JP2001044704A

JP2001044704A - 分布定数回路素子とその製造方法およびプリント配線板

Info

Publication number: JP2001044704A
Application number: JP21539999A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Hirabayashi; 崇之平林
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-07-29
Filing date: 1999-07-29
Publication date: 2001-02-16

Abstract

(57)【要約】【課題】小型化・薄型化を図りながらコストアップを招
くことなく分布定数回路素子の周波数特性を所望の特性
とする。【解決手段】接地導体１２ａ，１２ｂ間には帯域フィル
タを構成するための２つの共振器パターン１３ａ，１３
ｂを並設する。共振器パターン１３ａ，１３ｂ間に誘電
体基板１１よりも誘電率の高い材料を用いた誘電体層１
４を形成する。誘電体層１４を設けない場合に比べて奇
励振モードの電界が強められる。奇モードインピーダン
スＺoが小さくなると共に偶励振モードの電界は略同一
とされて結合度βが大きくなる。通過帯域の広帯域化を
図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は分布定数回路素子
とその製造方法およびプリント配線板に関する。詳しく
は、分布定数回路素子において、誘電体基板よりも誘電
率が高い材料を用いた誘電体層を導体パターンの位置に
対応して形成することにより、所望の周波数特性の分布
定数回路素子を得るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報通信技術の進展に伴い、移動
体通信機器やＩＳＤＮあるいはコンピュータ装置等の様
々な機器に、無線あるいは有線で高速にデータ等を伝送
するための回路ブロックが搭載されるようになってい
る。

【０００３】このような回路ブロックを機器に搭載する
際には、高速にデータ等を伝送できるだけでなくノイズ
等を考慮した構成が望まれる。さらに、携行可能な機器
に搭載する場合にあっては、部品の小型化や複合化およ
び多機能化等が図られている。例えば、高周波回路に於
ける機能ブロックでは、コンデンサやコイル等のチップ
部品を使用して集中定数回路としてフィルタ等を実現す
ることは波長が短くなると困難となり、分布定数回路を
用いて小型化や集積化を図ることなどが研究されてい
る。

【０００４】ここで、高性能な帯域フィルタとしては、
λ／４（λは波長）程度の共振器パターンを結合させた
結合器が用いられている。例えば図１０は誘電体基板２
００に略λ／４の長さの共振器パターン２０１を並べる
ことで結合器を構成したものである。図１１は共振器パ
ターン２０２をカスケード状に隣接して並べてパターン
側面で結合させると共に、隣接した共振器パターンが略
λ／４の長さの重なり部分を有するように設けることで
結合器を構成したものである。さらに、図１２は、ステ
ップインピーダンス共振構造をとることにより、共振器
パターン２０３を短縮させてコンパクトな帯域フィルタ
を形成するものである。なお、図示せずも誘電体基板２
００のパターンが形成された面とは逆側の面は接地導体
とされる。

【０００５】このような帯域フィルタでは、式（１）で
示される共振器パターンの結合度βを大きくすることに
より、通過帯域の広帯域化を図ることができることが知
られている。なお、式（１）において「Ｚe」は結合線
路の偶モードインピーダンス、「Ｚo」は奇モードイン
ピーダンスを示しており、偶モードインピーダンスＺe
と奇モードインピーダンスＺoの比（Ｚe／Ｚo）が大き
くなるほど結合度βは上昇する。 β＝（Ｚe−Ｚo）／（Ｚe＋Ｚo）・・・（１）

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、データ等の
伝送の高速化・高容量化に伴い、上述のような素子の通
過帯域を広帯域化するためには、比（Ｚe／Ｚo）を大き
くする必要がある。ここで、図１３Ａに示すように共振
器パターン（ストリップライン）３０１が誘電体基板３
００内に形成されると共に、２つの接地導体３０２，３
０３で挟まれたトリプレート構造の結合器において、比
（Ｚe／Ｚo）を大きくするために、図１３Ｂに示す偶モ
ード励振の電界を弱くして偶モードインピーダンスＺe
が大きくなるように接地導体間の距離Ｋ、すなわち誘電
体の厚さ方向の距離を大きくすると基板が厚くなり、小
型化・薄型化に反してしまう。また、図１３Ｃに示す奇
モード励振の電界を強めて奇モードインピーダンスＺo
が小さくなるように共振器パターンの間隔ｄを狭めるも
のとすると、微細加工が可能な装置、例えばドライエッ
チング装置等が必要となりコストアップとなってしま
う。

【０００７】また、帯域フィルタに限らず、低域フィル
タや高域フィルタ等を構成する場合にも、所望の特性を
得るためには小型化・薄型化に反してしまう場合が生ず
る。そこで、この発明では、小型化・薄型化を図りなが
らコストアップを招くことなく所望の周波数特性を得る
ことができる分布定数回路素子とその製造方法およびプ
リント配線板を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係る分布定数
回路素子は、接地導体と導体パターンとの間に誘電体基
板が挟み込まれ、導体パターンのパターン形状に応じて
動作が設定される分布定数回路素子であって、誘電体基
板よりも誘電率が高い材料を用い、導体パターンの位置
に対応して形成された誘電体層を有するものである。

【０００９】また、分布定数回路素子の製造方法は、接
地導体と導体パターンとの間に誘電体基板が挟み込ま
れ、前記導体パターンのパターン形状に応じて動作が設
定される分布定数回路素子の製造方法であって、前記誘
電体基板としてセラミック材を用いるものとし、前記セ
ラミック材よりも誘電率の高い材料を前記導体パターン
の位置に対応して積層したのち焼成するものである。

【００１０】また、誘電体基板として有機材料を用いる
ものとし、有機材料よりも誘電率の高いプリプレグ材を
導体パターンの位置に対応して塗布したのち硬化させる
ものである。

【００１１】さらに、プリント配線板は、プリント配線
板の絶縁基板を接地導体と導体パターンとで挟み込み、
所望の動作の分布定数回路素子となるよう導体パターン
の形状を設定し、誘電体基板よりも誘電率の高い材料を
用いた誘電体層を導体パターンの位置に対応して形成し
たものである。

【００１２】この発明においては、接地導体と導体パタ
ーンとの間に誘電体基板が挟み込まれ、導体パターンの
パターン形状に応じて動作が設定される分布定数回路素
子において、例えば誘電体基板としてセラミック材や有
機材が用いられると共に、導体パターンとして共振器を
構成する１対の導体パターンが設けられて帯域フィルタ
が形成される。ここで、１対の導体パターンのパターン
間には誘電体基板よりも誘電率の高い誘電体層が形成さ
れる。また、分布定数回路素子が低域フィルタや高域フ
ィルタ等となるように導体パターンのパターン形状が設
定されたときには、この導体パターンと接地導体との間
に誘電率の高い誘電体層が設けられる。さらに、この分
布定数回路素子はプリント配線板に設けられる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態に
ついて図を参照しながら詳細に説明する。図１は分布定
数回路素子、例えば帯域フィルタとして動作するトリプ
レート構造の結合器（以下「帯域フィルタ」という）１
０の構成を示しており、図１Ａは分解斜視図、図１Ｂは
平面図、図１Ｃは図１Ｂに示すａ−ａ’線での断面概略
図である。図１に示すように帯域フィルタ１０は誘電体
基板（絶縁基板）１１の両面に接地導体１２ａ，１２ｂ
が形成されており、接地導体１２ａ，１２ｂ間には帯域
フィルタを構成するための２つの共振器パターン１３
ａ，１３ｂが並設される。この共振器パターン１３ａ，
１３ｂの一端は、接地導体１２ｂと短絡される。また、
接地導体１２ａと接地導体１２ｂが接続されることによ
り、共振器パターン１３ａ，１３ｂがシールドされる。
ここで、共振器パターン１３ａ，１３ｂ間には誘電体基
板１１よりも誘電率の高い材料を用いた誘電体層１４が
形成される。

【００１４】このように構成された帯域フィルタ１０で
は、共振器パターン１３ａ，１３ｂ間に誘電体基板１１
よりも誘電率の高い誘電体層１４が形成されていること
から、誘電率の高い誘電体層１４を形成していない場合
に比べて、奇励振モードの電界が強められて奇モードイ
ンピーダンスＺoが小さくなると共に偶励振モードの電
界は略同一とされて偶モードインピーダンスＺeは略同
じ値となる。このため、比（Ｚe／Ｚo）が大きくなって
結合度βを大きくすることができるので、通過帯域の広
帯域化を図ることができる。

【００１５】次に、上述の帯域フィルタ１０の製造方法
について説明する。図２はガラスセラミック等の焼成基
板に帯域フィルタを構成する場合を示している。

【００１６】まず、図２Ａのようにグリーンシート（バ
インダに基板の構成材料を混合してスラリー状とし、更
にシート状に成形したもの）２０の一方の面には、銅や
金などの金属材料を用いて図１の共振器パターン１３
ａ，１３ｂと同様な共振器パターン２１ａ，２１ｂを印
刷あるいはメッキ法等によって形成し、他方の面には同
様にして接地導体２２を形成する。

【００１７】次に、図２Ｂのように共振器パターン２１
ａと共振器パターン２１ｂの間にグリーンシート２０よ
りも誘電率の高いグリーンシート２３を積層する。ここ
で、例えばガラス繊維をセラミック材料に混合したガラ
スセラミック（誘電率は５．５程度）をグリーンシート
２０として用いるときには、誘電率の高いアルミナ（誘
電率は１０程度）をセラミック材料と混合してシート状
とされたグリーンシートが、グリーンシート２０よりも
誘電率の高いグリーンシート２３として用いられる。

【００１８】さらに、図２Ｃのように、グリーンシート
２０と同じ材質であると共に、一方の面に銅や金などの
金属材料を用いて接地導体２６を印刷あるいはメッキ法
等によって形成したグリーンシート２５を生成する。

【００１９】このように生成したグリーンシート２０，
２５を図２Ｄのように積層する。ここで、グリーンシー
ト２３が積層されたグリーンシート２０とグリーンシー
ト２５を積層する際には、グリーンシート２０の共振器
パターン２１ａ，２１ｂを形成した面側（グリーンシー
ト２３の積層側）と、グリーンシート２５の接地導体２
６が形成されていない面側が対向するように積層され
る。

【００２０】その後、積層されたグリーンシート２０，
２３，２５を同時焼成すると共に接地導体２２，２６を
接続することで、図２Ｅのように図１に示す構造の帯域
フィルタを生成することができる。なお、接地導体でシ
ールドを行う場合、グリーンシートの側面にも接地導体
を設けるものとして、この側面の接地導体を接続するこ
とでシールドを行うものとしたり、バイアホールを複数
設けて接地導体２２と接地導体２６の接続およびシール
ドを行うものとしても良く、以下に示す場合も同様であ
る。

【００２１】次に、有機系誘電体基板を用いて帯域フィ
ルタを構成する場合を図３に示す。図３Ａに示すよう
に、有機系誘電体基板３０、例えばガラス布基材にエポ
キシ樹脂を含浸させた有機系誘電体基板（誘電率は５程
度）や、ガラス布基材にテフロン樹脂を含浸させた有機
系誘電体基板（誘電率は２程度）などの一方の面には、
銅や金などの金属材料を用いて図１の共振器パターン１
３ａ，１３ｂと同様な共振器パターン３１ａ，３１ｂを
メッキ法等によって形成する。また、他方の面には同様
にして接地導体３２を形成する。なお、有機系誘電体基
板３０の両面に銅や金などの金属材料を用いた導体層を
形成して、一方の面の導体層を接地導体３２として用い
ると共に、他方の導体層に対してエッチング処理等を行
うことで共振器パターン３１ａ，３１ｂを形成するもの
としても良い。

【００２２】その後、図３Ｂのように有機系誘電体基板
３０よりも誘電率の高い誘電体３３を共振器パターン３
１ａ，３１ｂ間に設けたのち熱を加えて硬化させる。こ
の誘電体３３としては、例えばガラス布基材にテフロン
樹脂を含浸させた有機系誘電体基板を用いている場合、
テフロン（誘電率は２程度）とセラミック粉末材料を混
合させて誘電率を６程度に高めたプリプレグ材が誘電体
３３として用いられる。なお、ガラス布基材にエポキシ
樹脂を含浸させた有機系誘電体基板を用いている場合、
誘電率を高めたエポキシ系材料が用いられる。

【００２３】また、図３Ｃのように有機系誘電体基板３
０と同じ材質であると共に、一方の面に銅や金などの金
属材料を用いて接地導体３６を形成した有機系誘電体基
板３５を形成する。

【００２４】次に、図３Ｄのように有機系誘電体基板３
０の共振器パターン３１ａ，３１ｂ側に有機系誘電体基
板３０と同じ材質のプリプレグ材３７を塗布したのち、
有機系誘電体基板３０，３５を積層する。ここで、有機
系誘電体基板３０と有機系誘電体基板３５を積層する際
には、有機系誘電体基板３０の共振器パターン３１ａ，
３１ｂを形成した面側と、有機系誘電体基板３５の接地
導体３６が形成されていない面側が対向するように積層
される。

【００２５】その後、図３Ｅのように有機系誘電体基板
３０と有機系誘電体基板３５を貼り合わせた状態で熱を
加えてプリプレグ材３７を硬化させることで、図３Ｅの
ように図１に示す構造の帯域フィルタを生成することが
できる。

【００２６】また、上述の実施の形態では共振器パター
ン間に誘電率の高い層を形成するものとしたが、共振器
パターン間だけでなく図４に示すように共振器パターン
の端部側上面および下面側にも誘電率の高い層を形成す
るものとしてもよい。この場合には、共振器パターン５
１ａ，５１ｂが形成される位置の間に、他の部分よりも
誘電率の高い誘電体層５２が形成されている誘電体基板
５０を用いるものとし、誘電体層５２が形成された誘電
体基板５０に共振器パターン５１ａ，５１ｂが形成され
る。ここで、共振器パターン５１ａ，５１ｂを形成する
際には、共振器パターン５１ａ，５１ｂの間に誘電体層
５２が位置するように形成される。

【００２７】その後、上述の実施の形態と同様な処理を
行うと共に、共振器パターン５１ａ，５１ｂ間の誘電体
層５３を共振器パターン５１ａ，５１ｂの端部側上面に
かかるように形成することで図４に示す構造の帯域フィ
ルタを構成することができる。

【００２８】なお、帯域フィルタは、トリプレート構造
のものに限られるものではなく、図２Ｂあるいは図３Ｂ
の段階で得られるマイクロストリップライン構造として
も良い。また、ステップインピーダンス共振構造のもの
であっても良いことは勿論である。

【００２９】このように、共振器パターン間に誘電率の
高い材料を用いた誘電体層を設けることで、奇モードイ
ンピーダンスＺoを小さくして結合度βを大きくするこ
とができるので通過帯域の広帯域化を図ることができ
る。例えば、ステップインピーダンス共振構造の共振器
パターンを誘電率３．３の誘電体基板に形成したときに
は、図５の破線で示す周波数特性となり、共振器パター
ン間に誘電率６．０の誘電体層を設けることで、実線で
示すように広帯域化された周波数特性を得ることができ
る。

【００３０】また、上述の実施の形態では、分布定数回
路素子として帯域フィルタを構成する場合について説明
したが、低域フィルタや高域フィルタあるいは結合器等
に対しても同様なアプローチを行うことができる。

【００３１】図６は低域フィルタ６０の構成を示してお
り、図６Ａは低域フィルタ６０の分解斜視図、図６Ｂは
低域フィルタ６０の等価回路を示している。誘電体基板
６１の一方の面には、直列のインダクタンスを作るパタ
ーン６２ａと並列容量を作るパターン６２ｂが直列に繰
り返し並べて形成される。また、他方の面は接地導体６
３が形成される。このパターン６２ａ，６２ｂが形成さ
れた誘電体基板６１に接地導体６６が形成された誘電体
基板６５が貼り合わされると共に、接地導体６３と接地
導体６６が接続されて、トリプレート構造の低域フィル
タ６０とされる。

【００３２】ここで、図６Ｃのように並列容量を作るパ
ターン６２ｂの位置に誘電率の高い誘電体層６７を設け
るものとすると、並列容量が大きくなり低域フィルタの
特性を可変することができる。なお、図示せずも、直列
インダクタンスを作るパターン６２ａの位置に誘電率の
高い誘電体層を設けることで、この部分の寄生容量が大
きくなるために、直列インダクタンスが小さくなり低域
フィルタの特性を可変することもできる。

【００３３】また、図７は高域フィルタ７０の構成を示
しており、図７Ａは高域フィルタ７０の分解斜視図、図
７Ｂは高域フィルタ７０の等価回路を示している。誘電
体基板７１の一方の面には、並列のインダクタンスを作
るパターン７２ａ，７２ｂが形成されると共に、他方の
面には接地導体７３が形成される。なお、パターン７２
ａ，７２ｂの端部は接地導体７３と短絡される。誘電体
基板７５の一方の面には、パターン７２ａ，７２ｂと対
向して直列容量を作ると共に接地導体と接続されること
により並列のインダクタンスを作るパターン７６ａ，７
６ｂ，７６ｃが形成される。また、信号の入出力側とさ
れていない側面には接地導体７７が形成される。さらに
誘電体基板７８の一方の面には接地導体７９が形成され
る。

【００３４】誘電体基板７１のパターン７２ａ，７２ｂ
面上には、誘電体基板７５が貼り合わされると共に、誘
電体基板７５のパターン７６面上には、誘電体基板７８
が貼り合わされる。誘電体基板７１と誘電体基板７５の
貼り合わせでは、パターン７２ａ，７２ｂとパターン７
６ａ，７６ｂが誘電体基板７５を介在させて対向するよ
うに貼り合わされる。また、誘電体基板７５と誘電体基
板７８の貼り合わせでは、パターン７６と接地導体７９
が誘電体基板７８を介在させて対向するように貼り合わ
される。このように、誘電体基板７１，７５，７８が貼
り合わされると共に、接地導体７３，７７，７９が接続
されて、トリプレート構造の高域フィルタ７０とされ
る。

【００３５】ここで、図７Ｃに示すように直列容量を作
るパターン７２ａ，７２ｂの位置に誘電率の高い誘電体
層８０を設けるものとすると、直列容量が大きくなり高
域フィルタの特性を可変することができる。なお、図示
せずも並列インダクタンスを作るパターン７６ｃの位置
に誘電率の高い誘電体層を設けるものとすると、この部
分の寄生容量が大きくなるために、並列インダクタンス
が小さくなり高域フィルタの特性を可変することもでき
る。

【００３６】また図８Ａは結合器１００の分解斜視図を
示しており、誘電体基板１０１の一方の面には、共振器
パターン１０２ａ，１０２ｂが形成される。また、他方
の面は接地導体１０３が形成される。この共振器パター
ン１０２ａ，１０２ｂが形成された誘電体基板１０１に
接地導体１０６が形成された誘電体基板１０５が貼り合
わされると共に、接地導体１０３と接地導体１０６が接
続されて、トリプレート構造の結合器１００とされる。

【００３７】ここで、図８Ｂのように共振器パターン１
０２ａ，１０２ｂ間に誘電率の高い誘電体層１０７を設
けるものとすると、上述の帯域フィルタと同様に奇励振
モードの電界が強められて奇モードインピーダンスＺo
が小さくなると共に偶励振モードの電界は略同一とされ
て偶モードインピーダンスＺeは略同じ値となる。この
ため、結合器１００の周波数特性を可変することができ
る。

【００３８】さらに、分布定数回路素子は、１つの部品
単体として構成されるものに限られるものではなく、分
布定数回路素子がアクティブ素子例えば高周波用のディ
スクリート素子やＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Int
egrated Circuit）などの集積回路と接続して用いられ
る場合には、これらのアクティブ素子が搭載されるプリ
ント配線板に予め分布定数回路素子を組み込んで形成す
るものとしても良い。

【００３９】図９Ａは分布定数回路素子を予め組み込ん
だプリント配線板の構成を示しており、図９Ｂは図９Ａ
のａ−ａ’線での断面図である。誘電体基板１１１の一
方の面には、分布定数回路素子を構成するパターン１１
２ａ，１１２ｂおよび誘電率の高い誘電体層１１３が形
成される。また、他方の面は接地導体１１４が形成され
る。また、誘電体基板１１５の一方の面には接地導体１
１６が形成されると共に、アクティブ素子１２０と接続
される接続パッド１１７が形成される。さらに接続パッ
ド１１７と接続されたバイアホール１１８が設けられて
おり、誘電体基板１１１と誘電体基板１１５が貼り合わ
されたときには、パターン１１２ｂとバイアホール１１
８が接続される。

【００４０】このように、アクティブ素子等が搭載され
るプリント配線板に予め分布定数回路素子を組み込んで
形成することにより、種々の素子等が搭載された回路基
板を効率良く簡単に組み立てることができる。

【００４１】なお、上述の実施の形態で示した誘電体基
板や誘電率の高い誘電体層の材料、および分布定数回路
素子構造や製造方法は、例示的なものであって限定的に
解釈されるものでない。また、誘電体層の誘電率を自由
に選択することで所望の特性を得ることができることは
勿論である。

【００４２】

【発明の効果】この発明によれば、誘電体基板よりも誘
電率の高い材料を用い、導体パターンの位置に対応して
誘電体層が形成される。このため、分布定数回路素子で
帯域フィルタを構成したときには、共振器を構成する１
対の導体パターンのパターン面と接地導体間に誘電率の
低い誘電体層を設けることで、帯域フィルタの周波数特
性を広帯域化することができる。また、導体パターンと
対応する位置に誘電率の高い誘電体層を設けることで、
低域フィルタや高域フィルタの周波数特性を可変させる
ことができる。

【００４３】さらに、誘電率の高い誘電体層を設けた分
布定数回路素子を、プリント配線板に設けることで、種
々の素子等が搭載された回路基板を簡単に製造すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】帯域フィルタの構成を示す図である。

【図２】帯域フィルタの製造方法を示す図である。

【図３】帯域フィルタの他の製造方法を示す図である。

【図４】帯域フィルタの他の構成を示す図である。

【図５】帯域フィルタの周波数特性を示す図である。

【図６】低域フィルタの構成を示す図である。

【図７】高域フィルタの構成を示す図である。

【図８】他の結合器の構成を示す図である。

【図９】プリント配線板の構成を示す図である。

【図１０】従来の帯域フィルタの構成を示す図である。

【図１１】従来の帯域フィルタの他の構成を示す図であ
る。

【図１２】従来の帯域フィルタの他の構成を示す図であ
る。

【図１３】結合器の動作を説明するための図である。

【符号の説明】

１０・・・帯域フィルタ、１１，５０，６１，６５，７
１，７５，７８，１０１，１０５，１１１，１１５，２
００，３００・・・誘電体基板、１２ａ，１２ｂ，２
２，２６，３２，３６，６３，６６，７３，７７，７
９，１０３，１０６，１１４，１１６，３０２，３０３
・・・接地導体、１３ａ，１３ｂ，２１ａ，２１ｂ，３
１ａ，３１ｂ，５１ａ，５１ｂ，１０２ａ，１０２ｂ，
２０１，２０２，２０３・・・共振器パターン、１４，
５２，５３，６７，８０，１０７，１１３・・・誘電体
層、２０，２３，２５・・・グリーンシート、３０，３
５・・・有機系誘電体基板、３３・・・誘電体、３７・
・・プリプレグ材、６０・・・低域フィルタ、６２ａ，
６２ｂ，７２ａ，７２ｂ，７６ａ，７６ｂ，７６ｃ，１
１２ａ，１１２ｂ・・・パターン、７０・・・高域フィ
ルタ、１００・・・結合器、１１７・・・接続パッド、
１１８・・・バイアホール、１２０・・・アクティブ素
子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｊ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】接地導体と導体パターンとの間に誘電体
基板が挟み込まれ、前記導体パターンのパターン形状に
応じて動作が設定される分布定数回路素子において、前記誘電体基板よりも誘電率の高い材料を用い、前記導
体パターンの位置に対応して形成された誘電体層を有す
ることを特徴とする分布定数回路素子。
【請求項２】前記導体パターンは、共振器を構成する
１対の導体パターンであって、前記１対の導体パターン間に前記誘電体層を有すること
を特徴とする請求項１記載の分布定数回路素子。
【請求項３】前記接地導体と導体パターンとの間に前
記誘電体層を有することを特徴とする請求項１記載の分
布定数回路素子。
【請求項４】接地導体と導体パターンとの間に誘電体
基板が挟み込まれ、前記導体パターンのパターン形状に
応じて動作が設定される分布定数回路素子の製造方法に
おいて、前記誘電体基板としてセラミック材を用いるものとし、前記セラミック材よりも誘電率の高い材料を前記導体パ
ターンの位置に対応して積層したのち焼成することを特
徴とする分布定数回路素子の製造方法。
【請求項５】共振器を構成する１対の導体パターンを
前記導体パターンとして形成し、前記セラミック材料よりも誘電率の高い材料を前記１対
の導体パターンのパターン間に積層したのち焼成するこ
とを特徴とする請求項４記載の分布定数回路素子の製造
方法。
【請求項６】前記セラミック材料よりも誘電率の高い
材料を前記接地導体と導体パターンとの間に積層したの
ち焼成することを特徴とする請求項４記載の分布定数回
路素子の製造方法。
【請求項７】接地導体と導体パターンとの間に誘電体
基板が挟み込まれ、前記導体パターンのパターン形状に
応じて動作が設定される分布定数回路素子の製造方法に
おいて、前記誘電体基板として有機材料を用いるものとし、前記有機材料よりも誘電率の高いプリプレグ材を前記導
体パターンの位置に対応して塗布したのち硬化させるこ
とを特徴とする分布定数回路素子の製造方法。
【請求項８】共振器を構成する１対の導体パターンを
前記導体パターンとして形成し、前記有機材料よりも誘電率の高いプリプレグ材を前記１
対の導体パターンのパターン間に塗布したのち硬化させ
ることを特徴とする請求項７記載の分布定数回路素子の
製造方法。
【請求項９】前記有機材料よりも誘電率の高いプリプ
レグ材を前記接地導体と導体パターンとの間に設けたの
ち硬化させることを特徴とする請求項７記載の分布定数
回路素子の製造方法。
【請求項１０】部品が搭載されるプリント配線板にお
いて、前記プリント配線板の絶縁基板を接地導体と導体パター
ンとで挟み込み、所望の動作の分布定数回路素子となる
よう前記導体パターンの形状を設定し、前記誘電体基板よりも誘電率の高い材料を用いた誘電体
層を前記導体パターンの位置に対応して形成したことを
特徴とするプリント配線板。
【請求項１１】前記導体パターンは共振器を構成する
１対の導体パターンであって、前記１対の導体パターン間に前記誘電体層を形成したこ
とを特徴とする請求項１０記載のプリント配線板。
【請求項１２】前記接地導体と前記導体パターンとの
間に前記誘電体層を形成したことを特徴とする請求項１
０記載のプリント配線板。