JPH11329106A - 同軸ケーブル - Google Patents

同軸ケーブル

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JPH11329106A
JPH11329106A JP10138629A JP13862998A JPH11329106A JP H11329106 A JPH11329106 A JP H11329106A JP 10138629 A JP10138629 A JP 10138629A JP 13862998 A JP13862998 A JP 13862998A JP H11329106 A JPH11329106 A JP H11329106A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 誘電体と外部導体の形状を工夫して、誘電体
と外部導体の線膨張係数の差による温度変化時の悪影響
をなくし、電気的に優れた同軸ケーブルを提供する。 【解決手段】 円形断面の導体からなる内部導体11
と、内部導体11を取り囲んで支持するチューブ状の誘
電体12と、誘電体12の外周部に所定の膜厚で形成さ
れた被膜チューブ状の外部導体13と、を具備する同軸
ケーブルであって、外部導体13に、その長さ方向に延
びる切欠き13aを設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、同軸ケーブルに関
し、特に、外部導体を薄膜化した被膜同軸ケーブルに関
する。
【0002】
【従来の技術】一般に、映像信号等の伝送に帯域幅や信
頼性に優れた同軸ケーブルが多用され、また、高周波信
号を伝送する場合、外部導体を薄い膜状にした被膜同軸
ケーブルが使用されている。例えば移動体通信系の基地
局においては、アンテナで受けた微弱電波をバンドパス
フィルタを通して低雑音増幅器で増幅するが、そのフィ
ルタとして高温超伝導体を用いた高性能フィルタ(以
下、HTSフィルタという)に置き換える技術が開発さ
れ、そのHTSフィルタを低温真空容器内に設置すると
ともに、挿入損失が低く、熱流入を少なくすることので
きるインターフェースとして被膜同軸ケーブルが使用さ
れている。
【0003】従来のこの種の同軸ケーブルとしては、例
えば図5に示すようなものがある。この図5において、
1は、同軸ケーブルで、円形断面の導体線からなる内部
導体2と、内部導体2を取り囲んで支持するチューブ状
の誘電体3と、この誘電体3の外周に所定膜厚で形成さ
れた被膜チューブ状の外部導体4とを有している。な
お、この同軸ケーブル1における、内部導体2は、線膨
張係数が例えば1.21×10-5/Kの銀メッキ銅線
で、誘電体3は、線膨張係数が8.6×10-5/KのP
TFE(ポリ・テトラ・フルオロエチレン)からなり、
外部導体4は、線膨張係数が1.42×-5/Kの銅から
なっている。なお、ここでの線膨張係数は上記同軸ケー
ブルの仕様温度範囲(常温〜77K程度)における平均
の値である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
同軸ケーブル1にあっては、特に、誘電体3と外部導体
4の線膨張係数が大きく異なるにもかかわらず、外部導
体4が誘電体3の外周面を覆っていることから、低温真
空容器内に設置すると、誘電体3が大きく収縮して外部
導体4の弾性限界を越える過大な応力(降伏応力)が生
じてしまい、外部導体4が誘電体3から剥離したりし、
同軸ケーブルの電気的特性が低下するという問題があっ
た。
【0005】そこで、本発明は、上述のような過大な応
力が発生しないように外部導体の形状を工夫して、外部
導体が誘電体から剥離するのを防止し、電気的特性に優
れた同軸ケーブルを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、上記目的達成のため、円形断面の導体からなる内部
導体と、前記内部導体を取り囲んで支持するチューブ状
の誘電体と、前記誘電体の外周部に所定の膜厚で形成さ
れた被膜チューブ状の外部導体と、を具備する同軸ケー
ブルであって、前記外部導体に、その長さ方向に延びる
切欠きを設けたことを特徴とする。
【0007】このような構成によれば、低温環境に軸ケ
ーブルを設置しても、外部導体と誘電体の接合を維持し
つつ誘電体の径収縮を十分に許容することができる。し
たがって、外部導体の剥離や過大な応力の発生を防止
し、電気的特性に優れた同軸ケーブルを提供することが
できる。また、請求項2に記載の発明は、上記の構成に
加え、前記切欠きを複数設け、外部導体の円周方向にお
ける切欠きの間隔が等しくなっていることを特徴とす
る。
【0008】このような構成によれば、誘電体と外部導
体の接合面を複数分割することがで、誘電体と外部導体
の収縮差による歪みを分散させることにより、その歪み
による応力をより有効に抑えることができる。さらに、
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発明
の構成に加え、前記切欠きの内方に、前記誘電体がその
外周面から所定の深さの溝を有することを特徴とする。
【0009】このような構成によれば、誘電体を外部導
体との接合面を維持するよう適宜歪ませ、外部導体にお
ける過大な応力の発生や剥離を防止することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を図面に基づいて説明する。図1〜4は本発明に係る
同軸ケーブルの一実施形態を示す図である。図4におい
て、10は、高周波信号伝送用の被膜同軸ケーブルで、
この同軸ケーブル10の両端部のうち少なくとも一端に
は、コネクタ20が装着されており、他端は、所定の電
子デバイス、例えば図4に示すような超伝導デバイスに
接続されるようになっている。なお、同図において、2
1は高温超伝導体を用いたバンドパスフィルタ、22は
真空断熱容器、25は真空断熱容器22内に位置するそ
の冷却部23(コールドヘッド)を所定の低温(例えば
77K)に冷凍する小型冷凍機である。
【0011】図1において、同軸ケーブル10は、円形
断面の導体線からなる内部導体11と、内部導体11を
取り囲んで支持するチューブ状(管状)の絶縁体として
の誘電体12と、この誘電体12の外周に図3に示す所
定膜厚h1(例えば0.05mm)の薄膜化されたチュー
ブ状の外部導体13と、を有している。内部導体11
は、所定の外径(例えば0.08〜1.628mm)銀メ
ッキ銅覆鋼線で、その心線が所要の機械的強度を有して
いる。この内部導体11の所定の温度範囲(常温から冷
却部23の冷凍温度までの温度範囲)における平均値の
線膨張係数は、1.21×10-5/Kである。内部導体
11は、これに限定されず、銀メッキ銅線、銀メッキベ
リリウム銅線、錫メッキ銅覆鋼線、銀メッキ銅覆チタニ
ウム線等であってもよい。
【0012】誘電体12は、例えば前記平均の線膨張係
数が8.6×10-5/KのPTFE(ポリ・テトラ・フ
ルオロエチレン)からなり、所定の外径(例えば0.2
6〜5.31mm)に成形されている。この誘電体12の
材料(絶縁材料)は、これに限定されず、PE(ポリエ
チレン)、FEP(テトラフルオロエチレン-ヘキサフ
ルオロピエン)、PFA(テトラ・フルオロエチレン-
パーフルオロアルキルビニルエーテル)等であってもよ
い。
【0013】外部導体13は、例えば前記平均の線膨張
係数が1.42×10ー5/Kの銅(Cu)らなってい
る。この外部導体13の材料は、これに限定されず、金
(Au)、アルミニウム(Al)、ニッケル銅(Cu−
Ni)、ステンレス鋼(例えばSUS304)等であっ
てもよい。外部導体13は、図1、2に示すように、そ
の長さ方向に延びる複数の切欠き13aを有している。
これら切欠き13aは真空断熱容器22内に位置する外
部導体13にのみ、即ち、使用環境温度が小型冷凍機2
5による冷凍温度まで低下する範囲の同軸ケーブル10
に形成されており、真空断熱容器22外の同軸ケーブル
には形成されていない。この切欠き13aの数は、少な
くとも1つで、より多数であってもよい。また、切欠き
13aの幅h2(図3に示す)は、誘電体の収縮を吸収
するのに必要な間隔を形成し得る最小の値、例えば0.
01〜0.05mmが好ましい。また、切欠き13aは、
図2に示すように、外部導体13の円周方向における間
隔X(図2に示す)が等しくなるように設けられてい
る。なお、切欠き13aは、同軸ケーブル10の軸線と
完全に平行である必要がなく、螺旋状に緩く捻れた形状
であってもよい。また、複数の切欠き13aが同軸ケー
ブル10の長さ方向の一部に形成される場合も考えられ
る。また、多数のスリット状の切欠き13aを形成する
ことができるが、その場合、切欠き13aによって除去
される部分は、同軸ケーブル外周のうち最大20%以下
に抑えるのがよい。
【0014】12aは、図2に示すように、切欠き13
aの内方に形成された誘電体12の溝である。この溝1
2aは、誘電体12の外周面から所定の深さを有してい
る。また、溝12aは、切欠き13aと円周方向の同一
の位置に設けられている。また、溝12aは、切欠き1
3aと同一の幅h2(図3に示す)を有している。さら
に、溝12aは、切欠き13aに連続した凹部を形成
し、切欠き13a内に溝底面を有している。
【0015】このような構成によれば、低温環境に軸ケ
ーブル10を設置しても、外部導体13と誘電体12の
接合を維持しつつ誘電体12の径収縮を十分に許容する
ことができる。したがって、外部導体13の剥離や過大
な応力の発生を防止し、電気的特性に優れた同軸ケーブ
ル10を提供することができる。また、切欠き13a
を、図2に示すように、外部導体13の円周方向におけ
る切欠き13aの間隔Xが等しくなるように設けたた
め、誘電体12と外部導体13の接合面を複数分割する
ことで、誘電体12と外部導体13の収縮差による歪み
を分散させることにより、その歪みによる応力をより有
効に抑えることができる。
【0016】さらに、溝12aを設けたことにより、誘
電体12を外部導体13との接合面を維持するよう適宜
歪ませ、外部導体13における過大な応力の発生や剥離
を防止することができる。
【0017】
【実施例】内部導体11の外径寸法が1.05mm、誘電
体12の外径寸法が2.98mm、外部導体13の膜厚h
1(図3に示す)が0.005mm、の同軸ケーブルを準
備し、切欠き13aの数と溝12aの深さを変えた実施
例1〜4を作製し、これらについて、低温時に外部導体
13に生じるvon Mises応力(kg/mm2)とそれに対応す
る相当塑性歪みのデータを求め、下記に示す。この表に
おいて、VMは、von Mises応力(kg/mm2)を示し、E
PSは、相当塑性歪みを示す。また、表中におけるθ
は、図2に示すように、隣合う切欠き13aの同軸ケー
ブル10の中心点Oにおける角度であり、切欠き13a
の個数に反比例する。比較例は、切欠き13aを有して
いない同軸ケーブル(従来の同軸ケーブル1)であり、
実施例1はθ=60°で、切欠き13aを等間隔に6本
有する同軸ケーブル、実施例2はθ=30°で切欠き1
3aを等間隔に12本有するもの、実施例3はθ=15
°で切欠き13aを等間隔に24本、実施例4はθ=1
0°で切欠き13aを36本有するものである。また、
この表において、F(mm)は、誘電体12を切り込んだ
溝12aの深さh3(図3に示す)を示している。
【0018】この表から明らかなように、切欠きを有し
ていない比較例の同軸ケーブルで、von Mises応力が1
9.26kg/mm2で、相当塑性歪みが、0.01541
となるとき、誘電体12の溝12aの深さを0とした場
合の実施例1〜4では、von Mises応力、相当塑性歪み
共に比較例より小さい値となっている。また、各実施例
で溝12aの深さを0.01〜0.05mmへと深くする
のに従って、von Mises応力および相当塑性歪みが共に
小さくなっている。
【0019】したがって、誘電体12の収縮によって外
部導体13に過大な応力が生じるのを防止することがで
きる。実施例1〜4について、低温時の電気的特性を調
べたところ、いずれも良好であった。 (以下余白)
【0020】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、低温環境
に軸ケーブルを設置しても、外部導体と誘電体の接合を
維持しつつ誘電体の径収縮を十分に許容することができ
る。したがって、外部導体の剥離や過大な応力の発生を
防止し、電気的特性に優れた同軸ケーブルを提供するこ
とができる。
【0021】また、請求項2に記載の発明によれば、誘
電体と外部導体の接合面を複数分割することで、誘電体
と外部導体の収縮差による歪みを分散させることによ
り、その歪みによる応力をより有効に抑えることができ
る。さらに、請求項3に記載の発明によれば、誘電体を
外部導体との接合面を維持するよう適宜歪ませ、外部導
体における過大な応力の発生や剥離を防止することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る同軸ケーブルの一実施形態の概略
構成を示す斜視図である。
【図2】図1の同軸ケーブルの横断面図である。
【図3】図1の同軸ケーブルの切欠きの近傍を示す断面
図である。
【図4】本実施形態の同軸ケーブルを用いた超伝導デバ
イスの概略構成図である。
【図5】従来の同軸ケーブルの概略構成を示す斜視図で
ある。
【符号の説明】
10 同軸ケーブル 11 内部導体 12 誘電体 12a 溝 13 外部導体 13a 切欠き
【手続補正書】
【提出日】平成11年3月17日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0006
【補正方法】変更
【補正内容】
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、上記目的達成のため、円形断面の導体からなる内部
導体と、前記内部導体を取り囲んで支持するチューブ状
の誘電体と、前記誘電体の外周部に所定の膜厚で形成さ
れた被膜チューブ状の外部導体と、を具備する同軸ケー
ブルであって、前記外部導体の長さ方向に延びるととも
に前記外部導体の円周方向に等間隔に離間し、前記誘電
体と外部導体の接合面を微小間隔を隔てて複数に分割す
る複数の切欠きを設けたことを特徴とする。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】このような構成によれば、誘電体と外部導
体の接合面が周方向に微小間隔で離間するよう複数に分
割されることから、低温環境に同軸ケーブルを設置して
も、前記接合面における誘電体と外部導体の収縮差によ
る歪みを分散させて、外部導体と誘電体の良好な接合状
態を維持しつつ誘電体の径収縮を十分に許容することが
できる。したがって、外部導体の剥離や過大な応力の発
生を防止し、電気的特性に優れた同軸ケーブルを提供す
ることができる。また、その歪みによる応力をより有効
に抑えることができる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】また、請求項2に記載の発明は、前記誘電
体が、前記外部導体の円周方向で前記切欠きと同一の位
置に、前記切欠きと同一の幅を有し前記誘電体と外部導
体の接合面を複数に分割する複数の溝を有するものであ
り、このような構成によれば、誘電体と外部導体との接
合面を維持するよう誘電体側を適宜歪ませて、外部導体
における過大な応力の発生や剥離をより有効に防止する
ことが可能になる。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】さらに、請求項3に記載の発明は、上記請
求項1又は2に記載の同軸ケーブルと、該同軸ケーブル
を収納する真空断熱容器と、該真空断熱容器内に設置さ
れ前記同軸ケーブルを介して該真空断熱容器の外部に接
続可能な超伝導フィルタと、前記真空断熱容器内に位置
する冷却部を有し該冷却部により前記超伝導フィルタを
冷却する小型冷凍機と、を備えたことを特徴とするもの
であり、かかる構成により、低温で動作する超伝導フィ
ルタに接続される被膜同軸ケーブルであっても、その誘
電体と外部導体の収縮差に基づく両者の歪みを有効に分
散させて不要な応力の発生を抑え、同軸ケーブルの所要
の高周波伝送特性を良好に発揮させることができる。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】このような構成によれば、低温環境に同軸
ケーブル10を設置しても、外部導体13と誘電体12
の接合を維持しつつ誘電体12の径収縮を十分に許容す
ることができる。したがって、外部導体13の剥離や過
大な応力の発生を防止し、電気的特性に優れた同軸ケー
ブル10を提供することができる。また、切欠き13a
を、図2に示すように、外部導体13の円周方向におけ
る切欠き13aの間隔Xが等しくなるように設けたた
め、誘電体12と外部導体13の接合面を複数分割する
ことで、誘電体12と外部導体13の収縮差による歪み
を分散させることにより、その歪みによる応力をより有
効に抑えることができる。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、誘電体と
外部導体の接合面を周方向に微小間隔で離間するよう複
数分割しているので、誘電体と外部導体の収縮差による
歪みを分散させ、その歪みによる応力をより有効に抑え
ることができる。その結果、低温環境に同軸ケーブルを
設置しても、外部導体と誘電体の接合を良好に維持しつ
つ誘電体の径収縮を十分に許容することができる。した
がって、外部導体の剥離や過大な応力の発生を防止し、
電気的特性に優れた同軸ケーブルを提供することができ
る。また、請求項2に記載の発明によれば、誘電体を、
外部導体との接合面を維持するよう適宜歪ませ、外部導
体における過大な応力の発生や剥離をより有効に防止す
ることができる。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】さらに、請求項3に記載の発明によれば、
低温環境で動作する超伝導フィルタに接続される被膜同
軸ケーブルであっても、その誘電体と外部導体の収縮差
に基づく両者の歪みを有効に分散させ、不要な応力の発
生を抑えて、同軸ケーブルの所要の高周波伝送特性を良
好に発揮させることができる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】円形断面の導体からなる内部導体と、 前記内部導体を取り囲んで支持するチューブ状の誘電体
    と、 前記誘電体の外周部に所定の膜厚で形成された被膜チュ
    ーブ状の外部導体と、 を具備する同軸ケーブルであって、 前記外部導体に、その長さ方向に延びる切欠きを設けた
    ことを特徴とする同軸ケーブル。
  2. 【請求項2】前記切欠きを複数設け、外部導体の円周方
    向における切欠きの間隔が等しくなっていることを特徴
    とする請求項1に記載の同軸ケーブル。
  3. 【請求項3】前記切欠きの内方に、前記誘電体がその外
    周面から所定の深さの溝を有することを特徴とする請求
    項1又は2に記載の同軸ケーブル。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004077600A1 (ja) * 2003-02-25 2004-09-10 Fujitsu Limited 超伝導体伝送線路
KR101213775B1 (ko) 2005-04-27 2012-12-18 넥쌍 초전도체 케이블

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KR101213775B1 (ko) 2005-04-27 2012-12-18 넥쌍 초전도체 케이블

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