JP2005044860A - モジュール構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】パワーMMIC等を搭載したアンプモジュールなどにおいて、マイクロストリップラインによる伝送線と、このマイクロストリップラインにより構成したBPFとが同一基板に作成された積層回路を用いた、小型・低コストを実現し、かつ放熱構造にも優れたモジュール構造を提供する。
【解決手段】本発明のモジュール構造は、接地された導電性の熱拡散板1と、積層回路基板50とを有し、積層回路基板は、第1の配線層12と第1の配線層上に形成された第1の誘電体層7と、第1の誘電体層表面に形成された第2の配線層6と、該第2の配線層上部に形成された第2の誘電体層8と、該第2の誘電体層表面に形成された第3の配線層9とからなり、第3の配線層と接地された第1の配線層とにより分布定数型フィルタが形成され、第3の配線層と接地された第2の配線層とによりマイクロストリップラインが形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のモジュール構造は、接地された導電性の熱拡散板1と、積層回路基板50とを有し、積層回路基板は、第1の配線層12と第1の配線層上に形成された第1の誘電体層7と、第1の誘電体層表面に形成された第2の配線層6と、該第2の配線層上部に形成された第2の誘電体層8と、該第2の誘電体層表面に形成された第3の配線層9とからなり、第3の配線層と接地された第1の配線層とにより分布定数型フィルタが形成され、第3の配線層と接地された第2の配線層とによりマイクロストリップラインが形成されている。
【選択図】図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波帯,準マイクロ波帯,ミリ波帯の高周波信号を処理する高周波回路が実装された集積回路基板と、MMIC等からの熱を大気に発散させる熱拡散板とからなるモジュール構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話を始めとする各種通信端末などのマイクロ波帯及びミリ波帯をキャリアとした高周波の利用においても、機器や基板、すなわちモジュールの小型化及び薄型化への移行が進んでいる。
したがって、フィルタやICなどの素子を高密度に実装させ、マイクロ波回路を集約したモジュール構造が作成されている。
【0003】
例えば、特許文献1には、誘電体のセラミック積層基板にストリップラインで形成された、SAW素子(弾性表面波デバイス)の温度特性を補償するバンドパスフィルタ(以下、BPF)の構成が記載されている。
また、特許文献2には、筐体樹脂(誘電体材料)を用いて、この筐体樹脂表面に形成された配線と、この配線及び筐体樹脂を用いて構成されたBPFとの構造について記載されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−111316号公報
【特許文献2】
特開2001−217376号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の特許文献1のように、BPFと、ストリップラインとを同一基板において形成する場合、従来においては、上記BPFが、ストリップライン自体の構造を用いて構成されている。
このため、BPFとストリップラインとは同一の誘電体層を用いて構成されており、各誘電体層はストリップラインの伝達特性に合わせて電気特性が調整されており、BPFを作り込むために必要な電気特性に対応したものではなく、任意のフィルタ特性を作成することが困難である。
特許文献1の場合には、フィルタパターンの上下にGND(接地)電極が形成された形状をしており、高・低温における温度補償上、特性の異なる2種類が必要となるため、誘電体層の3層を含めて4層基板を用いた構成となっている。
【0006】
また、特許文献1の構成のように、誘電体層としてセラミック基板を用いた場合、セラミックの微細な加工が困難となり、作成されるモジュールのサイズが大きくなり、コストの面でも高価なものとなる欠点を有しており、セラミック材料の比誘電率及び誘電体損失が十分な値ではなく、SAWとの組み合わせにおいて、周波数的にも数GHz程度の動作性能となり、低いQ値しか得ることができない。
また、この構成においては、放熱構造が不十分であり、高周波動作により発生した熱の放熱処理が不十分なため、この熱により素子特性が変化する問題を有している。
【0007】
次に、特許文献2のように、筐体樹脂に配線を形成し、この配線を利用してBFPを構成する構造の場合、筐体樹脂の誘電体としての比誘電率及び誘電体損失が十分な値に管理することができず、モジュールを構成する基板としての電気的特性のばらつきが大きくなり、精度の点からミリ波帯に対応させることが出来ない欠点を有している。
【0008】
また、配線と、この配線を用いるフィルタを、単層基板で構成した場合、すでに述べたように、BPFとストリップラインとは同一の誘電体層を用いて構成することとなり、BPF特性(Q値)を向上させるために、単層誘電体層を厚くする必要があり、高周波回路に必要なマイクロストリップラインによる配線を同一基板に作成するとモジュールのサイズが大きくなり、回路設計上に難点を生ずる。
【0009】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、パワーMMIC(以下、Monolithic Microwave Integrated Circuit)等を搭載したアンプモジュールなどにおいて、マイクロストリップラインによる伝送線と、このマイクロストリップラインにより構成したBPFとが同一基板に作成された積層回路を用いた、小型・低コストを実現し、かつ放熱構造にも優れたモジュール構造を提供する。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のモジュール構造は、接地された導電性の熱拡散板と、積層回路基板とを有し、前記積層回路基板は、第1の配線層と前記第1の配線層上に形成された第1の誘電体層と、該第1の誘電体層表面に形成された第2の配線層と、該第2の配線層上部に形成された第2の誘電体層と、該第2の誘電体層表面に形成された第3の配線層とからなり、前記第3の配線層と接地された第1の配線層とにより分布定数型フィルタが形成され、第3の配線層と接地された第2の配線層とによりマイクロストリップラインが形成されているこので、第3の配線層と第2の配線層との間の第2の誘電体層の厚さと、第3の配線層と第1の配線層との間の第1及び第2の誘電体層の厚さとを、独立に制御することが可能なため、マイクロストリップラインの伝送特性と、分布定数型フィルタ(例えば、BPF)の伝達特性とを別々に制御することができるため、同一積層回路基板にモジュールとして作成した場合において、十分な電気的特性を得ることが可能である。
【0011】
また、本発明のモジュール構造は、BPFとマイクロストリップ配線とを同一積層回路基板に形成するので、モジュールを小型化できるだけでなく、工程数が低減でき低コストとなる。
さらに、本発明のモジュール構造は、ワイヤボンディングによる配線接続を行う必要が無く、従来例における寄生インダクタンスによる信号の伝達特性の劣化を抑えることができ、また、チップの接地電極が熱拡散板に密着して接続されているため、チップの接地と放熱手段へ接続の双方が同一処理で行われることにより、実装の工程数が減少し、製造コストを低下させることができ、かつ、チップに対して従来例のような特別な接地手段を必要としなくなるため、モジュールサイズをより小さく製造することができる。
【0012】
本発明のモジュール構造は、前記第1及び第2の誘電体層が所定の膜厚のポリ4フッ化エチレン樹脂(例えば、テフロン(登録商標)樹脂)により形成されているので、加工が容易であり、ポリ4フッ化エチレン樹脂の比誘電率が低く、誘電体損失が低い特性により、積層回路基板の高周波領域における周波数特性を向上させ、かつ、電力輸送の効率を向上させることが可能なため、ミリ波帯においても対応可能なモジュールを構成することができる。
【0013】
誘電損失 ∝ f・tanδ・√ε
ここで、fが周波数であり、εが比誘電率であり、tanδが誘電正接である。この式が示すように、周波数を高くした場合、誘電損失を増加させないために、比誘電率及び誘電正接を低下させる必要のあることが判る。
【0014】
また、本発明のモジュール構造は、すでに述べた従来例に比較して、誘電体損失が低い特性により、マイクロストリップラインの幅を狭く形成できるため、セラミックを使用した場合に比較してモジュール全体のサイズを小型化でき、かつ筐体樹脂に、直接、配線及びBPFを形成する場合に比較して、電気的特性が安定したフィルタを形成することが可能である。
【0015】
本発明のモジュール構造は、前記第1の配線層の一部が分離され第4の配線層を形成し、前記第4の配線層と前記熱拡散板との間に絶縁層が形成され、前記第4の配線層を電源線または配線として用いる構成のため、電源線及び配線の配線位置の自由度を向上させることができるため、配線密度を高くすることができ、よりモジュールのサイズを小さくすることが可能である。
【0016】
本発明のモジュール構造は、前記第4の配線層が、第1及び第2の誘電体層を貫通するスルーホールを介して、前記第3の配線層と接続されているので、電源線及び配線の配線位置の自由度を向上させることができるため、配線密度を高くすることができ、よりモジュールのサイズを小さくすることが可能である。
【0017】
本発明のモジュール構造は、前記第4の配線層が電源線であり、信号線である第3の配線層と交差しており、この第4の配線層と第3の配線層との間に、接地された前記第2の配線層が設けられているため、第3の配線層の信号による電界の変化をこの第2の配線層が遮蔽するため、この電界の変化に起因するノイズが電源線に対して重畳することを防止することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態によるモジュール構造を図面を参照して説明する。図1は、モジュール構造の構成例を説明するための、モジュールの断面を示す概念図である。
本発明のマルチチップモジュール構造は、接地された導電性の熱拡散板1と、分布定数型フィルタ2(例えば、BPF)が誘電体層により構成され、MMICが実装されている積層回路基板50とから構成されている。
【0019】
ここで、熱拡散板1と積層回路基板50とが、双方の実装面を対向させて、密着するように重ね合わせられて接合された構造となっている。
上記熱拡散板1は、実装面1b及び底部1c表面が金(Au)メッキ(例えば500nmの厚さ)された銅(Cu、例えば、700μm)であり、電気的に接地電位とされている。
【0020】
次に、熱拡散板1に接合されている積層回路基板50(MMIC53等の素子が実装されている)の構成を説明する。
ポリ4フッ化エチレン樹脂フィルム(以下フィルム)7(誘電体層)と、片面に導体6の層が形成され、他面に導体9が形成されたフィルム8(誘電体層)とは、導体6がフィルム7とフィルム8との間に挟まれる構成となるように接合されている。
また、フィルム7は、片面に導体12が形成されており、他面には導体が形成されていない。
【0021】
ここで、フィルム7及び8は、例えば、テフロン(登録商標)樹脂で構成されており、各々35μm〜80μmの厚さを有し、比誘電率εが2.6であり、誘電正接tanδ( 誘電体損失を示しており、値が低いと誘電体損失が小さい)が0.002であるものを使用する。
また、導体6の層は、パターンニング工程及びエッチング工程を経て、回路に対応したパターンに加工されている。
説明のため、以下、積層回路基板50において、フィルム7の接合面に対して反対の面を、積層回路基板50の実装面とし、フィルム8の接合面に対して反対の面を、積層回路基板50の裏面とする。
【0022】
フィルム7と8との接合された積層回路基板50において、これらフィルム7及び8に挟まれた導体6と、積層回路基板50の実装面及び裏面に形成される導体12,9各々の配線パターンとを電気的に接続するため、導体6に達するスルホール20,21がそれぞれフィルム7及び8に、エッチング等の加工処理により形成されている。
例えば、導体6,9,12が、Cu/Ni/Auの複数の導体の積層により構成され、各層の厚さが9μm/3μm/0.5μmで形成されている。
【0023】
また、スルホール20及び21が直径250μmで形成され、このスルホール20,21各々には、Cu/Ni/Au等の複数の積層された導体10,11がそれぞれ充填されている。
積層回路基板50(フィルム7面)実装面に導体12の層が形成され、積層回路基板50(フィルム8面)裏面に導体9が形成され、導体9及び12はともに、パターンニング工程及びエッチング工程を経て、回路に対応した配線パターンに加工されている。
【0024】
導体12と導体10と導体6とは、熱処理等により電気的に接続されており、同様に、導体9と導体11と導体6とは熱処理等により電気的に接続されており、積層回路基板50の実装面の導体12と裏面の導体9とは、上記スルホール20,21に充填された各導体を介して電気的に接続されている。
また、分布定数型フィルタ2は、配線パターン9aが導体9により形成されており、この導体9により直接にマイクロストリップライン51の配線パターンと電気的に接続されている。
ここで、マイクロストリップライン51は、導体9のパターンニングされた配線パターン直下に、フィルム8を介して、この配線パターンと対向して同様のパターンとして形成されている導体6(接地されている)とで構成されている。
【0025】
分布定数型フィルタ2は、導体9と導体12とを電極として、また、フィルム7及び8の間の導体6は除去され、フィルム7及び8を誘電体として構成されいる。
すなわち、分布定数型フィルタ2の伝達特性は、配線パターン9aと、フィルム7及び8の合計の厚さにより決定される。
また、マイクロストリップライン51は、導体9を配線パターンとし、導体6接地電位の電極として、導体9と導体6との配線パターン双方がフィルム8を介挿して対向して構成されている。
ここで、マイクロストリップライン51の伝達特性は、導体9による配線パターンの幅と、フィルム8の厚さとにより決定される。
【0026】
上述したように、分布定数フィルタ2及びマイクロストリップラインの電気特性は、フィルム7とフィルム8との厚さを各々独立して制御することにより、任意に制御することができる。
すなわち、マイクロストリップラインの電気特性に対応させて、フィルム8の厚さを決定し、次に、分布定数型フィルタ2の電気特性に対応させ、フィルム8の厚さを考慮し、フィルム7の厚さを調整することで、分布定数フィルタ2及びマイクロストリップラインの電気特性を独立に制御することができる。
【0027】
フィルムの厚さの一例として図2のテーブルを用いて説明する。図2のテーブルは、実験により求めた、BPF(分布定数型フィルタ)特性,及びMSL(マイクロストリップライン)特性と、誘電体層の厚さとの関係を示してある。ここで、Hは誘電体層の厚さを示しており、単位が「μm」であり、例えば、MSLに対してはフィルム8の厚さであり、BPFに対してはフィルム7,8の合計の厚さを示している。
ここでのフィルムの電気的特性は、比誘電率εが2.6であり、誘電正接tanδが0.002であるものを使用する。
【0028】
MSL特性に関しては、誘電体層の厚さHの下限としては、H≦20μmである場合、マイクロストリップラインのパターン幅Wは43.3μmとなり、パターン幅の削減が可能であるが、挿入損失が0.85[dB]となり電送する電力の損失が大きすぎるため、誘電体層(フィルム8)の厚さとしては、厚さとして5%の製造誤差を考慮するとH>20μmが望ましい。
【0029】
また、MSL特性における誘電体層の厚さHの上限としては、H≧80μmである場合、W>200μmとなり、配線パターン幅か太くなりすぎて、モジュールサイズが大型化し小型化する目的を達成できなくなるため、挿入損失が0.41[dB]より劣化しない数値として、フィルム8の厚さとしては、H≦70μmが望ましい。
上述の結果から、MSL特性に対しては、上記電気特性のフィルムを用いた場合、誘電体層(フィルム8)の厚さHは、20μm<H≦70μmであることが判る。
【0030】
次に、BPF特性に関しては、誘電体層(フィルム7,8)の厚さHの下限としては、H≦90μmである場合、通過域ΔF(GHz)が0.5GHz未満となり、BPFとして使用許容の範囲とならないため、誘電体層の厚さとしては、H≧95μmが望ましい。
ここで、通過域ΔFの特性としては、挿入損失≦3[dB]であり、リップル≦0.5[dB]である条件を満足する場合を示している。
【0031】
また、BPF特性における誘電体層の厚さHの上限としては、H≧150μmである場合、リジェクションロス(阻止特性)RLが2[dB]未満となり、十分な阻止特性とならないため、誘電体層(フィルム7,8)の厚さとしては、H<150μmが望ましい。
上述の結果から、BPF特性に対しては、上記電気特性のフィルムを用いた場合、誘電体層(フィルム7,8)の厚さHは、95μm≦H<150μmであることが判る。
【0032】
次に、素子53は、MMIC等であり、例えば、サイドカップル型U字共振器BPF(バンドパスフィルタ)とすると、アルミナ等の厚さ250μmの絶縁体の表面に、配線パターンが形成されており、この絶縁体の裏面に接地電極52cが形成され、熱拡散板1の実装面1bに電気的に接続されている。
【0033】
素子52の配線パターン及び接地電極52cは、例えば、Ti(チタン)/Ni(ニッケル)/Au(金)の積層構造で形成されており、例えば各層の厚さ50nm/2μm/50nm/250nmで形成されている。
熱拡散板1の実装面1bと、素子52の接地電極52c及び導体12とは、図示しないAg(銀)ペーストを介して、電気的に接続されている。
ここで、上記Agペーストを用いた場合、接合条件としては、N2雰囲気のオーブン焼成において、150℃に過熱した状態で30分の間、150g/cm2の圧力を印加して加圧処理を行う。
また、素子52の配線パターンとマイクロストリップラインの配線とは、ワイヤーボンディングで電気的に接続されている。
ここで、上記ワイヤーは、金,銅,アルミニウム等が材料として用いられる。
【0034】
積層回路基板50の実装面は熱拡散板1の実装面に接続されて、導体12がモジュールの接地点に電気的に接続され、接地電位となる。
しかしながら、導体12の一部を分離させて、この分離させた部分を配線パターンまたは電源線52として用いる場合、導体12をパターンニングした後、積層回路基板50と熱拡散板1とを接合させ、モジュール構造としたときに、この配線パターンが熱拡散板1と電気的に絶縁される必要があるため、導体12による配線パターンまたは電源線52と、熱拡散板1との間に絶縁層13(例えば、ソルダーレジスト)が形成されている。
ここで、導体6及び導体9も電源線としてパターニングされており、また、導体12を全て除去して電源線を構成しても良い。
【0035】
このため、本発明のモジュール構造は、分布定数型フィルタ2を積層回路基板50に作り込んだため、従来のようにワイヤーボンディングにより、分布定数型フィルタ2と積層回路基板50のマイクロストリップラインの配線パターンとを接続する従来の場合に比較して、電気的接続におけるリアクタンス成分を削減することができ、フィルタの高周波特性が向上することになる。
【0036】
また、本発明のマルチチップモジュール構造は、積層回路基板50に実装された素子52の接地電極52cが熱拡散板1に密着して接続され、かつ分布定数型フィルタ2が熱拡散板1に熱的に接続されているため、十分な放熱が可能であり、放熱のためにヒートシンク等の余分な部品が必要なく、モジュールを小型化することが出来るとともに、実装の工程数を減少させ、製造コストを低減させることができる。
【0037】
以上、この発明の実施形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のモジュール構造によれば、第3の配線層と第2の配線層との間の第2の誘電体層の厚さと、第3の配線層と第1の配線層との間の第1及び第2の誘電体層の厚さとを、独立に制御することが可能なため、マイクロストリップラインの伝送特性と、分布定数型フィルタの伝達特性とを別々に制御することができるため、同一積層回路基板にモジュールとして作成した場合において、十分な電気的特性を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明のモジュール構造の一例を示す断面の概念図である。
【図2】上記モジュール構造において、積層回路基板50の誘電体層を用いて作成した分布定数型フィルタの電気的特性を示すテーブルである。
【符号の説明】
1 熱拡散板 1b 実装面
2 分布定数型フィルタ 13 絶縁体
6,9,10,11,12 導体 9a 配線パターン
7,8 フィルム
20,21 スルホール 50 積層回路基板
51 マイクロストリップライン 52 電源線(または信号線)
53 素子(MMIC) 52c 接地電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波帯,準マイクロ波帯,ミリ波帯の高周波信号を処理する高周波回路が実装された集積回路基板と、MMIC等からの熱を大気に発散させる熱拡散板とからなるモジュール構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話を始めとする各種通信端末などのマイクロ波帯及びミリ波帯をキャリアとした高周波の利用においても、機器や基板、すなわちモジュールの小型化及び薄型化への移行が進んでいる。
したがって、フィルタやICなどの素子を高密度に実装させ、マイクロ波回路を集約したモジュール構造が作成されている。
【0003】
例えば、特許文献1には、誘電体のセラミック積層基板にストリップラインで形成された、SAW素子(弾性表面波デバイス)の温度特性を補償するバンドパスフィルタ(以下、BPF)の構成が記載されている。
また、特許文献2には、筐体樹脂(誘電体材料)を用いて、この筐体樹脂表面に形成された配線と、この配線及び筐体樹脂を用いて構成されたBPFとの構造について記載されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−111316号公報
【特許文献2】
特開2001−217376号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の特許文献1のように、BPFと、ストリップラインとを同一基板において形成する場合、従来においては、上記BPFが、ストリップライン自体の構造を用いて構成されている。
このため、BPFとストリップラインとは同一の誘電体層を用いて構成されており、各誘電体層はストリップラインの伝達特性に合わせて電気特性が調整されており、BPFを作り込むために必要な電気特性に対応したものではなく、任意のフィルタ特性を作成することが困難である。
特許文献1の場合には、フィルタパターンの上下にGND(接地)電極が形成された形状をしており、高・低温における温度補償上、特性の異なる2種類が必要となるため、誘電体層の3層を含めて4層基板を用いた構成となっている。
【0006】
また、特許文献1の構成のように、誘電体層としてセラミック基板を用いた場合、セラミックの微細な加工が困難となり、作成されるモジュールのサイズが大きくなり、コストの面でも高価なものとなる欠点を有しており、セラミック材料の比誘電率及び誘電体損失が十分な値ではなく、SAWとの組み合わせにおいて、周波数的にも数GHz程度の動作性能となり、低いQ値しか得ることができない。
また、この構成においては、放熱構造が不十分であり、高周波動作により発生した熱の放熱処理が不十分なため、この熱により素子特性が変化する問題を有している。
【0007】
次に、特許文献2のように、筐体樹脂に配線を形成し、この配線を利用してBFPを構成する構造の場合、筐体樹脂の誘電体としての比誘電率及び誘電体損失が十分な値に管理することができず、モジュールを構成する基板としての電気的特性のばらつきが大きくなり、精度の点からミリ波帯に対応させることが出来ない欠点を有している。
【0008】
また、配線と、この配線を用いるフィルタを、単層基板で構成した場合、すでに述べたように、BPFとストリップラインとは同一の誘電体層を用いて構成することとなり、BPF特性(Q値)を向上させるために、単層誘電体層を厚くする必要があり、高周波回路に必要なマイクロストリップラインによる配線を同一基板に作成するとモジュールのサイズが大きくなり、回路設計上に難点を生ずる。
【0009】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、パワーMMIC(以下、Monolithic Microwave Integrated Circuit)等を搭載したアンプモジュールなどにおいて、マイクロストリップラインによる伝送線と、このマイクロストリップラインにより構成したBPFとが同一基板に作成された積層回路を用いた、小型・低コストを実現し、かつ放熱構造にも優れたモジュール構造を提供する。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のモジュール構造は、接地された導電性の熱拡散板と、積層回路基板とを有し、前記積層回路基板は、第1の配線層と前記第1の配線層上に形成された第1の誘電体層と、該第1の誘電体層表面に形成された第2の配線層と、該第2の配線層上部に形成された第2の誘電体層と、該第2の誘電体層表面に形成された第3の配線層とからなり、前記第3の配線層と接地された第1の配線層とにより分布定数型フィルタが形成され、第3の配線層と接地された第2の配線層とによりマイクロストリップラインが形成されているこので、第3の配線層と第2の配線層との間の第2の誘電体層の厚さと、第3の配線層と第1の配線層との間の第1及び第2の誘電体層の厚さとを、独立に制御することが可能なため、マイクロストリップラインの伝送特性と、分布定数型フィルタ(例えば、BPF)の伝達特性とを別々に制御することができるため、同一積層回路基板にモジュールとして作成した場合において、十分な電気的特性を得ることが可能である。
【0011】
また、本発明のモジュール構造は、BPFとマイクロストリップ配線とを同一積層回路基板に形成するので、モジュールを小型化できるだけでなく、工程数が低減でき低コストとなる。
さらに、本発明のモジュール構造は、ワイヤボンディングによる配線接続を行う必要が無く、従来例における寄生インダクタンスによる信号の伝達特性の劣化を抑えることができ、また、チップの接地電極が熱拡散板に密着して接続されているため、チップの接地と放熱手段へ接続の双方が同一処理で行われることにより、実装の工程数が減少し、製造コストを低下させることができ、かつ、チップに対して従来例のような特別な接地手段を必要としなくなるため、モジュールサイズをより小さく製造することができる。
【0012】
本発明のモジュール構造は、前記第1及び第2の誘電体層が所定の膜厚のポリ4フッ化エチレン樹脂(例えば、テフロン(登録商標)樹脂)により形成されているので、加工が容易であり、ポリ4フッ化エチレン樹脂の比誘電率が低く、誘電体損失が低い特性により、積層回路基板の高周波領域における周波数特性を向上させ、かつ、電力輸送の効率を向上させることが可能なため、ミリ波帯においても対応可能なモジュールを構成することができる。
【0013】
誘電損失 ∝ f・tanδ・√ε
ここで、fが周波数であり、εが比誘電率であり、tanδが誘電正接である。この式が示すように、周波数を高くした場合、誘電損失を増加させないために、比誘電率及び誘電正接を低下させる必要のあることが判る。
【0014】
また、本発明のモジュール構造は、すでに述べた従来例に比較して、誘電体損失が低い特性により、マイクロストリップラインの幅を狭く形成できるため、セラミックを使用した場合に比較してモジュール全体のサイズを小型化でき、かつ筐体樹脂に、直接、配線及びBPFを形成する場合に比較して、電気的特性が安定したフィルタを形成することが可能である。
【0015】
本発明のモジュール構造は、前記第1の配線層の一部が分離され第4の配線層を形成し、前記第4の配線層と前記熱拡散板との間に絶縁層が形成され、前記第4の配線層を電源線または配線として用いる構成のため、電源線及び配線の配線位置の自由度を向上させることができるため、配線密度を高くすることができ、よりモジュールのサイズを小さくすることが可能である。
【0016】
本発明のモジュール構造は、前記第4の配線層が、第1及び第2の誘電体層を貫通するスルーホールを介して、前記第3の配線層と接続されているので、電源線及び配線の配線位置の自由度を向上させることができるため、配線密度を高くすることができ、よりモジュールのサイズを小さくすることが可能である。
【0017】
本発明のモジュール構造は、前記第4の配線層が電源線であり、信号線である第3の配線層と交差しており、この第4の配線層と第3の配線層との間に、接地された前記第2の配線層が設けられているため、第3の配線層の信号による電界の変化をこの第2の配線層が遮蔽するため、この電界の変化に起因するノイズが電源線に対して重畳することを防止することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態によるモジュール構造を図面を参照して説明する。図1は、モジュール構造の構成例を説明するための、モジュールの断面を示す概念図である。
本発明のマルチチップモジュール構造は、接地された導電性の熱拡散板1と、分布定数型フィルタ2(例えば、BPF)が誘電体層により構成され、MMICが実装されている積層回路基板50とから構成されている。
【0019】
ここで、熱拡散板1と積層回路基板50とが、双方の実装面を対向させて、密着するように重ね合わせられて接合された構造となっている。
上記熱拡散板1は、実装面1b及び底部1c表面が金(Au)メッキ(例えば500nmの厚さ)された銅(Cu、例えば、700μm)であり、電気的に接地電位とされている。
【0020】
次に、熱拡散板1に接合されている積層回路基板50(MMIC53等の素子が実装されている)の構成を説明する。
ポリ4フッ化エチレン樹脂フィルム(以下フィルム)7(誘電体層)と、片面に導体6の層が形成され、他面に導体9が形成されたフィルム8(誘電体層)とは、導体6がフィルム7とフィルム8との間に挟まれる構成となるように接合されている。
また、フィルム7は、片面に導体12が形成されており、他面には導体が形成されていない。
【0021】
ここで、フィルム7及び8は、例えば、テフロン(登録商標)樹脂で構成されており、各々35μm〜80μmの厚さを有し、比誘電率εが2.6であり、誘電正接tanδ( 誘電体損失を示しており、値が低いと誘電体損失が小さい)が0.002であるものを使用する。
また、導体6の層は、パターンニング工程及びエッチング工程を経て、回路に対応したパターンに加工されている。
説明のため、以下、積層回路基板50において、フィルム7の接合面に対して反対の面を、積層回路基板50の実装面とし、フィルム8の接合面に対して反対の面を、積層回路基板50の裏面とする。
【0022】
フィルム7と8との接合された積層回路基板50において、これらフィルム7及び8に挟まれた導体6と、積層回路基板50の実装面及び裏面に形成される導体12,9各々の配線パターンとを電気的に接続するため、導体6に達するスルホール20,21がそれぞれフィルム7及び8に、エッチング等の加工処理により形成されている。
例えば、導体6,9,12が、Cu/Ni/Auの複数の導体の積層により構成され、各層の厚さが9μm/3μm/0.5μmで形成されている。
【0023】
また、スルホール20及び21が直径250μmで形成され、このスルホール20,21各々には、Cu/Ni/Au等の複数の積層された導体10,11がそれぞれ充填されている。
積層回路基板50(フィルム7面)実装面に導体12の層が形成され、積層回路基板50(フィルム8面)裏面に導体9が形成され、導体9及び12はともに、パターンニング工程及びエッチング工程を経て、回路に対応した配線パターンに加工されている。
【0024】
導体12と導体10と導体6とは、熱処理等により電気的に接続されており、同様に、導体9と導体11と導体6とは熱処理等により電気的に接続されており、積層回路基板50の実装面の導体12と裏面の導体9とは、上記スルホール20,21に充填された各導体を介して電気的に接続されている。
また、分布定数型フィルタ2は、配線パターン9aが導体9により形成されており、この導体9により直接にマイクロストリップライン51の配線パターンと電気的に接続されている。
ここで、マイクロストリップライン51は、導体9のパターンニングされた配線パターン直下に、フィルム8を介して、この配線パターンと対向して同様のパターンとして形成されている導体6(接地されている)とで構成されている。
【0025】
分布定数型フィルタ2は、導体9と導体12とを電極として、また、フィルム7及び8の間の導体6は除去され、フィルム7及び8を誘電体として構成されいる。
すなわち、分布定数型フィルタ2の伝達特性は、配線パターン9aと、フィルム7及び8の合計の厚さにより決定される。
また、マイクロストリップライン51は、導体9を配線パターンとし、導体6接地電位の電極として、導体9と導体6との配線パターン双方がフィルム8を介挿して対向して構成されている。
ここで、マイクロストリップライン51の伝達特性は、導体9による配線パターンの幅と、フィルム8の厚さとにより決定される。
【0026】
上述したように、分布定数フィルタ2及びマイクロストリップラインの電気特性は、フィルム7とフィルム8との厚さを各々独立して制御することにより、任意に制御することができる。
すなわち、マイクロストリップラインの電気特性に対応させて、フィルム8の厚さを決定し、次に、分布定数型フィルタ2の電気特性に対応させ、フィルム8の厚さを考慮し、フィルム7の厚さを調整することで、分布定数フィルタ2及びマイクロストリップラインの電気特性を独立に制御することができる。
【0027】
フィルムの厚さの一例として図2のテーブルを用いて説明する。図2のテーブルは、実験により求めた、BPF(分布定数型フィルタ)特性,及びMSL(マイクロストリップライン)特性と、誘電体層の厚さとの関係を示してある。ここで、Hは誘電体層の厚さを示しており、単位が「μm」であり、例えば、MSLに対してはフィルム8の厚さであり、BPFに対してはフィルム7,8の合計の厚さを示している。
ここでのフィルムの電気的特性は、比誘電率εが2.6であり、誘電正接tanδが0.002であるものを使用する。
【0028】
MSL特性に関しては、誘電体層の厚さHの下限としては、H≦20μmである場合、マイクロストリップラインのパターン幅Wは43.3μmとなり、パターン幅の削減が可能であるが、挿入損失が0.85[dB]となり電送する電力の損失が大きすぎるため、誘電体層(フィルム8)の厚さとしては、厚さとして5%の製造誤差を考慮するとH>20μmが望ましい。
【0029】
また、MSL特性における誘電体層の厚さHの上限としては、H≧80μmである場合、W>200μmとなり、配線パターン幅か太くなりすぎて、モジュールサイズが大型化し小型化する目的を達成できなくなるため、挿入損失が0.41[dB]より劣化しない数値として、フィルム8の厚さとしては、H≦70μmが望ましい。
上述の結果から、MSL特性に対しては、上記電気特性のフィルムを用いた場合、誘電体層(フィルム8)の厚さHは、20μm<H≦70μmであることが判る。
【0030】
次に、BPF特性に関しては、誘電体層(フィルム7,8)の厚さHの下限としては、H≦90μmである場合、通過域ΔF(GHz)が0.5GHz未満となり、BPFとして使用許容の範囲とならないため、誘電体層の厚さとしては、H≧95μmが望ましい。
ここで、通過域ΔFの特性としては、挿入損失≦3[dB]であり、リップル≦0.5[dB]である条件を満足する場合を示している。
【0031】
また、BPF特性における誘電体層の厚さHの上限としては、H≧150μmである場合、リジェクションロス(阻止特性)RLが2[dB]未満となり、十分な阻止特性とならないため、誘電体層(フィルム7,8)の厚さとしては、H<150μmが望ましい。
上述の結果から、BPF特性に対しては、上記電気特性のフィルムを用いた場合、誘電体層(フィルム7,8)の厚さHは、95μm≦H<150μmであることが判る。
【0032】
次に、素子53は、MMIC等であり、例えば、サイドカップル型U字共振器BPF(バンドパスフィルタ)とすると、アルミナ等の厚さ250μmの絶縁体の表面に、配線パターンが形成されており、この絶縁体の裏面に接地電極52cが形成され、熱拡散板1の実装面1bに電気的に接続されている。
【0033】
素子52の配線パターン及び接地電極52cは、例えば、Ti(チタン)/Ni(ニッケル)/Au(金)の積層構造で形成されており、例えば各層の厚さ50nm/2μm/50nm/250nmで形成されている。
熱拡散板1の実装面1bと、素子52の接地電極52c及び導体12とは、図示しないAg(銀)ペーストを介して、電気的に接続されている。
ここで、上記Agペーストを用いた場合、接合条件としては、N2雰囲気のオーブン焼成において、150℃に過熱した状態で30分の間、150g/cm2の圧力を印加して加圧処理を行う。
また、素子52の配線パターンとマイクロストリップラインの配線とは、ワイヤーボンディングで電気的に接続されている。
ここで、上記ワイヤーは、金,銅,アルミニウム等が材料として用いられる。
【0034】
積層回路基板50の実装面は熱拡散板1の実装面に接続されて、導体12がモジュールの接地点に電気的に接続され、接地電位となる。
しかしながら、導体12の一部を分離させて、この分離させた部分を配線パターンまたは電源線52として用いる場合、導体12をパターンニングした後、積層回路基板50と熱拡散板1とを接合させ、モジュール構造としたときに、この配線パターンが熱拡散板1と電気的に絶縁される必要があるため、導体12による配線パターンまたは電源線52と、熱拡散板1との間に絶縁層13(例えば、ソルダーレジスト)が形成されている。
ここで、導体6及び導体9も電源線としてパターニングされており、また、導体12を全て除去して電源線を構成しても良い。
【0035】
このため、本発明のモジュール構造は、分布定数型フィルタ2を積層回路基板50に作り込んだため、従来のようにワイヤーボンディングにより、分布定数型フィルタ2と積層回路基板50のマイクロストリップラインの配線パターンとを接続する従来の場合に比較して、電気的接続におけるリアクタンス成分を削減することができ、フィルタの高周波特性が向上することになる。
【0036】
また、本発明のマルチチップモジュール構造は、積層回路基板50に実装された素子52の接地電極52cが熱拡散板1に密着して接続され、かつ分布定数型フィルタ2が熱拡散板1に熱的に接続されているため、十分な放熱が可能であり、放熱のためにヒートシンク等の余分な部品が必要なく、モジュールを小型化することが出来るとともに、実装の工程数を減少させ、製造コストを低減させることができる。
【0037】
以上、この発明の実施形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のモジュール構造によれば、第3の配線層と第2の配線層との間の第2の誘電体層の厚さと、第3の配線層と第1の配線層との間の第1及び第2の誘電体層の厚さとを、独立に制御することが可能なため、マイクロストリップラインの伝送特性と、分布定数型フィルタの伝達特性とを別々に制御することができるため、同一積層回路基板にモジュールとして作成した場合において、十分な電気的特性を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明のモジュール構造の一例を示す断面の概念図である。
【図2】上記モジュール構造において、積層回路基板50の誘電体層を用いて作成した分布定数型フィルタの電気的特性を示すテーブルである。
【符号の説明】
1 熱拡散板 1b 実装面
2 分布定数型フィルタ 13 絶縁体
6,9,10,11,12 導体 9a 配線パターン
7,8 フィルム
20,21 スルホール 50 積層回路基板
51 マイクロストリップライン 52 電源線(または信号線)
53 素子(MMIC) 52c 接地電極
Claims (5)
- 接地された導電性の熱拡散板と、
積層回路基板とを有し、
前記積層回路基板は、
第1の配線層と前記第1の配線層上に形成された第1の誘電体層と、
該第1の誘電体層表面に形成された第2の配線層と、
該第2の配線層上部に形成された第2の誘電体層と、
該第2の誘電体層表面に形成された第3の配線層とからなり、
前記第3の配線層と接地された第1の配線層とにより分布定数型フィルタが形成され、第3の配線層と接地された第2の配線層とによりマイクロストリップラインが形成されていることを特徴とするモジュール構造。 - 前記第1及び第2の誘電体層が所定の膜厚のポリ4フッ化エチレン樹脂により形成されていることを特徴とする請求項1記載のモジュール構造。
- 前記第1の配線層の一部が分離され第4の配線層を形成し、前記第4の配線層と前記熱拡散板との間に絶縁層が形成され、前記第4の配線層を電源線または配線として用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のモジュール構造。
- 前記第4の配線層が、第1及び第2の誘電体層を貫通するスルーホールを介して、前記第3の配線層と接続されていることを特徴とする請求項3記載のモジュール構造。
- 前記第4の配線層が電源線であり、信号線である第3の配線層と交差しており、この第4の配線層と第3の配線層との間に、接地された前記第2の配線層が設けられていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載のモジュール構造。
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JP2003200602A JP2005044860A (ja) | 2003-07-23 | 2003-07-23 | モジュール構造 |
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JP2010073704A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路装置 |
-
2003
- 2003-07-23 JP JP2003200602A patent/JP2005044860A/ja not_active Withdrawn
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