CN203775512U - 高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种能抑制层间连接导体破损的高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备。电介质主体(12)由具有可挠性的多个电介质片层叠而构成,包含线路部(12b、12c)。信号线路(20)沿着线路部(12b、12c)的延伸方向延伸。2个接地导体从z轴方向的两侧夹着信号线路(20)。过孔导体(B1~B4)通过贯穿电介质片从而连接2个接地导体。线路部(12b、12c)通过相互连接从而形成角(C2)。从z轴方向俯视时,在电介质主体(12)中较信号线路(20)更靠角(C2)的劣角侧的、角(C2)的平分线(L1)上未设置过孔导体(B1~B4)。
Description
技术领域
本实用新型涉及高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备,尤其涉及用于高频信号传输的高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备。
背景技术
作为现有的与高频信号线路相关的实用新型,例如已知有专利文献1所记载的高频信号线路。该高频信号线路包括电介质主体、信号线以及2个接地导体。电介质主体通过层叠多个电介质片而构成。信号线设置在电介质主体内。两个接地导体在电介质主体内沿层叠方向夹住信号线。由此,信号线和2个接地导体形成带状线结构。
而且,一个接地导体上设有沿层叠方向俯视时、与信号线重叠的多个开口。由此,在俯视时多个开口与信号线重叠的部分中,难以在信号线与一个接地导体之间形成电容。由此,能缩小信号线与一个接地导体在层叠方向上的距离,从而能实现高频信号线路的薄型化。上述这种的高频信号线路例如可用于2个电路基板的连接等。
在专利文献1所记载的高频信号线路中,为了容易地进行连接2个电路基板的作业,考虑将高频信号线路的一部分形成为蜿蜒形状。图23是表示一部分呈蜿蜒形状的高频信号线路500的图。
图23所示的高频信号线路500中,长边方向的中央部分呈蜿蜒形状。由此,若在长边方向上拉伸高频信号线路500,则呈蜿蜒形状的中央部分会伸长。由 此,通过使高频信号线路500成为可伸缩的结构,从而使高频信号线路500与2个电路基板等相连的作业变得容易。
然而,在上述高频信号线路500中,过孔导体可能会破损。更详细而言,在高频信号线路500中,内置有信号线和2个接地导体,它们呈带状线结构。因此,2个接地导体通过过孔导体相互连接。
这里,若在长边方向上拉伸高频信号线路500,则会在高频信号线路500的呈蜿蜒形状部分的角上产生应力集中。其结果是,会对设置在高频信号线路500内的过孔导体施加力,可能导致过孔导体破损,电特性产生变化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2012/073591号刊物
实用新型内容
实用新型所要解决的技术问题
因此,本实用新型的目的在于提供能抑制层间连接导体破损的高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备。
解决技术问题所采用的技术方案
本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路的特征在于,包括:电介质主体,该电介质主体由具有可挠性的多个电介质片层叠而构成,并包含第一线路部及第二线路部;信号线路,该信号线路设置在所述第一线路部及所述第二线路部上,并沿着所述第一线路部及所述第二线路部的延伸方向延伸;第一接地导体,该第一接地导体设置在所述电介质主体上、较所述信号线路更靠层叠方向的一侧,从而与该信号线路相对;第二接地导体,该第二接地导体设置在所述电介质主体上、较所述信号线路更靠层叠方向的另一侧,从而与该信号线路相对;以及一个以上的层间连接导体,该层间连接导体设置于所述第一 线路部或所述第二线路部的至少某一方,并通过贯穿所述电介质片从而对所述第一接地导体和所述第二接地导体进行连接,所述第一线路部和所述第二线路部通过相互连接从而形成第一角,从层叠方向俯视时,在所述电介质主体中较所述信号线路更靠所述第一角的劣角侧的、该第一角的第一平分线上未设置所述层间连接导体。
本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路的特征还在于,所述层间连接导体设置在所述第一线路部及所述第二线路部上,将所述第一线路部上设置得最接近所述第一平分线的所述层间连接导体设为第一层间连接导体,将所述第二线路部上设置得最接近该第一平分线的所述层间连接导体设为第二层间连接导体,所述信号线路上最接近所述第一层间连接导体的第一部分、与该信号线路上最接近所述第二层间连接导体的第二部分之间的该信号线路的长度在该信号线路中传输的电磁波的波长的1/4以下。
本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路的特征还在于,所述电介质主体还包含第三线路部,该第三线路部是通过与所述第二线路部相连从而形成第二角的第三线路部,并沿着所述第一线路部延伸,所述层间连接导体设置在所述第三线路部上,所述信号线路沿着所述第三线路部的延伸方向而延伸,从层叠方向俯视时,在所述电介质主体中较所述信号线路更靠所述第二角的劣角侧的、该第二角的第二平分线上未设置所述层间连接导体,将所述第三线路部上设置得最接近所述第二平分线的所述层间连接导体设为第三层间连接导体,所述第二部分与所述信号线路上最接近所述第三层间连接导体的第三部分之间的该信号线路的长度为在该信号线路中传输的电磁波的波长的1/4以下。
本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路的特征还在于,所述电介质主体还包含第三线路部,该第三线路部是通过与所述第二线路部相连从而形成第二角的第三线路部,并沿着所述第一线路部延伸,所述层间连接导体设置在所述第一线路部及所述第三线路部上,并且未设置在所述第二线路部上,所述信号线路沿着所述第三线路部的延伸方向而延伸,从层叠方向俯视时,在所述电介质主体中较所述信号线路更靠所述第二角的劣角侧的、该第二角的第二平分线上未设置所述层间连接导体,将所述第一线路部上设置得最接近所述 第一平分线的所述层间连接导体设为第一层间连接导体,将所述第三线路部上设置得最接近所述第二平分线的所述层间连接导体设为第三层间连接导体,所述信号线路上最接近所述第一层间连接导体的第一部分、与该信号线路上最接近所述第三层间连接导体的第三部分之间的该信号线路的长度在该信号线路中传输的电磁波的波长的1/4以下。
本实用新型的一个实施方式所涉及的电子设备的特征在于,包括:壳体;以及收纳在所述壳体中的高频信号线路,所述高频信号线路包括:电介质主体,该电介质主体由具有可挠性的多个电介质片层叠而构成,并包含第一线路部及第二线路部;信号线路,该信号线路设置在所述第一线路部及所述第二线路部上,并沿着所述第一线路部及所述第二线路部的延伸方向延伸;第一接地导体,该第一接地导体设置在所述电介质主体上、较所述信号线路更靠层叠方向的一侧,从而与该信号线路相对;第二接地导体,该第二接地导体设置在所述电介质主体上、较所述信号线路更靠层叠方向的另一侧,从而与该信号线路相对;以及一个以上的层间连接导体,该层间连接导体设置于所述第一线路部或所述第二线路部的至少某一方,并通过贯穿所述电介质片从而对所述第一接地导体和所述第二接地导体进行连接,所述第一线路部和所述第二线路部通过相互连接从而形成第一角,从层叠方向俯视时,在所述电介质主体中较所述信号线路更靠所述第一角的劣角侧的、该第一角的平分线上未设置所述层间连接导体。
实用新型效果
根据本实用新型,能抑制层间连接导体的破损。
附图说明
图1是本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路的外观立体图。
图2是图1的高频信号线路的分解图。
图3是图1的高频信号线路的分解图。
图4是图1的高频信号线路的分解图。
图5是图1的高频信号线路的分解图。
图6是图1的高频信号线路的分解图。
图7是图1的高频信号线路的分解图。
图8是在图2的A-A处的截面结构图。
图9是在图2的B-B处的截面结构图。
图10是俯视高频信号线路的线路部时的图。
图11是俯视高频信号线路的线路部时的图。
图12是高频信号线路的连接器的外观立体图。
图13是高频信号线路的连接器的截面结构图。
图14是从y轴方向俯视使用高频信号线路的电子设备时的俯视图。
图15是从z轴方向俯视使用高频信号线路的电子设备时的俯视图。
图16是变形例1所涉及的高频信号线路的线路部的俯视图。
图17是变形例2所涉及的高频信号线路的俯视图。
图18是变形例3所涉及的高频信号线路的俯视图。
图19是变形例4所涉及的高频信号线路的俯视图。
图20是变形例5所涉及的高频信号线路的线路部的俯视图。
图21是变形例6所涉及的高频信号线路的线路部的俯视图。
图22是变形例7所涉及的高频信号线路的线路部的俯视图。
图23是表示一部分呈蜿蜒形状的高频信号线路的图。
具体实施方式
下面,参照附图,对本实用新型的实施方式所涉及的高频信号线路及包括该高频信号线路的电子设备进行说明。
(高频信号线路的结构)
下面,参照附图,对本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图1是本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路10的外观立体图。图2至图7是图1的高频信号线路10的分解图。另外,图4中示出了线路部12b、12f、12j,但线路部12b、12j实际上比图4所示的长度短。这里,由于线路部12b、12j的内部结构与线路部12f的内部结构相同,因此,以线路 部12b、12j的分解立体图的形式引用图4。图8是图2的A-A处的截面结构图。图9是在图2的B-B处的截面结构图。图10是俯视高频信号线路10的线路部12b~12d、12f~12h时的图。图11是俯视高频信号线路10的线路部12d~12f、12h~12j时的图。以下,将高频信号线路10的层叠方向定义为z轴方向。此外,将高频信号线路10的长边方向定义为x轴方向、将正交于x轴方向及z轴方向的方向定义为y轴方向。
例如在移动电话等电子设备内,高频信号线路10用于将2个高频电路相连接。如图1至图7所示,高频信号线路10包括电介质主体12、外部端子16a、16b、信号线路20、基准接地导体22、辅助接地导体24、过孔导体(层间连接部)b1、b2、B1~B4及连接器100a、100b。
如图1所示,电介质主体12是从z轴方向俯视时、在x轴方向上具有长边方向的具有可挠性的板状构件,并且在x轴方向的中央部分呈在y轴方向上往返的蜿蜒形状。电介质主体12包含线路部12a~12k以及连接部121、12m。如图2至图7所示,电介质主体12是将保护层14及电介质片18a~18c按照该顺序从z轴方向的正方向侧向负方向侧进行层叠而构成的层叠体。下面,将电介质主体12的z轴方向的正方向侧的主面称作表面,将电介质主体12的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。
如图1所示,线路部12a~12k呈直线延伸、且具有均匀宽度的带状。线路部12a、12k沿x轴方向延伸。线路部12b~12j在从z轴方向的正方向侧俯视时,在线路部12a与线路部12k之间连接成1根,从而呈蜿蜒形状。
线路部12b从线路部12a的x轴方向的正方向侧端部向y轴方向的负方向侧延伸。线路部12c从线路部12b的y轴方向的负方向侧端部向x轴方向的正方向侧延伸。线路部12d从线路部12c的x轴方向的正方向侧端部向y轴方向的正方向侧延伸。即,线路部12d沿着线路部12b延伸。线路部12e从线路部12d的y轴方向的正方向侧端部向x轴方向的正方向侧延伸。线路部12f从线路部12e的x轴方向 的正方向侧端部向y轴方向的负方向侧延伸。即,线路部12f沿着线路部12d延伸。线路部12g从线路部12f的y轴方向的负方向侧端部向x轴方向的正方向侧延伸。线路部12h从线路部12g的x轴方向的正方向侧端部向y轴方向的正方向侧延伸。即,线路部12h沿着线路部12f延伸。线路部12i从线路部12h的y轴方向的正方向侧端部向x轴方向的正方向侧延伸。线路部12j从线路部12i的x轴方向的正方向侧端部向y轴方向的负方向侧延伸。即,线路部12j沿着线路部12h延伸。此外,线路部12j的y轴方向的负方向侧端部与线路部12k的x轴方向的负方向侧端部相连接。另外,图1中,用虚线表示线路部12a~12k的边界。
如上所述,线路部12a与线路部12b相连,从而形成角C1。线路部12b与线路部12c相连,从而形成角C2。线路部12c与线路部12d相连,从而形成角C3。线路部12d与线路部12e相连,从而形成角C4。线路部12e与线路部12f相连,从而形成角C5。线路部12f与线路部12g相连,从而形成角C6。线路部12g与线路部12h相连,从而形成角C7。线路部12h与线路部12i相连,从而形成角C8。线路部12i与线路部12j相连,从而形成角C9。线路部12j与线路部12k相连,从而形成角C10。
连接部12l与线路部12a的x轴方向的负方向侧端部相连,且呈矩形。连接部121的y轴方向宽度比线路部12a的y轴方向宽度要大。连接部12m连接至线路部12k的x轴方向的正方向侧的端部,且呈矩形。连接部12m的y轴方向宽度比线路部12k的y轴方向宽度要大。
如图2至图7所示,从z轴方向俯视时,电介质片18a~18c的平面形状与电介质主体12相同。电介质片18a~18c由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有可挠性的热塑性树脂构成。下面,将电介质片18a~18c的z轴方向的正方向侧的主面称作表面,将电介质片18a~18c的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。
如图8及图9所示,电介质片18a的厚度T1比电介质片18b的厚度T2大。在将电介质片18a~18c进行层叠后,厚度T1例如为50~300μm。在本实施方式中, 厚度T1为100μm。此外,厚度T2例如为10~100μm。在本实施方式中,厚度T2为50μm。
此外,如图2至图7所示,电介质片18a由线路部18a-a~18a-k及连接部18a-l、18a-m构成。由线路部18b-a~18b-k及连接部18b-l、18b-m而构成。由线路部18c-a~18c-k及连接部18c-l、18c-m而构成。线路部18a-a、18b-a、18c-a构成线路部12a。线路部18a-b、18b-b、18c-b构成线路部12b。线路部18a-c、18b-c、18c-c构成线路部12c。线路部18a-d、18b-d、18c-d构成线路部12d。线路部18a-e、18b-e、18c-e构成线路部12e。线路部18a-f、18b-f、18c-f构成线路部12f。线路部18a-g、18b-g、18c-g构成线路部12g。线路部18a-h、18b-h、18c-h构成线路部12h。线路部18a-i、18b-i、18c-i构成线路部12i。线路部18a-j、18b-j、18c-j构成线路部12j。线路部18a-k、18b-k、18c-k构成线路部12k。由连接部18a-l、18b-l、18c-l来构成连接部12l。由连接部18a-m、18b-m、18c-m来构成连接部12m。
如图2至图7所示,信号线路20是传输高频信号(电磁波)、并沿着线路部12a~12m以及连接部12l、12m延伸的方向延伸的线状导体。本实施方式中,信号线路20形成在电介质片18b的表面上,由线路导体20a~20m构成。
线路导体20a在线路部18b-a上沿着x轴方向延伸,并位于线路部18b-a的y轴方向的大致中央。线路导体20b在线路部18b-b上沿着y轴方向延伸,并位于线路部18b-b的x轴方向的大致中央。线路导体20c在线路部18b-c上沿着x轴方向延伸,并位于线路部18b-c的y轴方向的大致中央。线路导体20d在线路部18b-d上沿着y轴方向延伸,并位于线路部18b-d的x轴方向的大致中央。线路导体20e在线路部18b-e上沿着x轴方向延伸,并位于线路部18b-e的y轴方向的大致中央。线路导体20f在线路部18b-f上沿着y轴方向延伸,并位于线路部18b-f的x轴方向的大致中央。线路导体20g在线路部18b-g上沿着x轴方向延伸,并位于线路部18b-g的y轴方向的大致中央。线路导体20h在线路部18b-h上沿着y轴方向延伸,并位于线路部18b-h的x轴方向的大致中央。线路导体20i在线路部 18b-i上沿着x轴方向延伸,并位于线路部18b-i的y轴方向的大致中央。线路导体20j在线路部18b-j上沿着y轴方向延伸,并位于线路部18b-j的x轴方向的大致中央。线路导体20k在线路部18b-k上沿着x轴方向延伸,并位于线路部18b-k的y轴方向的大致中央。线路导体20a~20k按照该顺序排列来连接。
线路导体201与线路导体20a的x轴方向的负方向侧端部相连,并在连接部18b-l上沿x轴方向延伸。如图2所示,线路导体201的x轴方向的负方向侧端部位于连接部18b-l的大致中央。线路导体20m与线路导体20k的x轴方向的正方向侧端部相连,并在连接部18b-m上沿x轴方向延伸。如图3所示,线路导体20m的x轴方向的正方向侧端部位于连接部18b-m的大致中央。
信号线路20的线宽例如为300μm~700μm。本实施方式中,信号线路20的线宽是300μm。信号线路20由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。这里,信号线路20形成在电介质片18b的表面是指,将利用镀覆而形成在电介质片18b表面的金属箔图案化从而形成信号线路20、以及将贴附在电介质片18b表面的金属箔图案化从而形成信号线路20。此外,由于对信号线路20的表面实施平滑化处理,因此,信号线路20与电介质片18b相接的面的表面粗糙度大于信号线路20未与电介质片18b相接的面的表面粗糙度。
如图2至图7所示,基准接地导体22是设置在电介质主体12中、比信号线路20更靠近z轴方向的正方向侧的实心状导体层。更详细而言,基准接地导体22形成在电介质片18a的表面,并经由电介质片18a与信号线路20相对。基准接地导体22上,与信号线路20重合的位置未设置开口。高频信号线路10的特性阻抗主要基于信号线路20与基准接地导体22的相对面积和距离、以及电介质片18a~18c的相对介电常数来决定。因此,在将高频信号线路10的特性阻抗设定为50Ω的情况下,例如设计成高频信号线路10的特性阻抗因信号线路20和基准接地导体22而成为比50Ω略高的55Ω。并且,对后述的辅助接地导体24的形状进行调整,使得高频信号线路10的特性阻抗因信号线路20、基准接地导体22以及辅助接地导体24而变为50Ω。
基准接地导体22由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。这里,基准接地导体22形成在电介质片18a的表面上是指,将利用镀覆形成在电介质片18a表面的金属箔图案化从而形成基准接地导体22、以及将贴附在电介质片18a表面的金属箔图案化从而形成基准接地导体22。此外,由于对基准接地导体22的表面实施平滑化处理,因此,基准接地导体22与电介质片18a相接的面的表面粗糙度大于基准接地导体22未与电介质片18a相接的面的表面粗糙度。
此外,如图2至图7所示,基准接地导体22由主要导体22a~22k以及端子导体22l、22m构成。主要导体22a设置在线路部18a-a的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体22b设置在线路部18a-b的表面,且沿y轴方向延伸。主要导体22c设置在线路部18a-c的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体22d设置在线路部18a-d的表面,且沿y轴方向延伸。主要导体22e设置在线路部18a-e的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体22f设置在线路部18a-f的表面,且沿y轴方向延伸。主要导体22g设置在线路部18a-g的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体22h设置在线路部18a-h的表面,且沿y轴方向延伸。主要导体22i设置在线路部18a-i的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体22j设置在线路部18a-j的表面,且沿y轴方向延伸。主要导体22k设置在线路部18a-k的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体20a~22k按照该顺序排列来连接。
端子导体22l设置在连接部18a-l的表面,且呈矩形环。端子导体22l与主要导体22a的x轴方向的负方向侧端部相连。端子导体22m设置在连接部18a-m的表面,且呈矩形环。端子导体22m与主要导体22k的x轴方向的正方向侧端部相连。
如图2至图7所示,辅助接地导体24设置在比信号线路20更靠z轴方向的负方向侧。辅助接地导体24上设有沿着信号线路20排列的多个开口30。更详细而言,辅助接地导体24形成在电介质片18c的表面,经由电介质片18b与信号线路 20相对。辅助接地导体24是还起到屏蔽作用的接地导体。下面,将辅助接地导体24的z轴方向的正方向侧的主面称作表面,将基准接地导体24的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。
辅助接地导体24由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。这里,辅助接地导体24形成在电介质片18c的表面是指,将利用镀覆形成在电介质片18c表面的金属箔图案化从而形成辅助接地导体24、以及将贴附在电介质片18c表面的金属箔图案化从而形成辅助接地导体24。此外,由于对辅助接地导体24的表面实施平滑化处理,因此,辅助接地导体24与电介质片18c相接的面的表面粗糙度大于辅助接地导体24未与电介质片18c相接的面的表面粗糙度。
此外,如图2至图7所示,辅助接地导体24由主要导体24a~24k以及端子导体24l、24m构成。主要导体24a设置在线路部18c-a的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体24b设置在线路部18c-b的表面,且沿y轴方向延伸。主要导体24c设置在线路部18c-c的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体24d设置在线路部18c-d的表面,且沿y轴方向延伸。主要导体24e设置在线路部18c-e的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体24f设置在线路部18c-f的表面,且沿y轴方向延伸。主要导体24g设置在线路部18c-g的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体24h设置在线路部18c-h的表面,且沿y轴方向延伸。主要导体24i设置在线路部18c-i的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体24j设置在线路部18c-j的表面,且沿y轴方向延伸。主要导体24k设置在线路部18c-k的表面,且沿x轴方向延伸。主要导体24a~24k按照该顺序排列来连接。
端子导体24l设置在连接部18c-l的表面,且呈矩形环。端子导体24l与主要导体24a的x轴方向的负方向侧端部相连。端子导体24m设置在连接部18c-m的表面,且呈矩形环。端子导体24m与主要导体24k的x轴方向的正方向侧端部相连。
此外,如图2至图7所示,主要导体24a~24k上设有沿着信号线路20延伸的呈长方形的多个开口30。此外,将主要导体24a~24e上被开口30夹住的部分称为桥接部90。桥接部90是在与信号线路20正交的方向上延伸的线状导体。由此,主要导体24a~24k呈梯子形。从z轴方向俯视时,多个开口30及多个桥接部90与信号线路20交替重合。并且,本实施方式中,信号线路20横穿开口30及桥接部90。
此外,辅助接地导体24设计成为使得如上所述高频信号线路10的特性阻抗为50Ω,以进行最终的调整。另外,辅助接地导体24的桥接部90的x轴方向的间隔设计成不会在使用频带内产生辐射噪声。
如上所述,信号线路20被基准接地导体22及辅助接地导体24从z轴方向的两侧夹住。即,信号线路20、基准接地导体22及辅助接地导体24形成三板型带状线结构。此外,如图8及图9所示,信号线路20与基准接地导体22之间的间隔(z轴方向上的距离)与电介质片18a的厚度T1基本相同,例如为50μm~300μm。在本实施方式中,信号线路20与基准接地导体22之间的间隔为100μm。此外,如图8及图9所示,信号线路20与辅助接地导体24之间的间隔(z轴方向上的距离)与电介质片18b的厚度T2基本相同,例如为10μm~100μm。在本实施方式中,信号线20与辅助接地导体24之间的间隔为50μm。即,辅助接地导体24与信号线路20在z轴方向上的距离设计得比基准接地导体22与信号线路20在z轴方向上的距离要小。
如图1及图2所示,外部端子16a是形成在连接部18a-l表面上的中央的矩形导体。由此,从z轴方向俯视时,外部端子16a与信号线路20的线路导体20l的x轴方向的负方向侧端部重叠。如图1及图3所示,外部端子16b是形成在连接部18a-m表面上的中央的矩形导体。由此,从z轴方向俯视时,外部端子16b与信号线路20的线路导体20m的x轴方向的正方向侧端部重叠。
外部端子16a、16b由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。 此外,在外部端子16a、16b的表面上实施Ni/Au镀覆。这里,外部端子16a、16b形成在电介质片18a的表面是指,将利用镀覆形成在电介质片18a表面的金属箔图案化从而形成外部端子16a、16b、以及将贴附在电介质片18a表面的金属箔图案化从而形成外部端子16a、16b。此外,由于对外部端子16a、16b的表面实施平滑化处理,因此,外部端子16a、16b与电介质片18a相接的面的表面粗糙度大于外部端子16a、16b未与电介质片18a相接的面的表面粗糙度。
如图2所示,过孔导体b1在z轴方向上贯穿电介质片18a的连接部18a-l,将外部端子16a和线路导体20l的x轴方向的负方向侧端部相连接。如图3所示,过孔导体b2在z轴方向上贯穿电介质片18a的连接部18a-m,将外部端子16b和线路导体20m的x轴方向的正方向侧端部相连接。由此,信号线路20连接在外部端子16a、16b之间。过孔导体b1,b2是通过向形成在电介质片18a上的贯通孔内填充金属材料而形成的。
如图2至图6所示,多个过孔导体B1在z轴方向上贯穿线路部18a-a、18a-b、18a-c、18a-d、18a-e、18a-f、18a-g、18a-h、18a-i、18a-j、18a-k。如图2及图3所示,多个过孔导体B1设置在线路部18a-a、18a-k上、较各桥接部90更靠y轴方向的正方向侧,并在x轴方向上排列成一列。如图4所示,多个过孔导体B1设置在线路部18a-b、18a-f、18a-j上、较各桥接部90更靠x轴方向的正方向侧,并在y轴方向上排列成一列。如图5所示,多个过孔导体B1设置在线路部18a-d、18a-h上、较各桥接部90更靠x轴方向的负方向侧,并在y轴方向上排列成一列。如图6及图7所示,多个过孔导体B1设置在线路部18a-c、18a-e、18a-g、18a-i上、较各桥接部90更靠y轴方向的正方向侧,并在x轴方向上排列成一列。
如图2至图6所示,多个过孔导体B2在z轴方向上贯穿线路部18b-a、18b-b、18b-c、18b-d、18b-e、18b-f、18b-g、18b-h、18b-i、18b-j、18b-k。如图2及图3所示,多个过孔导体B2设置在线路部18b-a、18b-k上、较各桥接部90更靠y轴方向的正方向侧,并在x轴方向上排列成一列。如图4所示,多个过孔导体B2设置在线路部18b-b、18b-f、18b-j上、较各桥接部90更靠x轴方向的正方向侧,并 在y轴方向上排列成一列。如图5所示,多个过孔导体B2设置在线路部18b-d、18b-h上、较各桥接部90更靠x轴方向的负方向侧,并在y轴方向上排列成一列。如图6及图7所示,多个过孔导体B2设置在线路部18b-c、18b-e、18b-g、18b-i上、较各桥接部90更靠y轴方向的正方向侧,并在x轴方向上排列成一列。
过孔导体B1和过孔导体B2彼此相连接,从而构成1根过孔导体,并将基准接地导体22和辅助接地导体24相连接。过孔导体B1,B2是通过向形成在电介质片18a、18b上的贯通孔内填充金属材料而形成的。
如图2至图6所示,多个过孔导体B3在z轴方向上贯穿线路部18a-a、18a-b、18a-c、18a-d、18a-e、18a-f、18a-g、18a-h、18a-i、18a-j、18a-k。如图2及图3所示,多个过孔导体B3设置在线路部18a-a、18a-k上、较各桥接部90更靠y轴方向的负方向侧,并在x轴方向上排列成一列。如图4所示,多个过孔导体B3设置在线路部18a-b、18a-f、18a-j上、较各桥接部90更靠x轴方向的负方向侧,并在y轴方向上排列成一列。如图5所示,多个过孔导体B3设置在线路部18a-d、18a-h上、较各桥接部90更靠x轴方向的正方向侧,并在y轴方向上排列成一列。如图6及图7所示,多个过孔导体B3设置在线路部18a-c、18a-e、18a-g、18a-i上、较各桥接部90更靠y轴方向的负方向侧,并在x轴方向上排列成一列。
如图2至图6所示,多个过孔导体B4在z轴方向上贯穿线路部18b-a、18b-b、18b-c、18b-d、18b-e、18b-f、18b-g、18b-h、18b-i、18b-j、18b-k。如图2及图3所示,多个过孔导体B4设置在线路部18b-a、18b-k上、较各桥接部90更靠y轴方向的负方向侧,并在x轴方向上排列成一列。如图4所示,多个过孔导体B4设置在线路部18b-b、18b-f、18b-j上、较各桥接部90更靠x轴方向的负方向侧,并在y轴方向上排列成一列。如图5所示,多个过孔导体B4设置在线路部18b-d、18b-h上、较各桥接部90更靠x轴方向的正方向侧,并在y轴方向上排列成一列。如图6及图7所示,多个过孔导体B4设置在线路部18b-c、18b-e、18b-g、18b-i上、较各桥接部90更靠y轴方向的负方向侧,并在x轴方向上排列成一列。
过孔导体B3、B4彼此相连接,从而构成1根过孔导体,并将基准接地导体22和辅助接地导体24相连接。过孔导体B3,B4是通过向形成在电介质片18a、18b上的贯通孔内填充金属材料而形成的。
这里,从z轴方向俯视时,过孔导体B1~B4未设置在电介质主体12中较信号线路20更靠角C1~C10的劣角侧的、角C1~C10的平分线上。本实施方式中,过孔导体B1~B4未设置在电介质主体12上的、角C1~C10的平分线上。以下,以角C2~C9为例进行说明。
首先,对劣角进行说明。劣角是指通过连接线路部12a~12k而形成的角C1~C10中较小(即、180度以下)的角度。此外,将通过连接线路部12a~12k而形成的角C1~C10中较大(即、180度以下)的角度设为优角。
如图10所示,将角C2、C6的角平分线设为平分线L1。在角C2、C6处,平分线L1上的、较信号线路20更靠劣角侧的部分(图10的粗线部分)未设置过孔导体B1~B4。另外,本实施方式中,在角C2、C6处,平分线L1上的、较信号线路20更靠优角侧的部分也没有设置过孔导体B1~B4。
此外,如图10所示,将角C3、C7的角平分线设为平分线L2。在角C3、C7处,平分线L2上的、较信号线路20更靠劣角侧的部分(图10的粗线部分)未设置过孔导体B1~B4。另外,本实施方式中,在角C3、C7处,平分线L2上的、较信号线路20更靠优角侧的部分也没有设置过孔导体B1~B4。
如图11所示,将角C4、C8的角平分线设为平分线L3。在角C4、C8处,平分线L3上的、较信号线路20更靠劣角侧的部分(图11的粗线部分)未设置过孔导体B1~B4。另外,本实施方式中,在角C4、C8处,平分线L3上的、较信号线路20更靠优角侧的部分也没有设置过孔导体B1~B4。
此外,如图11所示,将角C5、C9的角平分线设为平分线L4。在角C5、C9 处,平分线L4上的、较信号线路20更靠劣角侧的部分(图11的粗线部分)未设置过孔导体B1~B4。另外,本实施方式中,在角C5、C9处,平分线L4上的、较信号线路20更靠优角侧的部分也没有设置过孔导体B1~B4。
这里,如图10所示,将设置在线路部12b、12f上离平分线L1最近的过孔导体称为过孔导体Ba。此外,将设置在线路部12c、12g上离平分线L1最近的过孔导体称为过孔导体Bb。并且,将信号线路20上最接近过孔导体Ba的部分设为部分Pa。将信号线路20上最接近过孔导体Bb的部分设为部分Pb。此时,部分Pa与部分Pb之间的信号线路20的长度La优选为在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下,更优选在1/4以下。例如,当高频信号的频率为2GHz时,对于在高频信号的1/4以下的情况,部分Pa与部分Pb之间的信号线路20的长度La在0.0375m以下。
此外,如图10所示,将设置在线路部12c、12g上离平分线L2最近的过孔导体称为过孔导体Bc。此外,将设置在线路部12d、12h上离平分线L2最近的过孔导体称为过孔导体Bd。并且,将信号线路20上最接近过孔导体Bc的部分设为部分Pc。将信号线路20上最接近过孔导体Bd的部分设为部分Pd。此时,部分Pc与部分Pd之间的信号线路20的长度Lb优选为在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下,更优选在1/4以下。
此外,如图11所示,将设置在线路部12d、12h上离平分线L3最近的过孔导体称为过孔导体Be。此外,将设置在线路部12e、12i上离平分线L3最近的过孔导体称为过孔导体Bf。并且,将信号线路20上最接近过孔导体Be的部分设为部分Pe。将信号线路20上最接近过孔导体Bf的部分设为部分Pf。此时,部分Pe与部分Pf之间的信号线路20的长度Lc优选为在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下,更优选在1/4以下。
此外,如图11所示,将设置在线路部12e、12i上离平分线L4最近的过孔导体称为过孔导体Bg。此外,将设置在线路部12f、12j上离平分线L4最近的过孔 导体称为过孔导体Bh。并且,将信号线路20上最接近过孔导体Bg的部分设为部分Pg。将信号线路20上最接近过孔导体Bh的部分设为部分Ph。此时,部分Pg与部分Ph之间的信号线路20的长度Ld优选为在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下,更优选在1/4以下。
此外,部分Pb与部分Pc之间的信号线路20的长度Le优选为在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下,更优选在1/4以下。同样,部分Pf与部分Pg之间的信号线路20的长度Lf优选为在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下,更优选在1/4以下。
保护层14是大致覆盖电介质片18a的整个表面的绝缘膜。由此,保护层14覆盖基准接地导体22。保护层14由例如抗蚀材料等可挠性树脂所形成。
此外,如图2所示,保护层14由线路部14a~14k及连接部14l、14m构成。线路部14a~14k通过覆盖线路部18a-a~18a-k的整个表面从而覆盖主要导体22a~22k。
连接部14l与线路部14a的x轴方向的负方向侧端部相连,且覆盖连接部18a-l的表面。这里,在连接部14l上设有开口Ha~Hd。开口Ha是设置在连接部14l的中央的矩形开口。外部端子16a经由开口Ha露出至外部。此外,开口Hb是设在比开口Ha更靠近y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hc是设在比开口Ha更靠近x轴方向负方向侧的矩形开口。开口Hd是设在比开口Ha更靠近y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子导体22l经由开口Hb~Hd露出至外部,从而起到外部端子的作用。
连接部14m与线路部14k的x轴方向的正方向侧端部相连,且覆盖连接部18a-m的表面。这里,在连接部14m上设有开口He~Hh。开口He是设置在连接部14m的中央的矩形开口。外部端子16b经由开口He露出至外部。此外,开口Hf是设在比开口He更靠近y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hg是设在比开口He更 靠近x轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hh是设在比开口He更靠近y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子导体22m经由开口Hf~Hh露出至外部,从而起到外部端子的作用。
在如上所述结构的高频信号线路10中,信号线路20的特性阻抗在阻抗Z1和阻抗Z2之间呈周期性地变化。更详细而言,在信号线路20上与开口30重叠的部分,在信号线路20与基准接地导体22以及辅助接地导体24之间形成了相对较小的电容。因此,信号线路20上与开口30重叠部分的特性阻抗为相对较高的阻抗Z1。
另一方面,在信号线路20上与桥接部90重叠的部分,在信号线路20与基准接地导体22以及辅助接地导体24之间形成了相对较大的电容。因此,信号线路20上与桥接部90重叠的部分的特性阻抗为相对较低的阻抗Z2。并且,开口30与桥接部90沿着信号线路20交替排列。因此,信号线路20的特性阻抗在特性阻抗Z1与特性阻抗Z2之间呈周期性地变动。阻抗Z1例如为55Ω,阻抗Z2例如为45Ω。于是,信号线路20的整体平均特性阻抗例如为50Ω。
如图1所示,连接器100a、100b分别安装在连接部12l、12m的表面上。连接器100a、100b的结构相同,因此,下面以连接器100b的结构为例举例进行说明。图12是高频信号线路10的连接器100b的外观立体图。图13是高频信号线路10的连接器100b的截面结构图。
如图12及图13所示,连接器100b由连接器主体102、外部端子104、106、中心导体108及外部导体110构成。连接器主体102呈矩形的板构件上连结有圆筒构件的形状,且由树脂等绝缘材料来制作。
外部端子104设置在连接器主体102的板构件的z轴方向的负方向侧表面上、与外部端子16b相对的位置。外部端子106设置在连接器主体102的板构件的z轴方向的负方向侧表面上、与经由开口Hf~Hh而露出的端子导体22m相对应 的位置。
中心导体108设置在连接器主体102的圆筒构件的中心,且与外部端子104相连接。中心导体108是输入或输出高频信号的信号端子。外部导体110设置在连接器主体102的圆筒构件的内周面上,且与外部端子106相连接。外部导体110是保持在接地电位的接地端子。
如图12所示,具有如上结构的连接器100b以外部端子104与外部端子16b相连接、外部端子106与端子导体22m相连接的方式安装在连接部12m的表面上。由此,信号线路20与中心导体108进行电连接。此外,基准接地导体22及辅助接地导体24与外部导体110进行电连接。
高频信号线路10按如下所说明的那样来使用。图14是从y轴方向俯视使用高频信号线路10的电子设备200时的图。图15是从z轴方向俯视使用高频信号线路10的电子设备200时的图。
如图14及图15所示,将高频信号线路10用在电子设备200中。电子设备200包括高频信号线路10、电路基板202a、202b、插座204a、204b、电池组(金属体)206及壳体210。
壳体210收纳高频信号线路10、电路基板202a、202b、插座204a、204b、及电池组206。在电路基板202a上设置有例如包含天线的发送电路或接收电路。电路基板202b上设置有例如供电电路。电池组206例如为锂离子充电电池,具有其表面被金属覆层所覆盖的结构。从x轴方向的负方向侧到正方向侧依次排列有电路基板202a、电池组206及电路基板202b。
插座204a、204b分别设置在电路基板202a、202b的z轴方向的负方向侧的主面上。插座204a、204b上分别连接有连接器100a、100b。由此,经由插座204a、204b,向连接器100a、100b的中心导体108施加在电路基板202a、202b之间传 输的例如具有2GHz频率的高频信号。此外,经由电路基板202a、202b及插座204a、204b,对连接器100a、100b的外部导体110保持在接地电位。由此,高频信号线路10连接在电路基板202a、202b之间。
这里,电介质主体12的表面(更确切而言,保护层14)与电池组206相接触。而且,电介质主体12与电池组206通过粘接剂等进行固定。电介质主体12的表面是相对于信号线路20位于基准接地导体22一侧的主面。由此,实心状基准接地导体22位于信号线路20与电池组206之间。
在将高频信号线路10安装到电路基板202a、202b时,向x轴方向的负方向侧拉伸连接器100a,并向x轴方向的正方向侧拉伸连接器100b。由此,电介质主体12在x轴方向上延伸。其结果是,被拉伸状态的连接器100a、100b之间的距离比未拉伸状态的连接器100a、100b之间的距离长。即,能调整高频信号线路10的长度。由此,能容易地将连接器100a、100b安装到插座204a、204b上。
(高频信号线路的制造方法)
下面,参照图2至图7,对高频信号线路10的制造方法进行说明。下面,以制作一个高频信号线路10的情形为例进行说明,但实际上,通过层叠和切割大型电介质片,从而同时制作多个高频信号线路10。
首先,准备电介质片18a~18c,该电介质片18a~18c由热塑性树脂形成,且在整个表面上形成有铜箔(金属膜)。具体而言,在电介质片18a~18c的表面贴附铜箔。并且,对电介质片18a~18c的铜箔的表面实施例如用于防锈的镀锌,使其平滑化。电介质片18a~18c是液晶聚合物。此外,铜箔厚度为10μm~20μm。
接着,使形成在电介质片18a表面上的铜箔图案化,由此在电介质片18a的表面上形成图2至图7所示的外部端子16a、16b以及基准接地导体22。具体而言,在电介质片材18a表面的铜箔上印刷其形状与图2至图7所示的外部端子 16a、16b及基准接地导体22相同的抗蚀剂。然后,对铜箔实施刻蚀处理,从而将未被抗蚀剂覆盖的部分的铜箔去除。之后,喷淋抗蚀剂去除液从而去除抗蚀剂。由此,利用光刻工序在电介质片18a的表面上形成了图2至图7所示那样的外部端子16a、16b及基准接地导体22。
接着,在电介质片18b的表面上形成图2至图7所示的信号线路20。并且,在电介质片18c的表面上形成图2至图7所示的辅助接地导体24。另外,由于信号线路20及辅助接地导体24的形成工序与外部端子16a、16b及基准接地导体22的形成工序相同,因此省略说明。
接着,对电介质片18a、18b上要形成过孔导体b1、b2、B1~B4的位置照射激光束,从而形成贯通孔。然后,向贯通孔中填充导电性糊料,形成过孔导体b1、b2、B1~B4。
接着,从z轴方向的正方向侧向负方向侧依次层叠电介质片18a~18c,从而形成电介质主体12。然后,从z轴方向的正方向侧及负方向侧对电介质片18a~18c施加热和压力,从而使电介质片18a~18c一体化。
接着,利用丝网印刷涂布树脂(抗蚀剂)糊料,从而在电介质片18a的表面上形成覆盖基准接地导体22的保护层14。
最后,利用焊料将连接器100a、100b安装到连接部12l、12m上的外部端子16a、16b以及端子导体22l、22m上。由此,得到图1所示的高频信号线路10。
(效果)
根据上述结构的高频信号线路10,能抑制过孔导体B1~B4的破损。更详细而言,在将高频信号线路10安装到电路基板202a、202b时,向x轴方向的负方向侧拉伸连接器100a,并向x轴方向的正方向侧拉伸连接器100b。此时,电介质主体12以角C1~C10的劣角扩大的方式变形。尤其是在角C1~C10处,在平分 线L1~L4上、较信号线路20更靠劣角侧的部分(图10及图11的粗线部分),电介质主体12在与平分线L1~L4正交的方向上拉伸而产生较大变形。这里,在高频信号线路10中,从z轴方向俯视时,过孔导体B1~B4未设置在电介质主体12中较信号线路20更靠角C1~C10的劣角侧的、角C1~C10的平分线L1~L4上。由此,抑制了过孔导体B1~B4的破损。其结果是,抑制了高频信号线路10的电特性的变化。
此外,根据高频信号线路10,基于下面的理由,也能抑制过孔导体B1~B4的破损。若电介质主体12以角C1~C10的劣角扩大的方式变形,则在角C1~C10处、平分线L1~L4上较信号线路20更靠优角侧的部分,电介质主体12在与平分线L1~L4正交的方向上压缩从而变形。这里,在高频信号线路10中,从z轴方向俯视时,过孔导体B1~B4未设置在电介质主体12中较信号线路20更靠角C1~C10的优角侧的、角C1~C10的平分线L1~L4上。由此,抑制了过孔导体B1~B4的破损。
此外,根据高频信号线路10,能够实现薄型化。更详细而言,在高频信号线路10中,辅助接地导体24上设有开口30。由此,难以在信号线路20与辅助接地导体24之间形成电容。因而,即使缩小信号线路20与辅助接地导体24在z轴方向上的距离,信号线路20与辅助接地导体24之间所形成的电容也不会过大。由此,信号线路20的特性阻抗不易由规定的特性阻抗(例如50Ω)发生偏移。其结果是,根据高频信号线路10,能在将信号线路20的特性阻抗维持在规定的特性阻抗上的同时,实现薄型化。
此外,根据高频信号线路10,在高频信号线路10贴附于电池组206那样的金属体的情况下,能够抑制信号线路20的特性阻抗的变动。更详细来说,高频信号线路10以实心状基准接地导体22位于信号线路20与电池组206之间的方式贴附于电池组206上。由此,信号线路20与电池组206不经由开口相对,从而能够抑制信号线路20与电池组206之间的电容的形成。其结果是,通过将高频信号线路10贴附于电池组206,从而可抑制信号线路20的特性阻抗的下降。
此外,根据高频信号线路10,抑制了从角C2~C9向x轴方向及y轴方向的噪声辐射。以下,以角C2为例进行说明。如图10所示,将设置在线路部12b上离平分线L1最近的过孔导体称为过孔导体Ba。此外,将设置在线路部12c上离平分线L1最近的过孔导体称为过孔导体Bb。并且,将信号线路20上最接近过孔导体Ba的部分设为部分Pa。将信号线路20上最接近过孔导体Bb的部分设为部分Pb。
在部分Pa、Pb上,由于过孔导体Ba、Bb靠近信号线路20,因此在它们之间形成了电容。因此,部分Pa、Pb上的信号线路20的特性阻抗低于部分Pa与部分Pb之间的信号线路20的特性阻抗。由此,在部分Pa、Pb上产生高频信号的反射,在部分Pa与部分Pb之间产生以部分Pa、Pb为波腹的驻波。这种驻波可能会引起噪声。
因此,在高频信号线路10中,部分Pa与部分Pb之间信号线路20的长度La在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下。由此,抑制了部分Pa与部分Pb之间驻波的产生。其结果是,抑制了从角C2向x轴方向及y轴方向的噪声辐射。
此外,在高频信号线路10中,抑制了从线路部12c、12g、12e、12i辐射出的噪声。更详细而言,在高频信号线路10中,部分Pb与部分Pc之间信号线路20的长度Le在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下。同样,部分Pf与部分Pg之间信号线路20的长度Lf在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下。此外,在部分Pb与部分Pc之间、以及部分Pf与部分Pg之间不设置过孔导体。由此,难以在部分Pb与部分Pc之间的信号线路20、以及部分Pf与部分Pg之间的信号线路20中产生驻波。其结果是,抑制了从线路部12c、12g、12e、12i辐射出的噪声。
此外,在高频信号线路10中,抑制了在角C2~C9处、在信号线路20中传输 的高频信号中混入噪声。以下,以角C2为例进行说明。
由于基准接地导体22和辅助接地导体24从z轴方向的两侧夹着信号线路20,因此抑制了从信号线路20向z轴方向的噪声辐射。另一方面,在信号线路20的x轴方向或y轴方向上只存在过孔导体。因此,容易从信号线路20向x轴方向或y轴方向辐射噪声。
这里,在角C2处,线路部12b的线路导体20b与线路部12c的线路导体20c相接近。因此,若如图10的箭头M所示从线路部12b向x轴方向或y轴方向辐射噪声,则可能会有噪声混入到在信号线路12c中传输的高频信号中。同样,若如图10的箭头M所示从线路部12c向x轴方向或y轴方向辐射噪声,则可能会有噪声混入到在信号线路12b中传输的高频信号中。其结果是,线路部12b与线路部12c电磁耦合,可能会产生传输损耗。
因此,在高频信号线路10中,部分Pa与部分Pb之间信号线路20的长度La在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/4以下。由此,抑制了在部分Pa与部分Pb之间、具有在信号线路20中传输的高频信号的2倍以下频率的驻波的产生。例如,当在信号线路20中传输的高频信号的频率为2GHz时,抑制了4GHz以下的驻波的产生。当在信号线路20中传输的高频信号的频率为2GHz时,通常在信号线路20中传输具有1GHz~3GHz带宽的高频信号。由此,抑制了4GHz以下的驻波的产生,从而抑制了具有在信号线路20中传输的高频信号的频带内的频率的噪声的产生。其结果是,在高频信号线路10中,抑制了在角C2处、在信号线路20中传输的高频信号中混入噪声。
(变形例1)
下面,参照附图,对变形例1所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图16是俯视变形例1所涉及的高频信号线路10a的线路部12b~12d、12f~12h时的图。另外,对于变形例1所涉及的高频信号线路10a的外观立体图,引用了图1。
高频信号线路10a与高频信号线路10的不同之处在于,从z轴方向俯视时,过孔导体B1~B4设置在电介质主体12上、较信号线路20更靠角C1~C10的优角侧,并且是在角C1~C10的平分线L1~L4上。另外,高频信号线路10a的其它结构与高频信号线路10相同,因此省略说明。
电介质主体12上较信号线路20更靠角C1~C10的优角侧产生的应力小于电介质主体12上较信号线路20更靠角C1~C10的劣角侧产生的应力。因此,在电介质主体12上较信号线路20更靠角C1~C10的优角一侧,与电介质主体12上较信号线路20更靠角C1~C10的劣角一侧相比,过孔导体B1~B4更难破损。因此,从z轴方向俯视时,过孔导体B1~B4可以设置在电介质主体12上、较信号线路20更靠角C1~C10的优角侧,并且是在角C1~C10的平分线L1~L4上。
(变形例2)
下面,参照附图,对变形例2所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图17是变形例2所涉及的高频信号线路10b的俯视图。图17中,用虚线表示线路部12a、12b的边界。
高频信号线路10b与高频信号线路10的不同之处在于电介质主体12的形状。另外,高频信号线路10b的其它结构与高频信号线路10相同,因此省略说明。
在高频信号线路10b中,电介质主体12由线路部12a、12b以及连接部12l、12m构成。线路部12a在向x轴方向的正方向侧前进的同时向y轴方向的正方向侧前进,以此方式相对于x轴方向倾斜。线路部12b在向x轴方向的正方向侧前进的同时向y轴方向的负方向侧前进,以此方式相对于x轴方向倾斜。线路部12a与线路部12b相互连接,从而形成角C11。并且,在从z轴方向俯视时,未在电介质主体12的角C11的平分线L11上设置过孔导体B1~B4。
在上述结构的高频信号线路10b中,也抑制了过孔导体B1~B4的破损。
(变形例3)
下面,参照附图,对变形例3所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图18是变形例3所涉及的高频信号线路10c的俯视图。图18中,用虚线表示线路部12a~12g的边界。
高频信号线路10c与高频信号线路10的不同之处在于电介质主体12的形状。另外,高频信号线路10c的其它结构与高频信号线路10相同,因此省略说明。
在高频信号线路10b中,电介质主体12由线路部12a~12g以及连接部12l、12m构成。线路部12a在x轴方向上延伸。线路部12b~12f呈在y轴方向上往返的蜿蜒形状。更详细而言,线路部12b从线路部12a的x轴方向的正方向侧端部起,在向x轴方向的正方向侧前进的同时向y轴方向的负方向侧前进,以此方式相对于x轴方向倾斜。线路部12c从线路部12b的x轴方向的正方向侧端部起,在向x轴方向的正方向侧前进的同时向y轴方向的正方向侧前进,以此方式相对于x轴方向倾斜。线路部12d从线路部12c的x轴方向的正方向侧端部起,在向x轴方向的正方向侧前进的同时向y轴方向的负方向侧前进,以此方式相对于x轴方向倾斜。线路部12e从线路部12d的x轴方向的正方向侧端部起,在向x轴方向的正方向侧前进的同时向y轴方向的正方向侧前进,以此方式相对于x轴方向倾斜。线路部12f从线路部12e的x轴方向的正方向侧端部起,在向x轴方向的正方向侧前进的同时向y轴方向的负方向侧前进,以此方式相对于x轴方向倾斜。
此外,线路部12a~12g相互连接,从而形成角。并且,在从z轴方向俯视时,未在电介质主体12的角平分线上设置过孔导体B1~B4。以线路部12c、12d所成的角C12为例进行说明。
如图18所示,将角C12的角平分线设为平分线L12。在角C12处,平分线L12上、较信号线路20更靠劣角侧的部分(图18的粗线部分)未设置过孔导体B1~ B4。而且,本实施方式中,在角C12处,平分线L12上、较信号线路20更靠优角侧的部分也没有设置过孔导体B1~B4。
在上述结构的高频信号线路10c中,也抑制了过孔导体B1~B4的破损。
(变形例4)
下面,参照附图,对变形例4所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图19是俯视变形例4所涉及的高频信号线路10d时的图。图19中,用虚线表示线路部12a~12c的边界。
高频信号线路10d与高频信号线路10的不同之处在于电介质主体12的形状。另外,高频信号线路10d的其它结构与高频信号线路10相同,因此省略说明。
在高频信号线路10d中,电介质主体12由线路部12a~12c以及连接部12l、12m构成。线路部12a、12c在x轴方向上延伸。线路部12b呈向y轴方向的正方向侧突出的半圆形状。线路部12b的x轴方向的负方向侧端部与线路部12a的x轴方向的正方向侧端部相连。线路部12b的x轴方向的正方向侧端部与线路部12c的x轴方向的负方向侧端部相连。
此外,线路部12a~12c相互连接,从而形成角。并且,在从z轴方向俯视时,未在电介质主体12的角平分线上设置过孔导体B1~B4。以线路部12a、12b所成的角C13为例进行说明。
如图19所示,线路部12b呈曲线。因此,线路部12a和线路部12b所形成的角C13的平分线L13是线路部12a与线路部12b在角C13上的切线L20所成的角的平分线。并且,在角C13处,平分线L13上、较信号线路20更靠劣角侧的部分(图19的粗线部分)未设置过孔导体B1~B4。而且,本实施方式中,在角C13处,平分线L13上、较信号线路20更靠优角侧的部分也没有设置过孔导体B1~B4。
在上述结构的高频信号线路10d中,也抑制了过孔导体B1~B4的破损。
(变形例5)
下面,参照附图,对变形例5所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图20是变形例5所涉及的高频信号线路10e的俯视图。图20中,用虚线表示线路部12b~12d、12f~12h的边界。
如图20所示,在高频信号线路10e中,角C4、C5、C8、C9可以由曲线构成。另外,虽然省略了图示,但角C1~C3、C6、C7、C10也可以由曲线构成。
(变形例6)
下面,参照附图,对变形例6所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图21是俯视变形例6所涉及的高频信号线路10f的线路部12b~12d、12f~12h时的图。高频信号线路10f的外观立体图引用图1。
高频信号线路10f与高频信号线路10的不同之处在于,在角C2、C6、C3、C7附近,信号线路20未被过孔导体夹着。更详细而言,线路部12b、12f上未设置角C2、C6附近的过孔导体B3、B4。线路部12c、12g上未设置角C2、C3、C6、C7附近的过孔导体B1、B2。线路部12d、12h上未设置角C3、C7附近的过孔导体B3、B4。
在高频信号线路10f中,与高频信号线路10不同,过孔导体Bb、Bc成为线路部12c、12g的过孔导体B3、B4。此外,在高频信号线路10f中,与高频信号线路10相同,过孔导体Ba成为线路部12b、12f的过孔导体B1,过孔导体Bd成为线路部12d、12h的过孔导体B2。并且,在高频信号线路10f中,与高频信号线路10同样,部分Pa与部分Pb之间的信号线路20的长度La优选为在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下,更优选在1/4以下。
另外,线路部12d~12f、12h~12j也具有与线路部12b~12d、12f~12h相同的结构,但省略图示及说明。
在上述那样的高频信号线路10f中也与高频信号线路10同样,能抑制噪声的辐射。
此外,在高频信号线路10f中也与高频信号线路10同样,抑制了在信号线路20中传输的高频信号中混入噪声。
(变形例7)
下面,参照附图,对变形例7所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图22是俯视变形例7所涉及的高频信号线路10g的线路部12b~12d、12f~12h时的图。高频信号线路10g的外观立体图引用图1。
高频信号线路10g与高频信号线路10的不同之处在于,未在线路部12c、12e、12g、12i上设置过孔导体B1~B4。此时,如图22所示,将设置在线路部12b、12f上离平分线L1最近的过孔导体称为过孔导体Ba。此外,将设置在线路部12d、12h上离平分线L2最近的过孔导体称为过孔导体Bd。并且,将信号线路20上最接近过孔导体Ba的部分设为部分Pa。将信号线路20上最接近过孔导体Bd的部分设为部分Pd。此时,部分Pa与部分Pd之间的信号线路20的长度Lx优选为在信号线路20中传输的高频信号的波长的1/2以下,更优选在1/4以下。
另外,线路部12d~12f、12h~12j也具有与线路部12b~12d、12f~12h相同的结构,但省略图示及说明。
上述那样的高频信号线路10g中也与高频信号线路10同样,能抑制来自角C2~C9及线路部12c、12g、12e、12i的噪声的辐射。
在上述那样的高频信号线路10g中也与高频信号线路10同样,抑制了在信 号线路20中传输的高频信号中混入噪声。
(其它实施方式)
本实用新型所涉及的高频信号线路不限于高频信号线路10、10a~10g,在其宗旨范围内能进行变更。
另外,也可以将高频信号线路10、10a~10g的结构相组合。
保护层14通过丝网印刷而形成,但也可以通过光刻工序形成。
另外,在高频信号线路10、10a~10g中,也可以不安装连接器100a、100b。这种情况下,高频信号线路10、10a~10g的端部与电路基板利用焊料等相连接。另外,也可以只在高频信号线路10、10a~10g的一个端部上安装连接器100a。
此外,在高频信号线路10d中,线路部12a也可以是曲线。该情况下,角C13的平分线L13为线路部12a在角C13上的切线与线路部12b在角C13上的切线L20所成的角的平分线。
此外,也可以使用通孔导体来代替过孔导体。通孔导体是指在设置于电介质主体12上的贯通孔的内周面上利用镀覆等方法形成了导体的层间连接部。
另外,也可以不在辅助接地导体24上设置开口30。
另外,也可以不是为了构成可伸缩的高频信号线路10、10a~10g而设置角,而是为了使高频信号线路10、10a~10g在电子设备200内的间隙内走线而设置角。
另外,无需在所有线路部12a~12k上设置过孔导体B1~B4,也可以仅设置在至少一个线路部上。然而,为了稳定接地电位,优选在所有线路部12a~12k 上设置过孔导体B1~B4。
另外,高频信号线路10、10a~10g可用作天线前端模块等RF电路基板中的高频信号线路。
工业上的实用性
如上所述,本实用新型适用于高频信号线路以及具备该高频信号线路的电子设备,尤其在能抑制层间连接导体的破损这一点上较为优异。
标号说明
B1~B4、Ba~Bh 过孔导体
10、10a~10g 高频信号线路
12 电介质主体
12a~12k 线路部
14 保护层
18a~18c 电介质片
20 信号线路
22 基准接地导体
24 辅助接地导体
30 开口
100a、100b 连接器
200 电子设备
Claims (6)
1.一种高频信号线路,其特征在于,包括:
电介质主体,该电介质主体由具有可挠性的多个电介质片层叠而构成,并包含第一线路部及第二线路部;
信号线路,该信号线路设置在所述第一线路部及所述第二线路部上,并沿着所述第一线路部及所述第二线路部的延伸方向延伸;
第一接地导体,该第一接地导体设置在所述电介质主体上、较所述信号线路更靠层叠方向的一侧,从而与该信号线路相对;
第二接地导体,该第二接地导体设置在所述电介质主体上、较所述信号线路更靠层叠方向的另一侧,从而与该信号线路相对;以及
一个以上的层间连接导体,该层间连接导体设置于所述第一线路部或所述第二线路部的至少某一方,并通过贯穿所述电介质片从而对所述第一接地导体和所述第二接地导体进行连接,
所述第一线路部和所述第二线路部通过相互连接从而形成第一角,
从层叠方向俯视时,在所述电介质主体中较所述信号线路更靠所述第一角的劣角侧的、该第一角的第一平分线上未设置所述层间连接导体。
2.如权利要求1所述的高频信号线路,其特征在于,
所述层间连接导体未设置在所述电介质主体中的整个所述第一平分线上。
3.如权利要求1或2所述的高频信号线路,其特征在于,
所述层间连接导体设置在所述第一线路部及所述第二线路部上,
将所述第一线路部上设置得最接近所述第一平分线的所述层间连接导体设为第一层间连接导体,将所述第二线路部上设置得最接近该第一平分线的所述层间连接导体设为第二层间连接导体,
所述信号线路上最接近所述第一层间连接导体的第一部分、与该信号线路上最接近所述第二层间连接导体的第二部分之间的该信号线路的长度在该信号线路中传输的电磁波的波长的1/4以下。
4.如权利要求3所述的高频信号线路,其特征在于,
所述电介质主体还包含第三线路部,该第三线路部是通过与所述第二线路 部相连从而形成第二角的第三线路部,并沿着所述第一线路部延伸,
所述层间连接导体设置在所述第三线路部上,
所述信号线路沿着所述第三线路部的延伸方向而延伸,
从层叠方向俯视时,在所述电介质主体中较所述信号线路更靠所述第二角的劣角侧的、该第二角的第二平分线上未设置所述层间连接导体,
将所述第三线路部上设置得最接近所述第二平分线的所述层间连接导体设为第三层间连接导体,
所述第二部分与所述信号线路上最接近所述第三层间连接导体的第三部分之间的该信号线路的长度为在该信号线路中传输的电磁波的波长的1/4以下。
5.如权利要求1或2所述的高频信号线路,其特征在于,
所述电介质主体还包含第三线路部,该第三线路部是通过与所述第二线路部相连从而形成第二角的第三线路部,并沿着所述第一线路部延伸,
所述层间连接导体设置在所述第一线路部及所述第三线路部上,并且未设置在所述第二线路部上,
所述信号线路沿着所述第三线路部的延伸方向而延伸,
从层叠方向俯视时,在所述电介质主体中较所述信号线路更靠所述第二角的劣角侧的、该第二角的第二平分线上未设置所述层间连接导体,
将所述第一线路部上设置得最接近所述第一平分线的所述层间连接导体设为第一层间连接导体,将所述第三线路部上设置得最接近所述第二平分线的所述层间连接导体设为第三层间连接导体,
所述信号线路上最接近所述第一层间连接导体的第一部分、与该信号线路上最接近所述第三层间连接导体的第三部分之间的该信号线路的长度在该信号线路中传输的电磁波的波长的1/4以下。
6.一种电子设备,其特征在于,包括:
壳体;以及
收纳在所述壳体中的高频信号线路,
所述高频信号线路包括:
电介质主体,该电介质主体由具有可挠性的多个电介质片层叠而构成,并 包含第一线路部及第二线路部;
信号线路,该信号线路设置在所述第一线路部及所述第二线路部上,并沿着所述第一线路部及所述第二线路部的延伸方向延伸;
第一接地导体,该第一接地导体设置在所述电介质主体上、较所述信号线路更靠层叠方向的一侧,从而与该信号线路相对;
第二接地导体,该第二接地导体设置在所述电介质主体上、较所述信号线路更靠层叠方向的另一侧,从而与该信号线路相对;以及
一个以上的层间连接导体,该层间连接导体设置于所述第一线路部或所述第二线路部的至少某一方,并通过贯穿所述电介质片从而对所述第一接地导体和所述第二接地导体进行连接,
所述第一线路部和所述第二线路部通过相互连接从而形成第一角,
从层叠方向俯视时,在所述电介质主体中较所述信号线路更靠所述第一角的劣角侧的、该第一角的平分线上未设置所述层间连接导体。
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