많은 어플리케이션에서 고속의 메모리소자가 요구되고 있다. 고속의 메모리소자의 성능 테스트를 위해 패키지 테스트는 필수적이다. 제조비용을 절감하기 위하여 동시에 다수의 메모리 소자를 테스트하였다. 이를 실현하기 위해 테스트 보드상에 스트립 전송라인의 분기 패턴을 통해 분주기를 구현하였다. 낮은 동작속도를 갖는 메모리소자의 경우 분주기를 통해 메모리소자 내부로 원하는 데이터를 입출력하는 것이 가능하였다. 그러나 고속의 동작속도를 갖는 메모리소자의 경우에는 스트립 전송라인의 임피던스 미스 매칭으로 인하여 반사파가 발생되고, 상기 반사파에 의해 신호지연이 발생되어 고속의 데이터를 분주기를 통해 정확하게 입출력하는 것이 불가능하였다.
도 1은 종래의 프린트 배선기판(100)에서의 스트립 전송 라인의 임피던스 매칭을 콘트롤하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 1을 참조하면, 스트립 전송 라인(130)의 상부에는 상부 접지층(110)이 배열되고, 상기 스트립 전송 라인(120)의 하부에는 하부 접지층(150)이 배열된다. 상기 스트립 전송 라인(120)은 선폭(w1)을 가지며, 상기 프린트 배선 기판(100)은 두께(h1)를 갖는다. 상기 스트립 전송 라인(120)의 상면으로부터 상기 상부 접지층(110)의 하면까지의 거리는 d11이고, 상기 스트립 전송 라인(120)의 하면으로부터 상기 하부 접지층(150)의 상면까지의 거리는 d12이다. 상기 스트립 전송 라인(120)과 상, 하부 접지층(110, 150)사이에는 전계(Electric field, 130)가 발생되고, 상기 스트립 전송 라인(120)의 주변에 자계(Magnetic field, 140)이 형성된다.
상기 스트립 전송 라인(120)의 임피던스(Zo)는 프린트 배선기판(100)의 높이(h1), 스트립 전송 라인(120)을 둘러싸고 있는 유전막(미도시)의 유전율, 그리고 스트립 전송 라인(120)의 선폭(w1)에 의해 결정된다. 상기 스트립 전송 라인(120)의 임피던스(Zo)는 프린트 배선기판(100)의 높이(h1)가 증가할수록 증가한다. 그러나, 높이(h1)가 증가하면 다층 프린트 기판의 경우 총 두께가 증가하게 되어 공정상 어려움과 전송신호의 특성을 확보하기 어렵다. 상기 스트립 전송 라인(120)의 임피던스(Zo)는 유전막의 유전율이 낮을수록 증가한다. 그러나, 유전막의 유전율은 물질에 따라 정해져 있으므로, 유전율에 의해 스트립 전송 라인(120)의 임피던스를 콘트롤하는 것은 한계가 있다.
이와 같이 유전막의 유전율 및 기판의 높이에 의해 임피던스를 콘트롤하는 방법은 한계가 있기 때문에, 스트립 전송 라인(120)의 선폭에 의해 스트립 전송 라인(120)의 임피던스를 콘트롤하는 방법이 주로 사용되고 있다. 상기 스트립 전송 라인(120)의 임피던스(Zo)는 하기의 식(1)로 표현된다.
스트립 전송 선로(120)의 임피던스는 캐패시턴스(C)와 인덕턴스(L)에 의해 결정된다. 캐패시턴스(C)가 감소하면 임피던스(Zo)는 증가하고, 인덕턴스(L)가 증가하면 임피던스(Zo)는 증가한다. 상기 캐패시턴스(C)는 스트립 전송 라인(120)과 접지층(110, 150)간의 거리(d1, d12)에 의해 결정된다. 인덕턴스(L)는 스트립 전송 라인(120)의 선폭(w1)에 의해 결정된다. 즉 상기 캐패시턴스(C)는 전계(130)에 의해 결정되고, 상기 인덕턴스(L)는 자계(140)에 의해 결정된다. 따라서, 스트립 전송라인(120)과 접지층(110, 150)간의 거리(d11, d12)가 클수록 캐패시턴스(C)는 증가하여, 임피던스(Zo)가 증가한다. 또한, 스트립 전송 라인(120)의 선폭(w1)이 작아질수록 인덕턴스(L)가 증가하여 임피던스(Zo)는 증가하게 된다.
상기 스트립 전송 라인(120)의 선폭(w1)을 감소시켜 임피던스를 증가시키는 것은 공정상 한계가 있다. 특히, 분기 전송 라인에서 임피던스는 증가시켜 주기 위해서는 분기 전송 라인을 미세패턴으로 구현하여 선폭을 감소시켜 주어야 하므로, 분기 전송 라인에서 임피던스를 매칭시키는 것은 매우 어렵다.
또한, 패키지의 볼 또는 핀의 수가 증가함에 따라 다층 프린트 배선기판에서 적층되는 단위 프린트 배선기판의 수가 증가하게 된다. 단위 프린트 배선기판의 수가 증가하게 됨에 따라 다층 프린트 배선기판의 총 두께가 증가하게 된다. 다층 프린트 배선기판의 총 두께를 감소시켜 주기 위하여 단위 프린트 배선기판의 두께를 최소화하고 있다. 단위 프린트 배선기판의 두께가 감소함에 따라 상기 스트립 전송 라인(120)과 상기 상, 하부 접지층(110, 150)간의 거리(d11, d12)가 감소하게 된다. 따라서, 캐패시턴스(C)가 증가하게 되어 임피던스(Zo)는 감소하게 된다.
도 2a는 2분주 라인의 스트립 전송 라인에서의 시뮬레이션 결과를 도시한 것이고, 도 2b는 4분주 라인의 스트립 전송 라인에서의 시뮬레이션 결과를 도시한 것이다. 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 분주 라인의 스트립 전송 라인에서의 임피던스 미스 매칭으로 인해 반사파가 발생하여 전송신호의 지연이 발생한다. 이로 인해 전송 신호의 아이 다이어그램 특성이 나빠지게 된다. 특히, 스트립 전송 라인의 분주 수가 증가함에 따라 아이 다이어그램 특성이 더 나빠짐을 알 수 있다.
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프린트 배선기판(200)의 평면도를 도시한 것이다. 도 4a는 도 3의 A-A 선에 따른 프린트 배선기판(200)의 단면도이다. 도 4b는 도 3의 B-B 선에 따른 프린트 배선기판(200)의 단면도이다. 도 4c는 도 3의 C-C선에 따른 프린트 배선기판(200)의 단면도이다. 도 3 및 도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 프린트 배선기판(200)은 베이스 부재(220)의 제1면에 상부 접지층(210)이 배열되고, 상기 베이스 부재(220)의 제2면에는 상기 스트립 전송 라인(230)이 배열된다. 상기 베이스 부재(220)의 제2면 및 상기 스트립 전송 라인(230)상에는 접착 부재(240)에 의해 하부 접지층(250)이 부착되어 있다. 상기 베이스 부재(220)는 코어 기판을 포함할 수 있다. 상기 접착 부재(240)는 프리 그래그층을 포함할 수 있다. 상기 상, 하부 접지층(210, 250)은 구리층을 포함할 수 있다. 상기 스트립 전송 라인(230)은 구리 라인을 포함할 수 있다.
상기 스트립 전송 라인(230)은 제1전송 라인부(231), 제2전송 라인부(233) 및 제3전송 라인부(235)를 구비한다. 상기 제1전송 라인부(231)는 선폭(W2)을 갖는 메인 라인을 포함한다. 상기 제2전송 라인부(233)는 상기 제1전송 라인부(231)로부터 2분기되고, 상기 선폭(W2)을 갖는다. 상기 제2전송 라인부(233)는 1쌍의 분기 라인을 포함한다. 상기 제3전송 라인부(235)는 상기 제2전송 라인부(233)로부터 각각 2분기되고, 상기 선폭(W2)을 갖는다. 상기 제3전송 라인부(235)는 상기 제2전송 라인부(233) 각각에 대하여 1쌍식 배열되는 분기라인을 포함한다. 즉, 상기 제3전송 라인부(235)는 상기 제1전송 라인부(231)에 대하여 4분기되어 2쌍의 분기라인을 포함한다.
상기 상부 접지층(210)은 제1개구부(213)와 제2개구부(215)를 구비한다. 상기 제1개구부(213)는 상기 스트립 전송 라인(230)중 상기 제2전송 라인부(233)에 대응하여 형성된다. 상기 제1개구부(213)의 제1폭(S1)은 상기 제2전송라인부(233)의 선폭(W2)보다 클 수 있다. 상기 제2개구부(215)는 상기 제3전송 라인부(235)에 대응하여 형성된다. 상기 제2개구부(215)의 제2폭(S2)은 상기 제1개구부(213)의 폭(S1)보다 클 수 있다.
상기 하부 접지층(250)은 제3개구부(253)와 제4개구부(255)를 구비한다. 상기 제3개구부(253)는 상기 스트립 전송 라인(230)중 제2전송 라인부(233)에 대응하여 형성된다. 상기 제3개구부(253)는 상기 제1개구부(213)와 동일한 폭(S1)을 가질 수 있다. 상기 제2개구부(255)는 상기 제3전송 라인부(235)에 대응하여 형성된다. 상기 제4개구부(255)는 상기 제2개구부(215)와 동일한 폭(S2)을 가질 수 있다. 상기 제1개구부(213)와 상기 제3개구부(253)는 상기 스트립 전송 라인(230)의 제1전송 라인부(233)에 대하여 대칭적으로 배열되고, 상기 제2개구부(215)와 상기 제4개구부(255)는 상기 스트립 전송 라인(230)의 제2전송 라인부(235)에 대하여 대칭적으로 배열된다. 상기 스트립 전송 라인(230)의 제2 및 제2전송 라인부(233, 235)는 상기 상부 접지층(210)과 상기 하부 접지층(250)와는 오버랩되지 않는다.
상기 프린트 배선기판(200)의 스트립 전송 라인(230)이 분주기에 적용되는 경우, 상기 제1전송 라인부(231)는 상기 스트립 전송 라인(230)을 통해 전송되는 전송신호를 분주하지 않고 전송하는 1분주 라인이다. 상기 제2전송 라인부(233)는 상기 제1전송 라인부(231)를 통해 전송되는 전송신호를 2분주하는 2분주 라인이다. 상기 제2전송 라인부(233)는 각각 2분주 전송 신호를 전송한다. 상기 제3전송 라인부(235)는 상기 제1전송 라인부(231)를 전송되는 전송신호를 4분주하여 전송하는 4분주 라인이다. 상기 제3전송 라인부(235)는 각각 4분주 전송신호를 전송한다. 즉, 상기 제3전송 라인부(235)는 상기 제2전송 라인부(233)의 2분주 전송신호를 다시 2분주한다.
예를 들어, 상기 제1전송 라인부(231)의 임피던스(Z11)가 50Ω이라면, 상기 제2전송 라인부(233) 각각의 임피던스(Z13)는 100Ω이고 상기 제3전송 라인부(235) 각각의 임피던스(Z15)는 200Ω 이어야 한다. 상기 스트립 전송 라인(230)에서 임피던스 매칭을 얻기 위해서는 1분주 라인인 상기 제1전송 라인부(231)와 2분주 라인인 상기 제2전송 라인부(233) 및 4분주 라인인 상기 제3전송 라인부(235)의 임피던스가 매칭되어야 한다.
도 5를 참조하면, 프린트 배선기판(200)의 두께(h2)가 일정하다고 하면, 상기 스트립 전송 라인의 제3전송 라인부(235)의 임피던스(Z15)는 식(1)로부터 캐패시턴스(C)에 반비례하여 증가하고, 인덕턴스(L)에 비례하여 증가한다. 상기 스트립 전송 라인(230)의 제3전송 라인부(235)의 선폭(W2)이 일정하므로, 상기 제3전송 라인부(235)의 주변에 형성되는 자계(270)의 세기가 일정하게 된다. 따라서, 상기 인덕턴스(L)가 일정하므로, 상기 임피던스(Z15)는 상기 캐패시턴스(C)에 의해 결정된다.
상기 캐패시턴스(C)는 상기 제3전송 라인부(235)와 상기 상, 하부 접지층(210, 250)간의 거리(d21, d22)에 의해 결정된다. 상기 거리(d21)는 실제로 상기 제3전송 라인부(235)의 측면과 상기 제2개구부(215)에 의해 노출되는 상기 상부 접지층(210)의 측면간의 거리이다. 상기 거리(d22)는 실제로 상기 제3전송 라인부(235)의 측면과 상기 제4개구부(255)에 의해 노출되는 상기 하부 접지층(250)의 측면간의 거리이다. 상기 제3전송 라인부(235)와 상기 상, 하부 접지층(210, 250)간의 최단거리가 d21, d22 이므로, 전계(260)는 상기 제3전송 라인부(235)의 측면과 상기 상, 하 접지층(210, 250)의 측면사이에 집중된다.
상기 스트립 전송 라인(230)의 측면으로부터 상기 제2개구부(215)에 의해 노출되는 상기 제1접지층(210)의 측면까지의 거리(d21)가 상기 스트립 전송 라인(230)의 상기 제3전송 라인부(235)의 상면으로부터 상기 제1접지층(210)의 하면까지의 거리(도 1의 d11)보다 크다. 또한, 상기 스트립 전송 라인(230)의 상기 제3전송 라인부(235)의 측면으로부터 상기 제4개구부(255)에 의해 노출되는 상기 제1접지층(210)의 측면까지의 거리(d22)가 상기 스트립 전송 라인(230)의 하면으로부터 상기 제2접지층(250)의 상면까지의 거리(도 1의 d12)보다 크다. 상기 거리(d21, d22)는 상기 제2 및 제4개구부(215, 255)의 폭(S2)에 따라 결정된다.
따라서, 상기 제1 및 제2접지층(210, 250)의 상기 스트립 전송 라인(230)의 제3전송 라인부(235)에 대응하여 배열되는 상기 제2 및 제4개구부(215, 255)의 폭(S2)을 증가시켜 상기 상, 하부 접지층(210, 250)과 제3전송 라인부(235)간의 거리(d21, d22)를 증가시켜 준다. 상기 거리(d21, d22)증가에 따라 캐패시턴스(C)가 감소하게 되어 상기 스트립 전송 라인(230)의 상기 제3전송 라인부(235)에서의 임피던스(Z15)를 증가시켜 줄 수 있다. 상기 거리(d21, d22)가 동일하도록 상기 베이 스 부재(220)와 상기 접착 부재(240)의 두께를 결정할 수 있다.
이상에서와 같이, 상기 베이스 부재(220)와 상기 접착 부재(240)는 각각 일정한 유전율을 가지고, 상기 스트립 전송 라인(230)의 선폭(W2)이 일정하며, 상기 프린트 배선 기판(200)의 두께(h2)가 일정한 경우, 임피던스(Z15)는 상기 거리(d21, d22)에 의해 결정된다. 그러므로, 상기 제2개구부(215) 및 상기 제4개구부(255)의 폭(S2)에 따라 상기 거리(d21, d22)가 결정되므로, 상기 제2 및 제4개구부(215, 255)의 폭(S2)에 의해 임피던스(Z15)를 콘트롤할 수 있다.
상기와 마찬가지로, 상기 스트립 전송 라인(230)의 상기 제2전송 라인부(233)의 임피던스(Z13)도 상기 제1 및 제2접지층(210, 250)과 상기 스트립 전송라인(230)의 제2전송 라인부(233)간의 거리에 의해 결정된다. 그러므로, 상기 제1개구부(213) 및 상기 제3개구부(253)의 폭(S1)에 따라 상기 제2전송라인부(233)의 임피던스(Z13)도 콘트롤할 수 있다. 상기 상, 하부 접지층(210, 250)의 제1 및 제3개구부(213, 253)의 제1폭(S1)과 상기 하부 접지층(250)의 제2 및 제4개구부(253, 255)의 제2폭(S2)을 콘트롤하여 상기 스트립 전송 라인(230)의 제1 내지 제3전송 라인부(231, 233, 235)의 임피던스를 매칭시켜 줄 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 프린트 배선기판의 임피던스 특성의 시뮬레이션 결과를 도시한 것이다. 도 6a는 2분기 스트립 전송라인에서의 임피던스 특성의 시뮬레이션 결과이고, 도 6b는 4분기 스트립 전송라인에서의 임피던스 특성의 시뮬레이션 결과이다. 도 6a 및 도 6b을 참조하면, 상기 스트립 전송 라인(230)의 상기 제2전송 라인부(233) 및 상기 제3전송 라인부(235)의 임피던스를 콘트롤하여 상기 제1전송 라인부(231)와 임피던스 매칭을 이루게 되므로, 전송신호가 반사되지 않고 정확하게 전송된다. 그러므로, 우수한 전송 특성을 얻을 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 다층 프린트 배선기판(200A)의 단면도이다. 도 7을 참조하면, 다층 프린트 배선기판(200A)은 다수의 단위 프린트 배선기판(200a - 200i)이 적층된 구조를 갖는다. 제1단위 프린트 배선기판(200a)의 제1베이스 부재(220a)의 제1면에 제1상부 접지층(210a)이 배열되고, 상기 제1베이스 부재(220a)의 제2면에 제1스트립 전송 라인(230a)이 배열된다. 제2단위 프린트 배선기판(200b)의 제2베이스 부재(220b)의 제1면에 제2상부 접지층(210b)이 배열되고, 상기 제1베이스 부재(220b)의 제2면에 제2스트립 전송 라인(230b)이 배열된다. 상기 제1단위 프린트 배선기판(200a)의 상기 제1스트립 전송라인(230a) 및 상기 제1베이스 부재(220a)상에 제1접착부재(240a)에 의해 상기 제2단위 프린트 배선기판(200b)의 상기 제2상부 접지층(210b)이 부착된다. 상기 제2상부 접지층(210b)은 상기 제1단위 프린트 배선기판(200a)의 제1하부 접지층(250a)으로 작용한다.
제3베이스 부재(220c)의 제1 및 제2면에 각각 제3상부 접지층(210c) 및 제3스트립 전송 라인(230c)이 배열된 제3단위 프린트 배선기판(200c)이 제2접착 부재(240b)에 의해 상기 제2단위 프린트 배선기판(200b)의 제2스트립 전송 라인(230b)와 상기 제2베이스 부재(220b)상에 부착되고, 상기 제3상부 접지층(210c)이 상기 제2단위 프린트 배선기판(200b)의 제2하부 접지층(250b)으로 작용한다.
이와 마찬가지로, 제4 내지 제9베이스 부재(220d - 220i)의 제1 및 제2면에 각각 제4 내지 제9상부 접지층(210d - 210i) 및 제4 내지 제9스트립 전송 라 인(230d - 230i)이 배열된 제4 내지 제9단위 프린트 배선기판(200d - 200i)이 제3 내지 제8접착 부재(240c - 240h)에 의해 상기 제3 내지 제8단위 프린트 배선기판(200c -200h)의 제3 내지 제8스트립 전송 라인(230c - 280h) 및 상기 제3 내지 제8베이스 부재(220c -220h)상에 각각 부착된다. 상기 제4 내지 제9상부 접지층(210d - 210i)이 상기 제3 내지 제8단위 프린트 배선기판(200c - 210h)의 제3 내지 제8하부 접지층(250c - 250h)으로 작용한다.
상기 제9단위 프린트 배선기판(200i)의 제9하부 접지층(250i)은 제9접착 부재(240i)에 의해 상기 제9스트립 전송 라인(230i) 및 제9베이스 부재(220i)상에 부착된다. 상기 제1 내지 제9베이스 부재(220a - 220i)는 코어 기판을 포함하고, 상기 제1 내지 제9접착 부재(240a - 240i)는 프리 프레그층을 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제9단위 프린트 배선기판(200a - 200i)의 상기 제1 내지 제9스트립 전송 라인(230a - 230i)중 일부, 예를 들어 제1, 제3, 제5, 제6, 제7 및 제9스트립 전송 라인(230a, 230c, 230e, 230f, 230g, 230i)는 분기 라인을 포함하지 않은 전송라인일 수 있다. 나머지 일부의 스트립 전송 라인 예를 들어 제2, 제4 및 제8스트립 전송 라인(230b, 230d, 230h)은 분기 라인을 포함하는 전송라인일 수 있다. 상기 제2, 제4 및 제8스트립 전송 라인(230b, 230d, 230h)은 도 3의 2분주 라인 또는/및 4분주라인을 포함하는 전송라인일 수 있다. 도 7에서, 상기 제2, 제4 및 제8스트립 전송 라인(230b, 230d, 230h)에 대한 단면은 2분주 라인 또는 4분주라인(도 3의 제2 또는 제3전송 라인부)의 단면을 도시한 것이다.
상기 제2, 4 및 제8스트립 전송 라인(230b, 230d, 230h)은 도 3 및 도 4a 내 지 도 4c와 같은 구조를 가질 수 있다. 상기 제2스트립 전송 라인(230b)의 상, 하부에 배열된 제2상, 하부 접지층(210b, 250b)은 각각 상기 제2스트립 전송라인(230b)에 대응하여 배열되는 제1상, 하 개구부(215b, 255b)를 구비할 수 있다. 상기 제1상, 하 개구부(215b, 255b)는 동일한 폭을 가질 수 있다. 상기 제4스트립 전송 라인(230d)의 상, 하부에 배열된 제4상, 하부 접지층(210d, 250d)은 각각 상기 제4스트립 전송라인(230d)에 대응하여 배열되는 제2상, 하 개구부(215d, 255d)를 구비할 수 있다. 상기 제2상, 하 개구부(215d, 255d)는 동일한 폭을 가질 수 있다. 상기 제8스트립 전송 라인(230h)의 상, 하부에 배열된 제8상, 하부 접지층(210h, 250h)은 각각 상기 제8스트립 전송라인(230h)에 대응하여 배열되는 제3상, 하 개구부(215h, 255h)를 구비할 수 있다. 상기 제3상, 하 개구부(215h, 255h)는 동일한 폭을 가질 수 있다. 상기 제2, 제4 및 제8스트립 전송 라인(230b, 230d, 230h)이 동일한 분주라인을 포함한다면, 상기 제1, 제2 및 제3상, 하 개구부(215b, 255b, 215d, 255d, 215h, 255h)는 동일한 폭을 가질 수 있다.
예를 들어, 제2단위 프린트 배선기판(200b)의 경우, 제2상, 하 접지층(210b, 250b)에 제1상, 하 개구부(215b, 255b)가 형성되어 있으므로, 상기 제2스트립 전송 라인(230b)의 상면에서의 접지층과의 거리는 실제로 상기 제2스트립 전송라인(230b)과 상기 제1상부 접지층(210a)간의 거리(d31)가 되고, 상기 제2스트립 전송 라인(230b)의 하면에서의 접지층과의 거리는 실제로 상기 제2스트립 전송라인(230b)과 제3하부접지층(250c)간의 거리(d32)가 된다. 한편, 상기 제2스트립 전송 라인(230b)의 측면에서의 제2상부 접지층(210b)의 측면과의 거리는 d33이고, 상 기 제2스트립 전송 라인(230b)의 측면에서의 제2하부 접지층(250b)의 측면과의 거리는 d34가 이다. 만약, 거리(d31, d32)보다 거리(d33, d34)가 작다면, 전계(E)가 상기 제2스트립 전송 라인(230b)의 측면과 상기 제2상, 하부 접지층(210b, 250b)의 측면사이에 집중된다. 따라서, 상기 제1상, 하 개구부(215b, 255b)의 폭에 따라 임피턴스를 콘트롤하여 상기 제2스트립 전송 라인(230b)의 임피던스를 매칭시켜 줄 수 있다.
이와 마찬가지로, 분기라인을 갖는 제4 및 제8스트립 전송라인(230d, 230h)에서도 제2 및 제3상, 하 개구부(215b, 255b), (215h, 255h)의 폭에 따라 임피턴스를 콘트롤하여 임피던스를 매칭시켜 준다. 그러므로, 상기 제1 내지 제9단위 프린트 배선기판(200a - 200i)의 상기 스트립 전송 라인(230a - 230i)에서 임피던스 매칭을 이룰 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.