CN215453373U - 树脂多层基板以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种树脂多层基板以及电子设备。树脂多层基板(101)具备：层叠体(30A)，层叠树脂层(11a、12a、13a)以及粘接层(21a、22a、23a)而形成；过孔导体(V1、V2、V3、V4、V11、V12、V13)，形成于树脂层；和接合部(61、62、71、72)，形成于粘接层。接合部与至少一个过孔导体连接，并具有导电性。树脂层以及粘接层中的任一者是气体透过性比另一者高的气体高透过层，另一者是气体透过性比一者低的气体低透过层。接合部包含有机物或者每单位平截面积的空隙率比过孔导体高。接合部(61、62、71、72)的至少一部分与气体高透过层(树脂层(11a、12a、13a))相接。

Description

树脂多层基板以及电子设备

技术领域

本实用新型涉及将不同种类的树脂层层叠而形成的树脂多层基板以及具备该树脂多层基板的电子设备。

背景技术

以往，已知有如下的树脂多层基板，即，具备：层叠体，将由相互不同的材料构成的多种树脂层层叠而形成；以及过孔导体，形成于该层叠体。

例如，在专利文献1公开了如下构造的树脂多层基板，即，具备：层叠体，在多个树脂层之间隔着粘接层；过孔导体(镀敷过孔)，形成于树脂层；和接合部(例如，包含低熔点金属材料和树脂材料的导电性接合材料)，与上述过孔导体接合。根据该结构，由于使用作为镀敷过孔的过孔导体，所以与(不使用过孔导体)仅使用接合部在树脂多层基板形成电路的情况相比，能够降低电路的导体损耗。此外，根据上述结构，由于能够使用作为低熔点金属材料的接合部将过孔导体连接于其它导体(例如，平面导体、其它过孔导体)，所以能够在树脂多层基板形成更复杂的电路。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-54934号公报

实用新型内容

实用新型要解决的课题

由于树脂层以及接合部包含树脂，所以若受到给定的温度以上的热，则其一部分会被热分解而产生CO₂等气体以及水分。若这样的气体以及水分残留在层叠体中，则在对树脂多层基板进行了加热时(例如，层叠体的形成时、安装时的回流焊工序时、使用了热压机等的安装时、或者伴随着加热的弯曲加工时等)，气体(上述气体、以及由上述水分产生的气体) 膨胀而容易产生层间剥离(分层)、与上述层间剥离相伴的接合部和其它导体的连接不良等。因此，在树脂多层基板的制造时等向层叠体外排出上述气体变得重要。

但是，在树脂层或粘接层的任一者的气体透过性低的情况下，难以将在树脂多层基板的加热时产生的气体高效地排出到外部。特别是，与作为镀敷过孔的过孔导体相比，包含树脂材料的接合部在上述加热时产生的气体的量多，因此在形成接合部的粘接层的气体透过性低的情况下，容易产生层间剥离。

本实用新型的目的在于，提供如下的树脂多层基板以及具备该树脂多层基板的电子设备，即，在具备层叠体和形成于该层叠体的过孔导体以及接合部的结构中，通过使进行了加热时在层叠体产生的气体或者残留在层叠体中的气体容易排出到外部，从而抑制了层间剥离等的产生。

用于解决课题的技术方案

本实用新型的树脂多层基板的特征在于，具备：

层叠体，层叠树脂层以及粘接层而形成；

过孔导体，形成于所述树脂层；以及

接合部，形成于所述粘接层，且与至少一个所述过孔导体连接，并具有导电性，

所述树脂层以及所述粘接层中的任一者是气体透过性比另一者高的气体高透过层，另一者是气体透过性比一者低的气体低透过层，

所述接合部是包含有机物或者每单位平截面积的空隙率比所述过孔导体高的部分，并且至少一部分与所述气体高透过层相接。

根据该结构，由于树脂层以及粘接层中的任一者是气体透过性比另一者高的气体高透过层，所以与仅层叠树脂层以及粘接层之中气体透过性低的另一者(气体低透过层)而形成的层叠体相比，容易将进行了加热时在层叠体中产生的气体或者残留在层叠体中的气体排出到外部。

此外，根据该结构，由于进行了加热时产生的气体量比过孔导体多的接合部与气体高透过层接触，所以能够将进行了加热时在层叠体中产生的气体或者残留在层叠体中的气体高效地排出到外部。因此，可抑制进行了加热时的树脂多层基板的层间剥离。

本实用新型的电子设备的特征在于，

具备树脂多层基板和其它构件，

所述树脂多层基板具有：

层叠体，层叠树脂层以及粘接层而形成；

过孔导体，形成于所述树脂层；以及

接合部，形成于所述粘接层，且与至少一个所述过孔导体连接，并具有导电性，

所述树脂层以及所述粘接层中的任一者是气体透过性比另一者高的气体高透过层，另一者是气体透过性比一者低的气体低透过层，

所述接合部是包含有机物或者每单位平截面积的空隙率比所述过孔导体高的部分，并且至少一部分与所述气体高透过层相接，

所述树脂多层基板经由导电性接合材料与所述其它构件接合。

根据该结构，能够实现具备抑制了进行了加热时的层间剥离的树脂多层基板的电子设备。此外，根据该结构，即使在进行了加热时也可确保层叠体表面的平坦性，因此可抑制树脂多层基板相对于其它构件的安装不良、其它构件相对于树脂多层基板的安装不良。

实用新型效果

根据本实用新型，能够实现如下的树脂多层基板以及具备该树脂多层基板的电子设备，即，在具备层叠体和形成于该层叠体的过孔导体以及接合部的结构中，通过使进行了加热时在层叠体产生的气体或者残留在层叠体中的气体容易排出到外部，从而抑制了层间剥离等的产生。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的树脂多层基板101的外观立体图。

图2是树脂多层基板101的分解俯视图。

图3(A)是树脂多层基板101的剖视图，图3(B)是图1中的A- A剖视图。

图4(A)是示出过孔导体与接合部的界面附近的Z轴方向上的碳含有率的图，图4(B)是示出过孔导体与接合部的界面附近的Z轴方向上的每单位平截面积的空隙率的图。

图5是示出第1实施方式涉及的电子设备301的主要部分的剖视图。

图6是依次示出了在加热压制前的树脂层11a以及粘接层21a形成接地导体51、过孔导体V11以及接合部71P的工序的剖视图。

图7是依次示出树脂多层基板101的制造工序的剖视图。

图8是示出第1实施方式涉及的电子设备302的主要部分的主视图。

图9是依次示出树脂多层基板101的弯曲加工的主视图。

图10是第2实施方式涉及的树脂多层基板102的剖视图。

图11是第3实施方式涉及的树脂多层基板103的剖视图。

图12(A)、图12(B)是第4实施方式涉及的树脂多层基板104、 104D的部分放大剖视图。

图13是第4实施方式涉及的树脂多层基板104的另一个部分放大剖视图。

图14是第5实施方式涉及的树脂多层基板105的部分放大剖视图。

图15是第6实施方式涉及的树脂多层基板106的部分放大剖视图。

具体实施方式

以下，参照图并列举几个具体的例子，示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中，对相同的部位标注相同的附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，方便起见，将实施方式分开示出，但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。

《第1实施方式》

图1是第1实施方式涉及的树脂多层基板101的外观立体图。图2是树脂多层基板101的分解俯视图。图3(A)是图1中的A-A剖视图，图3(B)是图1中的B-B剖视图。另外，在图2中，为了使构造容易理解，用点阵图案示出了信号导体40。

像在后面详细叙述的那样，树脂多层基板101例如是安装在电路基板上的表面安装部件。树脂多层基板101具有第1连接部CN1、第2连接部CN2以及线路部SL。第1连接部CN1、线路部SL以及第2连接部CN2 在+X方向上依次配置。在第1连接部CN1，在图1所示的下表面(第1 主面VS1)露出了安装电极P1以及接地电极PG1，在第2连接部CN2，在图1所示的下表面露出了安装电极P2以及接地电极PG2。在线路部SL，像在后面详细叙述的那样，构成了将第1连接部CN1与第2连接部CN2 之间相连的传输线路。

树脂多层基板101具备层叠体30A、信号导体40、安装电极P1、P2、接地电极PG1、PG2、接地导体51、52、53、过孔导体V1、V2、V3、V4、 V11、V12、V13、接合部61、62、71、72、保护层1、2等。

层叠体30A是长边方向与X轴方向一致的大致矩形的平板。层叠体 30A具有相互对置的第1主面VS1以及第2主面VS2、和与第1主面VS1 以及第2主面VS2邻接的侧面SS。第1主面VS1以及第2主面VS2是与层叠方向(Z轴方向)正交的面。在层叠体30A的第1主面VS1，形成有保护层1、接地导体51以及安装电极P1、P2。在层叠体30A的第2主面 VS2，形成有保护层2以及接地导体53。此外，在层叠体30A的内部，形成有信号导体40、接地导体52、过孔导体V1、V2、V3、V4、V11、V12、 V13以及接合部61、62、71、72。

层叠体30A将树脂层11a、12a、13a以及粘接层21a、22a、23a层叠而形成。具体地，层叠体30A将树脂层11a、粘接层21a、22a、树脂层12a、粘接层23a以及树脂层13a依次层叠而形成。

树脂层11a、12a、13a以及粘接层21a、22a、23a均为长边方向与X 轴方向一致的大致矩形的平板，由热塑性树脂构成。树脂层11a、12a、13a 例如是以诸如全氟烷氧基烷烃(PFA)、聚四氟乙烯(PTFE)等氟树脂为主成分的树脂片。粘接层21a、22a、23a例如是以液晶聚合物(LCP)或聚醚醚酮(PEEK)为主成分的树脂片。

本实施方式涉及的树脂层11a、12a、13a的气体透过性比粘接层21a、 22a、23a高。在本实施方式中，树脂层11a、12a、13a相当于本实用新型中的“气体高透过层”，粘接层21a、22a、23a相当于本实用新型中的“气体低透过层”。另外，所谓“物质B的气体透过性比物质A高”，例如是指“物质B的气体透过系数比物质A高”。此时，所谓气体透过系数，例如可使用在JIS标准中规定的差压法(JIS K 7126-1)、等压法(JIS K 7126-2)等进行测定。

在树脂层11a的背面，形成有安装电极P1、P2以及接地导体51。安装电极P1是配置在树脂层11a的第1端(图2中的树脂层11a的左端) 附近的矩形的导体图案。安装电极P2是配置在树脂层11a的第2端(图2 中的树脂层11a的右端)附近的矩形的导体图案。接地导体51是形成在树脂层11a的大致整个面的平面状的导体图案。安装电极P1、P2以及接地导体51例如是Cu箔等的导体图案。在树脂层11a的表面，粘合有与树脂层11a大致相同的形状的粘接层21a。

此外，在树脂层11a形成有过孔导体V1、V4以及多个过孔导体V11。过孔导体V1配置在树脂层11a的第1端附近，过孔导体V4配置在树脂层11a的第2端附近。多个过孔导体V11分别在传输方向(X轴方向)上排列。过孔导体V1、V4、V11例如是在设置于树脂层11a以及粘接层21a 的贯通孔通过镀敷处理形成的Cu等的通孔镀敷或者填充过孔镀敷。

在树脂层12a的表面形成有信号导体40以及接地导体52。信号导体 40是在传输方向(X轴方向)上延伸的线状的导体图案。接地导体52是形成在树脂层12a的大致整个面的平面状的导体图案。信号导体40以及接地导体52例如是Cu箔等的导体图案。在树脂层12a的背面，粘合有与树脂层12a大致相同的形状的粘接层22a。

此外，在树脂层12a形成有过孔导体V2、V3以及多个过孔导体V12。过孔导体V2配置在树脂层12a的第1端(图2中的树脂层12a的左端) 附近，过孔导体V3配置在树脂层12a的第2端(图2中的树脂层12a的右端)附近。多个过孔导体V12分别在传输方向(X轴方向)上排列。过孔导体V12例如是在设置于树脂层12a以及粘接层22a的贯通孔通过镀敷处理形成的Cu等的通孔镀敷或者填充过孔镀敷。

进而，如图3(A)以及图3(B)所示，在粘接层21a、22a形成有接合部61、62以及多个接合部71。接合部61与过孔导体V1、V2连接，接合部62与过孔导体V3、V4连接。接合部71与过孔导体V11、V12连接。接合部61、62、71例如是包含Cu、Sn等金属材料和树脂材料的低熔点的导电性接合材料。

在树脂层13a的表面形成有接地导体53。接地导体53是形成在树脂层13a的大致整个面的平面状的导体图案。接地导体53例如是Cu箔等的导体图案。在树脂层13a的背面，粘合有与树脂层13a大致相同的形状的粘接层23a。

此外，在树脂层13a形成有多个过孔导体V13。多个过孔导体V13分别在传输方向(X轴方向)上排列。过孔导体V13例如是在设置于树脂层 13a以及粘接层23a的贯通孔通过镀敷处理形成的Cu等的通孔镀敷或者填充过孔镀敷。

进而，如图3(A)以及图3(B)所示，在粘接层23a形成有多个接合部72。接合部72分别与接地导体52和过孔导体V13连接。接合部72 例如是包含Cu、Sn等金属材料和树脂材料的低熔点的导电性接合材料。

保护层1是层叠在树脂层11a的背面的保护层，平面形状与树脂层11a 大致相同。保护层2是形成在树脂层13a的表面的保护层，平面形状与树脂层13a大致相同。保护层1、2的气体透过性比树脂层11a、12a、13a(气体高透过层)低。保护层1、2例如是聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的覆盖膜，或者是例如以环氧树脂(EP)为主成分的阻焊膜。

如图2所示，保护层1具有开口OP1、OP2以及多个开口OP10、OP20。开口OP1形成在与安装电极P1的位置相应的位置，开口OP2形成在与安装电极P2的位置相应的位置。因此，即使在树脂层11a的背面形成了保护层1的情况下，安装电极P1也从开口OP1露出在外部，安装电极P2 也从开口OP2露出在外部。此外，多个开口OP10、OP20形成在与接地导体51的位置相应的位置。因此，即使在树脂层11a的背面形成了保护层1 的情况下，接地导体51的一部分也从开口OP10、OP20露出在外部。在本实施方式中，从多个开口OP10露出的接地导体51的一部分是接地电极 PG1，从多个开口OP20露出的接地导体51的一部分是接地电极PG2。

如图3(A)等所示，安装电极P1经由过孔导体V1、V2以及接合部 61与信号导体40的一端连接。信号导体40的另一端经由过孔导体V3、 V4以及接合部62与安装电极P2连接。像这样，安装电极P1、P2相互电导通。如图3(B)等所示，接地导体51(接地电极PG1、PG2)经由过孔导体V11、V12以及接合部71与接地导体52连接。接地导体52经由过孔导体V13以及接合部72与接地导体53连接。

在本实施方式中，构成了如下的带状线构造的传输线路，即，包含信号导体40、接地导体51、53、被信号导体40和接地导体51夹着的树脂层11a、12a以及粘接层21a、22a、被信号导体40和接地导体53夹着的树脂层13a以及粘接层23a。

在接合部61、62、71、72各自中，至少一部分与气体高透过层相接。具体地，如图3(A)以及图3(B)所示，接合部61、62、71的至少一部分与树脂层11a、12a(气体高透过层)相接。此外，接合部72的至少一部分与树脂层13a(气体高透过层)相接。

另外，在本实施方式中，接合部61、62、71、72是包含金属材料和树脂材料的导电性接合材料，包含有机物(碳)。接合部61、62、71、72 与通过镀敷处理形成的过孔导体相比包含更多的有机物，因此在进行了加热时容易产生气体。因此，进行了加热时在接合部61、62、71、72产生的气体量比进行了加热时在过孔导体V1、V2、V3、V4、V11、V12、V13 产生的气体量多。此外，在接合部61、62、71、72中，作为产生了气体的痕迹，空隙较多(空隙率变高)。因此，接合部61、62、71、72的空隙率比过孔导体V1、V2、V3、V4、V11、V12、V13的空隙率高。具体地，接合部61、62、71、72的每单位平截面积(接合部的XY平面中的每单位面积)的空隙率(PR1)比过孔导体V1、V2、V3、V4、V11、V12、 V13的每单位平截面积的空隙率(PR2)高(PR1＞PR2)。

用于接合部的导电性接合材料是将包含熔点低的金属的导电性膏固化而形成的。在树脂多层基板用于像高频传输线路那样的用途的情况下，优选对布线用导体使用导体损耗小的Cu等，但是Cu的熔点高。因此使用如下方法，即，在熔点比Cu低的Cu膏、Cu-Sn类的导电性膏与Cu之间形成Cu-Sn类金属间化合物。在作为镀敷过孔的过孔导体与作为导电性接合材料的接合部的连接部分，形成金属间化合物，因此难以准确地确定过孔导体与接合部的界面。这样的接合部与过孔导体的界面，可通过以下(1)、(2)所示的任一方法来确定。

图4(A)是示出过孔导体与接合部的界面附近的Z轴方向上的碳含有率的图，图4(B)是示出过孔导体与接合部的界面附近的Z轴方向上的每单位平截面积的空隙率的图。另外，在图4(A)以及图4(B)中，过孔导体和接合部在Z轴方向上接合，在+Z方向上按过孔导体以及接合部的顺序进行配置。即，在图4(A)以及图4(B)中，随着向+Z方向移动，组成从“过孔导体”向“接合部”变化。

(1)通过碳含有率求出过孔导体与接合部的界面的方法

如上所述，接合部包含有机物，因此接合部的碳含有率高。因此，例如，将图4(A)所示的从碳含有率从最小值(MP)起开始上升的点a1 到达到最大值(PP)的点a2为止的Z轴方向上的距离(L＝a2-a1)的中间的位置(BP1)确定为过孔导体与接合部的界面(BP1＝a1+(a2-a1) /2)。

(2)通过空隙率求出过孔导体与接合部的界面的方法

如上所述，接合部的每单位平截面积的空隙率(PR1)比过孔导体的每单位平截面积的空隙率(PR2)高(PR1＞PR2)。因此，例如，如图4 (B)所示，将每单位平截面积的空隙率的最大值设为100％，将随着向 +Z方向移动而使每单位平截面积的空隙率超过了上述最大值的5％的位置(BP2)确定为过孔导体与接合部的界面。

另外，如图3(A)以及图3(B)所示，树脂层11a、12a、13a(气体高透过层)在层叠体30A的侧面SS露出。此外，树脂层11a、12a、13a (气体高透过层)的厚度(T1：Z轴方向上的厚度)比粘接层21a、22a、 23a(气体低透过层)的厚度(T2)厚(T1＞T2)。

此外，在本实施方式中，过孔导体V1、V2、V3、V4、V11、V12、 V13的厚度(Z轴方向上的厚度)(D1)比接合部61、62、71、72的厚度(D2)厚(D1＞D2)。

进而，在本实施方式中，树脂层11a、12a、13a(气体高透过层)的相对介电常数(ε1)低于粘接层21a、22a、23a(气体低透过层)的相对介电常数(ε2)(ε1＜ε2)。进而，在本实施方式中，树脂层11a、12a、 13a的介质损耗角正切(tanδ1)小于粘接层21a、22a、23a的介质损耗角正切(tanδ2)(tanδ1＜tanδ2)。

树脂多层基板101例如像以下那样使用。图5是示出第1实施方式涉及的电子设备301的主要部分的剖视图。

电子设备301具备树脂多层基板101以及电路基板201等。另外，电子设备301还具备上述以外的结构，但是在图5中省略了图示。在本实施方式中，电路基板201是本实用新型中的“其它构件”的一个例子。

电路基板201具有第1面S1。在电路基板201的第1面S1形成有外部电极EP1、EP2、EG1、EG2。电路基板201例如是玻璃环氧基板。

树脂多层基板101使用热压机等(或者，通过回流焊工序)面安装于电路基板201。树脂多层基板101的安装电极P1经由焊料等导电性接合材料5与电路基板201的外部电极EP1连接。树脂多层基板101的安装电极 P2经由导电性接合材料5与电路基板201的外部电极EP2连接。树脂多层基板101的接地电极PG1经由导电性接合材料5与电路基板201的外部电极EG1连接。树脂多层基板101的接地电极PG2经由导电性接合材料 5与电路基板201的外部电极EG2连接。另外，虽然省略了图示，但是在电路基板201的第1面S1还安装有其它芯片部件等。

根据本实施方式涉及的树脂多层基板101，达到如下的效果。

(a)在本实施方式涉及的树脂多层基板101中，树脂层11a、12a、 13a为气体高透过层，因此与仅层叠气体低透过层而形成的层叠体相比，容易将在进行了加热时(例如，层叠体的形成时、基于回流焊工序的树脂多层基板的安装时、使用了热压机等的树脂多层基板的安装时、或者伴随着加热的弯曲加工时)在层叠体30A中产生的气体、或者残留在层叠体30A中的气体排出到外部。

另外，包含树脂材料的接合部61、62、71、72在进行了加热时产生的气体的量比过孔导体多。另一方面，在树脂多层基板101中，接合部61、 62、71、72的至少一部分与气体高透过层(树脂层)接触，因此能够将进行了加热时在层叠体30A产生的气体、或者残留在层叠体30A中的气体高效地排出到外部。因此，可抑制进行了加热时的树脂多层基板101的层间剥离，其结果是，即使在进行了加热时也可确保层叠体的表面的平坦性。

(b)在本实施方式中，树脂层11a、12a、13a(气体高透过层)的厚度(T1)比粘接层21a、22a、23a(气体低透过层)的厚度(T2)厚(T1 ＞T2)。根据该结构，能够容易地将对树脂多层基板进行了加热时在层叠体30A产生的气体、或者残留在层叠体30A中的气体排出到外部。

(c)在本实施方式中，气体透过性比气体高透过层(树脂层11a、12a、 13a)低的保护层1、2分别形成在层叠体30A的第1主面VS1以及第2 主面VS2。在该情况下，在对树脂多层基板进行了加热时(例如，基于回流焊工序的树脂多层基板的安装时、使用了热压机等的树脂多层基板的安装时、或者伴随着加热的弯曲加工时)，难以将残留在层叠体30A中的气体排出到外部，但是在树脂多层基板101中，气体高透过层在层叠体30A 的侧面SS露出。因此，即使气体透过性低的保护层1、2形成于层叠体 30A的第1主面VS1或第2主面VS2，在对树脂多层基板进行了加热时，也能够将残留在层叠体30A中的气体从气体高透过层的侧部排出到外部。

(d)在本实施方式中，过孔导体V1、V2、V3、V4、V11、V12、V13 是通过镀敷处理形成的Cu等的通孔镀敷(或者，填充过孔镀敷)，与平面导体(安装电极P1、P2、信号导体40以及接地导体51、52、53)为相同材料。因此，过孔导体和平面导体被一体化。因此，金属间化合物很少在过孔导体与平面导体的连接部位形成，过孔导体与平面导体的连接部位的机械强度提高。

(e)在本实施方式中，过孔导体V1、V2、V3、V4、V11、V12、V13 的厚度(D1)比接合部61、62、71、72的厚度(D2)厚(D1＞D2)。根据该结构，与接合部的厚度比过孔导体的厚度厚的情况相比，能够降低在树脂多层基板形成的电路的导体损耗。即，通过该结构，能够抑制进行了加热时的气体的产生量，并且能够实现高频特性优异的树脂多层基板。

(f)此外，在本实施方式中，层叠体30A包含高频特性比粘接层21a、 22a、23a优异的树脂层11a、12a、13a而形成，因此能够实现高频特性优异的树脂多层基板。具体说明为，树脂层11a、12a、13a(气体高透过层) 的相对介电常数(ε1)低于粘接层21a、22a、23a(气体低透过层)的相对介电常数(ε2)(ε1＜ε2)。因此，在将具有给定的特性的电路形成于树脂多层基板的情况下，能够使形成于层叠体30A的导体图案(例如，信号导体40)的线宽变粗，能够降低上述电路的导体损耗。此外，在将具有给定的特性的电路形成于树脂多层基板的情况下，即使不使导体图案的线宽变细也能够使树脂层变薄，能够将层叠体30A薄型化。进而，在本实施方式中，树脂层11a、12a、13a的介质损耗角正切(tanδ1)小于粘接层21a、 22a、23a的介质损耗角正切(tanδ2)(tanδ1＜tanδ2)。因此，与仅层叠介质损耗角正切相对高的层而形成的层叠体相比，能够降低电介质损耗。

进而，在本实施方式中，如图3(A)以及图3(B)等所示，高频特性优异的树脂层12a配置在与信号导体40相接的位置。因此，能够提高树脂多层基板的高频特性。

(g)在本实施方式中，形成层叠体30A的树脂层11a、12a、13a以及粘接层21a、22a、23a均由热塑性树脂构成。根据该结构，像在后面详细叙述的那样，通过对层叠的树脂层11a、12a、13a以及粘接层21a、22a、 23a进行加热压制(统一压制)，从而能够容易地形成层叠体30A。因此，可削减树脂多层基板101的制造工序，能够将成本抑制得低。此外，通过该结构，能够实现能够容易地进行塑性变形并且能够维持(保持)所希望的形状的树脂多层基板。

(h)此外，在本实施方式中，在形成于粘接层的接合部61、62、71、 72中包含树脂材料，因此可得到与以树脂为主成分的粘接层(或树脂层) 的高接合性。另外，包含于接合部61、62、71、72的树脂材料优选与和接合部61、62、71、72相接的粘接层(或树脂层)的树脂材料为相同种类。

(i)此外，在本实施方式中，过孔导体和接合层的界面位于树脂层，即，位于气体高透过层内。由此，能够将在过孔导体和接合层的界面产生的气体高效地排出。

另外，虽然在本实施方式中，示出了接合部61、62、71、72是包含 Cu、Sn等金属材料和树脂材料的导电性接合材料的例子，但是本实用新型的接合部并不限定于此。接合部例如也可以是包含金属粉(Cu、Sn中的一种以上的金属或者它们的合金的金属粉)和树脂材料的导电性膏固化而成的层间导体。这些层间导体能够在对层叠的树脂层以及粘接层进行加热压制处理(后面详细叙述)时同时形成，因此容易形成。

本实施方式涉及的树脂多层基板101例如通过以下所示的制造方法来制造。图6是依次示出了在加热压制前的树脂层11a以及粘接层21a形成接地导体51、过孔导体V11以及接合部71P的工序的剖视图。图9是依次示出树脂多层基板101的制造工序的剖视图。

另外，虽然在图6以及图7中，为了方便说明，以单片(one chip) 的制造工序来进行说明，但是实际的树脂多层基板101的制造工序以集合基板状态进行。所谓“集合基板”，是指包含多个树脂多层基板101的基板。此外，关于树脂层12a、13a以及粘接层22a、23a，成为与图6所示的树脂层11a以及粘接层21a同样的工序，因此省略说明。这在以后所示的制造方法中的剖视图中也是同样的。

首先，如图6中的(1)所示，准备由热塑性树脂构成的树脂层11a，在树脂层11a的背面形成接地导体51等。具体地，在树脂层11a的背面层压金属箔(Cu箔)，并通过光刻将层压的金属箔图案化，由此在树脂层11a的背面形成接地导体51等。

树脂层11a例如是以诸如全氟烷氧基烷烃(PFA)、聚四氟乙烯(PTFE) 等氟树脂为主成分的树脂片。

接着，如图6中的(2)所示，将树脂层11a的表面和由热塑性树脂构成的粘接层21a的背面粘贴。粘接层21a是气体透过性比树脂层11a低的层(气体低透过层)。

粘接层21a例如是以液晶聚合物(LCP)或聚醚醚酮(PEEK)为主成分的树脂片。

接着，如图6中的(3)所示，设置将粘合后的树脂层11a以及粘接层21a贯通的贯通孔AP11。贯通孔AP11例如从粘接层21a的表面侧照射激光LR而形成。此外，贯通孔AP11也可以通过例如用钻头等进行研削/ 研磨/蚀刻而设置。

然后，如图6中的(4)所示，在贯通孔AP11中的至少树脂层11a 侧，填充金属材料(Cu等)而形成过孔导体V11。具体地，通过镀敷处理在贯通孔AP11内的接地导体51的表面以及贯通孔AP11的内壁形成镀敷膜。

接着，如图6中的(5)所示，将接合部71P配设在贯通孔AP11中的至少粘接层21a侧，使得与过孔导体V11相接。具体地，在过孔导体V11 的表面(图6中的(4)、(5)所示的过孔导体V11的上表面)印刷接合部71P。接合部71P例如是包含Cu、Sn等金属材料和树脂材料的导电性膏。

接着，如图7中的(1)所示，层叠(载置)树脂层11a、12a、13a 以及粘接层21a、22a、23a。具体地，依次层叠树脂层11a、粘接层21a、 22a、树脂层12a、粘接层23a以及树脂层13a。此时，形成于粘接层21a 的接合部71P和形成于粘接层22a的接合部71P抵接。此外，形成于粘接层23a的接合部72P和形成于树脂层12a的接地导体52抵接。

然后，在层叠方向(Z轴方向)上，对层叠的树脂层11a、12a、13a 以及粘接层21a、22a、23a进行加热压制(统一压制)，由此形成图7中的(2)所示的层叠体30A。通过加热压制时的热以及此后的冷却，接合部71P固化，成为接合部71。此外，通过加热压制时的热以及此后的冷却，接合部72P固化，成为接合部72。

然后，如图7中的(3)所示，在层叠体30A的第1主面VS1形成保护层1，在层叠体30A的第2主面VS2形成保护层2。保护层1、2例如是聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的覆盖膜，或者是例如以环氧树脂(EP)为主成分的阻焊膜。

最后，从集合基板分离为各个单片，得到树脂多层基板101。

通过该制造方法，容易将进行了加热时的在层叠体产生的气体、或者残留在层叠体中的气体排出到外部，能够容易地制造抑制了层间剥离等的树脂多层基板。

此外，根据该制造方法，通过对树脂层11a、12a、13a以及粘接层21a、 22a、23a进行统一压制，从而能够容易地形成层叠体30A。因此，可削减树脂多层基板101的制造工序，能够将成本抑制得低。

另外，虽然在上述制造方法中，示出了通过在过孔导体的上表面配设导电性膏而形成接合部的方法，但是并不限定于该结构。接合部例如也可以通过如下方法来形成，即，在贯通孔的过孔导体的上表面配设包含金属粉(Cu、Sn中的一种以上的金属或者它们的合金的金属粉)和树脂材料的导电性膏，并通过之后的加热压制(统一压制)使上述导电性膏固化。

另外，虽然在本实施方式中，示出了树脂多层基板101面安装在电路基板上的例子，但是本实用新型的树脂多层基板并不限定于该用途。树脂多层基板例如也可以像以下那样使用。图8是示出第1实施方式涉及的电子设备302的主要部分的主视图。

电子设备302具备树脂多层基板101A、电路基板201A、202A等。树脂多层基板101A与树脂多层基板101的不同点在于，在层叠体30A具有弯曲部CR1、CR2(被弯曲加工)。关于树脂多层基板101A的其它结构，与树脂多层基板101相同。电路基板201A、202A例如是玻璃环氧基板。

电路基板201A具有第1面S1，电路基板202A具有第2面S2。如图 8所示，第1面S1以及第2面S2是Z轴方向上的高度相互不同的面。

在电路基板201A的第1面S1形成有外部电极EP1、EG1。在电路基板202A的第2面S2形成有外部电极EP2、EG2。

树脂多层基板101A以折弯的状态安装于电路基板201A、202A。具体地，树脂多层基板101A的安装电极P1经由导电性接合材料5与电路基板201A的外部电极EP1连接。树脂多层基板101A的接地电极PG1经由导电性接合材料5与电路基板201A的外部电极EG1连接。树脂多层基板 101A的安装电极P2经由导电性接合材料5与电路基板202A的外部电极 EP2连接。树脂多层基板101A的接地电极PG2经由导电性接合材料5与电路基板202A的外部电极EG2连接。另外，虽然省略了图示，但是在电路基板201A的第1面S1以及电路基板202A的第2面S2还安装有其它芯片部件等。

像这样，由于树脂多层基板101A被弯曲(被塑性变形)，所以向具有Z轴方向上的高度相互不同的面的电路基板201A、202A的安装变得容易。

被弯曲加工的树脂多层基板101A例如通过以下的工序来制造。图9 是依次示出树脂多层基板101的弯曲加工的主视图。

首先，如图9中的(1)、(2)所示，准备树脂多层基板101，使用上部模具3以及下部模具4在Z轴方向上对层叠体30A的第1主面VS1 以及第2主面VS2进行加热加压。另外，如图9所示，进行加热加压的位置是层叠体30A的长边方向(Z轴方向)上的中央附近。上部模具3以及下部模具4是剖面形状为L字形的金属构造体。

在由热塑性树脂构成的层叠体30A变冷而固化之后，从上部模具3以及下部模具4卸下层叠体30A，得到如图9中的(3)所示的树脂多层基板101A。

通过这样的制造方法，可得到被弯曲加工(塑性变形)并维持(保持) 了形状的树脂多层基板101A。此外，根据本实施方式涉及的树脂多层基板，能够抑制在层叠体30A中残留气体，能够抑制层叠体30A中的空隙的产生。因此，在上述弯曲加工时等，能够抑制以层叠体30A内的空隙为起点的层间剥离(分层)的产生。

另外，在抑制树脂多层基板的加热时(例如，回流焊工序、伴随着加热的弯曲加工等)的接合部的破损这一点上，优选相对脆的接合部61、62、 71、72的至少一部分形成在线膨胀系数相对小的层(粘接层21a、22a、 23a)。换言之，优选接合部的至少一部分与线膨胀系数相对小的层相接。

在对由不同种材料(树脂)构成的多个层进行加热压制而形成层叠体时，使用低熔点材料的接合部与过孔导体相比脆的材料多。因此，在与接合部相接的层的线膨胀系数大的情况下，在树脂多层基板的加热时，由于线膨胀系数大的层的膨胀而对接合部施加应力，接合部有可能破损。

在本实施方式中，粘接层21a～23a的线膨胀系数(CT2)小于树脂层 11a～13a的线膨胀系数(CT1)(CT2＜CT1)。此外，在本实施方式中，相对脆的接合部61、62、71、72的至少一部分与线膨胀系数相对小的粘接层21a～23a相接。通过该结构，与接合部61、62、71、72仅与树脂层 11a～13a相接的情况相比，能够使对树脂多层基板进行了加热时的施加于接合部61、62、71、72的应力减少。因此，即使是层叠体包含由不同种材料(树脂)构成的多个层的结构，也能够抑制树脂多层基板的加热时的接合部61、62、71、72的破损。

在此，所谓接合部比过孔导体“脆”，例如是指接合部的压凹硬度低于过孔导体的压凹硬度的情况。所谓压凹硬度，例如是维氏硬度(HV)。

另外，在抑制树脂多层基板的加热时的接合部的破损这一点上，接合部更优选仅与线膨胀系数相对小的层(粘接层21a、22a、23a)相接。

进而，在对树脂多层基板施加了外力(冲击、弯曲应力等)、热时，在过孔导体与平面导体的接合部位(过孔导体与平面导体的边界、与过孔导体接合的接合部与平面导体的边界)容易集中应力。因此，树脂层以及粘接层优选具有形成在过孔导体和平面导体的上述接合部位的附近的空隙、和与上述过孔导体或上述接合部接触的接触部。

在过孔导体等(包含接合部)的侧面整体与树脂层或粘接层相接的情况下，在对树脂多层基板施加了外力、热时，会对上述过孔导体等直接施加应力，因此过孔导体等容易破损。特别是，在过孔导体和平面导体的接合部位容易产生剥离。

另一方面，在树脂层、粘接层中的、上述过孔导体(或上述接合部) 的侧面整体形成有空隙的情况下，在对树脂多层基板施加了外力、热时，施加于上述过孔导体(或上述接合部)的应力虽然被缓解，但是应力集中于上述接合部位，有可能在上述接合部位产生断裂。特别是，在本实施方式中，无论在形状上还是构造上，由过孔导体和平面导体形成的角度均为锐角，因此在过孔导体和平面导体的接合部位容易产生断裂。

相对于此，通过在树脂层或粘接层中的、对树脂多层基板施加了外力、热时应力容易集中的上述接合部位的附近形成空隙，从而能够抑制上述接合部位的剥离或过孔导体等(包含接合部)的破损。此外，通过树脂层或粘接层具有与过孔导体等接触的接触部，从而能够分散施加于上述接合部位以及过孔导体等的侧面的应力。

在树脂层或粘接层形成了空隙以及接触部的上述树脂多层基板，例如能够通过如下的工序容易地形成。

将平面导体形成于第1层(树脂层11a、12a、13a)(导体形成工序)。接着，粘合线膨胀系数比第1层小的第2层(粘接层21a、22a、23a)(粘合工序)。接着，在粘合后的第1层以及第2层形成孔，在上述孔填充过孔导体等(包含接合部)(层间导体形成工序)。然后，对第1层以及第 2层进行加热压接，然后冷却而形成层叠体(层叠体形成工序)。

由于第1层(树脂层11a、12a、13a)的线膨胀系数大于第2层(粘接层21a、22a、23a)的线膨胀系数，所以通过在加热而形成了层叠体之后进行冷却，从而由于第1层与第2层的线膨胀系数差，在第1层和过孔导体等之间形成空隙。另外，“导体形成工序”以及“粘合工序”的顺序也可以相反。

《第2实施方式》

在第2实施方式中，示出树脂层的厚度与粘接层的厚度相比极厚的例子。

图10是第2实施方式涉及的树脂多层基板102的剖视图。

树脂多层基板102与第1实施方式涉及的树脂多层基板101的不同点在于，具备层叠体30B。关于树脂多层基板102的其它结构，与树脂多层基板101实质上相同。

以下，对与第1实施方式涉及的树脂多层基板101不同的部分进行说明。

层叠体30B是层叠树脂层11b、12b、13b以及粘接层21b、22b、23b 而形成的。具体地，依次层叠树脂层11b、粘接层21b、22b、树脂层12b、粘接层23b以及树脂层13b而形成。

构成树脂层11b、12b、13b的树脂材料与在第1实施方式中说明的树脂层11a、12a、13a相同。构成粘接层21b、22b、23b的树脂材料与在第 1实施方式中说明的粘接层21a、22a、23a相同。在本实施方式中，树脂层11b、12b、13b相当于本实用新型中的“气体高透过层”，粘接层21b、 22b、23b相当于本实用新型中的“气体低透过层”。

在本实施方式中，如图10所示，树脂层11b、12b、13b(气体高透过层)的厚度(D1)比粘接层21b、22b、23b(气体低透过层)的厚度(D2) 厚(D1＞D2)。此外，在本实施方式中，接合部72之中与树脂层13b(气体高透过层)相接的部分的厚度(TC1)比接合部72之中与粘接层(气体低透过层)相接的部分的厚度(TC2)厚(TC1＞TC2)。

根据本实施方式涉及的树脂多层基板102，除了在第1实施方式中描述的效果以外，还达到如下的效果。

在本实施方式中，树脂层11b、12b、13b(气体高透过层)的厚度(D1) 比粘接层21b、22b、23b(气体低透过层)的厚度(D2)厚(D1＞D2)。根据该结构，与气体低透过层比气体高透过层厚的情况相比，能够将进行了加热时在层叠体产生的气体或者残留在层叠体中的气体更加高效地排出到外部。

在本实施方式中，接合部72之中与树脂层13b(气体高透过层)相接的部分的厚度(TC1)比接合部72之中与粘接层23b(气体低透过层)相接的部分的厚度(TC2)厚(TC1＞TC2)。根据该结构，进行了加热时产生的气体的量多的接合部72之中与气体高透过层相接的面积大于与气体低透过层相接的面积。因此，即使在接合部72与气体高透过层以及气体低透过层的双方相接的情况下，也能够将进行了加热时产生的气体或者残留在层叠体中的气体高效地排出到外部。

《第3实施方式》

在第3实施方式中，示出接合部仅与气体高透过层相接的例子。

图11是第3实施方式涉及的树脂多层基板103的剖视图。

树脂多层基板103与第2实施方式涉及的树脂多层基板102的不同点在于，具备层叠体30C、过孔导体V11A、V12A、V13A以及接合部71A、 72A。关于树脂多层基板103的其它结构，与树脂多层基板102实质上相同。

以下，对与第2实施方式涉及的树脂多层基板102不同的部分进行说明。

层叠体30C是层叠树脂层11c、12c、13c以及粘接层21c、22c、23c 而形成的。具体地，层叠体30C依次层叠树脂层11c、粘接层21c、22c、树脂层12c、粘接层23c以及树脂层13c而形成。

树脂层11c、12c、13c例如是以液晶聚合物(LCP)或聚醚醚酮(PEEK) 为主成分的树脂片。粘接层21c、22c、23c例如是以诸如全氟烷氧基烷烃 (PFA)、聚四氟乙烯(PTFE)等氟树脂为主成分的树脂片。在本实施方式中，粘接层21c、22c、23c相当于本实用新型中的“气体高透过层”，树脂层11c、12c、13c相当于本实用新型中的“气体低透过层”。

过孔导体V11A、V12A、V13A的厚度比在第1实施方式、第2实施方式中说明的过孔导体V11、V12、V13的厚度厚。另一方面，接合部71A、 72A的厚度比在第1实施方式、第2实施方式中说明的接合部71、72的厚度薄。

根据本实施方式涉及的树脂多层基板103，除了在第2实施方式中描述的效果以外，还达到如下的效果。

在本实施方式中，进行了加热时产生的气体量多的接合部71A、72A 形成于气体高透过层(粘接层)，因此能够容易地将进行了加热时从接合部产生的气体排出到外部。

此外，在本实施方式中，接合部71A、72A不与气体低透过层(树脂层)相接，仅与气体高透过层(粘接层)相接。通过该结构，能够将从进行了加热时产生的气体量多的接合部71A、72A产生的气体更加高效地排出到外部。

此外，在本实施方式中，过孔导体V11A、V12A经由仅形成于粘接层21c、22c的接合部71A相互连接。在像树脂层11c、12c、13c以及粘接层21c、22c、23c那样的不同种材料彼此的接合面(界面)，由于物性差(例如，线膨胀系数差)，从而在层叠时容易产生位置偏移，在将分别形成于这些不同种材料的层的过孔导体彼此连接的情况下，由于上述位置偏移，从而容易产生连接不良。因此，例如在像将形成于树脂层的过孔导体和形成于粘接层的过孔导体连接的那样情况下，考虑到位置偏移，有时在中间夹着面积大的连接用的导体图案(例如，接地导体52)而进行连接。另一方面，在像粘接层21c、22c那样的相同材料彼此的接合面不易产生位置偏移，因此例如在经由接合部71A的过孔导体V11A、V12A的接合部位，无需经由连接用的导体图案将过孔导体彼此连接。

《第4实施方式》

第4实施方式涉及的树脂多层基板104相对于第1实施方式涉及的树脂多层基板101，在具有像图8那样的弯曲部时，如图12(A)、图12(B) 所示，在弯曲部附近的构造上具有特征。以下，对树脂多层基板104的特征部进行说明，并省略与树脂多层基板101相同的部位的说明。

图12(A)、图12(B)是第4实施方式涉及的树脂多层基板104、 104D的部分放大剖视图。图12(A)、图12(B)是将包含弯曲部CR3 的给定的范围放大了的图。

如图12(A)所示，树脂多层基板104(层叠体30D)具备树脂层11d、 12d、13d、粘接层21d、22d、23d，且具有弯曲部CR3。在弯曲部CR3的附近，配置有用于将接地导体53和接地导体52连接的过孔导体V13以及接合部72。此时，过孔导体V13配置在比接合部72靠近第2主面VS2 的位置。换言之，过孔导体V13配置在比接合部72靠树脂多层基板104 的表层侧。

在具有弯曲部CR3的情况下，越靠近表层，弯曲应力变得越大。然而，在树脂多层基板104的结构中，由与接地导体53相同的材料构成的过孔导体V13配置在靠近表层的位置。因此，与在接地导体53直接接合了接合部72的情况相比，接地导体53与过孔导体V13的界面的接合强度变高。

由此，可抑制由弯曲应力造成的接地导体53和过孔导体V13的界面的断裂、裂纹的产生。其结果是，尽管具有弯曲部CR3，也能够实现可靠性高的树脂多层基板104。

另外，关于上述那样的将配置在树脂多层基板的厚度方向上的不同位置的多个接地导体(例如，接地导体53和接地导体52)连接的构造，如图12(B)所示，也能够应用于层叠体30DD是层叠了多个粘接层21d、粘接层22d、以及粘接层23d的构造的情况。

此外，关于上述的将配置在树脂多层基板的厚度方向上的不同位置的多个接地导体连接的构造，如图13所示，也能够应用于第1主面VS1侧、第2主面VS2侧的双方。图13是第4实施方式涉及的树脂多层基板104 的另一个部分放大剖视图。

如图13所示，在树脂多层基板104的弯曲部CR3的附近，配置有用于将接地导体51和接地导体52连接的过孔导体V11、接合部71、以及过孔导体V12。此时，过孔导体V11配置在比接合部71靠近第1主面VS1 的位置。换言之，过孔导体V11配置在比接合部71靠树脂多层基板104 的表层侧。

像这样，通过在最靠近厚度方向的两侧的外表面的位置分别配置过孔导体V11以及过孔导体V13，从而无论对于施加于弯曲部CR3的外侧的弯曲应力，还是施加于内侧的弯曲应力，都能够抑制断裂、裂纹等的产生。

另外，在树脂多层基板104的弯曲部CR3的附近，仅在内侧具备层间连接导体(过孔导体和接合部的组)的情况下，也能够应用上述的结构。

此外，虽然在上述的说明中，以与接地导体连接的层间连接导体(过孔导体和接合部的组)为例进行了说明，但是并不限于接地导体，即使是其它导体，也能够应用上述的结构。

此外，上述的结构可以仅应用于最靠近弯曲部CR3的层间连接导体 (过孔导体和接合部的组)，但是也可以还对其它层间连接导体进行应用。即，通过至少对最靠近弯曲部CR3的层间连接导体(过孔导体和接合部的组)应用上述的结构，能够能够达到上述的作用效果。

《第5实施方式》

图14是第5实施方式涉及的树脂多层基板105的部分放大剖视图。图14是将包含弯曲部CR3的给定的范围放大了的图。

如图14所示，第5实施方式涉及的树脂多层基板105相对于第4实施方式涉及的树脂多层基板104，不同点在于，具备导体的非形成部53SP。树脂多层基板105的其它结构与树脂多层基板104相同，省略相同的部位的说明。

树脂多层基板105在接地导体53中的与弯曲部CR3对应的位置具备导体的非形成部53SP。而且，在该导体的非形成部53SP的附近，配置有由过孔导体V13和接合部72构成的层间连接导体。

像这样，在弯曲部CR3中的存在导体的非形成部53SP的部分，更容易产生变形。而且，由于该变形，从而容易产生更大的弯曲应力。然而，如上所述，通过将过孔导体V13配置在比接合部72靠外表面侧，从而可抑制由弯曲应力造成的断裂、裂纹等的产生。

《第6实施方式》

图15是第6实施方式涉及的树脂多层基板106的部分放大剖视图。图15是将包含弯曲部CR3的给定的范围放大了的图。

如图15所示，第6实施方式涉及的树脂多层基板106相对于第4实施方式涉及的树脂多层基板104，在过孔导体V13D的形状上不同。树脂多层基板106的其它结构与树脂多层基板104相同，省略相同的部位的说明。

在过孔导体V13D中，与接地导体53的界面的面积比与接合部72的接合面的面积大。通过这样的结构，过孔导体V13D与接地导体53的接合强度进一步提高。因此，可进一步抑制过孔导体V13D与接地导体53 的界面处的断裂、裂纹等的产生。

《其它实施方式》

虽然在以上所示的各实施方式中，示出了树脂多层基板是面安装于电路基板的电子部件的例子，但是本实用新型的树脂多层基板并不限定于此。本实用新型的树脂多层基板也可以是将两个电路基板彼此连接的电缆或者对电路基板和其它部件之间进行连接的电缆。此外，也可以根据需要在树脂多层基板的连接部设置有连接器。

另外，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了在传输方向(X轴方向)上依次配置了第1连接部CN1、线路部SL以及第2连接部CN2的树脂多层基板的例子，但是并不限定于该结构。树脂多层基板具有的连接部的个数、配置、以及线路部的个数、配置能够适当地进行变更。

虽然在以上所示的各实施方式中，示出了层叠体是在X轴方向上具有长边方向的大致矩形的平板的例子，但是层叠体的形状并不限定于此。层叠体的形状能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。层叠体的平面形状例如也可以是矩形、多边形、L字形、曲柄形、T 字形、Y字形等。

此外，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了层叠三个树脂层以及三个粘接层而形成的层叠体的例子，但是本实用新型的层叠体并不限定于此。形成层叠体的树脂层的层数以及粘接层的层数能够适当地进行变更。此外，在本实用新型的树脂多层基板中，形成于第1主面VS1以及第2 主面VS2的保护层1、2不是必需的。此外，层叠体也可以包含树脂层以及粘接层以外的层。

虽然在以上所示的各实施方式中，示出了层叠体由热塑性树脂构成的例子，但是并不限定于该结构。层叠体也可以由热固化性树脂构成。此外，层叠体也可以是不同的树脂材料的复合层叠体，例如，也可以是层叠玻璃环氧基板等热固化性树脂片和热塑性树脂片而形成的结构。此外，层叠体并不限于对层叠的树脂层以及粘接层进行加热压制(统一压制)而将其表面彼此熔接的结构，也可以涂敷配置在各树脂层间的粘接层而形成层叠体。

此外，形成于树脂多层基板的电路结构并不限定于以上所示的各实施方式的结构，能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。形成于树脂多层基板的电路例如也可以形成有由导体图案构成的线圈、电感器、由导体图案形成的电容器、各种滤波器(低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器)等频率滤波器。此外，在树脂多层基板，例如也可以形成有其它各种传输线路(微带线、共面线等)。进而，也可以在树脂多层基板安装或埋设有芯片部件等各种电子部件。

虽然在以上所示的各实施方式中，示出了构成了一个传输线路的树脂多层基板的例子，但是并不限定于该结构，传输线路的数目能够根据形成于树脂多层基板的电路结构而适当地进行变更。

虽然在以上所示的各实施方式中，示出了过孔导体为与平面导体(安装电极P1、P2、信号导体40以及接地导体51、52、53)相同的材料(Cu) 的例子，但是并不限定于该结构。过孔导体也可以是与作为Cu的平面导体不同的材料(例如，Ni-Sn镀敷)。

此外，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了多个过孔导体V11、 V11A、V12、V12A、V13、V13A在传输方向(X轴方向)上排列的例子，但是并不限定于该结构。过孔导体V11、V11A、V12、V12A、V13、V13A 的个数、配置等能够适当地进行变更。

虽然在以上所示的各实施方式中，示出了矩形的安装电极P1、P2以及接地电极PG1、PG2形成于第1主面VS1的例子，但是并不限定于该结构。安装电极以及接地电极的形状、个数、配置等能够适当地进行变更。安装电极以及接地电极的平面形状例如可以是多边形、圆形、椭圆形、圆弧状、环状、L字形、U字形、T字形、Y字形、曲柄形等。此外，安装电极以及接地电极也可以设置在第1主面VS1以及第2主面VS2的双方。进而，树脂多层基板也可以除了安装电极以及接地电极以外还具备虚设电极。

最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示，而不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含从与权利要求书等同的范围内的实施方式进行的变更。

附图标记说明

AP11：贯通孔；

CN1：第1连接部；

CN2：第2连接部；

SL：线路部；

EP1、EP2、EG1、EG2：(电路基板的)外部电极；

LR：激光；

OP1、OP2、OP10、OP20：开口；

P1、P2：安装电极；

PG1、PG2：接地电极；

S1：(电路基板的)第1面；

VS1：(层叠体的)第1主面；

VS2：(层叠体的)第2主面；

SS：(层叠体的)侧面；

V1、V2、V3、V4、V11、V11A、V12、V12A、V13、V13A、V13D：过孔导体；

1、2：保护层；

3：上部模具；

4：下部模具；

5：导电性接合材料；

11a、11b、11d、12a、12b、12d、13a、13b、13d：树脂层(气体高透过层)；

11c、12c、13c：树脂层(气体低透过层)；

21a、21b、21d、22a、22b、22d、23a、23b、23d：粘接层(气体低透过层)；

21c、22c、23c：粘接层(气体高透过层)；

30A、30B、30C、30D、30DD：层叠体；

40：信号导体；

51、52、53：接地导体；

61、62、71、71A、71P、72、72A、72P：接合部；

101、101A、102、103、104、104D、105、106：树脂多层基板；

201、201A、202A：电路基板；

301、302：电子设备。

Claims (16)

1.一种树脂多层基板，其特征在于，具备：

层叠体，层叠树脂层以及粘接层而形成；

过孔导体，形成于所述树脂层；以及

接合部，形成于所述粘接层，且与至少一个所述过孔导体连接，并具有导电性，

所述树脂层以及所述粘接层中的任一者是气体透过性比另一者高的气体高透过层，另一者是气体透过性比一者低的气体低透过层，

所述接合部是包含有机物或者每单位平截面积的空隙率比所述过孔导体高的部分，并且至少一部分与所述气体高透过层相接。

2.根据权利要求1所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述过孔导体的厚度比所述接合部的厚度厚。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述接合部之中与所述气体高透过层相接的部分的厚度比所述接合部之中与所述气体低透过层相接的部分的厚度厚。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述接合部与两个所述过孔导体直接连接。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述接合部通过加热压制时的热而固化。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述接合部仅与所述气体高透过层相接。

7.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述过孔导体和所述接合层的界面位于所述气体高透过层内。

8.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述气体高透过层的厚度比所述气体低透过层的厚度厚。

9.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述树脂层以及所述粘接层由热塑性树脂构成。

10.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述气体高透过层的相对介电常数低于所述气体低透过层的相对介电常数。

11.根据权利要求10所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述气体高透过层是以氟树脂为主成分的树脂片，

所述气体低透过层是以液晶聚合物为主成分的树脂片。

12.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂多层基板，其特征在于，

还具备气体透过性比所述气体高透过层低的保护层，

所述层叠体具有与所述树脂层以及所述粘接层的层叠方向正交的主面和与所述主面邻接的侧面，

所述保护层形成于所述主面，

所述气体高透过层在所述侧面露出。

13.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述层叠体是在与厚度方向正交的一个方向上延伸的形状，在延伸的方向上具有弯曲部，

在存在于最靠近所述弯曲部并且最靠近与所述厚度方向正交且成为所述层叠体的外表面的主面的位置的所述过孔导体和所述接合部的组中，所述过孔导体配置在比所述接合部靠所述主面侧。

14.根据权利要求13所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述过孔导体和所述接合部的组针对分别配置在所述层叠体的所述厚度方向的两端的第1主面和第2主面进行配置，

在靠近所述第1主面的所述过孔导体和所述接合部的组中，所述过孔导体配置在比所述接合部靠所述第1主面侧，

在靠近所述第2主面的所述过孔导体和所述接合部的组中，所述过孔导体配置在比所述接合部靠所述第2主面侧。

15.根据权利要求13所述的树脂多层基板，其特征在于，

所述过孔导体和所述接合部的位置关系用于靠近所述层叠体中的平面状的导体的面积少的一侧的主面的所述过孔导体和所述接合部的组。

16.一种电子设备，其特征在于，

具备树脂多层基板和其它构件，

所述树脂多层基板具有：

层叠体，层叠树脂层以及粘接层而形成；

过孔导体，形成于所述树脂层；以及

接合部，形成于所述粘接层，且与至少一个所述过孔导体连接，并具有导电性，

所述树脂层以及所述粘接层中的任一者是气体透过性比另一者高的气体高透过层，另一者是气体透过性比一者低的气体低透过层，

所述接合部是包含有机物或者每单位平截面积的空隙率比所述过孔导体高的部分，并且至少一部分与所述气体高透过层相接，

所述树脂多层基板经由导电性接合材料与所述其它构件接合。

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