JP6432590B2 - 高周波伝送線路基板 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に表面実装される基板型の高周波伝送線路基板に関する。
例えば高周波回路を備える電子機器においては、基板と共に一定以上の長さの伝送線路を筐体内に設けることはスペース的に困難であることが多い。
特許文献１には、アンテナに接続される同軸ケーブルの固定方法が示されている。特許文献１の装置では、同軸ケーブルが切欠部に挿入され、曲り部に嵌入され、曲り部に於いてケーブルが引っ掛かることで固定される。
特開２００１−２５７４８７号公報
基板と共に、同軸ケーブルのような一定の長さを有する部材（長尺状部材）を備える電子機器においては、その長尺状部材は基板上の実装部品を回避して配置されることが一般的である。しかし、同軸ケーブルのような長尺状部材は変形し易く、限られたスペースで固定することは困難であった。
本発明の目的は、基板に表面実装され、限られたスペースに設けられる高周波伝送線路基板を提供することにある。
（１）本発明の高周波伝送線路基板は、
第１面を有するものであり、
基材と、
前記基材に形成される信号線およびグランド導体と、
前記第１面に配置され、前記信号線に導通する入出力パッドと、
前記第１面に配置され、前記入出力パッド間に配置される補助パッドと、
前記第１面の面方向に曲がる部分と、
を備え、
前記入出力パッドおよび前記補助パッドは、単一の基板に接続されるためのものであることを特徴とする。
この構成により、基板上の他の部品を回避するように高周波伝送線路基板を配置することができ、しかも高周波線路基板の全面を基板に対面して固定することができるため、同軸ケーブルを用いた場合のような位置変動が起こらず、リフロープロセスで実装できるため、製造工程も簡略化される。また、入出力パッド間に配置される補助パッドを備えているので、高周波伝送線路基板が一定の長さを有していても、面実装の強度が高く、実装後の変形が抑制される。また、この構成により、基板上の限られたスペースに高周波伝送線路基板を配置できる。
（２）本発明の高周波伝送線路基板は、
第１面を有するものであり、
基材と、
前記基材に形成される信号線およびグランド導体と、
前記第１面に配置され、前記信号線に導通する入出力パッドと、
前記第１面に配置され、前記入出力パッド間に配置される複数の補助パッドと、
を備え、
前記入出力パッドおよび前記複数の補助パッドは、単一の基板に接続されるためのものであり、
前記入出力パッドおよび前記複数の補助パッドは一列に配列されていることを特徴とする。
この構成により、基板上の他の部品を回避するように高周波伝送線路基板を配置することができ、しかも高周波線路基板の全面を基板に対面して固定することができるため、同軸ケーブルを用いた場合のような位置変動が起こらず、リフロープロセスで実装できるため、製造工程も簡略化される。また、入出力パッド間に配置される補助パッドを備えているので、高周波伝送線路基板が一定の長さを有していても、面実装の強度が高く、実装後の変形が抑制される。また、この構成により、高周波伝送線路基板の幅を細くでき、そのことで、基板に対する高周波伝送線路基板の配置の自由度が高まる。また、基板に実装される部品等のレイアウトの自由度も高まる。
（３）上記（１）または（２）において、前記基材は、前記信号線が延伸する伝送方向と、前記伝送方向と直交する幅方向と、を有し、前記補助パッドは、前記伝送方向の長さが、前記幅方向の長さよりも長くてもよい。
（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記信号線および前記グランド導体を含むストリップライン構造、またはマイクロストリップライン構造を有していてもよい。
（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記複数の補助パッド、または前記補助パッドは、前記グランド導体であってもよい。
（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、複数の前記信号線を備えていてもよい。
（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記基材は、複数の基材層で構成され、前記複数の基材層に形成された複数の導体層と、異なる前記導体層に形成される複数の前記信号線と、を備えていてもよい。
（８）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記基材は、複数の基材層で構成され、前記複数の基材層に形成された複数の導体層を備え、前記導体層のうち、前記入出力パッドが形成されている導体層は、他の導体層の厚さに比べて最も厚くてもよい。
（９）上記（１）から（８）のいずれかにおいて、前記基材は液晶ポリマーであってもよい。
本発明によれば、基板上の他の部品を回避するように高周波伝送線路基板を配置することができ、しかも高周波伝送線路基板の全面を基板に対面して固定することができるため、同軸ケーブルを用いた場合のような位置変動が起こらず、リフロープロセスで実装できるため、製造工程も簡素化される。
図１は第１の実施形態に係る電子機器が備える第２基板２０１の主要部の斜視図である。 図２は第２基板２０１の、保護膜５２の形成前の状態での斜視図である。 図３は、第２基板２０１の、保護膜５２の形成前の状態での分解斜視図である。 図４は、第１基板１０１と、それに実装される第２基板２０１の構造を示す斜視図である。 図５は第１基板１０１への第２基板２０１の実装工程での状態を示す断面図である。 図６は第１基板１０１へ第２基板２０１を実装した状態を示す断面図である。 図７は、第１基板１０１に第２基板２０１が実装されて構成された電子機器３０１の斜視図である。 図８は第２の実施形態に係る電子機器３０２Ａの斜視図である。 図９は第２の実施形態に係る別の電子機器３０２Ｂの斜視図である。 図１０は第３の実施形態に係る電子機器３０３の主要部の断面図である。 図１１（Ａ）は電子機器３０３が備える第２基板２０３のプリフォーム前の断面図であり、図１１（Ｂ）はプリフォームされた第２基板２０３が第１基板１０３へ実装される工程での断面図である。 図１２は第４の実施形態に係る電子機器が備える第２基板２０４の主要部の斜視図である。 図１３は、第２基板２０４の、保護膜５２の形成前の状態での斜視図である。 図１４は、第２基板２０４の、保護膜５２の形成前の状態での分解斜視図である。 図１５は、第１基板１０４と、それに実装される第２基板２０４の構造を示す斜視図である。 図１６は第５の実施形態に係る電子機器が備える第２基板２０５の主要部の斜視図である。 図１７は、第２基板２０５の、保護膜５２の形成前の状態での斜視図である。 図１８は、第１基板１０５と、それに実装される第２基板２０５の構造を示す斜視図である。 図１９は第６の実施形態に係る電子機器が備える第２基板２０６の主要部の斜視図である。 図２０は、第２基板２０６の、保護膜５２の形成前の状態での斜視図である。 図２１は、第２基板２０６の、保護膜５２の形成前の状態での分解斜視図である。 図２２は第７の実施形態に係る電子機器が備える第２基板２０７の主要部の斜視図である。 図２３は、第２基板２０７の、保護膜５２の形成前の状態での斜視図である。 図２４は、第２基板２０７の、保護膜５２の形成前の状態での分解斜視図である。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付す。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る電子機器が備える第２基板２０１の主要部の斜視図であり、図２は第２基板２０１の、保護膜５２の形成前の状態での斜視図である。また、図３は、第２基板２０１の、保護膜５２の形成前の状態での分解斜視図である。図４は、第１基板１０１と、それに実装される第２基板２０１の構造を示す斜視図である。さらに、図７は、第１基板１０１に第２基板２０１が実装されて構成された電子機器３０１の斜視図である。
先ず、第２基板２０１の構造について示す。図１に表れているように、第２基板２０１は、長手方向（図１におけるＸ軸方向）を有し、長手方向に沿った各部における幅（Ｙ軸方向の寸法）が実質的に均一な平板状である。
第２基板２０１は、第１面Ｓ１に入出力パッド３１，３２、および入出力パッド３１，３２間に配置される複数の補助パッド２２Ｐを備える。この第２基板２０１は第１面Ｓ１を実装面として、後に示す第１基板１０１に面実装される。
第２基板２０１の第１面Ｓ１には保護膜５２が形成されていて、その反対面には保護膜５１が形成されている。保護膜５１，５２の下層には、図２に示すように第１グランド導体２１、第２グランド導体２２がそれぞれ形成されている。上記補助パッド２２Ｐは保護膜５２に形成された開口で露出する第２グランド導体２２の一部である。
第２基板２０１の基材１０は、図３に表れているように、基材１１，１２，１３で構成される。基材１１，１２，１３は、例えば、比誘電率が約３の液晶ポリマー（ＬＣＰ）シート等の熱可塑性樹脂の絶縁性基材である。各導体パターンは、この絶縁性基材に貼付された銅箔がパターンニングされたものである。
基材１１の下面のほぼ全面に第１グランド導体２１が形成されている。基材１２の上面には、信号線３０および信号線３０の両側部に沿って配置されたビア受け電極４０が形成されている。基材１３の上面には、第２グランド導体２２および入出力パッド３１，３２が形成されている。第１グランド導体２１はビアＶＧを介して第２グランド導体２２に接続されている。また、信号線３０の両端はビアＶＳ１，ＶＳ２を介して入出力パッド３１，３２に接続されている。
上記第１グランド導体２１、第２グランド導体２２および信号線３０によってストリップライン構造の高周波伝送線路が構成される。
上記第２グランド導体２２は第１グランド導体２１より厚い。例えば、第１グランド導体２１は６μｍ以上１２μｍ以下であり、第２グランド導体２２は１２μｍ以上３６μｍ以下である。このように、第２基板の実装面側のグランド導体を厚くすることによって、実装面の変形が抑制され、第１基板１０１からの部分的な浮き上がりが防止され、第１基板１０１への第２基板２０１の実装信頼性が高まる。
図４に表れているように、第１基板１０１の上面には、第２基板２０１の入出力パッド３１，３２が接続されるランド１３１，１３２、および補助パッド２２Ｐが接続されるランド１２２が形成されている。また、第１基板１０１の上面には複数の実装部品２１０が接続されるランドも形成されている。第２基板２０１は実装部品２１０と同様にして第１基板１０１に実装される。第１基板１０１は、例えば基材の比誘電率が約５のＦＲ４等のガラスエポキシ基板である。
図５は第１基板１０１への第２基板２０１の実装工程での状態を示す断面図である。図６は第１基板１０１へ第２基板２０１を実装した状態を示す断面図である。いずれも、図４におけるＸ−Ｘ部分での断面図である。
第１基板１０１に形成されているランド１３１，１３２，１２２の表面には、それぞれはんだＳＰがプリコートされている。
真空吸着チャックには先端治具４００を取り付けられる。この先端治具４００は第２基板２０１の第２面全体を覆う大きさの吸着面を備える。複数の第２基板２０１は予めパレットに収納されている。先端治具４００が取り付けられた真空吸着チャックはパレットから第２基板２０１をピックアップし、第１基板１０１の所定位置へ載置する。その後、第１基板１０１をリフロー炉を通過させることで、他の素子と共に一括リフローはんだ法により、第２基板２０１ははんだ付けされる。すなわち、第２基板２０１は他の素子と同様に、表面実装部品として実装される。このことにより、図７に示す電子機器３０１が構成される。
上記はんだ付け時に、入出力パッド３１，３２、および補助パッド２２Ｐにはんだが収まるように、第２基板２０１にセルフアライメント作用が発生する。このことにより、第２基板２０１は第１基板１０１に対して高精度に実装される。
また、補助パッド２２Ｐが設けられているので、入出力パッド３１と入出力パッド３２との間が長くても、リフローはんだ法による一括接合時に基板に対する第２基板２０１の異常な移動を抑制できる。
なお、第１基板１０１のランド１３１，１３２，１２２ではなく、第２基板のパッド３１，３２，２２Ｐの表面に、はんだがプリコートされていてもよい。
上記はんだ付けにより、第１基板１０１に形成されているランド１３１，１３２，１２２に第２基板２０１の入出力パッド３１，３２、および補助パッド２２Ｐがそれぞれ接続される。
第１基板１０１側のランド１２２はグランド電位の電極であり、第２基板２０１の高周波伝送線路部のグランド導体は第１基板１０１側のグランドに電気的に接続される。このことにより、高周波伝送線路のグランド電位は安定化される。
本実施形態によれば、次のような効果を奏する。
（ａ）第１基板１０１上の他の部品を回避するように第２基板２０１を配置することができ、しかも第２基板２０１の全面を第１基板１０１に対面して固定することができるため、同軸ケーブルを用いた場合のような位置変動が起こらず、リフロープロセスで実装できるため、製造工程も簡素化される。
（ｂ）薄く形成された第２基板２０１は変形し易いが、入出力パッド３１，３２だけでなく補助パッド２２Ｐによっても面実装されるので、面実装の強度が高く、実装後の変形が抑制される。
（ｃ）入出力パッド３１，３２および補助パッド２２Ｐは第２基板２０１の長手方向に配列されているので、第２基板２０１は幅方向（長手方向に対する直交方向）に拡がらず、第１基板１０１上の限られたスペースに配置される。
（ｄ）第１基板１０１の基材の比誘電率が約５であるのに対し、第２基板２０１の基材の比誘電率は約３と低いので、高周波伝送線路を第１基板に直接形成する場合に比較して、第２基板２０１内での波長短縮効果が弱くなり、高周波伝送線路上の波数が少なくなって、低損失化される。また、第２基板２０１は薄く形成できる。
（ｅ）高周波伝送線路はグランド導体を含み、補助パッド２２Ｐはグランド導体であるので、補助パッド用の特別な電極を形成する必要がなく、導体パターンが簡素化され、薄型化される。また、補助パッド２２Ｐを介して第１基板１０１側のグランドと接続可能となる。
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１面の面方向に曲がるベンド部を有する第２基板を備える電子機器の例を示す。
図８は第２の実施形態に係る電子機器３０２Ａの斜視図である。この電子機器３０２Ａは第１基板１０２Ａに第２基板２０２Ａおよびその他の実装部品２１０が実装されたものである。
図９は第２の実施形態に係る別の電子機器３０２Ｂの斜視図である。この電子機器３０２Ｂは第１基板１０２Ｂに第２基板２０２Ｂおよびその他の実装部品２１０が実装されたものである。
第２基板２０２Ａ，２０２Ｂは、第１基板１０２Ａ，１０２Ｂへの実装面である第１面の面方向に曲がるベンド部を有している。第２基板２０２Ａ，２０２Ｂの構造は、第１の実施形態で示した第２基板２０１と基本構造は同じである。
図８に示す例では、第２基板２０２Ａは複数の実装部品２１０の間の空間を通るように配置されている。図９に示す例では、第２基板２０２Ｂは第１基板１０２Ｂの縁に沿って配置されている。
このように、本実施形態によれば、第１基板１０２Ａ，１０２Ｂに実装される部品を避けた状態で、第２基板２０２Ａ，２０２Ｂが第１基板１０２Ａ，１０２Ｂに配置されることが好ましい。これにより、第１基板１０２Ａ，１０２Ｂ上の限られたスペースに第２基板２０２Ａ，２０２Ｂが配置できる。
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第２基板が第１基板の段差部に沿って面実装された電子機器の例を示す。
図１０は第３の実施形態に係る電子機器３０３の主要部の断面図である。図１１（Ａ）は電子機器３０３が備える第２基板２０３のプリフォーム前の断面図であり、図１１（Ｂ）はプリフォームされた第２基板２０３が第１基板１０３へ実装される工程での断面図である。
本実施形態の電子機器３０３は、第１基板１０３と、この第１基板１０３に実装された第２基板２０３とを備える。第１基板１０３には段差部を有し、この段差部に沿って、第２基板２０３は第１基板１０３に面実装される。
第２基板２０３は、厚み方向に屈曲している。第２基板２０３の構造は、第１の実施形態で示した第２基板２０１と基本構造は同じである。この第２基板２０３の基材は第１の実施形態の第２基板２０１と同様の熱可塑性の樹脂であるので、先ず、第１の実施形態で示した第２基板２０１を作成し、それを加熱しつつ第２基板２０１の厚み方向に金型でプレス加工することによって得られる。第２基板２０３は、このように屈曲されても、それぞれ部分的に平坦な第１面Ｓ１と第２面Ｓ２を有する。したがって、この第２基板２０３をピックアップする場合、第２基板２０３の形状に合う真空吸着チャックの先端治具を用いる。または、第２基板２０３の主要な平坦部を吸着する。
本実施形態によれば、次のような効果を奏する。
（ａ）第１基板１０３に段差部があっても、その段差部を跨いで第２基板２０３が実装されるので、第１基板１０３上の限られたスペースに第２基板２０３が配置できる。
（ｂ）第２基板２０３は、実装前に第１基板１０３の段差部に沿った形状に予め変形されているので、第２基板２０３を通常の表面実装プロセスで第１基板１０３に実装できる。
なお、第２基板は、第２実施形態で示した構造と第３の実施形態で示した構造の両方を備えていてもよい。すなわち、第２基板は、その実装面に沿った面方向に曲がるベンド部を有し、且つ厚み方向に屈曲する屈曲部を有していてもよい。
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、複数の高周波伝送線路を有する第２基板を備えた電子機器について示す。
図１２は第４の実施形態に係る電子機器が備える第２基板２０４の主要部の斜視図であり、図１３は、第２基板２０４の、保護膜５２の形成前の状態での斜視図である。また、図１４は、第２基板２０４の、保護膜５２の形成前の状態での分解斜視図である。図１５は、第１基板１０４と、それに実装される第２基板２０４の構造を示す斜視図である。
図１２に表れているように、第２基板２０４は、長手方向（図１２におけるＸ軸方向）を有し、長手方向に沿った各部における幅（Ｙ軸方向の寸法）が実質的に均一な平板状である。
第２基板２０４は、第１面Ｓ１に入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ、および入出力パッド３１Ｂ，３２Ｂ間に配置される複数の補助パッド２３Ｐを備える。この第２基板２０４は第１面Ｓ１を実装面として、後に示す第１基板１０４に面実装される。
第２基板２０４の第１面Ｓ１には保護膜５２が形成されている。保護膜５２の下層には、図１３に示すように第３グランド導体２３が形成されている。上記補助パッド２３Ｐは保護膜５２に形成された開口で露出する第３グランド導体２３の一部である。
第２基板２０４の基材１０は、図１４に表れているように、基材１１〜１５で構成される。基材１１〜１５は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）シート等の熱可塑性樹脂の絶縁性基材である。各導体パターンは、この絶縁性基材に貼付された銅箔がパターンニングされたものである。
基材１１の下面のほぼ全面に第１グランド導体２１が形成されている。基材１２の上面には、信号線３０Ａおよび信号線３０Ａの両側部に沿って配置されたビア受け電極４０Ａが形成されている。基材１３の上面には、第２グランド導体２２およびビア受け電極４０Ｃが形成されている。第１グランド導体２１はビアを介して第２グランド導体２２に接続されている。基材１４の上面には、信号線３０Ｂおよび信号線３０Ｂの両側部に沿って配置されたビア受け電極４０Ｂ、および上記ビア受け電極４０Ｃと同位置に配置されたビア受け電極４０Ｄがそれぞれ形成されている。基材１５の上面には、第３グランド導体２３および入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂが形成されている。
信号線３０Ａの両端はビアを介して入出力パッド３１Ａ，３２Ａに接続されている。また、信号線３０Ｂの両端はビアを介して入出力パッド３１Ｂ，３２Ｂに接続されている。
上記第１グランド導体２１、第２グランド導体２２および信号線３０Ａによってストリップライン構造の第１の高周波伝送線路が構成される。また、上記第２グランド導体２２、第３グランド導体２３および信号線３０Ｂによってストリップライン構造の第２の高周波伝送線路が構成される。
本実施形態によれば、第２基板２０４に複数の信号線が一体形成されているため、信号線間の距離が変化することによる特性変化が生じない。また、積層方向に複数の信号線が配置されることにより線幅を細くでき、第１基板１０４上の限られたスペースに配置することができる。なお、信号線３０Ｂの端部とビア受け電極４０Ｄとの間にグランド導体２４が形成されているので、ビアを介する、第１の高周波伝送線路と第２の高周波伝送線路とのクロストークが上記グランド導体２４によって抑制される。
図１５に表れているように、第１基板１０４の上面には、第２基板２０４の入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂが接続されるランド１３１Ａ，１３１Ｂ，１３２Ａ，１３２Ｂ、および補助パッド２３Ｐが接続されるランド１２３が形成されている。また、第１基板１０４の上面には複数の実装部品２１０が接続されるランドも形成されている。第２基板２０４は実装部品２１０と同様にして第１基板１０４に実装される。
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、複数の補助パッドが２列に形成された第２基板を備えた電子機器について示す。
図１６は第５の実施形態に係る電子機器が備える第２基板２０５の主要部の斜視図であり、図１７は、第２基板２０５の、保護膜５２の形成前の状態での斜視図である。また、図１８は、第１基板１０５と、それに実装される第２基板２０５の構造を示す斜視図である。
基材１０の内部構造は、第４の実施形態で図１４に示したものと同じである。第２基板２０５は、第１面Ｓ１に入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ、および入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂを挟む２列に配置された複数の補助パッド２３Ｐを備える。この第２基板２０５は、第１面Ｓ１を実装面として、後に示す第１基板１０５に面実装される。
図１８に表れているように、第１基板１０５の上面には、第２基板２０５の入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂが接続されるランド１３１Ａ，１３１Ｂ，１３２Ａ，１３２Ｂ、および補助パッド２３Ｐが接続されるランド１２３が形成されている。また、第１基板１０５の上面には複数の実装部品２１０が接続されるランドも形成されている。第２基板２０５は実装部品２１０と同様にして第１基板１０５に実装される。
《第６の実施形態》
第６の実施形態では、入出力パッドおよび補助パッドが一列にのみ配列された電子機器について示す。
図１９は第６の実施形態に係る電子機器が備える第２基板２０６の主要部の斜視図であり、図２０は、第２基板２０６の、保護膜５２の形成前の状態での斜視図である。また、図２１は、第２基板２０６の、保護膜５２の形成前の状態での分解斜視図である。
第１の実施形態で図１に示した第２基板２０１とは補助パッドの配置が異なる。本実施形態では、入出力パッド３１，３２および複数の補助パッド２２Ｐが１列にのみ配置されている。
第２基板２０６は、第１面Ｓ１に入出力パッド３１，３２および複数の補助パッド２２Ｐを備える。この第２基板２０６は第１面Ｓ１を実装面として、第１基板１０１に面実装される。
第２基板２０６の第１面Ｓ１には保護膜５２が形成されていて、その反対面には保護膜５１が形成されている。保護膜５１，５２の下層には、図２０に示すように第１グランド導体２１、第２グランド導体２２がそれぞれ形成されている。上記補助パッド２２Ｐは保護膜５２に形成された開口で露出する第２グランド導体２２の一部である。
第２基板２０６の基材１０は、図２１に表れているように、絶縁性の基材１１，１２，１３で構成される。各導体パターンは、各基材に貼付された銅箔がパターンニングされたものである。その他の構成は第１の実施形態で示したものと同じである。
基材１１の下面のほぼ全面に第１グランド導体２１が形成されている。基材１２の上面には、信号線３０および信号線３０の両側部に沿って配置されたビア受け電極４０が形成されている。基材１３の上面には、第２グランド導体２２および入出力パッド３１，３２が形成されている。第１グランド導体２１はビアＶＧを介して第２グランド導体２２に接続されている。また、信号線３０の両端はビアＶＳ１，ＶＳ２を介して入出力パッド３１，３２に接続されている。
上記第１グランド導体２１、第２グランド導体２２および信号線３０によってストリップライン構造の高周波伝送線路が構成される。
本実施形態によれば、入出力パッド３１，３２および補助パッド２２Ｐが一列にのみ配列されているので、第２基板２０６の幅を細くでき、そのことで、第１基板に対する第２基板２０６の配置の自由度が高い。また、この第２基板を用いることにより、第１基板に実装される部品等のレイアウトの自由度も高まる。また、入出力パッド３１，３２および補助パッド２２Ｐが一列にのみ配列されていて、縦横に分散されていないので、第２基板の実装面に要求される平坦性の精度が緩和される。すなわち、接続部の信頼性を確保しやすい。
《第７の実施形態》
第７の実施形態では、複数の高周波伝送線路を有し、且つ入出力パッドおよび補助パッドが一列にのみ配列された電子機器について示す。
図２２は第７の実施形態に係る電子機器が備える第２基板２０７の主要部の斜視図であり、図２３は、第２基板２０７の、保護膜５２の形成前の状態での斜視図である。また、図２４は、第２基板２０７の、保護膜５２の形成前の状態での分解斜視図である。
第４の実施形態で図１２に示した第２基板２０４とは補助パッドの配置が異なる。本実施形態では、入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂおよび複数の補助パッド２３Ｐが１列にのみ配置されている。
図２２に表れているように、第２基板２０７は、長手方向（図２２におけるＸ軸方向）を有し、長手方向に沿った各部における幅（Ｙ軸方向の寸法）が実質的に均一な平板状である。
第２基板２０７は、第１面Ｓ１に入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ、および複数の補助パッド２３Ｐを備える。この第２基板２０７は第１面Ｓ１を実装面として、第１基板に面実装される。
第２基板２０７の第１面Ｓ１には保護膜５２が形成されている。保護膜５２の下層には、図２３に示すように第３グランド導体２３が形成されている。上記補助パッド２３Ｐは保護膜５２に形成された開口で露出する第３グランド導体２３の一部である。
第２基板２０７の基材１０は、図２４に表れているように、絶縁性の基材１１〜１５で構成される。各導体パターンは、各基材に貼付された銅箔がパターンニングされたものである。
基材１１の下面のほぼ全面に第１グランド導体２１が形成されている。基材１２の上面には、信号線３０Ａおよび信号線３０Ａの両側部に沿って配置されたビア受け電極４０Ａが形成されている。基材１３の上面には、第２グランド導体２２およびビア受け電極４０Ｃが形成されている。第１グランド導体２１はビアを介して第２グランド導体２２に接続されている。基材１４の上面には、信号線３０Ｂおよびビア受け電極４０Ａ、および上記ビア受け電極４０Ｃと同位置に配置されたビア受け電極４０Ｄがそれぞれ形成されている。基材１５の上面には、第３グランド導体２３および入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂが形成されている。
信号線３０Ａの両端はビアを介して入出力パッド３１Ａ，３２Ａに接続されている。また、信号線３０Ｂの両端はビアを介して入出力パッド３１Ｂ，３２Ｂに接続されている。
その他の構成は第４の実施形態で示したものと同じである。本実施形態によれば、積層方向に複数の信号線が配置され、且つ入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂおよび複数の補助パッド２３Ｐが１列にのみ配置されていることにより線幅を細くでき、第１基板上の限られたスペースに配置することができる。また、入出力パッド３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂおよび複数の補助パッド２３Ｐが１列にのみ配置されているので、第６の実施形態の場合と同様に、接続部の信頼性を確保しやすい。
なお、第４、第５、第７の実施形態では、２つの高周波伝送線路を有する第２基板を示したが、同様にして、３つ以上の高周波伝送線路を形成してもよい。
Ｓ１…第１面
Ｓ２…第２面
ＳＰ…はんだペースト
ＶＧ，ＶＳ１，ＶＳ２…ビア
１０，１１〜１５…基材
２１…第１グランド導体
２２…第２グランド導体
２３…第３グランド導体
２２Ｐ，２３Ｐ…補助パッド
２４…グランド導体
３０，３０Ａ，３０Ｂ…信号線
３１，３２…入出力パッド
３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ…入出力パッド
４０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ…ビア受け電極
５１，５２…保護膜
１０１…第１基板
１０２Ａ，１０２Ｂ…第１基板
１０３，１０４，１０５…第１基板
１２２，１２３…ランド
１３１，１３２…ランド
１３１Ａ，１３１Ｂ，１３２Ａ，１３２Ｂ…ランド
２０１…第２基板
２０２Ａ，２０２Ｂ…第２基板
２０３〜２０７…第２基板
２１０…実装部品
３０１，３０２Ａ，３０２Ｂ，３０３…電子機器
４００…先端治具

Claims (9)

  1. 第１面を有する高周波伝送線路基板であり、
    基材と、
    前記基材に形成される信号線およびグランド導体と、
    前記第１面に配置され、前記信号線に導通する入出力パッドと、
    前記第１面に配置される複数の補助パッドと、
    前記第１面の面方向に曲がる部分と、
    を備え、
    前記入出力パッドおよび前記複数の補助パッドは、単一の基板に接続されるためのものであり、
    前記複数の補助パッドは、前記入出力パッドとともに入出力部を構成する第１補助パッドと、前記入出力部間に配置される第２補助パッドと、を有する、
    高周波伝送線路基板。
  2. 第１面を有する高周波伝送線路基板であり、
    基材と、
    前記基材に形成される信号線およびグランド導体と、
    前記第１面に配置され、前記信号線に導通する入出力パッドと、
    前記第１面に配置され、前記入出力パッド間に配置される少なくとも３つ以上の補助パッドと、
    を備え、
    前記入出力パッドおよび複数の前記補助パッドは、単一の基板に接続されるためのものであり、
    前記入出力パッドおよび前記複数の補助パッドは一列に配列されている、
    高周波伝送線路基板。
  3. 前記基材は、前記信号線が延伸する伝送方向と、前記伝送方向と直交する幅方向と、を有し、
    前記複数の補助パッドは、前記伝送方向の長さが、前記幅方向の長さよりも長い、請求項１または２に記載の高周波伝送線路基板。
  4. 前記信号線および前記グランド導体を含むストリップライン構造、またはマイクロストリップライン構造を有する、請求項１から３のいずれかに記載の高周波伝送線路基板。
  5. 前記複数の補助パッドは、前記グランド導体である、請求項１から４のいずれかに記載の高周波伝送線路基板。
  6. 複数の前記信号線を備える、請求項１から５のいずれかに記載の高周波伝送線路基板。
  7. 前記基材は、複数の基材層で構成され、
    前記複数の基材層に形成された複数の導体層と、
    異なる前記導体層に形成される複数の前記信号線と、
    を備える、請求項１から６のいずれかに記載の高周波伝送線路基板。
  8. 前記基材は、複数の基材層で構成され、
    前記複数の基材層に形成された複数の導体層を備え、
    前記導体層のうち、前記入出力パッドが形成されている導体層は、他の導体層の厚さに比べて最も厚い、請求項１から６のいずれかに記載の高周波伝送線路基板。
  9. 前記基材は液晶ポリマーである、請求項１から８のいずれかに記載の高周波伝送線路基板。
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