JP2010073704A - 半導体回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属基体と、金属基体の表面に設けられた絶縁層と、絶縁層の表面に設けられ、且つスイッチング素子が搭載される配線導体とで形成される回路基板を備えた半導体回路装置であって、配線導体が、複数の入力側配線導体と、高周波電流が通電され、且つ底面部と側壁部とを備える複数の出力側配線導体と、複数の制御側配線導体とで形成され、複数の出力側配線導体における、隣り合う出力側配線導体の側壁部が互いに略平行に近接配置されているものである。
【選択図】図2
Description
このような半導体回路装置において、高周波電流が流れる回路の導体は、表皮効果により、その表皮近傍しか電流が流れない。このことは、導体の電気抵抗を大きくし、導体での発熱を増大させることとなるので、半導体回路装置の損失が大きくなり、その効率を大きく損ねることとなる。
それと、配線導体70の表皮近傍に流れる電流は、配線導体70と金属基体77との間の近接効果により、底面表皮近傍通電路70nに偏って流れるため、通電抵抗が大きくなり、配線部での発熱が増大するとの問題もあった。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体回路装置の回路図である。
図1において、本実施の形態の半導体回路装置100の回路は、図中の点線部であり、電源3から供給される直流電力をスイッチング素子1の駆動により、交流に変換して出力端子1aに出力する回路である。
スイッチング素子1は、図示していない制御部から、ゲート端子1bに駆動するための電圧もしくは電流が印加された場合にスイッチがオンとなり、電流を流す。また、電源3と並列にあるコンデンサ4はスイッチング素子1との間のインダクタンスを、電源3からのインダクタンスに比べて非常に小さくしており、スイッチング素子1がオンになった場合の電流を瞬時に供給できるために設けられている。
半導体回路装置100と電源3とはハーネス5で接続されており、例えば、ハーネス5は半導体回路装置100側に設けられた端子台6に固定される。また、端子台6からコンデンサ4およびスイッチング素子1までの間、あるいは、スイッチング素子1同士は、半導体回路装置100内に設けられたバスバーや回路基板上の配線で、電気的に繋がっている。
図2に示すように、本実施の形態の半導体回路装置100における回路基板101は、金属基体7と、この金属基体7の表面に設けられた樹脂からなる絶縁層8と、この絶縁層8における金属基体7との接合面に対向する面(絶縁層の表面と記す)に設けられた配線導体10とで形成されている。
また、配線導体10は、直流をスイッチング素子1に供給する入力側配線導体12と、スイッチング素子1からの交流が出力される出力側配線導体13と、制御部からの信号をスイッチング素子1のゲート端子1bに通電する制御側配線導体14とを備えている。そして、出力側配線導体13はコの字型の形状であり、隣り合う出力側配線導体13の側壁部同士が互いに略平行に近接配置されている。
また、回路基板101の所定の位置には、スイッチング素子1が、例えばはんだ付け等の接合方法により、搭載されている。
スイッチング素子1はモールド樹脂でパッケージングされており、モールド樹脂パッケージの側面から突出したリード端子11が対応する配線導体と接合している。図示していないが、モールド樹脂パッケージ裏面に設けられた電極と対応する配線導体との接合であっても良い。
図3に示すように、モデル回路基板102は、金属基体7と、その表面に設けられた樹脂絶縁層8と、絶縁層8の表面に設けられた幅と厚さとがともに10mmである、第1の配線導体10aと第2の配線導体10bと、第1の配線導体10aの壁面と第2の配線導体10bの壁面との間隙に充填された絶縁部材15とを備えている。このモデル回路基板102では、第1の配線導体10aと第2の配線導体10bとに位相の異なる交流を、各配線導体の断面に対する垂直方向に通電できる。
これは、対向した配線導体に位相の異なる交流を流した場合、配線導体同士が対向する面に生じる表皮近傍通電路10mの面積が増加し、近接効果によって電流を多く流せるようになるためである。
図3に示したモデル回路基板102では、第1の配線導体10aの壁面と第2の配線導体10bの壁面との間隙に絶縁部材15が充填されている。図示していないが、所定の動作電圧に基づく必要な沿面距離と絶縁距離とが確保できれば、絶縁部材15を設けることなく、配線部材同士を近接させることで、通電抵抗を低下させることができる。
図5に示すように、本実施の形態の回路基板101では、金属基体7に設けられた絶縁層8の表面に、通電方向に対して垂直な断面がコの字形状の、第1の出力側配線導体13aと第2の出力側配線導体13bと第3の出力側配線導体13cとが、並列に設けられている。
そして、第1の出力側配線導体13aの一方側の側壁部(第1の一方側側壁部と記す)13abと、これに隣り合う第2の出力側配線導体13bの一方側の側壁部(第2の一方側側壁部と記す)13baとが、略平行に近接しており、第3の出力側配線導体13cの一方側の側壁部(第3の一方側側壁部と記す)13cbと、これに隣り合う第2の出力側配線導体13bの他方側の側壁部(第2の他方側側壁部と記す)13bcとが、略平行に近接している。
また、本実施の形態の半導体回路装置100の回路基板101は、第1の出力側配線導体13aの底部(第1の底部と記す)13adと第2の出力側配線導体13bの底部(第2の底部と記す)13bdと第3の出力側配線導体13cの底部(第3の底部と記す)13cdとが、金属基体7と絶縁層8を介して対向しているので、近接効果により、金属基体7と対向する面側に表皮近傍通電路(底面表皮近傍通電路と記す)13nを生じる。しかし、各出力側配線導体の側壁部13ab、13ba、13bc、13cbにおける側面表皮近傍通電路13mの面積が増加し、この部分に多く電流が流れるので、底面表皮近傍通電路13nに流れる電流が低減され、この電流によって金属基体7の渦電流発生部13fに生じる渦電流を少なくできる。
本実施の形態の半導体回路装置100では、隣り合う出力側配線導体間は空隙となっているが、図6に示す回路基板101aのように、隣り合う出力側配線導体間に絶縁部材16を設けても良い。図6では出力側配線導体の側壁の頂部も絶縁部材16覆っており、隣り合う出力側配線導体間の距離が近くても、十分な沿面絶縁距離を保持できる。しかし、半導体回路装置100の電圧が特に高くなければ、絶縁部材16が出力側配線導体の側壁の頂部を覆っていなくても良い。
また、隣り合う出力側配線導体間に絶縁部材を充填すると、隣り合う出力側配線導体間への異物の進入を防止でき、出力側配線導同士を近づけた場合の絶縁信頼性が向上する。
また、出力側配線導体の断面形状が矩形状であっても、側壁を近接して隣り合うように配置すれば同様の効果を奏するが、本実施の形態の半導体回路装置100では、出力側配線導体13の断面形状がコの字形状であるので、表皮効果のために実質的に電流が流れない中心部付近が削除されており、回路基板の軽量化も図ることができる。
本実施の形態では、絶縁層8に樹脂を用いたが、これに限定されずセラミックスであっても良い。
また、本実施の形態の半導体回路装置は、周波数が数十kHzを超えるような周波数領域の高周波電流に対して効果が大きいので、スイッチング素子に、従来のSi素子より高周波動作が可能なSiC素子を用いた場合に、特に優れた効果を有する。すなわち、SiCを用いた高周波動作の半導体回路装置では、配線導体が設けられた回路部分で渦電流損失が大きくなるが、本実施の形態の半導体回路装置では、この渦電流損失を低減できるので、SiC素子の高周波低損失の機能を十分に引き出した、効率の高い半導体回路装置が実現できる。
また、本実施の形態の半導体回路装置が有する効果は、図1に示す回路のものに限定されるものではなく、例えばDC/DCコンバータ等、スイッチング素子によって周波数が高い交番電流を扱う回路を有するものであれば良い。
また、他の実施の形態の半導体回路装置において、スイッチング素子にMOSFETやSiC素子を用いた場合でも、同様な効果を得ることができる。
図7は、本発明の実施の形態2に係る半導体回路装置の回路基板における出力側配線導体部の断面模式図である。
図7に示すように、本実施の形態の半導体回路装置に用いられる回路基板201は、実施の形態1の各出力配線導体13と絶縁部材16とが、金属基体7と金属基体7の表面に設けられた絶縁層8と絶縁層8の表面に設けられた金属パターン20a、20b、20cとからなる配線基板20に設けられている以外、実施の形態1の半導体回路装置と同様である。各出力配線導体13は対応する金属パターン20a、20b、20cにはんだ付、接着などの方法で接合されている。
本実施の形態においても、隣り合う出力側配線導体間が空隙であっても良い。
本実施の形態の半導体回路装置は、実施の形態1の半導体回路装置と同様な効果を有するとともに、回路基板の製造コストが安価になる。本実施の形態において、絶縁層8に用いられる部材としては、樹脂やセラミックスが挙げられる。
図8は、本発明の実施の形態3に係る半導体回路装置の回路基板における配線導体部の断面模式図である。ここで示した配線導体部の断面は、通電方向に対して垂直な断面である。
図8に示すように、本実施の形態の半導体回路装置の回路基板301は、金属基体7と、その表面に設けられた絶縁層8と、絶縁層8の表面に設けられた高周波電流が通電され、且つ通電方向に対して垂直な断面がL字型である第1のL字型配線導体30aおよび第2のL字型配線導体30bと、第1のL字型配線導体30aの側壁部30abと第2のL字型配線導体30bの側壁部30baとの間隙に充填された絶縁部材36とを備えている。そして、第1のL字型配線導体30aと第2のL字型配線導体30bとに、位相が異なる高周波電流を通電できる。
また、側面表皮近傍通電路30mに流れる電流が増加するので、第1のL字型配線導体30aの底部30adと第2のL字型配線導体30bの底部30bdとの、金属基体7と対向する各面に生じる底面表皮近傍通電路30nの面積が小さくなり、各L字型配線導体の底部30ad、30bdとに流れる電流が小さくなる。このことにより、金属基体7の渦電流発生部30fに発生する渦電流も小さくなる。
また、本実施の形態では、配線導体が、表皮効果のために実質的に電流が流れない中心部付近が削除された形状であるので、回路基板の軽量化を図ることができる。
本実施の形態では、配線導体の断面をL字型にしたが、他の配線導体と隣接できる側壁部を有し、表皮効果のために実質的に電流が流れない中心部付近が削除された断面形状であれば、断面がL字型の配線導体に限定されない。例えば、断面が中空状の配線導体等であっても良い。
また、第2のL字型配線導体を、配線回路から独立させて、高周波電流が流れない導電部材としても良い。
本実施の形態では、配線導体は、絶縁層の表面に設けられているが、金属基体と金属基体の表面に設けられた絶縁層と絶縁層の表面に設けられた金属パターンとからなる配線基板における金属パターンの上にはんだ付などの方法で接合されていても良い。この場合、絶縁層の材質としては、樹脂やセラミックスが挙げられ、回路基板の製造コストが安価になる。このような構成はこの後に記す実施の形態4から実施の形態6の半導体回路装置にも適用でき、同様な効果が得られる。
図9は、本発明の実施の形態4に係る半導体回路装置の回路基板における配線導体部の断面模式図である。ここで示した配線導体部の断面は、通電方向に対して垂直な断面である。
図9に示すように、本実施の形態の半導体回路装置の回路基板401は、金属基体7と、その表面に設けられた絶縁層8と、絶縁層8の表面に設けられた高周波電流が通電され、且つ通電方向に対して垂直な断面が矩形状である配線導体40と、配線導体40の絶縁層8に接合した面に対向する面(配線導体の上面と記す)に絶縁部材46を介して設けられた導電部材47を備えている。この導電部材47は配線回路として用いられ、配線導体40と位相の異なる高周波電流を流すことができる。
配線導体部は、配線導体40を絶縁層8に接合し搭載した後、配線導体40に、絶縁部材46を介して導電部材47を接合して形成する。あるいは、あらかじめ絶縁部材46を介して導電部材47が設けられた配線導体40を、絶縁層8に接合し搭載して形成する。
本実施の形態では、配線導体40の上面が導電部材47と近接しているので、配線導体40の上面に生じる上面表皮近傍通電路40kの面積が増加し、通電抵抗が低下する。
また、導電部材47の底面に生じる底面表皮近傍通電路47nの面積も増加し、導電部材47の通電抵抗も低下する。
本実施の形態の半導体回路装置は、高周波電流が流れる配線導体の表皮近傍通電路の面積が大きく、通電抵抗が低いとともに、金属基体に生じる渦電流が小さく、回路基板からの発熱が抑制されているので、電流容量を大きくでき、且つ信頼性に優れている。
本実施の形態では、導電部材47に配線導体40と位相の異なる高周波電流を流せる構造となっており、導電部材47は配線導体となっているが、導電部材47が配線回路から独立していても良い。導電部材47が配線回路である時より効果は小さいが、この場合でも、近接効果により上面表皮近傍通電路40kの面積が増加し、通電抵抗が低下する。
図10は、本発明の実施の形態5に係る半導体回路装置の回路基板における配線導体部の断面模式図である。ここで示した配線導体部の断面は、通電方向に対して垂直な断面である。
図10に示すように、本実施の形態の半導体回路装置の回路基板501は、金属基体7と、その表面に設けられた絶縁層8と、絶縁層8の表面に設けられた高周波電流が通電され、且つ通電方向に垂直な断面が矩形状である配線導体50と、配線導体50の側面および上面を覆って設けられた絶縁部材56と、この絶縁部材56の表面に設けられた導電部材57とを備えている。この導電部材57は配線回路として用いられ、配線導体50と位相の異なる高周波電流を流すことができる。
本実施の形態では、配線導体50の上面および両側面が導電部材57と近接しているので、配線導体50の、上面に生じる上面表皮近傍通電路50kの面積と、両側面に生じる側面表皮近傍通電路50mの面積が増加し、配線導体50の通電抵抗が低下する。
また、導電部材57の内面に生じる内面表皮近傍通電路50iの面積も増加し、導電部材57の通電抵抗も低下する。
本実施の形態の半導体回路装置は、高周波電流が流れる配線導体の表皮近傍通電路の面積が大きく、通電抵抗が低いとともに、金属基体に生じる渦電流が小さく、回路基板からの発熱が抑制されているので、電流容量を大きくでき、且つ信頼性に優れている。
本実施の形態では、導電部材57に配線導体50と位相の異なる高周波電流を流せる構造となっており、導電部材57は配線導体となっているが、導電部材57が配線回路から独立していても良い。導電部材57が配線回路である時より効果は小さいが、この場合でも、近接効果により上面および側面表皮近傍通電路50k、50mの面積が増加し、通電抵抗が低下する。
図11は、本発明の実施の形態6に係る半導体回路装置の回路基板における配線導体部の断面模式図である。ここで示した配線導体部の断面は、通電方向に対して垂直な断面である。
図11に示すように、本実施の形態の半導体回路装置の回路基板601は、金属基体7と、その表面に設けられた絶縁層8と、絶縁層8の表面に設けられた複数の薄板状の配線導体60と、薄板状の配線導体60間に設けられた絶縁部材66とを備えている。
本実施の形態では、第1の薄板状の配線導体60aの平面部と第2の薄板状の配線導体60bの平面部との間、および、第2の薄板状の配線導体60bの平面部と第3の薄板状の配線導体60cの平面部との間に絶縁部材66が設けられている。各薄板状の配線導体60a、60b、60cには、位相の異なる高周波電流を流すことができる。
本実施の形態では、各薄板状の配線導体60a、60b、60cの絶縁層8を介して金属基体7と対向する部分(配線導体の底面部と記す)の幅Wに比べて、その高さHが十分に大きいので、近接効果により、各薄板状の配線導体の平面部における、隣り合わせの薄板状の配線導体と対向する面に生じる表皮近傍通電路の面積が、特に大きくなり、通電抵抗を低減させる効果が高い。
また、各薄板状の配線導体60a、60b、60cの底面部の幅Wが小さいので、金属基体7に発生する渦電流も小さい。
また、本実施の形態では、位相の異なる高周波電流を流す第1から第3の3本の配線導体を備えているが、そのいずれかを、配線回路から独立させて、高周波電流が流れない導電部材としても良い。
薄板状の配線導体60と絶縁部材66とのサンドイッチ構造体は、板状あるいは箔状の配線導体と絶縁部材とを積層して、加圧プレスで一体化したり、各層を接着したりして製造する。また、板状あるいは箔状の配線導体を絶縁部材面に、あらかじめ形成したものを、積層接着して製造しても良い。また、絶縁部材面にめっきなどの膜形成工程で膜状の配線導体を形成したものを積層接着して製造しても良い。
本実施の形態の半導体回路装置は、高周波電流が流れる配線導体の表皮近傍通電路の面積が特に大きく、通電抵抗が低いとともに、金属基体に生じる渦電流が小さく、回路基板からの発熱が抑制されているので、電流容量を大きくでき、且つ信頼性に優れている。
4 コンデンサ、5 ハーネス、6 端子台、7,77 金属基体、8,78 絶縁層、
10,40,50,60,70 配線導体、10a 第1の配線導体、
10b 第2の配線導体、10m 表皮近傍通電路、11 リード端子、
12 入力側配線導体、13 出力側配線導体、14 制御側配線導体、
13a 第1の出力側配線導体、13b 第2の出力側配線導体、
13c 第3の出力側配線導体、13ab 第1の一方側側壁部、
13ba 第2の一方側側壁部、13bc 第2の他方側側壁部、
13cb 第3の一方側側壁部、13ad 第1の底部、13bd 第2の底部、
13cd 第3の底部、13f,30f,40f,50f,70f 渦電流発生部、
13n,30n,40n,47n,50n,70n 底面表皮近傍通電路、
13m,30m,50m 側面表皮近傍通電路、
15,16,36,46,56,66 絶縁部材、20 配線基板、
20a,20b,20c 金属パターン、30a 第1のL字型配線導体、
30b 第2のL字型配線導体、30ab 第1のL字型配線導体の側壁部、
30ba 第2のL字型配線導体の側壁部、30ad 第1のL字型配線導体の底部、
30bd 第2のL字型配線導体の底部、40k,50k 上面表皮近傍通電路、
47,57 導電部材、50i 内面表皮近傍通電路、
60a 第1の薄板状の配線導体、60b 第2の薄板状の配線導体、
60c 第3の薄板状の配線導体、
101,101a,201,301,401,501,601 回路基板、
100 半導体回路装置、102 モデル回路基板、701 絶縁基板。
Claims (11)
- 金属基体と、上記金属基体の表面に設けられた絶縁層と、上記絶縁層の表面に設けられ、且つスイッチング素子が搭載される配線導体とで形成される回路基板を備えた半導体回路装置であって、上記配線導体が、複数の入力側配線導体と、高周波電流が通電され、且つ底面部と側壁部とを備える複数の出力側配線導体と、複数の制御側配線導体とで形成され、上記複数の出力側配線導体における、隣り合う出力側配線導体の側壁部同士が互いに略平行に近接配置されている半導体回路装置。
- 隣り合う出力側配線導体の側壁部同士が、絶縁部材を介して接していることを特徴とする請求項1に記載の半導体回路装置。
- 出力側配線導体の断面がコの字形状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体回路装置。
- 配線導体が、金属基体と上記金属基体の表面に設けられた絶縁層と上記絶縁層の表面に設けられた金属パターンとからなる配線基板の上記金属パターンに、接合されたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体回路装置。
- 金属基体と、上記金属基体の表面に設けられた絶縁層と、上記絶縁層の表面に設けられた高周波電流が通電される配線導体と、上記配線導体の通電方向と平行な面に、近接して略平行に並んで設けられた導電部材とで形成される回路基板を備えた半導体回路装置。
- 配線導体と導電部材とが、側壁部と底部とを有し、且つ通電方向に対して垂直な断面がL字型であり、上記配線導体の側壁部と上記導電部材の側壁部とが、近接して略平行に並んでいることを特徴とする請求項5に記載の半導体回路装置。
- 配線導体と導電部材とが絶縁部材を介して接していることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体回路装置。
- 配線導体の通電方向に対して垂直な断面が矩形状であり、上記配線導体の上面に、導電部材が絶縁部材を介して接して設けられたことを特徴とする請求項5に記載の半導体回路装置。
- 配線導体の通電方向に対して垂直な断面が矩形状であり、上記配線導体の側面と上面とに、導電部材が絶縁部材を介して接して設けられたことを特徴とする請求項5に記載の半導体回路装置。
- 配線導体と導電部材とが薄板状であり、上記配線導体の平面部と上記導電部材の平面部とが絶縁部材を介して接して設けられ、上記配線導体の底面部と上記導電部材の底面部とが絶縁層に接合していることを特徴とする請求項5に記載の半導体回路装置。
- 導電部材が、配線導体と位相が異なる高周波電流を流すことができる配線導体であることを特徴とする請求項5から請求項10のいずれか1項に記載の半導体回路装置。
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---|---|
JP2010073704A true JP2010073704A (ja) | 2010-04-02 |
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