JP6741183B2 - 多層基板および電気素子 - Google Patents

Description

本発明は、複数の絶縁基材層を積層してなる積層体と、該積層体の表面に形成される部品実装用の電極と、を備える多層基板、およびこの多層基板に実装部品が実装された電気素子に関する。

一般に、多層基板を構成する樹脂基材は、所定温度以上の熱を受けると、その一部が熱分解され、ＣＯ_２等の気体および水を生じる。また、酸化した導体パターンが熱により還元反応を起こして生じる酸素と、熱可塑性樹脂中の炭素とが酸化反応してＣＯ_２を生じる。さらに、積層体の構成要素は、その製造過程において吸湿する。このような気体および水を多層基板中に残したまま、多層基板を加熱すると、ガス（気体や蒸気）が膨張し、層間剥離（デラミネーション）が発生する。したがって、通常は、多層基板形成時に、減圧下において加熱・加圧を実施し、所定の予熱工程を設けることで加熱・加圧中にガスを積層体外へ排出させている。

しかし、多層基板が、面積の大きな導体パターン（金属パターン）を有していると、ガスはこの導体パターンを透過できない。したがって、ガスの生じた場所によっては、多層基板内にガスが残留する虞がある。そして、多層基板の製造時や、他の基板への実装時の加熱により残留ガスが膨張し、やはり層間剥離が生じる虞がある。

そこで、例えば特許文献１には、広面積の導体パターンに微少なガス抜き穴（貫通孔）を設ける構造が示されている。この構造により、多層基板の加熱時に内部に生じるガスは、ガス抜き穴を通じて、排出される。すなわち、多層基板内に残留するガス量が低減され、加熱時に生じる層間剥離が低減される。

特開２００５−１３６３４７号公報

このような開口（ガス抜き穴）が、実装用電極に設けられる場合も考えられる。しかし、その場合に、導電性接合材（はんだ等）を用いて上記実装用電極に実装部品を接合しようとすると、導電性接合材に含まれる非金属成分（例えば、フラックス）が上記開口に溜まることがある。そして、上記非金属成分が接合時の熱で揮発して、導電性接合材が爆ぜやすい。そのため、実装用電極と実装部品との接合箇所において接合不良や導通不良を起こす虞がある。

本発明の目的は、実装用電極に開口が設けられる構造において、接合時における実装用電極と実装部品との接合箇所での爆ぜ等を抑制し、上記接合箇所での接合不良や導通不良を抑制できる多層基板を提供することにある。

（１）本発明の多層基板は、
複数の絶縁基材層を積層して形成され、実装面を有する積層体と、
前記実装面に形成される実装用電極を含み、前記複数の絶縁基材層に形成される導体パターンと、
を備え、
前記実装用電極は第１開口を有し、
前記第１開口は、前記実装面の平面視で、前記実装用電極のうち実装部品を実装したときに前記実装部品に重なる実装領域と、前記実装部品に重ならない非実装領域と、に亘って形成されることを特徴とする。

この構成によれば、導電性接合材を用いた実装電極と実装部品との接合時に、導電性接合材に含まれる上記非金属成分やその揮発ガスが第１開口から抜ける。すなわち、上記非金属成分やその揮発ガスが、接合時に上記接合箇所に溜まることなく外部に放出される。そのため、接合時の導電性接合材の爆ぜやボイドの発生が抑制され、上記接合箇所での接合不良や導通不良が抑制される。

（２）上記（１）において、前記複数の絶縁基材層は樹脂を主材料とすることが好ましい。多層基板が導体パターンを備える樹脂多層基板である場合、すなわち、積層体（樹脂多層基板）に導体パターンが形成されていると、製造段階において積層体内で生じたガスが外部に抜け難い。そのため、多層基板の製造段階、使用段階における加熱時に、残留したガスに起因する層間剥離が生じやすい。したがって、導体パターンを備える樹脂多層基板の場合には、残留したガスに起因する層間剥離を抑制するという点で、導体パターンに開口を形成するという構成が有効である。

（３）上記（２）において、前記第１開口は線状であり、前記第１開口の延伸方向に直交する方向において、前記実装用電極の導体幅は１ｍｍ以下であり、前記第１開口の開口幅は０．１ｍｍ以下、前記実装用電極の導体幅の１／５０以上であることが好ましい。この構成により、積層体内の残留ガスに起因する層間剥離を抑制しつつ、実装用電極と実装部品との接合強度を確保可能な多層基板を実現できる。

（４）上記（２）または（３）において、前記導体パターンの数は複数であり、前記第１開口は、複数の前記導体パターンのうち最も大きな導体パターンに形成されることが好ましい。積層体内に大きな導体パターンがあると、ガスが生じた場所によっては、多層基板外へのガスの排出経路が長くなり、積層体内にガスが残留する虞がある。そのため、最も大きな導体パターンに第１開口を形成することにより、加熱時に積層体内に生じたガスを、効果的に外部に排出できる。

（５）上記（２）から（４）のいずれかにおいて、前記導体パターンは、前記実装面の平面視で、周囲が導体で囲まれた第２開口を有することが好ましい。この構成により、製造段階において積層体内で生じたガスは、外側へ比較的長い距離を移動するまでにグランド導体に設けられた第２開口から速やかに抜ける。そのため、積層体内に残留するガス量が低減され、多層基板の製造段階、使用段階における加熱時の層間剥離が抑制される。なお、周囲が導体で囲まれた第２開口を、導体パターンに形成することにより、導体パターンが分断されて孤立化することを抑制できる。そのため、開口を形成することによる電気特性への影響を小さくできる。

（６）上記（５）において、前記導体パターンは、前記複数の絶縁基材層の積層方向において最も表層に位置する表層パターンと、前記表層パターンよりも内層に位置する内層パターンと、を有し、前記表層パターンは、前記第２開口を有することが好ましい。外部から熱が加わりやすく温度上昇しやすい積層体の表層では相対的に生じるガスの量が多い。そのため、この構成により、表層パターンに第２開口が設けられていない場合と比べ、積層体の表層から生じたガスを効果的に抜くことができる。

（７）上記（６）において、前記内層パターンは、第２開口を有することが好ましい。積層体内で生じたガスは内部から表層へ誘導される傾向がある。そのため、表層パターンおよび内層パターンのいずれにも第２開口を設けることにより、積層体の表層から効率良くガスを抜くことができる。

（８）上記（５）から（７）のいずれかにおいて、前記第２開口の数は複数であり、複数の前記第２開口は、前記実装面の平面視で、互いに等間隔に配置されることが好ましい。この構成によれば、開口の分布に偏りが少なくなって、ガス抜き効果が面方向で均一となりやすい。すなわち、局所的にガスが残留しないため、層間剥離の抑制効果が高まる。

（９）上記（５）から（８）のいずれかにおいて、前記導体パターンの数は複数であり、前記第２開口は、複数の前記導体パターンのうち最も大きな導体パターンに形成されることが好ましい。積層体内に大きな導体パターンがあると、ガスが生じた場所によっては、多層基板外へのガスの排出経路が長くなり、積層体内にガスが残留する虞がある。そのため、最も大きな導体パターンに第２開口を形成することにより、加熱時に積層体内に生じたガスを、効果的に外部に排出できる。

（１０）上記（５）から（９）のいずれかにおいて、前記積層体は、折り曲げられる曲げ部を有し、少なくとも一つの前記第２開口と前記曲げ部との間の距離は、前記第１開口と前記曲げ部との間の距離よりも小さいことが好ましい。開口が設けられた導体パターンに曲げ応力が掛かると、その開口を起点として裂け目や亀裂が発生しやすくなる。その結果、導体パターンの剥離や層間剥離、または電気的特性の劣化が生じやすくなる。この構成によれば、第１開口が曲げ部ＣＲから離間しているため、曲げ応力による第１開口を起点とした裂け目や亀裂の発生が抑制される。その結果、実装用電極の剥離や実装用電極近傍の層間剥離等の発生を抑制できる。

（１１）上記（５）から（１０）のいずれかにおいて、前記積層体は、折り曲げられる曲げ部を有し、前記第１開口および前記第２開口は、前記曲げ部以外の部分に配置されることが好ましい。この構成によれば、第１開口および第２開口を起点とした裂け目や亀裂の発生がさらに抑制され、結果的に導体パターンの剥離や層間剥離、電気的特性の劣化の発生をさらに抑制できる。

（１２）上記（２）から（１１）のいずれかにおいて、前記複数の絶縁基材層のうち前記実装用電極が形成される絶縁基材層に形成され、樹脂材料を含む層間接続導体を備え、前記層間接続導体は、前記実装面の平面視で、前記実装用電極に重なることが好ましい。樹脂材料を含む層間接続導体（ビア導体）は、多層基板の製造段階、使用段階（特に接合時）における加熱時に生じるガスの量が多い。そのため、このような層間接続導体が実装用電極の近傍に配置されていると、接合時に導電性接合材の爆ぜが生じやすく、多層基板の製造段階、使用段階における加熱時に層間剥離が生じやすい。一方、この構成によれば、多層基板の製造段階、使用段階における加熱時に上記層間接続導体から生じたガスを効率良く排出できる。そのため、接合時の導電性接合材の爆ぜが抑制され、多層基板の製造段階、使用段階における加熱時の実装用電極近傍の層間剥離は効果的に抑制される。

（１３）本発明の電気素子は、
上記（１）から（１２）のいずれかの多層基板と、
前記実装面に実装され、前記実装用電極に接続される前記実装部品と、
を備えることを特徴とする。

この構成によれば、接合時に実装用電極と実装部品との接合箇所での爆ぜを抑制し、上記接合箇所での接合不良や導通不良を抑制した電子機器を実現できる。

本発明によれば、実装用電極に開口が設けられる構造において、接合時における実装用電極と実装部品との接合箇所の爆ぜ等を抑制し、上記接合箇所での接合不良や導通不良を抑制できる多層基板を実現できる。

図１は、第１の実施形態に係る電気素子２０１の外観斜視図である。 図２（Ａ）は電気素子２０１の第１端を拡大した平面図であり、図２（Ｂ）は電気素子２０１の第１端を拡大した断面図である。 図３（Ａ）は第１の実施形態に係る多層基板１０１の第１端を拡大した平面図であり、図３（Ｂ）は多層基板１０１の第１端を拡大した断面図である。 図４は、多層基板１０１の分解平面図である。 図５（Ａ）は第２の実施形態に係る電気素子２０２Ａの、コネクタ６１が実装された実装用電極ＥＰ１３を示す平面図であり、図５（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ａの、実装用電極ＥＰ１３を示す平面図である。 図６（Ａ）は第２の実施形態に係る電気素子２０２Ｂの、コネクタ６１が実装された実装用電極ＥＰ１４を示す平面図であり、図６（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｂの、実装用電極ＥＰ１４を示す平面図である。 図７（Ａ）は第２の実施形態に係る電気素子２０２Ｃの、コネクタ６１が実装された実装用電極ＥＰ１５を示す平面図であり、図７（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｃの、実装用電極ＥＰ１５を示す平面図である。 図８（Ａ）は第２の実施形態に係る電気素子２０２Ｄの、コネクタ６１が実装された実装用電極ＥＰ１６を示す平面図であり、図８（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｄの、実装用電極ＥＰ１６を示す平面図である。 図９（Ａ）は第２の実施形態に係る電気素子２０２Ｅの、コネクタ６１が実装された実装用電極ＥＰ１７を示す平面図であり、図９（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｅの、実装用電極ＥＰ１７を示す平面図である。 図１０（Ａ）は第３の実施形態に係る電子機器４０１の主要部を示す正面図であり、図１０（Ｂ）は第３の実施形態に係る電気素子２０３の正面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は、第１の実施形態に係る電気素子２０１の外観斜視図である。図２（Ａ）は電気素子２０１の第１端を拡大した平面図であり、図２（Ｂ）は電気素子２０１の第１端を拡大した断面図である。図３（Ａ）は第１の実施形態に係る多層基板１０１の第１端を拡大した平面図であり、図３（Ｂ）は多層基板１０１の第１端を拡大した断面図である。図４は、多層基板１０１の分解平面図である。図２（Ａ）では実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１の導体部分をハッチングで示している。図３（Ａ）では実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１をドットパターンで示しており、実装領域Ｍ１１，Ｍ１２，Ｍ２１を破線で示している。

電気素子２０１は、多層基板１０１にコネクタ５１，５２，５３，５４，６１，６２を実装した電子部品である。本実施形態に係る電気素子２０１は、例えば他の回路基板同士を接続するケーブルである。

本実施形態では、コネクタ５１，５２，５３，５４，６１，６２が本発明における「実装部品」に相当する。

多層基板１０１は、積層体１０、複数の導体パターン（後に詳述する）、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２０，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３等を備える。複数の導体パターンには、信号導体３１，３２およびグランド導体４１，４２，４３等が含まれる。

積層体１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の絶縁平板である。積層体１０は、互いに対向する第１面Ｓ１および第２面Ｓ２を有する。図１に示すように、コネクタ５１，５２，５３，５４，６１，６２は、積層体１０の第１面Ｓ１に実装される。具体的には、図２（Ａ）および図２（Ｂ）等に示すように、コネクタ５１，５２，６１は、はんだ等の導電性接合材５を介して、実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１にそれぞれ電気的に接続される。図示省略するが、コネクタ５３，５４，６２も同様である。

本実施形態では、第１面Ｓ１が本発明における「実装面」に相当する。なお、本実施形態では、実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１にコネクタ５１，５２，６１がそれぞれ接続される例を示したが、一つのコネクタが実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１に接続されていてもよい。このことは、コネクタ５３，５４，６２が接続される実装用電極についても同様である。

実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１は、外形が矩形状の導体パターンであり、第１面Ｓ１に露出している（第１面Ｓ１に形成される）。図３（Ｂ）等に示すように、実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２はグランド導体４１の一部であり、実装用電極ＥＰ２１は信号導体３１の一部である。また、図３（Ａ）等に示すように、実装用電極ＥＰ１１は第１開口Ｈ１１を有し、実装用電極ＥＰ１２は第１開口Ｈ１２を有する。

また、積層体１０は、保護層２、複数の絶縁基材層１３，１２，１１および保護層１を順に積層してなり、可撓性を有する。第１面Ｓ１および第２面Ｓ２は、複数の絶縁基材層１１，１２，１３の積層方向（Ｚ軸方向）に垂直な面である。複数の絶縁基材層１１，１２，１３は、樹脂を主材料とし、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。絶縁基材層１１，１２，１３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂からなるシートである。保護層１，２は、例えばエポキシ樹脂膜である。

なお、後に詳述するように（「その他の実施形態」を参照）、複数の絶縁基材層１１，１２，１３は、例えば低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）のような誘電体セラミック層でもよい。

絶縁基材層１１の表面には、信号導体３１およびグランド導体４１等が形成されている。信号導体３１は、絶縁基材層１１の第１端（図４における絶縁基材層１１の右側端）付近に形成される矩形の導体パターンである。グランド導体４１は、絶縁基材層１１の略全面に形成される導体パターンであり、信号導体３１に対応する位置に開口部を有する。信号導体３１およびグランド導体４１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

グランド導体４１は、第１開口Ｈ１１，Ｈ１２および複数の第２開口Ｈ２１を有する。第１開口Ｈ１１，Ｈ１２は、周囲が導体（グランド導体４１）で囲まれたＹ軸方向に延伸する直線状の貫通孔である。複数の第２開口Ｈ２１は、周囲が導体（グランド導体４１）で囲まれた円形の貫通孔である。複数の第２開口Ｈ２１は、実装面の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、互いに等間隔に千鳥配置されている。

また、絶縁基材層１１には、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２０，Ｖ２１が形成されている。層間接続導体Ｖ１１は信号導体３１に接続され、層間接続導体Ｖ２０，Ｖ２１はグランド導体４１にそれぞれ接続されている。層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２０，Ｖ２１は、例えば、絶縁基材層１１に設けた貫通孔にＣｕ，Ｓｎ等もしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設した後、加熱プレス処理によって固化させることにより形成されたビア導体である。

絶縁基材層１２の表面には、信号導体３２およびグランド導体４２等が形成されている。信号導体３２は、Ｘ軸方向に延伸する略線状の導体パターンである。信号導体３２の一端（図４における信号導体３２の右側端）は、層間接続導体Ｖ１１を介して信号導体３１に電気的に接続される。グランド導体４２は、絶縁基材層１２の略全面に形成される導体パターンであり、信号導体３２に対応する位置に開口部を有する。グランド導体４２は、層間接続導体Ｖ２０，Ｖ２１を介してグランド導体４１に電気的に接続される。信号導体３２およびグランド導体４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

グランド導体４２は、複数の第２開口Ｈ２２を有する。複数の第２開口Ｈ２２は、周囲が導体（グランド導体４２）で囲まれた円形の貫通孔である。複数の第２開口Ｈ２２は、実装面の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、互いに等間隔に千鳥配置されている。

また、絶縁基材層１２には、複数の層間接続導体Ｖ２２が形成されている。複数の層間接続導体Ｖ２２は、グランド導体４２にそれぞれ接続されている。層間接続導体Ｖ２２は、例えば、絶縁基材層１２に設けた貫通孔にＣｕ，Ｓｎ等もしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設した後、加熱プレス処理によって固化させることにより形成されたビア導体である。

絶縁基材層１３の裏面には、グランド導体４３が形成されている。グランド導体４３は、絶縁基材層１３の略全面に形成される導体パターンである。図４に示すように、グランド導体４３は、複数の第２開口Ｈ２３を有する。複数の第２開口Ｈ２３は、周囲が導体（グランド導体４２）で囲まれた円形の貫通孔である。複数の第２開口Ｈ２３は、実装面の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、互いに等間隔に千鳥配置されている。グランド導体４３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁基材層１３には、複数の層間接続導体Ｖ２３が形成されている。グランド導体４３は、層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３を介して、グランド導体４２に接続されている。層間接続導体Ｖ２３は、例えば、絶縁基材層１３に設けた貫通孔にＣｕ，Ｓｎ等もしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設した後、加熱プレス処理によって固化させることにより形成されたビア導体である。

保護層１は、平面形状が絶縁基材層１１と略同じであり、絶縁基材層１１の表面に積層される。図４に示すように、保護層１は、信号導体３１等の位置に応じた位置に開口部ＡＰ１１，ＡＰ１２，ＡＰ２１を有する。そのため、絶縁基材層１１上に保護層１が形成されることにより、信号導体３１の一部およびグランド導体４１の一部が、積層体１０の第１面Ｓ１に露出する。図３（Ｂ）に示すように、信号導体３１のうち第１面Ｓ１に露出する部分が、実装用電極ＥＰ２１である。また、グランド導体４１のうち第１面Ｓ１に露出する部分が、実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２である。なお、保護層１は、信号導体３１の一部およびグランド導体４１の一部を覆っている。つまり、保護層１は、実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１に対して、オーバーレジスト構造となっている。保護層２は、平面形状が絶縁基材層１３と略同じであり、絶縁基材層１３の裏面に積層される。

本実施形態では、複数の絶縁基材層１１，１２，１３の積層方向（Ｚ軸方向）において最も表層に位置するグランド導体４１，４３が、本発明における「表層パターン」に相当する。また、グランド導体４１，４３よりも内層に位置するグランド導体４２が、本発明における「内層パターン」に相当する。

図３（Ｂ）等に示すように、本実施形態では、信号導体３２、グランド導体４１，４２，４３、信号導体３２およびグランド導体４１で挟まれる絶縁基材層１１、信号導体３２およびグランド導体４３で挟まれる絶縁基材層１２，１３、を含んだストリップライン型の伝送線路が構成される。

図３（Ａ）に示すように、第１開口Ｈ１１は、実装面の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、実装用電極ＥＰ１１のうち実装領域Ｍ１１と、非実装領域ＮＭ１１と、に亘って（跨って）形成されている。また、第１開口Ｈ１２は、Ｚ軸方向から視て、実装用電極ＥＰ１２のうち実装領域Ｍ１２と、非実装領域ＮＭ１２と、に亘って（跨って）形成されている。なお、「実装領域」とは、Ｚ軸方向から視て、実装電極のうち、実装部品を実装したときに実装部品に重なる領域を言う。また、「非実装領域」とは、Ｚ軸方向から視て、実装電極のうち、実装部品を実装したときに実装部品に重ならない領域を言う。

なお、本実施形態では、第１開口Ｈ１１の開口幅Ｌ１は、例えば０．１ｍｍである。また、実装用電極ＥＰ１１の導体幅Ｌ２は、例えば１ｍｍである。

ここで、第１開口の開口幅Ｌ１とは、線状の第１開口のうち延伸方向に直交する方向の幅を言う。また、実装用電極の導体幅Ｌ２とは、（１）実装用電極の導体部分が矩形の場合には、その短辺の長さ、（２）第１開口の数が複数の場合には、第１開口の間の最短距離を言う。

また、本実施形態では、図３（Ａ）および図３（Ｂ）等に示すように、樹脂材料を含む層間接続導体Ｖ２０が、絶縁基材層１１（実装用電極ＥＰ１１が形成された絶縁基材層）に形成され、且つ、実装面の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、少なくとも一部が実装用電極ＥＰ１１に重なっている。

本実施形態に係る多層基板１０１および電気素子２０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）実装用電極に開口がある場合に、導電性接合材を用いて実装用電極に実装部品を接合しようとすると、導電性接合材に含まれる非金属成分（例えば、フラックス等）が上記開口内に溜まり、接合時の熱で上記非金属成分が揮発して導電性接合材が爆ぜる虞がある。また、上記非金属成分の揮発ガスによって、接合後の導電性接合材にボイドが発生する虞もある。そのため、実装用電極と実装部品との接合箇所で接合強度の低下や、導通不良を生じる虞がある。なお、上記開口全体を覆うように実装部品が配置される場合に、このような問題が特に生じやすい。一方、本実施形態では、実装用電極（ＥＰ１１，ＥＰ１２）に、実装領域（Ｍ１１，Ｍ１２）と非実装領域（ＮＭ１１，ＮＭ１２）とに亘って形成される第１開口（Ｈ１１，Ｈ１２）を有する。この構成によれば、導電性接合材を用いた実装電極と実装部品との接合時に、導電性接合材に含まれる上記非金属成分やその揮発ガスが第１開口（Ｈ１１，Ｈ１２）から抜ける（図２（Ａ）中の矢印を参照）。すなわち、上記非金属成分やその揮発ガスが、接合時に上記接合箇所に溜まることなく外部に放出される。そのため、接合時の導電性接合材の爆ぜやボイドの発生が抑制され、上記接合箇所での接合不良や導通不良が抑制される。

なお、導電性接合材を用いた実装用電極と実装部品との接合時に、導体部分ではない第１開口Ｈ１１，Ｈ１２には導電性接合材が濡れ拡がり難い。そのため、実装用電極と実装部品との接合に用いられる導電性接合材の量が多い場合でも、上記非金属成分やその揮発ガスを外部に放出するための経路は確保される。

（ｂ）本実施形態では、複数の絶縁基材層１１，１２，１３が樹脂（熱可塑性樹脂）を主材料としている。多層基板１０１が、Ｃｕ箔等の導体パターンを備える樹脂多層基板である場合、すなわち、積層体（樹脂多層基板）にＣｕ箔等の導体パターンが形成されていると、製造段階において積層体内で生じたガスが外部に抜け難い。そのため、多層基板の製造段階、使用段階における加熱時に、残留したガスに起因する層間剥離が生じやすい。したがって、導体パターンを備える樹脂多層基板の場合には、積層体内に残留するガスに起因した層間剥離を抑制するという点で、導体パターンに開口（第１開口または第２開口）を設けるという本実施形態に係る構成が有効である。

（ｃ）本実施形態では、周囲を導体に囲まれた複数の第２開口Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３が、導体パターン（グランド導体４１，４２，４３）に形成されている。この構成により、製造段階において積層体内で生じたガスは、外側へ比較的長い距離を移動するまでにグランド導体に設けられた第２開口Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３から速やかに抜ける。そのため、積層体内に残留するガス量が低減され、多層基板の製造段階、使用段階における加熱時の層間剥離が抑制される。なお、周囲が導体で囲まれた第２開口Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３を導体パターンに形成することにより、導体パターンが分断されて孤立化することを抑制できる。そのため、開口を形成することによる電気特性への影響を小さくできる。

（ｄ）本実施形態では、グランド導体４１，４３（表層パターン）に複数の第２開口Ｈ２１，Ｈ２３が形成されている。外部から熱が加わりやすく温度上昇しやすい積層体１０の表層では相対的に生じるガスの量が多い。そのため、この構成により、表層パターンに第２開口が設けられていない場合と比べ、積層体１０の表層から生じたガスを効果的に抜くことができる。

（ｅ）また、本実施形態では、表層パターンに加えてグランド導体４２（内層パターン）にも複数の第２開口Ｈ２２が形成されている。積層体内で生じたガスは内部から表層へ誘導される傾向がある。そのため、表層パターンおよび内層パターンのいずれにも複数の第２開口を設けることにより、積層体１０の表層から効率良くガスを抜くことができる。

（ｆ）本実施形態では、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３が、周期的に等間隔で配置されている。この構成によれば、開口の分布に偏りが少なくなって、ガス抜き効果が面方向で均一となりやすい。すなわち、局所的にガスが残留しないため、層間剥離の抑制効果が高まる。なお、複数の第２開口Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３は、周期的に等間隔で配置されているのであれば、千鳥配置に限定されるものではない。また、第２開口Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３のそれぞれの配列ピッチ（複数の第２開口Ｈ２１同士の間隔、複数の第２開口Ｈ２２同士の間隔、複数の第２開口Ｈ２３同士の間隔）が、それぞれ異なっていてもよい。

なお、複数の第２開口Ｈ２１，Ｈ２３は、実装面の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、信号導体３２に重ならない位置に形成されることが好ましい。この構成によれば、積層方向に近接する信号導体３２とグランド導体４１，４３との間に生じる容量の変化を抑制でき、伝送線路の特性インピーダンスの連続性を保つことができる。また、Ｚ軸方向から視て第２開口Ｈ２１，Ｈ２３が信号導体３２に重ならないため、グランド導体４１，４３に第２開口Ｈ２１，Ｈ２３を設けることに起因した、伝送線路から外部への不要輻射の増大や、外部からのノイズを受けやすくなるという問題を回避できる。

（ｇ）また、本実施形態では、導体パターンのうち最も大きなグランド導体４３に複数の第２開口Ｈ２３が形成されている。積層体内に大きな導体パターンがあると、ガスが生じた場所によっては、多層基板外へのガスの排出経路が長くなり、積層体内にガスが残留する虞がある。そのため、最も大きな導体パターンに第２開口を形成することにより、加熱時に積層体内に生じたガスを、効果的に外部に排出できる。

なお、本実施形態では、複数の導体パターンのうち最も大きい導体パターン（グランド導体４３）に第２開口のみが形成される例を示したが、最も大きい導体パターンに第１開口が形成されていてもよい。最も大きな導体パターンに第１開口および第２開口を形成することにより、最も大きな導体パターンに第１開口のみ（または、第２開口のみ）形成する場合と比べて、積層体内に生じたガスをさらに効果的に外部に排出できる。

（ｈ）また、本実施形態では、樹脂材料を含む層間接続導体Ｖ２０が、絶縁基材層１１（実装用電極ＥＰ１１が形成された絶縁基材層）に形成され、且つ、Ｚ軸方向から視て少なくとも一部が実装用電極ＥＰ１１に重なっている。樹脂材料を含む層間接続導体（ビア導体）は、多層基板の製造段階、使用段階（特に接合時）における加熱時に生じるガスの量が多い。そのため、このような層間接続導体が実装用電極の近傍に配置されていると、接合時に導電性接合材の爆ぜが生じやすく、多層基板の製造段階、使用段階における加熱時に層間剥離が生じやすい。一方、本実施形態では、樹脂材料を含む層間接続導体Ｖ２０の近傍に位置する実装用電極ＥＰ１１に、第１開口Ｈ１１が形成されているため、多層基板１０１の製造段階、使用段階における加熱時に層間接続導体Ｖ２０から生じるガスを効率良く排出できる。そのため、接合時の導電性接合材の爆ぜが抑制され、多層基板の製造段階、使用段階における加熱時の実装用電極ＥＰ１１近傍の層間剥離は効果的に抑制される。また、この構成によれば、層間剥離による実装用電極ＥＰ１１近傍の凹凸や湾曲が軽減されるため、他の回路基板等に対する多層基板１０１の実装性が高まる。

（ｉ）本実施形態では、積層体に形成される層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２０，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３が、樹脂材料を含む導電性ペーストを固化してなるビア導体である。これらビア導体は、複数の絶縁基材層１１，１２，１３の加熱プレス処理（後に詳述する）で同時に形成されるため、形成が容易である。また、導電性ペーストに樹脂材料が含まれるため、樹脂を主材料とする絶縁基材層と層間接続導体との高い接合性が得られる。なお、上記導電性ペーストに含まれる樹脂材料は、絶縁基材層の樹脂材料と同種であることが好ましい。

（ｊ）本実施形態では、保護層１，２がエポキシ樹脂膜である。エポキシ樹脂は、絶縁基材層の主材料である液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）に比べてガス透過性が高い。そのため、保護層１，２を設けてもガス透過性は殆ど損なわれない。

（ｋ）本実施形態では、実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２が有する第１開口Ｈ１１，Ｈ１２が直線状である。この構成によれば、屈曲（または湾曲）した第１開口を有する実装用電極を形成する場合と比べ、実装用電極の形成が容易となる。また、実装用電極が屈曲（または湾曲）する線状の第１開口を有する場合、導電性接合材に含まれる非金属成分やその揮発ガス（以下、「非金属成分等」。）がその屈曲した部分に溜まりやすく、上記非金属成分等は第１開口から抜け難い。したがって、この構成によれば、線状の第１開口が屈曲（または湾曲）している場合と比べて、非金属成分等が第１開口から抜けやすいため、接合時の導電性接合材の爆ぜやボイドの発生はさらに抑制される。また、この構成によれば、線状の第１開口が屈曲している場合と比べて、多層基板の製造段階、使用段階における加熱時に、積層体内で生じたガスに起因する層間剥離は抑制される。

（ｌ）本実施形態では、第１開口Ｈ１１の開口幅Ｌ１が、０．１ｍｍであり、実装用電極ＥＰ１１の導体幅Ｌ２が１ｍｍである。導体部分の短辺の幅が１ｍｍを超える場合、積層体内でガスが生じた場所によっては多層基板外へのガスの排出経路が長く、生じたガスが抜け難い。一方で、第１開口の幅が大きい（第１開口の面積が大きい場合）には、導電性接合材を用いた実装用電極と実装部品との接合強度が低くなってしまう。そのため、開口幅Ｌ１および導体幅Ｌ２は以下（１）〜（３）の条件を満たす値であることが好ましい。
（１）導体幅Ｌ２が１ｍｍ以下である（Ｌ２≦１ｍｍ）。
（２）開口幅Ｌ１が０．１ｍｍ以下である（０＜Ｌ１≦０．１ｍｍ）。
（３）開口幅Ｌ１が導体幅Ｌ２の１／５０以上（Ｌ１≧Ｌ２／５０）。

この構成により、積層体内の残留ガスに起因する層間剥離を抑制しつつ、実装用電極と実装部品との接合強度を確保可能な多層基板を実現できる。

本実施形態に係る多層基板１０１は、例えば次のような工程で製造される。

（１）まず、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層１１，１２，１３を準備する。絶縁基材層１１，１２，１３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂からなるシートである。

（２）次に、複数の絶縁基材層１１，１２，１３に、導体パターン（信号導体３１，３２およびグランド導体４１，４２，４３等）を形成する。具体的には、集合基板状態の絶縁基材層１１の表面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、絶縁基材層１１の表面に信号導体３１およびグランド導体４１を形成する。集合基板状態の絶縁基材層１２の表面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、絶縁基材層１２の表面に信号導体３２およびグランド導体４２を形成する。また、集合基板状態の絶縁基材層１３の裏面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、絶縁基材層１３の裏面にグランド導体４３を形成する。

なお、グランド導体４１は、第１開口Ｈ１１，Ｈ１２および複数の第２開口Ｈ２１を有する。また、グランド導体４２は複数の第２開口Ｈ２２を有し、グランド導体４３は複数の第２開口Ｈ２３を有する。第１開口Ｈ１１，Ｈ１２は、Ｙ軸方向に延伸する線状の貫通孔である。複数の第２開口Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３は周囲が導体（グランド導体）で囲まれた円形の貫通孔である。

また、複数の絶縁基材層１１，１２，１３には、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２０，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３が形成される。層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２０，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３は、レーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等もしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストをその貫通孔に配設し、後の加熱プレス処理で固化させることにより設けられる。そのため、導電性ペーストは、後の加熱プレス時の温度よりも融点（溶融温度）が低い材料とする。

（３）次に、保護層２、絶縁基材層１３，１２，１１および保護層１の順に積層し、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３および保護層１，２を加熱プレス（一括プレス）して集合基板状態の積層体を形成する。なお、積層した絶縁基材層１１，１２，１３を加熱プレスして集合基板状態の積層体を形成した後、積層体の表面に保護層１，２をそれぞれ形成してもよい。

なお、保護層１は複数の開口部を有する。そのため、絶縁基材層１１上に保護層１が形成されることにより、信号導体３１の一部およびグランド導体４１の一部が、積層体１０の第１面Ｓ１に露出する。信号導体３１のうち第１面Ｓ１に露出する部分が、実装用電極ＥＰ２１である。グランド導体４１のうち第１面Ｓ１に露出する部分が、実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２である。

（４）次に、実装用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１等に、コネクタ５１，５２，６１等を実装（接合）する。コネクタの実装（接合）には、例えばはんだ等の導電性接合材が用いられる。

（５）その後、集合基板状態の積層体から個片に分離して、個別の多層基板１０１を得る。なお、（４）と（５）の工程の順序は逆であってもよい。

この製造方法によれば、実装部品の接合時に、実装用電極と実装部品との接合箇所の爆ぜを抑制し、上記接合箇所での接合不良等を抑制できる多層基板を容易に製造できる。

また、この製造方法によれば、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３および保護層１，２を一括プレスすることで、積層体１０を容易に形成できる。そのため、多層基板１０１の製造工程を大幅に削減でき、コストを低く抑えることができる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１開口の変形例を示す。

図５（Ａ）は第２の実施形態に係る電気素子２０２Ａの、コネクタ６１が実装された実装用電極ＥＰ１３を示す平面図であり、図５（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ａの、実装用電極ＥＰ１３を示す平面図である。図５（Ａ）では、実装用電極ＥＰ１３の導体部分をハッチングで示している。また、図５（Ｂ）では、実装用電極ＥＰ１３をドットパターンで示しており、実装領域Ｍ１３を破線で示している。

実装用電極ＥＰ１３は第１開口Ｈ１３を有する点で、第１の実施形態に係る実装用電極ＥＰ１１と異なる。実装用電極ＥＰ１３の他の構成については、実装用電極ＥＰ１１と略同じである。図５（Ｂ）に示すように、第１開口Ｈ１３は、Ｘ軸方向とＹ軸方向とに延伸する十字形（Ｘ字形）の貫通孔である。

図６（Ａ）は第２の実施形態に係る電気素子２０２Ｂの、コネクタ６１が実装された実装用電極ＥＰ１４を示す平面図であり、図６（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｂの、実装用電極ＥＰ１４を示す平面図である。図６（Ａ）では、実装用電極ＥＰ１４の導体部分をハッチングで示している。また、図６（Ｂ）では、実装用電極ＥＰ１４をドットパターンで示しており、実装領域Ｍ１４を破線で示している。

実装用電極ＥＰ１４は２つの第１開口Ｈ１４ａ，Ｈ１４ｂを有する点で、第１の実施形態に係る実装用電極ＥＰ１１と異なる。実装用電極ＥＰ１４の他の構成については、実装用電極ＥＰ１１と略同じである。図６（Ｂ）に示すように、第１開口Ｈ１４ａ，Ｈ１４ｂは、Ｘ軸方向（またはＹ軸方向）に対して斜め方向に延伸する直線状の貫通孔である。第１開口Ｈ１４ａ，Ｈ１４ｂは、互いに並行するように配列されている。

図７（Ａ）は第２の実施形態に係る電気素子２０２Ｃの、コネクタ６１が実装された実装用電極ＥＰ１５を示す平面図であり、図７（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｃの、実装用電極ＥＰ１５を示す平面図である。図７（Ａ）では、実装用電極ＥＰ１５の導体部分をハッチングで示している。また、図７（Ｂ）では、実装用電極ＥＰ１５をドットパターンで示しており、実装領域Ｍ１５を破線で示している。

実装用電極ＥＰ１５は、４つの第１開口Ｈ１５ａ，Ｈ１５ｂ，Ｈ１５ｃ，Ｈ１５ｄを有する点で、第１の実施形態に係る実装用電極ＥＰ１１と異なる。実装用電極ＥＰ１５の他の構成については、実装用電極ＥＰ１１と略同じである。図７（Ｂ）に示すように、第１開口Ｈ１５ａ，Ｈ１５ｂ，Ｈ１５ｃ，Ｈ１５ｄは、Ｌ字形に屈曲する貫通孔である。

図８（Ａ）は第２の実施形態に係る電気素子２０２Ｄの、コネクタ６１が実装された実装用電極ＥＰ１６を示す平面図であり、図８（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｄの、実装用電極ＥＰ１６を示す平面図である。図８（Ａ）では、実装用電極ＥＰ１６の導体部分をハッチングで示している。また、図７（Ｂ）では、実装用電極ＥＰ１６をドットパターンで示しており、実装領域Ｍ１６を破線で示している。

実装用電極ＥＰ１６は、保護層１が実装用電極ＥＰ１６から離間して配置されている（クリアランスレジスト構造）点で、第１の実施形態に係る実装用電極ＥＰ１１と異なる。また、実装用電極ＥＰ１６は、第１開口Ｈ１６を有する点で、実装用電極ＥＰ１１と異なる。第１開口Ｈ１６は、Ｙ軸方向に延伸する直線状の貫通孔である。図８（Ｂ）に示すように、第１開口Ｈ１６は周囲が導体で囲まれてはいない。

図９（Ａ）は第２の実施形態に係る電気素子２０２Ｅの、コネクタ６１が実装された実装用電極ＥＰ１７を示す平面図であり、図９（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｅの、実装用電極ＥＰ１７を示す平面図である。図９（Ａ）では、実装用電極ＥＰ１７の導体部分をハッチングで示している。また、図９（Ｂ）では、実装用電極ＥＰ１７をドットパターンで示しており、実装領域Ｍ１７を破線で示している。

実装用電極ＥＰ１７は、保護層１が、実装用電極ＥＰ１７から離間して配置されている（クリアランスレジスト構造）点で、第１の実施形態に係る実装用電極ＥＰ１１と異なる。また、実装用電極ＥＰ１７は、第１開口Ｈ１７ａ，Ｈ１７ｂを有する点で、実装用電極ＥＰ１１と異なる。第１開口Ｈ１７ａ，Ｈ１７ｂは、Ｙ軸方向に延伸する直線状の貫通孔であり、互いに並行するように配列されている。図９（Ｂ）に示すように、第１開口Ｈ１７ａ，Ｈ１７ｂは周囲が導体で囲まれてはいない。

以上のような構成でも、実装面の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、第１開口が実装用電極のうち実装領域と、非実装領域と、に亘って（跨って）形成されている。そのため、第１の実施形態に係る電気素子２０１（多層基板１０１）と同様の作用・効果を奏する。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、積層体が曲げ部を有する例を示す。

図１０（Ａ）は第３の実施形態に係る電子機器４０１の主要部を示す正面図であり、図１０（Ｂ）は第３の実施形態に係る電気素子２０３の正面図である。

電子機器４０１は、電気素子２０３、回路基板３０１，３０２等を備える。なお、回路基板３０１，３０２には、他の基板や電子部品等が実装されるが、図示を省略している。回路基板３０１，３０２は、例えばプリント配線板である。

図１０（Ｂ）等に示すように、電気素子２０３は、積層体１０が折り曲げられた曲げ部ＣＲを有する点で、第１の実施形態に係る電気素子２０１と異なる。また、電気素子２０３は、第１面Ｓ１にコネクタ６１が実装され、第２面Ｓ２にコネクタ６２が実装されている点で、電気素子２０１と異なる。

電気素子２０３は、曲げられた状態で、回路基板３０１，３０２間に接続されている。電気素子２０３のコネクタ６１は、回路基板３０１に実装されたレセプタクル７１に接続されている。電気素子２０３のコネクタ６２は、回路基板３０２のレセプタクル７２に接続されている。

図１０（Ｂ）等に示すように、第２領域Ｒ２（第２開口が形成されている領域）と曲げ部ＣＲとの間の距離は、第１領域Ｒ１（第１開口が形成されている領域）と曲げ部ＣＲとの間の距離よりも小さい。

本実施形態によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｍ）本実施形態では、少なくとも一つの第２領域Ｒ２（第２開口）と曲げ部ＣＲとの間の距離が、第１領域Ｒ１（第１開口）と曲げ部ＣＲとの間の距離よりも小さい。開口が設けられた導体パターンに曲げ応力が掛かると、その開口を起点として裂け目や亀裂が発生しやすくなる。その結果、導体パターンの剥離や層間剥離、または電気的特性の劣化が生じやすくなる。この構成によれば、第１開口が曲げ部ＣＲから離間しているため、曲げ応力による第１開口を起点とした裂け目や亀裂の発生が抑制される。したがって、実装用電極の剥離や実装用電極近傍の層間剥離等の発生を抑制できる。

なお、第１開口および第２開口は、曲げ部ＣＲ以外の部分に配置されていることが好ましい。第１開口および第２開口を曲げ部ＣＲ以外の部分に配置することにより、第１開口および第２開口を起点とした裂け目や亀裂の発生がさらに抑制され、結果的に導体パターンの剥離や層間剥離、電気的特性の劣化の発生をさらに抑制できる。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、積層体が矩形の平板である例を示したが、積層体の形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体は、例えば平面形状が多角形、円形、楕円形、円弧状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｙ字形、Ｔ字形、クランク形等であってもよい。また、積層体の第１面Ｓ１および第２面Ｓ２は、完全な平面に限定されるものではなく、一部が曲面等であってもよい。なお、本発明の積層体において、第２面Ｓ２は必須ではない。

以上に示した各実施形態では、積層体１０が、熱可塑性樹脂からなる平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体１０は熱硬化性樹脂からなる平板でもよい。また、積層体１０は、例えば、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）の誘電体セラミックであってもよい。また、積層体１０は、複数の樹脂の複合積層体であってもよく、例えばガラス／エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。また、積層体は、複数の絶縁基材層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各絶縁基材層間に接着材層を有する構成でもよい。

また、以上に示した各実施形態では、３つの絶縁基材層１１，１２，１３と２つの保護層１，２を積層してなる積層体の例を示した、この構成に限定されるものではない。積層体を形成する絶縁基材層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、以上に示した各実施形態では、保護層１，２がエポキシ樹脂膜である例を示したが、保護層１，２は例えばソルダーレジスト膜やカバーレイフィルムでもよい。なお、本発明の積層体において保護層は必須ではない。

以上に示した各実施形態では、２つまたは６つの実装部品を備える電気素子の例を示したが、実装部品の個数はこれに限定されるものではない。また、実装部品の配置等についても以上の各実施形態で示した構成に限定されるものではない。さらに、以上に示した各実施形態では、「実装部品」がコネクタである例を示したが、本発明の「実装部品」はこれに限定されるものではない。実装部品は、例えばチップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品、ＩＣ、ＲＦＩＣ素子またはインピーダンス整合回路等であってもよい。

なお、以上に示した各実施形態では、実装用電極以外の導体パターンが、全て積層体の内部に形成される例を示したが、本発明の多層基板はこの構成に限定されるものではない。実装用電極以外の導体パターンが、積層体の表面に形成されていてもよい。また、以上に示した各実施形態では、信号導体３１，３２およびグランド導体４１，４２，４３等の導体パターンを備える多層基板の例を示したが、多層基板はこれら以外の導体パターンを備えていてもよい。

以上に示した各実施形態では、電気素子（多層基板）が、二つの部材間を接続するケーブルである例を示したが、本発明の電気素子はこれに限定されるものではない。電気素子は、例えば全体が別の基板に実装される電子部品であってもよい。また、電気素子に構成される回路は、ストリップライン型の伝送線路に限定されるものではない。電気素子には、例えば、その他の各種伝送線路（例えば、マイクロストリップライン、コプレーナライン等）が構成されていてもよい。また、電気素子に形成される伝送線路は１つに限定されず、複数でもよい。さらに、電気素子には、例えば、インダクタ、キャパシタや各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが導体パターンで形成されていてもよい。また、電気素子には、チップ部品等の各種部品が埋設されていてもよい。

なお、以上に示した各実施形態では、実装用電極の外形が矩形である例を示したが、この構成に限定されるものではない。実装用電極の形状、個数、配置等は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。実装用電極の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等であってもよい。

また、第１開口の形状、個数、配置等は、以上の各実施形態で示した構成に限定されるものではなく、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。第１開口の形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等でもよい。

以上に示した各実施形態では、円形の複数の第２開口が、グランド導体に形成された多層基板の例を示したが、第２開口の形状、個数等は、本発明の作用効果をそうする範囲において適宜変更可能である。第２開口の形状は、例えば、矩形、多角形、楕円形、Ｌ字形、円弧状、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等でもよい。また、以上に示した各実施形態では、複数の第２開口が、実装面の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、互いに等間隔に千鳥配置されている例を示したが、複数の第２開口の配置は本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２０，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３が、導電性ペーストからなるビア導体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。層間接続導体は、例えば積層体を貫通して複数の導体パターン同士を互いに接続するスルーホールめっきやフィルドビアめっきでもよい。層間接続導体がスルーホールめっきやフィルドビアめっきである場合には、樹脂材料を含む層間接続導体に比べて、ガスの発生量が少なくできる。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＰ１１，ＡＰ１２，ＡＰ２１…開口部
ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ１３，ＥＰ１４，ＥＰ１５，ＥＰ１６，ＥＰ１７，ＥＰ２１…実装用電極
Ｈ１１，Ｈ１２，Ｈ１３，Ｈ１４ａ，Ｈ１４ｂ，Ｈ１５ａ，Ｈ１５ｂ，Ｈ１５ｃ，Ｈ１５ｄ，Ｈ１６，Ｈ１７ａ，Ｈ１７ｂ…第１開口
Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３…第２開口
Ｌ１…第１開口の開口幅
Ｌ２…実装用電極の導体幅
Ｍ１１，Ｍ１２，Ｍ１３，Ｍ１４，Ｍ１５，Ｍ１６，Ｍ１７，Ｍ２１…実装領域
ＮＭ１１，ＮＭ１２，ＮＭ１３，ＮＭ１４，ＮＭ１５，ＮＭ１６，ＮＭ１７…非実装領域
Ｒ１…第１領域
Ｒ２…第２領域
Ｓ１…積層体の第１面（実装面）
Ｓ２…積層体の第２面
Ｖ１１，Ｖ２０，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３…層間接続導体
１，２…保護層
５…導電性接合材
１０…積層体
１１，１２，１３…絶縁基材層
３１，３２…信号導体
４１，４２，４３…グランド導体
５１，５２，５３，５４，６１，６２…コネクタ（実装部品）
７１，７２…レセプタクル
１０１，１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ，１０２Ｄ，１０２Ｅ…多層基板
２０１，２０２Ａ，２０２Ｂ，２０２Ｃ，２０２Ｄ，２０２Ｅ，２０３…電気素子
３０１，３０２…回路基板
４０１…電子機器

Claims (10)

1. 複数の絶縁基材層を積層して形成され、実装面を有する積層体と、
   前記実装面に形成される実装用電極を含み、前記複数の絶縁基材層に形成される導体パターンと、
   を備え、
   前記実装用電極は第１開口を有し、
   前記第１開口は、前記実装面の平面視で、前記実装用電極のうち実装部品を実装したときに前記実装部品に重なる実装領域と、前記実装部品に重ならない非実装領域と、に亘って形成され、
   前記複数の絶縁基材層は樹脂を主材料とし、
   前記導体パターンは、前記実装面の平面視で、周囲が導体で囲まれた第２開口を有し、
   前記積層体は、折り曲げられる曲げ部を有し、
   前記第１開口および前記第２開口は、前記曲げ部以外の部分に配置される、多層基板。
2. 前記第１開口は線状であり、
   前記第１開口の延伸方向に直交する方向において、前記実装用電極の導体幅は１ｍｍ以下であり、前記第１開口の開口幅は０．１ｍｍ以下、前記実装用電極の導体幅の１／５０以上である、請求項１に記載の多層基板。
3. 前記導体パターンの数は複数であり、
   前記第１開口は、複数の前記導体パターンのうち最も大きな導体パターンに形成される、請求項１または２に記載の多層基板。
4. 前記導体パターンは、前記複数の絶縁基材層の積層方向において最も表層に位置する表層パターンと、前記表層パターンよりも内層に位置する内層パターンと、を有し、
   前記表層パターンは、前記第２開口を有する、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
5. 前記内層パターンは、第２開口を有する、請求項４に記載の多層基板。
6. 前記第２開口の数は複数であり、
   複数の前記第２開口は、前記実装面の平面視で、互いに等間隔に配置される、請求項１から５のいずれかに記載の多層基板。
7. 前記導体パターンの数は複数であり、
   前記第２開口は、複数の前記導体パターンうち最も大きな導体パターンに形成される、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。
8. 前記積層体は、折り曲げられる曲げ部を有し、
   少なくとも一つの前記第２開口と前記曲げ部との間の距離は、前記第１開口と前記曲げ部との間の距離よりも小さい、請求項１から７のいずれかに記載の多層基板。
9. 前記複数の絶縁基材層のうち前記実装用電極が形成される絶縁基材層に形成され、樹脂材料を含む層間接続導体を備え、
   前記層間接続導体は、前記実装面の平面視で、前記実装用電極に重なる、請求項２から８のいずれかに記載の多層基板。
10. 請求項１から９のいずれかに記載の多層基板と、
    前記実装面に実装され、前記実装用電極に接続される前記実装部品と、
    を備える、電気素子。

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