WO2023132309A1 - 伝送線路およびそれを備える電子機器 - Google Patents

Abstract

伝送線路は、少なくとも１つの絶縁体層を有する絶縁体と、絶縁体層に配置され、絶縁体層の厚み方向に互いに異なる位置に配置された第１導体パターンおよび第２導体パターンと、を備え、第１導体パターンは、信号伝送方向に沿ってそれぞれ延びる第１信号線および第２信号線を有し、第２導体パターンは、第１対向電極および第２対向電極を有し、第１対向電極は、厚み方向から見て、第１信号線と重なり、第２信号線と重ならず、第２対向電極は、厚み方向から見て、第２信号線と重なり、第１信号線と重ならない。

Description

伝送線路およびそれを備える電子機器

　本発明は、信号導体を備える伝送線路およびそれを備える電子機器に関する。

　従来の伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のコプレーナー導波路構造が知られている。このコプレーナー導波路構造は、複数の信号線を挟むように両側にグランドを配置し、その上方および／または下方に浮き電極を配置した構造を有する。

特許第５０４２３２７号

　ところで、特許文献１に記載のコプレーナー導波路構造を用いた伝送線路において、複数の信号線のアイソレーション、またはカップリングが生じて、干渉が発生する虞がある。

　そこで、本発明の目的は、複数の信号線間の干渉を抑制できる伝送線路およびそれを備える電子機器を提供することである。

　本発明の一形態に係る伝送線路は、
　少なくとも１つの絶縁体層を有する絶縁体と、
　前記絶縁体層に配置され、前記絶縁体層の厚み方向に互いに異なる位置に配置された第１導体パターンおよび第２導体パターンと、を備え、
　前記第１導体パターンは、信号伝送方向に沿ってそれぞれ延びる第１信号線および第２信号線を有し、
　前記第２導体パターンは、第１対向電極および第２対向電極を有し、
　前記第１対向電極は、前記厚み方向から見て、前記第１信号線と重なり、前記第２信号線と重ならず、
　前記第２対向電極は、前記厚み方向から見て、前記第２信号線と重なり、前記第１信号線と重ならない。

　本発明の一形態に係る電子機器は、前記伝送線路を備える。

　本発明に係る伝送線路および電子機器によれば、複数の信号間での干渉を抑制することができる。

第１実施形態に係る伝送線路の外観斜視図 第１実施形態に係る伝送線路の１つの層を示す上面図 第１実施形態に係る伝送線路の別の層を示す上面図 第１実施形態に係る伝送線路のさらに別の層を示す上面図 図１のＡ－Ａ断面図 図１のＢ－Ｂ断面図 第２実施形態に係る伝送線路の１つの層を示す上面図 第２実施形態に係る伝送線路の縦断面図 第３実施形態に係る伝送線路の１つの層を示す上面図 第３実施形態に係る伝送線路の縦断面図 第４実施形態に係る伝送線路の１つの層を示す上面図 第４実施形態に係る伝送線路の別の層を示す上面図 第４実施形態の変形例に係る伝送線路の１つの層を示す上面図 第５実施形態に係る伝送線路の縦断面図 第５実施形態に係る伝送線路の１つの層を示す上面図 第５実施形態に係る伝送線路の別の層を示す上面図 第６実施形態に係る伝送線路の縦断面図 第６実施形態の変形例に係る伝送線路の縦断面図 第７実施形態に係る伝送線路の縦断面図 第７実施形態に係る伝送線路の縦断面図 第７実施形態の変形例に係る伝送線路の縦断面図 第７実施形態の変形例に係る伝送線路の縦断面図 第１実施形態の変形例に係る伝送線路の縦断面図 第１実施形態の変形例に係る伝送線路の縦断面図 第８実施形態に係る伝送線路の縦断面図 第８実施形態に係る伝送線路における１つの層を示す上面図 第９実施形態に係る伝送線路の縦断面図 第１０実施形態に係る伝送線路の縦断面図 第１０実施形態の変形例に係る伝送線路の縦断面図 第１１実施形態に係る伝送線路（曲がっていない状態）の縦断面図 第１１実施形態に係る伝送線路（曲がっていない状態）の縦断面図 第１１実施形態に係る伝送線路（曲がっている状態）の縦断面図 第１１実施形態に係る伝送線路（曲がっている状態）の縦断面図 第１２実施形態に係る伝送線路の縦断面図 第１３実施形態に係る伝送線路における１つの層を示す上面図 第１３実施形態に係る伝送線路を内蔵した電子機器を概略的に示すブロック図（第１実施形態）

　以下に、本発明の実施形態に係る伝送線路１００および電子機器１３８０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、伝送線路１００の外観斜視図である。図２Ａ～図２Ｃはそれぞれ、伝送線路１００の各層を厚み方向から見た際の上面図である。図３は、伝送線路１００のＡ－Ａ断面図であり、図４は、伝送線路１００のＢ－Ｂ断面図である。

　本明細書において、方向を以下のように定義する。まず、Ｘ軸方向は、伝送線路１００の信号伝送方向Ｓに対応し、Ｙ軸方向は、伝送線路１００の幅方向Ｗに対応し、Ｚ軸方向は、伝送線路１００の厚み方向Ｔに対応する。信号伝送方向Ｓは、厚み方向Ｔに見て、後述する信号線路２６、２８（図２Ｂ）が延びる方向であり、厚み方向Ｔに直交する。幅方向Ｗは、厚み方向Ｔに見て、信号線路２６、２８が延びる方向に直交する方向である。厚み方向Ｔは、少なくとも１つの絶縁体層１２が積層される積層方向である。厚み方向Ｔ、幅方向Ｗおよび信号伝送方向Ｓは、互いに直交している。なお、本明細書の厚み方向Ｔ、幅方向Ｗおよび信号伝送方向Ｓは、伝送線路１００の実使用時の厚み方向、幅方向および信号伝送方向と一致していなくてもよい。

　以下に、本明細書における用語の定義について説明する。まず、本明細書における部材の位置関係について定義する。本明細書において、「ＡとＢとが電気的に接続される」とは、ＡとＢとの間で電気が導通できることを意味する。従って、ＡとＢとが接触していてもよいし、ＡとＢとが接触していなくてもよい。例えば、ＡとＢの間に導電性を有するＣが配置される場合、ＡとＢが接触していなくても、ＡとＢはＣを介して電気的に接続される。一方、本明細書において、「ＡとＢとが接触する」とは、ＡとＢの表面同士が直接当たることを意味する。

　まず、図１を参照しながら、伝送線路１００の構造について説明する。伝送線路１００は、高周波信号を伝送するための伝送線路である。伝送線路１００は例えば、スマートフォン等の電子機器において、２つの回路を電気的に接続するための多層基板である。第１実施形態の伝送線路１００は、図１に示すように、信号伝送方向Ｓに延びる帯形状を有している。

　図１に示す伝送線路１００は、厚み方向Ｔに沿って順に、保護膜１６ａと、絶縁体層１２と、保護膜１６ｂと、を備えている。

　絶縁体層１２は、図１に示すように、板形状を有している。従って、絶縁体層１２は、厚み方向Ｔに離れた第１主面１９ａおよび第２主面１９ｂを有している。第１主面１９ａは上主面と称し、第２主面１９ｂは下主面と称してもよい。絶縁体層１２は、保護膜１６ａ、１６ｂが厚み方向Ｔに積層された構造を有している。具体的には、第１主面１９ａに保護膜１６ａが積層され、第２主面１９ｂに保護膜１６ｂが積層される。絶縁体層１２は、例えば、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁体層１２の材料は、樹脂である。本実施形態では、絶縁体層１２の材料は、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等である。また、絶縁体層１２の材料は、ポリイミドであってもよい。

　第１実施形態では、絶縁体として、１つの絶縁体層１２が設けられる。絶縁体層１２が１層である場合に限らず、複数の絶縁体層１２が厚み方向Ｔに積層されてもよい。１つ又は複数の絶縁体層１２が厚み方向Ｔに配置・積層されたものを「絶縁体」と称してもよい。

　保護膜１６ａは、絶縁体層１２の第１主面１９ａに配置される導体（第１導体パターン２０）を保護するための保護層である。保護膜１６ｂは、絶縁体層１２の第２主面１９ｂに配置される導体（第２導体パターン３０）を保護するための保護層である。保護膜１６ａ、１６ｂはそれぞれ、絶縁体層１２の主面１９ａ、１９ｂの略全面を覆っている。第１実施形態の保護膜１６ａ、１６ｂは、絶縁体層１２に塗布される樹脂製のレジストである。ただし、保護膜１６ａ、１６ｂは、絶縁体層１２の上に貼り付けられるカバーレイであってもよい。

　図１に示すように、保護膜１６ａには、複数の開口４６ａ～４６ｅが設けられている。開口４６ａ～４６ｅは、第１導体パターン２０を外部に接続するための開口であり、図示しないビア導体等の層間接続導体が配置される。

　図２Ａに示すように、保護膜１６ａに設けられた開口４６ａ～４６ｅから、第１導体パターン２０の一部が露出している。図２Ａ～図２Ｃでは、厚み方向Ｔにおいて異なる層の部材を、実線と点線で区別して示す。

　図２Ｂに示すように、第１導体パターン２０は、絶縁体層１２の第１主面１９ａに設けられた導体パターンであり、信号伝送方向Ｓにそれぞれ延びる複数の導体を有する。第１導体パターン２０は、第１グランド導体２２と、第２グランド導体２４と、第３グランド導体４４と、第１信号線２６と、第２信号線２８とを有する。

　第１信号線２６および第２信号線２８はそれぞれ、信号を伝送するための導体であり、異なる信号をそれぞれ伝送する。第１実施形態の第１信号線２６および第２信号線２８はそれぞれ、高周波信号を伝送する。第１信号線２６における信号伝送方向Ｓの両端部は、図２Ａに示す２つの開口４６ａよりそれぞれ露出する。第２信号線２８における信号伝送方向Ｓの両端部は、図２Ａに示す２つの開口４６ｂよりそれぞれ露出する。

　第１グランド導体２２、第２グランド導体２４および第３グランド導体４４はそれぞれ、基準電位であるグランド電位に接続された導体である。グランド導体２２、２４、４４は、信号線２６、２８同士における信号の干渉を抑制するシールディング機能を発揮する。グランド導体２２、２４、４４は、例えば、伝送線路１００を内蔵する電子機器（図示せず。）のシャーシに対するフレームグラウンド等、任意の方法で基準電位に接続してもよい。

　第１グランド導体２２における信号伝送方向Ｓの両端部は、図２Ａに示す２つの開口４６ｃよりそれぞれ露出する。同様に、第２グランド導体２４における信号伝送方向Ｓの両端部は、図２Ａに示す２つの開口４６ｄよりそれぞれ露出し、第３グランド導体４４における信号伝送方向Ｓの両端部は、図２Ａに示す２つの開口４６ｅよりそれぞれ露出する。

　図２Ｂに示すように、第１導体パターン２０は、幅方向Ｗに沿って順に、第１グランド導体２２、第１信号線２６、第３グランド導体４４、第２信号線２８、第２グランド導体２４が配置される。第１グランド導体２２と第３グランド導体４４の間に第１信号線２６が配置され、第２グランド導体２４と第３グランド導体４４の間に第２信号線２８が配置される。

　図２Ｂに示すように、厚み方向Ｔから見て、第１導体パターン２０と第２導体パターン３０が重なるように配置される。

　図２Ｃに示すように、第２導体パターン３０は、保護膜１６ｂの上面、すなわち、絶縁体層１２の第２主面１９ｂに設けられた導体パターンである。第２導体パターン３０は、絶縁体層１２の第２主面１９ｂに固定的に設けられた状態で保護膜１６ｂによって覆われる。

　第１導体パターン２０および第２導体パターン３０はそれぞれ、絶縁体層１２の主面１９ａ、１９ｂに張り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成された導体層である。金属箔は、例えば、銅箔である。

　図２Ｃに示すように、第２導体パターン３０は、第１対向電極３２および第２対向電極３４を有する。

　第１対向電極３２および第２対向電極３４は、第１導体パターン２０に対して厚み方向Ｔに対向するように配置された電極である。第１対向電極３２は、信号伝送方向Ｓに沿って周期的に間隔を空けて配置された複数の導体を有し、第２対向電極３４も同様に、信号伝送方向Ｓに沿って周期的に間隔を空けて配置された複数の導体を有する。

　第１実施形態では、個々の対向電極３２、３４は平面視で略矩形状であり、幅方向Ｗに沿って長手方向を有し、信号伝送方向Ｓに沿って短手方向を有する。個々の対向電極３２、３４は略同じ寸法に設定される。複数の第１対向電極３２はそれぞれ幅方向Ｗの位置が略同じであり、複数の第２対向電極３４はそれぞれ幅方向Ｗの位置が略同じである。

　図２Ｂ、図３に示すように、複数の第１対向電極３２は、厚み方向Ｔから見て、第１グランド導体２２、第１信号線２６および第３グランド導体４４に対向するように配置される。複数の第２対向電極３４は、厚み方向Ｔから見て、第３グランド導体４４、第２信号線２８および第２グランド導体２４に対向するように配置される。

　第１対向電極３２は、厚み方向Ｔから見て、第１信号線２６と重なり、第２信号線２８とは重ならない。第２対向電極３４は、厚み方向Ｔから見て、第２信号線２８と重なり、第１信号線２６とは重ならない。このような配置によれば、対向電極３２、３４のいずれかが２つの信号線２６、２８の両方に対向する場合に比べて、対向電極３２、３４を介して信号線２６、２８同士が干渉することを抑制することができ、アイソレーション、またはカップリングを改善できる。

　第１対向電極３２および第２対向電極３４は、厚み方向Ｔに見て、第１導体パターン２０と直交するように延びる。

　第１実施形態では、複数の第１対向電極３２および複数の第２対向電極３４はそれぞれ、浮遊導体である。浮遊導体は、浮遊電位に接続された導体である。浮遊導体は、グランド電位および電源電位などの特定の電位（基準電位、グランド電位）に接続されておらず、浮き電極と称してもよい。

　図２Ｂ、図３に示すように、第１グランド導体２２は、厚み方向Ｔに見て、複数の第１対向電極３２と重なっているが、複数の第２対向電極３４とは重ならない。第２グランド導体２４は、厚み方向Ｔに見て、複数の第２対向電極３４と重なっているが、複数の第１対向電極３２とは重ならない。

　第３グランド導体４４は、厚み方向Ｔに見て、第１対向電極３２と第２対向電極３４の両方に重なっている。第１実施形態の第３グランド導体４４は、第１対向電極３２と第２対向電極３４の両方に重なる１つの導体部で構成される。このような場合に限らず、第３グランド導体４４は、厚み方向Ｔに見て、第１対向電極３２と第２対向電極３４のうちのいずれか一方と重なり、他方とは重ならない場合であってもよい。

　上記のように、第１実施形態の伝送線路１００は、絶縁体層１２（絶縁体）と、絶縁体層１２に配置され、絶縁体層１２の厚み方向Ｔに互いに異なる位置に配置された第１導体パターン２０および第２導体パターン３０と、を備える。第１導体パターン２０は、信号伝送方向Ｓに沿ってそれぞれ延びる第１信号線２６および第２信号線２８を有し、第２導体パターン３０は、第１対向電極３２および第２対向電極３４を有する。第１対向電極３２は、厚み方向Ｔから見て、第１信号線２６と重なり、第２信号線２８と重ならず、第２対向電極３４は、厚み方向Ｔから見て、第２信号線２８と重なり、第１信号線２６と重ならない。

　このような構成によれば、伝送線路１００において、ある対向電極が、厚み方向Ｔに見て第１信号線２６および第２信号線２８の両方と重なっていた場合、その対向電極を通して、第１信号線２６および第２信号線２８が互いに干渉してアイソレーション、またはカップリングが悪化する虞がある。本実施形態に記載の構造により、第１信号線２６および第２信号線２８のアイソレーション、またはカップリングを改善できる。

　言い換えれば、第１信号線２６に重なる第１対向電極３２は、第１信号線２６のアイソレーションまたはカップリングに寄与し、第２信号線２８に重なる第２対向電極３４は、第２信号線２８のアイソレーションまたはカップリングに寄与する。仮に、対向電極３２、３４のいずれかが第１信号線２６および第２信号線２８の両方に重なる場合、対向電極３２、３４を介して第１信号線２６と第２信号線２８が互いに干渉するおそれがある。これに対して、１つの対向電極が１つの信号線のみに重なるように配置することで、複数の信号線２６、２８間のアイソレーション、またはカップリングを改善することができる。

　また第１実施形態では、第１導体パターン２０は、グランド導体２２、２４をさらに有する。本構成により、第１信号線２６および第２信号線２８のアイソレーション、またはカップリングを改善できる。

　また第１実施形態では、グランド導体２２、２４は、基準電位に接続されている。本構成により、シールド性が向上する。

　また第１実施形態では、伝送線路１００は、第１信号線２６に対応する第１グランド導体２２と、第２信号線２８に対応する第２グランド導体２４とを有する。本構成により、第１信号線２６および第２信号線２８のアイソレーション、またはカップリングを改善できる。

　また第１実施形態では、第１対向電極３２および第２対向電極３４のそれぞれは、信号伝送方向Ｓに沿って間隔を空けて複数設けられる。本構成により、第１対向電極３２および第２対向電極３４において、電流が信号伝送方向Ｓに流れにくくなり、伝送損失を低減できる。なお、第１対向電極３２および第２対向電極３４の両方が、信号伝送方向Ｓに沿って間隔を空けて複数設けられる場合に限らず、少なくとも一方が、信号伝送方向Ｓに沿って間隔を空けて複数設けられる場合でもよい。

　また第１実施形態では、第１対向電極３２および第２対向電極３４のそれぞれは、厚み方向Ｔから見て、信号伝送方向Ｓ（短手方向）における長さが、幅方向Ｗ（長手方向）における長さより短い。言い換えると、対向電極３２、３４（浮き電極）はそれぞれ、信号線２６、２８が延びる方向（信号伝送方向Ｓ）とは異なる方向（幅方向Ｗ）に延伸した形状を有する。本構成により、第１対向電極３２および第２対向電極３４において電流が信号伝送方向Ｓにさらに流れにくくなり、伝送損失を低減できる。

　また第１実施形態では、第１信号線２６および第２信号線２８を伝送する信号の波長に対して、厚み方向Ｔから見た信号伝送方向Ｓにおける第１対向電極３２および第２対向電極３４の長さを充分に小さくしている。これにより、信号伝送方向Ｓにおける電流の流れを制御することができ、伝送損失を低減できる。

　また第１実施形態では、第１信号線２６および第２信号線２８は高周波信号用であり、高周波信号が伝送される。これにより、第１信号線２６および第２信号線２８のアイソレーション、またはカップリングの改善や、伝送損失の低減が期待できる。なお、第１信号線２６および第２信号線２８には高周波信号とは異なる信号（低周波信号等）が伝送されてもよい。

　また第１実施形態では、第１対向電極３２および第２対向電極３４が浮遊導体であり、基準電位に接続されていない。これにより、対向電極３２、３４を含めた伝送線路１００の製造が容易となる。なお、第１対向電極３２および第２対向電極３４が浮遊導体である場合に限らず、シールディング機能の向上のために、グランド電位に接続されたグランド導体であってもよい。また第１対向電極３２および第２対向電極３４のうち、例えば、一方の対向電極を浮遊導体とし、他方の対向電極をグランド導体としてもよい。言い換えれば、第１対向電極３２および／または第２対向電極３４が浮遊導体であってもよく、あるいは、第１対向電極３２および／または第２対向電極３４がグランド導体であってもよい。

　また第１実施形態では、第３グランド導体４４は、厚み方向Ｔに見て、第１信号線２６および第２信号線２８の間に設けられている。これによって、第１信号線２６および第２信号線２８の間の直接的な干渉を抑制でき、第１信号線２６および第２信号線２８のアイソレーション、またはカップリングが改善できる。

　また第１実施形態では、第３グランド導体４４は、厚み方向Ｔから見て、第１対向電極３２と第２対向電極３４の両方に重なる１つの導体部を有する。これにより、アイソレーションを改善しつつ、第３グランド導体４４を容易に製造できる。なお、第３グランド導体４４は１つの導体部である場合に限らず、複数の導体部を有する場合であってもよい。あるいは、第３グランド導体４４を配置せずに、第１信号線２６と第２信号線２８を直接的に対向させてもよい。

　また第１実施形態では、図３に示すように、第１導体パターン２０において、第１信号線２６が２つのグランド導体２２、４４によって挟まれ、第２信号線２８が２つのグランド導体２４、４４によって挟まれている。このような導波路構造によれば、グランド導体４４を設けない構造に比べて、ノイズを抑制する効果が高く、高いシールド性を実現することができる。

（第２実施形態）
　以下に、第２実施形態に係る伝送線路２００について図面を参照しながら説明する。第２実施形態においては、第１実施形態と重複する内容について適宜、説明を省略する。第２実施形態以降の実施形態でも同様である。

　図５は、伝送線路２００における絶縁体層１２の第１主面１９ａの層を示す上面図であり、図６は、伝送線路２００の縦断面図（Ｃ－Ｃ断面図）である。

　第２実施形態に係る伝送線路２００は、第３グランド導体４４が複数のグランド導体４４ａ、４４ｂに分割されている点において、第１実施形態に係る伝送線路１０と相違する。

　図５、図６に示すように、伝送線路２００の第１導体パターン２２０は、第１信号線２６と第２信号線２８の間に、２つの第３グランド導体４４ａ、４４ｂを有する。

　第３グランド導体４４ａは、厚み方向Ｔから見て、第２導体パターン３０の複数の第１対向電極３２に重なるグランド導体である。第３グランド導体４４ｂは、厚み方向Ｔから見て、第２導体パターン３０の複数の第２対向電極３４に重なるグランド導体である。第３グランド導体４４ａは、第１対向電極３２に重なる一方で、第２対向電極３４には重ならない。第３グランド導体４４ｂは、第２対向電極３４に重なる一方で、第１対向電極３２には重ならない。

　上記構成によれば、第３グランド導体４４ａは、幅方向Ｗに直接対向する第１信号線２６から生じるノイズを吸収する機能を主に有し、第３グランド導体４４ｂは、幅方向Ｗに直接対向する第２信号線２８から生じるノイズを吸収する機能を主に有する。複数の第３グランド導体４４ａ、４４ｂに分割されることで、第１主面１９ａにおける第１信号線２６および第２信号線２８の直接的な干渉を抑制することができ、アイソレーション、またはカップリングを改善できる。

　また第２実施形態では、対向電極３２、３４のそれぞれに対応してグランド導体４４ａ、４４ｂを設けている。具体的には、図６に示すように、第１対向電極３２と厚み方向Ｔに重なる位置に第３グランド導体４４ａを設け、第２対向電極３４と厚み方向Ｔに重なる位置に第４グランド導体４４ｂを設けている。これにより、アイソレーション、またはカップリングをより改善できる。

（第３実施形態）
　以下に、第３実施形態に係る伝送線路３００について図面を参照しながら説明する。

　図７は、伝送線路３００における絶縁体層１２の第１主面１９ａの層を示す上面図であり、図８は、伝送線路３００の縦断面図（Ｄ－Ｄ断面図）である。

　第３実施形態に係る伝送線路３００は、第３グランド導体４４が設けられていない点において、第１実施形態に係る伝送線路１００と相違する。

　図７、図８に示すように、伝送線路３００の第１導体パターン３２０は、第１信号線２６と第２信号線２８の間に、グランド導体４４ａ、４４ｂを有さず、第１信号線２６と第２信号線２８が幅方向Ｗに直接的に対向している。

　上記構成によれば、第１信号線２６と第２信号線２８の間にグランド導体を設けないことで、構成を簡素化することができ、製造コストを低減できる。また、伝送線路３００の外形を小さくできる。本構成では、第１グランド導体２２、第２グランド導体２４、第１対向電極３２、および第２対向電極３４によって、第１信号線２６と第２信号線２８のシールディング機能が発揮される。

（第４実施形態）
　以下に、第４実施形態に係る伝送線路４００について図面を参照しながら説明する。

　図９は、伝送線路４００における絶縁体層１２の第１主面１９ａの層を示す上面図であり、図１０は、伝送線路４００における保護膜１６ｂの層、すなわち、絶縁体層１２の第２主面１９ｂの層を示す上面図である。

　第４実施形態に係る伝送線路４００は、第１対向電極４３２と第２対向電極４３４が信号伝送方向Ｓにおいて互いにずれた位置に配置される点において、第１実施形態に係る伝送線路１００と相違する。

　図９、図１０に示すように、第１信号線２６に重なる複数の第１対向電極４３２と、第２信号線２８に重なる複数の第２対向電極４３４は、信号伝送方向Ｓにおいて互いにずれた位置に配置される。

　図１０に示すように、ある第１対向電極４３２ａは、隣接する２つの第２対向電極４３４ａ、４３４ｂと幅方向Ｗに見て重なっている。第１対向電極４３２ａは、第２対向電極４３４ａと幅方向Ｗに重なる領域および重ならない領域を有し、同様に、第２対向電極４３４ｂと幅方向Ｗに重なる領域および重ならない領域を有する。

　図１０に示す例では、複数の第１対向電極４３２が配置されるピッチＰ１と、複数の第２対向電極４３４が配置されるピッチＰ２は略同じ長さに設定されている。また、隣接する第１対向電極４３２ａと第２対向電極４３４ａは、信号伝送方向Ｓに沿って位置ずれ量Ｐｘだけずれて配置される。位置ずれ量Ｐｘは例えば、ピッチＰ１、Ｐ２の約半分の長さに設定される。このような場合に限らず、位置ずれ量ＰｘはピッチＰ１、Ｐ２よりも小さい長さであれば、任意の長さに設定してもよい。なお、ピッチＰ１は、隣接する２つの第１対向電極４３２の中央部同士の距離であり、ピッチＰ２は、隣接する２つの第２対向電極４３４の中央部同士の距離であり、位置ずれ量Ｐｘは、隣接する第１対向電極４３２の中央部と第２対向電極４３４の中央部の距離である。信号伝送方向Ｓに沿った長さに関して、個々の第１対向電極４３２の幅と個々の第２対向電極４３４の幅は略同じ長さに設定されている。また、隣接する２つの第１対向電極４３２の間隔（隙間の長さ）と、隣接する２つの第２対向電極４３４の間隔も略同じ長さに設定されている。

　上記構成によれば、第１対向電極４３２と第２対向電極４３４が、信号伝送方向Ｓに沿った位置が互いにずれて配置されることで、第１対向電極４３２と第２対向電極４３４の間での容量形成を防ぐことができる。これにより、第１信号線２６および第２信号線２８のアイソレーション、またはカップリングを改善できる。

　ここで、第４実施形態の変形例に係る伝送線路４００ａを図１１に示す。図１１に示すように、伝送線路４００ａの第２導体パターン４３０ａは、複数の第１対向電極４３２および複数の第２対向電極４３４に加えて、複数の第５対向電極４３６を有する。

　複数の第５対向電極４３６は、対向電極４３２、４３４と同様に、信号伝送方向Ｓに沿って間隔を空けて周期的に配置されており、第２対向電極４３４に対して幅方向Ｗに隣接する位置に設けられる。

　図１１に示す例では、複数の第５対向電極４３６が配置されるピッチＰ３は、対向電極４３２、４３４のピッチＰ１、Ｐ２と略同じに設定される。さらに、個々の第５対向電極４３６は、信号伝送方向Ｓの位置が、個々の第２対向電極４３４に対してずれた位置、且つ個々の第１対向電極４３２と略同じ位置に設定される。なお、ピッチＰ３は、隣接する２つの第２対向電極４３６の中央部同士の距離である。また、信号伝送方向Ｓに沿った長さに関して、個々の第３対向電極４３６の幅は、個々の第１対向電極４３２の幅および個々の第２対向電極４３４の幅と略同じ長さに設定されている。また、隣接する２つの第３対向電極４３６の間隔（隙間の長さ）も、隣接する２つの第１対向電極４３２の間隔、および隣接する２つの第２対向電極４３４の間隔と略同じ長さに設定されている。

　図１１に示す構成によれば、幅方向Ｗに隣接する対向電極４３２、４３４同士の容量形成を抑制するとともに、幅方向Ｗに隣接する対向電極４３４、４３６同士の容量形成を抑制することができる。第２対向電極４３４を挟むように配置される第１対向電極４３２と第５対向電極４３６の信号伝送方向Ｓの位置を略同じに設定することで、対向電極４３２、４３４、４３６の配置を容易に決めることができる。また、幅方向Ｗに間隔を空けて４列以上の対向電極を設ける際も、隣接する対向電極同士を信号伝送方向Ｓにずらして配置するとともに、１つ置きに信号伝送方向Ｓの位置を同じに設定することで、対向電極の配置を容易に決めることができる。

（第５実施形態）
　以下に、第５実施形態に係る伝送線路５００について図面を参照しながら説明する。

　図１２は、伝送線路５００の縦断面図である。図１３Ａ、図１３Ｂはそれぞれ、伝送線路５００における各層を示す上面図である。

　第５実施形態に係る伝送線路５００は、保護膜１６ａ、１６ｂの間に２層の絶縁体層１２ａ、１２ｂを有し、第１導体パターン２０と第２導体パターン３０に加えて、第３導体パターン５３０をさらに備える点において、第１実施形態に係る伝送線路１００と相違する。

　図１２に示すように、保護膜１６ａ、１６ｂの間に、２つの絶縁体層１２ａ、１２ｂが厚み方向Ｔに積層されている。絶縁体層１２ａの第１主面５１９ａには第１導体パターン２０が設けられ、絶縁体層１２ａの第２主面５１９ｂには第２導体パターン３０が設けられる。絶縁体層１２ｂの第３主面５１９ｃには、第３導体パターン５３０が設けられる。

　第３導体パターン５３０は、第３対向電極５３２と、第４対向電極５３４とを備える。第３導体パターン５３０の構造は、第２導体パターン３０の構造と同様である。換言すれば、絶縁体層１２ｂの第３主面５１９ｃに、第２導体パターン３０と同じ構造の導体パターンとして第３導体パターン５３０を設けている。なお、図１３Ａに示す例では、第２導体パターン５３０の下層の第１導体パターン２０を引き出すために複数のランド５３５を設けている。なお、図１２の縦断面図では、ランド５３５の図示を省略しており、以降の実施形態でも同様に、ランドの図示および説明を省略する。

　図１３Ａに示すように、複数の第３対向電極５３２は、信号伝送方向Ｓに沿って間隔を空けて周期的に配置される。同様に、複数の第４対向電極５３４は、信号伝送方向Ｓに沿って間隔を空けて周期的に配置される。

　厚み方向Ｔから見て、複数の第３対向電極５３２は、図１３Ｂに実線で示す第１導体パターン２０の第１グランド導体２２、第１信号線２６および第３グランド導体４４に重なる。同様に、厚み方向Ｔから見て、複数の第４対向電極５３４は、図１３Ｂに実線で示す第１導体パターン２０の第３グランド導体４４、第２信号線２８および第２グランド導体２４に重なる。

　個々の第３対向電極５３２は、図１３Ｂに点線で示す個々の第１対向電極３２と厚み方向Ｔに重なる。個々の第４対向電極５３４は、図１３Ｂに点線で示す個々の第２対向電極３４と厚み方向Ｔに重なる。

　図１２に示すように、第１信号線２６は、第１対向電極３２と第３対向電極５３２によって厚み方向Ｔに挟まれ、第２信号線２８は、第２対向電極３４と第４対向電極５３４によって厚み方向Ｔに挟まれる。

　上記構成によれば、第１対向電極３２および第２対向電極３４に加えて、第３対向電極５３２および第４対向電極５３４を設けることで、不要輻射に対するシールド性を向上させることができる。これにより、第１信号線２６および第２信号線２８のアイソレーション、またはカップリングを改善できる。

　なお、第３対向電極５３２および第４対向電極５３４は浮遊導体であっても、グランド導体であってもよい。また、厚み方向Ｔに重なる第１対向電極３２および第３対向電極５３２のうち、いずれか一方の対向電極を省略して、他方の対向電極のみを設ける場合であってもよい。同様に、厚み方向Ｔに重なる第２対向電極３４および第４対向電極５３４のうち、いずれか一方の対向電極を省略して、他方の対向電極のみを設ける場合であってもよい。

（第６実施形態）
　以下に、第６実施形態に係る伝送線路６００について図面を参照しながら説明する。

　図１４は、伝送線路６００の縦断面図である。

　第６実施形態に係る伝送線路６００は、絶縁体層１２ｂが２つの絶縁体層１２ｂ１、１２ｂ２に分割されるとともに、第１導体パターン６２０が複数の層に分けて設けられる点において、第５実施形態に係る伝送線路５００と相違する。

　図１４に示すように、２つの絶縁体層１２ｂ１、１２ｂ２が厚み方向Ｔに積層されている。絶縁体層１２ａの上に絶縁体層１２ｂ１が積層され、絶縁体層１２ｂ１の上に絶縁体層１２ｂ２が積層され、絶縁体層１２ｂ２の上に保護膜１６ａが積層される。

　第１導体パターン６２０は、第１グランド導体６２２と、第１信号線６２６と、第３グランド導体６４４と、第２信号線６２８と、第２グランド導体６２４とを備える。

　図１４に示す例では、第１導体パターン６２０のうち、第１グランド導体６２２および第１信号線６２６が同じ層に設けられ、第３グランド導体６４４、第２信号線６２８および第２グランド導体６２４が同じ層に設けられる。

　図１４に示すように、絶縁体層１２ａの第１主面６１９ａには、第１グランド導体６２２および第１信号線６２６が設けられ、絶縁体層１２ａの第２　　　　　　　主面６１９ｂには、第２導体パターン３０が設けられる。同様に、絶縁体層１２ｂ２の第３主面６１９ｃには、第３グランド導体６４４、第２信号線６２８および第２グランド導体６２４が設けられ、絶縁体層１２ｂ２の第４主面６１９ｄには、第３導体パターン５３０が設けられる。

　第５実施形態の伝送線路５００と同様に、第１対向電極３２と第３対向電極５３２は、厚み方向Ｔから見て、第１グランド導体６２２、第１信号線６２６および第３グランド導体６４４に重なる。また、第２対向電極３４と第４対向電極５３４は、厚み方向Ｔから見て、第３グランド導体６４４、第２信号線６２８および第２グランド導体６２４に重なる。

　図１４に示す構成によれば、第１導体パターン６２０を構成する第１信号線６２６と第２信号線６２８が異なる層に配置されることで、第１信号線６２６と第２信号線６２８の距離が遠くなり、直接的な干渉を抑制することができる。さらに、第１信号線６２６は上側の第３対向電極５３２に対する距離が遠く、第２信号線６２８は下側の第２対向電極３４に対する距離が遠くなっている。これにより、対向電極３２、３４、５３２、５３４を介した干渉も抑制することができ、第１信号線２６と第２信号線２８のアイソレーション、またはカップリングを改善できる。

　ここで、第６実施形態の変形例に係る伝送線路６００ａを図１５に示す。図１５に示すように、伝送線路６００ａの第１導体パターン６２０ａは、２つの第３グランド導体６４４ａ、６４４ｂを有する。

　図１５に示すように、第３グランド導体６４４ａ、６４４ｂは異なる層に設けられる。第３グランド導体６４４ａは、第１グランド導体６２２および第１信号線６２６と同じ層、すなわち、絶縁体層１２ａの第１主面６１９ａに設けられる。第３グランド導体６４４ｂは、第２信号線６２８および第２グランド導体６２４と同じ層、すなわち、絶縁体層１２ｂ２の第３主面６１９ｃに形成される。

　図１５に示す構造によれば、２つの第３グランド導体６４４ａ、６４４ｂに分割するとともに、第３グランド導体６４４ａ、６４４ｂを異なる層に配置することで、第１信号線６２６と第２信号線６２８のアイソレーション、またはカップリングをさらに改善できる。

（第７実施形態）
　以下に、第７実施形態に係る伝送線路７００について図面を参照しながら説明する。

　図１６、図１７はそれぞれ、伝送線路７００の縦断面図である。図１６、図１７では、保護膜１６ａ、１６ｂの図示を省略する等、一部簡略化した構造を示す。

　第７実施形態に係る伝送線路７００は、ストリップライン構造を有する点において、第１実施形態に係る伝送線路１００と相違する。

　図１６に示すように、絶縁体層７１２の一方側の主面には、第１信号線７２６が設けられて、他方側の主面には、複数の第１対向電極７３２が設けられる。複数の第１対向電極７３２は、信号伝送方向Ｓに沿って間隔を空けて周期的に配置されるとともに、厚み方向Ｔから見て第１信号線７２６に対向する。

　図１７に示すように、絶縁体層７１２の一方側の主面には、第２信号線７２８が設けられて、他方側の主面には、複数の第２対向電極７３４が設けられる。複数の第２対向電極７３４は、信号伝送方向Ｓに沿って間隔を空けて周期的に配置されるとともに、厚み方向Ｔから見て第２信号線７２８に対向する。

　図１７に示す第２信号線７２８および第２対向電極７３４は、図１６に示す第１信号線７２６および第１対向電極７３２に対して幅方向Ｗにずれた位置に配置される。複数の第１対向電極７３２は、厚み方向Ｔから見て、第１信号線７２６には重なるが、図１７に示す第２信号線７２８には重ならない。複数の第２対向電極７３４は、厚み方向Ｔから見て、第２信号線７２８には重なるが、図１６に示す第１信号線７２６には重ならない。

　図１６に示すように、伝送線路７００における信号伝送方向Ｓの両端部にはそれぞれ、ストリップライン構造７０２およびストリップライン構造７０４が設けられる。

　ストリップライン構造７０２は、前述した第１信号線７２６を厚み方向Ｔに挟む位置に一対のグランド導体７５０、７５２（図１６）を有し、さらに、第２信号線７２８を厚み方向Ｔに挟む位置に一対のグランド導体７５４、７５６（図１７）を有する。グランド導体７５０、７５４は、絶縁体層７１２の下方主面に設けられ、グランド導体７５２、７５６は、絶縁体層７１３の上方主面に設けられる。グランド導体７５０、７５４は、第１対向電極７３２および第２対向電極７３４と同じ層に設けられる。

　ストリップライン構造７０４は、前述した第１信号線７２６を厚み方向Ｔに挟む位置に一対のグランド導体７５８、７６０（図１６）を有し、さらに、第２信号線７２８を厚み方向Ｔに挟む位置に一対のグランド導体７６２、７６４（図１７）を有する。グランド導体７５８、７６２は、絶縁体層７１２の下方主面に設けられ、グランド導体７６０、７６４は、絶縁体層７１４の上方主面に設けられる。グランド導体７５８、７６２は、第１対向電極７３２および第２対向電極７３４と同じ層に設けられる。

　伝送線路７００は、３つの区間として、第１区間Ａ１、第２区間Ａ２および第３区間Ａ３を有する。第１区間Ａ１は、ストリップライン構造７０２が設けられる区間であり、第２区間Ａ２は、ストリップライン構造７０４が設けられる区間であり、第３区間Ａ３は、第１区間Ａ１と第２区間Ａ２の間の区間である。第３区間Ａ３では、第１信号線７２６および第２信号線７２８と第１対向電極７３２および第２対向電極７３４とが絶縁体層７１２を厚み方向Ｔに挟むように配置されている。これより、第３区間Ａ３には、マイクロストリップライン構造７０５が設けられる。

　第３区間Ａ３では、複数の第１対向電極７３２および第２対向電極７３４が信号伝送方向Ｓに間隔を空けて配置されるとともに、第１区間Ａ１および第２区間Ａ２に比べて厚みが薄くなっている。これより、第３区間Ａ３において厚み方向Ｔに曲げやすくなっており、多層基板としての伝送線路７００は高い柔軟性を有する。特に、対向電極７３２、７３４が信号伝送方向Ｓに長い１つの導体で構成される場合と比較して、第２導体パターンにかかる応力を低減することができ、第３区間Ａ３での曲げやすさを実現することができる。

　なお、伝送線路７００の両側にストリップライン構造７０２、７０４を有する場合について説明したが、このような場合に限らず、２つのストリップライン構造７０２、７０４のいずれか一方を省略して、他方のストリップライン構造のみを設ける場合であってもよい。

　なお、第１信号線７２６および第２信号線７２８がそれぞれ信号伝送方向Ｓに延びる１本の線である場合について説明したが、このような場合に限らず、各信号線が、ビア導体等の層間接続導体を介して異なる層に配置された２本以上の線を接続した構造であってもよい。

　ここで、第７実施形態の変形例に係る伝送線路７００ａを図１８、図１９に示す。図１８、図１９はそれぞれ、伝送線路７００ａの縦断面図である。

　図１８、図１９に示す伝送線路７００ａは、図１６、図１７に示す伝送線路７００において、絶縁体層７１３、７１４およびグランド導体７５２、７６０を取り除いた構成に対応する。

　伝送線路７００ａにおいては、区間Ａ１～Ａ３において、一連のマイクロストリップライン構造が形成される。第１区間Ａ１では、マイクロストリップライン構造７０２ａが形成され、第２区間Ａ２では、マイクロストリップライン構造７０４ａが形成され、第３区間Ａ３では、マイクロストリップライン構造７０５が形成される。

　なお図１８、図１９に示す例では、伝送線路７００ａの両側にストリップライン構造７０２ａ、７０４ａが設けられているが、このような場合に限らず、２つのマイクロストリップライン構造７０２ａ、７０４ａのいずれか一方を省略して、他方のストリップライン構造のみを設ける場合であってもよい。

　すなわち、伝送線路７００、７００ａによれば、信号線７２６、７２８の延伸方向（信号伝送方向Ｓ）において、第１対向電極７３２および第２対向電極７３４の少なくとも一方側又は他方側に、ストリップライン構造あるいはマイクロストリップライン構造を有してもよい。これにより、高い柔軟性を有する伝送線路７００、７００ａを実現することができる。

（第８実施形態）
　以下に、第８実施形態に係る伝送線路８００について図面を参照しながら説明する。

　図２２は、伝送線路８００の縦断面図であり、図２３は、伝送線路８００における１つの層を示す上面図である。

　第８実施形態に係る伝送線路８００は、信号線、グランド導体および対向電極（浮き電極）がそれぞれ１つずつ多く設けられる点において、第１実施形態に係る伝送線路１００と相違する。

　図２２に示すように、伝送線路８００は、第１導体パターン８２０と、第２導体パターン８３０を有する。

　第１導体パターン８２０は、２つの信号線２６、２８に加えて、信号線８２９をさらに有し、３つのグランド導体２２、４４、２４に加えて、グランド導体８４６をさらに有する。

　第２導体パターン８３０は、２つの対向電極３２、３４に加えて、対向電極８３６をさらに有する。

　信号線８２９は、２つのグランド導体２４、８４６によって幅方向Ｗに挟まれる。対向電極８３６は、厚み方向Ｔから見て、１つの信号線８２９と２つのグランド導体２４、８４６に重なる。

　このような構成によれば、信号線２６、２８、８２９の数を３つに増加させるとともに、グランド導体２２、４４、２４、８４６と対向電極３２、３４、８３６（浮き電極）によって、アイソレーション性を高めることができる。

　図２３に示すように、第２導体パターン８３０における３つの対向電極３２、３４、８３６の配置は、図１１に示す第４実施形態の変形例に係る伝送線路４００ａと同様の配置にしてもよい。具体的には、幅方向Ｗに隣接する対向電極３２、３４同士を、信号伝送方向Ｓに沿ってずらした位置に配置し、幅方向Ｗに隣接する対向電極３４、８３６同士を、信号伝送方向Ｓに沿ってずらした位置に配置する。これにより、対向電極３２、３４、８３６同士の容量形成を抑制することができる。

（第９実施形態）
　以下に、第９実施形態に係る伝送線路９００について図面を参照しながら説明する。

　図２４は、伝送線路９００の縦断面図である。

　第９実施形態に係る伝送線路９００は、第８実施形態に係る伝送線路８００と比較して、グランド導体８４６と対向電極８３６を有しない点において相違する。

　図２４に示すように、伝送線路９００は第１導体パターン９２０を有し、第１導体パターン９２０は信号線９２９を有する。信号線９２９は、厚み方向Ｔから見て、いずれの対向電極３２、３４にも重ならない。

　第８実施形態に係る伝送線路８００のように、いずれの信号線も対向電極（浮き電極）に厚み方向Ｔに重なる場合に限らず、第９実施形態に係る伝送線路９００のように、一部の信号線２６、２８が対向電極３２、３４と厚み方向Ｔに重なり、一部の信号線９２９は対向電極３２、３４と厚み方向Ｔに重ならない場合であってもよい。

（第１０実施形態）
　以下に、第１０実施形態に係る伝送線路１０００について図面を参照しながら説明する。

　図２５は、伝送線路１０００の縦断面図である。

　第１０実施形態に係る伝送線路１０００は、接着剤１００２を用いた積層構造である点において、第１実施形態に係る伝送線路１００と相違する。

　図２５に示すように、伝送線路１０００は、接着剤１００２を有する。接着剤１００２は、絶縁体層１２と保護膜１６ｂとの間に設けられ、絶縁体層１２と保護膜１６ｂを互いに接着する。このような構成によって、接着剤１００２を用いて銅箔を接合してもよい。

（第１０実施形態の変形例）
　図２６は、第１０実施形態の変形例に係る伝送線路１０００ａの縦断面図である。

　図２６に示す伝送線路１０００ａは、接着剤１００４を用いた積層構造を有し、接着材１００４は、第１絶縁体層１２ａと第２絶縁体層１２ｂを互いに接合する。このような構成によって、接着剤１００４を用いて片面銅張を積層してもよい。

（第１１実施形態）
　以下に、第１１実施形態に係る伝送線路１１００について図面を参照しながら説明する。

　図２７、図２８、図２９、図３０はそれぞれ、伝送線路１１００の縦断面図である。図２７、図２８は、伝送線路１１００が曲がっていない状態を示し、図２９、図３０は、伝送線路１１００が曲がっている状態を示す。

　第１１実施形態に係る伝送線路１１００は、信号線１１２６、１１２８の上下にそれぞれ対向電極１１３２、１１３３、１１３４、１１３５（浮き電極）を有する点において、第７実施形態に係る伝送線路７００と相違する。

　図２７に示すように、絶縁体層１１１２の一方側の主面には、第１信号線１１２６として、第１信号線１１２６ａ、１１２６ｂ、１１２６ｃが設けられる。絶縁体層１１１２の他方側の主面には、複数の第１対向電極１１３２およびグランド導体１１５０、１１５４が設けられる。

　第１信号線１１２６ａ、１１２６ｂは、厚み方向Ｔにおいて互いに異なる位置にあり、ビア導体１１７０を介して接続される。第１信号線１１２６ｂ、１１２６ｃは、厚み方向Ｔにおいて互いに異なる位置にあり、ビア導体１１７２を介して接続される。

　第１信号線１１２６は、絶縁体層１１１３の一方側の主面に設けられている。絶縁体層１１１３の他方側の主面には、複数の第６対向電極１１３３およびグランド導体１１５２、１１５６が設けられる。

　図２８に示すように、絶縁体層１１１２の一方側の主面には、第２信号線１１２８として、第２信号線１１２８ａ、１１２８ｂ、１１２８ｃが設けられる。絶縁体層１１１２の他方側の主面には、複数の第２対向電極１１３４およびグランド導体１１５８、１１６２が設けられる。

　第２信号線１１２８ａ、１１２８ｂは、厚み方向Ｔにおいて互いに異なる位置にあり、ビア導体１１７４を介して接続される。第２信号線１１２８ｂ、１１２８ｃは、厚み方向Ｔにおいて互いに異なる位置にあり、ビア導体１１７６を介して接続される。

　第２信号線１１２８は、絶縁体層１１１３の一方側の主面に設けられている。絶縁体層１１１３の他方側の主面には、複数の第７対向電極１１３５およびグランド導体１１６０、１１６４が設けられる。

　図２７に示す第１信号線１１２６、第１対向電極１１３２および第６対向電極１１３３は、図２８に示す第２信号線１１２８、第２対向電極１１３４および第７対向電極１１３５に対して幅方向Ｗにずれた位置に配置される。複数の第１対向電極１１３２は、厚み方向Ｔから見て、第１信号線１１２６ｂには重なるが、図２８に示す第２信号線１１２８ｂには重ならない。複数の第２対向電極１１３４は、厚み方向Ｔから見て、第２信号線１１２８ｂには重なるが、図２７に示す第１信号線１１２６ｂには重ならない。

　図２７に示すように、伝送線路１１００における信号伝送方向Ｓの両端部にはそれぞれ、ストリップライン構造１１０２およびストリップライン構造１１０４が設けられる。ストリップライン構造１１０２とストリップライン構造１１０４の間には、別のストリップライン構造１１０５が設けられる。

　ストリップライン構造１１０２は、前述した第１信号線１１２６ａを厚み方向Ｔに挟む位置に一対のグランド導体１１５０、１１５２（図２７）を有し、さらに、第２信号線１１２８ａを厚み方向Ｔに挟む位置に一対のグランド導体１１５８、１１６０（図２８）を有する。

　ストリップライン構造１１０４は、前述した第１信号線１１２６ｃを厚み方向Ｔに挟む位置に一対のグランド導体１１５４、１１５６（図２７）を有し、さらに、第２信号線１１２８ｃを厚み方向Ｔに挟む位置に一対のグランド導体１１６２、１１６４（図２８）を有する。

　伝送線路１１００は、３つの区間として、第１区間Ａ４、第２区間Ａ５および第３区間Ａ６を有する。第１区間Ａ４は、ストリップライン構造１１０２が設けられる区間であり、第２区間Ａ５は、ストリップライン構造１１０４が設けられる区間であり、第３区間Ａ６は、第１区間Ａ４と第２区間Ａ５の間でストリップライン構造１１０５が設けられる区間である。

　第３区間Ａ６では、複数の第１対向電極１１３２、複数の第２対向電極１１３４、複数の第６対向電極１１３３および複数の第７対向電極１１３５がそれぞれ、信号伝送方向Ｓに間隔を空けて配置され、第１区間Ａ１および第２区間Ａ２に比べて厚みが薄くなっている。これより、第３区間Ａ６において厚み方向Ｔに曲げやすくなっており、図２９、図３０に示すように多層基板としての伝送線路１１００は高い柔軟性を有する。このような構成によれば、例えば対向電極１１３２、１１３３、１１３４、１１３５に代えて、信号伝送方向Ｓに長い１つの導体を用いる場合と比較して、伝送線路１１００にかかる応力を低減することができ、柔軟な曲げ性を実現することができる。

　図２７、図２８に示すように、第１１実施形態に係る伝送線路１１００では、第１信号線１１２６および第２信号線１１２８の上下に対称的な厚みで絶縁体層１１１２、１１１３を配置している。これにより、伝送線路１１００による信号伝送機能をより安定化させることができる。

（第１２実施形態）
　以下に、第１２実施形態に係る伝送線路１２００について図面を参照しながら説明する。

　図３１は、伝送線路１２００の縦断面図である。

　第１２実施形態に係る伝送線路１２００では、第３導体パターン１２３０が１つのグランド導体１２３２を有する点において、第５実施形態に係る伝送線路５００と相違する。

　図３１に示すグランド導体１２３２は、いわゆる「ベタＧＮＤ」であり、第１導体パターン２０と第２導体パターン３０を構成する電極のいずれにも厚み方向Ｔに重なるように配置される。対向電極１２３２は、厚み方向Ｔから見て、第１導体パターン２０のグランド導体２２、４４、２４および信号線２６、２８に重なり、第２導体パターン３０の対向電極３２、３４に重なる。

　このような構成によれば、伝送線路１２００の厚み方向Ｔの一方側で複数の対向電極３２、３４に分割し、他方側でベタＧＮＤであるグランド導体１２３２を用いることで、曲げに伴う破断を効果的に抑制することができる。具体的には、対向電極３２、３４が外側となるように伝送線路１２００を曲げ方向Ｒ１に曲げたときに、対向電極３２、３４が幅方向Ｔに分割されていることで、引っ張りによる破断（断線）を生じにくくすることができる。

（第１３実施形態）
　以下に、第１３実施形態に係る伝送線路１３００について図面を参照しながら説明する。

　図３２は、伝送線路１３００における１つの層を示す上面図であり、図３３は、伝送線路１３００を内蔵した電子機器１３８０を概略的に示すブロック図である。

　第１３実施形態に係る伝送線路１３００では、第１導体パターン１３２０を構成するグランド導体１３２２、１３２４、１３４４が一体化して構成される点において、第１実施形態に係る伝送線路１００と相違する。

　図３２に示すように、第１導体パターン１３２０は、信号線２６、２８と、グランド導体１３２２、１３２４、１３４４とを有する。

　グランド導体１３２２、１３２４、１３４４は、一体化して構成されており、互いに導通している。第１信号線２６は、グランド導体１３２２とグランド導体１３４４の間に配置され、第２信号線２８は、グランド導体１３４４とグランド導体１３２４の間に配置される。

　グランド導体１３２２、１３２４、１３４４は、図３２のグランド接続１３８２で示すように、基準電位に接続されている。グランド接続１３８２としては例えば、図３３に示す電子機器１３８０のシャーシを用いたフレームグラウンド等、任意の方法を用いてもよい。第１実施形態～第１２実施形態では図示を省略したが、グランド導体は、図３２のグランド導体１３２２、１３２４、１３４４と同様の方法により基準電位に接続されてもよい。

　電子機器１３８０は、伝送線路１３００を内蔵した電子機器であり、伝送線路１３００を用いて高周波信号等の信号を伝送する。電子機器１３８０は例えば、携帯電話等、任意の種類の電子機器であってもよい。

　上記構成によれば、グランド導体１３２２、１３２４、１３４４を容易に基準電位に接続することができる。

（その他の実施形態）
　本発明に係る伝送線路は、伝送線路１００～１３００に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、伝送線路１００～１３００の構造を任意に組み合わせてもよい。例えば、図示されていない、層間接続導体や外部電極を有していてもよい。

　層間接続導体は、例えば、第１実施形態の伝送線路１００において、絶縁体層１２を厚み方向に貫通している。伝送線路１００では、第１信号線２６が設けられている絶縁体層１２の第１主面１９ａに連通する開口４６ａ、４６ｂが設けられている。それに対し、例えば、第１信号線２６の両端部に接続され、絶縁体層１２の第２主面１９ｂ側に向かって、厚み方向Ｔに貫通する層間接続導体を有し、絶縁体層１２の第２主面１９ｂに開口が設けられていてもよい。この場合、例えば、層間接続導体を介して、第１信号線２６と電気的に接続された外部電極が当該開口から露出する。なお、層間接続導体は、例えば、絶縁体層１２を貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、加熱により導電性ペーストが固化することにより形成される。

　外部電極は、例えば、第１実施形態の伝送線路１００において、絶縁体層１２の主面に張り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成された導体層である。金属箔は、例えば、銅箔である。外部電極は、図示しない外部回路と電気的に接続されてもよい。外部回路は、伝送線路１００の外部に設けられている電気回路である。外部電極は、例えば、絶縁体層１２の第２主面１９ｂの端部に設けられる。外部電極には図示しないコネクタが半田により実装されてもよい。このコネクタは、図示しない回路基板のコネクタに接続されてもよい。これにより、伝送線路１００と図示しない回路基板とが電気的に接続されてもよい。なお、伝送線路１００は、コネクタを介することなく、表面実装により外部回路などの回路基板と接続されてもよい。

　なお、絶縁体層１２等の絶縁体層は、可撓性を有していなくてもよい。

　なお、絶縁体層１２等の絶縁体層の材料は、熱可塑性樹脂以外の樹脂であってもよく、樹脂以外の絶縁材料であってもよく、樹脂以外の絶縁材料は、例えば、セラミックスが挙げられる。

　なお、第１対向電極３２等の対向電極は、それぞれ複数の導体でなくてもよく、１つの導体で構成される場合等、１つ以上の導体を有していればよい。

　なお、第１対向電極３２等の対向電極は、それぞれが同一の電位に接続されていなくてもよい。例えば、一部の第１対向電極３２はグランド導体であり、残りの第１対向電極３２は浮遊導体でもよい。

　なお、第１導体パターン２０等の導体パターンは、それぞれの線幅が均一でなくてもよい。また、１つの導体パターンにおいて、全ての導体や電極が同じ層にある必要はなく、異なる層にあってもよい。

　なお、伝送線路１００において、第３グランド導体４４に代えて、電源線や低周波信号用の第３信号線をさらに備えていてもよい。具体的には、図２０に示す伝送線路１００ａのように、第１信号線２６と第２信号線２８の間に電源線や低周波信号用の第３信号線１０２ａが配置されていてもよい。これにより、設計の自由度が向上する。図２０に示す例では、第３グランド導体４４に代えて第３信号線１０２ａを配置したが、このような場合に限らない。図２１に示すように、第３グランド導体４４ｂとともに第３信号線１０２ｂを配置してもよい。第３グランド導体４４ｂとともに第３信号線１０２ｂを配置することで、シールディング機能を向上させることができる。

　上記変形例は、任意の実施形態に適用してもよい。

１２：絶縁体層（絶縁体）
２０：第１導体パターン
２２：第１グランド導体
２４：第２グランド導体
２６：第１信号線
２８：第２信号線
３０：第２導体パターン
３２：第１対向電極
３４：第２対向電極
１００：伝送線路
Ｓ：信号伝送方向
Ｔ：厚み方向

Claims (19)

1. 　少なくとも１つの絶縁体層を有する絶縁体と、
   　前記絶縁体層に配置され、前記絶縁体層の厚み方向に互いに異なる位置に配置された第１導体パターンおよび第２導体パターンと、を備え、
   　前記第１導体パターンは、信号伝送方向に沿ってそれぞれ延びる第１信号線および第２信号線を有し、
   　前記第２導体パターンは、第１対向電極および第２対向電極を有し、
   　前記第１対向電極は、前記厚み方向から見て、前記第１信号線と重なり、前記第２信号線と重ならず、
   　前記第２対向電極は、前記厚み方向から見て、前記第２信号線と重なり、前記第１信号線と重ならない、
   　伝送線路。
2. 　前記第１導体パターンは、グランド導体をさらに有する、
   　請求項１に記載の伝送線路。
3. 　前記グランド導体は、基準電位に接続されている、
   　請求項２に記載の伝送線路。
4. 　前記グランド導体は、前記第１信号線に対応する第１グランド導体と、前記第２信号線に対応する第２グランド導体とを有する、
   　請求項２又は３に記載の伝送線路。
5. 　前記グランド導体は、前記厚み方向から見て、前記第１信号線および前記第２信号線の間に配置された１以上の第３グランド導体を有する、
   　請求項２から４のいずれか１つに記載の伝送線路。
6. 　前記第３グランド導体は、前記厚み方向から見て、前記第１対向電極と前記第２対向電極の両方に重なる１つの導体部を有する、
   　請求項５に記載の伝送線路。
7. 　前記厚み方向から見て、前記第１信号線および第２信号線の間に配置された複数の第３グランド導体をさらに備える、
   　請求項５に記載の伝送線路。
8. 　前記厚み方向から見て、前記第１信号線と前記第２信号線との間に第３グランド導体が配置されない、
   　請求項１に記載の伝送線路。
9. 　前記第１対向電極および／または前記第２対向電極は、基準電位に接続されていない、
   　請求項１から８のいずれか１項に記載の伝送線路。
10. 　前記第１信号線および前記第２信号線は、高周波信号用である、
    　請求項１から９のいずれか１項に記載の伝送線路。
11. 　前記第１対向電極および前記第２対向電極の少なくとも一方は、前記信号伝送方向に沿って間隔をあけて複数設けられる、
    　請求項１から１０のいずれか１項に記載の伝送線路。
12. 　前記厚み方向から見て、前記信号伝送方向に交差する方向を幅方向とすると、
    　前記信号伝送方向における前記第１対向電極の長さは、前記幅方向における前記第１対向電極の長さより短い、
    　請求項１１に記載の伝送線路。
13. 　前記第１対向電極と第２対向電極は、前記信号伝送方向に沿った位置が互いにずれて配置される、
    　請求項１１または１２に記載の伝送線路。
14. 　前記厚み方向において、前記第１導体パターンに対して前記第２導体パターンの反対側に配置される第３導体パターンをさらに備え、
    　前記第３導体パターンは、前記厚み方向に見て、前記第１信号線と重なり、前記第２信号線と重ならない１以上の第３対向電極と、前記厚み方向に見て、前記第２信号線と重なり、前記第１信号線と重ならない１以上の第４対向電極との、少なくとも一方を有する、
    　請求項１から１３のいずれか１項に記載の伝送線路。
15. 　前記第１信号線の延伸方向において、前記第１対向電極および前記第２対向電極の少なくとも一方側又は他方側に、ストリップライン構造又はマイクロストリップライン構造を有する、
    　請求項１から１４のいずれか１項に記載の伝送線路。
16. 　電源線をさらに備え、
    　前記電源線は、前記厚み方向から見て、前記第１信号線および第２信号線の間に配置された、
    　請求項１から１５のいずれか１項に記載の伝送線路。
17. 　低周波信号用の第３信号線をさらに備え、
    　前記第３信号線は、前記厚み方向から見て、前記第１信号線および第２信号線の間に配置された、
    　請求項１から１５のいずれか１項に記載の伝送線路。
18. 　前記信号伝送方向は、前記厚み方向に直交する、
    　請求項１から１７のいずれか１項に記載の伝送線路。
19. 　請求項１から１８のいずれか１項に記載の伝送線路を備えた、電子機器。

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