WO2021230226A1 - 回路基板、回路基板の接続構造、および、回路基板の接続構造の製造方法 - Google Patents

Abstract

回路基板（２０）は、熱可塑性の樹脂層を積層し、主面（２１１）と主面（２１２）を有する積層体（２１）と、主面（２１１）に形成された実装導体（２４１）と、積層体（２１）の積層方向の途中に配置された信号導体（２２）と、主面（２１２）に形成されたグランド導体（２３２）とを備える。積層体（２１）は、実装導体（２４１）に重なる部分を含み、実装導体（２４１）を用いて導電性接合材（４１）によって接合される外部の基板（３０）に重なる接続部（ＲｅＪ）と、回路部と、を備える。グランド導体（２３２）における回路部の領域である第１領域には、開口穴（２９１）を有し、グランド導体（２３２）における接続部（ＲｅＪ）の領域である第２領域には、開口穴（２９２）を有する。第２領域の面積に対する開口穴（２９２）による開口面積の比は、第１領域の面積に対する開口穴（２９１）による開口面積の比よりも大きい。

Description

回路基板、回路基板の接続構造、および、回路基板の接続構造の製造方法

　この発明は、熱可塑性の樹脂層を積層してなる積層体を備える回路基板の接続部の構造に関する。

　特許文献１には、複数の伝送線路が接続された伝送線路装置が記載されている。特許文献１に記載の伝送線路装置は、第１伝送線路と第２伝送線路とを備える。第１伝送線路と第２伝送線路とは、それぞれに熱可塑性樹脂の絶縁性基材を備える。

　第１伝送線路と第２伝送線路とは、それぞれに接続部を備える。第１伝送線路と第２伝送線路とは、それぞれの接続部において、導電性接合材を介して接続（接合）される。

　特許文献１に記載の構成では、まず、熱可塑性樹脂の絶縁層を積層して、加熱圧着することによって、第１伝送線路と第２伝送線路とを形成する。

　次に、接続部を局所的に加熱する等の処理を行うことによって、第１伝送線路の接続部と第２伝送線路の接続部とを接続する。

国際公開第２０１９／１３１２８８号

　しかしながら、特許文献１に記載の構成では、接続部は、他の部分よりも大きな熱履歴を受ける。このため、接続部は、意図しない変形やグランド導体等の剥離が生じ易くなる。

　したがって、本発明の目的は、接続部の意図しない変形や導体等の剥離を抑制することにある。

　本発明における回路基板は、熱可塑性の樹脂層を積層してなり、積層方向の一方端に第１主面を有し、他方端に第２主面を有する積層体と、第１主面に形成された実装導体と、実装導体および積層体に形成される他の導体よりも第２主面側に形成された面状導体と、を備える。積層体は、実装導体を用いて導電性接合材によって外部の基板に接合される接続部と、接続部以外の回路部と、を備える。面状導体における回路部の領域である第１領域には、第１開口穴を有し、面状導体における接続部の領域である第２領域には、第２開口穴を有する。第２領域の面積に対する第２開口穴による開口面積の比は、第１領域の面積に対する第１開口穴による開口面積の比よりも大きい。

　この構成では、回路基板が外部の基板に接続される箇所、より具体的には、回路基板を外部の基板に熱履歴を与えて接続（接合）させる箇所において、熱可塑性樹脂の変形を適正に制御し、積層体の意図しない変形や絶縁体層と導体との界面等の剥離が生じ難い。

　この発明によれば、積層体の意図しない変形や導体等の剥離を抑制できる。

図１（Ａ）は、第１の実施形態に係る回路基板の接続構造１０の概略構成を示す側面断面図である。図１（Ｂ）は、第１の実施形態に係る回路基板２０の平面図である。 図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）は、回路基板の接続構造１０の製造方法を説明するための図である。 図３は、接続部ＲｅＪの開口穴２９２の箇所を拡大した側面断面図である。 図４は、第１の実施形態の変形例に係る回路基板２５の平面図である。 図５は、第２の実施形態に係る回路基板２０Ａの接続部ＲｅＪの平面図である。 図６は、第３の実施形態に係る回路基板２０Ｂの接続部ＲｅＪの平面図である。 図７は、第４の実施形態に係る回路基板の接続構造１０Ｃの概略構成を示す側面断面図である。

　（第１の実施形態）
　本発明の第１の実施形態に係る基板接合構造について、図を参照して説明する。図１（Ａ）は、第１の実施形態に係る回路基板の接続構造１０の概略構成を示す側面断面図である。図１（Ｂ）は、第１の実施形態に係る回路基板２０の平面図である。なお、図１（Ａ）、図１（Ｂ）は、回路基板、基板のそれぞれの一部を示し、図１（Ａ）は、構成が分かり易いような適切な断面で切った図を示す。また、図１（Ａ）、図１（Ｂ）では、寸法を適宜誇張して記載している。図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）は、回路基板の接続構造の製造方法を説明するための図である。図３は、接続部ＲｅＪの開口穴２９２の箇所を拡大した側面断面図である。

　図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、回路基板の接続構造１０は、回路基板２０、基板３０を備える。基板３０が、本発明の「外部の基板」に対応する。

　（回路基板２０の構成）
　回路基板２０は、積層体２１、信号導体２２、グランド導体２３１、グランド導体２３２、実装導体２４１、層間接続導体２５１、層間接続導体２５２、および、保護膜２６１を備える。

　積層体２１は、複数の絶縁体層２０１、２０２、２０３を備える。複数の絶縁体層２０１、２０２、２０３は、熱可塑性樹脂を材料とする。積層体２１は、複数の絶縁体層２０１、２０２、２０３を積層して加熱圧着することによって形成される。これにより、積層体２１は、積層方向の一方端に主面２１１を有し、積層方向の他方端に主面２１２を有する。主面２１１が、本発明の「第１主面」に対応し、主面２１２が、本発明の「第２主面」に対応する。

　積層体２１は、接続部ＲｅＪと回路部とを有する。接続部ＲｅＪは、積層方向に視て（図のｚ軸方向に視て：以下、この方向で視ることを平面視と称する）、基板３０に重なる部分であり、回路部は、接続部ＲｅＪ以外の部分である。この実施形態では、接続部ＲｅＪの幅（信号導体２２の延びる方向および絶縁体層の積層方向に直交する方向（図のｙ軸方向）の幅）は、回路部の幅よりも大きい。

　信号導体２２は、信号の伝送方向（例えば、図の例であれば、ｘ軸方向）に沿って延びる形状である。信号導体２２は、所謂、線状導体である。信号導体２２は、接続部ＲｅＪと回路部との両方に、これらに跨がって配置されている。信号導体２２は、積層体２１における積層方向（ｚ軸方向）の途中位置に配置されている。

　グランド導体２３１は、面状導体であり、積層体２１の主面２１１の略全面に配置されている。略全面とは、主面２１１の全面も含む概念である。すなわち、グランド導体２３１は、接続部ＲｅＪと回路部との両方に、これらに跨がって配置されている。グランド導体２３１は、積層方向に視て信号導体２２に重なるように配置されており、信号導体２２よりも幅広の導体である。しかしながら、グランド導体２３１は、積層体２１の幅方向の全体に広がる形状であることが好ましい。

　グランド導体２３１における接続部ＲｅＪの領域には、信号導体２２の一方端を含むように、開口（導体の非形成部）を有する。

　実装導体２４１は、例えば、平面視して、矩形の導体である。実装導体２４１は、主面２１１に配置されている。実装導体２４１は、上述のグランド導体２３１の開口内に配置されており、信号導体２２の一方端に重なっている。すなわち、実装導体２４１は、接続部ＲｅＪの領域に配置されている。実装導体２４１とグランド導体２３１とは、分離されている。

　グランド導体２３２は、面状導体であり、積層体２１の主面２１２の略全面に配置されている。略全面とは、主面２１２の全面も含む概念である。すなわち、グランド導体２３２は、接続部ＲｅＪと回路部との両方に、これらに跨がって配置されている。グランド導体２３２は、積層方向に視て信号導体２２に重なるように配置されており、信号導体２２よりも幅広の導体である。しかしながら、グランド導体２３２は、積層体２１の幅方向の全体に広がる形状であることが好ましい。

　なお、グランド導体２３２は、接続部ＲｅＪの部分と回路部の部分とで分離されていてもよい。しかしながら、接続部ＲｅＪと回路部とでグランド導体２３２が繋がっていることによって、後述する複数の開口穴２９１および複数の開口穴２９２を有していても、グランド特性を安定させることができる。

　また、グランド導体２３２およびグランド導体２３１が面状導体であり、信号導体２２よりも幅が広いことで、後述する複数の開口穴２９１および複数の開口穴２９２を有していても、特性インピーダンスの変化を抑制でき、外部環境に対する電磁シールド性を高めることができる。特に、本願発明のように、平面視して、グランド導体２３２およびグランド導体２３１が信号導体２２に重なり、挟みこむ構成であることによって、外部環境に対する電磁シールド性を高めることができる。さらに、本発明のように、グランド導体２３２が信号導体２２に重なり、積層体２１の略全幅に亘って存在することで、複数の開口穴２９１および複数の開口穴２９２を有していても、特性インピーダンスの変化をさらに効果的に抑制でき、外部環境に対する電磁シールド性をさらに高めることができる。

　信号導体２２、グランド導体２３１、グランド導体２３２、および、実装導体２４１は、例えば、銅箔等によって実現される。

　層間接続導体２５１および層間接続導体２５２は、積層体２１の接続部ＲｅＪに形成されている。

　層間接続導体２５１は、平面視において、信号導体２２と実装導体２４１とに重なる位置に配置されている。層間接続導体２５１は、信号導体２２と実装導体２４１とを接続する。

　層間接続導体２５２は、平面視において、信号導体２２と重ならず、グランド導体２３１とグランド導体２３２とに重なる位置に配置されている。層間接続導体２５２は、グランド導体２３１とグランド導体２３２とを接続する。なお、層間接続導体２５２は、複数配置されている。

　層間接続導体２５１、層間接続導体２５２は、例えば、導電性ペーストを固化することによって形成される。

　なお、図示を省略しているが、層間接続導体２５２と同様の層間接続導体は、回路部にも、所定のパターンで形成されている。

　保護膜２６１は、積層体２１の主面２１１側に配置されている。保護膜２６１は、所謂レジスト膜等であり、絶縁性を有する。保護膜２６１は、グランド導体２３１における接続部ＲｅＪの領域の一部を外部に露出する開口を有する。また、保護膜２６１は、実装導体２４１を部分的に外部に露出する開口を有する。これらの開口が、基板３０への接続に利用される。

　これにより、回路基板２０は、実装導体２４１の露出部とグランド導体２３１の接続部ＲｅＪでの露出部を外部接続端子とした、トリプレートのストリップ線路型の伝送線路を実現する。

　（基板３０の構成）
　基板３０は、絶縁性の基材３１、信号用ランド導体３２、グランド用ランド導体３３、保護膜３４を備える。基材３１は、主面３１１と主面３１２とを有する。基材３１は、例えば、ＦＲ４等の樹脂基板によって実現される。

　信号用ランド導体３２、および、グランド用ランド導体３３は、主面３１１に配置されている。信号用ランド導体３２、および、グランド用ランド導体３３は、例えば、銅箔等によって実現される。

　保護膜３４は、基材３１の主面３１１側に配置されている。保護膜３４は、所謂レジスト膜等であり、絶縁性を有する。保護膜３４は、信号用ランド導体３２、および、グランド用ランド導体３３の一部を外部に露出する開口を有する。これらの開口が、回路基板２０への接続に利用される。

　（回路基板２０と基板３０との接続構造）
　平面視において、回路基板２０の接続部ＲｅＪは、基板３０に重なっている。より具体的には、実装導体２４１の露出部と信号用ランド導体３２の露出部とは重なっている。グランド導体２３１の接続部ＲｅＪでの露出部と、グランド用ランド導体３３の露出部とは、重なっている。そして、実装導体２４１と信号用ランド導体３２とは、導電性接合材４１によって接続される。グランド導体２３１とグランド用ランド導体３３とは、導電性接合材４２によって接続される。なお、導電性接合材４１および導電性接合材４２は、例えば、はんだである。

　この導電性接合材４１および導電性接合材４２による接続は、回路基板２０の接続部ＲｅＪと基板３０との重なる部分に対する加熱および加圧によって実現される。

　（回路基板２０と基板３０との接続構造の製造方法）
　上述の構成は、次のような製造方法によって実現される。まず、図２（Ａ）に示すように、グランド導体２３１が形成された絶縁体層２０１、信号導体２２が形成された絶縁体層２０２、グランド導体２３２が形成された絶縁体層２０３を積層する。絶縁体層２０１、および、絶縁体層２０２には、層間接続導体２５１用の貫通孔が形成されており、導電性ペーストが充填されている。また、絶縁体層２０１、絶縁体層２０２、および、絶縁体層２０３には、層間接続導体２５２用の貫通孔が形成されており、導電性ペーストが充填されている。

　次に、絶縁体層２０１、絶縁体層２０２、絶縁体層２０３が積層された部材を、加熱圧着し、積層体２１を形成する。この際、導電性ペーストは固化し、層間接続導体２５１および層間接続導体２５２が形成される。そして、積層体２１の主面２１１側に、保護膜２６１が形成されることによって、図２（Ｂ）に示すように、回路基板２０は形成される。

　次に、基板３０の信号用ランド導体３２の露出部、および、グランド用ランド導体３３の露出部に、はんだ等の導電性接合材を配置する。

　次に、図２（Ｃ）に示すように、回路基板２０の接続部ＲｅＪと基板３０とを重ね合わせる。この際、回路基板２０は、主面２１１が基板３０に対向するように配置される。そして、回路基板２０（積層体２１）の主面２１２側から、ヒータバー９０によって、回路基板２０の接続部ＲｅＪを基板３０に対して、加熱圧着する。この際、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）に示すように、ヒータバー９０は、接続部ＲｅＪの略全面に接するように、少なくとも、平面視において、導電性接合材に重なる位置を含むように回路基板２０の主面２１２側から押し込まれる。

　これにより、導電性接合材は固化して、回路基板２０と基板３０とは接続される。

　（グランド導体のより具体的な構成）
　グランド導体２３２には、複数の開口穴２９１、および、複数の開口穴２９２を有する。開口穴２９１が、本発明の「第１開口穴」に対応し、開口穴２９２が、本発明の「第２開口穴」に対応する。複数の開口穴２９１および複数の開口穴２９２は、グランド導体２３２における導体の非形成部によって実現される。

　複数の開口穴２９１は、グランド導体２３２における回路部の領域に配置されている。複数の開口穴２９２は、グランド導体２３２における接続部ＲｅＪの領域に配置されている。グランド導体２３２における回路部の領域が本発明の「第１領域」に対応し、グランド導体２３２における接続部ＲｅＪの領域が本発明の「第２領域」に対応する。

　開口穴２９２の開口面積は、開口穴２９１の開口面積よりも大きい。接続部ＲｅＪの領域における複数の開口穴２９２によるグランド導体２３２に対する開口面積（接続部の開口面積）は、回路部の領域における複数の開口穴２９１によるグランド導体２３２の開口面積（回路部の開口面積）よりも大きい。より具体的には、グランド導体２３２の第２領域の面積に対する複数の開口穴２９２の開口面積の合計面積の比は、グランド導体２３２の第１領域の面積に対する複数の開口穴２９１の開口面積の合計面積の比よりも大きい。なお、接続部の開口面積は、回路部の開口面積と同程度であってもよいが、大きい方が好ましい。

　このような開口穴２９１および開口穴２９２を有することによって、回路基板２０の積層体２１の形成時、すなわち、加熱圧着時に、積層体２１を構成する複数の絶縁層から発生するガスを、積層体２１の外部に逃がすことができる。これにより、積層体２１の意図しない変形を抑制できる。また、信号導体２２、グランド導体２３１およびグランド導体２３２と、積層体２１との間、すなわち回路基板２０に存在する各界面での剥離を抑制できる。

　さらに、上述のように、回路基板２０を基板３０へ接続する際、主として接続部ＲｅＪが加熱および加圧され、回路部へは、殆ど加熱および加圧されない。したがって、接続部ＲｅＪは、回路部よりも大きな熱および圧力を受けることになる。しかしながら、接続部の開口面積が回路部の開口面積よりも大きいことにより、接続部ＲｅＪが回路部よりも大きな（多くの）熱および圧力を受けても、開口面積の大きさに応じて、接続部ＲｅＪは、適切なガス抜きを実現できる。これにより、接続部ＲｅＪにおいて、積層体２１の意図しない変形を抑制でき、回路基板２０に存在する各界面での剥離を抑制できる。

　また、上述の構成では、回路部において、複数の開口穴２９１の開口面積は、接続部ＲｅＪに配置された複数の開口穴２９２の開口面積よりも小さい。より具体的には、個々の開口穴２９１の開口面積は、個々の開口穴２９２の面積よりも小さい。これにより、上述の作用効果とともに、積層体２１の回路部における特性インピーダンスの変化を抑制し、電磁シールド性を高めることができる。また、複数の開口穴２９１が周期的に配置されることによって、局所的な特性インピーダンスの変化、電磁シールド性の低下を抑制できる。

　また、回路部は、接続部ＲｅＪに対して、回路基板に示す割合が大きいことが多い。したがって、回路基板２０としても、上述の作用効果が得られるとともに、特性インピーダンスの変化を抑制し、電磁シールド性を高めることができる。すなわち、この構成では、特性インピーダンスの変化を抑制し、電磁シールド性を高めながら、回路部よりも意図しない変形や界面の剥離が生じ易い接続部ＲｅＪに対して、意図しない変形や界面の剥離を抑制できる。

　また、上述の構成では、複数の開口穴２９２を分散して備える構成を採用している。したがって、より大きな開口穴を１個または少数備える場合よりも、特性インピーダンスの局所的な不連続や、電磁シールド性の劣化を抑制できる。また、ヒータバー９０が接触しない領域が一部に集中することを避けられるため、接続部ＲｅＪを全体的に均一に加熱、加圧することができる。

　また、接続部ＲｅＪには、層間接続導体２５１および層間接続導体２５２が存在する。層間接続導体２５１および層間接続導体２５２は、上述のように、導電性ペーストを加熱によって固化することによって実現される。この際、導電性ペーストから多くのガスが発生する。例えば、導電性ペーストに含まれる樹脂の固化、導電性ペーストを構成するＣｕ－Ｓｎ合金の反応時に、ガスが発生する。しかしながら、接続部の開口面積が大きいことにより、導電性ペースから発生するガスを、接続部ＲｅＪの開口穴２９２から外部に、効果的に放出できる。すなわち、層間接続導体２５１および層間接続導体２５２を有していても、接続部ＲｅＪは、適切なガス抜きを実現できる。これにより、接続部ＲｅＪにおいて、積層体２１の意図しない変形を抑制でき、回路基板２０に存在する各界面での剥離を抑制できる。

　また、本実施形態の構成では、平面視において、層間接続導体２５１および層間接続導体２５２と、複数の開口穴２９２との位置は、異なる。すなわち、層間接続導体２５１および層間接続導体２５２の位置には、グランド導体２３２が配置される。したがって、ヒータバー９０からの熱を、層間接続導体２５１および層間接続導体２５２の固化に利用できる、この熱を効果的に伝達できる。これにより、層間接続導体２５１および層間接続導体２５２の固化をより確実に実現できる。よって、層間接続導体２５１および層間接続導体２５２の信頼性、ひいては、回路基板２０の信頼性は向上する。

　さらに、この構成では、平面視して、層間接続導体２５１と導電性接合材４１とが重なっており、層間接続導体２５２と導電性接合材４２とが重なっている。そして、これらは、グランド導体２３２に重なり、複数の開口穴２９２には重ならない。したがって、ヒータバー９０からの熱を、導電性接合材４１および導電性接合材４２に、効果的に伝達できる。これにより、導電性接合材４１および導電性接合材４２の固化をより確実に実現できる。よって、導電性接合材４１および導電性接合材４２の信頼性、すなわち、回路基板２０と基板３０との接続信頼性は、向上する。

　なお、本実施形態の態様では、層間接続導体２５１、層間接続導体２５２、導電性接合材４１および導電性接合材４２と、複数の開口穴２９２とが、完全に重ならない。しかしながら、層間接続導体２５１、層間接続導体２５２、導電性接合材４１および導電性接合材４２と、複数の開口穴２９２とは、部分的に重なってもよい。ただし、上述の熱伝達の効率を考慮すると、層間接続導体２５１、層間接続導体２５２、導電性接合材４１および導電性接合材４２と、複数の開口穴２９２とは、完全に重ならないことが好ましい。

　なお、開口穴２９２の開口面積は、例えば、図３に示すように、回路基板２０と基板３０との接続後において、積層体２１が開口穴２９２から盛り上がっても、グランド導体２３２の外面２３２０上にはみ出さない程度であることが好ましい。すなわち、開口穴２９２の開口面積は、回路基板２０と基板３０との接続後の状態において、積層体２１の露出面がグランド導体２３２の外面２３２０よりも突出しない程度であればよい。これにより、グランド導体２３２と信号導体２２との間が、不必要に短くなることを抑制できる。したがって、回路基板２０で伝送する高周波信号に対する特性インピーダンスの不必要な変化は、抑制される。

　また、上述の説明では、開口穴２９２および開口穴２９１の平面形状は円形であるが、円形に限るものではない。すなわち、それぞれが上述の機能を有する開口面積を有していれば、開口穴２９２および開口穴２９１の平面形状は、他の形状であってもよい。

　（第１の実施形態の変形例）
　本発明の第１の実施形態の変形例に係る基板接合構造について、図を参照して説明する。図４は、第１の実施形態の変形例に係る回路基板２０の接続部の平面図である。

　図４に示すように、第１の実施形態の変形例に係る回路基板２５は第１の実施形態に係る回路基板２０に対して、平面視において信号導体２２と開口穴２９１、開口穴２９２が重ならない点で異なる。回路基板２５の他の構成は、回路基板２０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　グランド導体２３２には、複数の開口穴２９１、および、複数の開口穴２９２を有する。開口穴２９１は、グランド導体２３２における回路部の領域に周期的に配置されている。開口穴２９１は、平面視において信号導体２２に重ならない。また、開口穴２９２は、グランド導体２３２における接続部ＲｅＪの領域に周期的に配置されている。開口穴２９２は、平面視において信号導体２２に重ならない。

　この構成では、信号導体２２を避けて開口穴２９１、開口穴２９２が形成されているため、第１の実施形態における作用効果とともに、信号導体２２に対する電磁シールド性の低下を抑制できる。

　（第２の実施形態）
　本発明の第２の実施形態に係る基板接合構造について、図を参照して説明する。図５は、第２の実施形態に係る回路基板２０Ａの接続部の平面図である。

　図５に示すように、第２の実施形態に係る回路基板２０Ａは、第１の実施形態に係る回路基板２０に対して、スリット開口２９３を有する点で異なる。回路基板２０Ａの他の構成は、回路基板２０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　スリット開口２９３は、グランド導体２３２における接続部ＲｅＪの領域に配置される。スリット開口２９３は、部分的な枠状であり、グランド導体２３２における導体の非形成部によって実現される。

　スリット開口２９３は、平面視において、複数の開口穴２９２が形成される領域、および、層間接続導体２５１および層間接続導体２５２が形成される領域に配置される。言い換えれば、上述のヒータバー９０が接触する領域の略全域を内側に含むように配置される。

　これにより、ヒータバー９０からの熱は、グランド導体２３２におけるスリット開口２９３に囲まれる領域から、その外方へ漏洩し難くなる。したがって、ヒータバー９０の熱は、効果的に接続部ＲｅＪの内部に伝達される。この結果、上述のような、導電性接合材４１、導電性接合材４２、層間接続導体２５１および、層間接続導体２５２の固化を効果的に実現できる。また、接続部ＲｅＪの側端部付近での不必要な積層体２１の流動は抑制される。

　なお、スリット開口２９３は、全周に亘って連続する形状であってもよいが、部分的に不連続な箇所を有することが好ましい。これにより、接続部ＲｅＪでのグランドが安定する。また、スリット開口２９３の内側領域の面積は、ヒータバー９０の接触面の面積よりも大きいことが好ましい。これにより、ヒータバー９０の接触位置に誤差が生じても、スリット開口２９３の内部のみに接触し易い。

　（第３の実施形態）
　本発明の第３の実施形態に係る基板接合構造について、図を参照して説明する。図６は、第３の実施形態に係る回路基板２０Ｂの接続部ＲｅＪの平面図である。

　図６に示すように、第３の実施形態に係る回路基板２０Ｂは、第２の実施形態に係る回路基板２０Ａに対して、保護膜２６２を備える点で異なる。回路基板２０Ｂの他の構成は、回路基板２０Ａと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　保護膜２６２は、保護膜２６１と同様に、所謂レジスト膜等である。保護膜２６２は、積層体２１の主面２１２側に配置されている。

　保護膜２６２は、接続部ＲｅＪと回路部との両方に跨がって配置されている。保護膜２６２は、回路部においては、グランド導体２３２の全面を覆っている。

　保護膜２６２は、接続部ＲｅＪにおいては、保護膜用開口２６２０を有している。保護膜２６２は、保護膜用開口２６２０を除き、グランド導体２３２の全面を覆っている。

　平面視において、保護膜用開口２６２０は、スリット開口２９３の内側領域に配置される。さらに、平面視において、保護膜用開口２６２０は、層間接続導体２５１、層間接続導体２５２、導電性接合材４１および導電性接合材４２に重なっている。

　このような構成によって、回路基板２０Ｂは、回路部と接続部ＲｅＪの一部とにおいて、グランド導体２３２を外部環境から保護できる。そして、ヒータバー９０による加熱加圧の際に、ヒータバー９０をグランド導体２３２に直接接触させることができる。特に、保護膜用開口２６２０の形状をヒータバー９０の接触面の形状よりも大きくすることで、ヒータバー９０をグランド導体２３２に、より確実に接触させることができる。

　さらに、本実施形態の構成では、スリット開口２９３は、保護膜２６２と重なっている。すなわち、スリット開口２９３には、保護膜２６２が埋まり込んでいる。これにより、ヒータバー９０による加熱加圧時における積層体２１のスリット開口２９３からの流出を抑制できる。したがって、グランド導体２３２と信号導体２２との距離が短くなることを抑制でき、所望の特性インピーダンスを、より確実に実現できる。

　（第４の実施形態）
　本発明の第４の実施形態に係る基板接合構造について、図を参照して説明する。図７は、第４の実施形態に係る回路基板の接続構造１０Ｃの概略構成を示す側面断面図である。

　図７に示すように、第４の実施形態に係る回路基板の接続構造１０Ｃは、第１の実施形態に係る回路基板の接続構造１０に対して、基板３０が回路基板２０に置き換わった点で異なる。回路基板の接続構造１０Ｃの他の構成は、回路基板の接続構造１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　回路基板の接続構造１０Ｃでは、２個の回路基板２０を接続して実現される。より具体的には、一方の回路基板２０の接続部ＲｅＪと他方の回路基板２０の接続部ＲｅＪとを対向させ、導電性接合材４１および導電性接合材４２によって接続する。

　このように、接続される基板がともに、熱可塑性の積層体２１を用いる構成であっても、上述のような、開口穴２９２を備えることによって、接続部ＲｅＪに対する上述の各種の作用効果を奏することができる。

　なお、上述の説明では、グランド導体２３２は、積層体２１の主面２１２に形成されている態様を示した。しかしながら、グランド導体２３２は、積層体２１の内部に配置されている他の導体よりも主面２１２に近い位置に配置されていれば、主面２１２よりも積層体２１の内側の層に配置されていてもよい。また、上述の説明では、面状導体としてグランド導体を例に示した。しかしながら、接続部ＲｅＪにおいて、積層体２１の内部に配置されている他の導体よりも主面２１２に近い位置に配置された導体が、面状導体であれば、上述の構成を適用することができる。

　また、上述の各実施形態の構成は、適宜組み合わせることが可能であり、それぞれの組合せに応じた作用効果を奏することができる。

１０、１０Ｃ：回路基板の接続構造
２０、２０Ａ、２０Ｂ、２５：回路基板
２１：積層体
２２：信号導体
３０：基板
３１：基材
３２：信号用ランド導体
３３：グランド用ランド導体
３４：保護膜
４１、４２：導電性接合材
９０：ヒータバー
２０１、２０２、２０３：絶縁体層
２１１、２１２：主面
２３１、２３２：グランド導体
２４１：実装導体
２５１、２５２：層間接続導体
２６１、２６２：保護膜
２９１、２９２：開口穴
２９３：スリット開口
３１１、３１２：主面
２３２０：外面
２６２０：保護膜用開口

Claims (16)

1. 　熱可塑性の樹脂層を積層してなり、積層方向の一方端に第１主面を有し、他方端に第２主面を有する積層体と、
   　前記第１主面に形成された実装導体と、
   　前記実装導体および前記積層体に形成される他の導体よりも前記第２主面側に形成された面状導体と、
   　を備え、
   　前記積層体は、
   　　前記実装導体を用いて導電性接合材によって外部の基板に接合される接続部と、
   　　前記接続部以外の回路部と、を備え、
   　前記面状導体における前記回路部の領域である第１領域には、第１開口穴を有し、
   　前記面状導体における前記接続部の領域である第２領域には、第２開口穴を有し、
   　前記第２領域の面積に対する前記第２開口穴による開口面積の比は、前記第１領域の面積に対する前記第１開口穴による開口面積の比よりも大きい、
   　回路基板。
2. 　前記積層体は、複数の前記第２開口穴を有する、
   　請求項１に記載の回路基板。
3. 　前記積層体は、複数の前記第１開口穴を有し、
   　複数の前記第２開口穴のうち最も開口面積が小さい前記第２開口穴の開口面積は、複数の前記第１開口穴のうち最も開口面積が大きい前記第１開口穴の開口面積よりも大きい、
   　請求項２に記載の回路基板。
4. 　複数の前記第１開口穴は、周期的に配置されている、
   　請求項３に記載の回路基板。
5. 　前記積層体は、複数の前記第１開口穴を有し、
   　複数の前記第１開口穴は、周期的に配置されている、
   　請求項１または請求項２に記載の回路基板。
6. 　前記積層体の内部には、前記実装導体に接続し、導電性ペーストを固化することによって形成される層間接続導体を備える、
   　請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の回路基板。
7. 　前記積層方向に視て、前記第２開口穴と前記層間接続導体とは異なる位置に配置されている、
   　請求項６に記載の回路基板。
8. 　前記面状導体は、前記積層方向に視て、前記接続部の領域において前記層間接続導体の形成領域の外側に、スリット状の開口を有する、
   　請求項６または請求項７に記載の回路基板。
9. 　前記積層体の前記第２主面に、絶縁性の保護膜を備え、
   　前記保護膜は、前記面状導体における前記接続部の領域において、その中央領域を開口する保護膜用開口を有する、
   　請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の回路基板。
10. 　前記面状導体は、前記接続部から前記回路部まで繋がっている、
    　請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の回路基板。
11. 　前記面状導体は、グランド導体である、
    　請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の回路基板。
12. 　前記積層体の内部には、前記積層方向の途中位置に、信号導体を備え、
    　前記信号導体と前記グランド導体とによって、伝送線路が形成されている、
    　請求項１１に記載の回路基板。
13. 　前記グランド導体の幅は、前記信号導体の幅よりも大きい、
    　請求項１２に記載の回路基板。
14. 　請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載の回路基板と、
    　前記外部の基板と、を備え、
    　前記導電性接合材によって、前記回路基板と前記外部の基板とを接続する、
    　回路基板の接続構造。
15. 　前記外部の基板は、前記回路基板と同様の構成を備える、
    　請求項１３に記載の回路基板の接続構造。
16. 　請求項１４または請求項１５に記載の基板の接続構造の製造方法であって、
    　前記外部の基板に対して、前記導電性接合材を配置し、
    　前記積層体の前記接続部を、前記外部の基板に対して前記第１主面を対向させて配置し、
    　前記面状導体における前記接続部の領域に、ヒータバーを当接させながら、前記回路基板を、前記外部の基板に対して、加熱圧着させる、
    　回路基板の接続構造の製造方法。

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