WO2004077600A1 - 超伝導体伝送線路 - Google Patents

超伝導体伝送線路 Download PDF

Info

Publication number
WO2004077600A1
WO2004077600A1 PCT/JP2003/002087 JP0302087W WO2004077600A1 WO 2004077600 A1 WO2004077600 A1 WO 2004077600A1 JP 0302087 W JP0302087 W JP 0302087W WO 2004077600 A1 WO2004077600 A1 WO 2004077600A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transmission line
conductor
superconductor
dielectric block
oxide superconductor
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/002087
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Akihiko Akasegawa
Kazunori Yamanaka
Teru Nakanishi
Original Assignee
Fujitsu Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Limited filed Critical Fujitsu Limited
Priority to CNB038257106A priority Critical patent/CN1317792C/zh
Priority to JP2004568732A priority patent/JP3795904B2/ja
Priority to DE10393568T priority patent/DE10393568B4/de
Priority to PCT/JP2003/002087 priority patent/WO2004077600A1/ja
Priority to AU2003211712A priority patent/AU2003211712A1/en
Publication of WO2004077600A1 publication Critical patent/WO2004077600A1/ja
Priority to US11/203,956 priority patent/US7263392B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/06—Coaxial lines
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49014—Superconductor

Definitions

  • the present invention relates to a transmission line using an oxide superconductor which has a low loss and can cope with a large current.
  • a coaxial transmission line having a grounded outer conductor around a center conductor is known.
  • An electric field is generated from the center conductor to the external ground conductor.
  • the magnetic field is generated in a direction perpendicular to the electric field.
  • the current flows in the direction in which the center conductor and external ground conductor extend.
  • the center conductor may have a hollow structure.
  • 4 (A) to 4 (C) are perspective views schematically showing an example of the structure of a transmission line according to the related art.
  • the cylindrical central conductor 101 and the cylindrical external ground conductor 102 are electrically separated by a dielectric block 104.
  • a dielectric block 104 select a material with low high-frequency loss. If a material having a high dielectric constant is used, the size of the transmission line can be reduced.
  • the external ground conductor 102 and the center conductor 101 are formed of normal conductors such as Cu, Ag, and Au. Since the current flowing through the center conductor 101 flows near the surface, the center conductor 101 may have a cylindrical hollow structure. In that case, the thickness should be at least twice the skin thickness. When the center conductor 101 has a hollow structure, the hollow portion may be filled with a dielectric 103.
  • the conductor is formed of a superconductor, the resistance of the superconductor line is 0 at DC and very small even at high frequencies, so it is possible to form a transmission line with low loss and large current. .
  • Oxide superconductors become superconductive at relatively high temperatures, is there.
  • Oxide superconductors unlike metal conductors, have very sensitive electrical properties to the structure of grain boundaries. Most oxide superconductors have a rectangular parallelepiped crystal structure. If the crystal axis directions of adjacent rectangular parallelepipeds are different from each other by several degrees, a crystal grain boundary will be generated at that part.
  • the dielectric block 103 is made of a single crystal, and an oxide superconductor is epitaxially grown on the arc-shaped outer surface to make the external ground conductor 102.
  • an oxide superconductor layer epitaxially.
  • FIG. 4B shows another form of the transmission line.
  • An outer ground conductor 102 of an oxide superconductor is formed on the outer peripheral surface of a quadrangular prism-shaped dielectric block 104 which is preferably a single crystal.
  • the dielectric block 104 has an inner hole having a circular cross section, and the center conductor 101 is accommodated in the inner hole.
  • the central conductor 101 may have a hollow structure, and the dielectric 103 may be accommodated in the hollow portion. It is also possible to adopt a mere hollow structure instead of the dielectric filling structure.
  • Fig. 4 (C) shows another form of the transmission line.
  • the dielectric block 104 which is preferably a single crystal, has a quadrangular prism shape, and further has a quadrangular prism inner hole.
  • An external ground conductor 102 is formed on the outer peripheral surface of the square pillar, and a central conductor 101 is formed on the inner wall of the square pillar-shaped inner hole.
  • the central conductor 101 has a hollow shape, and the dielectric 103 may be accommodated in the hollow portion.
  • the outer ground conductor 102 and the center conductor 101 are formed of an oxide superconductor.
  • the external ground conductor 102 in FIG. 4 (B), the center conductor 101 and the external ground conductor 102 in FIG. 4 (C) are formed on the flat surface of the single-crystal dielectric block 104. I have. However, even when the oxide superconductor layer is epitaxially grown, the oxide superconductor on the adjacent surface is in contact at the corners of the quadrangular prism, and if the crystal orientation is different, the generation of grain boundaries is avoided. I can't. Then, a loss occurs and it becomes difficult to flow a large current. It is possible to obtain an epitaxy layer or a layer close to a single crystal on the lower surface of the plane, but the generation of grain boundaries cannot be avoided at the four corners. Disclosure of the invention An object of the present invention is to provide a transmission line using an oxide superconductor capable of coping with a low loss and a large current.
  • an inner conductor and four surfaces surrounding the inner conductor, each having a shape in which each corner of a hollow quadrilateral is removed, and ⁇ between adjacent surfaces.
  • a superconductor transmission line is provided, comprising: an outer conductor formed of an oxide superconductor in which a slit less than ⁇ 4 (where ⁇ is the wavelength of the transmitted high frequency) is formed.
  • FIG. 1 is a perspective view and a sectional view showing a transmission line according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view and a sectional view showing a transmission line according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a perspective view showing an application example of the transmission lines of FIGS.
  • FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a transmission line according to a conventional technique.
  • FIGS. 1A to 1F are a perspective view and a sectional view schematically showing a configuration of a transmission line according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 1 ( ⁇ ) shows the first basic structure.
  • the outer conductors 2-1 to 2-4 of the four oxide superconductor layers on the plane are arranged so as to surround the inner periphery of the cylindrical inner conductor 1.
  • a gap 10 is formed between the center conductor 1 and the outer conductors 2-1 to 2-4. Since the four superconductor layers 2-1 to 2-4 have a planar shape, they can be formed of an oxide superconductor having good crystallinity.
  • FIG. 1 ( ⁇ ) shows one mode for realizing the configuration of FIG. 1 ( ⁇ ).
  • Square cylindrical dielectrics blocks 4 are magnesium oxide (M g O), lanthanum aluminate one preparative (L a A 1 0 3) , sapphire (A 1 2 0 3) low loss, such as, a high dielectric constant of the material Single crystal shape Is done.
  • an MgO block having a rectangular outer periphery, each outer peripheral surface being constituted by a (100) plane, and having an inner hole having a circular cross section is used.
  • the oxide superconductor layers 2-;!-2-4 are formed separately on the four flat outer peripheral surfaces. Good electric conductors such as Ag, Au, Cu and A1 and superconducting wires 1 are inserted into the inner hole of the circular cross section.
  • FIG. 1 (C) shows a first method for forming the oxide superconductor layers 2-1 to 2-4 as shown in FIG. 1 (B).
  • a liquid-phase oxide superconductor material is formed on the outer peripheral surface of the single-crystal dielectric block 4 by a coating method such as dip coating or screen printing.
  • oxide superconductors Bi (Pb) -Sr-Ca-Cu-0, YBa-Cu-O (YBCO), RE_Ba-Cu-O (RE: La, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, Tm, Yb, Lu) are preferably selected.
  • the oxide superconductor layer By firing the oxide superconductor layer at a high temperature, the oxide superconductor layer is crystallized in a solid phase, and superconductivity appears.
  • the thickness of the superconductor layer to be formed should be 0.5 m or more in order to obtain good high-frequency characteristics and large current capability.
  • crystal grain boundaries are likely to occur at each corner of the hollow square cross section.
  • the oxide superconductor layer on the corners is ground together with the underlying dielectric block by a mechanical method such as filing the corner of the dielectric block on which the oxide superconductor layer is formed, or cutting it out with a cutting machine. Remove. By removing the oxide superconductor layer at the corner where the crystallinity is easily disturbed, four oxide superconductor layers having good crystallinity remain on the four outer peripheral surfaces of the dielectric block 4.
  • the slit width between the adjacent oxide superconductor layers is set to be less than ⁇ 4 so that the transmitted high frequency does not leak.
  • ⁇ is the wavelength of the transmitted high frequency. If there are multiple wavelengths, it is the shortest wavelength. If a dielectric exists between the inner conductor and the outer conductor, this is the effective wavelength in the space where the high frequency exists.
  • FIG. 1 (D) shows a second method of forming a separated oxide superconductor layer.
  • Each corner of the rectangular cross section of the dielectric block 4 is chamfered in advance.
  • An oxide superconductor material layer is applied on the flat outer peripheral surface of the dielectric block 4 by a printing method. By firing the oxide superconductor material layer at a high temperature, four oxide superconductor layers 2-1 to 2-4 can be formed.
  • FIG. 1E shows a third form of the transmission line.
  • Four external ground conductors 2-1 to 2-4 are arranged to face the center conductor 1 via an air gap.
  • the four oxide superconductor layers 2-1 to 2-4 may be formed using a plate material. Further, as shown in the figure, the oxide superconductor layers 2-1 to 2-4 can be formed on the plate-like supporting substrates 6-1 to 6_4.
  • the plate-shaped supporting substrate 6-1 to 6-4 is made of magnesium oxide, lanthanum aluminate, sapphire, strontium oxide, cerium oxide, titanium oxide, silver, gold, nickel, nickel oxide, nickel alloy, etc. It is preferable to select the material superconductor layer from a material that can be epitaxially grown. When the oxide superconducting conductor layer is formed in a film shape, it is preferable that the film thickness is 0.5 m or more in order to obtain high frequency characteristics and large current capability.
  • the center conductor 1 may have a hollow structure.
  • the dielectric block 3 may be arranged inside the hollow structure.
  • 2 (A) to 2 (D) show other forms of the transmission line.
  • FIG. 2A shows the second basic structure.
  • the center conductor is formed of four flat planar oxide superconductor layers 1-1-1-4, and the external ground conductor is also composed of four flat planar oxide superconductor layers 2-1-1-2_. 4 formed.
  • a gap 10 is formed between the plate-shaped center conductor 1 and the plate-shaped outer conductor 2.
  • FIG. 2B shows a first mode for realizing the transmission line shown in FIG. 2A.
  • the dielectric block 4 is made of low-loss magnesium oxide, lanthanum aluminate, sapphire, etc. It is made of a dielectric material with a high dielectric constant, and has a square pillar shape.
  • the dielectric block 4 further has a quadrangular prism-shaped inner hole having a quadrangular cross section at the center thereof.
  • Four oxide superconductor layers 2-1 to 2-4 are formed on the outer peripheral surface of the dielectric block 4, and four oxide superconductors are also formed on the inner wall of the inner hole having a rectangular cross section. Layers 11-1 to 11-4 are formed.
  • Such an oxide superconductor layer is formed, for example, by applying an oxide superconductor material layer on the outer peripheral surface of the dielectric block 4 and the inner wall of the inner hole by dip coating, and sintering it at a high temperature. This can be achieved by removing the corners with a file, cutting machine, or the like.
  • the distance between adjacent oxide superconductor layers is preferably less than ⁇ 4 to prevent electric field leakage.
  • the thickness is preferably 0.5 zm or more.
  • FIG. 2C shows another configuration for realizing the configuration of FIG. 2A.
  • the center conductor is composed of oxide superconductor layers 11 1 to 11 14 formed separately on the four outer peripheral surfaces of the quadrangular prism-shaped inner dielectric block 3.
  • Such an oxide superconductor layer can be formed in the same manner as described with reference to FIGS. 1 (C) and 1 (D).
  • the oxide superconductor plates 2-1 to 2-4 are arranged around the center conductor thus formed.
  • the interval between adjacent oxide superconductor plates 2-1 to 2-4 is less than ⁇ 4.
  • FIG. 2 (D) shows a case where the external ground conductor of the oxide superconductor is formed of an oxide superconductor film formed on a base substrate, as in FIG. 1 ( ⁇ ).
  • the outer conductors 2-1 to 2-4 are the same as the outer conductors described in the configuration of FIG.
  • the center conductors 111 to 114 are the same as those described in the configuration of FIG. 2 (C).
  • FIG. 3 illustrates an example of how to use the transmission line thus formed.
  • the transmission line 20 is cut out at a length L, and the resonance frequency is set by the length L.
  • a high-frequency input probe 7 is arranged at one end of the transmission line 20, and a high-frequency output probe 8 is arranged at the other end.
  • the high-frequency signal supplied from the high-frequency input probe 7 to the transmission line 20 is coupled to the high-frequency output probe 8 through a resonator having a length L.
  • a resonator having a length L.
  • the conductor part Is composed of an epitaxial superconducting film without grain boundaries, so that a cable with low loss and high current capability can be realized.
  • the loss can be reduced to about 1/100 of the conventional value. If the cross section is rectangular, electromagnetic fields, currents, stresses, etc. concentrate at the four corners. Therefore, providing slits at the four corners also has the effect of alleviating them.
  • the current flows through the surface of the center conductor on the side of the externally installed conductor (in the case of a superconductor, it is about twice the magnetic penetration length and has almost no frequency dependence). (In the case of a superconductor, it is about twice as long as the magnetic penetration length, and there is almost no frequency dependence), so the heat load at the time of the protection quench is placed inside the center conductor and outside the external ground conductor side.
  • a metal layer or the like for prevention may be provided.
  • a non-epitaxial superconducting film having crystal grain boundaries can be uniformly formed over the entire surface, so that the current capacity can be increased and high-speed interruption can be achieved.
  • a large heat load may be applied at the time of current limiting, but this can be mitigated by providing a high thermal conductive layer such as a metal inside the center conductor or outside the external ground conductor.
  • a larger capacity current limiter can be achieved.
  • the present invention has been described in connection with the embodiments.
  • the present invention is not limited to these embodiments.
  • other materials may be used for the oxide superconductor, the support substrate, and the dielectric block. It will be apparent to those skilled in the art that various other modifications, improvements, and combinations are possible.
  • a superconductor transmission line comprising: an outer conductor formed of an oxide superconductor;
  • the oxide superconductor is composed of Bi (Pb) -Sr-Ca-Cu-O, YBa-Cu-O, RE-Ba-Cu-O (RE: La Nd, Sm , Eu, Gd, Dy, Er, Tm, Yb, Lu).
  • the dielectric block has four flat surfaces extending in the longitudinal direction.
  • the inner conductor has four surfaces formed on the four flat inner walls, and a slit of less than ⁇ / 4 is formed between the adjacent surfaces.
  • the superconductor transmission line according to any one of supplementary notes 4 to 6, wherein the superconductor transmission line is formed of an oxide superconductor.
  • the support member is formed of any one of magnesium oxide, lanthanum aluminate, sapphire, strontium oxide, cerium oxide, titanium oxide, silver, gold, nickel, nickel oxide, and a nickel alloy.
  • Superconductor transmission line The supplementary note 9, wherein the support member is formed of any one of magnesium oxide, lanthanum aluminate, sapphire, strontium oxide, cerium oxide, titanium oxide, silver, gold, nickel, nickel oxide, and a nickel alloy.
  • the inner conductor has four surfaces each having a hollow cross-section with a rectangular shape in which each corner is removed, and a slit of less than 4 is formed between adjacent surfaces.
  • a method for manufacturing an oxide superconductor transmission line including:
  • a liquid-phase oxide superconductor material is An additional step including a step of applying the outer peripheral surface of the lock and a step of firing the applied material layer
  • step (a) comprises forming an oxide superconductor layer on the dielectric block by either sputtering or vapor deposition.
  • a method for manufacturing an oxide superconductor transmission line including:

Landscapes

  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

低損失、大電流対応可能な酸化物超伝導体を用いた伝送線路を提供する。超伝導体伝送線路は、内部導体と、該内部導体の周囲を囲み、断面が中空４角形の各角部が除去された形状を有する４つの面を有し、隣接する面間にλ／４（但し､λは伝送する高周波の波長）未満のスリットが形成されている、酸化物超伝導体で形成された外部導体と、を有する。

Description

超伝導体伝送線路 技術分野
本発明は， 低損失で、 大電流にも対応可能な、 酸化物超伝導体を用いた伝送線 路に関する。 背景技術
高周波伝送線路として、 中心導体の周囲に接地外部導体を備えた同軸型伝送線 路が知られている。 電界は， 中心導体から外部接地導体に向って発生する。 磁界 は、 電界に垂直な方向に発生する。 電流は、 中心導体、 外部接地導体の延在方向
(断面に対して垂直な方向） に流れる。 導体材料としては、 C u、 A g、 A u等 の電気的良導体や、 超伝導体が知られている。 中心導体と外部接地導体間は、 空 気又は固相誘電体 （以下単に誘電体と呼ぶ） で形成される。 誘電体を用いると、 空気の場合よりも小型化が可能である。 又、 中心導体は中空構造にする場合があ る。
図 4 (A) 〜 （C) は、 従来技術による伝送線路の構造例を概略的に示す斜視 図である。
図 4 (A) において、 円柱状中心導体 1 0 1と、 円筒状外部接地導体 1 0 2は、 誘電体ブロック 1 0 4によって電気的に分離されている。 誘電体としては、 高周 波損失の少ない材料を選択する。 誘電率の高い材料を用いると、 伝送線路を小型 化することが可能となる。 外部接地導体 1 0 2、 中心導体 1 0 1は、 C u、 A g、 A u等の常伝導体で形成される。 なお、 中心導体 1 0 1を流れる電流は、 表面近 傍を流れるので、 中心導体 1 0 1を円筒状の中空構造としてもよい。 その場合、 厚さは表皮厚の 2倍以上とする。 中心導体 1 0 1が中空構造の場合、 その中空部 に誘電体 1 0 3を充填してもよい。
導体を、 超伝導体で形成すると、 超伝導体線路は、 抵抗が直流で 0、 高周波に おいても非常に小さいため、 低損失、 大電流対応の伝送線路を形成することが可 能となる。 酸化物超伝導体は、 比較的高温で超伝導状態となり、 取扱いに便利で ある。
酸化物超伝導体は、 金属導体等と異なり、 電気的特性が結晶粒界の構造に非常 に敏感である。 酸化物超伝導体の多くは、 直方体の結晶構造を有する。 隣り合う 直方体同士の結晶軸方向が数度異なると、 その部分に結晶粒界が生じる。
図 4 (A) の構成において、 誘電体ブロック 1 0 3を単結晶で作製し その円 弧状外表面上に酸化物超伝導体をェピタキシャルに成長して外部接地導体 1 0 2 を作製しょうとしても、 酸化物超伝導体層をェピタキシャルに成長することは非 常に困難である。
図 4 (B) は、 伝送線路の他の形態を示す。 好ましくは単結晶である四角柱状 の誘電体ブロック 1 0 4の外周面上に、 酸化物超伝導体の外部接地導体 1 0 2が 形成されている。 誘電体ブロック 1 0 4には、 断面円形の内孔が形成されており、 内孔内に中心導体 1 0 1が収容されている。 中心導体 1 0 1は中空構造とし、 そ の中空部分に誘電体 1 0 3を収容してもよい。 誘電体充填構造の代りに単なる中 空構造を採用することも可能である。
図 4 (C) は、 伝送線路の他の形態を示す。 好ましくは単結晶である誘電体ブ ロック 1 0 4は、 四角柱状の形状を有し、 さらに四角柱状の内孔を有する。 四角 柱の外周面には、 外部接地導体 1 0 2が形成され、 四角柱状の内孔の内壁には、 中心導体 1 0 1が形成されている。 中心導体 1 0 1は、 中空形状であり、 その中 空部に誘電体 1 0 3を収容してもよい。 外部接地導体 1 0 2、 中心導体 1 0 1は、 酸化物超伝導体で形成されている。
図 4 (B) における外部接地導体 1 0 2、 図 4 ( C) における中心導体 1 0 1 及び外部接地導体 1 0 2は、 単結晶誘電体ブロック 1 0 4の平坦な表面上に形成 されている。 しかしながら、 酸化物超導電体層をェピタキシャル成長しても、 四 角柱形状の角部においては、 隣接する面の酸化物超伝導体が接し、 その結晶方位 が異なると、 粒界の発生を避けられない。 すると、損失が生じ、大電流を流すこと が難しくなる。平面の下地上には、 ェピタキシャル層や単結晶に近い層を得るこ とが可能であるが、 四隅においては結晶粒界の発生を避けることができない。 発明の開示 本発明の目的は、 低損失、 大電流対応可能な酸化物超伝導体を用いた伝送線路 を提供することである。
本発明の 1観点によれば、 内部導体と、 該内部導体の周囲を囲み、 断面が中空 4角形の各角部が除去された形状を有する 4つの面を有し、 隣接する面間に λ Ζ 4 (伹し、 λ は伝送する高周波の波長） 未満のスリットが形成されている、 酸 化物超伝導体で形成された外部導体と、 を有する超伝導体伝送線路が提供される。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の実施例による伝送線路を示す斜視図及び断面図である。
図 2は、 本発明の他の実施例による伝送線路を示す斜視図及び断面図である。 図 3は、 図 1、 図 2の伝送線路の応用例を示す斜視図である。
図 4は、 従来の技術による伝送線路の構成を示す斜視図である。
符号の説明
図中、 1 中心導体、 2 外部導体、 3 誘電体ブロック、 4 誘電体ブロック、 5 空気層、 6 支持用下地、 7 高周波入力プローブ、 8 高周波出カプロー ブ、 9 底板、 1 0 1 中心導体、 1 0 2 外部接地導体、 1 0 3 誘電体、 1 0 4 誘電体ブロック 発明を実施するための最良の形態
図 1 (Α) 〜 （F) は、 本発明の実施例による伝送線路の構成を概略的に示す 斜視図及び断面図である。
図 1 (Α) は、 第 1の基本構造を示す。 円柱状の内部導体 1の周囲を取り囲む ように、 平面上の 4つの酸化物超伝導体層の外部導体 2— 1〜 2— 4を配置する。 中心導体 1と外部導体 2— 1〜2— 4との間には、 ギャップ 1 0が形成される。 4つの超伝導体層 2— 1〜2— 4は、 平面形状を有するため、 結晶性の良好な酸 化物超伝導体で形成することができる。
図 1 ( Β ) は、 図 1 (Α) の構成を実現する 1つの形態を示す。 四角柱状の誘 電体ブロック 4は、 酸化マグネシウム （M g O) 、 ランタンアルミネ一ト （L a A 1 0 3) 、 サファイア （A 1 2 0 3) 等の低損失、 高誘電率の材料の単結晶で形 成される。 サファイアの場合は表面に C e〇2のバッファ層を設けることが好ま しい。 例えば、 断面が方形の外周を有し、 各外周面が （100) 面で構成され、 内部に断面が円形の内孔を有する MgOブロックを用いる。 4つの平坦な外周面 上に 酸化物超伝導体層 2— ;!〜 2— 4が互いに分離して形成される。 円形断面 の内孔には、 A g、 A u、 C u、 A 1等の電気的良導体や、 超伝導体の線材 1が 掙入される。
図 1 (C) は、 図 1 (B) に示すような酸化物超伝導体層 2— 1〜 2— 4を形 成する第 1の方法を示す。 単結晶誘電体プロック 4の外周面上に、 液相の酸化物 超伝導体材料をディップコーティング又はスクリーン印刷等の塗布法により形成 する。 酸化物超伝導体としては、 安定で良好な特性を示す B i (Pb) 一 S r— Ca - Cu— 0、 Y-B a-Cu-O (YBCO) 、 RE_Ba— Cu— O (R E : La、 Nd、 Sm、 Eu、 Gd、 Dy、 E r、 Tm、 Yb、 Lu) のいずれ かを選択することが好ましい。
酸化物超伝導体層を高温で焼成することにより、 酸化物超伝導体層が固相結晶 化し超伝導性が出現する。 なお、 良好な高周波特性と大電流対応を得るため、 形 成する超伝導体層の膜厚は、 0. 5 m以上とする。 ディップコーティングした 液相材料層を焼成した状態では、 断面中空四角形の各角部において結晶粒界が発 生し易い。
酸化物超伝導体層が形成された誘電体プロックの角をヤスリで削る、 切断機で 切り出す等の機械的方法により、 角部上の酸化物超伝導体層を下地の誘電体プロ ックと共に除去する。 結晶性が乱れ易い角部の酸化物超伝導体層を除去すること により、 誘電体プロック 4の 4つの外周面上に結晶性の良好な 4層の酸化物超伝 導体層が残る。 伝送する高周波が漏れないように、 隣接する酸化物超伝導体層の 間のスリツト幅は λΖ4未満になるように設定する。
ここで、 λ は伝送する高周波の波長である。 複数の波長がある場合は最も短 い波長である。 内部導体と外部導体との間に誘電体が存在する場合は、 高周波が 存在する空間中での実効的な波長である
なお、 ディップコーティングや印刷に代え、 真空容器中のスパッタリング、 蒸 着 （レーザ蒸着、 共蒸着を含む） 等を用いて、 誘電体プロックの外周面上に酸化 物超伝導体膜を形成することもできる。 これの方法は、 成膜に時間がかかり、 高 価な設備が必要となるが、 原子レベルでの成長が可能となり、 非常に高品質なェ ピタキシャル層を形成することができる。 断面中空四角形の酸化物超伝導体層の 各角部を除去することは上述と同様である。
図 1 (D) は、 分離された酸化物超伝導体層を形成する第 2の方法を示す。 誘 電体プロック 4の断面四角形の各角部を予め面取りする。 誘電体プロック 4の平 坦な外周面上に、 印刷法により酸化物超伝導体材料層を塗布する。 酸化物超伝導 体材料層を高温で焼成することにより、 4つの酸化物超伝導体層 2— 1〜 2— 4 を形成することができる。
図 1 (E) は、 伝送線路の第 3の形態を示す。 4つの外部接地導体 2— 1〜 2 —4が、 空気の間隙を介して中心導体 1と対向配置される。 4つの酸化物超伝導 体層 2— 1〜2— 4は、 板材を用いて形成してもよい。 又、 図示のように板状支 持基板 6— 1〜 6 _ 4の上に、 酸化物超伝導体層 2— 1〜 2— 4を形成すること もできる。
板状支持基板 6— 1〜6— 4は、 酸化マグネシウム、 ランタンアルミネート、 サファイア、 酸化ストロンチウム、 酸化セリウム、 酸化チタン、 銀、 金、 ニッケ ル、 酸化ニッケル、 ニッケル合金等その上に酸ィ匕物超伝導体層をェピタキシャル に成長できる材料から選択することが好ましい。 膜形状で酸化物超伝送導体層を 形成する場合、 高周波特性と大電流対応を得るために、 膜厚は 0 . 5 m以上と することが好ましい。
図 1 (F) に示すように、 中心導体 1を中空構造とすることもできる。 この場 合、 中空構造の内部に誘電体プロック 3を配置してもよい。
図 2 (A) 〜 (D) は、 伝送線路の他の形態を示す。
図 2 (A) は、 第 2の基本構造を示す。 中心導体は 4枚の平坦な平面状酸化物 超伝導体層 1 - 1 - 1 - 4で形成され、 外部接地導体も 4枚の平坦な平面状酸化 物超伝導体層 2— 1〜 2 _ 4で形成される。 板状の中心導体 1と、 板状の外部導 体 2との間にはギヤップ 1 0が形成される。
図 2 (B) は、 図 2 (A) に示す伝送線路を実現する第 1の形態を示す。 誘電 体ブロック 4は、 酸化マグネシウム、 ランタンアルミネート、 サファイア等低損 失、 高誘電率の誘電体で形成され、 四角柱状の形状を有する。 誘電体ブロック 4 はさらにその中心部に断面 4角形の 4角柱状の内孔を有する。 誘電体ブロック 4 の外周面上には、 4つの酸化物超伝導体層 2— 1〜 2— 4が形成され、 断面 4角 形の内孔の内壁上にも、 4つの酸化物超伝導体層 1一 1〜 1一 4が形成される。 このような酸化物超伝導体層は、 例えばディップコ一ティングにより誘電体ブ ロック 4の外周面及び内孔の内壁上に酸化物超伝導体材料層を塗布し、 高温で焼 成した後、 各角部をヤスリ、 切断機等により除去することにより実現できる。 隣 接する酸化物超伝導体層の間隔は、 λ Ζ 4未満とし、 電界のもれを防止すること が好ましい。 又、 膜厚は 0 . 5 z m以上とすることが好ましい。
図 2 ( C) は、 図 2 (A) の形態を実現する他の構成を示す。 中心導体は、 四 角柱状の内部誘電体ブロック 3の 4つの外周面上に互いに分離して形成された酸 化物超伝導体層 1一 1〜 1一 4で構成される。 このような酸化物超伝導体層の作 成は、 図 1 (C) 、 (D) で説明した方法と同様にして行なうことができる。 こ のように形成した中心導体の周囲に、 酸化物超伝導体の板 2— 1〜 2— 4を配置 する。 隣接する酸化物超伝導体板 2—1〜 2— 4の間隔は、 λ Ζ 4未満とする。 図 2 (D) は、 図 1 (Ε) 同様、 酸化物超伝導体の外部接地導体を、 下地基板 上に形成した酸化物超伝導体膜で形成する場合を示す。 外部導体 2— 1〜 2— 4 は、 図 1 (Ε) の構成で説明した外部導体と同様である。 中心導体 1一 1〜1一 4は、 図 2 (C) の構成で説明したものと同様である。
図 3は、 このようにして形成した伝送線路の利用方法の例を図示する。 伝送線 路 2 0は、 長さ Lで切り出されており、 長さ Lによって共振周波数が設定される。 伝送線路 2 0の一端に高周波入力プローブ 7が配置され、 他端に高周波出力プロ ーブ 8が配置される。 高周波入力プローブ 7から伝送線路 2 0に供給された高周 波信号は、 長さ Lを有する共振器を通って高周波出力プローブ 8に結合される。 このような構成を以下のような用途に利用できる。
( 1 ) 伝送ケーブル （線材ケーブル）
これは、 半導体装置間を低損失および高速で信号を伝えるケーブルゃ大容量の 電力 （D Cから交流まで） を低損失で供給することができるケ一ブルまで含む。 隣接する面の端部間に λ / 4未満のスリットを形成することによって、 導体部分 は結晶粒界の無いェピタキシャルな超伝導膜で構成されるため、 低損失かつ大電 流にも対応可能なケーブルが実現できる。 例えば、 1 GH zの高周波伝送では、 従来の約 1 / 1 0 0に損失を減らすことができる。 断面が方形形状の場合、 四隅 の部分に電磁界ゃ電流、 応力などが集中する。 したがって、 四隅部分にスリット を設けることによって、 それらを緩和できる効果も合わせもつ。 さらに、 電流は、 中心導体では外部設置導体側の表面 （超伝導体の場合、 磁気侵入長の 2倍程度で、 しかも周波数による依存性がほとんどない） を、 外部接地導体では中心導体側の 表面 (超伝導体の場合、 磁気侵入長の 2倍程度で、 しかも周波数による依存性が ほとんどない） を流れるため、 中心導体の内側や外部接地導体側の外側に、 保護 ゃクェンチの際の熱負荷防止のための金属層などを設けても構わない。
( 2 ) 限流器
電力系統規模の拡大や電力需要の伸び、 ネットワーク化や回線容量の増大に伴 つて、 短絡や雷などの事故が起きた時の急激な電流増大による電気 ·電子機器へ の障害が増大している。 それらの対策として、 普段はほぼ無損失で電力を通し、 事故時には大きいィンピーダンスを発生し、 事故電流を遮断する限流器の開発が 進められている。 超伝導限流器の原理の一つとして、 過電流が流れたときに超伝 導状態から常伝導状態へ移行し、 大きなインピーダンスを発生する抵抗転移型が ある。 良好な限流特性を得るためには、 全体にわたって、 超伝導臨界温度 T cや 超伝導臨界電流 I cが均一であることが必須である。 上述のように結晶粒界の無 ぃェピタキシャルな超伝導膜が全体にわたって均一に構成できるため、 電流容量 の増大や高速遮断が可能である。 さらに、 限流時に大きな熱負荷が加わる恐れが あるが、 これに対しても中心導体の内側や外部接地導体の外側に金属などの高熱 伝導層を設けることによって緩和することができる。 また、 図 3の素子を直 ·並 列することによって、 さらなる大容量な限流器へとつながる。
( 3 ) 電流リード
これまで、 電流リ一ドは室温から 4 Kレベルの間を銅製の電流リ一ドが使われ てきた。 しかし、 銅製の電流リードではジュール熱が大きく、 また外環境からの 熱流入も大きいため、 冷凍機冷却マグネットなどでは液体ヘリウム使用量の増大 や大型化などの問題が発生している。 そこで、 低損失で熱伝導が小さい超伝導電 流リードが期待されている。 しかしながら、 酸化物超伝導体の場合、 結晶粒界な どが存在すると特性が劣化してしまう。 上述の構成によれば、 結晶粒界の無いェ ピ夕キシャルな超伝導膜が全体にわたって均一に構成できるため、 低損失かつ熱 流入の少ない、 大電流にも対応可能な電流リ一ドの実現が可能である。
以上、 実施例に沿って本発明を説明したが、 本発明はこれらに限定されるもの ではない。例えば、 酸化物超伝導体、 支持基板、 誘電体ブロックとして他の物質 を用いてもよい。 その他、 種々の変更、 改良、 組合せが可能なことは当業者に自 明であろう。
以下、本発明の特徴を付記する。
(付記 1) (1) 内部導体と、
該内部導体の周囲を囲み、 断面が中空 4角形の各角部が除去された形状を有す る 4つの面を有し、 隣接する面間に λΖ4 (但し、 λは伝送する高周波の波長） 未満のスリツトが形成されている、 酸化物超伝導体で形成された外部導体と、 を有する超伝導体伝送線路。
(付記 2) 前記酸化物超伝導体は、 B i (Pb) -S r-Ca-Cu-O, Y-B a-Cu-O, RE-B a-Cu-O (RE： L a Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, E r, Tm, Yb, Lu) のいずれかである付記 1記載の超伝導体 伝送線路。
(付記 3 ) 前記外部導体が、 厚さ 0.5 m以上の酸化物超伝導体層で形 成されている付記 1または 2記載の超伝導体伝送線路。
(付記 4) (2) さらに、 前記内部導体と前記外部導体との間の領域に配 置された誘電体プロックを有する付記 1〜 3のいずれか 1項記載の超伝導体伝送 線路。
(付記 5) 前記誘電体ブロックは、酸化マグネシウム、ランタンアルミネー ト、 サフアイァのいずれかで形成されている付記 4記載の超伝導体伝送線路。
(付記 6) (3) 前記誘電体プロックが、 長手方向に延在する 4つの平坦 な外面を有し、 前記外部導体が前記 4つの平坦な外面上に形成されている付記 4 または 5記載の超伝導体伝送線路。
(付記 7) (4) 前記誘電体ブロックが、 長手方向に延在する 4つの平坦 な内壁を有する 4角柱形の内孔を有し、 前記内部導体が前記 4つの平坦な内壁上 に形成された 4つの面を有し、 隣接する面間に λ/4未満のスリットが形成さ れている、 酸化物超伝導体で形成されている付記 4〜 6のいずれか 1項記載の超 伝導体伝送線路。
(付記 8) 前記誘電体ブロックが、 長手方向に延在する円形断面の内孔を 有し、 前記内部導体が前記内孔に揷入されている付記 4〜 6のいずれか 1項記載 の超伝導体伝送線路。
(付記 9) (6) さらに、前記外部導体外面で、外部導体のそれぞれを支持 する支持部材を有する付記 1〜 3のいずれか 1項記載の超伝導体伝送線路。
(付記 10) 前記支持部材が酸化マグネシウム、 ランタンアルミネート、 サファイア、 酸化ストロンチウム、 酸化セリウム、 酸化チタン、 銀、 金、 ニッケ ル、 酸化ニッケル、 ニッケル合金のいずれかで形成されている付記 9記載の超伝 導体伝送線路。
(付記 11) (7) 前記内部導体が、 断面が中空 4角形の各角部が除去さ れた形状を有する 4つの面を有し、 隣接する面間に 久ノ4未満のスリットが形 成されている酸化物超伝導体で形成されている付記 10記載の超伝導体伝送線路。
(付記 12) (8) さらに、前記内部導体の内側に配置された 4角柱形の 内部誘電体プロックを有し、 内部導体の 4つの面が該内部誘電体プロックの外面 上に支持されている付記 11記載の超伝導体伝送線路。
(付記 13 ) 前記内部導体、外部導体が一定長さの共振器を構成する付記 1〜 12のいずれか 1項記載の超伝導体伝送線路。
(付記 14) (a) 断面 4角形の 4角柱状誘電体ブロックの外周面に酸化物 超伝導体層を形成する工程と、
( b ) 前記 4角柱状誘電体プロックの各角部をその上の酸化物超伝導体層と共 に除去し、 λ/4(但し、 λ は伝送する高周波の波長) 未満のスリットで分離さ れた 4層の酸化物超伝導体層を前記誘電体プロックの平坦な外周面上に残す工程 と、
を含む酸化物超伝導体伝送線路の製造方法。
(付記 15) 前記工程（a) が、 液相の酸化物超伝導体材料を前記誘電体ブ ロックの外周面に塗布する工程と、塗布した材料層を焼成する工程とを含む付記
14記載の酸化物超伝導体伝送線路の製造方法。
(付記 16) 前記工程（a)が、 前記誘電体ブロック上に酸化物超伝導体層を スパッタリング,蒸着のいずれかで形成する付記 14記載の酸化物超伝導体伝送 線路の製造方法。
(付記 17) 前記工程 （b) が、 前記酸化物超伝導体層と誘電体ブロック とを機械的に除去する付記 14〜 16のいずれか 1項記載の酸化物超伝導体伝送 線路の製造方法。
(付記 18) (a) 断面 4角形の各角部が λΖ4(但し > λ は伝送する高周 波の波長） 未満の幅で面取りされた 4角柱状誘電体プロックを準備する工程と、 外周面に酸化物超伝導体層を形成する工程と、
( b ) 前記 4角柱状誘電体プロックの平坦な外周面上に酸化物超伝導体材料層 を塗布する工程と、
(c) 塗布された酸化物超伝導体材料層を焼成する工程と、
を含む酸化物超伝導体伝送線路の製造方法。

Claims

請求の範囲
1 . 内部導体 、
該内部導体の周囲を囲み、 断面が中空 4角形の各角部が除去された形状を有す る 4つの面を有し、 隣接する面の端部間に λ / 4 (但し、 λは伝送する高周波の 波長） 未満のスリットが形成されている、 酸化物超伝導体で形成された外部導体 と、
を有する超伝導体伝送線路。
2 . さらに、 前記内部導体と前記外部導体との間の領域に配置された誘電体ブ ロックを有する請求項 1記載の超伝導体伝送線路。
3 . 前記誘電体ブロックが、 長手方向に延在する 4つの平坦な外面を有し、 前 記外部導体が前記 4つの平坦な外面上に形成されている請求項 2記載の超伝導体 伝送線路。
4. 前記誘電体ブロックが、 長手方向に延在する 4つの平坦な内壁を有する 4 角柱形の内孔を有し、 前記内部導体が前記 4つの平坦な内壁上に形成された 4つ の面を有し、 隣接する面間に λ / 4未満のスリットが形成されている、 酸化物 超伝導体で形成されている請求項 2または 3記載の超伝導体伝送線路。
5 . 前記誘電体ブロックが、 長手方向に延在する円形断面の内孔を有し、 前記 内部導体が前記内孔に揷入されている請求項 2又は 3記載の超伝導体伝送線路。
6 . さらに、前記外部導体外面で、外部導体のそれぞれを支持する支持部材を有 する請求項 1記載の超伝導体伝送線路。
7 . 前記内部導体が、 断面が中空 4角形の各角部が除去された形状を有する 4 つの面を有し、 隣接する面間に Λ Ζ 4未満のスリットが形成されている酸化物 超伝導体で形成されている請求項 6記載の超伝導体伝送線路。
8 . さらに、前記内部導体の内側に配置された 4角柱形の内部誘電体ブロック を有し、 内部導体の 4つの面が該内部誘電体プロックの外面上に支持されている 請求項 7記載の超伝導体伝送線路。
PCT/JP2003/002087 2003-02-25 2003-02-25 超伝導体伝送線路 WO2004077600A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB038257106A CN1317792C (zh) 2003-02-25 2003-02-25 超导体传输线路
JP2004568732A JP3795904B2 (ja) 2003-02-25 2003-02-25 超伝導体伝送線路
DE10393568T DE10393568B4 (de) 2003-02-25 2003-02-25 Supraleiter-Übertragungsleitung
PCT/JP2003/002087 WO2004077600A1 (ja) 2003-02-25 2003-02-25 超伝導体伝送線路
AU2003211712A AU2003211712A1 (en) 2003-02-25 2003-02-25 Superconductor transmission line
US11/203,956 US7263392B2 (en) 2003-02-25 2005-08-16 Superconductor transmission line having slits of less than λ /4

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2003/002087 WO2004077600A1 (ja) 2003-02-25 2003-02-25 超伝導体伝送線路

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/203,956 Continuation US7263392B2 (en) 2003-02-25 2005-08-16 Superconductor transmission line having slits of less than λ /4

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004077600A1 true WO2004077600A1 (ja) 2004-09-10

Family

ID=32923073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/002087 WO2004077600A1 (ja) 2003-02-25 2003-02-25 超伝導体伝送線路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7263392B2 (ja)
JP (1) JP3795904B2 (ja)
CN (1) CN1317792C (ja)
AU (1) AU2003211712A1 (ja)
DE (1) DE10393568B4 (ja)
WO (1) WO2004077600A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013517706A (ja) * 2010-01-15 2013-05-16 ディー−ウェイブ システムズ，インコーポレイテッド 超伝導集積回路のためのシステムおよび方法
WO2014002758A1 (ja) * 2012-06-29 2014-01-03 株式会社 村田製作所 伝送線路
US11423115B2 (en) 2014-03-12 2022-08-23 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for removing unwanted interactions in quantum devices
US11494683B2 (en) 2017-12-20 2022-11-08 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for coupling qubits in a quantum processor
US11526463B2 (en) 2004-12-23 2022-12-13 D-Wave Systems Inc. Analog processor comprising quantum devices
US11816536B2 (en) 2007-04-05 2023-11-14 1372934 B.C. Ltd Physical realizations of a universal adiabatic quantum computer

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006001162A1 (ja) * 2004-06-25 2006-01-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電気機械フィルタ
DE102014215780A1 (de) * 2014-08-08 2016-02-11 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung und Verfahren zur Kurzschlussstrombegrenzung mittels Supraleiter

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59132513A (ja) * 1983-01-18 1984-07-30 株式会社フジクラ 強制冷却型超電導線のセパレ−タの形成方法
JPS63245823A (ja) * 1987-03-31 1988-10-12 Toshiba Corp 超電導線
JPH11329106A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Idotai Tsushin Sentan Gijutsu Kenkyusho:Kk 同軸ケーブル

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3612742A (en) * 1969-02-19 1971-10-12 Gulf Oil Corp Alternating current superconductive transmission system
JPS6444104A (en) * 1987-08-12 1989-02-16 Nippon Telegraph & Telephone Superconduction cavity resonator and its manufacture
FR2658955B1 (fr) * 1990-02-26 1992-04-30 Commissariat Energie Atomique Resonateur coaxial a capacite d'accord repartie.
EP0646554A1 (de) * 1993-10-04 1995-04-05 Hoechst Aktiengesellschaft Massivteile aus Hochtemperatur-Supraleiter-Material
US6083883A (en) * 1996-04-26 2000-07-04 Illinois Superconductor Corporation Method of forming a dielectric and superconductor resonant structure
JP3465627B2 (ja) * 1999-04-28 2003-11-10 株式会社村田製作所 電子部品、誘電体共振器、誘電体フィルタ、デュプレクサ、通信機装置
JP4225661B2 (ja) 2000-01-28 2009-02-18 富士通株式会社 超伝導フィルタ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59132513A (ja) * 1983-01-18 1984-07-30 株式会社フジクラ 強制冷却型超電導線のセパレ−タの形成方法
JPS63245823A (ja) * 1987-03-31 1988-10-12 Toshiba Corp 超電導線
JPH11329106A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Idotai Tsushin Sentan Gijutsu Kenkyusho:Kk 同軸ケーブル

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11526463B2 (en) 2004-12-23 2022-12-13 D-Wave Systems Inc. Analog processor comprising quantum devices
US11816536B2 (en) 2007-04-05 2023-11-14 1372934 B.C. Ltd Physical realizations of a universal adiabatic quantum computer
JP2013517706A (ja) * 2010-01-15 2013-05-16 ディー−ウェイブ システムズ，インコーポレイテッド 超伝導集積回路のためのシステムおよび方法
US9355365B2 (en) 2010-01-15 2016-05-31 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for superconducting integrated circuits
WO2014002758A1 (ja) * 2012-06-29 2014-01-03 株式会社 村田製作所 伝送線路
JP5674076B2 (ja) * 2012-06-29 2015-02-25 株式会社村田製作所 伝送線路
JPWO2014002758A1 (ja) * 2012-06-29 2016-05-30 株式会社村田製作所 伝送線路
US9553347B2 (en) 2012-06-29 2017-01-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transmission line
US11423115B2 (en) 2014-03-12 2022-08-23 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for removing unwanted interactions in quantum devices
US11494683B2 (en) 2017-12-20 2022-11-08 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for coupling qubits in a quantum processor

Also Published As

Publication number Publication date
JP3795904B2 (ja) 2006-07-12
DE10393568T5 (de) 2005-09-01
JPWO2004077600A1 (ja) 2006-06-08
AU2003211712A1 (en) 2004-09-17
CN1317792C (zh) 2007-05-23
US20050272609A1 (en) 2005-12-08
US7263392B2 (en) 2007-08-28
CN1717836A (zh) 2006-01-04
DE10393568B4 (de) 2007-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7263392B2 (en) Superconductor transmission line having slits of less than λ /4
US6463308B1 (en) Tunable high Tc superconductive microwave devices
JP3463933B2 (ja) 高い性能の超伝導体−誘電共振器
US7981841B2 (en) Resistive type super conductive current-limiting device comprising a strip-shaped high-Tc-super conductive path
US5231078A (en) Thin film superconducting LC network
EP0359411B1 (en) High-frequency substrate material for thin-film layered perovskite superconductors
JP4359387B2 (ja) 高い臨界温度を持つ超伝導材料を備えた超伝導体とその製造方法並びにこの超伝導体を備えた電流制限装置
JPH08509103A (ja) 高温度超電導膜および強誘電性膜を含む同調可能マイクロ波装置
JPH08510882A (ja) 高温超伝導固形エレメント及び電気回路
JP2000500286A (ja) ハイブリッド高磁場超伝導磁石組立体とその製法
JP2011040378A (ja) 被覆導体
US5215959A (en) Devices comprised of discrete high-temperature superconductor chips disposed on a surface
US5110793A (en) Ultra high energy capacitors using intense magnetic field insulation produced by high-Tc superconducting elements for electrical energy storage and pulsed power applications
EP3167495B1 (en) Current limiter arrangement and method for manufacturing a current limiter arrangement
US20080108505A1 (en) Resistive Type Current-Limiting Apparatus with High-Tc Superconductor Track Formed in a Strip
JP4589698B2 (ja) 超電導バルク体
JPH10316421A (ja) 超電導導体
Findikoglu et al. Sr/sub 2/AlTaO/sub 6//YBa/sub 2/Cu/sub 3/O/sub 7/heterostructures for superconducting device applications
Chaloupka et al. New experimental results for microwave conductivity of high-T/sub c/superconductors and consequences for applications to linear devices
US7283855B2 (en) Dielectric waveguide having a 45° face and method of production thereof
JP3878562B2 (ja) 超電導素子
JP3766448B2 (ja) 超電導電流リード
JPH09275310A (ja) 超電導デバイス装置
JP3638435B2 (ja) 超電導フィルタモジュール
US5183970A (en) Oriented superconductors for AC power transmission

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004568732

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038257106

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11203956

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase
REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8607