CN215647529U - 多层基板以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种多层基板和电子设备。多层基板具备：层叠体，层叠有多个基材层；第1及第2信号线，形成在层叠体，沿传输方向延伸并具有相互并行的并行部；第1及第2接地导体，形成在层叠体并配置为在多个基材层的层叠方向上夹着第1及第2信号线；和多个层间连接导体，形成在层叠体，连接第1和第2接地导体，多个层间连接导体在传输方向上排列且至少配置在并行部中的第1信号线与第2信号线之间，第1接地导体具有第1及第2开口，第2接地导体具有第3及第4开口，第1及第3开口沿并行部连续地延伸，从层叠方向观察，配置在并行部中的第1信号线与第2信号线之间，第2及第4开口配置在比并行部靠与传输方向正交的宽度方向上的外侧。

Description

多层基板以及电子设备
技术领域
本实用新型涉及在将多个基材层层叠而成的层叠体设置了多个传输线路的多层基板、以及具备上述多层基板的电子设备。
背景技术
以往，已知有在将多个基材层层叠而成的层叠体设置了多个传输线路的多层基板。
例如，在专利文献1示出了具备层叠体和形成在层叠体的导体图案 (第1基准接地导体、第2基准接地导体、第1信号线、第2信号线、第 1辅助接地导体以及第2辅助接地导体)的多层基板。在上述多层基板中，构成了包含第1信号线和在层叠方向上夹着该第1信号线的第1基准接地导体以及第1辅助接地导体的第1传输线路，并构成了包含第2信号线和在层叠方向上夹着该第2信号线的第2基准接地导体以及第2辅助接地导体的第2传输线路。
在上述多层基板中，按每个传输线路分别设置有独立的接地导体，相邻的传输线路的接地导体被分离。通过该结构，可确保传输线路间的隔离度，可抑制多个信号线间的串扰。此外，在上述多层基板中，为了调整传输线路的阻抗，在辅助接地导体中的在俯视下与信号线重叠的部分形成有开口。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2014/115607号
实用新型内容
实用新型要解决的课题
但是，在信号线在俯视下与辅助接地导体的开口重叠的情况下，在上述开口的位置由于基材层的堆积偏移等而产生偏移时，传输线路的阻抗有可能会大幅变动。
本实用新型的目的在于，提供一种在具备形成了开口的接地导体的结构中抑制信号线间的串扰的同时抑制了起因于堆积偏移等的传输线路的阻抗的变动的多层基板、以及具备该多层基板的电子设备。
用于解决课题的技术方案
本实用新型的多层基板的特征在于，具备：
层叠体，将多个基材层层叠而成；
第1信号线以及第2信号线，形成在所述层叠体，沿着传输方向延伸，并具有相互并行的并行部；
第1接地导体以及第2接地导体，形成在所述层叠体，并配置为在所述多个基材层的层叠方向上夹着所述第1信号线以及所述第2信号线；和
多个层间连接导体，形成在所述层叠体，将所述第1接地导体和所述第2接地导体连接，
所述多个层间连接导体在所述传输方向上排列，且至少配置在所述并行部中的所述第1信号线与所述第2信号线之间，
所述第1接地导体具有第1开口以及第2开口，
所述第2接地导体具有第3开口以及第4开口，
所述第1开口以及所述第3开口是沿着所述并行部连续地延伸的开口，从所述层叠方向观察，配置在所述并行部中的所述第1信号线与所述第2信号线之间，
所述第2开口以及所述第4开口配置在比所述并行部靠与所述传输方向正交的宽度方向上的外侧。
根据该结构，从层叠方向观察，接地导体的开口形成在不与信号线重叠的位置，因此即使在形成层叠体时产生了多个基材层的堆积偏移等的情况下，也可抑制在信号线与接地导体之间产生的电容的大的变动。因此，可有效地抑制传输线路的特性阻抗的变动(可保持特性阻抗的连续性)。
此外，根据该结构，从一个信号线产生的电磁波从第1开口以及第3 开口向外部辐射，因此可抑制相邻的信号线间的经由接地导体的耦合。也就是说，通过该结构，传输线路间(包含第1信号线、第1接地导体以及第2接地导体而构成的第1传输线路与包含第2信号线、第1接地导体以及第2接地导体而构成的第2传输线路之间)的隔离度提高，可抑制信号线间的串扰。
本实用新型中的多层基板的制造方法的特征在于，具备：
导体形成工序，在多个基材层中的任一个形成沿着传输方向延伸并具有相互并行的并行部的第1信号线以及第2信号线、第1接地导体以及第 2接地导体；
开口形成工序，在所述第1接地导体形成在所述传输方向上延伸的第 1开口和第2开口，在所述第2接地导体形成在所述传输方向上延伸的第 3开口和第4开口；
层叠体形成工序，在所述导体形成工序以及所述开口形成工序之后，将所述多个基材层层叠，使得由所述第1接地导体和所述第2接地导体夹着所述第1信号线以及所述第2信号线，并对层叠的所述多个基材层进行加热压制，由此形成层叠体；和
层间导体形成工序，在所述多个基材层中的任一个形成将所述第1 接地导体和所述第2接地导体连接并在所述传输方向上排列的多个层间连接导体，
从所述层叠方向观察，将所述第1开口以及所述第3开口配置在所述并行部中的所述第1信号线与所述第2信号线之间，
将所述第2开口以及所述第4开口配置在比所述并行部靠与所述传输方向正交的宽度方向上的外侧，
将所述多个层间连接导体的至少一部分配置在所述并行部中的所述第1信号线与所述第2信号线之间。
根据该制造方法，能够容易地制造在抑制信号线间的串扰的同时抑制了起因于堆积偏移等的传输线路的阻抗的变动的多层基板。
实用新型效果
根据本实用新型，能够实现一种在具备形成了开口的接地导体的结构中抑制信号线间的串扰的同时抑制了起因于堆积偏移等的传输线路的阻抗的变动的多层基板、以及具备该多层基板的电子设备。
附图说明
图1是第1实施方式涉及的多层基板101的外观立体图。
图2是多层基板101的分解俯视图。
图3是图1中的A-A剖视图。
图4是多层基板101的俯视图。
图5(A)是多层基板101的线路部TL的放大俯视图，图5(B)是图5(A)中的B-B剖视图。
图6是示出第1实施方式涉及的电子设备301的主要部分的立体图。
图7(A)、图7(B)、图7(C)是按顺序示出多层基板101的制造工序的剖视图。
图8是作为第1实施方式的变形例的多层基板101A的分解俯视图。
图9是多层基板101A的俯视图。
图10是第2实施方式涉及的多层基板102的外观立体图。
图11是多层基板102的分解俯视图。
图12是第3实施方式涉及的多层基板103的线路部的剖视图。
图13(A)、图13(B)、图13(C)、图13(D)是按顺序示出多层基板103的制造工序的剖视图。
图14(A)是第4实施方式涉及的多层基板104A的线路部的剖视图，图14(B)是第4实施方式涉及的另一个多层基板104B的线路部的剖视图。
具体实施方式
以下，参照图并列举几个具体的例子来示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中对同一部位标注同一附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，方便起见，将实施方式分开示出，但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。
《第1实施方式》
图1是第1实施方式涉及的多层基板101的外观立体图。图2是多层基板101的分解俯视图。图3是图1中的A-A剖视图。图4是多层基板 101的俯视图。图5(A)是多层基板101的线路部TL的放大俯视图，图 5(B)是图5(A)中的B-B剖视图。在图2中，为使构造易懂，用影线示出第1信号线31以及第2信号线32的并行部SP。此外，在图4以及图5(A)中，省略了保护层1的图示。
像在后面详细叙述的那样，本实施方式涉及的多层基板101例如是如下的电子部件，即，被表面安装在电路基板上，并在SHF频带或者EHF 频带的使用频带中使用。多层基板101具有第1连接部CN1、第2连接部CN2和线路部TL。在第1连接部CN1中，在图1所示的上表面露出有外部电极P1、P3，在第2连接部CN2中，在图1所示的上表面露出有外部电极P2、P4。像在后面详细叙述的那样，在线路部TL中，构成了将第1连接部CN1与第2连接部CN2之间相连的带状线型的传输线路(第1传输线路以及第2传输线路)。
多层基板101具备层叠体10、第1信号线31、第2信号线32、第1 接地导体41、第2接地导体42、多个辅助接地导体51、52、61、62、外部电极P1、P2、P3、P4、多个层间连接导体V1、V2、V3、V4、V11a、 V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b、保护层1等。外部电极P1、P2相当于本实用新型的“第1外部电极”，外部电极P3、P4相当于本实用新型的“第2外部电极”。此外，层间连接导体V1～V4是本实用新型的“信号层间连接导体”的一个例子。
层叠体10是长边方向与X轴方向一致的矩形的平板，具有相互对置的第1主面S1以及第2主面S2。第1信号线31、第2信号线32、第2 接地导体42、辅助接地导体51、52、61、62以及多个层间连接导体V11a、 V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b形成在层叠体10的内部，第1接地导体41以及外部电极P1、P2、P3、P4形成在层叠体10的第1主面S1。此外，保护层1形成在层叠体10的第1主面S1。
层叠体10将以热塑性树脂为主材料的多个基材层13、12、11依次层叠而形成。多个基材层11、12、13分别具有可挠性，是长边方向与X轴方向一致的矩形的平板。多个基材层11、12、13例如是以液晶聚合物 (LCP)或者聚醚醚酮(PEEK)为主材料的片材。
在基材层11的表面形成有第1接地导体41以及外部电极P1、P2、 P3、P4。第1接地导体41是形成在基材层11的表面的大致整个面的导体图案。外部电极P1、P3是配置在基材层11的第1端(图2中的基材层11的左端)附近的矩形的导体图案。外部电极P2、P4是在基材层11 的第2端(图2中的基材层11的右端)附近形成的矩形的导体图案。第 1接地导体41以及外部电极P1、P2、P3、P4例如为Cu箔等的导体图案。
此外，第1接地导体41具有第1开口H10以及第2开口H21、H22。第1开口H10以及第2开口H21、H22是沿着传输方向(X轴方向)延伸的贯通孔(导体非形成部)。第2开口H22、第1开口H10以及第2开口H21在宽度方向(+Y方向)上依次配置。
进而，在基材层11形成有多个层间连接导体V1、V2、V3、V4、V11a、 V12a、V21a、V22a。层间连接导体V11a、V12a、V21a、V22a分别在传输方向(X轴方向)上排列。层间连接导体V1、V2、V3、V4、V11a、 V12a、V21a、V22a例如是通过如下方式设置的过孔导体，即，在设置于基材层的贯通孔配设包含Cu、Sn中的一种以上的金属或它们的合金的金属粉和树脂成分的导电性膏，然后通过层叠工艺中的加热压制处理使其固化。
在基材层12的表面形成有第1信号线31、第2信号线32以及多个辅助接地导体51、52、61、62。第1信号线31以及第2信号线32是在传输方向(X轴方向)上延伸的线状的导体图案，具有相互并行的并行部 SP。在本实施方式中，如图2所示，第1信号线31以及第2信号线32 的整体相当于并行部SP。辅助接地导体51、52、61、62分别是在传输方向上排列的矩形的导体图案。第1信号线31、第2信号线32以及多个辅助接地导体51、52、61、62例如为Cu箔等的导体图案。
此外，在基材层12形成有多个层间连接导体V11b、V12b、V21b、 V22b。层间连接导体V11b、V12b、V21b、V22b分别在传输方向(X轴方向)上排列。层间连接导体V11b、V12b、V21b、V22b例如是通过如下方式设置的过孔导体，即，在设置于基材层的贯通孔配设包含Cu、Sn 中的一种以上的金属或它们的合金的金属粉和树脂成分的导电性膏，然后通过层叠工艺中的加热压制处理使其固化。
在基材层13的表面形成有第2接地导体42。第2接地导体是形成在基材层13的表面的大致整个面的导体图案。第2接地导体42具有第3 开口H30以及第4开口H41、H42。第3开口H30以及第4开口H41、 H42是沿着传输方向(X轴方向)延伸的贯通孔(导体非形成部)。第4开口H42、第3开口H30以及第4开口H41在宽度方向(+Y方向)上依次配置。第2接地导体42例如为Cu箔等的导体图案。
保护层1是平面形状与基材层11大致相同并层叠在基材层11的表面的保护膜。保护层1在与外部电极P1、P2、P3、P4的位置相应的位置分别具有开口AP1、AP2、AP3、AP4。因此，通过在基材层11的表面(层叠体10的第1主面S1)形成保护层1，从而外部电极P1、P2、P3、P4露出在外部。保护层1例如为覆盖膜、阻焊膜、环氧树脂膜等。
从层叠方向(Z轴方向)观察，外部电极P1与第1信号线31的第1 端重叠，并经由层间连接导体V1与第1信号线31的第1端连接。从层叠方向观察，外部电极P2与第1信号线31的第2端重叠，并经由层间连接导体V2与第1信号线31的第2端连接。从层叠方向观察，外部电极P3与第2信号线32的第1端重叠，并经由层间连接导体V3与第2信号线32的第1端连接。从层叠方向观察，外部电极P4与第2信号线32 的第2端重叠，并经由层间连接导体V4与第2信号线32的第2端连接。
如图3等所示，第1接地导体41以及第2接地导体42配置为在多个基材层11、12、13的层叠方向(Z轴方向)上夹着第1信号线31以及第 2信号线32。在本实施方式中，包含第1信号线31、第1接地导体41、第2接地导体42、被第1信号线31以及第1接地导体41夹着的基材层11、和被第1信号线31以及第2接地导体42夹着的基材层12而构成带状线型的第1传输线路。此外，在本实施方式中，包含第2信号线32、第1接地导体41、第2接地导体42、被第2信号线32以及第1接地导体 41夹着的基材层11、和被第2信号线32以及第2接地导体42夹着的基材层12而构成带状线型的第2传输线路。
多个层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、 V22b将第1接地导体41和第2接地导体42连接。具体地，第1接地导体41经由辅助接地导体51以及层间连接导体V11a、V11b与第2接地导体42连接。第1接地导体41经由辅助接地导体52以及层间连接导体V12a、V12b与第2接地导体42连接。第1接地导体41经由辅助接地导体61以及层间连接导体V21a、V21b与第2接地导体42连接。此外，第 1接地导体41经由辅助接地导体62以及层间连接导体V22a、V22b与第 2接地导体42连接。上述层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b的直径例如为100μm～150μm。
如图3以及图4等所示，多个层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、以及多个辅助接地导体51、52配置在并行部中的第1信号线31与第2 信号线32之间。此外，层间连接导体V11a、V11b、V21a、V21b以及辅助接地导体51、61配置为在宽度方向(Y轴方向)上夹着第1信号线31，层间连接导体V12a、V12b、V22a、V22b以及辅助接地导体52、62配置为在宽度方向上夹着第2信号线32。
第1开口H10以及第3开口H30沿着并行部(第1信号线31以及第 2信号线32)延伸，从层叠方向(Z轴方向)观察，配置在并行部中的第 1信号线31与第2信号线32之间。此外，第2开口H21、H22以及第4 开口H41、H42配置在比并行部靠宽度方向(Y轴方向)上的外侧。
此外，接地导体的开口(第1开口H10、第2开口H21、H22、第3 开口H30或者第4开口H41、H42)形成在从层叠方向(Z轴方向)观察不与信号线(第1信号线31或者第2信号线32)重叠的位置。
在本实施方式中，第1开口H10、第2开口H21、H22、第3开口 H30以及第4开口H41、H42的传输方向(X轴方向)的长度L1均为使用频带的波长λ以上(L1≥λ)。此外，在本实施方式中，第1开口H10、第2开口H21、H22、第3开口H30或者第4开口H41、H42的宽度W1 为使用频带的波长λ的1/10以下(W1≤λ/10)。
此外，在传输方向(X轴方向)上排列的多个层间连接导体(层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b)彼此的间隔D3为使用频带的波长λ的1/10以下(D3≤λ/10)。
进而，在本实施方式中，接地导体的开口(第1开口H10、第2开口 H21、H22、第3开口H30或者第4开口H41、H42中的任一个)与信号线(第1信号线31或者第2信号线32)的间隔D1为使用频带的波长λ的1/10以下(D1≤λ/10)。此外，接地导体的开口(第1开口H10、第2 开口H21、H22、第3开口H30或者第4开口H41、H42中的任一个)与多个层间连接导体(V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、 V22b中的任一个)的间隔D2为使用频带的波长λ的1/10以下(D2≤λ/10)。
多层基板101例如像以下那样使用。图6是示出第1实施方式涉及的电子设备301的主要部分的立体图。
电子设备301具备多层基板101、电路基板201以及部件71、72、73、 74等。电路基板201例如为玻璃/环氧基板。部件71、72、73、74例如为片型电感器、片型电容器等片状部件、RFIC元件或者阻抗匹配电路等。
多层基板101以及部件71、72、73、74被表面安装在电路基板201 的上表面PS1。多层基板101的外部电极(未图示)被直接焊接于形成在电路基板201的上表面PS1的连接盘(未图示)。此外，部件71、72、73、 74分别被直接焊接于形成在电路基板201的上表面PS1的连接盘(未图示)。另外，电子设备301还具备上述以外的结构，但是在图6中省略了图示。
根据本实施方式涉及的多层基板101，发挥如下的效果。
(a)在本实施方式中，接地导体的开口(第1开口H10、第2开口 H21、H22、第3开口H30或者第4开口H41、H42)形成在从层叠方向 (Z轴方向)观察不与信号线(第1信号线31或者第2信号线32)重叠的位置。因此，即使在形成层叠体10时产生了多个基材层11、12、13 的堆积偏移等的情况下，也可抑制在信号线与接地导体之间产生的电容的大的变动，可有效地抑制传输线路的特性阻抗的变动(可保持特性阻抗的连续性)。
(b)此外，在本实施方式中，从层叠方向(Z轴方向)观察，沿着并行部(第1信号线31以及第2信号线32)延伸的第1开口H10以及第 3开口H30配置在第1信号线31与第2信号线32之间。根据该结构，从一个信号线产生的电磁波从第1开口H10以及第3开口H30向外部辐射，因此可抑制相邻的信号线间的经由接地导体的耦合。如图3所示，分别形成在接地导体41、42的第1开口H10以及第3开口H30优选在俯视下(从Z轴方向观察)配置在配置于相邻的信号线(第1信号线31以及第2信号线32)间的层间连接导体V11a、V11b与层间连接导体V12a、V12b 之间。由此，从一个信号线产生的电磁波从第1开口H10或者第3开口 H30向外部辐射，因此可抑制经由与接地导体41、42连接的层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、接地导体41、42的、相邻的信号线间的耦合。也就是说，通过该结构，传输线路间(第1传输线路与第2传输线路之间)的隔离度提高，可抑制信号线间的串扰。特别是，EHF频带(毫米波)的电磁波即使从窄且小的开口也容易辐射，因此通过上述结构，传输线路间的隔离度提高。
此外，如图4所示，第1开口H10以及第3开口H30优选配置在外部电极P1、P3之间或者外部电极P2、P4之间的至少一者。根据该结构，第1开口H10以及第3开口H30配置在分别与信号线31、32连接的外部电极P1、P3之间(或者外部电极P2、P4之间)。也就是说，第1开口H10以及第3开口H30配置在与第1信号线31以及外部电极连接的层间连接导体和与第2信号线32以及外部电极连接的层间连接导体之间。因此，传输线路间的隔离度进一步提高。
(c)此外，在本实施方式中，从层叠方向(Z轴方向)观察，在信号线(第1信号线31以及第2信号线32)的附近形成有开口(第1开口 H10、第2开口H21、H22、第3开口H30或者第4开口H41、H42)。根据该结构，能够减小形成在信号线与接地导体之间的电容。因此，能够将信号线和接地导体更靠近地配置，能够实现层叠方向上的厚度薄的多层基板。或者，即使在形成于信号线与接地导体之间的电容相同的情况下，也能够拓宽信号线的线宽度，因此能够实现传输线路的导体损耗小的多层基板。
(d)虽然在本实施方式中，在接地导体设置有开口，但是并不是按每个传输线路分别设置独立的接地导体的结构。因此，与按每个传输线路设置不同的接地导体的情况相比，接地导体的面积变大，接地电位稳定化。
(e)在本实施方式中，第1接地导体41以及第2接地导体42经由多个辅助接地导体51、52、61、62以及多个层间连接导体V11a、V11b、 V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b连接。因此，在层叠方向上夹着信号线的第1接地导体41以及第2接地导体42的接地电位被稳定化，从而传输线路的电特性稳定化。
(f)在本实施方式中，在传输方向(X轴方向)上排列的多个层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b以及多个辅助接地导体51、52、61、 62配置在并行部中的第1信号线31与第2信号线32之间，因此能够提高传输线路间的隔离度。
(g)此外，在本实施方式中，层间连接导体V11a、V11b、V21a、 V21b以及辅助接地导体51、61配置为在宽度方向(Y轴方向)上夹着第1信号线31，层间连接导体V12a、V12b、V22a、V22b以及辅助接地导体52、62配置为在宽度方向上夹着第2信号线32。通过该结构，能够进一步提高传输线路间的隔离度。
(h)在构成多层基板的多个基材层包含树脂材料的情况下，若受到给定的温度以上的热，则其一部分被热分解，产生CO2等气体以及水。此外，氧化了的导体图案由于热而引起还原反应而产生的氧和树脂中的碳进行氧化反应而产生CO2。进而，层叠体的构成要素在其制造过程中吸湿。若在多层基板中残留了这样的气体以及水的状态下对多层基板进行加热，则气体(气体、蒸气)会膨胀，产生层间剥离(分层)。因此，通常在制造多层基板时，在减压下实施加热压制，并设置给定的预热工序，由此在加热压制中使气体向层叠体外排出。
另外，若多层基板具有面积大的金属图案，则气体不能透过该导体图案(金属图案)。因此，根据产生气体的部位，气体向多层基板外的排出路径变得比不具有导体图案的情况长，有可能在多层基板内残留气体。另一方面，在本实施方式中，在接地导体设置有多个开口(第1开口H10、第2开口H21、H22、第3开口H30以及第4开口H41、H42)，因此在加热多层基板时在内部产生的气体会通过这些开口并通过短的排出路径被排出。即，根据该结构，可降低残留在多层基板内的气体量，可降低加热时(多层基板的制造阶段、使用阶段中的加热时)的多层基板的层间剥离，可保持传输线路的特性阻抗的均匀性。此外，可抑制起因于气体的残留的多层基板的表面的凹凸、弯曲的产生，多层基板的平坦性提高，因此多层基板向电路基板等的安装性提高。
(i)在本实施方式中，第1开口H10以及第3开口H30均为沿着并行部连续地在传输方向(X轴方向)上延伸的贯通孔。通过该结构，第1 开口H10以及第3开口H30的分布的偏倚少，放气效果在面方向上容易变得均匀。即，气体不易局部性地残留，因此层间剥离的抑制效果提高。
(j)在本实施方式中，第2开口H21、H22以及第4开口H41、H42 均为沿着并行部连续地在传输方向(X轴方向)上延伸的贯通孔。在第2 开口以及第4开口为沿着传输方向的断续的贯通孔的情况下，在产生了堆积偏移等的情况下，在接地导体与信号线之间产生的电容变得容易变化。另一方面，根据该结构，能够实现抑制了由堆积偏移等造成的传输线路的特性阻抗的大幅的变动的多层基板。此外，根据该结构，第2开口H21、 H22以及第4开口H41、H42的分布的偏倚少，放气效果在面方向上更容易变得均匀。即，气体变得更不易局部性地残留，层间剥离的抑制效果进一步提高。进而，根据该结构，与第2开口以及第4开口为在传输方向上断续的贯通孔的情况相比，从一个信号线产生的电磁波容易从第2开口 H21、H22以及第4开口H41、H42向外部辐射。也就是说，通过该结构，传输线路间的隔离度进一步提高，可进一步抑制信号线间的串扰。
另外，也可以是如下结构，即，第2开口以及第4开口的数目为多个，多个第2开口以及多个第4开口沿着并行部排列。但是，从上述的作用效果(参照上述(j))的方面考虑，关于第2开口以及第4开口，优选沿着并行部在传输方向上延伸的结构。
(k)在本实施方式中，层叠体10将以热塑性树脂为主材料的多个基材层11、12、13层叠而形成。根据该结构，像在后面详细叙述的那样，通过对层叠的多个基材层11、12、13进行加热压制(统一压制)，从而能够容易地形成层叠体10，因此可削减多层基板101的制造工序，能够将成本抑制得低。此外，通过该结构，能够实现能够容易地进行塑性变形且能够维持(保持)所希望的形状的多层基板。
但是，在构成层叠体10的多个基材层11、12、13以热塑性树脂为主材料的情况下，在对层叠的多个基材层进行加热压制时，基材层容易流动，容易产生形成在基材层的导体图案的位置偏移、变形。因此，在抑制传输线路的特性阻抗的变动的方面，本实用新型的结构特别有效。
(1)进而，在本实施方式中，形成在层叠体的层间连接导体V11a、 V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b是将包含树脂材料的导电性膏固化而成的过孔导体。这些过孔导体在多个基材层11、12、13的加热压制处理(后面详细叙述)中同时形成，因此容易形成。此外，因为导电性膏包含树脂材料，所以可得到以树脂为主材料的基材层和层间连接导体的高的接合性。另外，上述导电性膏包含的树脂材料优选与基材层的树脂材料为相同种类。
但是，包含树脂材料的过孔导体在加热时产生的气体的量多，具备这样的过孔导体的多层基板在加热时(制造阶段、使用阶段中的加热时)容易产生层间剥离、多层基板的表面的凹凸、弯曲等。因此，在层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b是包含树脂材料的过孔导体的情况下，优选将接地导体的开口设置在层间连接导体 V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b的附近。由此，能够高效地排出在加热多层基板时从过孔导体产生的气体，能够抑制多层基板的层间剥离并使多层基板的平坦性提高。
(m)在本实施方式中，第1开口H10以及第3开口H30的传输方向(X轴方向)上的长度L1为使用频带的波长λ以上(L1≥λ)。根据该结构，从一个信号线产生的电磁波变得容易从第1开口H10或者第3开口H30辐射，因此能够提高串扰的抑制效果。
(n)此外，在本实施方式中，第2开口H21、H22以及第4开口H41、 H42的传输方向(X轴方向)上的长度L1为使用频带的波长λ以上(L1 ≥λ)。根据该结构，从一个信号线产生的电磁波变得也容易从第2开口 H21、H22以及第4开口H41、H42向外部辐射，因此能够更有效地提高串扰的抑制效果。
(o)进而，在本实施方式中，在传输方向(X轴方向)上排列的多个层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b 彼此的间隔D3为使用频带的波长λ的1/10以下(D3≤λ/10)。通过使在传输方向上配置的层间连接导体彼此的间隔变窄，从而能够有效地抑制电磁波从这些层间连接导体之间的泄漏，因此能够进一步提高串扰抑制效果。此外，通过使在传输方向上排列的多个层间连接导体彼此的间隔D3 为使用频带的波长λ的1/10以下，从而可抑制λ/4的谐波的产生、传播，能够减小其影响。
(p)在本实施方式中，接地导体的开口(第1开口H10、第2开口 H21、H22、第3开口H30或者第4开口H41、H42)和信号线(第1信号线31或者第2信号线32)的间隔D1为使用频带的波长λ的1/10以下 (D1≤λ/10)。通过在信号线的附近配置接地导体的开口，从而来自信号线的电磁波变得更容易从上述开口向外部辐射，因此能够进一步提高串扰的抑制效果。此外，通过使接地导体的开口和信号线的间隔D1为使用频带的波长λ的1/10以下，从而能够减小λ/4的谐波的影响。
(q)进而，在本实施方式中，接地导体的开口(第1开口H10、第 2开口H21、H22、第3开口H30或者第4开口H41、H42中的任一个) 和多个层间连接导体(层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、 V21b、V22a、V22b中的任一个)的间隔D2为使用频带的波长λ的1/10以下(D2≤λ/10)。通过在层间连接导体的附近配置接地导体的开口，从而从层间连接导体产生的电磁波从上述开口有效地辐射，因此串扰抑制效果进一步提高。此外，根据该结构，在加热多层基板时，能够有效地排出从包含树脂材料的过孔导体产生的气体。此外，通过使接地导体的开口和多个层间连接导体的间隔D2为使用频带的波长λ的1/10以下，从而能够减小λ/4的谐波的影响。
(r)此外，在本实施方式中，接地导体的开口(第1开口H10、第 2开口H21、H22、第3开口H30或者第4开口H41、H42)的宽度W1 为使用频带的波长λ的1/10以下(W1≤λ/10)。通过减小接地导体的开口面积，从而接地导体的面积相对变大，接地电位被稳定化。此外，由于杨氏模量比以树脂材料为主成分的基材层高的接地导体的面积相对变大，从而多层基板的机械强度提高。进而，通过使接地导体的开口的宽度W1 不足使用频带f的波长λ的1/2，从而能够充分地减小依赖于开口的尺寸的不必要的谐振的影响。进而，通过使接地导体的开口的宽度W1为使用频带的波长λ的1/10以下，从而可抑制λ/4的谐波的产生、传播，能够减小其影响。
另外，层叠体的相对介电常数为3的情况下的使用频带f、波长λ、在传输方向上排列的层间连接导体彼此的间隔D3例如优选为如下所示的值。在使用频带f＝1GHz的情况下，波长λ＝173mm。在使用频带f＝6GHz 的情况下，波长λ＝29mm，层间连接导体彼此的间隔D3＝2mm。在使用频带f＝28GHz的情况下，波长λ＝6.2mm，层间连接导体彼此的间隔 D3＝0.5mm。在使用频带f＝60GHz的情况下，波长λ＝2.9mm，层间连接导体彼此的间隔D3＝0.25mm。
另外，虽然在本实施方式中，示出了多个层间连接导体V11a、V11b、 V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b在宽度方向(Y轴方向)上对齐地排列的例子，但是并不限定于该结构。层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b的传输方向(X轴方向)上的排列间距也可以分别不同。即，层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、 V21a、V21b、V22a、V22b无需在宽度方向上对齐地排列。
此外，虽然在本实施方式中，示出了接地导体具有矩形的开口(第1 开口H10、第2开口H21、H22、第3开口H30以及第4开口H41、H42) 的例子，但是并不限定于该结构。在设置开口的接地导体的面积、范围有限的情况下，开口(导体非形成部)的形状并不限于矩形(直线状)，例如也可以是曲线状或者波线状。另外，所谓开口“沿着并行部连续地延伸”，并不限定于开口与并行部完全并行的结构，只要是大体上沿着并行部延伸的结构即可。此外，在接地导体的外形为曲线状、波线状的情况下，也可以设置有按照外形的那样的形状(曲线状或者波线状)的开口。
本实施方式涉及的多层基板101例如通过以下的工序制造。图7(A)、图7(B)、图7(C)是按顺序示出多层基板101的制造工序的剖视图。另外，在图7(A)、图7(B)、图7(C)中，为了便于说明，以单芯片 (单片)的制造工序进行说明，但是实际的多层基板的制造工序以集合基板状态进行。
首先，如图7(A)所示，准备多个基材层11、12、13。基材层11、 12、13例如是以液晶聚合物(LCP)或者聚醚醚酮(PEEK)等热塑性树脂为主材料的片材。
然后，在多个基材层11、12、13形成第1信号线31、第2信号线32、第1接地导体41、第2接地导体42、多个辅助接地导体51、52、61、62 以及外部电极(未图示)。具体地，通过在基材层11、12、13的表面层压金属箔(例如Cu箔)，并通过光刻对该金属箔进行图案化，从而在基材层11的表面形成第1接地导体41以及外部电极(省略图示)，在基材层 12的表面形成第1信号线31、第2信号线32以及多个辅助接地导体51、 52、61、62，在基材层13的表面形成第2接地导体42。
第1信号线31以及第2信号线32是沿着传输方向(X轴方向)延伸并具有相互并行的并行部的导体图案。另外，在第1接地导体41形成第 1开口H10以及第2开口H21、H22。此外，在第2接地导体42形成第3 开口H30以及第4开口H41、H42。第1开口H10、第2开口H21、H22、第3开口H30以及第4开口H41、H42是在传输方向上连续地延伸的贯通孔(导体非形成部)。多个辅助接地导体51、52、61、62分别是沿着传输方向排列的导体图案。
像这样，在多个基材层11、12、13中的任一个形成第1信号线31、第2信号线32、第1接地导体41以及第2接地导体42的该工序是本实用新型的“导体形成工序”的一个例子。此外，在第1接地导体41形成第1开口H10以及第2开口H21、H22并在第2接地导体42形成第3开口H30以及第4开口H41、H42的该工序是本实用新型的“开口形成工序”的一个例子。
虽然在本实施方式中，示出了“导体形成工序”和“开口形成工序”几乎同时进行的例子，但是也可以在“导体形成工序”之后进行“开口形成工序”。
此外，在基材层11形成在传输方向(X轴方向)上排列的多个层间连接导体V11a、V12a、V21a、V22a等，在基材层12形成在传输方向上排列的多个层间连接导体V11b、V12b、V21b、V22b。这些层间连接导体通过如下方式设置，即，在多个基材层11、12中的至少一个设置孔(贯通孔)，然后在该孔配设(填充)包含Cu、Sn或它们的合金等的金属粉和树脂材料的导电性膏，并通过后续的加热压制使导电性膏固化。另外，虽然省略图示，但是在基材层11还形成将第1信号线31与外部电极(P1、 P2)之间连接的层间连接导体(V1、V2)、以及将第2信号线32与外部电极(P3、P4)之间连接的层间连接导体(V3、V4)。
在多个基材层11、12、13中的任一个形成在传输方向上排列的多个层间连接导体V11a、V11b、V12a、V21a、V21b、V22a、V22b的该工序是本实用新型中的“层间导体形成工序”的一个例子。
接着，如图7(B)所示，将多个基材层13、12、11依次层叠，使得由第1接地导体41和第2接地导体42夹着第1信号线31以及第2信号线32。此时，将多个基材层11、12、13层叠为，从层叠方向观察，外部电极(P1、P2)与并行部的第1信号线31重叠，外部电极(P3、P4)与并行部的第2信号线32重叠(省略图示)。然后，通过对层叠的多个基材层11、12、13进行加热压制，从而形成层叠体10。
在“导体形成工序”以及“开口形成工序”之后通过将多个基材层 11、12、13层叠并对层叠的多个基材层11、12、13进行加热压制而形成层叠体10的该工序是本实用新型的“层叠体形成工序”的一个例子。
通过该“层叠体形成工序”，第1接地导体41和第2接地导体42通过多个辅助接地导体51、52、61、62以及多个层间连接导体V11a、V11b、 V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b连接。
此外，通过该“层叠体形成工序”，从层叠方向(Z轴方向)观察，第1开口H10以及第3开口H30配置在并行部中的第1信号线31与第2 信号线32之间。此外，第2开口H21、H22以及第4开口H41、H42配置在比并行部靠宽度方向(Y轴方向)上的外侧。多个层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b的至少一部分配置在并行部中的第1信号线31与第2信号线32之间。
然后，在层叠体10的第1主面S1形成保护层1，得到图7(C)所示的多层基板101。
根据上述制造方法，能够容易地制造在抑制信号线间的串扰的同时抑制了起因于堆积偏移等的传输线路的阻抗的变动的多层基板。
此外，根据上述制造方法，通过将以热塑性树脂为主材料的多个基材层11、12、13层叠并进行加热压制(统一压制)，从而能够容易地形成多层基板101，因此可削减制造工序，能够将成本抑制得低。
此外，根据上述制造方法，能够在设置于基材层的孔配设导电性膏并通过加热压制(统一压制)使导电性膏固化，因此能够削减形成层间连接导体的工序。
接着，对多层基板101的变形例进行说明。图8是作为第1实施方式的变形例的多层基板101A的分解俯视图。图9是多层基板101A的俯视图。另外，在图9中，用影线示出第1信号线31以及第2信号线32的并行部SP，并省略了保护层1的图示。
多层基板101A与多层基板101的不同点在于，接地导体41具有第1 开口H10A以及第2开口H21A、H22A，接地导体42具有第3开口H30A 以及第4开口H41A、H42A。关于多层基板101A的其它结构，与多层基板101相同。
第1开口H10A、第2开口H21A、H22A的平面形状与上述的第1 开口H10以及第2开口H21、H22不同。第1开口H10A以及第2开口 H21A、H22A是沿着传输方向(X轴方向)延伸的贯通孔。如图8所示，第1开口H10A以及第2开口H21A、H22A的传输方向上的中央附近的开口宽度(Y轴方向上的宽度)分别比传输方向上的两端部的开口宽度粗。
第3开口H30A以及第4开口H41A、H42A与上述的第3开口H30 以及第4开口H41、H42不同。第3开口H30A以及第4开口H41A、H42A 是沿着传输方向延伸的贯通孔。如图8所示，第3开口H30A以及第4 开口H41A、H42A的传输方向上的中央附近的开口宽度分别比传输方向上的两端部的开口宽度粗。
如图8以及图9所示，在第1开口H10A、第2开口H21A、H22A、第3开口H30A以及第4开口H41A、H42A中，在俯视下，靠近层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b的部分(传输方向上的中央附近)的开口宽度比其它部分粗。像这样，通过使靠近层间连接导体的部分的开口宽度变粗，从而能够将在加热时产生的气体高效地排出到层叠体外。进而，像多层基板101A那样，通过将第1开口H10A以及第3开口H30A中的靠近层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b的部分的开口宽度变粗，从而能够进一步提高相邻的信号线间的耦合抑制效果。
《第2实施方式》
在第2实施方式中，示出第1开口以及第3开口的平面形状与第1 实施方式不同的例子。
图10是第2实施方式涉及的多层基板102的外观立体图。图11是多层基板102的分解俯视图。在图11中，用影线示出第1信号线31A以及第2信号线32A的并行部SP。
多层基板102与第1实施方式涉及的多层基板101的不同点在于，具备第1信号线31A、第2信号线32A以及接地导体41A、42A。关于多层基板102的其它结构，与多层基板101实质上相同。
以下，对与第1实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。
第1信号线31A以及第2信号线32A是大致在X轴方向上延伸的导体图案，具有并行部SP1、SP2。第1信号线31A在长边方向(X轴方向) 上的中途具有随着在-X方向上移动而还在+Y方向上延伸的部分。第2信号线32A在长边方向(X轴方向)上的中途具有随着在-X方向上移动而还在-Y方向上延伸的部分。因此，第1信号线31A以及第2信号线32A 在长边方向上的中途具有非并行部(相互不并行的部分)。
接地导体41A具有第1开口H10B以及第2开口H21B、H22B。第1 开口H10B是大致在X轴方向上延伸的Y字形的贯通孔(导体非形成部)。第1开口H10B在长边方向上的中央附近具有分为两岔(随着在-X方向上移动而在+Y方向上延伸的部分和随着在-X方向上移动而在-Y方向上延伸的部分)的两岔部。第2开口H21B、H22B是大致在X轴方向上延伸的贯通孔(导体非形成部)。第2开口H21B在长边方向上的中途具有随着在-X方向上移动而还在+Y方向上延伸的部分。第2开口H22B在长边方向上的中途具有随着在-X方向上移动而还在-Y方向上延伸的部分。
接地导体42A具有第3开口H30B以及第4开口H41B、H42B。第3 开口H30B是大致在X轴方向上延伸的Y字形的贯通孔(导体非形成部)。第3开口H30B在长边方向上的中央附近具有分为两岔(随着在-X方向上移动而在+Y方向上延伸的部分和随着在-X方向上移动而在-Y方向上延伸的部分)的两岔部。第4开口H41B、H42B是大致在X轴方向上延伸的贯通孔(导体非形成部)。第4开口H41B在长边方向上的中途具有随着在-X方向上移动而还在+Y方向上延伸的部分。第4开口H42B在长边方向上的中途具有随着在-X方向上移动而还在-Y方向上延伸的部分。
像在本实施方式中示出的那样，第1信号线以及第2信号线无需整体为并行部，也可以在第1信号线以及第2信号线的中途具有非并行部。
《第3实施方式》
在第3实施方式中，示出层间连接导体的结构与第1实施方式不同的多层基板。
图12是第3实施方式涉及的多层基板103的线路部的剖视图。
多层基板103与第1实施方式涉及的多层基板101的不同点在于，不具备多个辅助接地导体51、52、61、62以及保护层1。此外，多层基板 103与多层基板101的不同点在于，代替多个层间连接导体V11a、V11b、 V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、V22b而具备多个层间连接导体VP11、 VP12、VP21、VP22。关于多层基板103的其它结构，与多层基板101实质上相同。
以下，对与第1实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。
多个层间连接导体VP11、VP12、VP21、VP22是在从层叠体10的第1主面S1到达至第2主面S2的贯通孔的内侧形成的导体膜。层间连接导体VP11、VP12、VP21、VP22分别对第1接地导体41和第2接地导体42进行连接。层间连接导体VP11、VP12、VP21、VP22例如是在从层叠体10的第1主面S1到达至第2主面S2的贯通孔形成的通孔镀膜或者填充过孔镀膜。
虽然省略了图示，但是多个层间连接导体VP11、VP12、VP21、VP22 沿着传输方向(X轴方向)排列。如图12所示，层间连接导体VP11、 VP21配置为在宽度方向(Y轴方向)上夹着第1信号线31，层间连接导体VP12、VP22配置为在宽度方向上夹着第2信号线32。
根据本实施方式，层间连接导体VP11、VP12、VP21、VP22为通孔镀膜或者填充过孔镀膜，因此与层间连接导体为包含树脂成分的过孔导体的情况相比，气体的产生量变少，可抑制加热时的多层基板的层间剥离。但是，通孔镀膜、填充过孔镀膜的气体透过性低，因此优选地，在接地导体之中，从层叠方向(Z轴方向)观察在层间连接导体VP11、VP12、VP21、VP22的附近设置开口。
本实施方式涉及的多层基板103例如通过以下的工序制造。图13 (A)、图13(B)、图13(C)、图13(D)是按顺序示出多层基板103 的制造工序的剖视图。另外，在图13(A)、图13(B)、图13(C)、图 13(D)中，为了便于说明，以单芯片(单片)的制造工序进行说明，但是实际的多层基板的制造工序以集合基板状态进行。
首先，如图13(A)所示，准备多个基材层11、12、13。
接着，在多个基材层11、12、13形成第1信号线31、第2信号线32、第1接地导体41、第2接地导体42以及外部电极(未图示)。
另外，在第1接地导体41除了第1开口H10以及第2开口H21、H22 以外还形成多个开口N11a、N12a、N21a、N22a。此外，在第2接地导体 42除了第3开口H30以及第4开口H41、H42以外还形成多个开口N11b、 N12b、N21b、N22b。多个开口N11a、N11b、N12a、N12b、N21a、N21b、N22a、N22b分别是沿着传输方向(X轴方向)排列的圆形的贯通孔(导体非形成部)。
像这样，在多个基材层11、12、13分别形成第1信号线31、第2信号线32、第1接地导体41以及第2接地导体42的该工序是本实用新型的“导体形成工序”的一个例子。此外，在第1接地导体41形成第1开口H10以及第2开口H21、H22并在第2接地导体42形成第3开口H30 以及第4开口H41、H42的该工序是本实用新型的“开口形成工序”的一个例子。
接着，将多个基材层13、12、11依次层叠。此时，将多个基材层11、 12、13层叠为，从层叠方向(Z轴方向)观察，第1接地导体41的开口 (开口N11a、N12a、N21a、N22a)和第2接地导体42的开口(开口N11b、 N12b、N21b、N22b)分别重叠。然后，通过对层叠的多个基材层11、12、 13进行加热压制，从而形成图13(B)所示的层叠体10。
在“导体形成工序”以及“开口形成工序”之后通过将多个基材层11、12、13层叠并对层叠的多个基材层11、12、13进行加热压制而形成层叠体10的该工序是本实用新型的“层叠体形成工序”的一个例子。
接着，如图13(B)、图13(C)所示，对层叠体10照射激光LR，形成从第1主面S1到达至第2主面S2的贯通孔T11、T12、T21、T22。具体地，如图13(B)所示，从层叠体10的第1主面S1朝向第2主面 S2，朝向开口N11a、N12a、N21a、N22a照射激光LR，由此形成从第1 主面S1到达至第2主面S2的贯通孔T11、T12、T21、T22。
另外，激光LR被第1接地导体41以及第2接地导体42遮挡，因此贯通孔T11、T12、T21、T22的直径不会变得过大。
然后，在贯通孔T11、T12、T21、T22的内侧分别形成层间连接导体 VP11、VP12、VP21、VP22，得到如图13(D)所示的多层基板103。层间连接导体VP11、VP12、VP21、VP22例如是通过无电解镀敷等形成在贯通孔的内侧的Cu等的通孔镀膜。
像这样，在“导体形成工序”、“开口形成工序”以及“层叠体形成工序”之后形成从第1主面S1到达至第2主面S2的贯通孔T11、T12、T21、 T22并在该贯通孔T11、T12、T21、T22的内侧形成镀敷膜的该工序是本实用新型中的“层间导体形成工序”的一个例子。
《第4实施方式》
在第4实施方式中，示出层间连接导体的位置与第1实施方式不同的例子。
图14(A)是第4实施方式涉及的多层基板104A的线路部的剖视图，图14(B)是第4实施方式涉及的另一个多层基板104B的线路部的剖视图。
在多层基板104A、104B中，多个辅助接地导体61、62以及层间连接导体V21a、V21b、V22a、V22b的配置与第1实施方式涉及的多层基板101不同。此外，多层基板104B与多层基板101的不同点在于，不具备多个辅助接地导体52以及层间连接导体V12a、V12b。关于多层基板 104A、104B的其它结构，与多层基板101实质上相同。
以下，对与第1实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。
多层基板104A、104B与第1实施方式涉及的多层基板101相比，多个辅助接地导体61、62、以及层间连接导体V21a、V21b、V22a、V22b 配置在宽度方向(Y轴方向)上的外侧。换言之，在本实施方式中，与多层基板101相比，多个辅助接地导体61、62、以及层间连接导体V21a、 V21b、V22a、V22b配置在靠层叠体10的端面SS的位置。
即使是这样的结构，多层基板104A、104B的基本结构也与第1实施方式涉及的多层基板101相同，达到与多层基板101同样的作用、效果。不过，从抑制第1信号线31和第2信号线32的串扰的方面考虑，优选在第1信号线31与第2信号线32之间分别配置有多个辅助接地导体51、 52以及层间连接导体V11a、V11b、V12a、V12b。
另外，虽然在本实施方式中，示出了层间连接导体V21a、V21b、V22a、 V22b为使导电性膏固化而成的过孔导体的例子，但是并不限定于该结构。多个层间连接导体中的位于层叠体10的端面SS侧的层间连接导体例如也可以是通过无电解镀敷等形成在层叠体10的端面SS的端面导体(例如，Cu等的镀敷膜)。在该情况下，与层间连接导体V21a、V21b、V22a、V22b为包含树脂成分的过孔导体的情况相比，能够减少气体的产生量。此外，通过端面导体可提高传输线路的屏蔽性。但是，端面导体的气体的透过性低，若用端面导体覆盖层叠体10的端面SS，则气体容易被封闭，因此优选地，在接地导体之中，在层叠体10的端面SS附近设置开口。
另外，通过在层叠体10的端面SS形成端面导体，从而能够使将第1 接地导体41和第2接地导体42连接的导通路径、线路宽度变细。此外，在端面SS形成端面导体的情况下，无需为了形成层间连接导体而在层叠体10形成贯通孔，因此能够减小层叠体10的宽度、面积，在窄的空间也能够容易地配置多层基板。例如，若使用图14(A)所示的多层基板104A 进行说明，则在将位于端面SS附近的层间连接导体V21a、V21b、V22a、 V22b置换为端面导体的情况下，变得不需要层叠体10中的、位于比层间连接导体V21a、V21b、V22a、V22b靠宽度方向(Y轴方向)上的外侧的部分。因此，通过在端面SS将连接第1接地导体41和第2接地导体 42的层间连接导体的一部分作为端面导体，从而能够减小层叠体10的宽度、面积。
《其它实施方式》
虽然在以上所示的各实施方式中，示出了多层基板为被表面安装在电路基板的电子部件的例子，但是本实用新型的多层基板并不限定于此。本实用新型的多层基板也可以是对两个构件之间进行连接的电缆、或者对其它电路基板与部件之间进行连接的电缆。此外，也可以根据需要在多层基板的连接部设置有连接器。进而，多层基板的层叠体也可以具有弯折部。特别是，若在层叠体存在弯折部，则由于施加于该弯折部的应力而容易产生层间剥离，因此在抑制层间剥离方面，本实用新型的结构是有效的。
另外，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了具有第1连接部CN1、第2连接部CN2以及线路部TL的多层基板的例子，但是多层基板具有的连接部以及线路部的数目能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。
虽然在以上所示的各实施方式中，示出了层叠体10为矩形的平板的例子，但是并不限定于该结构。层叠体10的形状能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。层叠体10的平面形状例如可以为L字形、曲柄形、T字形、Y字形等。
此外，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了将3个基材层层叠而成的层叠体10的例子，但是本实用新型的层叠体并不限定于此。形成层叠体10的基材层的层数能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。此外，在本实用新型的多层基板中，形成在层叠体10的表面的保护层不是必需的。
虽然在以上所示的各实施方式中，示出了层叠体10是以热塑性树脂为主材料的平板的例子，但是并不限定于该结构。层叠体也可以是以热固化性树脂为主材料的平板。此外，层叠体例如也可以是低温共烧陶瓷 (LTCC)的介电陶瓷。此外，层叠体也可以是多个树脂的复合层叠体，例如可以是将玻璃/环氧基板等热固化性树脂片材和热塑性树脂片材层叠而形成的结构。此外，层叠体并不限于对多个基材层进行加热压制(统一压制)而将其表面彼此熔接的结构，也可以是在各基材层之间具有粘接材料层的结构。
此外，形成在多层基板的电路结构并不限定于以上所示的各实施方式的结构，能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。形成在多层基板的电路例如可以形成有包含导体图案的线圈、由导体图案形成的电容器、各种滤波器(低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器)等频率滤波器。此外，在多层基板例如也可以形成有其它各种传输线路(微带线、曲折线、共面线等)等。进而，也可以在多层基板安装或者埋设有片状部件等各种电子部件。
虽然在以上所示的各实施方式中，示出了构成了两个传输线路(第1 传输线路以及第2传输线路)的多层基板的例子，但是并不限定于该结构，传输线路的数目能够根据形成在多层基板的电路结构适当地进行变更。
此外，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了第1信号线31以及第2信号线32的整体为并行部SP的例子，但是并不限定于该结构。也可以是，第1信号线31以及第2信号线32的仅一部分为并行部。此外，第1信号线31以及第2信号线32并不限定于在X轴方向上延伸的线状的导体图案，也可以是向Y轴方向弯曲或者弯折的线状的导体图案。即，传输方向并不限定于X轴方向。
虽然在以上所示的各实施方式中，示出了在层叠体10的第1主面S1 形成矩形的外部电极P1、P2、P3、P4的例子，但是并不限定于该结构。外部电极的形状、个数、位置能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。外部电极的平面形状例如可以是多边形、圆形、椭圆形、圆弧状、环状、L字形、U字形、T字形、Y字形、曲柄形等。此外，也可以在层叠体10的第1主面S1以及第2主面S2分别设置外部电极。此外，外部电极的个数能够根据多层基板具有的电路结构适当地进行变更。
最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示，并不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围并不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含从与权利要求书等同的范围内的实施方式进行的变更。
附图标记说明
CN1：第1连接部；
CN2：第2连接部；
D1：开口(第1开口、第2开口、第3开口或者第4开口中的任一个)和信号线(第1信号线或者第2信号线中的任一个)的间隔；
D2：开口(第1开口、第2开口、第3开口或者第4开口中的任一个)和多个层间连接导体的间隔；
D3：在传输方向上排列的多个层间连接导体彼此的间隔；
W1：开口(第1开口、第2开口、第3开口或者第4开口)的宽度；
L1：开口(第1开口、第2开口、第3开口或者第4开口)的传输方向上的长度；
f：使用频带；
AP1、AP2、AP3、AP4：保护层的开口；
H10、H10A、H10B：第1开口；
H21、H21A、H21B、H22、H22A、H22B：第2开口；
H30、H30A、H30B：第3开口；
H41、H41A、H41B、H42、H42A、H42B：第4开口；
LR：激光；
N11a、N11b、N12a、N12b、N21a、N21b、N22a、N22b：开口；
P1、P2、P3、P4：外部电极；
PS1：电路基板的上表面；
S1：层叠体的第1主面；
S2：层叠体的第2主面；
SP：(第1信号线和第2信号线的)并行部；
SS：层叠体的端面；
T11、T12、T21、T22：贯通孔；
TL：线路部；
V1、V2、V3、V4、V11a、V11b、V12a、V12b、V21a、V21b、V22a、 V22b：层间连接导体；
VP11、VP12、VP21、VP22：层间连接导体；
1：保护层；
10：层叠体；
11、12、13：基材层；
31、31A：第1信号线；
32、32A：第2信号线；
41、41A：第1接地导体；
42、42A：第2接地导体；
51、52、61、62：辅助接地导体；
71、72、73、74：部件；
101、101A、102、103、104A、104B：多层基板；
201：电路基板；
301：电子设备。

Claims (16)

1.一种多层基板，其特征在于，具备：
层叠体，将多个基材层层叠而成；
第1信号线以及第2信号线，形成在所述层叠体，沿着传输方向延伸，并具有相互并行的并行部；
第1接地导体以及第2接地导体，形成在所述层叠体，并配置为在所述多个基材层的层叠方向上夹着所述第1信号线以及所述第2信号线；和
多个层间连接导体，形成在所述层叠体，将所述第1接地导体和所述第2接地导体连接，
所述多个层间连接导体在所述传输方向上排列，且至少配置在所述并行部中的所述第1信号线与所述第2信号线之间，
所述第1接地导体具有第1开口以及第2开口，
所述第2接地导体具有第3开口以及第4开口，
所述第1开口以及所述第3开口是沿着所述并行部连续地延伸的开口，从所述层叠方向观察，配置在所述并行部中的所述第1信号线与所述第2信号线之间，
所述第2开口以及所述第4开口配置在比所述并行部靠与所述传输方向正交的宽度方向上的外侧。
2.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，具备：
第1外部电极以及第2外部电极，形成在所述层叠体的主面；和
多个信号层间连接导体，形成在所述层叠体，
所述第1外部电极经由所述多个信号层间连接导体中的至少一个与所述第1信号线连接，
所述第2外部电极经由所述多个信号层间连接导体中的至少一个与所述第2信号线连接，
从所述层叠方向观察，所述并行部中的所述第1信号线以及所述第2信号线分别与所述第1外部电极以及所述第2外部电极重叠。
3.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
所述多个层间连接导体配置为在所述宽度方向上分别夹着所述第1 信号线以及所述第2信号线。
4.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
所述第1接地导体以及所述第2接地导体经由在所述层叠体的端面形成的端面导体连接。
5.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
所述多个基材层以树脂为主材料。
6.根据权利要求5所述的多层基板，其特征在于，
所述树脂为热塑性树脂。
7.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
所述第2开口以及所述第4开口是沿着所述并行部连续地延伸的开口。
8.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
所述第2开口以及所述第4开口的数目为多个，
多个所述第2开口以及多个所述第4开口沿着所述并行部排列。
9.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
所述第1开口以及所述第3开口的所述传输方向上的长度为使用频带的波长以上。
10.根据权利要求7所述的多层基板，其特征在于，
所述第2开口以及所述第4开口的所述传输方向上的长度为使用频带的波长以上。
11.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
在所述传输方向上排列的所述多个层间连接导体彼此的间隔为使用频带的波长的1/10以下。
12.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
所述第1开口、所述第2开口、所述第3开口或者所述第4开口中的任一个与所述1信号线或者所述第2信号线的间隔为使用频带的波长的1/10以下。
13.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
所述第1开口、所述第2开口、所述第3开口或者所述第4开口中的任一个与所述多个层间连接导体的间隔为使用频带的1/10以下。
14.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
所述第1开口、所述第2开口、所述第3开口或者所述第4开口的宽度为使用频带的波长的1/10以下。
15.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，
所述多个层间连接导体包含镀敷膜。
16.一种电子设备，其特征在于，具备：
权利要求1至15中的任一项所述的多层基板；和
电路基板，被表面安装所述多层基板。
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