WO2019131647A1 - 基板、および基板接合構造 - Google Patents

基板、および基板接合構造 Download PDF

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electrode pad
main surface
resist film
insulating base
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邦明 用水
大祐 戸成
秀幸 田口
元郎 加藤
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate, and more particularly to a substrate bonded by heating and pressing using a hot bar, and a bonding structure thereof.
  • Patent Document 1 a structure is known in which a substrate such as a cable is mounted (joined) on a mounting substrate.
  • the substrate is heated and pressurized to the mounting substrate using, for example, a hot bar or the like, and solder-mounted (joined) to the mounting substrate.
  • a hot bar or the like solder-mounted (joined) to the mounting substrate.
  • solder hereinafter referred to as a conductive bonding material
  • a conductive bonding material may be scattered at the bonding location during heating and pressing (bonding), and conductive bonding may be extended to unnecessary portions.
  • the material may wet and spread, which may cause a short circuit or a change in electrical characteristics.
  • An object of the present invention is to provide a substrate capable of suppressing a change in characteristics due to scattering or spreading of a conductive bonding material at the time of bonding even when bonding to a mounting substrate or the like using a hot bar or the like.
  • the substrate of the present invention is An insulating substrate having a main surface, An electrode pad formed on the main surface; A resist film formed on the main surface and disposed close to the electrode pad; Equipped with The resist film is spaced apart from the electrode pad across a gap, and is thicker than the electrode pad.
  • the resist film becomes a bank at the bonding portion of the electrode pad, and scattering and excessive wetting and spreading of the conductive bonding material are suppressed. it can. Therefore, according to this configuration, it is possible to suppress the characteristic change due to the scattering of the conductive bonding material and the excessive wetting and spreading of the conductive bonding material at the time of heating and pressing.
  • the thickness of the resist film disposed in proximity to the electrode pad is thicker than the thickness of the electrode pad, excessive bonding to the bonding portion of the electrode pad occurs at the time of heating and pressing using a hot bar. It can control that pressure is applied. Therefore, the scattering of the conductive bonding material at the bonding portion during heating and pressing, and the excessive wet spreading of the conductive bonding material are further suppressed.
  • the resist film since the resist film is disposed apart from the first electrode pad with a gap (so-called clearance resist structure), the resist film covers a part of the first electrode pad. As compared with the case (so-called over resist structure), it is easy to control the thickness of the resist film that functions as a bank of the conductive bonding material. That is, it is easy to adjust the thickness of the resist film to such a thickness that scattering of the conductive bonding material and excessive spreading of the conductive bonding material do not occur.
  • the resist film is formed so as to surround the entire periphery of the electrode pad in plan view of the main surface. According to this configuration, since the electrode pad is surrounded by the resist film, scattering of the conductive bonding material at the bonding location at the time of heating and pressing and the conductive bonding are performed as compared with the case where the electrode pad is not surrounded by the resist film. Excessive wet spreading of the material can be further suppressed.
  • the insulating substrate may be flexible and long. If the substrate is flexible and is mounted on a mounting substrate or the like using a reflow soldering method, when the substrate is mounted on a mounting substrate or the like, the substrate is easily deformed when mounted on the mounting substrate, and the mounting position is likely to shift. It is suitable to mount the substrate on the mounting substrate using a hot bar. Therefore, the insulating base material has an effect (effect of suppressing scattering of the conductive bonding material and wetting and spreading of the conductive bonding material at the time of heating and pressing using a hot bar) obtained by providing the resist film. It is particularly effective when it has a flexible and long shape.
  • the insulating base material is deformed (functions as a buffer material). Damage is suppressed.
  • a predetermined amount of conductive paste be precoated on the surface of the electrode pad.
  • a first conductor formed on the insulating base It is preferable that an interlayer connection conductor formed inside the insulating base material be provided, and the electrode pad and the first conductor be connected via the interlayer connection conductor. According to this configuration, since the electrode pad is connected to the interlayer connection conductor formed inside the first conductor and the insulating base layer, it is possible to make it difficult to peel the electrode pad from the main surface of the insulating base.
  • the number of the electrode pads is plural, and at least a part of the resist film is located between the plurality of electrode pads. According to this configuration, even when the conductive bonding material scatters or the like at the bonding portion of the first electrode pad at the time of heating and pressurizing, a short circuit between the plurality of first electrode pads is suppressed.
  • the semiconductor device further includes a plurality of reinforcing electrode pads formed on the main surface, and the plurality of reinforcing electrode pads have a plan view of the main surface. It is preferable that the electrode pad be interposed in the first direction.
  • the substrate or the substrate bonding member is bent or bent due to an external force or the like, bending stress is generated, and there is a possibility that the bonding portion between the substrate and the substrate bonding member may be peeled off by the bending stress.
  • the plurality of reinforcing electrode pads are provided in the bonding portion, the bonding strength of the bonding portion is increased, and peeling of the bonding portion can be suppressed.
  • the electrode pad is sandwiched between the plurality of reinforcing electrode pads, it is possible to suppress the breakage of the joint portion of the electrode pad due to the bending stress.
  • the insulating base material may have a longitudinal direction, and the longitudinal direction may coincide with the first direction.
  • the longitudinal direction of the insulating substrate coincides with the first direction, bending stress including stress in the first direction occurs at the joint portion between the substrate and the mounting substrate or the like when the insulating substrate is bent or bent. It is easy to take. Therefore, by sandwiching the electrode pad in the first direction with the plurality of reinforcing electrode pads, it is possible to more effectively suppress the breakage of the bonding portion of the electrode pad.
  • the plurality of reinforcing electrode pads are disposed across the electrode pad in a second direction orthogonal to the first direction in plan view of the main surface Is preferred. According to this configuration, according to this configuration, breakage of the bonding portion of the electrode pad due to bending stress is further suppressed.
  • the semiconductor device further includes a second conductor formed on the main surface and partially covered with the resist film, the plurality of reinforcing electrode pads It is preferable that it is a part which is not covered with the said resist film among 2nd conductors. Since the electrode pad having a so-called clearance resist structure has a weak bonding strength to the insulating substrate, it tends to peel off the surface of the insulating substrate. On the other hand, since the reinforcing electrode pad of the over resist structure has higher bonding strength to the insulating base than the electrode pad of the clearance resist structure, it is difficult to peel off the surface of the insulating base. Therefore, according to this configuration, peeling of the bonding portion can be effectively suppressed by sandwiching the electrode pad of the clearance resist structure with the plurality of reinforcing electrode pads of the over resist structure.
  • the substrate bonding structure of the present invention is A substrate bonding structure comprising a substrate and a substrate bonding member, wherein
  • the substrate is A first insulating base having a first major surface; A first electrode pad formed on the first main surface; A first resist film formed on the first main surface and disposed close to the first electrode pad; Have The first resist film is spaced apart from the first electrode pad across a gap, and is thicker than the first electrode pad,
  • the substrate bonding member is A second insulating base having a second main surface, A second electrode pad formed on the second main surface; Have The first major surface faces the second major surface with the first resist film interposed therebetween, The first electrode pad and the second electrode pad are bonded via a conductive bonding material.
  • the first resist film becomes a bank at the bonding portion between the first electrode pad and the second electrode pad As a result, scattering of the conductive bonding material and excessive wetting and spreading can be suppressed. Therefore, according to this configuration, it is possible to suppress the characteristic change due to the scattering of the conductive bonding material and the excessive wetting and spreading of the conductive bonding material at the time of heating and pressing.
  • the first resist film disposed in proximity to the first electrode pad is thicker than the thickness of the first electrode pad, the first resist film is not heated when heated and pressurized using a hot bar. It can suppress that an excess pressure is applied to the junction part of an electrode pad and a 2nd electrode pad. Therefore, the scattering of the conductive bonding material at the bonding portion during heating and pressing, and the excessive wet spreading of the conductive bonding material are further suppressed.
  • the substrate bonding member has a second resist film formed on the second main surface and disposed close to the second electrode pad, and the second resist film is The first main surface is thicker than the second electrode pad and spaced apart from the second electrode pad with a gap interposed therebetween, and the first main surface sandwiches the first resist film and the second resist film. It is preferable to face the surface.
  • the first insulating base has flexibility. According to this configuration, even when the substrate comes into contact with the mounting substrate bonding member at the time of heating and pressing using the hot bar, the first insulating base material is deformed (functions as a buffer material), and thus the substrate is broken. Is suppressed.
  • the second insulating base material has flexibility. According to this configuration, even when the substrate contacts the substrate bonding member at the time of heating and pressing using the hot bar, the second insulating base material is deformed (functions as a buffer material), so that the substrate or the substrate bonding member Damage is suppressed. Further, according to this configuration, since both the first insulating base and the second insulating base have flexibility, the above-described effects are further enhanced.
  • the present invention even in the case of bonding to a mounting substrate or the like using a hot bar or the like, it is possible to realize a substrate capable of suppressing the change in characteristics due to the scattering or the spreading of the conductive bonding material.
  • FIG. 1A is an external perspective view of the first substrate 101 according to the first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view of the first substrate 101
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the first substrate 101
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the main part of the electronic device 301 according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view sequentially showing a bonding process of the first substrate 101 and the second substrate 201 according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view sequentially showing a bonding process of the first substrate 100 and the second substrate 201 not including the first resist film, which is a comparative example.
  • FIG. 6A is an external perspective view of the first substrate 102 according to the second embodiment
  • FIG. 6B is a plan view of the first substrate 102.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the first substrate 102.
  • FIG. 8 is an external perspective view showing the main part of a cable 401 according to the third embodiment.
  • FIG. 9 is an exploded perspective view showing an enlarged bonding portion of the first substrate 103 and the second substrate 203 according to the third embodiment.
  • FIG. 10 is an external perspective view showing the main part of a cable 402 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 11 is an exploded perspective view showing an enlarged bonding portion of the first substrate 104 and the second substrate 204 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 12 is a perspective view showing the main part of an electronic device 302 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 1A is an external perspective view of the first substrate 101 according to the first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view of the first substrate 101
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the first substrate 101.
  • the 1st electrode pad P11 is shown by the dot pattern.
  • the first substrate 101 is provided with a first insulating base 10, a first electrode pad P11, a first resist film 1 and the like.
  • substrate 101 is also equipped with members (a conductor, components, etc.) other than the above, illustration is abbreviate
  • the first insulating base material 10 is a rectangular parallelepiped insulating element, and has main surfaces S1 and S2 facing each other.
  • the first insulating base material 10 is a resin flat plate mainly made of a resin material (thermoplastic resin), and has flexibility.
  • the first insulating base 10 is a flat plate mainly made of, for example, a liquid crystal polymer (LCP) or a polyetheretherketone (PEEK).
  • the main surface S1 of the first insulating base 10 corresponds to the "first main surface” of the present invention.
  • the first electrode pad P11 is a rectangular conductor pattern formed on the main surface S1.
  • the first electrode pad P11 is, for example, a conductor pattern such as Cu foil.
  • the first resist film 1 is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface S1 and disposed in the vicinity of the first electrode pad P11.
  • the first resist film 1 has an opening CP at a position corresponding to the first electrode pad P11. Therefore, the first electrode pad P11 is exposed by forming the first resist film 1 on the main surface S1.
  • the first resist film 1 is spaced apart from the first electrode pad P11 across a gap. That is, the first electrode pad P11 has a clearance resist structure.
  • the first resist film 1 is a solder resist film made of, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin (EP).
  • the first resist film 1 is formed, for example, by applying and curing a thermosetting resin on the main surface S1.
  • the first resist film 1 may also be a coverlay film such as polyimide (PI) or polyethylene terephthalate (PET).
  • PI polyimide
  • PET polyethylene terephthalate
  • Such a first resist film 1 may be formed, for example, by affixing a film patterned on the main surface S1, or may be formed by affixing a film on the main surface S1 and then patterning. .
  • “adjacent to the first electrode pad” means that the first resist film is disposed closer to the first electrode pad than any of the conductors formed on the main surface S1. That is, when the shortest distance between the first resist film and the first electrode pad is smaller than any shortest distance between all the conductors formed on the main surface S1 and the first electrode pad
  • the first resist film 1 is formed so as to surround the entire circumference of the first electrode pad P11 in plan view of the main surface S1 (viewed from the Z-axis direction) . Further, as shown in FIG. 2, the thickness of the first resist film 1 (H1: thickness in the Z-axis direction orthogonal to the main surface S1) is thicker than the thickness (H2) of the first electrode pad P11 (H1> H2 ).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the main part of the electronic device 301 according to the first embodiment.
  • the electronic device 301 includes the first substrate 101, the second substrate 201, and the like.
  • the first substrate 101 is mounted on the second substrate 201.
  • substrate 101, an electronic component, etc. are mounted in the 2nd board
  • the second substrate 201 includes a second insulating base 20, second electrode pads P21, P22, and P23, a conductor 41, and the like.
  • substrate 201 is also equipped with members (a conductor, components, etc.) other than the above, illustration is abbreviate
  • the second substrate 201 is a rectangular parallelepiped printed wiring board, and is, for example, a glass / epoxy substrate.
  • the second substrate 201 corresponds to the “substrate bonding member” in the present invention.
  • the second insulating base 20 is a rectangular parallelepiped insulating element and has a main surface PS1.
  • the second electrode pads P21, P22, and P23 are rectangular conductor patterns formed on the main surface PS1.
  • the conductor 41 is a conductor pattern formed inside the second insulating base 20.
  • the second electrode pads P21, P22, P23 and the conductor 41 are, for example, conductor patterns such as Cu foil.
  • the main surface PS1 of the second insulating base 20 corresponds to the “second main surface” in the present invention.
  • the main surface S1 (first main surface) of the first substrate 101 is opposed to the main surface PS1 (second main surface) of the second substrate 201 with the first resist film 1 interposed therebetween.
  • the first electrode pad P ⁇ b> 11 of the first substrate 101 and the second electrode pad P ⁇ b> 21 of the second substrate 201 are bonded by the conductive bonding material 5.
  • the conductive bonding material 5 is, for example, a solder.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view sequentially showing a bonding process of the first substrate 101 and the second substrate 201 according to the first embodiment.
  • the first substrate 101 and the second substrate 201 are prepared. Thereafter, the conductive paste 5P is applied (or printed) on the surface of the second electrode pad P21 of the second substrate 201.
  • the conductive paste 5P is, for example, a solder paste.
  • the first substrate 101 is sucked by the hot bar 3 and placed (mounted) on the second substrate 201.
  • the first substrate 101 is disposed on the second substrate 201 such that the first electrode pad P11 of the first substrate 101 and the second electrode pad P21 of the second substrate 201 face each other.
  • the main surface S1 (first main surface) of the first insulating base 10 faces the main surface PS1 (second main surface) of the second substrate 201 with the first resist film 1 interposed therebetween.
  • the first substrate 101 is heated and pressurized in the stacking direction (+ Z direction) using the hot bar 3 (see the white arrow shown in (1) in FIG. 4). It is bonded to the second substrate 201. Thereby, as shown in (2) in FIG. 4, the first electrode pad P11 of the first substrate 101 is bonded to the second electrode pad P21 of the second substrate 201 via the conductive bonding material 5. .
  • FIG. 5 is a cross-sectional view sequentially showing a bonding process of the first substrate 100 and the second substrate 201 not including the first resist film, which is a comparative example.
  • the joining process shown in FIG. 5 is substantially the same as the joining process shown in FIG. 4, the description of the joining process is partially omitted.
  • the first substrate 100 and the second substrate 201 are prepared.
  • the first substrate 100 is different from the above-described first substrate 101 in that the first substrate 100 does not include the first resist film.
  • the other configuration of the first substrate 100 is the same as that of the first substrate 101.
  • the conductive paste 5P is applied (or printed) on the surface of the second electrode pad P21 of the second substrate 201.
  • the first substrate 100 is sucked by the hot bar 3 and placed (mounted) on the second substrate 201.
  • the first substrate 100 is disposed on the second substrate 201 such that the first electrode pad P11 of the first substrate 100 and the second electrode pad P21 of the second substrate 201 face each other.
  • the main surface S1 (first main surface) of the first insulating base 10 faces the main surface PS1 (second main surface) of the second substrate 201.
  • the first substrate 100 is heated and pressurized in the stacking direction (+ Z direction) using the hot bar 3 (see the white arrow shown in (1) in FIG. 5). It is bonded to the second substrate 201. Thereby, as shown in (2) in FIG. 5, the first electrode pad P11 of the first substrate 100 is bonded to the second electrode pad P21 of the second substrate 201 via the conductive bonding material.
  • the first electrode pad P11 and the second electrode pad P11 are heated and pressurized. Excess pressure is applied to the bonding portion with the electrode pad P21, and scattering of the conductive bonding material (see the scattering portion SP shown in (2) in FIG. 5) or excessive wetting of the conductive bonding material at the bonding position There is a possibility that the spreading (see the wet spreading portion WP shown in (2) in FIG. 5) may occur. As a result, a short circuit occurs at an unintended location (for example, a short circuit between the second electrode pads P21 and P23 shown in (2) in FIG. 5), or between other conductors (for example, (in FIG. The electrical characteristics are changed due to, for example, the formation of a capacitance between the scattering portion SP and the conductor 41 shown in 2).
  • the first resist film 1 is a bank at the bonding portion between the first electrode pad P11 and the second electrode pad P21.
  • the scattering range of the conductive bonding material can be made within the bonding range MR in FIG. 2). Therefore, according to this configuration, it is possible to suppress the characteristic change due to the scattering of the conductive bonding material and the excessive wetting and spreading of the conductive bonding material at the time of heating and pressing.
  • the thickness (H1) of the first resist film 1 disposed close to the first electrode pad P11 is thicker than the thickness (H2) of the first electrode pad P11. (H1> H2). According to this configuration, it is possible to suppress an excessive pressure from being applied to the bonding portion between the first electrode pad P11 and the second electrode pad P21 at the time of heating and pressing using the hot bar 3. Therefore, the scattering of the conductive bonding material at the bonding portion during heating and pressing, and the excessive wet spreading of the conductive bonding material are further suppressed.
  • the first resist film 1 is disposed apart from the first electrode pad P11 with a gap in between (see FIG. Clearance resist structure).
  • the first resist film 1 covers a part of the first electrode pad P11 (when the first resist film 1 has an over-resist structure with respect to the first electrode pad P11).
  • the thickness of the first resist film 1 functioning as a bank of the conductive bonding material 5 can be easily controlled. That is, according to this configuration, it is easy to adjust the thickness of the first resist film 1 to such a thickness that scattering of the conductive bonding material and excessive wetting and spreading of the conductive bonding material do not occur.
  • the first resist film 1 is formed so as to surround the entire circumference of the first electrode pad P11 in plan view of the main surface S1 (viewed from the Z-axis direction). According to this configuration, since the first electrode pad P11 is surrounded by the first resist film 1, compared with the case where the first electrode pad P11 is not surrounded by the first resist film 1, the bonding location at the time of heating and pressurizing It is possible to further suppress scattering of the conductive bonding material and excessive wetting and spreading of the conductive bonding material.
  • the first insulating base 10 has flexibility. According to this configuration, even when the first substrate 101 contacts the second substrate 201 at the time of heating and pressing using the hot bar 3, the first insulating base material 10 is deformed (functions as a buffer material), Damage to the first substrate 101 or the second substrate 201 is suppressed.
  • the conductive paste 5P is applied (or printed) on the surface of the second electrode pad P21.
  • the present invention is not limited to this configuration, and the surface of the first electrode pad P11 is The conductive paste 5P may be applied to (or printed on).
  • the method of applying (or printing) the conductive paste 5P on the surface of the first electrode pad P11 (or the surface of the second electrode pad P21) in the bonding step has been described.
  • a predetermined amount of conductive paste may be precoated on the surface of P11 (or the surface of the second electrode pad P21).
  • the amount of the conductive paste 5P to be precoated on the surface of the first electrode pad P11 (or the surface of the second electrode pad P21) As compared with the above, scattering of the conductive bonding material at the time of heating and pressing can be prevented.
  • the second embodiment shows an example of a first substrate provided with a plurality of first electrode pads.
  • FIG. 6A is an external perspective view of the first substrate 102 according to the second embodiment
  • FIG. 6B is a plan view of the first substrate 102
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the first substrate 102.
  • the first electrode pads P11 and P12 are shown in a dot pattern in order to make the structure easy to understand.
  • the first substrate 102 includes a first insulating base 10A, a plurality of first electrode pads P11 and P12, a first resist film 1A, first conductors 61 and 62, interlayer connection conductors V1 and V2, and the like.
  • substrate 102 is also equipped with members (a conductor, components, etc.) other than the above, illustration is abbreviate
  • the first substrate 102 is different from the first substrate 101 according to the first embodiment in that the first substrate 102 includes a plurality of first electrode pads P11 and P12, first conductors 61 and 62, and interlayer connection conductors V1 and V2.
  • the first insulating base material 10A is a rectangular parallelepiped insulating element, and has main surfaces S1 and S2 facing each other. Specifically, it is a resin flat plate formed by laminating a plurality of insulating base layers made of thermoplastic resin, and has flexibility.
  • the plurality of insulating base layers are, for example, sheets mainly composed of liquid crystal polymer (LCP) or polyetheretherketone (PEEK).
  • the main surface S1 of the first insulating base 10A corresponds to the "first main surface” of the present invention.
  • the first electrode pads P11 and P12 are rectangular conductor patterns formed on the main surface S1.
  • the first electrode pads P11 and P12 are disposed in the vicinity of the center of the main surface S1 in the Y-axis direction, and are arranged in the X-axis direction.
  • the first resist film 1A is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface S1 and disposed in the vicinity of the first electrode pads P11 and P12.
  • the first resist film 1A has openings CP11 and CP12 at positions corresponding to the first electrode pads P11 and P12, respectively. Therefore, the first electrode pads P11 and P12 are exposed by forming the first resist film 1A on the main surface S1. As shown in FIGS. 6A, 6B and 7, the first resist film 1A is spaced apart from the first electrode pads P11 and P12 across a gap. That is, the first electrode pads P11 and P12 have a clearance resist structure.
  • the first resist film 1A surrounds the entire periphery of the first electrode pads P11 and P12 when the main surface S1 is viewed in plan (viewed from the Z-axis direction). Is formed. Further, a part of the first resist film 1A is located between the first electrode pads P11 and P12.
  • the first conductors 61 and 62 are conductor patterns formed inside the first insulating base 10A.
  • the interlayer connection conductors V1 and V2 are conductors formed inside the first insulating base 10A.
  • the first conductor 61 is connected to the first electrode pad P11 via the interlayer connection conductor V1.
  • the first conductor 62 is connected to the first electrode pad P12 via the interlayer connection conductor V2.
  • the first conductors 61 and 62 are conductor patterns such as Cu foil, for example.
  • the following effects can be obtained in addition to the effects described in the first embodiment.
  • At least a part of the first resist film 1A that functions as a bank of the conductive bonding material is disposed between the plurality of first electrode pads P11 and P12.
  • the first electrode pad P11 is connected to the interlayer connection conductor V1 and the first conductor 61 which are formed inside the first insulating base 10A.
  • the first electrode pad P12 is connected to the interlayer connection conductor V2 and the first conductor 62 which are formed inside the first insulating base material 10A. Therefore, compared to the case where the first electrode pad is not connected to the first conductor or the interlayer connection conductor, the first electrode pads P11 and P12 can be hardly peeled off from the surface of the first insulating base material 10.
  • the first electrode pads P11 and P12 are connected to the first conductors 61 and 62 formed inside the first insulating base material 10A through the interlayer connection conductors V1 and V2 is described. Although shown, it is not limited to this configuration. Even when the first electrode pad is connected to the conductor formed on the main surface S2 of the first insulating base material 10A via the interlayer connection conductor, the same effect as the above (b) is exerted.
  • FIG. 8 is an external perspective view showing the main part of a cable 401 according to the third embodiment.
  • the cable 401 according to the present embodiment is a flexible linear (long) cable, and is formed by bonding the first substrate 103 and the second substrate 203 via a conductive bonding material.
  • the second substrate 203 corresponds to the “substrate bonding member” in the present invention.
  • FIG. 9 is an exploded perspective view showing an enlarged bonding portion of the first substrate 103 and the second substrate 203 according to the third embodiment.
  • the first electrode pad P11 and the second electrode pad P21 are shown in a dot pattern.
  • the first substrate 103 includes a first insulating base 10B, a first electrode pad P11, a first resist film 1B, a plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12, a connector 51, and the like. Although the first substrate 103 also includes a signal conductor, a ground conductor, and the like in addition to the above, the illustration is omitted.
  • the first substrate 103 is different from the first substrate 101 according to the first embodiment in the shape of the first insulating base 10B. Further, the first substrate 103 is different from the first substrate 101 in that the first substrate 103 includes a plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 and a connector 51.
  • the first insulating base material 10B is a long (linear) insulating element whose longitudinal direction coincides with the X-axis direction, and has main surfaces S1F and S1R and a main surface S2 facing each other.
  • the first insulating base 10B is a resin flat plate formed by laminating a plurality of insulating base layers made of thermoplastic resin, and has flexibility.
  • the main surface S1F of the first insulating base material 10B corresponds to the "first main surface” of the present invention.
  • the X-axis direction corresponds to the “first direction” in the present invention.
  • the first insulating base material 10B has a rigid portion RP1 and a flexible portion FP1.
  • the number of stacked insulating base layers of the rigid portion RP1 is larger than the number of stacked insulating base layers of the flexible portion FP1. Therefore, the rigid portion RP1 is harder than the flexible portion FP1 and difficult to bend. Also, the flexible part FP1 is easier to bend than the rigid part RP1 and has flexibility.
  • the first electrode pad P11 is a rectangular conductor pattern formed on the main surface S1.
  • the first electrode pad P11 is electrically connected to a signal conductor (not shown) included in the first substrate 103.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are linear conductor patterns formed on the main surface S1F and extending in the Y-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are electrically connected to a ground conductor (not shown) included in the first substrate 103.
  • the first electrode pad P11 and the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are disposed in the vicinity of the first end of the first insulating base 10B (the left end of the first insulating base 10B in FIG. 8). As shown in FIG. 9, the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are disposed with the first electrode pad P11 interposed in the X-axis direction, with the main surface S1F viewed in plan (viewed from the Z-axis direction) There is.
  • the first resist film 1B is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface S1F and disposed in the vicinity of the first electrode pad P11.
  • the first resist film 1B has an opening at a position corresponding to the first electrode pad P11.
  • the first resist film 1B is spaced apart from the first electrode pad P11 across a gap. That is, the first electrode pad P11 has a clearance resist structure.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are the first resist film 1B in the conductor pattern (corresponding to the "second conductor" of the present invention) formed on the main surface S1F. It is a part not covered. Specifically, the first resist film 1B has openings at positions corresponding to the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12. These openings have a smaller area than the conductor pattern. Therefore, by forming the first resist film 1B on the main surface S1F, a part of the conductor pattern (reinforcing electrode pads EP11 and EP12) is exposed. Thus, the first resist film 1B covers a part of the conductor pattern formed on the main surface S1F. That is, the reinforcing electrode pads EP11 and EP12 have an over-resist structure.
  • the connector 51 is mounted on the main surface S2 of the first insulating base 10B, and is disposed near the second end of the first insulating base 10B (right end of the first insulating base 10B in FIG. 8).
  • the connector 51 is electrically connected to the signal conductor and the ground conductor of the first substrate 103 (not shown).
  • the second substrate 203 includes a second insulating base 20B, a second electrode pad P21, reinforcing electrode pads EP21 and EP22, a second resist film 2B, a connector 52, and the like. Although the second substrate 203 also includes a signal conductor, a ground conductor, and the like in addition to the above, the illustration is omitted.
  • the second substrate 203 is different from the second substrate 201 according to the first embodiment in the shape of the second insulating base 20B.
  • the second substrate 203 is different from the second substrate 201 in that the second substrate 203 includes the second resist film 2B, the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22, and the connector 52.
  • the second insulating base material 20B is a long (linear) insulating element whose longitudinal direction coincides with the X-axis direction, and has main surfaces PS1F and PS1R and a main surface PS2 facing each other.
  • the second insulating base 20B is a resin flat plate formed by laminating a plurality of insulating base layers made of thermoplastic resin, and has flexibility.
  • the main surface PS1F of the second insulating base 20B corresponds to the "second main surface” in the present invention.
  • the second insulating base 20B has a rigid portion RP2 and a flexible portion FP2.
  • the number of stacked insulating base layers of the rigid portion RP2 is larger than the number of stacked insulating base layers of the flexible portion FP2. Therefore, rigid part RP2 is harder than flexible part FP2, and is hard to bend. The flexible part FP2 is more easily bent than the rigid part RP2 and has flexibility.
  • the second electrode pad P21 is a rectangular conductor pattern formed on the main surface PS1F.
  • the second electrode pad P ⁇ b> 21 is electrically connected to a signal conductor (not shown) included in the second substrate 203.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are linear conductor patterns formed on the main surface PS1F and extending in the Y-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP ⁇ b> 21 and EP ⁇ b> 22 are electrically connected to a ground conductor (not shown) provided in the second substrate 203.
  • the second electrode pad P21 and the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are disposed in the vicinity of the first end (the right end of the second insulating base 20B in FIG. 8) of the second insulating base 20B. As shown in FIG. 9, the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are disposed across the second electrode pad P21 in the X-axis direction with the main surface PS1F viewed in plan (viewed from the Z-axis direction) There is.
  • the second resist film 2B is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface PS1F and disposed in the vicinity of the second electrode pad P21.
  • the second resist film 2B has an opening at a position corresponding to the second electrode pad P21.
  • the second resist film 2B is disposed apart from the second electrode pad P21 with a gap (clearance resist structure).
  • the second resist film 2B is formed to surround the entire periphery of the second electrode pad P21 when the main surface PS1F is viewed in plan (viewed from the Z-axis direction).
  • the second resist film 2B is, for example, a solder resist film made of a thermosetting resin such as epoxy resin (EP), or a coverlay film such as polyimide (PI) or polyethylene terephthalate (PET).
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are portions of the conductor pattern formed on the main surface PS1F which are not covered by the second resist film 2B.
  • the second resist film 2B has openings at positions corresponding to the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22. These openings have a smaller area than the conductor pattern. Therefore, by forming the second resist film 2B on the main surface PS1F, a part of the conductor pattern (reinforcing electrode pads EP21 and EP22) is exposed. Thus, the second resist film 2B covers a part of the conductor pattern formed on the main surface PS1F (over resist structure).
  • the thickness of the second resist film 2B is thicker than the thickness of the second electrode pad P21.
  • the connector 52 is mounted on the main surface PS1R of the second insulating base 20B, and is disposed near the second end of the second insulating base 20B (the left end of the second insulating base 20B in FIG. 8).
  • the connector 52 is electrically connected to the signal conductor and the ground conductor of the second substrate 203 (not shown).
  • the main surface S1F (first main surface) of the first substrate 103 is a main surface PS1F (second main surface) of the second substrate 203 with the first resist film 1B and the second resist film 2B interposed therebetween. It is opposite to).
  • the first electrode pad P11 of the first substrate 103 and the second electrode pad P21 of the second substrate 203 are bonded via a conductive bonding material.
  • reinforcing electrode pad EP11 of the first substrate 103 and the reinforcing electrode pad EP21 of the second substrate 203 are joined via the conductive bonding material, and the reinforcing electrode pad EP12 of the first substrate 103 and the second substrate The reinforcing electrode pad EP22 of 203 is bonded (not shown) via a conductive bonding material.
  • one cable 401 is formed by joining the first substrate 103 and the second substrate 203.
  • the second substrate 203 includes the second resist film 2B which is formed on the main surface PS1F and is disposed in the vicinity of the second electrode pad P21 with a gap therebetween.
  • the thickness of the second resist film 2B is thicker than that of the second electrode pad P21.
  • the insulating base (the first insulating base 10B or the second insulating base 20B) has flexibility and is long.
  • the substrate for example, the first substrate
  • the substrate may be mounted on the mounting substrate (for example, the second substrate) by using a reflow soldering method. It is suitable to mount the substrate on the mounting substrate using a hot bar since the substrate is easily deformed and the mounting position is easily shifted. Therefore, the effects (effects of suppressing the scattering of the conductive bonding material and the wetting and spreading of the conductive bonding material at the time of heating and pressing using a hot bar) obtained by providing the resist film of the present invention are insulation It is particularly effective when the base material is flexible and long.
  • the second insulating base 20B has flexibility. According to this configuration, even when the first substrate 103 contacts the second substrate 203 at the time of heating and pressing using a hot bar, the second insulating base material 20B is deformed (functions as a buffer material), Damage to the first substrate 103 or the second substrate 203 is suppressed. In the present embodiment, since the first insulating base material 10B and the second insulating base material 20B both have flexibility, the above-described effects are further enhanced.
  • a substrate such as a cable is generally manufactured by separating it into a plurality of pieces after being manufactured in a mother substrate state.
  • the number of obtained substrates is small.
  • one cable 401 composite substrate
  • one cable 401 is formed by joining the first substrate 103 and the second substrate 203. That is, since a single large substrate is formed by bonding small individual pieces (first and second substrates) separated from the mother substrate, the number of substrates obtained from the mother substrate can be increased.
  • the cable 401 which concerns on this embodiment is a flexible elongate cable. Such long cables are often used by bending, and there is a risk that the joint between the first substrate 103 and the second substrate 203 may be peeled off by bending stress.
  • the bonding strength of the bonding portion is increased, and peeling can be suppressed.
  • the electrode pad is sandwiched between the two reinforcing electrode pads, it is possible to suppress the breakage of the joint portion of the electrode pad due to the bending stress.
  • the electrode pad of the clearance resist structure has a weak bonding strength to the insulating base, it is easily peeled off from the surface of the insulating base.
  • the reinforcing electrode pad of the over resist structure has higher bonding strength to the insulating base than the electrode pad of the clearance resist structure, it is difficult to peel off the surface of the insulating base.
  • the electrode pad of the clearance resist structure is sandwiched between the plurality of reinforcing electrode pads of the over resist structure, peeling of the bonding portion can be effectively suppressed.
  • the first electrode pad P11 of the clearance resist structure (the structure in which the resist film is disposed apart from the electrode pad with a gap therebetween) is a plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12. Is placed between.
  • the first electrode pad P11 adjacent to a large number of pads (reinforcing electrode pads EP11, EP12, etc.) has a clearance resist structure. According to this configuration, since scattering of the conductive bonding material at the time of heating and pressing is suppressed at the bonding portion of the first electrode pad P11, a short circuit or the like between many pads is suppressed.
  • the first electrode pad P11 is in proximity to a large number of pads, it is possible to suppress the characteristic change caused by the scattering or the like of the conductive bonding material at the time of heating and pressing.
  • the above-mentioned effect is the same also about the relation between the 2nd electrode pad P21 and a plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22.
  • the longitudinal direction of the insulating base coincides with the first direction (X-axis direction).
  • the bending stress including the stress in the first direction when the insulating substrate is bent or bent is the first substrate 103 and the second substrate 203. (See the fourth embodiment). Therefore, by sandwiching the electrode pad in the first direction with the plurality of reinforcing electrode pads, it is possible to more effectively suppress the breakage of the bonding portion of the electrode pad.
  • the fourth embodiment shows an example in which the shapes of the first substrate and the second substrate are different from those of the third embodiment.
  • FIG. 10 is an external perspective view showing the main part of a cable 402 according to the fourth embodiment.
  • the cable 402 according to the present embodiment is a flexible crank-shaped (long) cable, and is formed by bonding the first substrate 104 and the second substrate 204 via a conductive bonding material.
  • the second substrate 204 corresponds to the “substrate bonding member” in the present invention.
  • FIG. 11 is an exploded perspective view showing an enlarged bonding portion of the first substrate 104 and the second substrate 204 according to the fourth embodiment.
  • the 1st electrode pad P11 and the 2nd electrode pad P21 are shown by the dot pattern.
  • the first substrate 104 is different from the first substrate 103 according to the third embodiment in the shape of the first insulating base 10C. Further, the first substrate 104 differs from the first substrate 103 in that the first substrate 104 further includes reinforcing electrode pads EP13 and EP14. The other configuration of the first substrate 104 is substantially the same as that of the first substrate 103.
  • the first insulating base 10C is an L-shaped insulating flat plate whose longitudinal direction coincides with the X-axis direction, and has main surfaces S1F and S1R and a main surface S2 facing each other.
  • the main surface S1F of the first insulating base 10C corresponds to the "first main surface” of the present invention.
  • the X-axis direction corresponds to the "first direction” in the present invention, and the Y-axis direction corresponds to the "second direction” in the present invention.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are linear conductor patterns formed on the main surface S1F and extending in the X-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP13 and EP14 are linear conductor patterns formed on the main surface S1F and extending in the Y-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP ⁇ b> 11, EP ⁇ b> 12, EP ⁇ b> 13 and EP ⁇ b> 14 are electrically connected to ground conductors (not shown) provided in the first substrate 104.
  • the first electrode pad P11 and the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are disposed in the vicinity of the first end of the first insulating base 10C (the lower left end of the first insulating base 10C in FIG. 10). As shown in FIG. 11, the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are disposed with the first electrode pad P11 interposed in the Y-axis direction, with the main surface S1F viewed in plan (viewed from the Z-axis direction) There is. The plurality of reinforcing electrode pads EP13 and EP14 are disposed so as to sandwich the first electrode pad P11 in the X-axis direction, when the main surface S1F is viewed in plan (viewed from the Z-axis direction).
  • the first resist film 1C is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface S1F and disposed in the vicinity of the first electrode pad P11.
  • the first resist film 1C is disposed apart from the first electrode pad P11 across a gap (clearance resist structure).
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP11, EP12, EP13 and EP14 are the first of the conductor patterns (corresponding to the "second conductor" of the present invention) formed on the main surface S1F. It is a portion not covered by the resist film 1C. Specifically, the first resist film 1C has an opening at a position corresponding to the plurality of reinforcing electrode pads EP11, EP12, EP13, and EP14. These openings have a smaller area than the second conductor. Therefore, by forming the first resist film 1C on the main surface S1F, a part of the second conductor (reinforcing electrode pads EP11, EP12, EP13, EP14) is exposed. Thus, the first resist film 1C covers a part of the second conductor formed on the main surface S1F (over resist structure).
  • the second substrate 204 is different from the second substrate 203 according to the third embodiment in the shape of the second insulating base 20C.
  • the second substrate 204 is different from the second substrate 203 in that the second substrate 204 further includes reinforcing electrode pads EP23 and EP24.
  • the other configuration of the second substrate 204 is substantially the same as that of the second substrate 203.
  • the second insulating base 20C is an L-shaped insulating flat plate whose longitudinal direction coincides with the X-axis direction, and has main surfaces PS1F and PS1R and a main surface PS2 facing each other.
  • the main surface PS1F of the second insulating base 20C corresponds to the "second main surface” in the present invention.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are linear conductor patterns formed on the main surface PS1F and extending in the X-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP23 and EP24 are linear conductor patterns formed on the main surface PS1F and extending in the Y-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP ⁇ b> 21, EP ⁇ b> 22, EP ⁇ b> 23 and EP ⁇ b> 24 are electrically connected to ground conductors (not shown) provided in the second substrate 204.
  • the second electrode pad P21 and the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are disposed in the vicinity of the first end of the second insulating base 20C (the upper right end of the second insulating base 20C in FIG. 10). As shown in FIG. 11, the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are disposed across the second electrode pad P21 in the Y-axis direction in plan view of the main surface PS1F (viewed from the Z-axis direction) There is. The plurality of reinforcing electrode pads EP23 and EP24 are disposed so as to sandwich the second electrode pad P21 in the X-axis direction, when the main surface PS1F is viewed in plan (viewed from the Z-axis direction).
  • the second resist film 2C is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface PS1F and disposed in the vicinity of the second electrode pad P21.
  • the second resist film 2C is spaced apart from the second electrode pad P21 across a gap (clearance resist structure).
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP21, EP22, EP23 and EP24 are portions of the conductor pattern formed on the main surface PS1F which are not covered by the second resist film 2C.
  • the second resist film 2C has openings at positions corresponding to the plurality of reinforcing electrode pads EP21, EP22, EP23, and EP24. These openings have a smaller area than the conductor pattern. Therefore, by forming the second resist film 2C on the main surface PS1F, a part of the conductor pattern (reinforcing electrode pads EP21, EP22, EP23, EP24) is exposed. Thus, the second resist film 2C covers a part of the conductor pattern formed on the main surface PS1F (over resist structure).
  • the main surface S1F (first main surface) of the first substrate 104 is the main surface PS1F (second main surface) of the second substrate 204 with the first resist film 1C and the second resist film 2C interposed therebetween. It is opposite to).
  • the first electrode pad P11 of the first substrate 104 and the second electrode pad P21 of the second substrate 204 are bonded via a conductive bonding material.
  • the reinforcing electrode pad EP11 and the reinforcing electrode pad EP21 are bonded through the conductive bonding material
  • the reinforcing electrode pad EP12 and the reinforcing electrode pad EP22 are bonded through the conductive bonding material, for reinforcement
  • the electrode pad EP13 and the reinforcing electrode pad EP23 are bonded via the conductive bonding material
  • the reinforcing electrode pad EP14 and the reinforcing electrode pad EP24 are bonded via the conductive bonding material (not shown).
  • FIG. 12 is a perspective view showing the main part of an electronic device 302 according to the fourth embodiment.
  • the electronic device 302 includes a cable 402, mounting boards 501 and 502, and the like. A large number of electronic components and the like are mounted on the mounting substrates 501 and 502, but illustration is omitted.
  • the mounting substrates 501 and 502 are, for example, printed wiring boards.
  • the cable 402 has bends CR1 and CR2. Specifically, the cable 402 is connected between the mounting substrates 501 and 502 in a state where the flexible portion (the flexible portion FP1 of the first substrate 104 and the flexible portion FP2 of the second substrate 204 shown in FIG. 10) is bent. It is done.
  • the connector (51) of the cable 402 is connected to a receptacle (not shown) mounted on the mounting substrate 501. Further, the connector 52 of the cable 402 is connected to the receptacle 72 mounted on the mounting substrate 502.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP13 and EP14 form the first electrode pad P11 in the first direction (X-axis direction) when the main surface S1F is viewed in plan (viewed from the Z-axis direction). It is arranged across the. Further, the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are disposed with the first electrode pad P11 interposed in the second direction (Y-axis direction) in plan view of the main surface S1F (viewed from the Z-axis direction) There is. According to this configuration, since the electrode pad is sandwiched between the four reinforcing electrode pads, the breakage of the bonding portion of the electrode pad due to bending stress such as bending of the insulating base is further suppressed.
  • the 1st insulating base material and the 2nd insulating base material showed the example which is a rectangular solid or a L-shaped flat plate
  • the shape of the 1st insulating base material and the 2nd insulating base material Can be suitably changed in the range which produces the effect of the present invention.
  • the shape of the first insulating base and the second insulating base may be, for example, polygonal, circular, elliptical, T-shaped, Y-shaped, cranked, etc.
  • the first insulating base is a resin flat plate mainly made of a thermoplastic resin, or a laminate formed by laminating a plurality of insulating base layers made of a thermoplastic resin.
  • the first insulating substrate may be, for example, a flat plate of a thermosetting resin such as an epoxy resin, or may be a dielectric ceramic of low temperature co-fired ceramic (LTCC).
  • the first insulating substrate may be a composite laminate of a plurality of resins, and may be formed by laminating a thermosetting resin such as a glass / epoxy substrate and a thermoplastic resin, for example.
  • the 1st insulation base material which is a laminated body is not limited to what fuse
  • about a 2nd insulation base material it is not limited to the structure shown by each embodiment similarly to the 1st insulation base material mentioned above.
  • the first electrode pads P11 and P12 and the second electrode pad P21 have a rectangular conductor pattern.
  • the present invention is not limited to this configuration.
  • the shapes, the number, and the like of the first electrode pad and the second electrode pad can be appropriately changed as long as the effects of the present invention are exhibited.
  • the shape of the first electrode pad and the second electrode pad may be, for example, linear, polygonal, circular, elliptical, arc, annular, L-shaped, T-shaped, Y-shaped, cranked, or the like.
  • the shape, number, etc. of the reinforcement electrode pads are shown. It can be suitably changed in the range which produces the effect of the present invention.
  • the shape of the reinforcing electrode pad may be, for example, linear, polygonal, circular, elliptical, arc, annular, L-shaped, T-shaped, Y-shaped, cranked, or the like.
  • conductor patterns other than the signal conductor and the ground conductor may be formed on the first substrate (substrate) or the second substrate (substrate bonding member), for example.
  • a frequency filter such as an inductor, a capacitor, or various filters (a low pass filter, a high pass filter, a band pass filter, a band elimination filter) may be formed with a conductor pattern.
  • various transmission lines for example, strip lines, microstrip lines, coplanar lines, etc. may be formed on the first substrate or the second substrate.
  • various components such as chip components may be mounted (or embedded) in the first substrate (substrate) or the second substrate (substrate bonding member).
  • CP, CP11, CP12 ... first resist film openings EP11, EP12, EP13, EP14, EP21, EP22, EP23, EP24 ... reinforcing electrode pads FP1 ... first substrate flexible portion FP2 ... second substrate flexible portion RP1 ...

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Abstract

第１基板（１０１）は、第１主面（Ｓ１）を有する第１絶縁基材（１０）、第１電極パッド（Ｐ１１）、第１レジスト膜（１）を備える。第１電極パッド（Ｐ１１）は、第１主面（Ｓ１）に形成される導体パターンである。第１レジスト膜（１）は、第１主面（Ｓ１）に形成され、第１電極パッド（Ｐ１１）に近接して配置されている。第１レジスト膜（１）は、間隙を挟んで第１電極パッド（Ｐ１１）から離間して配置されている。第１レジスト膜（１）の厚み（Ｈ１）は、第１電極パッド（Ｐ１１）の厚み（Ｈ２）よりも厚い（Ｈ１＞Ｈ２）。

Description

基板、および基板接合構造
　本発明は、基板に関し、特にホットバーを用いて加熱加圧して接合する基板と、その接合構造に関する。
　従来、ケーブル等の基板を実装基板に実装（接合）する構造が知られている（特許文献１）。
　上記基板は、例えば、ホットバー等を用いて実装基板に加熱加圧されて、実装基板にはんだ実装（接合）される。特に、可撓性を有する基板を、リフローはんだ法等を用いて実装する場合には、実装時に基板が変形しやすいため、ホットバー等を用いて実装基板に実装することが適している。
国際公開第２０１６／０８８５９２号
　しかし、上述した方法で基板を実装基板に実装する場合、接合箇所において加熱加圧時（接合時）にはんだ（以下、導電性接合材。）が飛散したり、余計な部分にまで導電性接合材が濡れ拡がることがあり、これに起因して短絡が生じたり、電気特性が変化したりする虞がある。
　本発明の目的は、ホットバー等を用いて実装基板等に接合する場合でも、接合時の導電性接合材の飛散や濡れ拡がりに起因した特性変化を抑制できる基板を提供することにある。
（１）本発明の基板は、
　主面を有する絶縁基材と、
　前記主面に形成される電極パッドと、
　前記主面に形成され、前記電極パッドに近接して配置されるレジスト膜と、
　を備え、
　前記レジスト膜は、間隙を挟んで前記電極パッドから離間して配置され、前記電極パッドよりも厚いことを特徴とする。
　この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時（基板の接合時）に、電極パッドの接合箇所においてレジスト膜が堤となって、導電性接合材の飛散や過剰な濡れ拡がりを抑制できる。したがって、この構成により、加熱加圧時における導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりに起因する特性変化を抑制できる。
　また、この構成によれば、電極パッドに近接して配置されるレジスト膜の厚みが、電極パッドの厚みよりも厚いため、ホットバーを用いた加熱加圧時に、電極パッドの接合箇所に過剰な圧力が掛かることを抑制できる。そのため、加熱加圧時における上記接合箇所での導電性接合材の飛散や、導電性接合材の過剰な濡れ拡がりはさらに抑制される。
　さらに、この構成によれば、レジスト膜が間隙を挟んで第１電極パッドから離間して配置されているため（いわゆる、クリアランスレジスト構造）、レジスト膜が第１電極パッドの一部を覆っている場合（いわゆる、オーバーレジスト構造）と比べて、導電性接合材の堤として機能するレジスト膜の厚みを制御しやすい。すなわち、レジスト膜の厚みを、導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりが生じないような厚みに調整しやすい。
（２）上記（１）において、前記レジスト膜は、前記主面を平面視して、前記電極パッドの全周を囲むように形成されることが好ましい。この構成によれば、電極パッドがレジスト膜で囲まれるため、電極パッドがレジスト膜で囲まれていない場合と比べて、加熱加圧時における接合箇所での導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりをさらに抑制できる。
（３）上記（１）または（２）において、前記絶縁基材は、可撓性を有し、且つ、長尺状であってもよい。基板が可撓性を有する長尺状の場合に、上記基板をリフローはんだ法を用いて実装基板等に実装すると、実装基板に載置する際に基板が変形して実装位置がずれやすいため、ホットバーを用いて実装基板に基板を実装するのが適している。したがって、レジスト膜を設けることにより得られる作用効果（ホットバーを用いた加熱加圧時に、導電性接合材の飛散や導電性接合材の濡れ拡がりを抑制するという作用効果）は、絶縁基材が可撓性を有した長尺状である場合に特に有効である。
　また、この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時に基板（レジスト膜）が実装基板等に接触する場合でも、絶縁基材が変形するため（緩衝材的に作用し）、基板の破損が抑制される。
（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記電極パッドの表面に、所定量の導電性ペーストがプリコートされていることが好ましい。電極パッドにプリコートされる導電性ペーストの量を事前に調整することにより、接合箇所に過剰な量の導電性接合材を用いる場合と比較して、加熱加圧時における導電性接合材の飛散等を生じ難くできる。
（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記絶縁基材に形成される第１導体と、
　前記絶縁基材の内部に形成される層間接続導体と、を備え、前記電極パッドと前記第１導体とは、前記層間接続導体を介して接続されていることが好ましい。この構成によれば、電極パッドが、第１導体や絶縁基材層の内部に形成される層間接続導体に接続されているため、絶縁基材の主面から電極パッドを剥離し難くできる。
（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、前記電極パッドの数は複数であり、前記レジスト膜の少なくとも一部は、複数の前記電極パッド間に位置していることが好ましい。この構成によれば、加熱加圧時に第１電極パッドの接合箇所で導電性接合材の飛散等が生じた場合でも、複数の第１電極パッド間の短絡が抑制される。
（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記主面に形成される複数の補強用電極パッドをさらに備え、前記複数の補強用電極パッドは、前記主面を平面視して、第１方向に前記電極パッドを挟んで配置されることが好ましい。基板または基板接合部材が外力等によって撓んだり曲がったりすると曲げ応力が生じ、この曲げ応力により基板と基板接合部材との接合部分が剥離する虞がある。この構成によれば、上記接合部分に複数の補強用電極パッドを設けているため、上記接合部分の接合強度が高まり、接合部分の剥離を抑制できる。また、この構成によれば、複数の補強用電極パッドで電極パッドを挟む構造のため、曲げ応力による電極パッドの接合箇所の破損を抑制できる。
（８）上記（７）において、前記絶縁基材は長手方向を有し、前記長手方向は前記第１方向に一致していてもよい。絶縁基材の長手方向が第１方向に一致する場合、絶縁基材が撓んだり曲がったりしたときに第１方向への応力を含んだ曲げ応力が、基板と実装基板等との接合部分に掛かりやすい。そのため、複数の補強用電極パッドで第１方向に電極パッドを挟むことで、電極パッドの接合箇所の破損をより効果的に抑制できる。
（９）上記（７）または（８）において、前記複数の補強用電極パッドは、前記主面を平面視して、前記第１方向に直交する第２方向に前記電極パッドを挟んで配置されることが好ましい。この構成によれば、この構成によれば、曲げ応力による電極パッドの接合箇所の破損がさらに抑制される。
（１０）上記（７）から（９）のいずれかにおいて、前記主面に形成され、表面の一部が前記レジスト膜で覆われる第２導体を備え、前記複数の補強用電極パッドは、前記第２導体のうち前記レジスト膜に覆われてない部分であることが好ましい。いわゆるクリアランスレジスト構造の電極パッドは絶縁基材に対する接合強度が弱いため、絶縁基材の表面から剥離しやすい。一方、オーバーレジスト構造の補強用電極パッドは、クリアランスレジスト構造の電極パッドに比べて絶縁基材に対する接合強度が高いため、絶縁基材の表面から剥離し難い。したがって、この構成によれば、クリアランスレジスト構造の電極パッドを、オーバーレジスト構造の複数の補強用電極パッドで挟むことにより、接合箇所の剥離を効果的に抑制できる。
（１１）本発明の基板接合構造は、
　基板と、基板接合部材とを備える、基板接合構造であって、
　前記基板は、
　　第１主面を有する第１絶縁基材と、
　　前記第１主面に形成される第１電極パッドと、
　　前記第１主面に形成され、前記第１電極パッドに近接して配置される第１レジスト膜と、
　　を有し、
　　前記第１レジスト膜は、間隙を挟んで前記第１電極パッドから離間して配置され、前記第１電極パッドよりも厚く、
　前記基板接合部材は、
　　第２主面を有する第２絶縁基材と、
　　前記第２主面に形成される第２電極パッドと、
　　を有し、
　前記第１主面は、前記第１レジスト膜を挟んで前記第２主面と対向し、
　前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとは、導電性接合材を介して接合されていることを特徴とする。
　この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時（基板を基板接合部材に接合する際）に、第１電極パッドと第２電極パッドとの接合箇所において第１レジスト膜が堤となって、導電性接合材の飛散や過剰な濡れ拡がりを抑制できる。したがって、この構成により、加熱加圧時における導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりに起因する特性変化を抑制できる。
　また、この構成によれば、第１電極パッドに近接して配置される第１レジスト膜の厚みが、第１電極パッドの厚みよりも厚いため、ホットバーを用いた加熱加圧時に、第１電極パッドと第２電極パッドとの接合箇所に過剰な圧力が掛かることを抑制できる。そのため、加熱加圧時における上記接合箇所での導電性接合材の飛散や、導電性接合材の過剰な濡れ拡がりはさらに抑制される。
（１２）上記（１１）において、前記基板接合部材は、前記第２主面に形成され、第２電極パッドに近接して配置される第２レジスト膜を有し、前記第２レジスト膜は、間隙を挟んで前記第２電極パッドから離間して配置され、前記第２電極パッドよりも厚く、前記第１主面は、前記第１レジスト膜および前記第２レジスト膜を挟んで前記第２主面と対向していることが好ましい。この構成により、加熱加圧時における上記接合箇所での導電性接合材の飛散や、導電性接合材の過剰な濡れ拡がりがさらに抑制される。
（１３）上記（１１）または（１２）において、前記第１絶縁基材は可撓性を有することが好ましい。この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時に基板が実装先の基板接合部材に接触する場合でも、第１絶縁基材が変形するため（緩衝材的に作用し）、基板の破損が抑制される。
（１４）上記（１１）から（１３）のいずれかにおいて、前記第２絶縁基材は可撓性を有することが好ましい。この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時に基板が基板接合部材に接触する場合でも、第２絶縁基材が変形するため（緩衝材的に作用し）、基板または基板接合部材の破損が抑制される。また、この構成によれば、第１絶縁基材および第２絶縁基材いずれも可撓性を有しているため、上記作用効果がさらに高まる。
　本発明によれば、ホットバー等を用いて実装基板等に接合する場合でも、導電性接合材の飛散や濡れ拡がりに起因した特性変化を抑制できる基板を実現できる。
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る第１基板１０１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）は第１基板１０１の平面図である。 図２は、第１基板１０１の断面図である。 図３は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。 図４は、第１の実施形態に係る第１基板１０１と、第２基板２０１との接合工程を順に示す断面図である。 図５は、比較例である、第１レジスト膜を備えていない第１基板１００と第２基板２０１との接合工程を順に示す断面図である。 図６（Ａ）は第２の実施形態に係る第１基板１０２の外観斜視図であり、図６（Ｂ）は第１基板１０２の平面図である。 図７は、第１基板１０２の断面図である。 図８は、第３の実施形態に係るケーブル４０１の主要部を示す外観斜視図である。 図９は、第３の実施形態に係る第１基板１０３と第２基板２０３との接合部分を拡大して示した分解斜視図である。 図１０は、第４の実施形態に係るケーブル４０２の主要部を示す外観斜視図である。 図１１は、第４の実施形態に係る第１基板１０４と第２基板２０４との接合部分を拡大して示した分解斜視図である。 図１２は、第４の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す斜視図である。
　以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
　《第１の実施形態》
　図１（Ａ）は第１の実施形態に係る第１基板１０１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）は第１基板１０１の平面図である。図２は、第１基板１０１の断面図である。図１（Ａ）および図１（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、第１電極パッドＰ１１をドットパターンで示している。
　第１基板１０１は、第１絶縁基材１０、第１電極パッドＰ１１、第１レジスト膜１等を備える。なお、第１基板１０１は、上記以外の部材（導体または部品等）も備えているが、図示を省略している。
　第１絶縁基材１０は、直方体状の絶縁素体であり、互いに対向する主面Ｓ１，Ｓ２を有する。具体的には、第１絶縁基材１０は、樹脂材料（熱可塑性樹脂）を主材料とする樹脂平板であり、可撓性を有する。第１絶縁基材１０は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等を主材料とする平板である。
　本実施形態では、第１絶縁基材１０の主面Ｓ１が本発明の「第１主面」に相当する。
　第１電極パッドＰ１１は、主面Ｓ１に形成される矩形の導体パターンである。第１電極パッドＰ１１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。
　第１レジスト膜１は、主面Ｓ１の略全面に形成され、第１電極パッドＰ１１に近接して配置される保護膜である。第１レジスト膜１は、第１電極パッドＰ１１に対応した位置に開口ＣＰを有する。そのため、第１レジスト膜１が主面Ｓ１上に形成されることにより、第１電極パッドＰ１１が露出する。図１（Ａ）、図１（Ｂ）および図２に示すように、第１レジスト膜１は、間隙を挟んで第１電極パッドＰ１１から離間して配置されている。つまり、第１電極パッドＰ１１に対しては、クリアランスレジスト構造となっている。
　第１レジスト膜１は、例えばエポキシ樹脂（ＥＰ）等の熱硬化性樹脂からなるソルダーレジスト膜である。第１レジスト膜１は、例えば、主面Ｓ１に熱硬化性樹脂を塗布し、硬化させることにより形成する。また、第１レジスト膜１は、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のカバーレイフィルムでもよい。このような第１レジスト膜１は、例えば、主面Ｓ１にパターニングされたフィルムを貼り付けることによって形成してもよく、主面Ｓ１にフィルムを貼り付けた後にパターニングすることによって形成してもよい。　本発明において「第１電極パッドに近接する」とは、主面Ｓ１に形成されるいずれの導体よりも、第１レジスト膜が第１電極パッドの近くに配置されていることを言う。すなわち、第１レジスト膜と第１電極パッドとの最短距離が、主面Ｓ１に形成される全ての導体と第１電極パッドとのいずれの最短距離よりも小さい場合に、第１レジスト膜が「第１電極パッドに近接する」と言う。
　図１（Ｂ）に示すように、第１レジスト膜１は、主面Ｓ１を平面視して（Ｚ軸方向から視て）、第１電極パッドＰ１１の全周を囲むように形成されている。また、図２に示すように、第１レジスト膜１の厚み（Ｈ１：主面Ｓ１に直交するＺ軸方向の厚み）は、第１電極パッドＰ１１の厚み（Ｈ２）よりも厚い（Ｈ１＞Ｈ２）。
　次に、本発明の基板接合構造について、図を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。
　電子機器３０１は、第１基板１０１および第２基板２０１等を備える。第１基板１０１は、第２基板２０１に実装されている。なお、第２基板２０１には、第１基板１０１以外の基板や電子部品等が実装されるが、図示を省略している。
　第２基板２０１は、第２絶縁基材２０、第２電極パッドＰ２１，Ｐ２２，Ｐ２３、導体４１等を備える。なお、第２基板２０１は、上記以外の部材（導体または部品等）も備えているが、図示を省略している。第２基板２０１は、直方体状のプリント配線板であり、例えばガラス／エポキシ基板である。
　本実施形態では、第２基板２０１が本発明の「基板接合部材」に相当する。
　第２絶縁基材２０は、直方体状の絶縁素体であり、主面ＰＳ１を有する。第２電極パッドＰ２１，Ｐ２２，Ｐ２３は、主面ＰＳ１に形成される矩形の導体パターンである。導体４１は、第２絶縁基材２０の内部に形成される導体パターンである。第２電極パッドＰ２１，Ｐ２２，Ｐ２３および導体４１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。
　本実施形態では、第２絶縁基材２０の主面ＰＳ１が本発明の「第２主面」に相当する。
　図３に示すように、第１基板１０１の主面Ｓ１（第１主面）は、第１レジスト膜１を挟んで第２基板２０１の主面ＰＳ１（第２主面）と対向している。第１基板１０１の第１電極パッドＰ１１と第２基板２０１の第２電極パッドＰ２１とは、導電性接合材５によって接合されている。導電性接合材５は、例えばはんだである。
　第１基板１０１は、例えば次に示すような接合工程により、第２基板２０１に接合される。図４は、第１の実施形態に係る第１基板１０１と、第２基板２０１との接合工程を順に示す断面図である。
　まず、図４中の（１）に示すように、第１基板１０１および第２基板２０１を準備する。その後、第２基板２０１の第２電極パッドＰ２１の表面に、導電性ペースト５Ｐを塗布（または印刷）する。導電性ペースト５Ｐは、例えばはんだペーストである。
　次に、第１基板１０１をホットバー３で吸着し、第２基板２０１上に配置（載置）する。具体的には、第１基板１０１の第１電極パッドＰ１１と第２基板２０１の第２電極パッドＰ２１とが対向するように、第１基板１０１を第２基板２０１上に配置する。このとき、第１絶縁基材１０の主面Ｓ１（第１主面）は、第１レジスト膜１を挟んで第２基板２０１の主面ＰＳ１（第２主面）と対向する。
　その後、ホットバー３を用いて、積層方向（＋Ｚ方向）に向かって第１基板１０１を加熱加圧することにより（図４中の（１）に示す白抜き矢印を参照）、第１基板１０１を第２基板２０１に接合する。これにより、図４中の（２）に示すように、第１基板１０１の第１電極パッドＰ１１が、第２基板２０１の第２電極パッドＰ２１に、導電性接合材５を介して接合される。
　次に、比較例として、第１レジスト膜を備えていない第１基板と第２基板との接合工程について説明する。図５は、比較例である、第１レジスト膜を備えていない第１基板１００と第２基板２０１との接合工程を順に示す断面図である。なお、図５に示す接合工程は、図４に示す接合工程と略同じであるため、接合工程の説明は一部省略する。
　まず、図５中の（１）に示すように、第１基板１００および第２基板２０１を準備する。第１基板１００は、第１レジスト膜を備えていない点で、上述した第１基板１０１と異なる。第１基板１００の他の構成については、第１基板１０１と同じである。その後、第２基板２０１の第２電極パッドＰ２１の表面に、導電性ペースト５Ｐを塗布（または印刷）する。
　次に、第１基板１００をホットバー３で吸着し、第２基板２０１上に配置（載置）する。具体的には、第１基板１００の第１電極パッドＰ１１と第２基板２０１の第２電極パッドＰ２１とが対向するように、第１基板１００を第２基板２０１上に配置する。このとき、第１絶縁基材１０の主面Ｓ１（第１主面）は、第２基板２０１の主面ＰＳ１（第２主面）と対向する。
　その後、ホットバー３を用いて、積層方向（＋Ｚ方向）に向かって第１基板１００を加熱加圧することにより（図５中の（１）に示す白抜き矢印を参照）、第１基板１００を第２基板２０１に接合する。これにより、図５中の（２）に示すように、第１基板１００の第１電極パッドＰ１１が、第２基板２０１の第２電極パッドＰ２１に導電性接合材を介して接合される。
　図５に示すように、ホットバー３を用いて第１レジスト膜を備えていない第１基板１００を第２基板２０１に接合した場合には、加熱加圧時に、第１電極パッドＰ１１と第２電極パッドＰ２１との接合箇所に過剰な圧力が掛かって、上記接合箇所において導電性接合材の飛散（図５中の（２）に示す飛散部ＳＰ参照）や、導電性接合材の過剰な濡れ拡がり（図５中の（２）に示す濡れ拡がり部ＷＰ参照）が生じる虞がある。これにより、意図しない箇所に短絡が生じたり（例えば、図５中の（２）に示す第２電極パッドＰ２１，Ｐ２３間での短絡）、他の導体との間（例えば、図５中の（２）に示す飛散部ＳＰと導体４１との間）で容量が形成されたりすること等によって、電気的特性が変化してしまう。
　一方、本発明では、ホットバー３を用いた加熱加圧時（第１基板１０１の接合時）に、第１電極パッドＰ１１と第２電極パッドＰ２１との接合箇所において第１レジスト膜１が堤となって、導電性接合材の飛散や濡れ拡がりを抑制できる（導電性接合材の飛散範囲を、図２における接合範囲ＭＲ内にできる）。したがって、この構成により、加熱加圧時における導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりに起因する特性変化を抑制できる。
　また、本発明では、図２に示すように、第１電極パッドＰ１１に近接して配置される第１レジスト膜１の厚み（Ｈ１）が、第１電極パッドＰ１１の厚み（Ｈ２）よりも厚い（Ｈ１＞Ｈ２）。この構成によれば、ホットバー３を用いた加熱加圧時に、第１電極パッドＰ１１と第２電極パッドＰ２１との接合箇所に過剰な圧力が掛かることを抑制できる。そのため、加熱加圧時における上記接合箇所での導電性接合材の飛散や、導電性接合材の過剰な濡れ拡がりはさらに抑制される。
　本実施形態では、図１（Ａ）、図１（Ｂ）および図２等に示すように、第１レジスト膜１が、間隙を挟んで第１電極パッドＰ１１から離間して配置されている（クリアランスレジスト構造）。この構成によれば、第１レジスト膜１が、第１電極パッドＰ１１の一部を覆っている場合（第１レジスト膜１が第１電極パッドＰ１１に対してオーバーレジスト構造である場合）と比べて、導電性接合材５の堤として機能する第１レジスト膜１の厚みを制御しやすい。すなわち、この構成によれば、第１レジスト膜１の厚みを、導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりが生じないような厚みに調整しやすい。
　また、本実施形態では、第１レジスト膜１が、主面Ｓ１を平面視して（Ｚ軸方向から視て）、第１電極パッドＰ１１の全周を囲むように形成されている。この構成によれば、第１電極パッドＰ１１が第１レジスト膜１で囲まれるため、第１電極パッドＰ１１が第１レジスト膜１で囲まれていない場合と比べて、加熱加圧時における接合箇所での導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりをさらに抑制できる。
　本実施形態では、第１絶縁基材１０が可撓性を有する。この構成によれば、ホットバー３を用いた加熱加圧時に第１基板１０１が第２基板２０１に接触する場合でも、第１絶縁基材１０が変形するため（緩衝材的に作用し）、第１基板１０１または第２基板２０１の破損が抑制される。
　なお、本実施形態では、第２電極パッドＰ２１の表面に、導電性ペースト５Ｐを塗布（または印刷）する例を示したが、この構成に限定されるものではなく、第１電極パッドＰ１１の表面に導電性ペースト５Ｐを塗布（または印刷）してもよい。
　また、本実施形態では、接合工程において、第１電極パッドＰ１１の表面（または第２電極パッドＰ２１の表面）に導電性ペースト５Ｐを塗布（または印刷）する方法を示したが、第１電極パッドＰ１１の表面（または第２電極パッドＰ２１の表面）に所定量の導電性ペーストがプリコートされていてもよい。第１電極パッドＰ１１の表面（または第２電極パッドＰ２１の表面）にプリコートされる導電性ペースト５Ｐの量を事前に調整することにより、接合箇所に過剰な量の導電性接合材５を用いる場合と比較して、加熱加圧時における導電性接合材の飛散等を生じ難くできる。
　《第２の実施形態》
　第２の実施形態では、複数の第１電極パッドを備える第１基板の例を示す。
　図６（Ａ）は第２の実施形態に係る第１基板１０２の外観斜視図であり、図６（Ｂ）は第１基板１０２の平面図である。図７は、第１基板１０２の断面図である。図６（Ａ）および図６（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２をドットパターンで示している。
　第１基板１０２は、第１絶縁基材１０Ａ、複数の第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２、第１レジスト膜１Ａ、第１導体６１，６２および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２等を備える。なお、第１基板１０２は、上記以外の部材（導体または部品等）も備えているが、図示を省略している。第１基板１０２は、複数の第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２、第１導体６１，６２および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を備える点で、第１の実施形態に係る第１基板１０１と異なる。
　以下、第１の実施形態に係る第１基板１０１と異なる部分について説明する。
　第１絶縁基材１０Ａは、直方体状の絶縁素体であり、互いに対向する主面Ｓ１，Ｓ２を有する。具体的には、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される樹脂平板であり、可撓性を有する。複数の絶縁基材層は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等を主材料とするシートである。
　本実施形態では、第１絶縁基材１０Ａの主面Ｓ１が本発明の「第１主面」に相当する。
　第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２は、主面Ｓ１に形成される矩形の導体パターンである。第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２は、主面Ｓ１のＹ軸方向の中央付近に配置され、Ｘ軸方向に配列されている。
　第１レジスト膜１Ａは、主面Ｓ１の略全面に形成され、第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２に近接して配置される保護膜である。第１レジスト膜１Ａは、第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２にそれぞれ対応した位置に開口ＣＰ１１，ＣＰ１２を有する。そのため、第１レジスト膜１Ａが主面Ｓ１上に形成されることにより、第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２が露出する。図６（Ａ）、図６（Ｂ）および図７に示すように、第１レジスト膜１Ａは、間隙を挟んで第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２から離間して配置されている。つまり、第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２に対しては、クリアランスレジスト構造となっている。
　なお、図６（Ｂ）に示すように、第１レジスト膜１Ａは、主面Ｓ１を平面視して（Ｚ軸方向から視て）、第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２の全周をそれぞれ囲むように形成されている。また、第１レジスト膜１Ａの一部は、第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２間に位置している。
　第１導体６１，６２は、第１絶縁基材１０Ａの内部に形成される導体パターンである。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２は、第１絶縁基材１０Ａの内部に形成される導体である。第１導体６１は、層間接続導体Ｖ１を介して第１電極パッドＰ１１に接続されている。第１導体６２は、層間接続導体Ｖ２を介して第１電極パッドＰ１２に接続されている。第１導体６１，６２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。
　本実施形態に係る第１基板１０２によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。
（ａ）本実施形態では、導電性接合材の堤として機能する第１レジスト膜１Ａの少なくとも一部が、複数の第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２間に配置されている。この構成により、加熱加圧時に第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２の接合箇所で導電性接合材の飛散等が生じた場合でも、複数の第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２間の短絡が抑制される。
（ｂ）また、本実施形態では、第１電極パッドＰ１１が、第１絶縁基材１０Ａの内部に形成される層間接続導体Ｖ１や第１導体６１に接続されている。また、第１電極パッドＰ１２が、第１絶縁基材１０Ａの内部に形成される層間接続導体Ｖ２や第１導体６２に接続されている。そのため、第１電極パッドが第１導体や層間接続導体に接続されていない場合と比較して、第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２を第１絶縁基材１０の表面から剥離し難くできる。
　なお、本実施形態では、第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２が、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を介して、第１絶縁基材１０Ａの内部に形成される第１導体６１，６２に接続される例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１電極パッドが、層間接続導体を介して、第１絶縁基材１０Ａの主面Ｓ２に形成される導体と接続されている場合でも、上記（ｂ）と同様の効果を奏する。
　《第３の実施形態》
　第３の実施形態では、第２基板が可撓性を有する例を示す。
　図８は、第３の実施形態に係るケーブル４０１の主要部を示す外観斜視図である。本実施形態に係るケーブル４０１は、可撓性を有する線状（長尺状）のケーブルであり、第１基板１０３と第２基板２０３とを導電性接合材を介して接合してなる。
　本実施形態では、第２基板２０３が本発明の「基板接合部材」に相当する。
　図９は、第３の実施形態に係る第１基板１０３と第２基板２０３との接合部分を拡大して示した分解斜視図である。なお、図８では、構造を分かりやすくするため、第１電極パッドＰ１１および第２電極パッドＰ２１をドットパターンで示している。
　第１基板１０３は、第１絶縁基材１０Ｂ、第１電極パッドＰ１１、第１レジスト膜１Ｂ、複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２およびコネクタ５１等を備える。なお、第１基板１０３は、上記以外に信号導体およびグランド導体等も備えているが、図示を省略している。第１基板１０３は、第１絶縁基材１０Ｂの形状が、第１の実施形態に係る第１基板１０１と異なる。また、第１基板１０３は、複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２およびコネクタ５１を備える点で、第１基板１０１と異なる。
　以下、第１の実施形態に係る第１基板１０１と異なる部分について説明する。
　第１絶縁基材１０Ｂは、長手方向がＸ軸方向に一致する長尺状（直線状）の絶縁素体であり、互いに対向する主面Ｓ１Ｆ，Ｓ１Ｒおよび主面Ｓ２を有する。第１絶縁基材１０Ｂは、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される樹脂平板であり、可撓性を有する。
　本実施形態では、第１絶縁基材１０Ｂの主面Ｓ１Ｆが本発明の「第１主面」に相当する。
　本実施形態では、Ｘ軸方向が本発明の「第１方向」に相当する。
　図８に示すように、第１絶縁基材１０Ｂは、リジッド部ＲＰ１およびフレキシブル部ＦＰ１を有する。リジッド部ＲＰ１の絶縁基材層の積層数は、フレキシブル部ＦＰ１の絶縁基材層の積層数よりも多い。そのため、リジッド部ＲＰ１は、フレキシブル部ＦＰ１よりも硬く、曲がり難い。また、フレキシブル部ＦＰ１は、リジッド部ＲＰ１よりも曲がり易く、可撓性を有する。
　第１電極パッドＰ１１は、主面Ｓ１に形成される矩形の導体パターンである。第１電極パッドＰ１１は、第１基板１０３が備える信号導体（図示省略）に電気的に接続されている。複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２は、主面Ｓ１Ｆに形成され、Ｙ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２は、第１基板１０３が備えるグランド導体（図示省略）に電気的に接続されている。
　第１電極パッドＰ１１および複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２は、第１絶縁基材１０Ｂの第１端（図８における第１絶縁基材１０Ｂの左側端）付近に配置されている。図９に示すように、複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２は、主面Ｓ１Ｆを平面視して（Ｚ軸方向から視て）、Ｘ軸方向に第１電極パッドＰ１１を挟んで配置されている。
　第１レジスト膜１Ｂは、主面Ｓ１Ｆの略全面に形成され、第１電極パッドＰ１１に近接して配置される保護膜である。第１レジスト膜１Ｂは、第１電極パッドＰ１１に対応した位置に開口を有する。第１レジスト膜１Ｂが主面Ｓ１Ｆ上に形成されることにより、第１電極パッドＰ１１および複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２が露出する。図９に示すように、第１レジスト膜１Ｂは、間隙を挟んで第１電極パッドＰ１１から離間して配置されている。つまり、第１電極パッドＰ１１に対しては、クリアランスレジスト構造となっている。
　なお、図示を省略するが、複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２は、主面Ｓ１Ｆに形成された導体パターン（本発明の「第２導体」に相当する。）のうち第１レジスト膜１Ｂに覆われていない部分である。具体的には、第１レジスト膜１Ｂは、複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２に対応した位置にそれぞれ開口を有する。これらの開口は、上記導体パターンよりも面積が小さい。そのため、第１レジスト膜１Ｂが主面Ｓ１Ｆ上に形成されることにより、上記導体パターンの一部（補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２）が露出する。このように、第１レジスト膜１Ｂは、主面Ｓ１Ｆに形成される導体パターンの一部を覆っている。つまり、補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２に対しては、オーバーレジスト構造となっている。
　コネクタ５１は、第１絶縁基材１０Ｂの主面Ｓ２に実装され、第１絶縁基材１０Ｂの第２端（図８における第１絶縁基材１０Ｂの右側端）付近に配置されている。コネクタ５１は、第１基板１０３の信号導体およびグランド導体等に導通している（図示省略）。
　次に、第２基板について説明する。第２基板２０３は、第２絶縁基材２０Ｂ、第２電極パッドＰ２１、補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２、第２レジスト膜２Ｂおよびコネクタ５２等を備える。なお、第２基板２０３は、上記以外に信号導体およびグランド導体等も備えているが、図示を省略している。第２基板２０３は、第２絶縁基材２０Ｂの形状が、第１の実施形態に係る第２基板２０１と異なる。また、第２基板２０３は、第２レジスト膜２Ｂ、複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２およびコネクタ５２を備える点で、第２基板２０１と異なる。
　以下、第１の実施形態に係る第２基板２０１と異なる部分について説明する。
　第２絶縁基材２０Ｂは、長手方向がＸ軸方向に一致する長尺状（直線状）の絶縁素体であり、互いに対向する主面ＰＳ１Ｆ，ＰＳ１Ｒおよび主面ＰＳ２を有する。第２絶縁基材２０Ｂは、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される樹脂平板であり、可撓性を有する。
　本実施形態では、第２絶縁基材２０Ｂの主面ＰＳ１Ｆが本発明の「第２主面」に相当する。
　図８に示すように、第２絶縁基材２０Ｂは、リジッド部ＲＰ２およびフレキシブル部ＦＰ２を有する。リジッド部ＲＰ２の絶縁基材層の積層数は、フレキシブル部ＦＰ２の絶縁基材層の積層数よりも多い。そのため、リジッド部ＲＰ２は、フレキシブル部ＦＰ２よりも硬く、曲がり難い。また、フレキシブル部ＦＰ２は、リジッド部ＲＰ２よりも曲がり易く、可撓性を有する。
　第２電極パッドＰ２１は、主面ＰＳ１Ｆに形成される矩形の導体パターンである。第２電極パッドＰ２１は、第２基板２０３が備える信号導体（図示省略）に電気的に接続されている。複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２は、主面ＰＳ１Ｆに形成され、Ｙ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２は、第２基板２０３が備えるグランド導体（図示省略）に電気的に接続されている。
　第２電極パッドＰ２１および複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２は、第２絶縁基材２０Ｂの第１端（図８における第２絶縁基材２０Ｂの右側端）付近に配置されている。図９に示すように、複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２は、主面ＰＳ１Ｆを平面視して（Ｚ軸方向から視て）、Ｘ軸方向に第２電極パッドＰ２１を挟んで配置されている。
　第２レジスト膜２Ｂは、主面ＰＳ１Ｆの略全面に形成され、第２電極パッドＰ２１に近接して配置される保護膜である。第２レジスト膜２Ｂは、第２電極パッドＰ２１に対応した位置に開口を有する。第２レジスト膜２Ｂが主面ＰＳ１Ｆ上に形成されることにより、第２電極パッドＰ２１が露出する。図９に示すように、第２レジスト膜２Ｂは、間隙を挟んで第２電極パッドＰ２１から離間して配置されている（クリアランスレジスト構造）。なお、図９に示すように、第２レジスト膜２Ｂは、主面ＰＳ１Ｆを平面視して（Ｚ軸方向から視て）、第２電極パッドＰ２１の全周を囲むように形成されている。第２レジスト膜２Ｂは、例えばエポキシ樹脂（ＥＰ）等の熱硬化性樹脂からなるソルダーレジスト膜、またはポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のカバーレイフィルムである。
　なお、図示を省略するが、複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２は、主面ＰＳ１Ｆに形成された導体パターンのうち第２レジスト膜２Ｂに覆われていない部分である。具体的には、第２レジスト膜２Ｂは、複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２に対応した位置にそれぞれ開口を有する。これらの開口は、上記導体パターンよりも面積が小さい。そのため、第２レジスト膜２Ｂが主面ＰＳ１Ｆ上に形成されることにより、上記導体パターンの一部（補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２）が露出する。このように、第２レジスト膜２Ｂは、主面ＰＳ１Ｆに形成される導体パターンの一部を覆っている（オーバーレジスト構造）。
　また、図示を省略するが、第２レジスト膜２Ｂの厚みは、第２電極パッドＰ２１の厚みよりも厚い。
　コネクタ５２は、第２絶縁基材２０Ｂの主面ＰＳ１Ｒに実装され、第２絶縁基材２０Ｂの第２端（図８における第２絶縁基材２０Ｂの左側端）付近に配置されている。コネクタ５２は、第２基板２０３の信号導体およびグランド導体等に導通している（図示省略）。
　図９に示すように、第１基板１０３の主面Ｓ１Ｆ（第１主面）は、第１レジスト膜１Ｂおよび第２レジスト膜２Ｂを挟んで第２基板２０３の主面ＰＳ１Ｆ（第２主面）と対向している。第１基板１０３の第１電極パッドＰ１１と第２基板２０３の第２電極パッドＰ２１とは、導電性接合材を介して接合される。また、第１基板１０３の補強用電極パッドＥＰ１１と第２基板２０３の補強用電極パッドＥＰ２１とが、導電性接合材を介して接合され、第１基板１０３の補強用電極パッドＥＰ１２と第２基板２０３の補強用電極パッドＥＰ２２とが、導電性接合材を介して接合される（図示省略）。このようにして、第１基板１０３と第２基板２０３とが接合されることにより、一つのケーブル４０１が形成される。
　本実施形態によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。
（ｃ）本実施形態に係る第２基板２０３は、主面ＰＳ１Ｆに形成され、間隙を挟んで第２電極パッドＰ２１に近接して配置される第２レジスト膜２Ｂを備えている。また、上記第２レジスト膜２Ｂの厚みは、第２電極パッドＰ２１よりも厚い。この構成によれば、第１電極パッドＰ１１に接合される第２電極パッドＰ２１がクリアランスレジスト構造であるため、接合箇所における加熱加圧時の導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりがさらに抑制され、導電性接合材の飛散等に起因する特性変化はさらに抑制される。
（ｄ）本実施形態では、絶縁基材（第１絶縁基材１０Ｂまたは第２絶縁基材２０Ｂ）が、可撓性を有し、且つ、長尺状である。基板（例えば、第１基板）が可撓性を有する長尺状の場合に、上記基板をリフローはんだ法を用いて実装基板（例えば、第２基板）に実装すると、実装基板に載置する際等に基板が変形して実装位置がずれやすいため、ホットバーを用いて実装基板に基板を実装するのが適している。したがって、本発明のレジスト膜を設けることにより得られる作用効果（ホットバーを用いた加熱加圧時に、導電性接合材の飛散や導電性接合材の濡れ拡がりを抑制するという作用効果）は、絶縁基材が可撓性を有した長尺状である場合に特に有効である。
（ｅ）また、本実施形態では、第２絶縁基材２０Ｂが可撓性を有している。この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時に第１基板１０３が第２基板２０３に接触する場合でも、第２絶縁基材２０Ｂが変形するため（緩衝材的に作用し）、第１基板１０３または第２基板２０３の破損が抑制される。なお、本実施形態では、第１絶縁基材１０Ｂおよび第２絶縁基材２０Ｂがいずれも可撓性を有しているため、上記作用効果がさらに高まる。
（ｆ）ケーブル等の基板は、マザー基板状態で製造した後に複数の個片に分離する工法が一般的である。しかし、マザー基板から長い（または大きな）形状の基板を分離する場合には、得られる基板の個数は少ない。一方、本実施形態では、第１基板１０３と第２基板２０３とを接合することにより、一つのケーブル４０１（複合基板）を形成している。すなわち、マザー基板から分離した小さな個片（第１基板および第２基板）を接合することにより一つの大きな基板を形成するため、マザー基板から得られる基板の個数（取り個数）を多くできる。
（ｇ）また、本実施形態に係るケーブル４０１は、可撓性を有する長尺状のケーブルである。このような長尺状のケーブルは曲げて使用されることが多く、曲げ応力によって第１基板１０３と第２基板２０３との接合部分が剥離する虞がある。本実施形態では、上記接合部分に複数の補強用電極パッドを設けているため、上記接合部分の接合強度が高まり、剥離を抑制できる。また、本実施形態では、２つの補強用電極パッドで電極パッドを挟む構造のため、曲げ応力による電極パッドの接合箇所の破損を抑制できる。
　また、クリアランスレジスト構造の電極パッドは、絶縁基材に対する接合強度が弱いため、絶縁基材の表面から剥離しやすい。一方、オーバーレジスト構造の補強用電極パッドは、クリアランスレジスト構造の電極パッドに比べて絶縁基材に対する接合強度が高いため、絶縁基材の表面から剥離し難い。特に、本実施形態では、クリアランスレジスト構造の電極パッドを、オーバーレジスト構造の複数の補強用電極パッドで挟む構造のため、接合箇所の剥離を効果的に抑制できる。
（ｈ）また、本実施形態では、クリアランスレジスト構造（レジスト膜が間隙を挟んで電極パッドから離間して配置される構造）の第１電極パッドＰ１１が、複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２との間に配置されている。言い換えると、本実施形態では、多数のパッド（補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２等）に近接する第１電極パッドＰ１１が、クリアランスレジスト構造である。この構成によれば、第１電極パッドＰ１１の接合箇所において、加熱加圧時の導電性接合材の飛散等が抑制されるため、多数のパッド間での短絡等が抑制される。そのため、第１電極パッドＰ１１が多数のパッドに近接している場合でも、加熱加圧時の導電性接合材の飛散等に起因する特性変化を抑制できる。なお、上記作用効果は、第２電極パッドＰ２１と複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２との関係についても同様である。
（ｉ）本実施形態では、絶縁基材（第１絶縁基材１０Ｂおよび第２絶縁基材２０Ｂ）の長手方向が第１方向（Ｘ軸方向）に一致している。絶縁基材の長手方向が第１方向に一致する場合、絶縁基材が撓んだり曲がったりしたときに第１方向への応力を含んだ曲げ応力が、第１基板１０３と第２基板２０３との接合部分に掛かりやすい（第４の実施形態を参照）。そのため、複数の補強用電極パッドで第１方向に電極パッドを挟むことで、電極パッドの接合箇所の破損をより効果的に抑制できる。
　《第４の実施形態》
　第４の実施形態では、第１基板と第２基板の形状が第３の実施形態と異なる例を示す。
　図１０は、第４の実施形態に係るケーブル４０２の主要部を示す外観斜視図である。本実施形態に係るケーブル４０２は、可撓性を有するクランク状（長尺状）のケーブルであり、第１基板１０４と第２基板２０４とを導電性接合材を介して接合してなる。
　本実施形態では、第２基板２０４が本発明の「基板接合部材」に相当する。
　図１１は、第４の実施形態に係る第１基板１０４と第２基板２０４との接合部分を拡大して示した分解斜視図である。なお、図１１では、構造を分かりやすくするため、第１電極パッドＰ１１および第２電極パッドＰ２１をドットパターンで示している。
　第１基板１０４は、第１絶縁基材１０Ｃの形状が、第３の実施形態に係る第１基板１０３と異なる。また、第１基板１０４は、補強用電極パッドＥＰ１３，ＥＰ１４をさらに備える点で、第１基板１０３と異なる。第１基板１０４の他の構成については、第１基板１０３と実質的に同じである。
　以下、第３の実施形態に係る第１基板１０３と異なる部分について説明する。
　第１絶縁基材１０Ｃは、長手方向がＸ軸方向に一致するＬ字形の絶縁平板であり、互いに対向する主面Ｓ１Ｆ，Ｓ１Ｒおよび主面Ｓ２を有する。
　本実施形態では、第１絶縁基材１０Ｃの主面Ｓ１Ｆが本発明の「第１主面」に相当する。また、Ｘ軸方向が本発明の「第１方向」に相当し、Ｙ軸方向が本発明の「第２方向」に相当する。
　複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２は、主面Ｓ１Ｆに形成され、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドＥＰ１３，ＥＰ１４は、主面Ｓ１Ｆに形成され、Ｙ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ１３，ＥＰ１４は、第１基板１０４が備えるグランド導体（図示省略）に電気的に接続されている。
　第１電極パッドＰ１１および複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２は、第１絶縁基材１０Ｃの第１端（図１０における第１絶縁基材１０Ｃの左下側端）付近に配置されている。図１１に示すように、複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２は、主面Ｓ１Ｆを平面視して（Ｚ軸方向から視て）、Ｙ軸方向に第１電極パッドＰ１１を挟んで配置されている。複数の補強用電極パッドＥＰ１３，ＥＰ１４は、主面Ｓ１Ｆを平面視して（Ｚ軸方向から視て）、Ｘ軸方向に第１電極パッドＰ１１を挟んで配置されている。
　第１レジスト膜１Ｃは、主面Ｓ１Ｆの略全面に形成され、第１電極パッドＰ１１に近接して配置される保護膜である。第１レジスト膜１Ｃは、間隙を挟んで第１電極パッドＰ１１から離間して配置されている（クリアランスレジスト構造）。
　なお、図示を省略するが、複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ１３，ＥＰ１４は、主面Ｓ１Ｆに形成された導体パターン（本発明の「第２導体」に相当する。）のうち第１レジスト膜１Ｃに覆われていない部分である。具体的には、第１レジスト膜１Ｃは、複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ１３，ＥＰ１４に対応した位置にそれぞれ開口を有する。これらの開口は、上記第２導体よりも面積が小さい。そのため、第１レジスト膜１Ｃが主面Ｓ１Ｆ上に形成されることにより、上記第２導体の一部（補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ１３，ＥＰ１４）が露出する。このように、第１レジスト膜１Ｃは、主面Ｓ１Ｆに形成される第２導体の一部を覆っている（オーバーレジスト構造）。
　次に、第２基板について説明する。第２基板２０４は、第２絶縁基材２０Ｃの形状が、第３の実施形態に係る第２基板２０３と異なる。また、第２基板２０４は、補強用電極パッドＥＰ２３，ＥＰ２４をさらに備える点で、第２基板２０３と異なる。第２基板２０４の他の構成については、第２基板２０３と実質的に同じである。
　以下、第３の実施形態に係る第２基板２０３と異なる部分について説明する。
　第２絶縁基材２０Ｃは、長手方向がＸ軸方向に一致するＬ字形の絶縁平板であり、互いに対向する主面ＰＳ１Ｆ，ＰＳ１Ｒおよび主面ＰＳ２を有する。
　本実施形態では、第２絶縁基材２０Ｃの主面ＰＳ１Ｆが本発明の「第２主面」に相当する。
　複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２は、主面ＰＳ１Ｆに形成され、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドＥＰ２３，ＥＰ２４は、主面ＰＳ１Ｆに形成され、Ｙ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２，ＥＰ２３，ＥＰ２４は、第２基板２０４が備えるグランド導体（図示省略）に電気的に接続されている。
　第２電極パッドＰ２１および複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２は、第２絶縁基材２０Ｃの第１端（図１０における第２絶縁基材２０Ｃの右上側端）付近に配置されている。図１１に示すように、複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２は、主面ＰＳ１Ｆを平面視して（Ｚ軸方向から視て）、Ｙ軸方向に第２電極パッドＰ２１を挟んで配置されている。複数の補強用電極パッドＥＰ２３，ＥＰ２４は、主面ＰＳ１Ｆを平面視して（Ｚ軸方向から視て）、Ｘ軸方向に第２電極パッドＰ２１を挟んで配置されている。
　第２レジスト膜２Ｃは、主面ＰＳ１Ｆの略全面に形成され、第２電極パッドＰ２１に近接して配置される保護膜である。第２レジスト膜２Ｃは、間隙を挟んで第２電極パッドＰ２１から離間して配置されている（クリアランスレジスト構造）。
　なお、図示を省略するが、複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２，ＥＰ２３，ＥＰ２４は、主面ＰＳ１Ｆに形成された導体パターンのうち第２レジスト膜２Ｃに覆われていない部分である。具体的には、第２レジスト膜２Ｃは、複数の補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２，ＥＰ２３，ＥＰ２４に対応した位置にそれぞれ開口を有する。これらの開口は、上記導体パターンよりも面積が小さい。そのため、第２レジスト膜２Ｃが主面ＰＳ１Ｆ上に形成されることにより、上記導体パターンの一部（補強用電極パッドＥＰ２１，ＥＰ２２，ＥＰ２３，ＥＰ２４）が露出する。このように、第２レジスト膜２Ｃは、主面ＰＳ１Ｆに形成される導体パターンの一部を覆っている（オーバーレジスト構造）。
　図１１に示すように、第１基板１０４の主面Ｓ１Ｆ（第１主面）は、第１レジスト膜１Ｃおよび第２レジスト膜２Ｃを挟んで第２基板２０４の主面ＰＳ１Ｆ（第２主面）と対向している。第１基板１０４の第１電極パッドＰ１１と第２基板２０４の第２電極パッドＰ２１とは、導電性接合材を介して接合される。また、補強用電極パッドＥＰ１１と補強用電極パッドＥＰ２１とが導電性接合材を介して接合され、補強用電極パッドＥＰ１２と補強用電極パッドＥＰ２２とが導電性接合材を介して接合され、補強用電極パッドＥＰ１３と補強用電極パッドＥＰ２３とが導電性接合材を介して接合され、補強用電極パッドＥＰ１４と補強用電極パッドＥＰ２４とが導電性接合材を介して接合される（図示省略）。このようにして、第１基板１０４と第２基板２０４とが接合されることにより、一つのケーブル４０２が形成される。
　本実施形態に係るケーブル４０２は例えば次のように用いられる。図１２は、第４の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す斜視図である。
　電子機器３０２は、ケーブル４０２、実装基板５０１，５０２等を備える。実装基板５０１，５０２には、多数の電子部品等が実装されるが、図示を省略している。実装基板５０１，５０２は、例えばプリント配線板である。
　図１２に示すように、ケーブル４０２は、曲げ部ＣＲ１，ＣＲ２を有する。具体的には、ケーブル４０２は、フレキシブル部（図１０に示す第１基板１０４のフレキシブル部ＦＰ１と、第２基板２０４のフレキシブル部ＦＰ２）が曲げられた状態で、実装基板５０１，５０２間に接続されている。ケーブル４０２のコネクタ（５１）は、実装基板５０１に実装されたレセプタクル（図示省略）に接続されている。また、ケーブル４０２のコネクタ５２は、実装基板５０２に実装されたレセプタクル７２に接続されている。
　本実施形態によれば、第３の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。
（ｊ）本実施形態では、複数の補強用電極パッドＥＰ１３，ＥＰ１４が、主面Ｓ１Ｆを平面視して（Ｚ軸方向から視て）、第１方向（Ｘ軸方向）に第１電極パッドＰ１１を挟んで配置されている。また、複数の補強用電極パッドＥＰ１１，ＥＰ１２が、主面Ｓ１Ｆを平面視して（Ｚ軸方向から視て）、第２方向（Ｙ軸方向）に第１電極パッドＰ１１を挟んで配置されている。この構成によれば、４つの補強用電極パッドで電極パッドを挟む構造のため、絶縁基材が曲がった場合等の曲げ応力による電極パッドの接合箇所の破損がさらに抑制される。
　《その他の実施形態》
　以上に示した各実施形態では、第１絶縁基材および第２絶縁基材が、直方体状またはＬ字形の平板である例を示したが、第１絶縁基材および第２絶縁基材の形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。第１絶縁基材および第２絶縁基材の形状は、例えば平面形状が多角形、円形、楕円形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等であってもよい。
　以上に示した各実施形態では、第１絶縁基材が、熱可塑性樹脂を主材料とする樹脂平板、または、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される積層体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１絶縁基材は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の平板であってもよく、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）の誘電体セラミックであってもよい。また、第１絶縁基材は、複数の樹脂の複合積層体であってもよく、例えばガラス／エポキシ基板等の熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂とが積層されて形成される構成でもよい。また、積層体である第１絶縁基材は、積層した複数の絶縁基材層を加熱プレスすることで表面同士を融着するものに限らず、各絶縁基材層間に接着材層を有する構成でもよい。なお、第２絶縁基材についても、上述した第１絶縁基材と同様に、各実施形態で示した構成に限定されるものではない。
　また、以上に示した各実施形態では、第１電極パッドＰ１１，Ｐ１２および第２電極パッドＰ２１が矩形の導体パターンである例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１電極パッドおよび第２電極パッドの形状、個数等は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。第１電極パッドおよび第２電極パッドの形状は、例えば、線状、多角形、円形、楕円形、円弧状、環状、Ｌ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等であってもよい。
　以上に示した各実施形態では、線状の補強用電極パッドを２つまたは４つ備える基板（第１基板および第２基板）の例を示したが、補強用電極パッドの形状、個数等は本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。補強用電極パッドの形状は、例えば線状、多角形、円形、楕円形、円弧状、環状、Ｌ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等であってもよい。
　なお、第１基板（基板）または第２基板（基板接合部材）には、例えば、信号導体およびグランド導体以外の導体パターンが形成されていてもよい。また、第１基板または第２基板には、導体パターンでインダクタ、キャパシタや各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。さらに、第１基板または第２基板には、各種伝送線路（例えば、ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナライン等）が形成されていてもよい。
　また、第１基板（基板）または第２基板（基板接合部材）には、チップ部品等の各種部品が実装（または、埋設）されていてもよい。
　最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
ＣＰ，ＣＰ１１，ＣＰ１２…第１レジスト膜の開口
ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ１３，ＥＰ１４，ＥＰ２１，ＥＰ２２，ＥＰ２３，ＥＰ２４…補強用電極パッド
ＦＰ１…第１基板のフレキシブル部
ＦＰ２…第２基板のフレキシブル部
ＲＰ１…第１基板のリジッド部
ＲＰ２…第２基板のリジッド部
ＭＲ…接合範囲
ＣＲ１，ＣＲ２…曲げ部
Ｐ１１，Ｐ１２…第１電極パッド
Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３…第２電極パッド
Ｓ１…第１絶縁基材の主面（第１主面）
Ｓ１Ｆ…第１絶縁基材の主面（第１主面）（フレキシブル部）
Ｓ１Ｒ…第１絶縁基材の主面（リジッド部）
Ｓ２…第１絶縁基材の主面
ＰＳ１…第２絶縁基材の主面（第２主面）
ＰＳ１Ｆ…第２絶縁基材の主面（第２主面）（フレキシブル部）
ＰＳ１Ｒ…第２絶縁基材の主面（リジッド部）
ＰＳ２…第２絶縁基材の主面
ＳＰ…導電性接合材の飛散部
ＷＰ…導電性接合材の濡れ拡がり部
Ｖ１，Ｖ２…層間接続導体
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…第１レジスト膜
２Ｂ，２Ｃ…第２レジスト膜
３…ホットバー
５…導電性接合材
５Ｐ…導電性ペースト
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…第１絶縁基材
２０，２０Ｂ，２０Ｃ…第２絶縁基材
４１…導体
５１，５２…コネクタ
６１，６２…第１導体
７２…レセプタクル
１００，１０１，１０２，１０３，１０４…第１基板（基板）
２０１，２０３，２０４…第２基板（基板接合部材）
３０１，３０２…電子機器
４０１，４０２…ケーブル

Claims (14)

  1. 　主面を有する絶縁基材と、
    　前記主面に形成される電極パッドと、
    　前記主面に形成され、前記電極パッドに近接して配置されるレジスト膜と、
    　を備え、
    　前記レジスト膜は、間隙を挟んで前記電極パッドから離間して配置され、前記電極パッドよりも厚い、
    　基板。
  2. 　前記レジスト膜は、前記主面を平面視して、前記電極パッドの全周を囲むように形成される、請求項１に記載の基板。
  3. 　前記絶縁基材は、可撓性を有し、且つ、長尺状である、請求項１または２に記載の基板。
  4. 　前記電極パッドの表面に、所定量の導電性ペーストがプリコートされている、請求項１から３のいずれかに記載の基板。
  5. 　前記絶縁基材に形成される第１導体と、
    　前記絶縁基材の内部に形成される層間接続導体と、
    　を備え、
    　前記電極パッドと前記第１導体とは、前記層間接続導体を介して接続されている、請求項１から４のいずれかに記載の基板。
  6. 　前記電極パッドの数は複数であり、
    　前記レジスト膜の少なくとも一部は、複数の前記電極パッド間に位置している、請求項１から５のいずれかに記載の基板。
  7. 　前記主面に形成される複数の補強用電極パッドをさらに備え、
    　前記複数の補強用電極パッドは、前記主面を平面視して、第１方向に前記電極パッドを挟んで配置される、請求項１から６のいずれかに記載の基板。
  8. 　前記絶縁基材は長手方向を有し、
    　前記長手方向は前記第１方向に一致する、請求項７に記載の基板。
  9. 　前記複数の補強用電極パッドは、前記主面を平面視して、前記第１方向に直交する第２方向に前記電極パッドを挟んで配置される、請求項７または８に記載の基板。
  10. 　前記主面に形成され、表面の一部が前記レジスト膜で覆われる第２導体を備え、
    　前記複数の補強用電極パッドは、前記第２導体のうち前記レジスト膜に覆われてない部分である、請求項７から９のいずれかに記載の基板。
  11. 　基板と、基板接合部材とを備える、基板接合構造であって、
    　前記基板は、
    　　第１主面を有する第１絶縁基材と、
    　　前記第１主面に形成される第１電極パッドと、
    　　前記第１主面に形成され、前記第１電極パッドに近接して配置される第１レジスト膜と、
    　　を有し、
    　　前記第１レジスト膜は、間隙を挟んで前記第１電極パッドから離間して配置され、前記第１電極パッドよりも厚く、
    　前記基板接合部材は、
    　　第２主面を有する第２絶縁基材と、
    　　前記第２主面に形成される第２電極パッドと、
    　　を有し、
    　前記第１主面は、前記第１レジスト膜を挟んで前記第２主面と対向し、
    　前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとは、導電性接合材を介して接合されている、基板接合構造。
  12. 　前記基板接合部材は、前記第２主面に形成され、第２電極パッドに近接して配置される第２レジスト膜を有し、
    　前記第２レジスト膜は、間隙を挟んで前記第２電極パッドから離間して配置され、前記第２電極パッドよりも厚く、
    　前記第１主面は、前記第１レジスト膜および前記第２レジスト膜を挟んで前記第２主面と対向する、請求項１１に記載の基板接合構造。
  13. 　前記第１絶縁基材は可撓性を有する、請求項１１または１２に記載の基板接合構造。
  14. 　前記第２絶縁基材は可撓性を有する、請求項１１から１３のいずれかに記載の基板接合構造。
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