JPWO2016088693A1 - 電子機器 - Google Patents
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Abstract
電子機器(301)は、第1基板(101)と、第1基板(101)に実装され、第1基板(101)より小面積の第2基板(201)と、を備える。第2基板(201)は、長手方向を有し、長手方向に沿った各部における幅が実質的に均一な平板状である。第2基板(201)は、信号線を含む高周波伝送線路を備え、第1面に信号線に導通する入出力パッド、および入出力パッド間に配置される補助パッドを備え、第1基板(101)は入出力パッドおよび補助パッドがそれぞれ接続されるランドを備え、入出力パッドおよび補助パッドは第1基板(101)のランドにそれぞれはんだ付けされて、第2基板(201)が第1基板(101)に面実装される。
Description
本発明は、基板と、この基板に表面実装された基板型の電気素子とを含む電子機器に関する。
例えば高周波回路を備える電子機器においては、基板と共に一定以上の長さの伝送線路を筐体内に設けることはスペース的に困難であることが多い。
特許文献1には、アンテナに接続される同軸ケーブルの固定方法が示されている。特許文献1の装置では、同軸ケーブルが切欠部に挿入され、曲り部に嵌入され、曲り部に於いてケーブルが引っ掛かることで固定される。
基板と共に、同軸ケーブルのような一定の長さを有する部材(長尺状部材)を備える電子機器においては、その長尺状部材は基板上の実装部品を回避して配置されることが一般的である。しかし、同軸ケーブルのような長尺状部材は変形し易く、限られたスペースで固定することは困難であった。
本発明の目的は、基板と共に、限られたスペースに長尺状部材が設けられた電子機器を提供することにある。
(1)本発明の電子機器は、
第1基板と、前記第1基板に実装され、前記第1基板より小面積の第2基板と、を備え、
前記第2基板は、長手方向を有し、長手方向に沿った各部における幅が実質的に均一な平板状であり、
前記第2基板は、信号線を含む高周波伝送線路を備え、前記第2基板は第1面に前記信号線に導通する入出力パッド、および前記入出力パッド間に配置される補助パッドを備え、
前記第1基板は前記入出力パッドおよび前記補助パッドがそれぞれ接続されるランドを備え、
前記入出力パッドおよび前記補助パッドは前記第1基板の前記ランドにそれぞれはんだ付けされて、前記第2基板が前記第1基板に面実装されていることを特徴とする。
第1基板と、前記第1基板に実装され、前記第1基板より小面積の第2基板と、を備え、
前記第2基板は、長手方向を有し、長手方向に沿った各部における幅が実質的に均一な平板状であり、
前記第2基板は、信号線を含む高周波伝送線路を備え、前記第2基板は第1面に前記信号線に導通する入出力パッド、および前記入出力パッド間に配置される補助パッドを備え、
前記第1基板は前記入出力パッドおよび前記補助パッドがそれぞれ接続されるランドを備え、
前記入出力パッドおよび前記補助パッドは前記第1基板の前記ランドにそれぞれはんだ付けされて、前記第2基板が前記第1基板に面実装されていることを特徴とする。
上記構成により、第1基板上の他の部品を回避するように第2基板を配置することができ、しかも第2基板の全面を第1基板に対面して固定することができるため、同軸ケーブルを用いた場合のような位置変動が起こらず、リフロープロセスで実装できるため、製造工程も簡素化される。また、入出力パッド間に配置される補助パッドを備えているので、第2基板が一定の長さを有していても、第1基板との面実装の強度が高く、実装後の変形が抑制される。
(2)上記(1)において、前記入出力パッドおよび前記補助パッドは前記長手方向に配列されていることが好ましい。これにより、幅方向(長手方向に対する直交方向)に拡がらず、第1基板上の限られたスペースに配置される。
(3)上記(1)または(2)において、前記第2基板の基材は、前記第1基板よりも低い比誘電率の材料で構成されていることが好ましい。これにより、高周波伝送線路を第1基板に直接形成する場合に比較して、波長短縮効果が弱くなり、波数が少なくなって、低損失化される。また、第2基板は薄く形成できる。
(4)上記(3)において、前記基材は例えば液晶ポリマーである。
(5)上記(1)から(4)のいずれかにおいて、前記高周波伝送線路はグランド導体を含み、前記補助パッドは前記グランド導体であることが好ましい。これにより、補助パッド用の特別な電極を形成する必要がないので、導体パターンが簡素化され、薄型化される。また、補助パッドを介して第1基板側のグランドと接続可能となる。また、補助パッドを介して第1基板側のグランドと接続しているので、第2基板におけるグランド電位が安定する。
(6)上記(1)から(5)のいずれかにおいて、前記第2基板は、前記第1面の面方向に曲がるベンド部を有し、前記第1基板に実装される部品を避けた状態で、前記第1基板に配置されていることが好ましい。これにより、第1基板上の限られたスペースに第2基板が配置できる。
(7)上記(1)から(6)のいずれかにおいて、前記第1基板は段差部を有し、前記第2基板は、前記段差部に沿って前記第1基板に面実装されていることが好ましい。これにより、第1基板上の限られたスペースに第2基板が配置できる。
(8)上記(7)において、前記第2基板は、前記段差部に沿った形状に予め変形されていることが好ましい。これにより、第2基板を通常の表面実装プロセスで第1基板に実装できる。
(9)上記(1)から(8)のいずれかにおいて、前記第2基板は、複数の基材層に形成された複数の導体層を備え、前記導体層のうち、前記入出力パッドが形成されている導体層は他の導体層の厚さに比べて最も厚いことが好ましい。これにより、第2基板の実装面側の変形が抑制され、実装性が確保される。
(10)上記(1)から(9)のいずれかにおいて、前記高周波伝送線路は複数の信号線を備えることが好ましい。これにより、少ない部品点数で多くの伝送線路を第1基板に設けることができる。
(11)上記(10)において、前記第2基板は、複数の基材層に形成された複数の導体層を備え、前記高周波伝送線路は、異なる導体層に形成された複数の信号線を備えることが好ましい。これにより、第2基板の幅を拡げることなく、第1基板上の限られたスペースに、多くの高周波伝送線路を設けることができる。
(12)上記(1)から(11)のいずれかにおいて、前記入出力パッドおよび前記補助パッドは一列にのみ配列されていてもよい。これにより、第2基板の幅を細くでき、そのことで、第1基板に対する第2基板の配置の自由度が高まる。また、第1基板に実装される部品等のレイアウトの自由度も高まる。
本発明によれば、第1基板上の他の部品を回避するように第2基板を配置することができ、しかも第2基板の全面を第1基板に対面して固定することができるため、同軸ケーブルを用いた場合のような位置変動が起こらず、リフロープロセスで実装できるため、製造工程も簡素化される。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付す。第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第1の実施形態》
図1は第1の実施形態に係る電子機器が備える第2基板201の主要部の斜視図であり、図2は第2基板201の、保護膜52の形成前の状態での斜視図である。また、図3は、第2基板201の、保護膜52の形成前の状態での分解斜視図である。図4は、第1基板101と、それに実装される第2基板201の構造を示す斜視図である。さらに、図7は、第1基板101に第2基板201が実装されて構成された電子機器301の斜視図である。
図1は第1の実施形態に係る電子機器が備える第2基板201の主要部の斜視図であり、図2は第2基板201の、保護膜52の形成前の状態での斜視図である。また、図3は、第2基板201の、保護膜52の形成前の状態での分解斜視図である。図4は、第1基板101と、それに実装される第2基板201の構造を示す斜視図である。さらに、図7は、第1基板101に第2基板201が実装されて構成された電子機器301の斜視図である。
先ず、第2基板201の構造について示す。図1に表れているように、第2基板201は、長手方向(図1におけるX軸方向)を有し、長手方向に沿った各部における幅(Y軸方向の寸法)が実質的に均一な平板状である。
第2基板201は、第1面S1に入出力パッド31,32、および入出力パッド31,32間に配置される複数の補助パッド22Pを備える。この第2基板201は第1面S1を実装面として、後に示す第1基板101に面実装される。
第2基板201の第1面S1には保護膜52が形成されていて、その反対面には保護膜51が形成されている。保護膜51,52の下層には、図2に示すように第1グランド導体21、第2グランド導体22がそれぞれ形成されている。上記補助パッド22Pは保護膜52に形成された開口で露出する第2グランド導体22の一部である。
第2基板201の基材10は、図3に表れているように、基材11,12,13で構成される。基材11,12,13は、例えば、比誘電率が約3の液晶ポリマー(LCP)シート等の熱可塑性樹脂の絶縁性基材である。各導体パターンは、この絶縁性基材に貼付された銅箔がパターンニングされたものである。
基材11の下面のほぼ全面に第1グランド導体21が形成されている。基材12の上面には、信号線30および信号線30の両側部に沿って配置されたビア受け電極40が形成されている。基材13の上面には、第2グランド導体22および入出力パッド31,32が形成されている。第1グランド導体21はビアVGを介して第2グランド導体22に接続されている。また、信号線30の両端はビアVS1,VS2を介して入出力パッド31,32に接続されている。
上記第1グランド導体21、第2グランド導体22および信号線30によってストリップライン構造の高周波伝送線路が構成される。
上記第2グランド導体22は第1グランド導体21より厚い。例えば、第1グランド導体21は6μm以上12μm以下であり、第2グランド導体22は12μm以上36μm以下である。このように、第2基板の実装面側のグランド導体を厚くすることによって、実装面の変形が抑制され、第1基板101からの部分的な浮き上がりが防止され、第1基板101への第2基板201の実装信頼性が高まる。
図4に表れているように、第1基板101の上面には、第2基板201の入出力パッド31,32が接続されるランド131,132、および補助パッド22Pが接続されるランド122が形成されている。また、第1基板101の上面には複数の実装部品210が接続されるランドも形成されている。第2基板201は実装部品210と同様にして第1基板101に実装される。第1基板101は、例えば基材の比誘電率が約5のFR4等のガラスエポキシ基板である。
図5は第1基板101への第2基板201の実装工程での状態を示す断面図である。図6は第1基板101へ第2基板201を実装した状態を示す断面図である。いずれも、図4におけるX−X部分での断面図である。
第1基板101に形成されているランド131,132,122の表面には、それぞれはんだSPがプリコートされている。
真空吸着チャックには先端治具400を取り付けられる。この先端治具400は第2基板201の第2面全体を覆う大きさの吸着面を備える。複数の第2基板201は予めパレットに収納されている。先端治具400が取り付けられた真空吸着チャックはパレットから第2基板201をピックアップし、第1基板101の所定位置へ載置する。その後、第1基板101をリフロー炉を通過させることで、他の素子と共に一括リフローはんだ法により、第2基板201ははんだ付けされる。すなわち、第2基板201は他の素子と同様に、表面実装部品として実装される。このことにより、図7に示す電子機器301が構成される。
上記はんだ付け時に、入出力パッド31,32、および補助パッド22Pにはんだが収まるように、第2基板201にセルフアライメント作用が発生する。このことにより、第2基板201は第1基板101に対して高精度に実装される。
また、補助パッド22Pが設けられているので、入出力パッド31と入出力パッド32との間が長くても、リフローはんだ法による一括接合時に基板に対する第2基板201の異常な移動を抑制できる。
なお、第1基板101のランド131,132,122ではなく、第2基板のパッド31,32,22Pの表面に、はんだがプリコートされていてもよい。
上記はんだ付けにより、第1基板101に形成されているランド131,132,122に第2基板201の入出力パッド31,32、および補助パッド22Pがそれぞれ接続される。
第1基板101側のランド122はグランド電位の電極であり、第2基板201の高周波伝送線路部のグランド導体は第1基板101側のグランドに電気的に接続される。このことにより、高周波伝送線路のグランド電位は安定化される。
本実施形態によれば、次のような効果を奏する。
(a)第1基板101上の他の部品を回避するように第2基板201を配置することができ、しかも第2基板201の全面を第1基板101に対面して固定することができるため、同軸ケーブルを用いた場合のような位置変動が起こらず、リフロープロセスで実装できるため、製造工程も簡素化される。
(b)薄く形成された第2基板201は変形し易いが、入出力パッド31,32だけでなく補助パッド22Pによっても面実装されるので、面実装の強度が高く、実装後の変形が抑制される。
(c)入出力パッド31,32および補助パッド22Pは第2基板201の長手方向に配列されているので、第2基板201は幅方向(長手方向に対する直交方向)に拡がらず、第1基板101上の限られたスペースに配置される。
(d)第1基板101の基材の比誘電率が約5であるのに対し、第2基板201の基材の比誘電率は約3と低いので、高周波伝送線路を第1基板に直接形成する場合に比較して、第2基板201内での波長短縮効果が弱くなり、高周波伝送線路上の波数が少なくなって、低損失化される。また、第2基板201は薄く形成できる。
(e)高周波伝送線路はグランド導体を含み、補助パッド22Pはグランド導体であるので、補助パッド用の特別な電極を形成する必要がなく、導体パターンが簡素化され、薄型化される。また、補助パッド22Pを介して第1基板101側のグランドと接続可能となる。
《第2の実施形態》
第2の実施形態では、第1面の面方向に曲がるベンド部を有する第2基板を備える電子機器の例を示す。
第2の実施形態では、第1面の面方向に曲がるベンド部を有する第2基板を備える電子機器の例を示す。
図8は第2の実施形態に係る電子機器302Aの斜視図である。この電子機器302Aは第1基板102Aに第2基板202Aおよびその他の実装部品210が実装されたものである。
図9は第2の実施形態に係る別の電子機器302Bの斜視図である。この電子機器302Bは第1基板102Bに第2基板202Bおよびその他の実装部品210が実装されたものである。
第2基板202A,202Bは、第1基板102A,102Bへの実装面である第1面の面方向に曲がるベンド部を有している。第2基板202A,202Bの構造は、第1の実施形態で示した第2基板201と基本構造は同じである。
図8に示す例では、第2基板202Aは複数の実装部品210の間の空間を通るように配置されている。図9に示す例では、第2基板202Bは第1基板102Bの縁に沿って配置されている。
このように、本実施形態によれば、第1基板102A,102Bに実装される部品を避けた状態で、第2基板202A,202Bが第1基板102A,102Bに配置されることが好ましい。これにより、第1基板102A,102B上の限られたスペースに第2基板202A,202Bが配置できる。
《第3の実施形態》
第3の実施形態では、第2基板が第1基板の段差部に沿って面実装された電子機器の例を示す。
第3の実施形態では、第2基板が第1基板の段差部に沿って面実装された電子機器の例を示す。
図10は第3の実施形態に係る電子機器303の主要部の断面図である。図11(A)は電子機器303が備える第2基板203のプリフォーム前の断面図であり、図11(B)はプリフォームされた第2基板203が第1基板103へ実装される工程での断面図である。
本実施形態の電子機器303は、第1基板103と、この第1基板103に実装された第2基板203とを備える。第1基板103には段差部を有し、この段差部に沿って、第2基板203は第1基板103に面実装される。
第2基板203は、厚み方向に屈曲している。第2基板203の構造は、第1の実施形態で示した第2基板201と基本構造は同じである。この第2基板203の基材は第1の実施形態の第2基板201と同様の熱可塑性の樹脂であるので、先ず、第1の実施形態で示した第2基板201を作成し、それを加熱しつつ第2基板201の厚み方向に金型でプレス加工することによって得られる。第2基板203は、このように屈曲されても、それぞれ部分的に平坦な第1面S1と第2面S2を有する。したがって、この第2基板203をピックアップする場合、第2基板203の形状に合う真空吸着チャックの先端治具を用いる。または、第2基板203の主要な平坦部を吸着する。
本実施形態によれば、次のような効果を奏する。
(a)第1基板103に段差部があっても、その段差部を跨いで第2基板203が実装されるので、第1基板103上の限られたスペースに第2基板203が配置できる。
(b)第2基板203は、実装前に第1基板103の段差部に沿った形状に予め変形されているので、第2基板203を通常の表面実装プロセスで第1基板103に実装できる。
なお、第2基板は、第2実施形態で示した構造と第3の実施形態で示した構造の両方を備えていてもよい。すなわち、第2基板は、その実装面に沿った面方向に曲がるベンド部を有し、且つ厚み方向に屈曲する屈曲部を有していてもよい。
《第4の実施形態》
第4の実施形態では、複数の高周波伝送線路を有する第2基板を備えた電子機器について示す。
第4の実施形態では、複数の高周波伝送線路を有する第2基板を備えた電子機器について示す。
図12は第4の実施形態に係る電子機器が備える第2基板204の主要部の斜視図であり、図13は、第2基板204の、保護膜52の形成前の状態での斜視図である。また、図14は、第2基板204の、保護膜52の形成前の状態での分解斜視図である。図15は、第1基板104と、それに実装される第2基板204の構造を示す斜視図である。
図12に表れているように、第2基板204は、長手方向(図12におけるX軸方向)を有し、長手方向に沿った各部における幅(Y軸方向の寸法)が実質的に均一な平板状である。
第2基板204は、第1面S1に入出力パッド31A,31B,32A,32B、および入出力パッド31B,32B間に配置される複数の補助パッド23Pを備える。この第2基板204は第1面S1を実装面として、後に示す第1基板104に面実装される。
第2基板204の第1面S1には保護膜52が形成されている。保護膜52の下層には、図13に示すように第3グランド導体23が形成されている。上記補助パッド23Pは保護膜52に形成された開口で露出する第3グランド導体23の一部である。
第2基板204の基材10は、図14に表れているように、基材11〜15で構成される。基材11〜15は、例えば液晶ポリマー(LCP)シート等の熱可塑性樹脂の絶縁性基材である。各導体パターンは、この絶縁性基材に貼付された銅箔がパターンニングされたものである。
基材11の下面のほぼ全面に第1グランド導体21が形成されている。基材12の上面には、信号線30Aおよび信号線30Aの両側部に沿って配置されたビア受け電極40Aが形成されている。基材13の上面には、第2グランド導体22およびビア受け電極40Cが形成されている。第1グランド導体21はビアを介して第2グランド導体22に接続されている。基材14の上面には、信号線30Bおよび信号線30Bの両側部に沿って配置されたビア受け電極40B、および上記ビア受け電極40Cと同位置に配置されたビア受け電極40Dがそれぞれ形成されている。基材15の上面には、第3グランド導体23および入出力パッド31A,31B,32A,32Bが形成されている。
信号線30Aの両端はビアを介して入出力パッド31A,32Aに接続されている。また、信号線30Bの両端はビアを介して入出力パッド31B,32Bに接続されている。
上記第1グランド導体21、第2グランド導体22および信号線30Aによってストリップライン構造の第1の高周波伝送線路が構成される。また、上記第2グランド導体22、第3グランド導体23および信号線30Bによってストリップライン構造の第2の高周波伝送線路が構成される。
本実施形態によれば、第2基板204に複数の信号線が一体形成されているため、信号線間の距離が変化することによる特性変化が生じない。また、積層方向に複数の信号線が配置されることにより線幅を細くでき、第1基板104上の限られたスペースに配置することができる。なお、信号線30Bの端部とビア受け電極40Dとの間にグランド導体24が形成されているので、ビアを介する、第1の高周波伝送線路と第2の高周波伝送線路とのクロストークが上記グランド導体24によって抑制される。
図15に表れているように、第1基板104の上面には、第2基板204の入出力パッド31A,31B,32A,32Bが接続されるランド131A,131B,132A,132B、および補助パッド23Pが接続されるランド123が形成されている。また、第1基板104の上面には複数の実装部品210が接続されるランドも形成されている。第2基板204は実装部品210と同様にして第1基板104に実装される。
《第5の実施形態》
第5の実施形態では、複数の補助パッドが2列に形成された第2基板を備えた電子機器について示す。
第5の実施形態では、複数の補助パッドが2列に形成された第2基板を備えた電子機器について示す。
図16は第5の実施形態に係る電子機器が備える第2基板205の主要部の斜視図であり、図17は、第2基板205の、保護膜52の形成前の状態での斜視図である。また、図18は、第1基板105と、それに実装される第2基板205の構造を示す斜視図である。
基材10の内部構造は、第4の実施形態で図14に示したものと同じである。第2基板205は、第1面S1に入出力パッド31A,31B,32A,32B、および入出力パッド31A,31B,32A,32Bを挟む2列に配置された複数の補助パッド23Pを備える。この第2基板205は、第1面S1を実装面として、後に示す第1基板105に面実装される。
図18に表れているように、第1基板105の上面には、第2基板205の入出力パッド31A,31B,32A,32Bが接続されるランド131A,131B,132A,132B、および補助パッド23Pが接続されるランド123が形成されている。また、第1基板105の上面には複数の実装部品210が接続されるランドも形成されている。第2基板205は実装部品210と同様にして第1基板105に実装される。
《第6の実施形態》
第6の実施形態では、入出力パッドおよび補助パッドが一列にのみ配列された電子機器について示す。
第6の実施形態では、入出力パッドおよび補助パッドが一列にのみ配列された電子機器について示す。
図19は第6の実施形態に係る電子機器が備える第2基板206の主要部の斜視図であり、図20は、第2基板206の、保護膜52の形成前の状態での斜視図である。また、図21は、第2基板206の、保護膜52の形成前の状態での分解斜視図である。
第1の実施形態で図1に示した第2基板201とは補助パッドの配置が異なる。本実施形態では、入出力パッド31,32および複数の補助パッド22Pが1列にのみ配置されている。
第2基板206は、第1面S1に入出力パッド31,32および複数の補助パッド22Pを備える。この第2基板206は第1面S1を実装面として、第1基板101に面実装される。
第2基板206の第1面S1には保護膜52が形成されていて、その反対面には保護膜51が形成されている。保護膜51,52の下層には、図20に示すように第1グランド導体21、第2グランド導体22がそれぞれ形成されている。上記補助パッド22Pは保護膜52に形成された開口で露出する第2グランド導体22の一部である。
第2基板206の基材10は、図21に表れているように、絶縁性の基材11,12,13で構成される。各導体パターンは、各基材に貼付された銅箔がパターンニングされたものである。その他の構成は第1の実施形態で示したものと同じである。
基材11の下面のほぼ全面に第1グランド導体21が形成されている。基材12の上面には、信号線30および信号線30の両側部に沿って配置されたビア受け電極40が形成されている。基材13の上面には、第2グランド導体22および入出力パッド31,32が形成されている。第1グランド導体21はビアVGを介して第2グランド導体22に接続されている。また、信号線30の両端はビアVS1,VS2を介して入出力パッド31,32に接続されている。
上記第1グランド導体21、第2グランド導体22および信号線30によってストリップライン構造の高周波伝送線路が構成される。
本実施形態によれば、入出力パッド31,32および補助パッド22Pが一列にのみ配列されているので、第2基板206の幅を細くでき、そのことで、第1基板に対する第2基板206の配置の自由度が高い。また、この第2基板を用いることにより、第1基板に実装される部品等のレイアウトの自由度も高まる。また、入出力パッド31,32および補助パッド22Pが一列にのみ配列されていて、縦横に分散されていないので、第2基板の実装面に要求される平坦性の精度が緩和される。すなわち、接続部の信頼性を確保しやすい。
《第7の実施形態》
第7の実施形態では、複数の高周波伝送線路を有し、且つ入出力パッドおよび補助パッドが一列にのみ配列された電子機器について示す。
第7の実施形態では、複数の高周波伝送線路を有し、且つ入出力パッドおよび補助パッドが一列にのみ配列された電子機器について示す。
図22は第7の実施形態に係る電子機器が備える第2基板207の主要部の斜視図であり、図23は、第2基板207の、保護膜52の形成前の状態での斜視図である。また、図24は、第2基板207の、保護膜52の形成前の状態での分解斜視図である。
第4の実施形態で図12に示した第2基板204とは補助パッドの配置が異なる。本実施形態では、入出力パッド31A,31B,32A,32Bおよび複数の補助パッド23Pが1列にのみ配置されている。
図22に表れているように、第2基板207は、長手方向(図22におけるX軸方向)を有し、長手方向に沿った各部における幅(Y軸方向の寸法)が実質的に均一な平板状である。
第2基板207は、第1面S1に入出力パッド31A,31B,32A,32B、および複数の補助パッド23Pを備える。この第2基板207は第1面S1を実装面として、第1基板に面実装される。
第2基板207の第1面S1には保護膜52が形成されている。保護膜52の下層には、図23に示すように第3グランド導体23が形成されている。上記補助パッド23Pは保護膜52に形成された開口で露出する第3グランド導体23の一部である。
第2基板207の基材10は、図24に表れているように、絶縁性の基材11〜15で構成される。各導体パターンは、各基材に貼付された銅箔がパターンニングされたものである。
基材11の下面のほぼ全面に第1グランド導体21が形成されている。基材12の上面には、信号線30Aおよび信号線30Aの両側部に沿って配置されたビア受け電極40Aが形成されている。基材13の上面には、第2グランド導体22およびビア受け電極40Cが形成されている。第1グランド導体21はビアを介して第2グランド導体22に接続されている。基材14の上面には、信号線30Bおよびビア受け電極40A、および上記ビア受け電極40Cと同位置に配置されたビア受け電極40Dがそれぞれ形成されている。基材15の上面には、第3グランド導体23および入出力パッド31A,31B,32A,32Bが形成されている。
信号線30Aの両端はビアを介して入出力パッド31A,32Aに接続されている。また、信号線30Bの両端はビアを介して入出力パッド31B,32Bに接続されている。
その他の構成は第4の実施形態で示したものと同じである。本実施形態によれば、積層方向に複数の信号線が配置され、且つ入出力パッド31A,31B,32A,32Bおよび複数の補助パッド23Pが1列にのみ配置されていることにより線幅を細くでき、第1基板上の限られたスペースに配置することができる。また、入出力パッド31A,31B,32A,32Bおよび複数の補助パッド23Pが1列にのみ配置されているので、第6の実施形態の場合と同様に、接続部の信頼性を確保しやすい。
なお、第4、第5、第7の実施形態では、2つの高周波伝送線路を有する第2基板を示したが、同様にして、3つ以上の高周波伝送線路を形成してもよい。
S1…第1面
S2…第2面
SP…はんだペースト
VG,VS1,VS2…ビア
10,11〜15…基材
21…第1グランド導体
22…第2グランド導体
23…第3グランド導体
22P,23P…補助パッド
24…グランド導体
30,30A,30B…信号線
31,32…入出力パッド
31A,31B,32A,32B…入出力パッド
40,40A,40B,40C,40D…ビア受け電極
51,52…保護膜
101…第1基板
102A,102B…第1基板
103,104,105…第1基板
122,123…ランド
131,132…ランド
131A,131B,132A,132B…ランド
201…第2基板
202A,202B…第2基板
203〜207…第2基板
210…実装部品
301,302A,302B,303…電子機器
400…先端治具
S2…第2面
SP…はんだペースト
VG,VS1,VS2…ビア
10,11〜15…基材
21…第1グランド導体
22…第2グランド導体
23…第3グランド導体
22P,23P…補助パッド
24…グランド導体
30,30A,30B…信号線
31,32…入出力パッド
31A,31B,32A,32B…入出力パッド
40,40A,40B,40C,40D…ビア受け電極
51,52…保護膜
101…第1基板
102A,102B…第1基板
103,104,105…第1基板
122,123…ランド
131,132…ランド
131A,131B,132A,132B…ランド
201…第2基板
202A,202B…第2基板
203〜207…第2基板
210…実装部品
301,302A,302B,303…電子機器
400…先端治具
(1)本発明の電子機器は、
第1面を有する第1基板と、第1面を有し、前記第1基板に実装され、前記第1基板より小面積の第2基板と、を備える電子機器であり、
前記第2基板は、長手方向を有し、長手方向に沿った各部における幅が実質的に均一な平板状であり、
前記第2基板は、信号線を含む高周波伝送線路を備え、前記第2基板は第1面に前記信号線に導通する入出力パッド、および前記入出力パッド間に配置される補助パッドを備え、
前記第1基板は、当該第1基板の前記第1面に、前記入出力パッドおよび前記補助パッドがそれぞれ接続されるランドを備え、
前記入出力パッドおよび前記補助パッドは前記第1基板の前記ランドにそれぞれはんだ付けされて、前記第2基板の前記第1面の全体が前記第1基板の前記第1面に対面する状態で、前記第2基板が前記第1基板に面実装されていることを特徴とする。
第1面を有する第1基板と、第1面を有し、前記第1基板に実装され、前記第1基板より小面積の第2基板と、を備える電子機器であり、
前記第2基板は、長手方向を有し、長手方向に沿った各部における幅が実質的に均一な平板状であり、
前記第2基板は、信号線を含む高周波伝送線路を備え、前記第2基板は第1面に前記信号線に導通する入出力パッド、および前記入出力パッド間に配置される補助パッドを備え、
前記第1基板は、当該第1基板の前記第1面に、前記入出力パッドおよび前記補助パッドがそれぞれ接続されるランドを備え、
前記入出力パッドおよび前記補助パッドは前記第1基板の前記ランドにそれぞれはんだ付けされて、前記第2基板の前記第1面の全体が前記第1基板の前記第1面に対面する状態で、前記第2基板が前記第1基板に面実装されていることを特徴とする。
(6)上記(1)から(5)のいずれかにおいて、前記第2基板は、前記第1基板の前記第1面の面方向に曲がるベンド部を有し、前記第1基板に実装される部品を避けた状態で、前記第1基板に配置されていることが好ましい。これにより、第1基板上の限られたスペースに第2基板が配置できる。
(10)上記(1)から(9)のいずれかにおいて、前記信号線の数は複数であることが好ましい。これにより、少ない部品点数で多くの伝送線路を第1基板に設けることができる。
(11)上記(1)から(8)のいずれかにおいて、前記第2基板は、複数の基材層に形成された複数の導体層を備え、前記信号線の数は複数であり、前記信号線は、前記複数の導体層のうち互いに異なる導体層にそれぞれ形成されていることが好ましい。これにより、第2基板の幅を拡げることなく、第1基板上の限られたスペースに、多くの高周波伝送線路を設けることができる。
Claims (12)
- 第1基板と、前記第1基板に実装され、前記第1基板より小面積の第2基板と、を備える電子機器であり、
前記第2基板は、長手方向を有し、長手方向に沿った各部における幅が実質的に均一な平板状であり、
前記第2基板は、信号線を含む高周波伝送線路を備え、前記第2基板は第1面に前記信号線に導通する入出力パッド、および前記入出力パッド間に配置される補助パッドを備え、
前記第1基板は前記入出力パッドおよび前記補助パッドがそれぞれ接続されるランドを備え、
前記入出力パッドおよび前記補助パッドは前記第1基板の前記ランドにそれぞれはんだ付けされて、前記第2基板が前記第1基板に面実装されていることを特徴とする、電子機器。 - 前記入出力パッドおよび前記補助パッドは前記長手方向に配列されている、請求項1に記載の電子機器。
- 前記第2基板の基材は、前記第1基板よりも低い比誘電率の材料で構成されている、請求項1または2に記載の電子機器。
- 前記基材は液晶ポリマーである、請求項3に記載の電子機器。
- 前記高周波伝送線路はグランド導体を含み、前記補助パッドは前記グランド導体である、請求項1から4のいずれかに記載の電子機器。
- 前記第2基板は、前記第1面の面方向に曲がるベンド部を有し、前記第1基板に実装される部品を避けた状態で、前記第1基板に配置されている、請求項1から5のいずれかに記載の電子機器。
- 前記第1基板は段差部を有し、
前記第2基板は、前記段差部に沿って前記第1基板に面実装されている、請求項1から6のいずれかに記載の電子機器。 - 前記第2基板は、前記段差部に沿った形状に予め変形されている、請求項7に記載の電子機器。
- 前記第2基板は、複数の基材層に形成された複数の導体層を備え、
前記導体層のうち、前記入出力パッドが形成されている導体層は他の導体層の厚さに比べて最も厚い、請求項1から8のいずれかに記載の電子機器。 - 前記高周波伝送線路は複数の信号線を備える、請求項1から9のいずれかに記載の電子機器。
- 前記第2基板は、複数の基材層に形成された複数の導体層を備え、
前記高周波伝送線路は、異なる導体層に形成された複数の信号線を備える、請求項10に記載の電子機器。 - 前記入出力パッドおよび前記補助パッドは一列にのみ配列されている、請求項1から11のいずれかに記載の電子機器。
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