するように前記信号伝搬方向に延び、一方主面と前記一方主面に対向する他方主面と、前記一方主面と前記他方主面とに連なる側面と、を有する誘電体素体、
平面視したときに、前記信号線路導体に沿って前記信号線路導体と重なる導体非形成部が形成されるように、前記誘電体素体の一方主面上に配置されたグランド導体、および
前記導体非形成部に跨るように、かつ前記グランド導体と電気的に接続するように、前記誘電体素体の一方主面上に配置されたブリッジ導体を備える伝送線路であって、
前記ブリッジ導体は、線状導体を誘電体素体に巻き付けて形成されている、伝送線路。 - 前記ブリッジ導体は、前記信号伝搬方向を巻回軸とする螺旋状となるように、前記誘電体素体に巻き付けられている、請求項7記載の伝送線路。
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