JPWO2019235558A1 - 多層基板、電子機器および多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

多層基板（１０１）は、積層体（１０）と、信号線（第１信号線（３１）および第２信号線（３２））と、グランド導体（第１グランド導体（４１）および第２グランド導体（４２））と、複数の層間接続導体とを備える。信号線は、伝送方向（Ｘ軸方向）に沿って延伸し、互いに並走する並走部を有する。グランド導体は、信号線を積層方向（Ｚ軸方向）に挟むように配置される。グランド導体は、積層方向から視て、信号線間に配置される第１開口（Ｈ１０）および第３開口（Ｈ３０）と、積層方向から視て、並走部よりも伝送方向に直交する幅方向（Ｙ軸方向）の外側に配置される第２開口（Ｈ２１，Ｈ２２）および第４開口（Ｈ４１，Ｈ４２）とを有する。複数の層間接続導体は伝送方向に配列され、且つ、少なくとも信号線間に配置される。

Description

本発明は、複数の基材層を積層してなる積層体に、複数の伝送線路が設けられた多層基板、上記多層基板を備える電子機器、および上記多層基板の製造方法に関する。

従来、複数の基材層を積層してなる積層体に、複数の伝送線路が設けられた多層基板が知られている。

例えば、特許文献１には、積層体と、積層体に形成された導体パターン（第１基準グランド導体、第２基準グランド導体、第１信号線、第２信号線、第１補助グランド導体および第２補助グランド導体）と、を備えた多層基板が示されている。上記多層基板では、第１信号線と、この第１信号線を積層方向に挟む第１基準グランド導体および第１補助グランド導体と、を含んだ第１伝送線路が構成されており、第２信号線と、この第２信号線を積層方向に挟む第２基準グランド導体および第２補助グランド導体と、を含んだ第２伝送線路が構成されている。

上記多層基板では、伝送線路ごとにそれぞれ独立したグランド導体が設けられ、隣り合う伝送線路のグランド導体が分離されている。この構成により、伝送線路間のアイソレーションが確保され、複数の信号線間のクロストークが抑制される。また、上記多層基板では、伝送線路のインピーダンスを調整するため、補助グランド導体のうち平面視で信号線に重なる部分に開口が形成されている。

国際公開第２０１４／１１５６０７号

しかし、信号線が平面視で補助グランド導体の開口に重なる場合、基材層の積みずれ等によって上記開口の位置にずれが生じたときに、伝送線路のインピーダンスが大きく変動してしまう虞がある。

本発明の目的は、開口が形成されたグランド導体を備える構成において、信号線間のクロストークを抑制しつつ、積みずれ等に起因する伝送線路のインピーダンスの変動を抑制した多層基板、およびその多層基板を備える電子機器を提供することにある。

本発明の多層基板は、
複数の基材層を積層してなる積層体と、
前記積層体に形成され、伝送方向に沿って延伸し、互いに並走する並走部を有する第１信号線および第２信号線と、
前記積層体に形成され、前記第１信号線および前記第２信号線を前記複数の基材層の積層方向に挟むように配置される、第１グランド導体および第２グランド導体と、
前記積層体に形成され、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続する複数の層間接続導体と、
を備え、
前記複数の層間接続導体は、前記伝送方向に配列され、且つ、少なくとも前記並走部における前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置され、
前記第１グランド導体は、第１開口および第２開口を有し、
前記第２グランド導体は、第３開口および第４開口を有し、
前記第１開口および前記第３開口は、前記並走部に沿って連続的に延伸する開口であり、前記積層方向から視て、前記並走部における前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置され、
前記第２開口および前記第４開口は、前記並走部よりも、前記伝送方向に直交する幅方向の外側に配置されることを特徴とする。

この構成によれば、グランド導体の開口が、積層方向から視て、信号線に重ならない位置に形成されているため、積層体を形成する際に複数の基材層の積みずれ等が生じた場合でも、信号線とグランド導体との間に生じる容量の大きな変動が抑制される。そのため、伝送線路の特性インピーダンスの変動が効果的に抑制される（特性インピーダンスの連続性が保たれる）。

また、この構成によれば、一方の信号線から生じた電磁波が、第１開口および第３開口から外部に放射されるため、隣り合う信号線間のグランド導体を介した結合が抑制される。つまり、この構成により、伝送線路間（第１信号線、第１グランド導体および第２グランド導体を含んで構成される第１伝送線路と、第２信号線、第１グランド導体および第２グランド導体を含んで構成される第２伝送線路との間）のアイソレーションが高まり、信号線間のクロストークが抑制される。

本発明における多層基板の製造方法は、
伝送方向に沿って延伸し、互いに並走する並走部を有する第１信号線および第２信号線、第１グランド導体および第２グランド導体を複数の基材層のいずれかに形成する、導体形成工程と、
前記伝送方向に延伸する第１開口と第２開口とを前記第１グランド導体に形成し、前記伝送方向に延伸する第３開口と第４開口とを前記第２グランド導体に形成する、開口形成工程と、
前記導体形成工程および前記開口形成工程の後に、前記第１信号線および前記第２信号線を、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とで挟むように前記複数の基材層を積層し、積層した前記複数の基材層を加熱プレスすることによって積層体を形成する、積層体形成工程と、
前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続し、前記伝送方向に配列される複数の層間接続導体を、前記複数の基材層のいずれかに形成する、層間導体形成工程と、
を備え、
前記第１開口および前記第３開口を、前記積層方向から視て、前記並走部における前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置し、
前記第２開口および前記第４開口を、前記並走部よりも前記伝送方向に直交する幅方向の外側に配置し、
前記複数の層間接続導体の少なくとも一部を、前記並走部における前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置することを特徴とする。

この製造方法によれば、信号線間のクロストークを抑制しつつ、積みずれ等に起因する伝送線路のインピーダンスの変動を抑制した多層基板を容易に製造できる。

本発明によれば、開口が形成されたグランド導体を備える構成において、信号線間のクロストークを抑制しつつ、積みずれ等に起因する伝送線路のインピーダンスの変動を抑制した多層基板、およびその多層基板を備える電子機器を実現できる。

図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の外観斜視図である。 図２は、多層基板１０１の分解平面図である。 図３は、図１におけるＡ−Ａ断面図である。 図４は、多層基板１０１の平面図である。 図５（Ａ）は多層基板１０１の線路部ＴＬの拡大平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。 図６は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す斜視図である。 図７は、多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。 図８は、第１の実施形態の変形例である多層基板１０１Ａの分解平面図である。 図９は、多層基板１０１Ａの平面図である。 図１０は、第２の実施形態に係る多層基板１０２の外観斜視図である。 図１１は、多層基板１０２の分解平面図である。 図１２は、第３の実施形態に係る多層基板１０３の線路部の断面図である。 図１３は、多層基板１０３の製造工程を順に示す断面図である。 図１４（Ａ）は第４の実施形態に係る多層基板１０４Ａの線路部の断面図であり、図１４（Ｂ）は第４の実施形態に係る別の多層基板１０４Ｂの線路部の断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の外観斜視図である。図２は、多層基板１０１の分解平面図である。図３は、図１におけるＡ−Ａ断面図である。図４は、多層基板１０１の平面図である。図５（Ａ）は多層基板１０１の線路部ＴＬの拡大平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。図２では、構造を分かりやすくするため、第１信号線３１および第２信号線３２の並走部ＳＰをハッチングで示している。また、図４および図５（Ａ）では、保護層１を図示省略している。

本実施形態に係る多層基板１０１は、後に詳述するように、例えば回路基板上に面実装され、ＳＨＦ帯またはＥＨＦ帯の使用周波数帯で用いられる電子部品である。多層基板１０１は、第１接続部ＣＮ１と、第２接続部ＣＮ２と、線路部ＴＬとを有する。第１接続部ＣＮ１には、図１に示す上面に外部電極Ｐ１，Ｐ３が露出しており、第２接続部ＣＮ２には、図１に示す上面に外部電極Ｐ２，Ｐ４が露出している。線路部ＴＬには、後に詳述するように、第１接続部ＣＮ１と第２接続部ＣＮ２との間を繋ぐストリップライン型の伝送線路（第１伝送線路および第２伝送線路）が構成されている。

多層基板１０１は、積層体１０、第１信号線３１、第２信号線３２、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、複数の補助グランド導体５１，５２，６１，６２、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４、複数の層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ、Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂ、保護層１等を備える。外部電極Ｐ１，Ｐ２は本発明の「第１外部電極」に相当し、外部電極Ｐ３，Ｐ４は本発明の「第２外部電極」に相当する。また、層間接続導体Ｖ１〜Ｖ４は、本発明の「信号層間接続導体」の一例である。

積層体１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板であり、互いに対向する第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２を有する。第１信号線３１、第２信号線３２、第２グランド導体４２、補助グランド導体５１，５２，６１，６２および複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂは、積層体１０の内部に形成され、第１グランド導体４１および外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、積層体１０の第１主面Ｓ１に形成されている。また、保護層１は、積層体１０の第１主面Ｓ１に形成されている。

積層体１０は、熱可塑性樹脂を主材料とする複数の基材層１３，１２，１１をこの順に積層して形成される。複数の基材層１１，１２，１３は、それぞれ可撓性を有し、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。複数の基材層１１，１２，１３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とするシートである。

基材層１１の表面には、第１グランド導体４１および外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が形成されている。第１グランド導体４１は、基材層１１の表面の略全面に形成される導体パターンである。外部電極Ｐ１，Ｐ３は、基材層１１の第１端（図２における基材層１１の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。外部電極Ｐ２，Ｐ４は、基材層１１の第２端（図２における基材層１１の右端）付近に形成される矩形の導体パターンである。第１グランド導体４１および外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、第１グランド導体４１は、第１開口Ｈ１０および第２開口Ｈ２１，Ｈ２２を有する。第１開口Ｈ１０および第２開口Ｈ２１，Ｈ２２は、伝送方向（Ｘ軸方向）に沿って延伸する貫通孔（導体非形成部）である。第２開口Ｈ２２、第１開口Ｈ１０および第２開口Ｈ２１は、幅方向（＋Ｙ方向）にこの順に配置されている。

さらに、基材層１１には、複数の層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１ａ，Ｖ１２ａ，Ｖ２１ａ，Ｖ２２ａが形成されている。層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１２ａ，Ｖ２１ａ，Ｖ２２ａは、それぞれ伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１ａ，Ｖ１２ａ，Ｖ２１ａ，Ｖ２２ａは、例えば基材層に設けた貫通孔に、Ｃｕ，Ｓｎのうち１以上の金属もしくはそれらの合金の金属粉と樹脂成分を含む導電性ペーストを配設した後、積層プロセスにおける加熱プレス処理により固化させることにより設けられたビア導体である。

基材層１２の表面には、第１信号線３１、第２信号線３２および複数の補助グランド導体５１，５２，６１，６２が形成されている。第１信号線３１および第２信号線３２は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンであり、互いに並走する並走部ＳＰを有する。本実施形態では、図２に示すように、第１信号線３１および第２信号線３２の全体が並走部ＳＰに相当する。補助グランド導体５１，５２，６１，６２は、それぞれ伝送方向に配列される矩形の導体パターンである。第１信号線３１、第２信号線３２および複数の補助グランド導体５１，５２，６１，６２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、基材層１２には、複数の層間接続導体Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ｂが形成されている。層間接続導体Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ｂは、それぞれ伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。層間接続導体Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ｂは、例えば基材層に設けた貫通孔に、Ｃｕ，Ｓｎのうち１以上の金属もしくはそれらの合金の金属粉と樹脂成分を含む導電性ペーストを配設した後、積層プロセスにおける加熱プレス処理により固化させることにより設けられたビア導体である。

基材層１３の表面には、第２グランド導体４２が形成されている。第２グランド導体は、基材層１３の表面の略全面に形成される導体パターンである。第２グランド導体４２は、第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２を有する。第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２は、伝送方向（Ｘ軸方向）に沿って延伸する貫通孔（導体非形成部）である。第４開口Ｈ４２、第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１は、幅方向（＋Ｙ方向）にこの順に配置されている。第２グランド導体４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

保護層１は、平面形状が基材層１１と略同じであり、基材層１１の表面に積層される保護膜である。保護層１は、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の位置に応じた位置にそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３，ＡＰ４を有する。そのため、基材層１１の表面（積層体１０の第１主面Ｓ１）に保護層１が形成されることにより、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が外部に露出する。保護層１は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、エポキシ樹脂膜等である。

外部電極Ｐ１は、積層方向（Ｚ軸方向）から視て、第１信号線３１の第１端に重なっており、層間接続導体Ｖ１を介して第１信号線３１の第１端に接続される。外部電極Ｐ２は、積層方向から視て、第１信号線３１の第２端に重なっており、層間接続導体Ｖ２を介して第１信号線３１の第２端に接続される。外部電極Ｐ３は、積層方向から視て、第２信号線３２の第１端に重なっており、層間接続導体Ｖ３を介して第２信号線３２の第１端に接続される。外部電極Ｐ４は、積層方向から視て、第２信号線３２の第２端に重なっており、層間接続導体Ｖ４を介して第２信号線３２の第２端に接続される。

図３等に示すように、第１グランド導体４１および第２グランド導体４２は、第１信号線３１および第２信号線３２を複数の基材層１１，１２，１３の積層方向（Ｚ軸方向）に挟むように配置されている。本実施形態では、第１信号線３１、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、第１信号線３１および第１グランド導体４１で挟まれる基材層１１、第１信号線３１および第２グランド導体４２で挟まれる基材層１２を含んで、ストリップライン型の第１伝送線路が構成される。また、本実施形態では、第２信号線３２、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、第２信号線３２および第１グランド導体４１で挟まれる基材層１１、第２信号線３２および第２グランド導体４２で挟まれる基材層１２を含んで、ストリップライン型の第２伝送線路が構成される。

複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂは、第１グランド導体４１と第２グランド導体４２とを接続している。具体的には、第１グランド導体４１は、補助グランド導体５１および層間接続導体Ｖ１１ａ、Ｖ１１ｂを介して、第２グランド導体４２に接続されている。第１グランド導体４１は、補助グランド導体５２および層間接続導体Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂを介して、第２グランド導体４２に接続される。第１グランド導体４１は、補助グランド導体６１および層間接続導体Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂを介して、第２グランド導体４２に接続される。また、第１グランド導体４１は、補助グランド導体６２および層間接続導体Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂを介して、第２グランド導体４２に接続される。上記層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂの直径は、例えば１００μｍ〜１５０μｍである。

図３および図４等に示すように、複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ、および複数の補助グランド導体５１，５２は、並走部における第１信号線３１と第２信号線３２との間に配置されている。また、層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂおよび補助グランド導体５１，６１は、第１信号線３１を幅方向（Ｙ軸方向）に挟むように配置されており、層間接続導体Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂおよび補助グランド導体５２，６２は、第２信号線３２を幅方向に挟むように配置されている。

第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０は、並走部（第１信号線３１および第２信号線３２）に沿って延伸し、積層方向（Ｚ軸方向）から視て、並走部における第１信号線３１と第２信号線３２との間に配置されている。また、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２は、並走部よりも幅方向（Ｙ軸方向）の外側に配置されている。

また、グランド導体の開口（第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０または第４開口Ｈ４１，Ｈ４２）は、積層方向（Ｚ軸方向）から視て、信号線（第１信号線３１または第２信号線３２）に重ならない位置に形成されている。

本実施形態では、第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２の伝送方向（Ｘ軸方向）の長さＬ１が、いずれも使用周波数帯の波長λ以上である（Ｌ１≧λ）。また、本実施形態では、第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０または第４開口Ｈ４１，Ｈ４２の幅Ｗ１が、使用周波数帯の波長λの１／１０以下である（Ｗ１≦λ／１０）。

また、伝送方向（Ｘ軸方向）に配列された複数の層間接続導体（層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂ）同士の間隔Ｄ３は、使用周波数帯の波長λの１／１０以下である（Ｄ３≦λ／１０）。

さらに、本実施形態では、グランド導体の開口（第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０または第４開口Ｈ４１，Ｈ４２のいずれか）と信号線（第１信号線３１または第２信号線３２）との間隔Ｄ１が、使用周波数帯の波長λの１／１０以下である（Ｄ１≦λ／１０）。また、グランド導体の開口（第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０または第４開口Ｈ４１，Ｈ４２のいずれか）と複数の層間接続導体（Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂのいずれか）との間隔Ｄ２は、使用周波数帯の波長λの１／１０以下である（Ｄ２≦λ／１０）。

多層基板１０１は例えば次のように用いられる。図６は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す斜視図である。

電子機器３０１は、多層基板１０１、回路基板２０１および部品７１，７２，７３，７４等を備える。回路基板２０１は例えばガラス／エポキシ基板である。部品７１，７２，７３，７４は、例えばチップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品、ＲＦＩＣ素子またはインピーダンス整合回路等である。

多層基板１０１および部品７１，７２，７３，７４は、回路基板２０１の上面ＰＳ１に面実装される。多層基板１０１の外部電極（不図示）は、回路基板２０１の上面ＰＳ１に形成されたランド（不図示）に直接はんだ付けされる。また、部品７１，７２，７３，７４は、回路基板２０１の上面ＰＳ１に形成されたランド（不図示）にそれぞれ直接はんだ付けされる。なお、電子機器３０１は、上記以外の構成も備えるが、図６では図示省略している。

本実施形態に係る多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、グランド導体の開口（第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０または第４開口Ｈ４１，Ｈ４２）が、積層方向（Ｚ軸方向）から視て、信号線（第１信号線３１または第２信号線３２）に重ならない位置に形成されている。そのため、積層体１０を形成する際に複数の基材層１１，１２，１３の積みずれ等が生じた場合でも、信号線とグランド導体との間に生じる容量の大きな変動は抑制され、伝送線路の特性インピーダンスの変動が効果的に抑制される（特性インピーダンスの連続性が保たれる）。

（ｂ）また、本実施形態では、並走部（第１信号線３１および第２信号線３２）に沿って延伸する第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０が、積層方向（Ｚ軸方向）から視て、第１信号線３１と第２信号線３２との間に配置されている。この構成によれば、一方の信号線から生じた電磁波が、第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０から外部に放射されるため、隣り合う信号線間のグランド導体を介した結合が抑制される。図３に示すように、グランド導体４１，４２にそれぞれ形成される第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０は、平面視で（Ｚ軸方向から視て）、隣り合う信号線（第１信号線３１および第２信号線３２）間に配置された層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂと層間接続導体Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂとの間に配置されることが好ましい。これにより、一方の信号線から生じた電磁波が、第１開口Ｈ１０または第３開口Ｈ３０から外部に放射されるため、グランド導体４１，４２に接続された層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂやグランド導体４１，４２を介する、隣り合う信号線間の結合は抑制される。つまり、この構成により、伝送線路間（第１伝送線路と第２伝送線路との間）のアイソレーションが高まり、信号線間のクロストークが抑制される。特に、ＥＨＦ帯（ミリ波）の電磁波は、狭く小さな開口からでも放射されやすいため、上記構成により、伝送線路間のアイソレーションが高まる。

また、図４に示すように、第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０は、外部電極Ｐ１，Ｐ３間または外部電極Ｐ２，Ｐ４間の少なくとも一方に配置されることが好ましい。この構成によれば、第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０が、信号線３１，３２にそれぞれ接続される外部電極Ｐ１，Ｐ３間（または外部電極Ｐ２，Ｐ４間）に配置される。つまり、第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０は、第１信号線３１および外部電極に接続される層間接続導体と、第２信号線３２および外部電極に接続される層間接続導体との間に配置されている。そのため、伝送線路間のアイソレーションがさらに高まる。

（ｃ）また、本実施形態では、積層方向（Ｚ軸方向）から視て、信号線（第１信号線３１および第２信号線３２）の近傍に開口（第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０または第４開口Ｈ４１，Ｈ４２）が形成されている。この構成によれば、信号線とグランド導体との間に形成される容量を小さくできる。そのため、信号線とグランド導体とをより近接して配置でき、積層方向の厚みが薄い多層基板を実現できる。または、信号線とグランド導体との間に形成される容量が同じ場合でも、信号線の線幅を広くできるため、伝送線路の導体損失が小さな多層基板を実現できる。

（ｄ）本実施形態では、グランド導体に開口が設けられているが、伝送線路ごとにそれぞれ独立したグランド導体を設ける構成ではない。そのため、伝送線路ごとに異なるグランド導体を設ける場合と比べて、グランド導体の面積が大きくなり、グランド電位が安定化する。

（ｅ）本実施形態では、第１グランド導体４１および第２グランド導体４２が、複数の補助グランド導体５１，５２，６１，６２および複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂを介して接続されている。そのため、積層方向に信号線を挟む第１グランド導体４１および第２グランド導体４２のグランド電位が安定化されて、伝送線路の電気的特性が安定化する。

（ｆ）本実施形態では、伝送方向（Ｘ軸方向）に配列された複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ、および複数の補助グランド導体５１，５２，６１，６２が、並走部における第１信号線３１と第２信号線３２との間に配置されているため、伝送線路間のアイソレーションを高めることができる。

（ｇ）また、本実施形態では、層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂおよび補助グランド導体５１，６１が、第１信号線３１を幅方向（Ｙ軸方向）に挟むように配置され、層間接続導体Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂおよび補助グランド導体５２，６２が、第２信号線３２を幅方向に挟むように配置されている。この構成により、伝送線路間のアイソレーションをさらに高めることができる。

（ｈ）多層基板を構成する複数の基材層が樹脂材料からなる場合、所定の温度以上の熱を受けると、その一部が熱分解され、ＣＯ_２等の気体および水を生じる。また、酸化した導体パターンが熱により還元反応を起こして生じる酸素と、樹脂中の炭素とが酸化反応してＣＯ_２を生じる。更に積層体の構成要素が、その製造過程において吸湿する。このような気体および水を多層基板中に残したまま、多層基板を加熱すると、ガス（気体や蒸気）が膨張し、層間剥離（デラミネーション）が発生する。そのため、通常は、多層基板の製造時に、減圧下において加熱プレスを実施して、所定の予熱工程を設けることで加熱プレス中にガスを積層体外へ排出させている。

なお、多層基板が、面積の大きな金属パターンを有していると、ガスはこの導体パターン（金属パターン）を透過できない。従って、ガスの生じた場所によっては、多層基板外へのガスの排出経路が、導体パターンを有さない場合よりも長くなって、多層基板内にガスが残留する虞がある。一方、本実施形態では、グランド導体に複数の開口（第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２）が設けられているため、多層基板の加熱時に内部に生じるガスが、これらの開口を通じて短い排出経路を通って排出される。すなわち、この構成によれば、多層基板内に残留するガス量が低減され、加熱時（多層基板の製造段階、使用段階での加熱時）における多層基板の層間剥離が低減され、伝送線路の特性インピーダンスの均一性が保たれる。また、ガスの残留に起因する多層基板の表面の凹凸や湾曲の発生が抑制され、多層基板の平坦性が高まるため、多層基板の回路基板等への実装性が高まる。

（ｉ）本実施形態では、第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０が、いずれも並走部に沿って連続的に伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する貫通孔である。この構成により、第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０の分布に偏りが少なく、ガス抜き効果が面方向で均一となりやすい。すなわち、局地的にガスが残留し難いため、層間剥離の抑制効果が高まる。

（ｊ）本実施形態では、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２が、いずれも並走部に沿って連続的に伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する貫通孔である。第２開口および第４開口が伝送方向に沿った断続的な貫通孔の場合には、積みずれ等が生じた場合にグランド導体と信号線との間に生じる容量が変化しやすくなる。一方、この構成によれば、積みずれ等による伝送線路の特性インピーダンスの大幅な変動を抑制した多層基板を実現できる。また、この構成によれば、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２の分布に偏りが少なく、ガス抜き効果が面方向でさらに均一になりやすい。すなわち、局地的にガスがさらに残留し難くなり、層間剥離の抑制効果がさらに高まる。さらに、この構成によれば、第２開口および第４開口が伝送方向に断続的な貫通孔である場合と比べて、一方の信号線から生じた電磁波が、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２から外部に放射されやすい。つまり、この構成により、伝送線路間のアイソレーションがさらに高まり、信号線間のクロストークがさらに抑制される。

なお、第２開口および第４開口の数は複数であってもよく、複数の第２開口および複数の第４開口が、並走部に沿って配列される構成でもよい。但し、上述した作用効果（上記（ｊ）参照）の点で、第２開口および第４開口は、並走部に沿って伝送方向に延伸する構成が好ましい。

（ｋ）本実施形態では、積層体１０が、熱可塑性樹脂を主材料とする複数の基材層１１，１２，１３を積層して形成される。この構成によれば、後に詳述するように、積層した複数の基材層１１，１２，１３を加熱プレス（一括プレス）することにより、積層体１０を容易に形成できるため、多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる多層基板を実現できる。

但し、積層体１０を構成する複数の基材層１１，１２，１３が熱可塑性樹脂を主材料とする場合、積層した複数の基材層を加熱プレスする際に、基材層が流動しやすく、基材層に形成された導体パターンの位置ずれや変形が生じやすい。そのため、伝送線路の特性インピーダンスの変動を抑制する点で、本発明の構成が特に有効である。

（ｌ）さらに、本実施形態では、積層体に形成される層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂが、樹脂材料を含む導電性ペーストを固化してなるビア導体である。これらビア導体は、複数の基材層１１，１２，１３の加熱プレス処理（後に詳述する）で同時に形成されるため、形成が容易である。また、導電性ペーストに樹脂材料が含まれるため、樹脂を主材料とする基材層と層間接続導体との高い接合性が得られる。なお、上記導電性ペーストに含まれる樹脂材料は、基材層の樹脂材料と同種であることが好ましい。

但し、樹脂材料を含んだビア導体は加熱時に生じるガスの量が多く、このようなビア導体を備える多層基板は、加熱時（製造段階、使用段階における加熱時）に層間剥離や、多層基板の表面の凹凸、湾曲等が生じやすい。そのため、層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂが樹脂材料を含んだビア導体である場合には、グランド導体の開口を層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂの近傍に設けることが好ましい。これにより、多層基板の加熱時にビア導体から生じたガスを効率良く排出でき、多層基板の層間剥離を抑制し、多層基板の平坦性を向上させることができる。

（ｍ）本実施形態では、第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０の伝送方向（Ｘ軸方向）の長さＬ１が、使用周波数帯の波長λ以上である（Ｌ１≧λ）。この構成によれば、一方の信号線から生じた電磁波が、第１開口Ｈ１０または第３開口Ｈ３０から放射しやすくなるため、クロストークの抑制効果を高めることができる。

（ｎ）また、本実施形態では、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２の伝送方向（Ｘ軸方向）の長さＬ１が、使用周波数帯の波長λ以上である（Ｌ１≧λ）。この構成によれば、一方の信号線から生じる電磁波が、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２からも外部に放射されやすくなるため、クロストークの抑制効果をより効果的に高めることができる。

（ｏ）さらに、本実施形態では、伝送方向（Ｘ軸方向）に配列された複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂ同士の間隔Ｄ３が、使用周波数帯の波長λの１／１０以下である（Ｄ３≦λ／１０）。伝送方向に配置された層間接続導体同士の間隔を狭くすることにより、これら層間接続導体間からの電磁波の漏れを効果的に抑制できるため、クロストーク抑制効果をさらに高めることができる。また、伝送方向に配列された複数の層間接続導体同士の間隔Ｄ３を使用周波数の波長λの１／１０以下にすることにより、λ／４の高調波の発生や伝搬が抑えられ、その影響を小さくできる。

（ｐ）本実施形態では、グランド導体の開口（第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０または第４開口Ｈ４１，Ｈ４２）と信号線（第１信号線３１または第２信号線３２）との間隔Ｄ１が、使用周波数帯の波長λの１／１０以下である（Ｄ１≦λ／１０）。信号線の近傍にグランド導体の開口を配置することにより、信号線からの電磁波が、上記開口から外部にさらに放射されやすくなるため、クロストークの抑制効果をさらに高めることができる。また、グランド導体の開口と信号線との間隔Ｄ１を使用周波数の波長λの１／１０以下にすることにより、λ／４の高調波の影響を小さくできる。

（ｑ）さらに、本実施形態では、グランド導体の開口（第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０または第４開口Ｈ４１，Ｈ４２のいずれか）と複数の層間接続導体（層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂのいずれか）との間隔Ｄ２は、使用周波数帯の波長λの１／１０以下である（Ｄ２≦λ／１０）。層間接続導体の近傍にグランド導体の開口を配置することにより、層間接続導体から生じる電磁波が、上記開口から効果的に放射されるため、クロストーク抑制効果がさらに高まる。また、この構成によれば、多層基板の加熱時に、樹脂材料を含むビア導体から生じるガスを効果的に排出できる。また、グランド導体の開口と複数の層間接続導体との間隔Ｄ２を使用周波数の波長λの１／１０以下にすることにより、λ／４の高調波の影響を小さくできる。

（ｒ）また、本実施形態では、グランド導体の開口（第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０または第４開口Ｈ４１，Ｈ４２）の幅Ｗ１が、使用周波数帯の波長λの１／１０以下である（Ｗ１≦λ／１０）。グランド導体の開口面積を小さくすることにより、グランド導体の面積が相対的に大きくなり、グランド電位が安定化される。また、樹脂材料を主成分とする基材層よりもヤング率が高いグランド導体の面積が相対的に大きくなることで、多層基板の機械的強度が高まる。さらに、グランド導体の開口の幅Ｗ１を使用周波数帯ｆの波長λの１／２未満にすることにより、開口のサイズに依存する不要な共振の影響を十分に小さくすることができる。さらに、グランド導体の開口の幅Ｗ１を使用周波数の波長λの１／１０以下にすることにより、λ／４の高調波の発生や伝搬が抑えられ、その影響を小さくできる。

なお、積層体の比誘電率が３の場合の使用周波数帯ｆ、波長λ、伝送方向に配列された層間接続導体同士の間隔Ｄ３は、例えば次に示すような値であることが好ましい。使用周波数帯ｆ＝１ＧＨｚの場合には、波長λ＝１７３ｍｍである。使用周波数帯ｆ＝６ＧＨｚの場合には、波長λ＝２９ｍｍであり、層間接続導体同士の間隔Ｄ３＝２ｍｍである。使用周波数帯ｆ＝２８ＧＨｚの場合には波長λ＝６．２ｍｍであり、層間接続導体同士の間隔Ｄ３＝０．５ｍｍである。使用周波数帯ｆ＝６０ＧＨｚの場合には、波長λ＝２．９ｍｍであり、層間接続導体同士の間隔Ｄ３＝０．２５ｍｍである。

なお、本実施形態では、複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂが幅方向（Ｙ軸方向）に揃って並んでいる例を示したが、この構成に限定されるものではない。層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂの伝送方向（Ｘ軸方向）の配列ピッチは、それぞれ異なっていてもよい。すなわち、層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂは、幅方向に揃って並んでいる必要はない。

また、本実施形態では、グランド導体が矩形の開口（第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２）を有する例を示したが、この構成に限定されるものではない。開口を設けるグランド導体の面積や範囲が限られている場合には、開口（導体非形成部）の形状は矩形（直線状）に限らず、例えば、曲線状または波線状でもよい。なお、開口が「並走部に沿って連続的に延伸する」とは、開口が並走部に完全に並走している構成に限定されるものではなく、並走部に概略的に沿って延伸する構成であればよい。また、グランド導体の外形が曲線状や波線状である場合には、外形に沿うような形状（曲線状または波線状）の開口が設けられていてもよい。

本実施形態に係る多層基板１０１は、例えば次の工程で製造される。図７は、多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。なお、図７では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。

まず、図７中の（１）に示すように、複数の基材層１１，１２，１３を準備する。基材層１１，１２，１３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂を主材料とするシートである。

その後、複数の基材層１１，１２，１３に、第１信号線３１、第２信号線３２、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、複数の補助グランド導体５１，５２，６１，６２および外部電極（不図示）を形成する。具体的には、基材層１１，１２，１３の表面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、基材層１１の表面に第１グランド導体４１および外部電極（図示省略）を形成し、基材層１２の表面に第１信号線３１、第２信号線３２および複数の補助グランド導体５１，５２，６１，６２を形成し、基材層１３の表面に第２グランド導体４２を形成する。

第１信号線３１および第２信号線３２は、伝送方向（Ｘ軸方向）に沿って延伸し、互いに並走する並走部を有する導体パターンである。なお、第１グランド導体４１には、第１開口Ｈ１０および第２開口Ｈ２１，Ｈ２２が形成される。また、第２グランド導体４２には、第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２が形成される。第１開口Ｈ１０、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２、第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２は、伝送方向に連続的に延伸する貫通孔（導体非形成部）である。複数の補助グランド導体５１，５２，６１，６２は、それぞれ伝送方向に沿って配列される導体パターンである。

このように、第１信号線３１、第２信号線３２、第１グランド導体４１および第２グランド導体４２を、複数の基材層１１，１２，１３のいずれかに形成するこの工程が、本発明の「導体形成工程」の一例である。また、第１開口Ｈ１０および第２開口Ｈ２１，Ｈ２２を第１グランド導体４１に形成し、第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２を第２グランド導体４２に形成するこの工程が、本発明の「開口形成工程」の一例である。

本実施形態では、「導体形成工程」と「開口形成工程」とがほぼ同時に行われる例を示したが、「導体形成工程」の後に「開口形成工程」を行ってもよい。

また、基材層１１には、伝送方向（Ｘ軸方向）に配列される複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１２ａ，Ｖ２１ａ，Ｖ２２ａ等が形成され、基材層１２には、伝送方向に配列される複数の層間接続導体Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ｂが形成される。これら層間接続導体は、複数の基材層１１，１２の少なくとも一つに孔（貫通孔）を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレスによって導電性ペーストを固化させることにより設けられる。なお、図示省略するが、基材層１１には、第１信号線３１と外部電極（Ｐ１，Ｐ２）との間を接続する層間接続導体（Ｖ１，Ｖ２）、および第２信号線３２と外部電極（Ｐ３，Ｐ４）との間を接続する層間接続導体（Ｖ３，Ｖ４）も形成される。

複数の基材層１１，１２，１３のいずれかに、伝送方向に配列される複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂを形成するこの工程が、本発明における「層間導体形成工程」の一例である。

次に、図７中の（２）に示すように、第１信号線３１および第２信号線３２を、第１グランド導体４１と第２グランド導体４２とで挟むように、複数の基材層１３，１２，１１をこの順に積層する。このとき、積層方向から視て、外部電極（Ｐ１，Ｐ２）が並走部の第１信号線３１に重なり、外部電極（Ｐ３，Ｐ４）が並走部の第２信号線３２に重なるように、複数の基材層１１，１２，１３を積層する（図示省略）。その後、積層した複数の基材層１１，１２，１３を加熱プレスすることにより、積層体１０を形成する。

「導体形成工程」および「開口形成工程」の後に、複数の基材層１１，１２，１３を積層し、積層した複数の基材層１１，１２，１３を加熱プレスすることにより積層体１０を形成するこの工程が、本発明の「積層体形成工程」の一例である。

この「積層体形成工程」により、第１グランド導体４１と第２グランド導体４２とが、複数の補助グランド導体５１，５２，６１，６２および複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂによって接続される。

また、この「積層体形成工程」により、第１開口Ｈ１０および第３開口Ｈ３０が、積層方向（Ｚ軸方向）から視て、並走部における第１信号線３１と第２信号線３２との間に配置される。また、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２が、並走部よりも幅方向（Ｙ軸方向）の外側に配置される。複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂの少なくとも一部が、並走部における第１信号線３１と第２信号線３２との間に配置される。

その後、積層体１０の第１主面Ｓ１に保護層１を形成して、図７中の（３）に示す多層基板１０１を得る。

上記製造方法によれば、信号線間のクロストークを抑制しつつ、積みずれ等に起因する伝送線路のインピーダンスの変動を抑制した多層基板を容易に製造できる。

また、上記製造方法によれば、熱可塑性樹脂を主材料とする複数の基材層１１，１２，１３を積層して加熱プレス（一括プレス）することによって、多層基板１０１を容易に形成できるため、製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

また、上記製造方法によれば、基材層に設けた孔に導電性ペーストを配設し、加熱プレス（一括プレス）によって導電性ペーストを固化させることができるため、層間接続導体を形成する工程が削減できる。

次に、多層基板１０１の変形例について説明する。図８は、第１の実施形態の変形例である多層基板１０１Ａの分解平面図である。図９は、多層基板１０１Ａの平面図である。なお、図９では、第１信号線３１および第２信号線３２の並走部ＳＰをハッチングで示しており、保護層１を図示省略している。

多層基板１０１Ａは、グランド導体４１が第１開口Ｈ１０Ａおよび第２開口Ｈ２１Ａ，Ｈ２２Ａを有し、グランド導体４２が第３開口Ｈ３０Ａおよび第４開口Ｈ４１Ａ，Ｈ４２Ａを有する点で、多層基板１０１と異なる。多層基板１０１Ａの他の構成については、多層基板１０１と同じである。

第１開口Ｈ１０Ａ，第２開口Ｈ２１Ａ，Ｈ２２Ａは、平面形状が上述した第１開口Ｈ１０および第２開口Ｈ２１，Ｈ２２と異なる。第１開口Ｈ１０Ａおよび第２開口Ｈ２１Ａ，Ｈ２２Ａは、伝送方向（Ｘ軸方向）に沿って延伸する貫通孔である。図８に示すように、第１開口Ｈ１０Ａおよび第２開口Ｈ２１Ａ，Ｈ２２Ａの伝送方向の中央付近の開口幅（Ｙ軸方向の幅）は、それぞれ伝送方向の両端部の開口幅に比べて太い。

第３開口Ｈ３０Ａおよび第４開口Ｈ４１Ａ，Ｈ４２Ａは、上述した第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２と異なる。第３開口Ｈ３０Ａおよび第４開口Ｈ４１Ａ，Ｈ４２Ａは、伝送方向に沿って延伸する貫通孔である。図８に示すように、第３開口Ｈ３０Ａおよび第４開口Ｈ４１Ａ，Ｈ４２Ａの伝送方向の中央付近の開口幅は、それぞれ伝送方向の両端部の開口幅に比べて太い。

図８および図９に示すように、第１開口Ｈ１０Ａ，第２開口Ｈ２１Ａ，Ｈ２２Ａ、第３開口Ｈ３０Ａおよび第４開口Ｈ４１Ａ，Ｈ４２Ａは、平面視で、層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂに近接する部分（伝送方向の中央付近）の開口幅が他の部分よりも太い。このように、層間接続導体に近接する部分の開口幅を太くすることで、加熱時に生じるガスを積層体外に効率良く排出できる。さらに、多層基板１０１Ａのように、第１開口Ｈ１０Ａおよび第３開口Ｈ３０Ａのうち、層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂに近接する部分の開口幅を太くすることで、隣り合う信号線間の結合抑制効果をさらに高めることができる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１開口および第３開口の平面形状が、第１の実施形態とは異なる例を示す。

図１０は、第２の実施形態に係る多層基板１０２の外観斜視図である。図１１は、多層基板１０２の分解平面図である。図１１では、第１信号線３１Ａおよび第２信号線３２Ａの並走部ＳＰをハッチングで示している。

多層基板１０２は、第１信号線３１Ａ、第２信号線３２Ａおよびグランド導体４１Ａ，４２Ａを備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。多層基板１０２の他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

第１信号線３１Ａおよび第２信号線３２Ａは、略Ｘ軸方向に延伸する導体パターンであり、並走部ＳＰ１，ＳＰ２を有する。第１信号線３１Ａは、長手方向（Ｘ軸方向）の途中に、−Ｘ方向に移動するにつれて＋Ｙ方向にも延伸する部分を有する。第２信号線３２Ａは、長手方向（Ｘ軸方向）の途中に、−Ｘ方向に移動するにつれて−Ｙ方向にも延伸する部分を有する。そのため、第１信号線３１Ａおよび第２信号線３２Ａは、長手方向の途中に非並走部（互いに並走していない部分）を有している。

グランド導体４１Ａは、第１開口Ｈ１０Ｂおよび第２開口Ｈ２１Ｂ，Ｈ２２Ｂを有する。第１開口Ｈ１０Ｂは、略Ｘ軸方向に延伸するＹ字形の貫通孔（導体非形成部）である。第１開口Ｈ１０Ｂは、長手方向の中央付近に二股（−Ｘ方向に移動するにつれて＋Ｙ方向に延伸する部分と、−Ｘ方向に移動するにつれて−Ｙ方向に延伸する部分）に分かれる二股部を有する。第２開口Ｈ２１Ｂ，Ｈ２２Ｂは、略Ｘ軸方向に延伸する貫通孔（導体非形成部）である。第２開口Ｈ２１Ｂは、長手方向の途中に、−Ｘ方向に移動するにつれて＋Ｙ方向にも延伸する部分を有する。第２開口Ｈ２２Ｂは、長手方向の途中に、−Ｘ方向に移動するにつれて−Ｙ方向にも延伸する部分を有する。

グランド導体４２Ａは、第３開口Ｈ３０Ｂおよび第４開口Ｈ４１Ｂ，Ｈ４２Ｂを有する。第３開口Ｈ３０Ｂは、略Ｘ軸方向に延伸するＹ字形の貫通孔（導体非形成部）である。第３開口Ｈ３０Ｂは、長手方向の中央付近に二股（−Ｘ方向に移動するにつれて＋Ｙ方向に延伸する部分と、−Ｘ方向に移動するにつれて−Ｙ方向に延伸する部分）に分かれる二股部を有する。第４開口Ｈ４１Ｂ，Ｈ４２Ｂは、略Ｘ軸方向に延伸する貫通孔（導体非形成部）である。第４開口Ｈ４１Ｂは、長手方向の途中に、−Ｘ方向に移動するにつれて＋Ｙ方向にも延伸する部分を有する。第４開口Ｈ４２Ｂは、長手方向の途中に、−Ｘ方向に移動するにつれて−Ｙ方向にも延伸する部分を有する。

本実施形態で示したように、第１信号線および第２信号線は、全体が並走部である必要はなく、第１信号線および第２信号線の途中に非並走部があってもよい。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第１の実施形態とは層間接続導体の構成が異なる多層基板を示す。

図１２は、第３の実施形態に係る多層基板１０３の線路部の断面図である。

多層基板１０３は、複数の補助グランド導体５１，５２，６１，６２および保護層１を備えていない点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。また、多層基板１０３は、複数の層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂの代わりに複数の層間接続導体ＶＰ１１，ＶＰ１２，ＶＰ２１，ＶＰ２２を備える点で、多層基板１０１と異なる。多層基板１０３の他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

複数の層間接続導体ＶＰ１１，ＶＰ１２，ＶＰ２１，ＶＰ２２は、積層体１０の第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２にまで達する貫通孔の内側に形成される導体膜である。層間接続導体ＶＰ１１，ＶＰ１２，ＶＰ２１，ＶＰ２２は、それぞれ第１グランド導体４１と第２グランド導体４２とを接続する。層間接続導体ＶＰ１１，ＶＰ１２，ＶＰ２１，ＶＰ２２は、例えば、積層体１０の第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２にまで達する貫通孔に形成されたスルーホールめっき、またはフィルドビアめっきである。

図示省略するが、複数の層間接続導体ＶＰ１１，ＶＰ１２，ＶＰ２１，ＶＰ２２は、伝送方向（Ｘ軸方向）に沿って配列している。図１２に示すように、層間接続導体ＶＰ１１，ＶＰ２１は、第１信号線３１を幅方向（Ｙ軸方向）に挟むように配置され、層間接続導体ＶＰ１２，ＶＰ２２は、第２信号線３２を幅方向に挟むように配置されている。

本実施形態によれば、層間接続導体ＶＰ１１，ＶＰ１２，ＶＰ２１，ＶＰ２２がスルーホールめっきまたはフィルドビアめっきであるため、層間接続導体が樹脂成分を含むビア導体である場合に比べて、ガスの発生量が少なくなり、加熱時における多層基板の層間剥離は抑制される。但し、スルーホールめっきやフィルドビアめっきはガス透過性が低いため、グランド導体のうち、積層方向（Ｚ軸方向）から視て層間接続導体ＶＰ１１，ＶＰ１２，ＶＰ２１，ＶＰ２２の近傍に開口を設けることが好ましい。

本実施形態に係る多層基板１０３は、例えば次の工程で製造される。図１３は、多層基板１０３の製造工程を順に示す断面図である。なお、図１３では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。

まず、図１３中の（１）に示すように、複数の基材層１１，１２，１３を準備する。

次に、複数の基材層１１，１２，１３に、第１信号線３１、第２信号線３２、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２および外部電極（不図示）を形成する。

なお、第１グランド導体４１には、第１開口Ｈ１０および第２開口Ｈ２１，Ｈ２２以外に、複数の開口Ｎ１１ａ，Ｎ１２ａ，Ｎ２１ａ，Ｎ２２ａが形成される。また、第２グランド導体４２には、第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２以外に、複数の開口Ｎ１１ｂ，Ｎ１２ｂ，Ｎ２１ｂ，Ｎ２２ｂが形成される。複数の開口Ｎ１１ａ，Ｎ１１ｂ，Ｎ１２ａ，Ｎ１２ｂ，Ｎ２１ａ，Ｎ２１ｂ，Ｎ２２ａ，Ｎ２２ｂは、それぞれ伝送方向（Ｘ軸方向）に沿って配列される円形の貫通孔（導体非形成部）である。

このように、第１信号線３１、第２信号線３２、第１グランド導体４１および第２グランド導体４２を、複数の基材層１１，１２，１３にそれぞれ形成するこの工程が、本発明の「導体形成工程」の一例である。また、第１開口Ｈ１０および第２開口Ｈ２１，Ｈ２２を第１グランド導体４１に形成し、第３開口Ｈ３０および第４開口Ｈ４１，Ｈ４２を第２グランド導体４２に形成するこの工程が、本発明の「開口形成工程」の一例である。

次に、複数の基材層１３，１２，１１をこの順に積層する。このとき、積層方向（Ｚ軸方向）から視て、第１グランド導体４１の開口（開口Ｎ１１ａ，Ｎ１２ａ，Ｎ２１ａ，Ｎ２２ａ）と第２グランド導体４２の開口（開口Ｎ１１ｂ，Ｎ１２ｂ，Ｎ２１ｂ，Ｎ２２ｂ）とがそれぞれ重なるように、複数の基材層１１，１２，１３を積層する。その後、積層した複数の基材層１１，１２，１３を加熱プレスすることにより、図１３中の（２）に示す積層体１０を形成する。

「導体形成工程」および「開口形成工程」の後に、複数の基材層１１，１２，１３を積層し、積層した複数の基材層１１，１２，１３を加熱プレスすることにより積層体１０を形成するこの工程が、本発明の「積層体形成工程」の一例である。

次に、図１３中の（２）（３）に示すように、積層体１０にレーザーＬＲを照射して、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２にまで達する貫通孔Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２を形成する。具体的には、図１３中の（２）に示すように、積層体１０の第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２に向かってレーザーＬＲを開口Ｎ１１ａ，Ｎ１２ａ，Ｎ２１ａ，Ｎ２２ａに向かって照射することにより、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２にまで達する貫通孔Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２を形成する。

なお、レーザーＬＲは、第１グランド導体４１および第２グランド導体４２で遮られるため、貫通孔Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２の径が必要以上に大きくなることはない。

その後、貫通孔Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２の内側に層間接続導体ＶＰ１１，ＶＰ１２，ＶＰ２１，ＶＰ２２をそれぞれ形成し、図１３中の（４）に示すような多層基板１０３を得る。層間接続導体ＶＰ１１，ＶＰ１２，ＶＰ２１，ＶＰ２２は、例えば無電界めっき等によって貫通孔の内側に形成されるＣｕ等のスルーホールめっきである。

このように「導体形成工程」、「開口形成工程」および「積層体形成工程」の後に、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２にまで達する貫通孔Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２を形成し、その貫通孔Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２の内側にめっき膜を形成するこの工程は、本発明における「層間導体形成工程」の一例である。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第１の実施形態とは層間接続導体の位置が異なる例を示す。

図１４（Ａ）は第４の実施形態に係る多層基板１０４Ａの線路部の断面図であり、図１４（Ｂ）は第４の実施形態に係る別の多層基板１０４Ｂの線路部の断面図である。

多層基板１０４Ａ，１０４Ｂは、複数の補助グランド導体６１，６２および層間接続導体Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂの配置が、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。また、多層基板１０４Ｂは、複数の補助グランド導体５２および層間接続導体Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂを備えていない点で、多層基板１０１と異なる。多層基板１０４Ａ，１０４Ｂの他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

多層基板１０４Ａ，１０４Ｂは、第１の実施形態に係る多層基板１０１と比べて、複数の補助グランド導体６１，６２、および層間接続導体Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂが幅方向（Ｙ軸方向）の外側に配置されている。言い換えると、本実施形態では、複数の補助グランド導体６１，６２、および層間接続導体Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂが、多層基板１０１と比べて、積層体１０の端面ＳＳ寄りの位置に配置されている。

このような構成であっても、多層基板１０４Ａ，１０４Ｂの基本的な構成は、第１の実施形態に係る多層基板１０１と同じであり、多層基板１０１と同様の作用・効果を奏する。ただし、第１信号線３１と第２信号線３２とのクロストークを抑制する点で、第１信号線３１と第２信号線３２との間に、複数の補助グランド導体５１，５２および層間接続導体Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂがそれぞれ配置されていることが好ましい。

なお、本実施形態では、層間接続導体Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂが導電性ペーストを固化してなるビア導体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。複数の層間接続導体のうち積層体１０の端面ＳＳ側に位置する層間接続導体は、例えば、無電界めっき等によって積層体１０の端面ＳＳに形成される端面導体（例えば、Ｃｕ等のめっき膜）でもよい。この場合には、層間接続導体Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂが樹脂成分を含むビア導体である場合に比べて、ガスの発生量を少なくできる。また、端面導体によって伝送線路のシールド性を高められる。但し、端面導体はガスの透過性が低く、端面導体で積層体１０の端面ＳＳを覆うとガスが閉じ込められやすいため、グランド導体のうち、積層体１０の端面ＳＳ近傍に開口を設けることが好ましい。

なお、積層体１０の端面ＳＳに端面導体を形成することにより、第１グランド導体４１と第２グランド導体４２とを接続する導通経路や線路幅を補足することができる。また、端面ＳＳに端面導体を形成する場合、層間接続導体を形成するために積層体１０に貫通孔を形成する必要がないため、積層体１０の幅や面積を小さくでき、狭いスペースにも多層基板を配置しやすくできる。例えば、図１４（Ａ）に示す多層基板１０４Ａを用いて説明すると、端面ＳＳ近傍に位置する層間接続導体Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂを端面導体に置き換える場合には、積層体１０のうち、層間接続導体Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂよりも幅方向（Ｙ軸方向）の外側に位置する部分が不要となる。そのため、第１グランド導体４１と第２グランド導体４２とを接続する層間接続導体の一部を、端面ＳＳに端面導体とすることで、積層体１０の幅や面積を小さくできる。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、多層基板が、回路基板に面実装される電子部品である例を示したが、本発明の多層基板はこれに限定されるものではない。本発明の多層基板は、二つの部材間を接続するケーブル、または他の回路基板と部品との間を接続するケーブルでもよい。また、多層基板の接続部には必要に応じてコネクタが設けられていてもよい。さらに、多層基板の積層体は、屈曲部を有していてもよい。特に、積層体に屈曲部があると、その屈曲部に係る応力によって層間剥離が生じやすいので、層間剥離を抑制する点で本発明の構成が有効である。

なお、以上に示した各実施形態では、第１接続部ＣＮ１、第２接続部ＣＮ２および線路部ＴＬを有する多層基板の例を示したが、多層基板が有する接続部および線路部の数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、積層体１０が矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体１０の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体１０の平面形状は、例えばＬ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、３つの基材層を積層してなる積層体１０の例を示したが、本発明の積層体はこれに限定されるものではない。積層体１０を形成する基材層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、本発明の多層基板において、積層体１０の表面に形成される保護層は必須ではない。

以上に示した各実施形態では、積層体１０が、熱可塑性樹脂を主材料とする平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体は熱硬化性樹脂を主材料とする平板であってもよい。また、積層体は、例えば、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）の誘電体セラミックであってもよい。また、積層体は、複数の樹脂の複合積層体であってもよく、例えばガラス／エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。また、積層体は、複数の基材層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各基材層間に接着材層を有する構成でもよい。

また、多層基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで構成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、多層基板には、例えば他の各種伝送線路（マイクロストリップライン、ミアンダ、コプレーナ等）等が、形成されていてもよい。さらに多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

以上に示した各実施形態では、２つの伝送線路（第１伝送線路および第２伝送線路）が構成された多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではなく、伝送線路の数は多層基板に形成される回路構成によって適宜変更可能である。

また、以上に示した各実施形態では、第１信号線３１および第２信号線３２の全体が並走部ＳＰである例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１信号線３１および第２信号線３２の一部のみが並走部であってもよい。また、第１信号線３１および第２信号線３２はＸ軸方向に延伸する線状の導体パターンに限定されるものではなく、Ｙ軸方向に湾曲または屈曲する線状の導体パターンでもよい。すなわち、伝送方向はＸ軸方向に限定されるものではない。

以上に示した各実施形態では、矩形の外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が、積層体１０の第１主面Ｓ１に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。外部電極の形状・個数・位置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。外部電極の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等であってもよい。また、外部電極が、積層体１０の第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２にそれぞれ設けられていてもよい。また、外部電極の個数は、多層基板が有する回路構成によって適宜変更可能である。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＣＮ１…第１接続部
ＣＮ２…第２接続部
Ｄ１…開口（第１開口、第２開口、第３開口または第４開口のいずれか）と信号線（第１信号線または第２信号線のいずれか）との間隔
Ｄ２…開口（第１開口、第２開口、第３開口または第４開口のいずれか）と複数の層間接続導体との間隔
Ｄ３…伝送方向に配列された複数の層間接続導体同士の間隔
Ｗ１…開口（第１開口、第２開口、第３開口または第４開口）の幅
Ｌ１…開口（第１開口、第２開口、第３開口または第４開口）の伝送方向の長さ
ｆ…使用周波数帯
ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３，ＡＰ４…保護層の開口
Ｈ１０，Ｈ１０Ａ，Ｈ１０Ｂ…第１開口
Ｈ２１，Ｈ２１Ａ，Ｈ２１Ｂ，Ｈ２２，Ｈ２２Ａ，Ｈ２２Ｂ…第２開口
Ｈ３０，Ｈ３０Ａ，Ｈ３０Ｂ…第３開口
Ｈ４１，Ｈ４１Ａ，Ｈ４１Ｂ，Ｈ４２，Ｈ４２Ａ，Ｈ４２Ｂ…第４開口
ＬＲ…レーザー
Ｎ１１ａ，Ｎ１１ｂ，Ｎ１２ａ，Ｎ１２ｂ，Ｎ２１ａ，Ｎ２１ｂ，Ｎ２２ａ，Ｎ２２ｂ…開口
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…外部電極
ＰＳ１…回路基板の上面
Ｓ１…積層体の第１主面
Ｓ２…積層体の第２主面
ＳＰ…（第１信号線と第２信号線の）並走部
ＳＳ…積層体の端面
Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２…貫通孔
ＴＬ…線路部
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１２ａ，Ｖ１２ｂ，Ｖ２１ａ，Ｖ２１ｂ，Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂ…層間接続導体
ＶＰ１１，ＶＰ１２，ＶＰ２１，ＶＰ２２…層間接続導体
１…保護層
１０…積層体
１１，１２，１３…基材層
３１，３１Ａ…第１信号線
３２，３２Ａ…第２信号線
４１，４１Ａ…第１グランド導体
４２，４２Ａ…第２グランド導体
５１，５２，６１，６２…補助グランド導体
７１，７２，７３，７４…部品
１０１，１０１Ａ，１０２，１０３，１０４Ａ，１０４Ｂ…多層基板
２０１…回路基板
３０１…電子機器

Claims (20)

1. 複数の基材層を積層してなる積層体と、
   前記積層体に形成され、伝送方向に沿って延伸し、互いに並走する並走部を有する第１信号線および第２信号線と、
   前記積層体に形成され、前記第１信号線および前記第２信号線を前記複数の基材層の積層方向に挟むように配置される、第１グランド導体および第２グランド導体と、
   前記積層体に形成され、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続する複数の層間接続導体と、
   を備え、
   前記複数の層間接続導体は、前記伝送方向に配列され、且つ、少なくとも前記並走部における前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置され、
   前記第１グランド導体は、第１開口および第２開口を有し、
   前記第２グランド導体は、第３開口および第４開口を有し、
   前記第１開口および前記第３開口は、前記並走部に沿って連続的に延伸する開口であり、前記積層方向から視て、前記並走部における前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置され、
   前記第２開口および前記第４開口は、前記並走部よりも、前記伝送方向に直交する幅方向の外側に配置される、多層基板。
2. 前記積層体の主面に形成される、第１外部電極および第２外部電極と、
   前記積層体に形成される複数の信号層間接続導体と、を備え、
   前記第１外部電極は、前記複数の信号層間接続導体の少なくとも一つを介して、前記第１信号線に接続され、
   前記第２外部電極は、前記複数の信号層間接続導体の少なくとも一つを介して、前記第２信号線に接続され、
   前記並走部における前記第１信号線および前記第２信号線は、前記積層方向から視て、前記第１外部電極および前記第２外部電極にそれぞれ重なる、請求項１に記載の多層基板。
3. 前記複数の層間接続導体は、前記第１信号線および前記第２信号線のそれぞれを、前記幅方向に挟むように配置される、請求項１または２に記載の多層基板。
4. 前記第１グランド導体および前記第２グランド導体は、前記積層体の端面に形成される端面導体を介して接続される、請求項１または２に記載の多層基板。
5. 前記複数の基材層は樹脂を主材料とする、請求項１から４のいずれかに記載の多層基板。
6. 前記樹脂は熱可塑性樹脂である、請求項５に記載の多層基板。
7. 前記第２開口および前記第４開口は、前記並走部に沿って連続的に延伸する開口である、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。
8. 前記第２開口および前記第４開口の数は複数であり、
   複数の前記第２開口および複数の前記第４開口は、前記並走部に沿って配列されている、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。
9. 前記第１開口および前記第３開口の前記伝送方向の長さは、使用周波数帯の波長以上である、請求項１から８のいずれかに記載の多層基板。
10. 前記第２開口および前記第４開口の前記伝送方向の長さは、使用周波数帯の波長以上である、請求項７に記載の多層基板。
11. 前記伝送方向に配列された前記複数の層間接続導体同士の間隔は、使用周波数帯の波長の１／１０以下である、請求項１から１０のいずれかに記載の多層基板。
12. 前記第１開口、前記第２開口、前記第３開口または前記第４開口のいずれかと、前記１信号線または前記第２信号線との間隔は、使用周波数帯の波長の１／１０以下である、請求項１から１１のいずれかに記載の多層基板。
13. 前記第１開口、前記第２開口、前記第３開口または前記第４開口のいずれかと、前記複数の層間接続導体との間隔は、使用周波数帯の１／１０以下である、請求項１から１２のいずれかに記載の多層基板。
14. 前記第１開口、前記第２開口、前記第３開口または前記第４開口の幅は、使用周波数帯の波長の１／１０以下である、請求項１から１３のいずれかに記載の多層基板。
15. 請求項１から１４のいずれかに記載の多層基板と、
    前記多層基板が面実装される回路基板と、
    を備える、電子機器。
16. 伝送方向に沿って延伸し、互いに並走する並走部を有する第１信号線および第２信号線、第１グランド導体および第２グランド導体を複数の基材層のいずれかに形成する、導体形成工程と、
    前記伝送方向に延伸する第１開口と第２開口とを前記第１グランド導体に形成し、前記伝送方向に延伸する第３開口と第４開口とを前記第２グランド導体に形成する、開口形成工程と、
    前記導体形成工程および前記開口形成工程の後に、前記第１信号線および前記第２信号線を、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とで挟むように前記複数の基材層を積層し、積層した前記複数の基材層を加熱プレスすることによって積層体を形成する、積層体形成工程と、
    前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続し、前記伝送方向に配列される複数の層間接続導体を、前記複数の基材層のいずれかに形成する、層間導体形成工程と、
    を備え、
    前記第１開口および前記第３開口を、前記積層方向から視て、前記並走部における前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置し、
    前記第２開口および前記第４開口を、前記並走部よりも前記伝送方向に直交する幅方向の外側に配置し、
    前記複数の層間接続導体の少なくとも一部を、前記並走部における前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置する、多層基板の製造方法。
17. 前記導体形成工程は、前記複数の基材層のいずれかに第１外部電極および第２外部電極を形成する工程を含み、
    前記積層体形成工程は、前記積層方向から視て、前記第１外部電極が前記並走部の前記第１信号線に重なり、前記第２外部電極が前記並走部の前記第２信号線に重なるように、前記複数の基材層を積層する工程を含み、
    前記層間導体形成工程は、前記第１信号線と前記第１外部電極との間、および前記第２信号線と前記第２外部電極との間をそれぞれ接続する、信号層間接続導体を、前記複数の基材層のいずれかに形成する工程を含む、請求項１６に記載の多層基板の製造方法。
18. 前記積層体形成工程は、熱可塑性樹脂を主材料とする前記複数の基材層を積層して加熱プレスする工程を含む、請求項１６または１７に記載の多層基板の製造方法。
19. 前記層間導体形成工程は、前記積層体形成工程の前に、前記複数の基材層の少なくとも一つに孔を設け、前記孔に導電性ペーストを配設する工程を含み、
    前記積層体形成工程は、加熱プレスによって前記導電性ペーストを固化させる工程を含む、請求項１６から１８のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
20. 前記層間導体形成工程は、前記積層体形成工程の後に、前記積層体を貫通する貫通孔を形成し、前記貫通孔にめっき膜を形成する工程を含む、請求項１６から１８のいずれかに記載の多層基板の製造方法。

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