JP6962503B2 - 伝送線路及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、導体パターンと、それを保持する絶縁基材とで構成される伝送線路、及びその伝送線路を備える電子機器に関する。

特許文献１には、複数の信号線を有する多芯伝送線路において、隣接する信号線を積層方向で異なる位置に配置して信号線間の距離を離したり、隣接する信号線間にグランド導体を配置したりすることで、隣接する信号線のアイソレーションを高めた多芯伝送線路が示されている。

国際公開第２０１７／１９９９３０号

特許文献１に記載の多芯伝送線路において、隣接する信号線を積層方向で異なる位置に配置して信号線間の距離を離すことで信号線間のアイソレーションを確保する構造では、信号線の数が多くなるほど、絶縁基材の積層数が多くなるため、全体の厚みが増してしまう。また、隣接する信号線間にグランド導体を配置することでアイソレーションを確保する構造では、信号線の数が多くなるほど、伝送線路の幅方向のサイズが大きくなってしまう。

厚み方向にせよ幅方向にせよ、伝送線路のサイズが大きくなると、筐体サイズの限られた電子機器への伝送線路の組み込みが困難になる。

そこで、本発明の目的は、厚み方向及び幅方向のサイズを抑えた伝送線路及びそれを備える電子機器を提供することにある。また、本発明の目的は、厚み方向及び幅方向のサイズを大きくすることなく、信号線数を多くした伝送線路及びそれを備える電子機器を提供することにある。

本開示の一例としての伝送線路は、導体パターンと、当該導体パターンが形成されて積層される複数の絶縁基材と、で構成され、
前記導体パターンは、第１信号用の第１信号線、第２信号用の第２信号線及び第３信号用の第３信号線を含む複数の信号線と、前記積層の方向で、前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第３信号線の一方側領域に位置する第１グランド導体、及び他方側領域に位置する第２グランド導体と、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続するグランド接続導体と、
を含み、
前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第３信号線は、互いに同一層で（幅方向に）並走する並走部を構成し、
前記グランド接続導体は、前記並走部を当該並走部における前記複数の信号線の幅方向で第１領域と第２領域とに区分し、
前記第１信号線及び前記第２信号線は前記第１領域に配置され、
前記第３信号線は前記第２領域に配置され、
前記並走部において、前記積層の方向で、前記第１信号線と前記第２信号線との間、前記第１信号線と前記第３信号線との間、前記第２信号線と前記第３信号線との間のそれぞれの間にはグランド導体がなく、
前記並走部において、前記第１信号線と前記第２信号線との間には、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続する導体がなく、
前記並走部において、前記第１信号線は前記第２信号線に比べて前記グランド接続導体寄りに位置し、
前記第１信号と前記第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、前記第１信号と前記第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差より大きく、かつ、前記第２信号と前記第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である。

上記構成によれば、第１信号線、第２信号線及び第３信号線の並走部において、第１信号線と第２信号線との間に、第１グランド導体と第２グランド導体とを接続する導体がないため、幅方向のサイズを小さくできる。また、並走部において、第１信号線は第２信号線に比べてグランド接続導体寄りに位置するため、つまり、第２信号線と第３信号線とは相対的に離れているので、第２信号線と第３信号線とのアイソレーションが確保される。また、第１信号線と第３信号線との間にはグランド接続導体が存在するので、このグランド接続導体によって、第１信号線と第３信号線とのアイソレーションが確保される。また、第１信号と第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第１信号と第３信号とについての一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差より大きく、かつ、第２信号と第３信号とについての一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上であるので、第１信号と第２信号との干渉が効果的に抑制される。

また、本開示の一例としての電子機器は、上記伝送線路と、この伝送線路が実装された回路基板と、伝送線路及び回路基板を収納する筐体と、を有する。この構成により、多くの信号線を備えながらも小型の電気機器が構成される。

本発明の伝送線路によれば、厚み方向及び幅方向のサイズが抑えられた伝送線路及びそれを備える電子機器が得られる。また、厚み方向及び幅方向のサイズを大きくすることなく、信号線数を多くした伝送線路及びそれを備える電子機器が得られる。

図１は第１の実施形態に係る伝送線路１０１の断面図である。 図２は伝送線路１０１の、積層前の絶縁基材状態での断面図である。 図３は伝送線路１０１の平面図である。 図４は第２の実施形態に係る伝送線路１０２の断面図である。 図５は第３の実施形態に係る伝送線路１０３の断面図である。 図６は第４の実施形態に係る伝送線路１０４の断面図である。 図７は第５の実施形態に係る電子機器２０１の断面図である。 図８は、第５の実施形態に係る電子機器２０１が備える回路基板１０の主要部の平面図である。 図９は第５の実施形態の別の電子機器２０２の主要部の正面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上、複数の実施形態に分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
第１の実施形態では、３つの信号線を有する伝送線路について例示する。

図１は第１の実施形態に係る伝送線路１０１の断面図である。図２は伝送線路１０１の、積層前の絶縁基材状態での断面図である。図３は伝送線路１０１の平面図である。図１、図２は、図３におけるＡ−Ａ部分の断面図である。

本実施形態の伝送線路１０１は、図２に表れているように、導体パターンと、その導体パターンが形成されて積層される絶縁基材Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３と、で構成される。絶縁基材Ｌ１には第１グランド導体Ｇ１及びビア導体Ｖ１が形成されている。絶縁基材Ｌ２には第１信号用の第１信号線ＳＬ１、第２信号用の第２信号線ＳＬ２、第３信号用の第３信号線ＳＬ３、ビア導体Ｖ２及びビア接続導体ＶＰが形成されている。また、絶縁基材Ｌ３には第２グランド導体Ｇ２及びビア導体Ｖ３が形成されている。

図１に表れているように、上記絶縁基材Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が積層されて絶縁基材の積層体ＬＬが構成される。第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とは、絶縁基材Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の積層方向に互いに対向する。第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２及び第３信号線ＳＬ３は、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２との間に配置されている。第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２は、積層方向（Ｚ軸方向）に視て第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２及び第３信号線ＳＬ３に重なる。

ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３及びビア接続導体ＶＰはグランド接続導体ＧＣを構成している。第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２はグランド接続導体ＧＣを介して接続されている。

上記絶縁基材Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３は、例えばポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂シートであり、各絶縁基材Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を一括積層し、加熱プレスによって積層体ＬＬが構成される。信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３やグランド導体Ｇ１，Ｇ２は、銅等の金属箔をフォトリソグラフィー及びエッチングによってパターニングしたものである。ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は絶縁基材Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に形成したビアホール導体用孔に錫等を主成分とする金属材料を充填したものである。

図２、図３に表れているように、第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２及び第３信号線ＳＬ３は、互いに同一層で並走する並走部ＰＳを構成する。グランド接続導体ＧＣは、並走部をこの並走部における信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３の幅方向（Ｙ軸方向）で第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とに区分する。

第１信号線ＳＬ１及び第２信号線ＳＬ２は第１領域Ｒ１に配置され、第３信号線ＳＬ３は第２領域Ｒ２に配置される。並走部ＰＳにおいて、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間には、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とを接続する導体はない。また、並走部ＰＳにおいて、第１信号線ＳＬ１は第２信号線ＳＬ２に比べてグランド接続導体ＧＣ寄りに位置する。

第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第１信号線ＳＬ１によって第１ストリップラインが構成され、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第２信号線ＳＬ２によって第２ストリップラインが構成され、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第３信号線ＳＬ３によって第３ストリップラインが構成される。

図３に表れているように、第１信号線ＳＬ１を備える第１ストリップラインの一方端には接続部ＣＣ１１、他方端には接続部ＣＣ１２がそれぞれ形成されている。第２信号線ＳＬ２を備える第２ストリップラインの一方端には接続部ＣＣ２１、他方端には接続部ＣＣ２２がそれぞれ形成されている。また、第３信号線ＳＬ３を備える第３ストリップラインの一方端には接続部ＣＣ３１、他方端には接続部ＣＣ３２がそれぞれ形成されている。

上記接続部ＣＣ１１，ＣＣ１２，ＣＣ２１，ＣＣ２２，ＣＣ３１，ＣＣ３２の下面にはそれぞれ同軸コネクタが設けられている。

第１信号、第２信号はそれぞれ所定周波数帯の信号であるが、それぞれ基本波だけでなく、高調波を含む場合がある。したがって、第１信号と第２信号とについて、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との周波数差が存在する。これら周波数差のうち最も小さな周波数差を以下「最近接の周波数差」という。

なお、基本波は、信号を構成する複数の周波数成分における最も低い周波数成分の周波数を意味する。そして、高調波は、基本波以外の周波数成分である。基本波及び高調波は、ＦＦＴ（高速フーリエ変換）等の周波数アナライザなどを用いて測定することができる。

また、上述の「最近接の周波数」とは、例えば、具体的には、次の例のような場合である。一方の基本波をｆ２の基本波（８５０ＭＨｚ）とし、他方の基本波をｆ１の基本波（２１０ＭＨｚ）とする。ｆ２の基本波（８５０ＭＨｚ）とｆ１の基本波（２１００ＭＨｚ）との差は、１２５０ＭＨｚとなる。ｆ２の２倍高調波（１７００ＭＨｚ）とｆ１の基本波（２１００ＭＨｚ）との差は、４００ＭＨｚとなる。ｆ２の３倍高調波（２５５０ＭＨｚ）とｆ１の基本波（２１００ＭＨｚ）との差は、４５０ＭＨｚとなる。ｆ２の基本波（８５０ＭＨｚ）とｆ１の２倍高調波（４２００ＭＨｚ）との差は、３３５０ＭＨｚとなる。

したがって、この場合、「最近接の周波数」は、４００ＭＨｚとなる。なお、他の周波数の関係、例えば、後述のｆ１、ｆ２、ｆ３、ｆ４、ｆ５等の関係についても、同様の定義で規定される。

本実施形態の伝送線路１０１において、第１ストリップラインを伝搬する第１信号と、第２ストリップラインを伝搬する第２信号とについての一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第１信号と第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である。言い換えると、グランド接続導体ＧＣが介して隣接する第１信号線ＳＬ１と第３信号線ＳＬ３を伝搬する第１信号と第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は相対的に小さいのに対し、グランド接続導体ＧＣが介在せずに隣接する第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２を伝搬する第１信号と第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は相対的に大きい。

また、第１信号と、第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第２信号と第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である。言い換えると、間にグランド接続導体ＧＣが介在する、第２信号線ＳＬ２と第３信号線ＳＬ３を伝搬する第２信号と第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は相対的に小さいのに対し、グランド接続導体ＧＣが介在せずに隣接する第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２を伝搬する第１信号と第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は相対的に大きい。

例えば、第１信号の基本波周波数をｆ１、第２信号の基本波周波数をｆ２、第３信号の基本波周波数をｆ３、でそれぞれ表すと、
ｆ１：２１００ＭＨｚ
ｆ２：８５０ＭＨｚ
ｆ３：９００ＭＨｚ
である。この場合、ｆ１とｆ２とについての最近接の周波数差は、ｆ１の基本波とｆ２の２次高調波との周波数差４００ＭＨｚ（２１００−８５０×２＝４００）、である。また、ｆ１とｆ３とについての最近接の周波数差は、ｆ１の基本波とｆ３の２次高調波との周波数差３００ＭＨｚ（２１００−１８００＝３００）、である。さらに、ｆ２とｆ３とについての最近接の周波数差は、ｆ２の基本波とｆ３の基本波との周波数差５０ＭＨｚ（９００−８５０＝５０）、である。したがって、上記条件を満足する。

つまり、｜ｆ１−２ｆ２｜＞｜ｆ１−２ｆ３｜を満たし、
また、｜ｆ１−２ｆ２｜＞｜ｆ２−ｆ３｜を満たす。

また、本実施形態の伝送線路１０１において、第３信号と第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第３信号と第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である。言い換えると、近接しない第３信号線ＳＬ３と第２信号線ＳＬ２を伝搬する第３信号と第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は相対的に小さく、近接して隣接する第３信号線ＳＬ３と第１信号線ＳＬ１を伝搬する第３信号と第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は相対的に大きい。

本実施形態では、ｆ３とｆ１とについての最近接の周波数差は上記のとおり３００ＭＨｚであり、ｆ３の基本波とｆ２の基本波との周波数差は上記のとおり５０ＭＨｚであり、この条件も満足する。

つまり、｜ｆ１−２ｆ３｜＞｜ｆ２−ｆ３｜を満たす。

以上の例において、第１信号の基本波周波数をｆ１と第２信号の基本波周波数をｆ２とを入れ替えても同様に成り立つ。

つまり、
ｆ１：８５０ＭＨｚ
ｆ２：２１００ＭＨｚ
ｆ３：９００ＭＨｚ
としても、
｜２ｆ１−ｆ２｜＞｜ｆ１−ｆ３｜を満たす。

また、｜２ｆ１−ｆ２｜＞｜ｆ２−２ｆ３｜を満たす。

なお、図１、図２に示した例では、第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２及び第３信号線ＳＬ３のすべてが同一層で並走する例を示したが、第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２及び第３信号線ＳＬ３は異なる層に形成されて並走していてもよい。例えば、第１信号線ＳＬ１及び第２信号線ＳＬ２の形成層と第３信号線ＳＬ３の形成層が異なっていてもよい。また、例えば、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２の形成層が異なっていてもよい。ただし、このように異なる層に形成された信号線間にグランド導体は形成されていない。つまり、このように信号線間にグランド導体が無い構造においては、隣接する信号線間のアイソレーションが問題となるが、本実施形態の構造によれば、この信号線間のアイソレーションが確保される。

本実施形態によれば、次のような効果を奏する。

・第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２、第３信号線ＳＬ３が積層方向に配置されず、同一層に形成されるため、伝送線路の厚み方向（Ｚ軸方向）のサイズを小さくできる。

・第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２及び第３信号線ＳＬ３の並走部ＰＳにおいて、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間に、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とを接続する導体がないため、伝送線路の幅方向（Ｙ軸方向）のサイズを小さくできる。

・並走部ＰＳにおいて、第１信号線ＳＬ１は第２信号線ＳＬ２に比べてグランド接続導体ＧＣ寄りに位置するため、つまり、第２信号線ＳＬ２と第３信号線ＳＬ３とは相対的に離れているので、第２信号線ＳＬ２と第３信号線ＳＬ３とのアイソレーションが確保される。

・第１信号線ＳＬ１と第３信号線ＳＬ３との間にはグランド接続導体ＧＣが存在するので、このグランド接続導体ＧＣによって、第１信号線ＳＬ１と第３信号線ＳＬ３とのアイソレーションが確保される。

・第１信号と第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第１信号と第３信号とについての一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差より大きいので、第１信号と第２信号との干渉が効果的に抑制される。

・第１信号と第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第２信号と第３信号とについての一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上であるので、第１信号と第２信号との干渉が効果的に抑制される。

・第３信号と第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第３信号と第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上であるので、第３信号と第２信号とのアイソレーションを保ちつつ、第３信号と第１信号とのアイソレーションも確保される。

なお、図３では、それぞれ独立した複数のビア接続導体ＶＰを設けた例を示したが、このビア接続導体ＶＰは、第１信号線ＳＬ１及び第３信号線ＳＬ３に沿った単一の線状の導体パターンであってもよい。その構成であれば、第１信号線ＳＬ１と第３信号線ＳＬ３とのアイソレーションをより高めることができる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、４つの信号線を有する伝送線路について例示する。

図４は第２の実施形態に係る伝送線路１０２の断面図である。この伝送線路１０２は、第１の実施形態で示した伝送線路１０１において、第３信号線ＳＬ３に隣接する第４信号線ＳＬ４を更に備えるものである。各絶縁基材の構成、並走部の構成などは第１の実施形態で示した伝送線路１０１と同様である。

図４に表れているように、複数の絶縁基材が積層されて絶縁基材の積層体ＬＬが構成される。第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とは、絶縁基材の積層体ＬＬの積層方向に互いに対向する。第１信号用の第１信号線ＳＬ１、第２信号用の第２信号線ＳＬ２、第３信号用の第３信号線ＳＬ３及び第４信号用の第４信号線ＳＬ４は、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２との間に配置されている。第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２は、積層方向（Ｚ軸方向）に視て第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２、第３信号線ＳＬ３及び第４信号線ＳＬ４に重なる。第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２はグランド接続導体ＧＣを介して接続されている。

第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２、第３信号線ＳＬ３及び第４信号線ＳＬ４は、互いに同一層で（幅方向に）並走する並走部を構成する。グランド接続導体ＧＣは、並走部をこの並走部における信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４の幅方向（Ｙ軸方向）で第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とに区分する。

上記並走部において、第３信号線ＳＬ３と第４信号線ＳＬ４との間には、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とを接続する導体はない。

第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第１信号線ＳＬ１によって第１ストリップラインが構成され、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第２信号線ＳＬ２によって第２ストリップラインが構成され、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第３信号線ＳＬ３によって第３ストリップラインが構成され、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第４信号線ＳＬ４によって第４ストリップラインが構成される。

本実施形態の伝送線路１０２において、第３信号と第４信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第３信号と第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である。言い換えると、グランド接続導体ＧＣが介して隣接する第３信号線ＳＬ３と第１信号線ＳＬ１を伝搬する第３信号と第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は相対的に小さいのに対し、グランド接続導体ＧＣが介在せずに隣接する第２信号線ＳＬ２と第４信号線ＳＬ４を伝搬する第３信号と第４信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は相対的に大きい。

例えば、第１信号の基本波周波数をｆ１、第２信号の基本波周波数をｆ２、第３信号の基本波周波数をｆ３、第４信号の基本波周波数をｆ４、でそれぞれ表すと、
ｆ１：２１００ＭＨｚ
ｆ２：８５０ＭＨｚ
ｆ３：９００ＭＨｚ
ｆ４：２１００ＭＨｚ
である。この場合、ｆ３とｆ４とについての最近接の周波数差は、ｆ３の２次高調波とｆ４の基本波との周波数差３００ＭＨｚ（２１００−９００×２＝３００）、である。また、ｆ３とｆ１とについての最近接の周波数差は、ｆ３の２次高調波とｆ１の基本波との周波数差３００ＭＨｚ（２１００−９００×２＝３００）、である。したがって、上記条件を満足する。

また、本実施形態の伝送線路１０２において、第１信号と第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第１信号と第４信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である。言い換えると、間にグランド接続導体ＧＣが介在する、第１信号線ＳＬ１と第３信号線ＳＬ３を伝搬する第１信号と第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は相対的に小さいのに対し、グランド接続導体ＧＣが介在せずに隣接する第１信号線ＳＬ１と第４信号線ＳＬ４を伝搬する第１信号と第４信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は相対的に大きい。

本実施形態では、ｆ１とｆ３とについての最近接の周波数差は上記のとおり３００ＭＨｚであり、ｆ１の基本波とｆ４の基本波との周波数差は上記のとおり０ＭＨｚであり、この条件も満足する。

本実施形態によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に次のような効果を奏する。

・互いに隣接する信号線を伝搬する信号の周波数差（一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差）が、互いに隣接しない信号線についての信号の周波数差（一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差）より大きいので、互いに隣接する信号線間のアイソレーションを効果的に確保できる。

図４に示した例では、信号線ＳＬ２−ＳＬ１間のアイソレーション、信号線ＳＬ１−ＳＬ３間のアイソレーション、信号線ＳＬ３−ＳＬ４間のアイソレーション、がそれぞれ確保される。信号線ＳＬ１−ＳＬ３間のアイソレーションはグランド接続導体ＧＣによって、さらに確保される。

《第３の実施形態》
第３の実施形態でも、４つの信号線を有する伝送線路について例示する。

図５は第３の実施形態に係る伝送線路１０３の断面図である。この伝送線路１０３は、第１の実施形態で示した伝送線路１０１において、第２信号線ＳＬ２に隣接する第５信号線ＳＬ５を更に備えるものである。各絶縁基材の構成、並走部の構成などは第１の実施形態で示した伝送線路１０１と同様である。

図５に表れているように、複数の絶縁基材が積層されて絶縁基材の積層体ＬＬが構成される。第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とは、絶縁基材の積層体ＬＬの積層方向に互いに対向する。第１信号用の第１信号線ＳＬ１、第２信号用の第２信号線ＳＬ２、第３信号用の第３信号線ＳＬ３及び第５信号用の第５信号線ＳＬ５は、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２との間に配置されている。第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２は、積層方向（Ｚ軸方向）に視て第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２、第３信号線ＳＬ３及び第５信号線ＳＬ５に重なる。第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２はグランド接続導体ＧＣを介して接続されている。

第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２、第３信号線ＳＬ３及び第５信号線ＳＬ５は、互いに同一層で（幅方向に）並走する並走部を構成する。第５信号線ＳＬ５は、第２信号線ＳＬ２を基準にして第１信号線ＳＬ１とは反対側の位置に配置されている。グランド接続導体ＧＣは、並走部をこの並走部における信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ５の幅方向（Ｙ軸方向）で第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とに区分する。

上記並走部において、第２信号線ＳＬ２と第５信号線ＳＬ５との間には、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とを接続する導体はない。

第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第１信号線ＳＬ１によって第１ストリップラインが構成され、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第２信号線ＳＬ２によって第２ストリップラインが構成され、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第３信号線ＳＬ３によって第３ストリップラインが構成され、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２及び第５信号線ＳＬ５によって第５ストリップラインが構成されている。

本実施形態の伝送線路１０３において、第５信号と第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第５信号と第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である。

例えば、第１信号の基本波周波数をｆ１、第２信号の基本波周波数をｆ２、第３信号の基本波周波数をｆ３、第５信号の基本波周波数をｆ５、でそれぞれ表すと、
ｆ１：２１００ＭＨｚ
ｆ２：８５０ＭＨｚ
ｆ３：２１００ＭＨｚ
ｆ５：２１００ＭＨｚ
である。この場合、ｆ５とｆ２とについての最近接の周波数差は、ｆ５の基本波とｆ２の２次高調波との周波数差４００ＭＨｚ（２１００−８５０×２＝４００）、である。また、ｆ５とｆ１とについての最近接の周波数差は、ｆ５の基本波とｆ１の基本波との周波数差０ＭＨｚ（２１００−２１００＝０）、である。したがって、上記条件を満足する。つまり、｜ｆ５−２ｆ２｜＞｜ｆ５−ｆ１｜を満たす。

また、本実施形態の伝送線路１０３において、第２信号と第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差、及び第２信号と第５信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差、は、第１信号と第５信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差より大きい。本実施形態では、ｆ２とｆ１とについての最近接の周波数差は上記のとおり４００ＭＨｚであり、ｆ２とｆ５とについての最近接の周波数差は上記のとおり４００ＭＨｚであり、ｆ１の基本波とｆ５の基本波との周波数差は上記のとおり０ＭＨｚであり、この条件も満足する。つまり、
｜２ｆ２−ｆ１｜＞｜ｆ１−ｆ５｜ かつ、
｜２ｆ２−ｆ５｜＞｜ｆ１−ｆ５｜を満たす。

以上の例では、三つの信号が同一周波数であって、２種の周波数信号を扱う例を示したが、３種の周波数信号を扱う場合にも、次に示すように、同様に適用できる。

例えば、
ｆ１：２１００ＭＨｚ
ｆ２：８５０ＭＨｚ
ｆ３：９００ＭＨｚ
ｆ５：２１００ＭＨｚ
の場合、ｆ５とｆ２とについての最近接の周波数差は、ｆ５の基本波とｆ２の２次高調波との周波数差４００ＭＨｚ（２１００−８５０×２＝４００）、である。また、ｆ５とｆ１とについての最近接の周波数差は、ｆ５の基本波とｆ１の基本波との周波数差０ＭＨｚ（２１００−２１００＝０）、である。したがって、上記条件を満足する。つまり、
｜ｆ５−２ｆ２｜＞｜ｆ５−ｆ１｜を満たす。

また、ｆ２とｆ１とについての最近接の周波数差は上記のとおり４００ＭＨｚであり、ｆ２とｆ５とについての最近接の周波数差は上記のとおり４００ＭＨｚであり、ｆ１の基本波とｆ５の基本波との周波数差は上記のとおり０ＭＨｚであり、この条件も満足する。つまり、
｜２ｆ２−ｆ１｜＞｜ｆ１−ｆ５｜ かつ、
｜２ｆ２−ｆ５｜＞｜ｆ１−ｆ５｜を満たす。

本実施形態によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に次のような効果を奏する。

・第３信号線ＳＬ３、第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２及び第５信号線ＳＬ５の並走部において、第２信号線ＳＬ２と第５信号線ＳＬ５との間に、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とを接続する導体がないため、幅方向（Ｙ軸方向）のサイズを小さくできる。

・第５信号と第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、第５信号と第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上であるので、第２信号と第５信号との干渉が効果的に抑制される。

・第２信号と第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差、及び第２信号と第５信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差、は、第１信号と第５信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差より大きいので、第１信号と第５信号との干渉が効果的に抑制される。

《第４の実施形態》
第４の実施形態でも、４つの信号線を有する伝送線路について例示する。

図６は第４の実施形態に係る伝送線路１０４の断面図である。各絶縁基材の構成、並走部の構成などは第１の実施形態で示した伝送線路１０１と同様である。

図６に表れているように、複数の絶縁基材が積層されて絶縁基材の積層体ＬＬが構成される。第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とは、絶縁基材の積層体ＬＬを介して互いに対向する。信号線ＳＬａ，ＳＬｂ，ＳＬｃ，ＳＬｄは、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２との間に配置されている。第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２は、積層方向（Ｚ軸方向）に視て、信号線ＳＬａ，ＳＬｂ，ＳＬｃ，ＳＬｄに重なる。第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２はグランド接続導体ＧＣａ，ＧＣｂを介して接続されている。

図６において、信号線ＳＬａ，ＳＬｂ，ＳＬｃ、グランド導体Ｇ１，Ｇ２及びグランド接続導体ＧＣａによって構成される部分は、第１の実施形態で示した伝送線路１０１と同じである。つまり、信号線ＳＬａ，ＳＬｂ，ＳＬｃは第１の実施形態で示した伝送線路１０１における信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３にそれぞれ対応し、グランド接続導体ＧＣａは、第１の実施形態で示した伝送線路１０１におけるグランド接続導体ＧＣに対応する。

また、この図６において、信号線ＳＬｂ，ＳＬａ，ＳＬｄ、グランド導体Ｇ１，Ｇ２及びグランド接続導体ＧＣｂによって構成される部分は、第１の実施形態で示した伝送線路１０１と同じである。つまり、信号線ＳＬｂ，ＳＬａ，ＳＬｄは第１の実施形態で示した伝送線路１０１における信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３にそれぞれ対応し、グランド接続導体ＧＣｂは、第１の実施形態で示した伝送線路１０１におけるグランド接続導体ＧＣに対応する。

本実施形態で示すように、３つの信号線及び１つのグランド接続導体を備える伝送線路部を複数備えることで伝送線路を構成してもよい。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、本発明に係る電子機器の構成例について例示する。

図７は第５の実施形態に係る電子機器２０１の断面図である。この電子機器２０１は、所定の回路が構成された回路基板１０と、この回路基板１０を収納する筐体２０とを備える。図８は回路基板１０の主要部の平面図である。

回路基板１０には、伝送線路１０１が搭載されている。この伝送線路１０１は第１の実施形態で示した伝送線路１０１である。また、回路基板１０には、実装部品１１，１２，１３，１４，１５が実装されている。これら実装部品は集積回路、高周波モジュール部品、チップコンデンサ等である。

回路基板１０には、伝送線路１０１の下面に設けられている接続部ＣＣ１１，ＣＣ１２，ＣＣ２１，ＣＣ２２，ＣＣ３１，ＣＣ３２の同軸コネクタ（プラグ）がそれぞれ接続されるレセプタクルが設けられている。伝送線路１０１は、その接続部ＣＣ１１，ＣＣ１２，ＣＣ２１，ＣＣ２２，ＣＣ３１，ＣＣ３２のプラグが回路基板１０のレセプタクルに取り付けられることによって、回路基板１０に搭載される。

図９は本実施形態の別の電子機器２０２の主要部の正面図である。この電子機器２０２は、段差部を有する回路基板１０と、この回路基板１０に搭載される伝送線路１０１とを備える。

回路基板１０にはレセプタクルＣＲが設けられていて、伝送線路１０１のプラグＣＰが接続される。伝送線路１０１は、絶縁基材の積層方向に曲げられた曲げ部ＢＳを有する。このように、伝送線路１０１が曲げ部ＢＳを有することで、回路基板１０の段差部に沿って伝送線路１０１を搭載できる。

本発明によれば、伝送線路１０１の厚み方向（Ｚ軸方向）のサイズが小さい（薄く形成できる）ので、厚み方向の曲げ加工が容易となり、段差部に沿った形状の伝送線路を容易に形成できる。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

例えば、各実施形態で示した伝送線路において、信号線の数はその実施形態で示した例に限るものではなく、さらに別の信号線を増設して、多芯化してもよい。

また、各実施形態では、複数の信号線と、それら信号線を挟む第１グランド導体Ｇ１及び第２グランド導体Ｇ２とで複数のストリップラインを構成した例を示したが、積層方向にさらに別のグランド導体及び信号線を設けて多芯化してもよい。

ＢＳ…曲げ部
ＣＣ１１，ＣＣ１２，ＣＣ２１，ＣＣ２２，ＣＣ３１，ＣＣ３２…接続部
ＣＰ…プラグ
ＣＲ…レセプタクル
Ｇ１…第１グランド導体
Ｇ２…第２グランド導体
ＧＣ，ＧＣａ，ＧＣｂ…グランド接続導体
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…絶縁基材
ＬＬ…積層体
ＰＳ…並走部
Ｒ１…第１領域
Ｒ２…第２領域
ＳＬ１…第１信号線
ＳＬ２…第２信号線
ＳＬ３…第３信号線
ＳＬ４…第４信号線
ＳＬ５…第５信号線
ＳＬａ，ＳＬｂ，ＳＬｃ，ＳＬｄ…信号線
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３…ビア導体
ＶＰ…ビア接続導体
１０…回路基板
１１，１２，１３，１４，１５…実装部品
２０…筐体
１０１〜１０４…伝送線路
２０１，２０２…電子機器

Claims (11)

1. 導体パターンと、当該導体パターンが形成されて積層される複数の絶縁基材と、で構成される伝送線路において、
   前記導体パターンは、
   第１信号用の第１信号線、第２信号用の第２信号線及び第３信号用の第３信号線を含む複数の信号線と、
   前記積層の方向で、前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第３信号線の一方側領域に位置する第１グランド導体、及び他方側領域に位置する第２グランド導体と、
   前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続するグランド接続導体と、
   を含み、
   前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第３信号線は、互いに並走する並走部を構成し、
   前記グランド接続導体は、前記並走部を当該並走部における前記複数の信号線の幅方向で第１領域と第２領域とに区分し、
   前記第１信号線及び前記第２信号線は前記第１領域に配置され、
   前記第３信号線は前記第２領域に配置され、
   前記並走部において、前記積層の方向で、前記第１信号線と前記第２信号線との間、前記第１信号線と前記第３信号線との間、前記第２信号線と前記第３信号線との間のそれぞれの間にはグランド導体がなく、
   前記並走部において、前記第１信号線と前記第２信号線との間には、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続する導体がなく、
   前記並走部において、前記第１信号線は前記第２信号線に比べて前記グランド接続導体寄りに位置し、
   前記第１信号と前記第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、前記第１信号と前記第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である、
   伝送線路。
2. 前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第３信号線は、前記絶縁基材による同一の層に配置されている、請求項１に記載の伝送線路。
3. 前記第１グランド導体及び前記第２グランド導体は、前記積層方向に視て前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第３信号線に重なる、
   請求項１又は２に記載した伝送線路。
4. 前記第１信号と前記第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、前記第２信号と前記第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である、
   請求項１から３のいずれかに記載の伝送線路。
5. 前記第３信号と前記第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、前記第３信号と前記第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である、
   請求項１から４のいずれかに記載の伝送線路。
6. 前記並走部は、前記第２領域において、同一層で前記第３信号線に並走する第４信号用の第４信号線を備え、
   前記並走部において、前記第３信号線と前記第４信号線との間には、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続する導体がなく、
   前記第３信号と前記第４信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、前記第３信号と前記第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である、
   請求項１から５のいずれかに記載の伝送線路。
7. 前記第１信号と前記第３信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、前記第１信号と前記第４信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である、
   請求項６に記載の伝送線路。
8. 前記並走部は、前記第１領域において、同一層で前記第２信号線に並走し、かつ、前記第２信号線を基準にして前記第１信号線とは反対側の位置に配置された第５信号線を備え、
   前記並走部において、前記第２信号線と前記第５信号線との間には、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続する導体がなく、
   前記第５信号線を通過する第５信号と前記第２信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差は、前記第５信号と前記第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差以上である、
   請求項１から７のいずれかに記載の伝送線路。
9. 前記第２信号と前記第１信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差、及び前記第２信号と前記第５信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差、は、前記第１信号と前記第５信号とについての、一方の基本波と他方の基本波又は高調波との最近接の周波数差より大きい、
   請求項８に記載の伝送線路。
10. 前記複数の絶縁基材の積層方向に曲げられた曲げ部を有する、
    請求項１から９のいずれかに記載の伝送線路。
11. 請求項１から１０のいずれかに記載の伝送線路と、当該伝送線路が実装された回路基板と、前記伝送線路及び前記回路基板を収納する筐体と、を有する、
    電子機器。

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