WO2019131647A1 - 基板、および基板接合構造 - Google Patents

基板、および基板接合構造 Download PDF

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electrode pad
main surface
resist film
insulating base
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邦明 用水
大祐 戸成
秀幸 田口
元郎 加藤
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate, and more particularly to a substrate bonded by heating and pressing using a hot bar, and a bonding structure thereof.
  • Patent Document 1 a structure is known in which a substrate such as a cable is mounted (joined) on a mounting substrate.
  • the substrate is heated and pressurized to the mounting substrate using, for example, a hot bar or the like, and solder-mounted (joined) to the mounting substrate.
  • a hot bar or the like solder-mounted (joined) to the mounting substrate.
  • solder hereinafter referred to as a conductive bonding material
  • a conductive bonding material may be scattered at the bonding location during heating and pressing (bonding), and conductive bonding may be extended to unnecessary portions.
  • the material may wet and spread, which may cause a short circuit or a change in electrical characteristics.
  • An object of the present invention is to provide a substrate capable of suppressing a change in characteristics due to scattering or spreading of a conductive bonding material at the time of bonding even when bonding to a mounting substrate or the like using a hot bar or the like.
  • the substrate of the present invention is An insulating substrate having a main surface, An electrode pad formed on the main surface; A resist film formed on the main surface and disposed close to the electrode pad; Equipped with The resist film is spaced apart from the electrode pad across a gap, and is thicker than the electrode pad.
  • the resist film becomes a bank at the bonding portion of the electrode pad, and scattering and excessive wetting and spreading of the conductive bonding material are suppressed. it can. Therefore, according to this configuration, it is possible to suppress the characteristic change due to the scattering of the conductive bonding material and the excessive wetting and spreading of the conductive bonding material at the time of heating and pressing.
  • the thickness of the resist film disposed in proximity to the electrode pad is thicker than the thickness of the electrode pad, excessive bonding to the bonding portion of the electrode pad occurs at the time of heating and pressing using a hot bar. It can control that pressure is applied. Therefore, the scattering of the conductive bonding material at the bonding portion during heating and pressing, and the excessive wet spreading of the conductive bonding material are further suppressed.
  • the resist film since the resist film is disposed apart from the first electrode pad with a gap (so-called clearance resist structure), the resist film covers a part of the first electrode pad. As compared with the case (so-called over resist structure), it is easy to control the thickness of the resist film that functions as a bank of the conductive bonding material. That is, it is easy to adjust the thickness of the resist film to such a thickness that scattering of the conductive bonding material and excessive spreading of the conductive bonding material do not occur.
  • the resist film is formed so as to surround the entire periphery of the electrode pad in plan view of the main surface. According to this configuration, since the electrode pad is surrounded by the resist film, scattering of the conductive bonding material at the bonding location at the time of heating and pressing and the conductive bonding are performed as compared with the case where the electrode pad is not surrounded by the resist film. Excessive wet spreading of the material can be further suppressed.
  • the insulating substrate may be flexible and long. If the substrate is flexible and is mounted on a mounting substrate or the like using a reflow soldering method, when the substrate is mounted on a mounting substrate or the like, the substrate is easily deformed when mounted on the mounting substrate, and the mounting position is likely to shift. It is suitable to mount the substrate on the mounting substrate using a hot bar. Therefore, the insulating base material has an effect (effect of suppressing scattering of the conductive bonding material and wetting and spreading of the conductive bonding material at the time of heating and pressing using a hot bar) obtained by providing the resist film. It is particularly effective when it has a flexible and long shape.
  • the insulating base material is deformed (functions as a buffer material). Damage is suppressed.
  • a predetermined amount of conductive paste be precoated on the surface of the electrode pad.
  • a first conductor formed on the insulating base It is preferable that an interlayer connection conductor formed inside the insulating base material be provided, and the electrode pad and the first conductor be connected via the interlayer connection conductor. According to this configuration, since the electrode pad is connected to the interlayer connection conductor formed inside the first conductor and the insulating base layer, it is possible to make it difficult to peel the electrode pad from the main surface of the insulating base.
  • the number of the electrode pads is plural, and at least a part of the resist film is located between the plurality of electrode pads. According to this configuration, even when the conductive bonding material scatters or the like at the bonding portion of the first electrode pad at the time of heating and pressurizing, a short circuit between the plurality of first electrode pads is suppressed.
  • the semiconductor device further includes a plurality of reinforcing electrode pads formed on the main surface, and the plurality of reinforcing electrode pads have a plan view of the main surface. It is preferable that the electrode pad be interposed in the first direction.
  • the substrate or the substrate bonding member is bent or bent due to an external force or the like, bending stress is generated, and there is a possibility that the bonding portion between the substrate and the substrate bonding member may be peeled off by the bending stress.
  • the plurality of reinforcing electrode pads are provided in the bonding portion, the bonding strength of the bonding portion is increased, and peeling of the bonding portion can be suppressed.
  • the electrode pad is sandwiched between the plurality of reinforcing electrode pads, it is possible to suppress the breakage of the joint portion of the electrode pad due to the bending stress.
  • the insulating base material may have a longitudinal direction, and the longitudinal direction may coincide with the first direction.
  • the longitudinal direction of the insulating substrate coincides with the first direction, bending stress including stress in the first direction occurs at the joint portion between the substrate and the mounting substrate or the like when the insulating substrate is bent or bent. It is easy to take. Therefore, by sandwiching the electrode pad in the first direction with the plurality of reinforcing electrode pads, it is possible to more effectively suppress the breakage of the bonding portion of the electrode pad.
  • the plurality of reinforcing electrode pads are disposed across the electrode pad in a second direction orthogonal to the first direction in plan view of the main surface Is preferred. According to this configuration, according to this configuration, breakage of the bonding portion of the electrode pad due to bending stress is further suppressed.
  • the semiconductor device further includes a second conductor formed on the main surface and partially covered with the resist film, the plurality of reinforcing electrode pads It is preferable that it is a part which is not covered with the said resist film among 2nd conductors. Since the electrode pad having a so-called clearance resist structure has a weak bonding strength to the insulating substrate, it tends to peel off the surface of the insulating substrate. On the other hand, since the reinforcing electrode pad of the over resist structure has higher bonding strength to the insulating base than the electrode pad of the clearance resist structure, it is difficult to peel off the surface of the insulating base. Therefore, according to this configuration, peeling of the bonding portion can be effectively suppressed by sandwiching the electrode pad of the clearance resist structure with the plurality of reinforcing electrode pads of the over resist structure.
  • the substrate bonding structure of the present invention is A substrate bonding structure comprising a substrate and a substrate bonding member, wherein
  • the substrate is A first insulating base having a first major surface; A first electrode pad formed on the first main surface; A first resist film formed on the first main surface and disposed close to the first electrode pad; Have The first resist film is spaced apart from the first electrode pad across a gap, and is thicker than the first electrode pad,
  • the substrate bonding member is A second insulating base having a second main surface, A second electrode pad formed on the second main surface; Have The first major surface faces the second major surface with the first resist film interposed therebetween, The first electrode pad and the second electrode pad are bonded via a conductive bonding material.
  • the first resist film becomes a bank at the bonding portion between the first electrode pad and the second electrode pad As a result, scattering of the conductive bonding material and excessive wetting and spreading can be suppressed. Therefore, according to this configuration, it is possible to suppress the characteristic change due to the scattering of the conductive bonding material and the excessive wetting and spreading of the conductive bonding material at the time of heating and pressing.
  • the first resist film disposed in proximity to the first electrode pad is thicker than the thickness of the first electrode pad, the first resist film is not heated when heated and pressurized using a hot bar. It can suppress that an excess pressure is applied to the junction part of an electrode pad and a 2nd electrode pad. Therefore, the scattering of the conductive bonding material at the bonding portion during heating and pressing, and the excessive wet spreading of the conductive bonding material are further suppressed.
  • the substrate bonding member has a second resist film formed on the second main surface and disposed close to the second electrode pad, and the second resist film is The first main surface is thicker than the second electrode pad and spaced apart from the second electrode pad with a gap interposed therebetween, and the first main surface sandwiches the first resist film and the second resist film. It is preferable to face the surface.
  • the first insulating base has flexibility. According to this configuration, even when the substrate comes into contact with the mounting substrate bonding member at the time of heating and pressing using the hot bar, the first insulating base material is deformed (functions as a buffer material), and thus the substrate is broken. Is suppressed.
  • the second insulating base material has flexibility. According to this configuration, even when the substrate contacts the substrate bonding member at the time of heating and pressing using the hot bar, the second insulating base material is deformed (functions as a buffer material), so that the substrate or the substrate bonding member Damage is suppressed. Further, according to this configuration, since both the first insulating base and the second insulating base have flexibility, the above-described effects are further enhanced.
  • the present invention even in the case of bonding to a mounting substrate or the like using a hot bar or the like, it is possible to realize a substrate capable of suppressing the change in characteristics due to the scattering or the spreading of the conductive bonding material.
  • FIG. 1A is an external perspective view of the first substrate 101 according to the first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view of the first substrate 101
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the first substrate 101
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the main part of the electronic device 301 according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view sequentially showing a bonding process of the first substrate 101 and the second substrate 201 according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view sequentially showing a bonding process of the first substrate 100 and the second substrate 201 not including the first resist film, which is a comparative example.
  • FIG. 6A is an external perspective view of the first substrate 102 according to the second embodiment
  • FIG. 6B is a plan view of the first substrate 102.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the first substrate 102.
  • FIG. 8 is an external perspective view showing the main part of a cable 401 according to the third embodiment.
  • FIG. 9 is an exploded perspective view showing an enlarged bonding portion of the first substrate 103 and the second substrate 203 according to the third embodiment.
  • FIG. 10 is an external perspective view showing the main part of a cable 402 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 11 is an exploded perspective view showing an enlarged bonding portion of the first substrate 104 and the second substrate 204 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 12 is a perspective view showing the main part of an electronic device 302 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 1A is an external perspective view of the first substrate 101 according to the first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view of the first substrate 101
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the first substrate 101.
  • the 1st electrode pad P11 is shown by the dot pattern.
  • the first substrate 101 is provided with a first insulating base 10, a first electrode pad P11, a first resist film 1 and the like.
  • substrate 101 is also equipped with members (a conductor, components, etc.) other than the above, illustration is abbreviate
  • the first insulating base material 10 is a rectangular parallelepiped insulating element, and has main surfaces S1 and S2 facing each other.
  • the first insulating base material 10 is a resin flat plate mainly made of a resin material (thermoplastic resin), and has flexibility.
  • the first insulating base 10 is a flat plate mainly made of, for example, a liquid crystal polymer (LCP) or a polyetheretherketone (PEEK).
  • the main surface S1 of the first insulating base 10 corresponds to the "first main surface” of the present invention.
  • the first electrode pad P11 is a rectangular conductor pattern formed on the main surface S1.
  • the first electrode pad P11 is, for example, a conductor pattern such as Cu foil.
  • the first resist film 1 is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface S1 and disposed in the vicinity of the first electrode pad P11.
  • the first resist film 1 has an opening CP at a position corresponding to the first electrode pad P11. Therefore, the first electrode pad P11 is exposed by forming the first resist film 1 on the main surface S1.
  • the first resist film 1 is spaced apart from the first electrode pad P11 across a gap. That is, the first electrode pad P11 has a clearance resist structure.
  • the first resist film 1 is a solder resist film made of, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin (EP).
  • the first resist film 1 is formed, for example, by applying and curing a thermosetting resin on the main surface S1.
  • the first resist film 1 may also be a coverlay film such as polyimide (PI) or polyethylene terephthalate (PET).
  • PI polyimide
  • PET polyethylene terephthalate
  • Such a first resist film 1 may be formed, for example, by affixing a film patterned on the main surface S1, or may be formed by affixing a film on the main surface S1 and then patterning. .
  • “adjacent to the first electrode pad” means that the first resist film is disposed closer to the first electrode pad than any of the conductors formed on the main surface S1. That is, when the shortest distance between the first resist film and the first electrode pad is smaller than any shortest distance between all the conductors formed on the main surface S1 and the first electrode pad
  • the first resist film 1 is formed so as to surround the entire circumference of the first electrode pad P11 in plan view of the main surface S1 (viewed from the Z-axis direction) . Further, as shown in FIG. 2, the thickness of the first resist film 1 (H1: thickness in the Z-axis direction orthogonal to the main surface S1) is thicker than the thickness (H2) of the first electrode pad P11 (H1> H2 ).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the main part of the electronic device 301 according to the first embodiment.
  • the electronic device 301 includes the first substrate 101, the second substrate 201, and the like.
  • the first substrate 101 is mounted on the second substrate 201.
  • substrate 101, an electronic component, etc. are mounted in the 2nd board
  • the second substrate 201 includes a second insulating base 20, second electrode pads P21, P22, and P23, a conductor 41, and the like.
  • substrate 201 is also equipped with members (a conductor, components, etc.) other than the above, illustration is abbreviate
  • the second substrate 201 is a rectangular parallelepiped printed wiring board, and is, for example, a glass / epoxy substrate.
  • the second substrate 201 corresponds to the “substrate bonding member” in the present invention.
  • the second insulating base 20 is a rectangular parallelepiped insulating element and has a main surface PS1.
  • the second electrode pads P21, P22, and P23 are rectangular conductor patterns formed on the main surface PS1.
  • the conductor 41 is a conductor pattern formed inside the second insulating base 20.
  • the second electrode pads P21, P22, P23 and the conductor 41 are, for example, conductor patterns such as Cu foil.
  • the main surface PS1 of the second insulating base 20 corresponds to the “second main surface” in the present invention.
  • the main surface S1 (first main surface) of the first substrate 101 is opposed to the main surface PS1 (second main surface) of the second substrate 201 with the first resist film 1 interposed therebetween.
  • the first electrode pad P ⁇ b> 11 of the first substrate 101 and the second electrode pad P ⁇ b> 21 of the second substrate 201 are bonded by the conductive bonding material 5.
  • the conductive bonding material 5 is, for example, a solder.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view sequentially showing a bonding process of the first substrate 101 and the second substrate 201 according to the first embodiment.
  • the first substrate 101 and the second substrate 201 are prepared. Thereafter, the conductive paste 5P is applied (or printed) on the surface of the second electrode pad P21 of the second substrate 201.
  • the conductive paste 5P is, for example, a solder paste.
  • the first substrate 101 is sucked by the hot bar 3 and placed (mounted) on the second substrate 201.
  • the first substrate 101 is disposed on the second substrate 201 such that the first electrode pad P11 of the first substrate 101 and the second electrode pad P21 of the second substrate 201 face each other.
  • the main surface S1 (first main surface) of the first insulating base 10 faces the main surface PS1 (second main surface) of the second substrate 201 with the first resist film 1 interposed therebetween.
  • the first substrate 101 is heated and pressurized in the stacking direction (+ Z direction) using the hot bar 3 (see the white arrow shown in (1) in FIG. 4). It is bonded to the second substrate 201. Thereby, as shown in (2) in FIG. 4, the first electrode pad P11 of the first substrate 101 is bonded to the second electrode pad P21 of the second substrate 201 via the conductive bonding material 5. .
  • FIG. 5 is a cross-sectional view sequentially showing a bonding process of the first substrate 100 and the second substrate 201 not including the first resist film, which is a comparative example.
  • the joining process shown in FIG. 5 is substantially the same as the joining process shown in FIG. 4, the description of the joining process is partially omitted.
  • the first substrate 100 and the second substrate 201 are prepared.
  • the first substrate 100 is different from the above-described first substrate 101 in that the first substrate 100 does not include the first resist film.
  • the other configuration of the first substrate 100 is the same as that of the first substrate 101.
  • the conductive paste 5P is applied (or printed) on the surface of the second electrode pad P21 of the second substrate 201.
  • the first substrate 100 is sucked by the hot bar 3 and placed (mounted) on the second substrate 201.
  • the first substrate 100 is disposed on the second substrate 201 such that the first electrode pad P11 of the first substrate 100 and the second electrode pad P21 of the second substrate 201 face each other.
  • the main surface S1 (first main surface) of the first insulating base 10 faces the main surface PS1 (second main surface) of the second substrate 201.
  • the first substrate 100 is heated and pressurized in the stacking direction (+ Z direction) using the hot bar 3 (see the white arrow shown in (1) in FIG. 5). It is bonded to the second substrate 201. Thereby, as shown in (2) in FIG. 5, the first electrode pad P11 of the first substrate 100 is bonded to the second electrode pad P21 of the second substrate 201 via the conductive bonding material.
  • the first electrode pad P11 and the second electrode pad P11 are heated and pressurized. Excess pressure is applied to the bonding portion with the electrode pad P21, and scattering of the conductive bonding material (see the scattering portion SP shown in (2) in FIG. 5) or excessive wetting of the conductive bonding material at the bonding position There is a possibility that the spreading (see the wet spreading portion WP shown in (2) in FIG. 5) may occur. As a result, a short circuit occurs at an unintended location (for example, a short circuit between the second electrode pads P21 and P23 shown in (2) in FIG. 5), or between other conductors (for example, (in FIG. The electrical characteristics are changed due to, for example, the formation of a capacitance between the scattering portion SP and the conductor 41 shown in 2).
  • the first resist film 1 is a bank at the bonding portion between the first electrode pad P11 and the second electrode pad P21.
  • the scattering range of the conductive bonding material can be made within the bonding range MR in FIG. 2). Therefore, according to this configuration, it is possible to suppress the characteristic change due to the scattering of the conductive bonding material and the excessive wetting and spreading of the conductive bonding material at the time of heating and pressing.
  • the thickness (H1) of the first resist film 1 disposed close to the first electrode pad P11 is thicker than the thickness (H2) of the first electrode pad P11. (H1> H2). According to this configuration, it is possible to suppress an excessive pressure from being applied to the bonding portion between the first electrode pad P11 and the second electrode pad P21 at the time of heating and pressing using the hot bar 3. Therefore, the scattering of the conductive bonding material at the bonding portion during heating and pressing, and the excessive wet spreading of the conductive bonding material are further suppressed.
  • the first resist film 1 is disposed apart from the first electrode pad P11 with a gap in between (see FIG. Clearance resist structure).
  • the first resist film 1 covers a part of the first electrode pad P11 (when the first resist film 1 has an over-resist structure with respect to the first electrode pad P11).
  • the thickness of the first resist film 1 functioning as a bank of the conductive bonding material 5 can be easily controlled. That is, according to this configuration, it is easy to adjust the thickness of the first resist film 1 to such a thickness that scattering of the conductive bonding material and excessive wetting and spreading of the conductive bonding material do not occur.
  • the first resist film 1 is formed so as to surround the entire circumference of the first electrode pad P11 in plan view of the main surface S1 (viewed from the Z-axis direction). According to this configuration, since the first electrode pad P11 is surrounded by the first resist film 1, compared with the case where the first electrode pad P11 is not surrounded by the first resist film 1, the bonding location at the time of heating and pressurizing It is possible to further suppress scattering of the conductive bonding material and excessive wetting and spreading of the conductive bonding material.
  • the first insulating base 10 has flexibility. According to this configuration, even when the first substrate 101 contacts the second substrate 201 at the time of heating and pressing using the hot bar 3, the first insulating base material 10 is deformed (functions as a buffer material), Damage to the first substrate 101 or the second substrate 201 is suppressed.
  • the conductive paste 5P is applied (or printed) on the surface of the second electrode pad P21.
  • the present invention is not limited to this configuration, and the surface of the first electrode pad P11 is The conductive paste 5P may be applied to (or printed on).
  • the method of applying (or printing) the conductive paste 5P on the surface of the first electrode pad P11 (or the surface of the second electrode pad P21) in the bonding step has been described.
  • a predetermined amount of conductive paste may be precoated on the surface of P11 (or the surface of the second electrode pad P21).
  • the amount of the conductive paste 5P to be precoated on the surface of the first electrode pad P11 (or the surface of the second electrode pad P21) As compared with the above, scattering of the conductive bonding material at the time of heating and pressing can be prevented.
  • the second embodiment shows an example of a first substrate provided with a plurality of first electrode pads.
  • FIG. 6A is an external perspective view of the first substrate 102 according to the second embodiment
  • FIG. 6B is a plan view of the first substrate 102
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the first substrate 102.
  • the first electrode pads P11 and P12 are shown in a dot pattern in order to make the structure easy to understand.
  • the first substrate 102 includes a first insulating base 10A, a plurality of first electrode pads P11 and P12, a first resist film 1A, first conductors 61 and 62, interlayer connection conductors V1 and V2, and the like.
  • substrate 102 is also equipped with members (a conductor, components, etc.) other than the above, illustration is abbreviate
  • the first substrate 102 is different from the first substrate 101 according to the first embodiment in that the first substrate 102 includes a plurality of first electrode pads P11 and P12, first conductors 61 and 62, and interlayer connection conductors V1 and V2.
  • the first insulating base material 10A is a rectangular parallelepiped insulating element, and has main surfaces S1 and S2 facing each other. Specifically, it is a resin flat plate formed by laminating a plurality of insulating base layers made of thermoplastic resin, and has flexibility.
  • the plurality of insulating base layers are, for example, sheets mainly composed of liquid crystal polymer (LCP) or polyetheretherketone (PEEK).
  • the main surface S1 of the first insulating base 10A corresponds to the "first main surface” of the present invention.
  • the first electrode pads P11 and P12 are rectangular conductor patterns formed on the main surface S1.
  • the first electrode pads P11 and P12 are disposed in the vicinity of the center of the main surface S1 in the Y-axis direction, and are arranged in the X-axis direction.
  • the first resist film 1A is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface S1 and disposed in the vicinity of the first electrode pads P11 and P12.
  • the first resist film 1A has openings CP11 and CP12 at positions corresponding to the first electrode pads P11 and P12, respectively. Therefore, the first electrode pads P11 and P12 are exposed by forming the first resist film 1A on the main surface S1. As shown in FIGS. 6A, 6B and 7, the first resist film 1A is spaced apart from the first electrode pads P11 and P12 across a gap. That is, the first electrode pads P11 and P12 have a clearance resist structure.
  • the first resist film 1A surrounds the entire periphery of the first electrode pads P11 and P12 when the main surface S1 is viewed in plan (viewed from the Z-axis direction). Is formed. Further, a part of the first resist film 1A is located between the first electrode pads P11 and P12.
  • the first conductors 61 and 62 are conductor patterns formed inside the first insulating base 10A.
  • the interlayer connection conductors V1 and V2 are conductors formed inside the first insulating base 10A.
  • the first conductor 61 is connected to the first electrode pad P11 via the interlayer connection conductor V1.
  • the first conductor 62 is connected to the first electrode pad P12 via the interlayer connection conductor V2.
  • the first conductors 61 and 62 are conductor patterns such as Cu foil, for example.
  • the following effects can be obtained in addition to the effects described in the first embodiment.
  • At least a part of the first resist film 1A that functions as a bank of the conductive bonding material is disposed between the plurality of first electrode pads P11 and P12.
  • the first electrode pad P11 is connected to the interlayer connection conductor V1 and the first conductor 61 which are formed inside the first insulating base 10A.
  • the first electrode pad P12 is connected to the interlayer connection conductor V2 and the first conductor 62 which are formed inside the first insulating base material 10A. Therefore, compared to the case where the first electrode pad is not connected to the first conductor or the interlayer connection conductor, the first electrode pads P11 and P12 can be hardly peeled off from the surface of the first insulating base material 10.
  • the first electrode pads P11 and P12 are connected to the first conductors 61 and 62 formed inside the first insulating base material 10A through the interlayer connection conductors V1 and V2 is described. Although shown, it is not limited to this configuration. Even when the first electrode pad is connected to the conductor formed on the main surface S2 of the first insulating base material 10A via the interlayer connection conductor, the same effect as the above (b) is exerted.
  • FIG. 8 is an external perspective view showing the main part of a cable 401 according to the third embodiment.
  • the cable 401 according to the present embodiment is a flexible linear (long) cable, and is formed by bonding the first substrate 103 and the second substrate 203 via a conductive bonding material.
  • the second substrate 203 corresponds to the “substrate bonding member” in the present invention.
  • FIG. 9 is an exploded perspective view showing an enlarged bonding portion of the first substrate 103 and the second substrate 203 according to the third embodiment.
  • the first electrode pad P11 and the second electrode pad P21 are shown in a dot pattern.
  • the first substrate 103 includes a first insulating base 10B, a first electrode pad P11, a first resist film 1B, a plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12, a connector 51, and the like. Although the first substrate 103 also includes a signal conductor, a ground conductor, and the like in addition to the above, the illustration is omitted.
  • the first substrate 103 is different from the first substrate 101 according to the first embodiment in the shape of the first insulating base 10B. Further, the first substrate 103 is different from the first substrate 101 in that the first substrate 103 includes a plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 and a connector 51.
  • the first insulating base material 10B is a long (linear) insulating element whose longitudinal direction coincides with the X-axis direction, and has main surfaces S1F and S1R and a main surface S2 facing each other.
  • the first insulating base 10B is a resin flat plate formed by laminating a plurality of insulating base layers made of thermoplastic resin, and has flexibility.
  • the main surface S1F of the first insulating base material 10B corresponds to the "first main surface” of the present invention.
  • the X-axis direction corresponds to the “first direction” in the present invention.
  • the first insulating base material 10B has a rigid portion RP1 and a flexible portion FP1.
  • the number of stacked insulating base layers of the rigid portion RP1 is larger than the number of stacked insulating base layers of the flexible portion FP1. Therefore, the rigid portion RP1 is harder than the flexible portion FP1 and difficult to bend. Also, the flexible part FP1 is easier to bend than the rigid part RP1 and has flexibility.
  • the first electrode pad P11 is a rectangular conductor pattern formed on the main surface S1.
  • the first electrode pad P11 is electrically connected to a signal conductor (not shown) included in the first substrate 103.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are linear conductor patterns formed on the main surface S1F and extending in the Y-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are electrically connected to a ground conductor (not shown) included in the first substrate 103.
  • the first electrode pad P11 and the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are disposed in the vicinity of the first end of the first insulating base 10B (the left end of the first insulating base 10B in FIG. 8). As shown in FIG. 9, the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are disposed with the first electrode pad P11 interposed in the X-axis direction, with the main surface S1F viewed in plan (viewed from the Z-axis direction) There is.
  • the first resist film 1B is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface S1F and disposed in the vicinity of the first electrode pad P11.
  • the first resist film 1B has an opening at a position corresponding to the first electrode pad P11.
  • the first resist film 1B is spaced apart from the first electrode pad P11 across a gap. That is, the first electrode pad P11 has a clearance resist structure.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are the first resist film 1B in the conductor pattern (corresponding to the "second conductor" of the present invention) formed on the main surface S1F. It is a part not covered. Specifically, the first resist film 1B has openings at positions corresponding to the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12. These openings have a smaller area than the conductor pattern. Therefore, by forming the first resist film 1B on the main surface S1F, a part of the conductor pattern (reinforcing electrode pads EP11 and EP12) is exposed. Thus, the first resist film 1B covers a part of the conductor pattern formed on the main surface S1F. That is, the reinforcing electrode pads EP11 and EP12 have an over-resist structure.
  • the connector 51 is mounted on the main surface S2 of the first insulating base 10B, and is disposed near the second end of the first insulating base 10B (right end of the first insulating base 10B in FIG. 8).
  • the connector 51 is electrically connected to the signal conductor and the ground conductor of the first substrate 103 (not shown).
  • the second substrate 203 includes a second insulating base 20B, a second electrode pad P21, reinforcing electrode pads EP21 and EP22, a second resist film 2B, a connector 52, and the like. Although the second substrate 203 also includes a signal conductor, a ground conductor, and the like in addition to the above, the illustration is omitted.
  • the second substrate 203 is different from the second substrate 201 according to the first embodiment in the shape of the second insulating base 20B.
  • the second substrate 203 is different from the second substrate 201 in that the second substrate 203 includes the second resist film 2B, the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22, and the connector 52.
  • the second insulating base material 20B is a long (linear) insulating element whose longitudinal direction coincides with the X-axis direction, and has main surfaces PS1F and PS1R and a main surface PS2 facing each other.
  • the second insulating base 20B is a resin flat plate formed by laminating a plurality of insulating base layers made of thermoplastic resin, and has flexibility.
  • the main surface PS1F of the second insulating base 20B corresponds to the "second main surface” in the present invention.
  • the second insulating base 20B has a rigid portion RP2 and a flexible portion FP2.
  • the number of stacked insulating base layers of the rigid portion RP2 is larger than the number of stacked insulating base layers of the flexible portion FP2. Therefore, rigid part RP2 is harder than flexible part FP2, and is hard to bend. The flexible part FP2 is more easily bent than the rigid part RP2 and has flexibility.
  • the second electrode pad P21 is a rectangular conductor pattern formed on the main surface PS1F.
  • the second electrode pad P ⁇ b> 21 is electrically connected to a signal conductor (not shown) included in the second substrate 203.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are linear conductor patterns formed on the main surface PS1F and extending in the Y-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP ⁇ b> 21 and EP ⁇ b> 22 are electrically connected to a ground conductor (not shown) provided in the second substrate 203.
  • the second electrode pad P21 and the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are disposed in the vicinity of the first end (the right end of the second insulating base 20B in FIG. 8) of the second insulating base 20B. As shown in FIG. 9, the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are disposed across the second electrode pad P21 in the X-axis direction with the main surface PS1F viewed in plan (viewed from the Z-axis direction) There is.
  • the second resist film 2B is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface PS1F and disposed in the vicinity of the second electrode pad P21.
  • the second resist film 2B has an opening at a position corresponding to the second electrode pad P21.
  • the second resist film 2B is disposed apart from the second electrode pad P21 with a gap (clearance resist structure).
  • the second resist film 2B is formed to surround the entire periphery of the second electrode pad P21 when the main surface PS1F is viewed in plan (viewed from the Z-axis direction).
  • the second resist film 2B is, for example, a solder resist film made of a thermosetting resin such as epoxy resin (EP), or a coverlay film such as polyimide (PI) or polyethylene terephthalate (PET).
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are portions of the conductor pattern formed on the main surface PS1F which are not covered by the second resist film 2B.
  • the second resist film 2B has openings at positions corresponding to the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22. These openings have a smaller area than the conductor pattern. Therefore, by forming the second resist film 2B on the main surface PS1F, a part of the conductor pattern (reinforcing electrode pads EP21 and EP22) is exposed. Thus, the second resist film 2B covers a part of the conductor pattern formed on the main surface PS1F (over resist structure).
  • the thickness of the second resist film 2B is thicker than the thickness of the second electrode pad P21.
  • the connector 52 is mounted on the main surface PS1R of the second insulating base 20B, and is disposed near the second end of the second insulating base 20B (the left end of the second insulating base 20B in FIG. 8).
  • the connector 52 is electrically connected to the signal conductor and the ground conductor of the second substrate 203 (not shown).
  • the main surface S1F (first main surface) of the first substrate 103 is a main surface PS1F (second main surface) of the second substrate 203 with the first resist film 1B and the second resist film 2B interposed therebetween. It is opposite to).
  • the first electrode pad P11 of the first substrate 103 and the second electrode pad P21 of the second substrate 203 are bonded via a conductive bonding material.
  • reinforcing electrode pad EP11 of the first substrate 103 and the reinforcing electrode pad EP21 of the second substrate 203 are joined via the conductive bonding material, and the reinforcing electrode pad EP12 of the first substrate 103 and the second substrate The reinforcing electrode pad EP22 of 203 is bonded (not shown) via a conductive bonding material.
  • one cable 401 is formed by joining the first substrate 103 and the second substrate 203.
  • the second substrate 203 includes the second resist film 2B which is formed on the main surface PS1F and is disposed in the vicinity of the second electrode pad P21 with a gap therebetween.
  • the thickness of the second resist film 2B is thicker than that of the second electrode pad P21.
  • the insulating base (the first insulating base 10B or the second insulating base 20B) has flexibility and is long.
  • the substrate for example, the first substrate
  • the substrate may be mounted on the mounting substrate (for example, the second substrate) by using a reflow soldering method. It is suitable to mount the substrate on the mounting substrate using a hot bar since the substrate is easily deformed and the mounting position is easily shifted. Therefore, the effects (effects of suppressing the scattering of the conductive bonding material and the wetting and spreading of the conductive bonding material at the time of heating and pressing using a hot bar) obtained by providing the resist film of the present invention are insulation It is particularly effective when the base material is flexible and long.
  • the second insulating base 20B has flexibility. According to this configuration, even when the first substrate 103 contacts the second substrate 203 at the time of heating and pressing using a hot bar, the second insulating base material 20B is deformed (functions as a buffer material), Damage to the first substrate 103 or the second substrate 203 is suppressed. In the present embodiment, since the first insulating base material 10B and the second insulating base material 20B both have flexibility, the above-described effects are further enhanced.
  • a substrate such as a cable is generally manufactured by separating it into a plurality of pieces after being manufactured in a mother substrate state.
  • the number of obtained substrates is small.
  • one cable 401 composite substrate
  • one cable 401 is formed by joining the first substrate 103 and the second substrate 203. That is, since a single large substrate is formed by bonding small individual pieces (first and second substrates) separated from the mother substrate, the number of substrates obtained from the mother substrate can be increased.
  • the cable 401 which concerns on this embodiment is a flexible elongate cable. Such long cables are often used by bending, and there is a risk that the joint between the first substrate 103 and the second substrate 203 may be peeled off by bending stress.
  • the bonding strength of the bonding portion is increased, and peeling can be suppressed.
  • the electrode pad is sandwiched between the two reinforcing electrode pads, it is possible to suppress the breakage of the joint portion of the electrode pad due to the bending stress.
  • the electrode pad of the clearance resist structure has a weak bonding strength to the insulating base, it is easily peeled off from the surface of the insulating base.
  • the reinforcing electrode pad of the over resist structure has higher bonding strength to the insulating base than the electrode pad of the clearance resist structure, it is difficult to peel off the surface of the insulating base.
  • the electrode pad of the clearance resist structure is sandwiched between the plurality of reinforcing electrode pads of the over resist structure, peeling of the bonding portion can be effectively suppressed.
  • the first electrode pad P11 of the clearance resist structure (the structure in which the resist film is disposed apart from the electrode pad with a gap therebetween) is a plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12. Is placed between.
  • the first electrode pad P11 adjacent to a large number of pads (reinforcing electrode pads EP11, EP12, etc.) has a clearance resist structure. According to this configuration, since scattering of the conductive bonding material at the time of heating and pressing is suppressed at the bonding portion of the first electrode pad P11, a short circuit or the like between many pads is suppressed.
  • the first electrode pad P11 is in proximity to a large number of pads, it is possible to suppress the characteristic change caused by the scattering or the like of the conductive bonding material at the time of heating and pressing.
  • the above-mentioned effect is the same also about the relation between the 2nd electrode pad P21 and a plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22.
  • the longitudinal direction of the insulating base coincides with the first direction (X-axis direction).
  • the bending stress including the stress in the first direction when the insulating substrate is bent or bent is the first substrate 103 and the second substrate 203. (See the fourth embodiment). Therefore, by sandwiching the electrode pad in the first direction with the plurality of reinforcing electrode pads, it is possible to more effectively suppress the breakage of the bonding portion of the electrode pad.
  • the fourth embodiment shows an example in which the shapes of the first substrate and the second substrate are different from those of the third embodiment.
  • FIG. 10 is an external perspective view showing the main part of a cable 402 according to the fourth embodiment.
  • the cable 402 according to the present embodiment is a flexible crank-shaped (long) cable, and is formed by bonding the first substrate 104 and the second substrate 204 via a conductive bonding material.
  • the second substrate 204 corresponds to the “substrate bonding member” in the present invention.
  • FIG. 11 is an exploded perspective view showing an enlarged bonding portion of the first substrate 104 and the second substrate 204 according to the fourth embodiment.
  • the 1st electrode pad P11 and the 2nd electrode pad P21 are shown by the dot pattern.
  • the first substrate 104 is different from the first substrate 103 according to the third embodiment in the shape of the first insulating base 10C. Further, the first substrate 104 differs from the first substrate 103 in that the first substrate 104 further includes reinforcing electrode pads EP13 and EP14. The other configuration of the first substrate 104 is substantially the same as that of the first substrate 103.
  • the first insulating base 10C is an L-shaped insulating flat plate whose longitudinal direction coincides with the X-axis direction, and has main surfaces S1F and S1R and a main surface S2 facing each other.
  • the main surface S1F of the first insulating base 10C corresponds to the "first main surface” of the present invention.
  • the X-axis direction corresponds to the "first direction” in the present invention, and the Y-axis direction corresponds to the "second direction” in the present invention.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are linear conductor patterns formed on the main surface S1F and extending in the X-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP13 and EP14 are linear conductor patterns formed on the main surface S1F and extending in the Y-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP ⁇ b> 11, EP ⁇ b> 12, EP ⁇ b> 13 and EP ⁇ b> 14 are electrically connected to ground conductors (not shown) provided in the first substrate 104.
  • the first electrode pad P11 and the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are disposed in the vicinity of the first end of the first insulating base 10C (the lower left end of the first insulating base 10C in FIG. 10). As shown in FIG. 11, the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are disposed with the first electrode pad P11 interposed in the Y-axis direction, with the main surface S1F viewed in plan (viewed from the Z-axis direction) There is. The plurality of reinforcing electrode pads EP13 and EP14 are disposed so as to sandwich the first electrode pad P11 in the X-axis direction, when the main surface S1F is viewed in plan (viewed from the Z-axis direction).
  • the first resist film 1C is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface S1F and disposed in the vicinity of the first electrode pad P11.
  • the first resist film 1C is disposed apart from the first electrode pad P11 across a gap (clearance resist structure).
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP11, EP12, EP13 and EP14 are the first of the conductor patterns (corresponding to the "second conductor" of the present invention) formed on the main surface S1F. It is a portion not covered by the resist film 1C. Specifically, the first resist film 1C has an opening at a position corresponding to the plurality of reinforcing electrode pads EP11, EP12, EP13, and EP14. These openings have a smaller area than the second conductor. Therefore, by forming the first resist film 1C on the main surface S1F, a part of the second conductor (reinforcing electrode pads EP11, EP12, EP13, EP14) is exposed. Thus, the first resist film 1C covers a part of the second conductor formed on the main surface S1F (over resist structure).
  • the second substrate 204 is different from the second substrate 203 according to the third embodiment in the shape of the second insulating base 20C.
  • the second substrate 204 is different from the second substrate 203 in that the second substrate 204 further includes reinforcing electrode pads EP23 and EP24.
  • the other configuration of the second substrate 204 is substantially the same as that of the second substrate 203.
  • the second insulating base 20C is an L-shaped insulating flat plate whose longitudinal direction coincides with the X-axis direction, and has main surfaces PS1F and PS1R and a main surface PS2 facing each other.
  • the main surface PS1F of the second insulating base 20C corresponds to the "second main surface” in the present invention.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are linear conductor patterns formed on the main surface PS1F and extending in the X-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP23 and EP24 are linear conductor patterns formed on the main surface PS1F and extending in the Y-axis direction.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP ⁇ b> 21, EP ⁇ b> 22, EP ⁇ b> 23 and EP ⁇ b> 24 are electrically connected to ground conductors (not shown) provided in the second substrate 204.
  • the second electrode pad P21 and the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are disposed in the vicinity of the first end of the second insulating base 20C (the upper right end of the second insulating base 20C in FIG. 10). As shown in FIG. 11, the plurality of reinforcing electrode pads EP21 and EP22 are disposed across the second electrode pad P21 in the Y-axis direction in plan view of the main surface PS1F (viewed from the Z-axis direction) There is. The plurality of reinforcing electrode pads EP23 and EP24 are disposed so as to sandwich the second electrode pad P21 in the X-axis direction, when the main surface PS1F is viewed in plan (viewed from the Z-axis direction).
  • the second resist film 2C is a protective film which is formed on substantially the entire surface of the main surface PS1F and disposed in the vicinity of the second electrode pad P21.
  • the second resist film 2C is spaced apart from the second electrode pad P21 across a gap (clearance resist structure).
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP21, EP22, EP23 and EP24 are portions of the conductor pattern formed on the main surface PS1F which are not covered by the second resist film 2C.
  • the second resist film 2C has openings at positions corresponding to the plurality of reinforcing electrode pads EP21, EP22, EP23, and EP24. These openings have a smaller area than the conductor pattern. Therefore, by forming the second resist film 2C on the main surface PS1F, a part of the conductor pattern (reinforcing electrode pads EP21, EP22, EP23, EP24) is exposed. Thus, the second resist film 2C covers a part of the conductor pattern formed on the main surface PS1F (over resist structure).
  • the main surface S1F (first main surface) of the first substrate 104 is the main surface PS1F (second main surface) of the second substrate 204 with the first resist film 1C and the second resist film 2C interposed therebetween. It is opposite to).
  • the first electrode pad P11 of the first substrate 104 and the second electrode pad P21 of the second substrate 204 are bonded via a conductive bonding material.
  • the reinforcing electrode pad EP11 and the reinforcing electrode pad EP21 are bonded through the conductive bonding material
  • the reinforcing electrode pad EP12 and the reinforcing electrode pad EP22 are bonded through the conductive bonding material, for reinforcement
  • the electrode pad EP13 and the reinforcing electrode pad EP23 are bonded via the conductive bonding material
  • the reinforcing electrode pad EP14 and the reinforcing electrode pad EP24 are bonded via the conductive bonding material (not shown).
  • FIG. 12 is a perspective view showing the main part of an electronic device 302 according to the fourth embodiment.
  • the electronic device 302 includes a cable 402, mounting boards 501 and 502, and the like. A large number of electronic components and the like are mounted on the mounting substrates 501 and 502, but illustration is omitted.
  • the mounting substrates 501 and 502 are, for example, printed wiring boards.
  • the cable 402 has bends CR1 and CR2. Specifically, the cable 402 is connected between the mounting substrates 501 and 502 in a state where the flexible portion (the flexible portion FP1 of the first substrate 104 and the flexible portion FP2 of the second substrate 204 shown in FIG. 10) is bent. It is done.
  • the connector (51) of the cable 402 is connected to a receptacle (not shown) mounted on the mounting substrate 501. Further, the connector 52 of the cable 402 is connected to the receptacle 72 mounted on the mounting substrate 502.
  • the plurality of reinforcing electrode pads EP13 and EP14 form the first electrode pad P11 in the first direction (X-axis direction) when the main surface S1F is viewed in plan (viewed from the Z-axis direction). It is arranged across the. Further, the plurality of reinforcing electrode pads EP11 and EP12 are disposed with the first electrode pad P11 interposed in the second direction (Y-axis direction) in plan view of the main surface S1F (viewed from the Z-axis direction) There is. According to this configuration, since the electrode pad is sandwiched between the four reinforcing electrode pads, the breakage of the bonding portion of the electrode pad due to bending stress such as bending of the insulating base is further suppressed.
  • the 1st insulating base material and the 2nd insulating base material showed the example which is a rectangular solid or a L-shaped flat plate
  • the shape of the 1st insulating base material and the 2nd insulating base material Can be suitably changed in the range which produces the effect of the present invention.
  • the shape of the first insulating base and the second insulating base may be, for example, polygonal, circular, elliptical, T-shaped, Y-shaped, cranked, etc.
  • the first insulating base is a resin flat plate mainly made of a thermoplastic resin, or a laminate formed by laminating a plurality of insulating base layers made of a thermoplastic resin.
  • the first insulating substrate may be, for example, a flat plate of a thermosetting resin such as an epoxy resin, or may be a dielectric ceramic of low temperature co-fired ceramic (LTCC).
  • the first insulating substrate may be a composite laminate of a plurality of resins, and may be formed by laminating a thermosetting resin such as a glass / epoxy substrate and a thermoplastic resin, for example.
  • the 1st insulation base material which is a laminated body is not limited to what fuse
  • about a 2nd insulation base material it is not limited to the structure shown by each embodiment similarly to the 1st insulation base material mentioned above.
  • the first electrode pads P11 and P12 and the second electrode pad P21 have a rectangular conductor pattern.
  • the present invention is not limited to this configuration.
  • the shapes, the number, and the like of the first electrode pad and the second electrode pad can be appropriately changed as long as the effects of the present invention are exhibited.
  • the shape of the first electrode pad and the second electrode pad may be, for example, linear, polygonal, circular, elliptical, arc, annular, L-shaped, T-shaped, Y-shaped, cranked, or the like.
  • the shape, number, etc. of the reinforcement electrode pads are shown. It can be suitably changed in the range which produces the effect of the present invention.
  • the shape of the reinforcing electrode pad may be, for example, linear, polygonal, circular, elliptical, arc, annular, L-shaped, T-shaped, Y-shaped, cranked, or the like.
  • conductor patterns other than the signal conductor and the ground conductor may be formed on the first substrate (substrate) or the second substrate (substrate bonding member), for example.
  • a frequency filter such as an inductor, a capacitor, or various filters (a low pass filter, a high pass filter, a band pass filter, a band elimination filter) may be formed with a conductor pattern.
  • various transmission lines for example, strip lines, microstrip lines, coplanar lines, etc. may be formed on the first substrate or the second substrate.
  • various components such as chip components may be mounted (or embedded) in the first substrate (substrate) or the second substrate (substrate bonding member).
  • CP, CP11, CP12 ... first resist film openings EP11, EP12, EP13, EP14, EP21, EP22, EP23, EP24 ... reinforcing electrode pads FP1 ... first substrate flexible portion FP2 ... second substrate flexible portion RP1 ...

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Abstract

第1基板(101)は、第1主面(S1)を有する第1絶縁基材(10)、第1電極パッド(P11)、第1レジスト膜(1)を備える。第1電極パッド(P11)は、第1主面(S1)に形成される導体パターンである。第1レジスト膜(1)は、第1主面(S1)に形成され、第1電極パッド(P11)に近接して配置されている。第1レジスト膜(1)は、間隙を挟んで第1電極パッド(P11)から離間して配置されている。第1レジスト膜(1)の厚み(H1)は、第1電極パッド(P11)の厚み(H2)よりも厚い(H1>H2)。

Description

基板、および基板接合構造
 本発明は、基板に関し、特にホットバーを用いて加熱加圧して接合する基板と、その接合構造に関する。
 従来、ケーブル等の基板を実装基板に実装(接合)する構造が知られている(特許文献1)。
 上記基板は、例えば、ホットバー等を用いて実装基板に加熱加圧されて、実装基板にはんだ実装(接合)される。特に、可撓性を有する基板を、リフローはんだ法等を用いて実装する場合には、実装時に基板が変形しやすいため、ホットバー等を用いて実装基板に実装することが適している。
国際公開第2016/088592号
 しかし、上述した方法で基板を実装基板に実装する場合、接合箇所において加熱加圧時(接合時)にはんだ(以下、導電性接合材。)が飛散したり、余計な部分にまで導電性接合材が濡れ拡がることがあり、これに起因して短絡が生じたり、電気特性が変化したりする虞がある。
 本発明の目的は、ホットバー等を用いて実装基板等に接合する場合でも、接合時の導電性接合材の飛散や濡れ拡がりに起因した特性変化を抑制できる基板を提供することにある。
(1)本発明の基板は、
 主面を有する絶縁基材と、
 前記主面に形成される電極パッドと、
 前記主面に形成され、前記電極パッドに近接して配置されるレジスト膜と、
 を備え、
 前記レジスト膜は、間隙を挟んで前記電極パッドから離間して配置され、前記電極パッドよりも厚いことを特徴とする。
 この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時(基板の接合時)に、電極パッドの接合箇所においてレジスト膜が堤となって、導電性接合材の飛散や過剰な濡れ拡がりを抑制できる。したがって、この構成により、加熱加圧時における導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりに起因する特性変化を抑制できる。
 また、この構成によれば、電極パッドに近接して配置されるレジスト膜の厚みが、電極パッドの厚みよりも厚いため、ホットバーを用いた加熱加圧時に、電極パッドの接合箇所に過剰な圧力が掛かることを抑制できる。そのため、加熱加圧時における上記接合箇所での導電性接合材の飛散や、導電性接合材の過剰な濡れ拡がりはさらに抑制される。
 さらに、この構成によれば、レジスト膜が間隙を挟んで第1電極パッドから離間して配置されているため(いわゆる、クリアランスレジスト構造)、レジスト膜が第1電極パッドの一部を覆っている場合(いわゆる、オーバーレジスト構造)と比べて、導電性接合材の堤として機能するレジスト膜の厚みを制御しやすい。すなわち、レジスト膜の厚みを、導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりが生じないような厚みに調整しやすい。
(2)上記(1)において、前記レジスト膜は、前記主面を平面視して、前記電極パッドの全周を囲むように形成されることが好ましい。この構成によれば、電極パッドがレジスト膜で囲まれるため、電極パッドがレジスト膜で囲まれていない場合と比べて、加熱加圧時における接合箇所での導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりをさらに抑制できる。
(3)上記(1)または(2)において、前記絶縁基材は、可撓性を有し、且つ、長尺状であってもよい。基板が可撓性を有する長尺状の場合に、上記基板をリフローはんだ法を用いて実装基板等に実装すると、実装基板に載置する際に基板が変形して実装位置がずれやすいため、ホットバーを用いて実装基板に基板を実装するのが適している。したがって、レジスト膜を設けることにより得られる作用効果(ホットバーを用いた加熱加圧時に、導電性接合材の飛散や導電性接合材の濡れ拡がりを抑制するという作用効果)は、絶縁基材が可撓性を有した長尺状である場合に特に有効である。
 また、この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時に基板(レジスト膜)が実装基板等に接触する場合でも、絶縁基材が変形するため(緩衝材的に作用し)、基板の破損が抑制される。
(4)上記(1)から(3)のいずれかにおいて、前記電極パッドの表面に、所定量の導電性ペーストがプリコートされていることが好ましい。電極パッドにプリコートされる導電性ペーストの量を事前に調整することにより、接合箇所に過剰な量の導電性接合材を用いる場合と比較して、加熱加圧時における導電性接合材の飛散等を生じ難くできる。
(5)上記(1)から(4)のいずれかにおいて、前記絶縁基材に形成される第1導体と、
 前記絶縁基材の内部に形成される層間接続導体と、を備え、前記電極パッドと前記第1導体とは、前記層間接続導体を介して接続されていることが好ましい。この構成によれば、電極パッドが、第1導体や絶縁基材層の内部に形成される層間接続導体に接続されているため、絶縁基材の主面から電極パッドを剥離し難くできる。
(6)上記(1)から(5)のいずれかにおいて、前記電極パッドの数は複数であり、前記レジスト膜の少なくとも一部は、複数の前記電極パッド間に位置していることが好ましい。この構成によれば、加熱加圧時に第1電極パッドの接合箇所で導電性接合材の飛散等が生じた場合でも、複数の第1電極パッド間の短絡が抑制される。
(7)上記(1)から(6)のいずれかにおいて、前記主面に形成される複数の補強用電極パッドをさらに備え、前記複数の補強用電極パッドは、前記主面を平面視して、第1方向に前記電極パッドを挟んで配置されることが好ましい。基板または基板接合部材が外力等によって撓んだり曲がったりすると曲げ応力が生じ、この曲げ応力により基板と基板接合部材との接合部分が剥離する虞がある。この構成によれば、上記接合部分に複数の補強用電極パッドを設けているため、上記接合部分の接合強度が高まり、接合部分の剥離を抑制できる。また、この構成によれば、複数の補強用電極パッドで電極パッドを挟む構造のため、曲げ応力による電極パッドの接合箇所の破損を抑制できる。
(8)上記(7)において、前記絶縁基材は長手方向を有し、前記長手方向は前記第1方向に一致していてもよい。絶縁基材の長手方向が第1方向に一致する場合、絶縁基材が撓んだり曲がったりしたときに第1方向への応力を含んだ曲げ応力が、基板と実装基板等との接合部分に掛かりやすい。そのため、複数の補強用電極パッドで第1方向に電極パッドを挟むことで、電極パッドの接合箇所の破損をより効果的に抑制できる。
(9)上記(7)または(8)において、前記複数の補強用電極パッドは、前記主面を平面視して、前記第1方向に直交する第2方向に前記電極パッドを挟んで配置されることが好ましい。この構成によれば、この構成によれば、曲げ応力による電極パッドの接合箇所の破損がさらに抑制される。
(10)上記(7)から(9)のいずれかにおいて、前記主面に形成され、表面の一部が前記レジスト膜で覆われる第2導体を備え、前記複数の補強用電極パッドは、前記第2導体のうち前記レジスト膜に覆われてない部分であることが好ましい。いわゆるクリアランスレジスト構造の電極パッドは絶縁基材に対する接合強度が弱いため、絶縁基材の表面から剥離しやすい。一方、オーバーレジスト構造の補強用電極パッドは、クリアランスレジスト構造の電極パッドに比べて絶縁基材に対する接合強度が高いため、絶縁基材の表面から剥離し難い。したがって、この構成によれば、クリアランスレジスト構造の電極パッドを、オーバーレジスト構造の複数の補強用電極パッドで挟むことにより、接合箇所の剥離を効果的に抑制できる。
(11)本発明の基板接合構造は、
 基板と、基板接合部材とを備える、基板接合構造であって、
 前記基板は、
  第1主面を有する第1絶縁基材と、
  前記第1主面に形成される第1電極パッドと、
  前記第1主面に形成され、前記第1電極パッドに近接して配置される第1レジスト膜と、
  を有し、
  前記第1レジスト膜は、間隙を挟んで前記第1電極パッドから離間して配置され、前記第1電極パッドよりも厚く、
 前記基板接合部材は、
  第2主面を有する第2絶縁基材と、
  前記第2主面に形成される第2電極パッドと、
  を有し、
 前記第1主面は、前記第1レジスト膜を挟んで前記第2主面と対向し、
 前記第1電極パッドと前記第2電極パッドとは、導電性接合材を介して接合されていることを特徴とする。
 この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時(基板を基板接合部材に接合する際)に、第1電極パッドと第2電極パッドとの接合箇所において第1レジスト膜が堤となって、導電性接合材の飛散や過剰な濡れ拡がりを抑制できる。したがって、この構成により、加熱加圧時における導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりに起因する特性変化を抑制できる。
 また、この構成によれば、第1電極パッドに近接して配置される第1レジスト膜の厚みが、第1電極パッドの厚みよりも厚いため、ホットバーを用いた加熱加圧時に、第1電極パッドと第2電極パッドとの接合箇所に過剰な圧力が掛かることを抑制できる。そのため、加熱加圧時における上記接合箇所での導電性接合材の飛散や、導電性接合材の過剰な濡れ拡がりはさらに抑制される。
(12)上記(11)において、前記基板接合部材は、前記第2主面に形成され、第2電極パッドに近接して配置される第2レジスト膜を有し、前記第2レジスト膜は、間隙を挟んで前記第2電極パッドから離間して配置され、前記第2電極パッドよりも厚く、前記第1主面は、前記第1レジスト膜および前記第2レジスト膜を挟んで前記第2主面と対向していることが好ましい。この構成により、加熱加圧時における上記接合箇所での導電性接合材の飛散や、導電性接合材の過剰な濡れ拡がりがさらに抑制される。
(13)上記(11)または(12)において、前記第1絶縁基材は可撓性を有することが好ましい。この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時に基板が実装先の基板接合部材に接触する場合でも、第1絶縁基材が変形するため(緩衝材的に作用し)、基板の破損が抑制される。
(14)上記(11)から(13)のいずれかにおいて、前記第2絶縁基材は可撓性を有することが好ましい。この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時に基板が基板接合部材に接触する場合でも、第2絶縁基材が変形するため(緩衝材的に作用し)、基板または基板接合部材の破損が抑制される。また、この構成によれば、第1絶縁基材および第2絶縁基材いずれも可撓性を有しているため、上記作用効果がさらに高まる。
 本発明によれば、ホットバー等を用いて実装基板等に接合する場合でも、導電性接合材の飛散や濡れ拡がりに起因した特性変化を抑制できる基板を実現できる。
図1(A)は第1の実施形態に係る第1基板101の外観斜視図であり、図1(B)は第1基板101の平面図である。 図2は、第1基板101の断面図である。 図3は、第1の実施形態に係る電子機器301の主要部を示す断面図である。 図4は、第1の実施形態に係る第1基板101と、第2基板201との接合工程を順に示す断面図である。 図5は、比較例である、第1レジスト膜を備えていない第1基板100と第2基板201との接合工程を順に示す断面図である。 図6(A)は第2の実施形態に係る第1基板102の外観斜視図であり、図6(B)は第1基板102の平面図である。 図7は、第1基板102の断面図である。 図8は、第3の実施形態に係るケーブル401の主要部を示す外観斜視図である。 図9は、第3の実施形態に係る第1基板103と第2基板203との接合部分を拡大して示した分解斜視図である。 図10は、第4の実施形態に係るケーブル402の主要部を示す外観斜視図である。 図11は、第4の実施形態に係る第1基板104と第2基板204との接合部分を拡大して示した分解斜視図である。 図12は、第4の実施形態に係る電子機器302の主要部を示す斜視図である。
 以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
 《第1の実施形態》
 図1(A)は第1の実施形態に係る第1基板101の外観斜視図であり、図1(B)は第1基板101の平面図である。図2は、第1基板101の断面図である。図1(A)および図1(B)では、構造を分かりやすくするため、第1電極パッドP11をドットパターンで示している。
 第1基板101は、第1絶縁基材10、第1電極パッドP11、第1レジスト膜1等を備える。なお、第1基板101は、上記以外の部材(導体または部品等)も備えているが、図示を省略している。
 第1絶縁基材10は、直方体状の絶縁素体であり、互いに対向する主面S1,S2を有する。具体的には、第1絶縁基材10は、樹脂材料(熱可塑性樹脂)を主材料とする樹脂平板であり、可撓性を有する。第1絶縁基材10は、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等を主材料とする平板である。
 本実施形態では、第1絶縁基材10の主面S1が本発明の「第1主面」に相当する。
 第1電極パッドP11は、主面S1に形成される矩形の導体パターンである。第1電極パッドP11は、例えばCu箔等の導体パターンである。
 第1レジスト膜1は、主面S1の略全面に形成され、第1電極パッドP11に近接して配置される保護膜である。第1レジスト膜1は、第1電極パッドP11に対応した位置に開口CPを有する。そのため、第1レジスト膜1が主面S1上に形成されることにより、第1電極パッドP11が露出する。図1(A)、図1(B)および図2に示すように、第1レジスト膜1は、間隙を挟んで第1電極パッドP11から離間して配置されている。つまり、第1電極パッドP11に対しては、クリアランスレジスト構造となっている。
 第1レジスト膜1は、例えばエポキシ樹脂(EP)等の熱硬化性樹脂からなるソルダーレジスト膜である。第1レジスト膜1は、例えば、主面S1に熱硬化性樹脂を塗布し、硬化させることにより形成する。また、第1レジスト膜1は、例えばポリイミド(PI)やポリエチレンテレフタレート(PET)等のカバーレイフィルムでもよい。このような第1レジスト膜1は、例えば、主面S1にパターニングされたフィルムを貼り付けることによって形成してもよく、主面S1にフィルムを貼り付けた後にパターニングすることによって形成してもよい。 本発明において「第1電極パッドに近接する」とは、主面S1に形成されるいずれの導体よりも、第1レジスト膜が第1電極パッドの近くに配置されていることを言う。すなわち、第1レジスト膜と第1電極パッドとの最短距離が、主面S1に形成される全ての導体と第1電極パッドとのいずれの最短距離よりも小さい場合に、第1レジスト膜が「第1電極パッドに近接する」と言う。
 図1(B)に示すように、第1レジスト膜1は、主面S1を平面視して(Z軸方向から視て)、第1電極パッドP11の全周を囲むように形成されている。また、図2に示すように、第1レジスト膜1の厚み(H1:主面S1に直交するZ軸方向の厚み)は、第1電極パッドP11の厚み(H2)よりも厚い(H1>H2)。
 次に、本発明の基板接合構造について、図を参照して説明する。図3は、第1の実施形態に係る電子機器301の主要部を示す断面図である。
 電子機器301は、第1基板101および第2基板201等を備える。第1基板101は、第2基板201に実装されている。なお、第2基板201には、第1基板101以外の基板や電子部品等が実装されるが、図示を省略している。
 第2基板201は、第2絶縁基材20、第2電極パッドP21,P22,P23、導体41等を備える。なお、第2基板201は、上記以外の部材(導体または部品等)も備えているが、図示を省略している。第2基板201は、直方体状のプリント配線板であり、例えばガラス/エポキシ基板である。
 本実施形態では、第2基板201が本発明の「基板接合部材」に相当する。
 第2絶縁基材20は、直方体状の絶縁素体であり、主面PS1を有する。第2電極パッドP21,P22,P23は、主面PS1に形成される矩形の導体パターンである。導体41は、第2絶縁基材20の内部に形成される導体パターンである。第2電極パッドP21,P22,P23および導体41は、例えばCu箔等の導体パターンである。
 本実施形態では、第2絶縁基材20の主面PS1が本発明の「第2主面」に相当する。
 図3に示すように、第1基板101の主面S1(第1主面)は、第1レジスト膜1を挟んで第2基板201の主面PS1(第2主面)と対向している。第1基板101の第1電極パッドP11と第2基板201の第2電極パッドP21とは、導電性接合材5によって接合されている。導電性接合材5は、例えばはんだである。
 第1基板101は、例えば次に示すような接合工程により、第2基板201に接合される。図4は、第1の実施形態に係る第1基板101と、第2基板201との接合工程を順に示す断面図である。
 まず、図4中の(1)に示すように、第1基板101および第2基板201を準備する。その後、第2基板201の第2電極パッドP21の表面に、導電性ペースト5Pを塗布(または印刷)する。導電性ペースト5Pは、例えばはんだペーストである。
 次に、第1基板101をホットバー3で吸着し、第2基板201上に配置(載置)する。具体的には、第1基板101の第1電極パッドP11と第2基板201の第2電極パッドP21とが対向するように、第1基板101を第2基板201上に配置する。このとき、第1絶縁基材10の主面S1(第1主面)は、第1レジスト膜1を挟んで第2基板201の主面PS1(第2主面)と対向する。
 その後、ホットバー3を用いて、積層方向(+Z方向)に向かって第1基板101を加熱加圧することにより(図4中の(1)に示す白抜き矢印を参照)、第1基板101を第2基板201に接合する。これにより、図4中の(2)に示すように、第1基板101の第1電極パッドP11が、第2基板201の第2電極パッドP21に、導電性接合材5を介して接合される。
 次に、比較例として、第1レジスト膜を備えていない第1基板と第2基板との接合工程について説明する。図5は、比較例である、第1レジスト膜を備えていない第1基板100と第2基板201との接合工程を順に示す断面図である。なお、図5に示す接合工程は、図4に示す接合工程と略同じであるため、接合工程の説明は一部省略する。
 まず、図5中の(1)に示すように、第1基板100および第2基板201を準備する。第1基板100は、第1レジスト膜を備えていない点で、上述した第1基板101と異なる。第1基板100の他の構成については、第1基板101と同じである。その後、第2基板201の第2電極パッドP21の表面に、導電性ペースト5Pを塗布(または印刷)する。
 次に、第1基板100をホットバー3で吸着し、第2基板201上に配置(載置)する。具体的には、第1基板100の第1電極パッドP11と第2基板201の第2電極パッドP21とが対向するように、第1基板100を第2基板201上に配置する。このとき、第1絶縁基材10の主面S1(第1主面)は、第2基板201の主面PS1(第2主面)と対向する。
 その後、ホットバー3を用いて、積層方向(+Z方向)に向かって第1基板100を加熱加圧することにより(図5中の(1)に示す白抜き矢印を参照)、第1基板100を第2基板201に接合する。これにより、図5中の(2)に示すように、第1基板100の第1電極パッドP11が、第2基板201の第2電極パッドP21に導電性接合材を介して接合される。
 図5に示すように、ホットバー3を用いて第1レジスト膜を備えていない第1基板100を第2基板201に接合した場合には、加熱加圧時に、第1電極パッドP11と第2電極パッドP21との接合箇所に過剰な圧力が掛かって、上記接合箇所において導電性接合材の飛散(図5中の(2)に示す飛散部SP参照)や、導電性接合材の過剰な濡れ拡がり(図5中の(2)に示す濡れ拡がり部WP参照)が生じる虞がある。これにより、意図しない箇所に短絡が生じたり(例えば、図5中の(2)に示す第2電極パッドP21,P23間での短絡)、他の導体との間(例えば、図5中の(2)に示す飛散部SPと導体41との間)で容量が形成されたりすること等によって、電気的特性が変化してしまう。
 一方、本発明では、ホットバー3を用いた加熱加圧時(第1基板101の接合時)に、第1電極パッドP11と第2電極パッドP21との接合箇所において第1レジスト膜1が堤となって、導電性接合材の飛散や濡れ拡がりを抑制できる(導電性接合材の飛散範囲を、図2における接合範囲MR内にできる)。したがって、この構成により、加熱加圧時における導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりに起因する特性変化を抑制できる。
 また、本発明では、図2に示すように、第1電極パッドP11に近接して配置される第1レジスト膜1の厚み(H1)が、第1電極パッドP11の厚み(H2)よりも厚い(H1>H2)。この構成によれば、ホットバー3を用いた加熱加圧時に、第1電極パッドP11と第2電極パッドP21との接合箇所に過剰な圧力が掛かることを抑制できる。そのため、加熱加圧時における上記接合箇所での導電性接合材の飛散や、導電性接合材の過剰な濡れ拡がりはさらに抑制される。
 本実施形態では、図1(A)、図1(B)および図2等に示すように、第1レジスト膜1が、間隙を挟んで第1電極パッドP11から離間して配置されている(クリアランスレジスト構造)。この構成によれば、第1レジスト膜1が、第1電極パッドP11の一部を覆っている場合(第1レジスト膜1が第1電極パッドP11に対してオーバーレジスト構造である場合)と比べて、導電性接合材5の堤として機能する第1レジスト膜1の厚みを制御しやすい。すなわち、この構成によれば、第1レジスト膜1の厚みを、導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりが生じないような厚みに調整しやすい。
 また、本実施形態では、第1レジスト膜1が、主面S1を平面視して(Z軸方向から視て)、第1電極パッドP11の全周を囲むように形成されている。この構成によれば、第1電極パッドP11が第1レジスト膜1で囲まれるため、第1電極パッドP11が第1レジスト膜1で囲まれていない場合と比べて、加熱加圧時における接合箇所での導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりをさらに抑制できる。
 本実施形態では、第1絶縁基材10が可撓性を有する。この構成によれば、ホットバー3を用いた加熱加圧時に第1基板101が第2基板201に接触する場合でも、第1絶縁基材10が変形するため(緩衝材的に作用し)、第1基板101または第2基板201の破損が抑制される。
 なお、本実施形態では、第2電極パッドP21の表面に、導電性ペースト5Pを塗布(または印刷)する例を示したが、この構成に限定されるものではなく、第1電極パッドP11の表面に導電性ペースト5Pを塗布(または印刷)してもよい。
 また、本実施形態では、接合工程において、第1電極パッドP11の表面(または第2電極パッドP21の表面)に導電性ペースト5Pを塗布(または印刷)する方法を示したが、第1電極パッドP11の表面(または第2電極パッドP21の表面)に所定量の導電性ペーストがプリコートされていてもよい。第1電極パッドP11の表面(または第2電極パッドP21の表面)にプリコートされる導電性ペースト5Pの量を事前に調整することにより、接合箇所に過剰な量の導電性接合材5を用いる場合と比較して、加熱加圧時における導電性接合材の飛散等を生じ難くできる。
 《第2の実施形態》
 第2の実施形態では、複数の第1電極パッドを備える第1基板の例を示す。
 図6(A)は第2の実施形態に係る第1基板102の外観斜視図であり、図6(B)は第1基板102の平面図である。図7は、第1基板102の断面図である。図6(A)および図6(B)では、構造を分かりやすくするため、第1電極パッドP11,P12をドットパターンで示している。
 第1基板102は、第1絶縁基材10A、複数の第1電極パッドP11,P12、第1レジスト膜1A、第1導体61,62および層間接続導体V1,V2等を備える。なお、第1基板102は、上記以外の部材(導体または部品等)も備えているが、図示を省略している。第1基板102は、複数の第1電極パッドP11,P12、第1導体61,62および層間接続導体V1,V2を備える点で、第1の実施形態に係る第1基板101と異なる。
 以下、第1の実施形態に係る第1基板101と異なる部分について説明する。
 第1絶縁基材10Aは、直方体状の絶縁素体であり、互いに対向する主面S1,S2を有する。具体的には、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される樹脂平板であり、可撓性を有する。複数の絶縁基材層は、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等を主材料とするシートである。
 本実施形態では、第1絶縁基材10Aの主面S1が本発明の「第1主面」に相当する。
 第1電極パッドP11,P12は、主面S1に形成される矩形の導体パターンである。第1電極パッドP11,P12は、主面S1のY軸方向の中央付近に配置され、X軸方向に配列されている。
 第1レジスト膜1Aは、主面S1の略全面に形成され、第1電極パッドP11,P12に近接して配置される保護膜である。第1レジスト膜1Aは、第1電極パッドP11,P12にそれぞれ対応した位置に開口CP11,CP12を有する。そのため、第1レジスト膜1Aが主面S1上に形成されることにより、第1電極パッドP11,P12が露出する。図6(A)、図6(B)および図7に示すように、第1レジスト膜1Aは、間隙を挟んで第1電極パッドP11,P12から離間して配置されている。つまり、第1電極パッドP11,P12に対しては、クリアランスレジスト構造となっている。
 なお、図6(B)に示すように、第1レジスト膜1Aは、主面S1を平面視して(Z軸方向から視て)、第1電極パッドP11,P12の全周をそれぞれ囲むように形成されている。また、第1レジスト膜1Aの一部は、第1電極パッドP11,P12間に位置している。
 第1導体61,62は、第1絶縁基材10Aの内部に形成される導体パターンである。層間接続導体V1,V2は、第1絶縁基材10Aの内部に形成される導体である。第1導体61は、層間接続導体V1を介して第1電極パッドP11に接続されている。第1導体62は、層間接続導体V2を介して第1電極パッドP12に接続されている。第1導体61,62は、例えばCu箔等の導体パターンである。
 本実施形態に係る第1基板102によれば、第1の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。
(a)本実施形態では、導電性接合材の堤として機能する第1レジスト膜1Aの少なくとも一部が、複数の第1電極パッドP11,P12間に配置されている。この構成により、加熱加圧時に第1電極パッドP11,P12の接合箇所で導電性接合材の飛散等が生じた場合でも、複数の第1電極パッドP11,P12間の短絡が抑制される。
(b)また、本実施形態では、第1電極パッドP11が、第1絶縁基材10Aの内部に形成される層間接続導体V1や第1導体61に接続されている。また、第1電極パッドP12が、第1絶縁基材10Aの内部に形成される層間接続導体V2や第1導体62に接続されている。そのため、第1電極パッドが第1導体や層間接続導体に接続されていない場合と比較して、第1電極パッドP11,P12を第1絶縁基材10の表面から剥離し難くできる。
 なお、本実施形態では、第1電極パッドP11,P12が、層間接続導体V1,V2を介して、第1絶縁基材10Aの内部に形成される第1導体61,62に接続される例を示したが、この構成に限定されるものではない。第1電極パッドが、層間接続導体を介して、第1絶縁基材10Aの主面S2に形成される導体と接続されている場合でも、上記(b)と同様の効果を奏する。
 《第3の実施形態》
 第3の実施形態では、第2基板が可撓性を有する例を示す。
 図8は、第3の実施形態に係るケーブル401の主要部を示す外観斜視図である。本実施形態に係るケーブル401は、可撓性を有する線状(長尺状)のケーブルであり、第1基板103と第2基板203とを導電性接合材を介して接合してなる。
 本実施形態では、第2基板203が本発明の「基板接合部材」に相当する。
 図9は、第3の実施形態に係る第1基板103と第2基板203との接合部分を拡大して示した分解斜視図である。なお、図8では、構造を分かりやすくするため、第1電極パッドP11および第2電極パッドP21をドットパターンで示している。
 第1基板103は、第1絶縁基材10B、第1電極パッドP11、第1レジスト膜1B、複数の補強用電極パッドEP11,EP12およびコネクタ51等を備える。なお、第1基板103は、上記以外に信号導体およびグランド導体等も備えているが、図示を省略している。第1基板103は、第1絶縁基材10Bの形状が、第1の実施形態に係る第1基板101と異なる。また、第1基板103は、複数の補強用電極パッドEP11,EP12およびコネクタ51を備える点で、第1基板101と異なる。
 以下、第1の実施形態に係る第1基板101と異なる部分について説明する。
 第1絶縁基材10Bは、長手方向がX軸方向に一致する長尺状(直線状)の絶縁素体であり、互いに対向する主面S1F,S1Rおよび主面S2を有する。第1絶縁基材10Bは、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される樹脂平板であり、可撓性を有する。
 本実施形態では、第1絶縁基材10Bの主面S1Fが本発明の「第1主面」に相当する。
 本実施形態では、X軸方向が本発明の「第1方向」に相当する。
 図8に示すように、第1絶縁基材10Bは、リジッド部RP1およびフレキシブル部FP1を有する。リジッド部RP1の絶縁基材層の積層数は、フレキシブル部FP1の絶縁基材層の積層数よりも多い。そのため、リジッド部RP1は、フレキシブル部FP1よりも硬く、曲がり難い。また、フレキシブル部FP1は、リジッド部RP1よりも曲がり易く、可撓性を有する。
 第1電極パッドP11は、主面S1に形成される矩形の導体パターンである。第1電極パッドP11は、第1基板103が備える信号導体(図示省略)に電気的に接続されている。複数の補強用電極パッドEP11,EP12は、主面S1Fに形成され、Y軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドEP11,EP12は、第1基板103が備えるグランド導体(図示省略)に電気的に接続されている。
 第1電極パッドP11および複数の補強用電極パッドEP11,EP12は、第1絶縁基材10Bの第1端(図8における第1絶縁基材10Bの左側端)付近に配置されている。図9に示すように、複数の補強用電極パッドEP11,EP12は、主面S1Fを平面視して(Z軸方向から視て)、X軸方向に第1電極パッドP11を挟んで配置されている。
 第1レジスト膜1Bは、主面S1Fの略全面に形成され、第1電極パッドP11に近接して配置される保護膜である。第1レジスト膜1Bは、第1電極パッドP11に対応した位置に開口を有する。第1レジスト膜1Bが主面S1F上に形成されることにより、第1電極パッドP11および複数の補強用電極パッドEP11,EP12が露出する。図9に示すように、第1レジスト膜1Bは、間隙を挟んで第1電極パッドP11から離間して配置されている。つまり、第1電極パッドP11に対しては、クリアランスレジスト構造となっている。
 なお、図示を省略するが、複数の補強用電極パッドEP11,EP12は、主面S1Fに形成された導体パターン(本発明の「第2導体」に相当する。)のうち第1レジスト膜1Bに覆われていない部分である。具体的には、第1レジスト膜1Bは、複数の補強用電極パッドEP11,EP12に対応した位置にそれぞれ開口を有する。これらの開口は、上記導体パターンよりも面積が小さい。そのため、第1レジスト膜1Bが主面S1F上に形成されることにより、上記導体パターンの一部(補強用電極パッドEP11,EP12)が露出する。このように、第1レジスト膜1Bは、主面S1Fに形成される導体パターンの一部を覆っている。つまり、補強用電極パッドEP11,EP12に対しては、オーバーレジスト構造となっている。
 コネクタ51は、第1絶縁基材10Bの主面S2に実装され、第1絶縁基材10Bの第2端(図8における第1絶縁基材10Bの右側端)付近に配置されている。コネクタ51は、第1基板103の信号導体およびグランド導体等に導通している(図示省略)。
 次に、第2基板について説明する。第2基板203は、第2絶縁基材20B、第2電極パッドP21、補強用電極パッドEP21,EP22、第2レジスト膜2Bおよびコネクタ52等を備える。なお、第2基板203は、上記以外に信号導体およびグランド導体等も備えているが、図示を省略している。第2基板203は、第2絶縁基材20Bの形状が、第1の実施形態に係る第2基板201と異なる。また、第2基板203は、第2レジスト膜2B、複数の補強用電極パッドEP21,EP22およびコネクタ52を備える点で、第2基板201と異なる。
 以下、第1の実施形態に係る第2基板201と異なる部分について説明する。
 第2絶縁基材20Bは、長手方向がX軸方向に一致する長尺状(直線状)の絶縁素体であり、互いに対向する主面PS1F,PS1Rおよび主面PS2を有する。第2絶縁基材20Bは、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される樹脂平板であり、可撓性を有する。
 本実施形態では、第2絶縁基材20Bの主面PS1Fが本発明の「第2主面」に相当する。
 図8に示すように、第2絶縁基材20Bは、リジッド部RP2およびフレキシブル部FP2を有する。リジッド部RP2の絶縁基材層の積層数は、フレキシブル部FP2の絶縁基材層の積層数よりも多い。そのため、リジッド部RP2は、フレキシブル部FP2よりも硬く、曲がり難い。また、フレキシブル部FP2は、リジッド部RP2よりも曲がり易く、可撓性を有する。
 第2電極パッドP21は、主面PS1Fに形成される矩形の導体パターンである。第2電極パッドP21は、第2基板203が備える信号導体(図示省略)に電気的に接続されている。複数の補強用電極パッドEP21,EP22は、主面PS1Fに形成され、Y軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドEP21,EP22は、第2基板203が備えるグランド導体(図示省略)に電気的に接続されている。
 第2電極パッドP21および複数の補強用電極パッドEP21,EP22は、第2絶縁基材20Bの第1端(図8における第2絶縁基材20Bの右側端)付近に配置されている。図9に示すように、複数の補強用電極パッドEP21,EP22は、主面PS1Fを平面視して(Z軸方向から視て)、X軸方向に第2電極パッドP21を挟んで配置されている。
 第2レジスト膜2Bは、主面PS1Fの略全面に形成され、第2電極パッドP21に近接して配置される保護膜である。第2レジスト膜2Bは、第2電極パッドP21に対応した位置に開口を有する。第2レジスト膜2Bが主面PS1F上に形成されることにより、第2電極パッドP21が露出する。図9に示すように、第2レジスト膜2Bは、間隙を挟んで第2電極パッドP21から離間して配置されている(クリアランスレジスト構造)。なお、図9に示すように、第2レジスト膜2Bは、主面PS1Fを平面視して(Z軸方向から視て)、第2電極パッドP21の全周を囲むように形成されている。第2レジスト膜2Bは、例えばエポキシ樹脂(EP)等の熱硬化性樹脂からなるソルダーレジスト膜、またはポリイミド(PI)やポリエチレンテレフタレート(PET)等のカバーレイフィルムである。
 なお、図示を省略するが、複数の補強用電極パッドEP21,EP22は、主面PS1Fに形成された導体パターンのうち第2レジスト膜2Bに覆われていない部分である。具体的には、第2レジスト膜2Bは、複数の補強用電極パッドEP21,EP22に対応した位置にそれぞれ開口を有する。これらの開口は、上記導体パターンよりも面積が小さい。そのため、第2レジスト膜2Bが主面PS1F上に形成されることにより、上記導体パターンの一部(補強用電極パッドEP21,EP22)が露出する。このように、第2レジスト膜2Bは、主面PS1Fに形成される導体パターンの一部を覆っている(オーバーレジスト構造)。
 また、図示を省略するが、第2レジスト膜2Bの厚みは、第2電極パッドP21の厚みよりも厚い。
 コネクタ52は、第2絶縁基材20Bの主面PS1Rに実装され、第2絶縁基材20Bの第2端(図8における第2絶縁基材20Bの左側端)付近に配置されている。コネクタ52は、第2基板203の信号導体およびグランド導体等に導通している(図示省略)。
 図9に示すように、第1基板103の主面S1F(第1主面)は、第1レジスト膜1Bおよび第2レジスト膜2Bを挟んで第2基板203の主面PS1F(第2主面)と対向している。第1基板103の第1電極パッドP11と第2基板203の第2電極パッドP21とは、導電性接合材を介して接合される。また、第1基板103の補強用電極パッドEP11と第2基板203の補強用電極パッドEP21とが、導電性接合材を介して接合され、第1基板103の補強用電極パッドEP12と第2基板203の補強用電極パッドEP22とが、導電性接合材を介して接合される(図示省略)。このようにして、第1基板103と第2基板203とが接合されることにより、一つのケーブル401が形成される。
 本実施形態によれば、第1の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。
(c)本実施形態に係る第2基板203は、主面PS1Fに形成され、間隙を挟んで第2電極パッドP21に近接して配置される第2レジスト膜2Bを備えている。また、上記第2レジスト膜2Bの厚みは、第2電極パッドP21よりも厚い。この構成によれば、第1電極パッドP11に接合される第2電極パッドP21がクリアランスレジスト構造であるため、接合箇所における加熱加圧時の導電性接合材の飛散や導電性接合材の過剰な濡れ拡がりがさらに抑制され、導電性接合材の飛散等に起因する特性変化はさらに抑制される。
(d)本実施形態では、絶縁基材(第1絶縁基材10Bまたは第2絶縁基材20B)が、可撓性を有し、且つ、長尺状である。基板(例えば、第1基板)が可撓性を有する長尺状の場合に、上記基板をリフローはんだ法を用いて実装基板(例えば、第2基板)に実装すると、実装基板に載置する際等に基板が変形して実装位置がずれやすいため、ホットバーを用いて実装基板に基板を実装するのが適している。したがって、本発明のレジスト膜を設けることにより得られる作用効果(ホットバーを用いた加熱加圧時に、導電性接合材の飛散や導電性接合材の濡れ拡がりを抑制するという作用効果)は、絶縁基材が可撓性を有した長尺状である場合に特に有効である。
(e)また、本実施形態では、第2絶縁基材20Bが可撓性を有している。この構成によれば、ホットバーを用いた加熱加圧時に第1基板103が第2基板203に接触する場合でも、第2絶縁基材20Bが変形するため(緩衝材的に作用し)、第1基板103または第2基板203の破損が抑制される。なお、本実施形態では、第1絶縁基材10Bおよび第2絶縁基材20Bがいずれも可撓性を有しているため、上記作用効果がさらに高まる。
(f)ケーブル等の基板は、マザー基板状態で製造した後に複数の個片に分離する工法が一般的である。しかし、マザー基板から長い(または大きな)形状の基板を分離する場合には、得られる基板の個数は少ない。一方、本実施形態では、第1基板103と第2基板203とを接合することにより、一つのケーブル401(複合基板)を形成している。すなわち、マザー基板から分離した小さな個片(第1基板および第2基板)を接合することにより一つの大きな基板を形成するため、マザー基板から得られる基板の個数(取り個数)を多くできる。
(g)また、本実施形態に係るケーブル401は、可撓性を有する長尺状のケーブルである。このような長尺状のケーブルは曲げて使用されることが多く、曲げ応力によって第1基板103と第2基板203との接合部分が剥離する虞がある。本実施形態では、上記接合部分に複数の補強用電極パッドを設けているため、上記接合部分の接合強度が高まり、剥離を抑制できる。また、本実施形態では、2つの補強用電極パッドで電極パッドを挟む構造のため、曲げ応力による電極パッドの接合箇所の破損を抑制できる。
 また、クリアランスレジスト構造の電極パッドは、絶縁基材に対する接合強度が弱いため、絶縁基材の表面から剥離しやすい。一方、オーバーレジスト構造の補強用電極パッドは、クリアランスレジスト構造の電極パッドに比べて絶縁基材に対する接合強度が高いため、絶縁基材の表面から剥離し難い。特に、本実施形態では、クリアランスレジスト構造の電極パッドを、オーバーレジスト構造の複数の補強用電極パッドで挟む構造のため、接合箇所の剥離を効果的に抑制できる。
(h)また、本実施形態では、クリアランスレジスト構造(レジスト膜が間隙を挟んで電極パッドから離間して配置される構造)の第1電極パッドP11が、複数の補強用電極パッドEP11,EP12との間に配置されている。言い換えると、本実施形態では、多数のパッド(補強用電極パッドEP11,EP12等)に近接する第1電極パッドP11が、クリアランスレジスト構造である。この構成によれば、第1電極パッドP11の接合箇所において、加熱加圧時の導電性接合材の飛散等が抑制されるため、多数のパッド間での短絡等が抑制される。そのため、第1電極パッドP11が多数のパッドに近接している場合でも、加熱加圧時の導電性接合材の飛散等に起因する特性変化を抑制できる。なお、上記作用効果は、第2電極パッドP21と複数の補強用電極パッドEP21,EP22との関係についても同様である。
(i)本実施形態では、絶縁基材(第1絶縁基材10Bおよび第2絶縁基材20B)の長手方向が第1方向(X軸方向)に一致している。絶縁基材の長手方向が第1方向に一致する場合、絶縁基材が撓んだり曲がったりしたときに第1方向への応力を含んだ曲げ応力が、第1基板103と第2基板203との接合部分に掛かりやすい(第4の実施形態を参照)。そのため、複数の補強用電極パッドで第1方向に電極パッドを挟むことで、電極パッドの接合箇所の破損をより効果的に抑制できる。
 《第4の実施形態》
 第4の実施形態では、第1基板と第2基板の形状が第3の実施形態と異なる例を示す。
 図10は、第4の実施形態に係るケーブル402の主要部を示す外観斜視図である。本実施形態に係るケーブル402は、可撓性を有するクランク状(長尺状)のケーブルであり、第1基板104と第2基板204とを導電性接合材を介して接合してなる。
 本実施形態では、第2基板204が本発明の「基板接合部材」に相当する。
 図11は、第4の実施形態に係る第1基板104と第2基板204との接合部分を拡大して示した分解斜視図である。なお、図11では、構造を分かりやすくするため、第1電極パッドP11および第2電極パッドP21をドットパターンで示している。
 第1基板104は、第1絶縁基材10Cの形状が、第3の実施形態に係る第1基板103と異なる。また、第1基板104は、補強用電極パッドEP13,EP14をさらに備える点で、第1基板103と異なる。第1基板104の他の構成については、第1基板103と実質的に同じである。
 以下、第3の実施形態に係る第1基板103と異なる部分について説明する。
 第1絶縁基材10Cは、長手方向がX軸方向に一致するL字形の絶縁平板であり、互いに対向する主面S1F,S1Rおよび主面S2を有する。
 本実施形態では、第1絶縁基材10Cの主面S1Fが本発明の「第1主面」に相当する。また、X軸方向が本発明の「第1方向」に相当し、Y軸方向が本発明の「第2方向」に相当する。
 複数の補強用電極パッドEP11,EP12は、主面S1Fに形成され、X軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドEP13,EP14は、主面S1Fに形成され、Y軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドEP11,EP12,EP13,EP14は、第1基板104が備えるグランド導体(図示省略)に電気的に接続されている。
 第1電極パッドP11および複数の補強用電極パッドEP11,EP12は、第1絶縁基材10Cの第1端(図10における第1絶縁基材10Cの左下側端)付近に配置されている。図11に示すように、複数の補強用電極パッドEP11,EP12は、主面S1Fを平面視して(Z軸方向から視て)、Y軸方向に第1電極パッドP11を挟んで配置されている。複数の補強用電極パッドEP13,EP14は、主面S1Fを平面視して(Z軸方向から視て)、X軸方向に第1電極パッドP11を挟んで配置されている。
 第1レジスト膜1Cは、主面S1Fの略全面に形成され、第1電極パッドP11に近接して配置される保護膜である。第1レジスト膜1Cは、間隙を挟んで第1電極パッドP11から離間して配置されている(クリアランスレジスト構造)。
 なお、図示を省略するが、複数の補強用電極パッドEP11,EP12,EP13,EP14は、主面S1Fに形成された導体パターン(本発明の「第2導体」に相当する。)のうち第1レジスト膜1Cに覆われていない部分である。具体的には、第1レジスト膜1Cは、複数の補強用電極パッドEP11,EP12,EP13,EP14に対応した位置にそれぞれ開口を有する。これらの開口は、上記第2導体よりも面積が小さい。そのため、第1レジスト膜1Cが主面S1F上に形成されることにより、上記第2導体の一部(補強用電極パッドEP11,EP12,EP13,EP14)が露出する。このように、第1レジスト膜1Cは、主面S1Fに形成される第2導体の一部を覆っている(オーバーレジスト構造)。
 次に、第2基板について説明する。第2基板204は、第2絶縁基材20Cの形状が、第3の実施形態に係る第2基板203と異なる。また、第2基板204は、補強用電極パッドEP23,EP24をさらに備える点で、第2基板203と異なる。第2基板204の他の構成については、第2基板203と実質的に同じである。
 以下、第3の実施形態に係る第2基板203と異なる部分について説明する。
 第2絶縁基材20Cは、長手方向がX軸方向に一致するL字形の絶縁平板であり、互いに対向する主面PS1F,PS1Rおよび主面PS2を有する。
 本実施形態では、第2絶縁基材20Cの主面PS1Fが本発明の「第2主面」に相当する。
 複数の補強用電極パッドEP21,EP22は、主面PS1Fに形成され、X軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドEP23,EP24は、主面PS1Fに形成され、Y軸方向に延伸する線状の導体パターンである。複数の補強用電極パッドEP21,EP22,EP23,EP24は、第2基板204が備えるグランド導体(図示省略)に電気的に接続されている。
 第2電極パッドP21および複数の補強用電極パッドEP21,EP22は、第2絶縁基材20Cの第1端(図10における第2絶縁基材20Cの右上側端)付近に配置されている。図11に示すように、複数の補強用電極パッドEP21,EP22は、主面PS1Fを平面視して(Z軸方向から視て)、Y軸方向に第2電極パッドP21を挟んで配置されている。複数の補強用電極パッドEP23,EP24は、主面PS1Fを平面視して(Z軸方向から視て)、X軸方向に第2電極パッドP21を挟んで配置されている。
 第2レジスト膜2Cは、主面PS1Fの略全面に形成され、第2電極パッドP21に近接して配置される保護膜である。第2レジスト膜2Cは、間隙を挟んで第2電極パッドP21から離間して配置されている(クリアランスレジスト構造)。
 なお、図示を省略するが、複数の補強用電極パッドEP21,EP22,EP23,EP24は、主面PS1Fに形成された導体パターンのうち第2レジスト膜2Cに覆われていない部分である。具体的には、第2レジスト膜2Cは、複数の補強用電極パッドEP21,EP22,EP23,EP24に対応した位置にそれぞれ開口を有する。これらの開口は、上記導体パターンよりも面積が小さい。そのため、第2レジスト膜2Cが主面PS1F上に形成されることにより、上記導体パターンの一部(補強用電極パッドEP21,EP22,EP23,EP24)が露出する。このように、第2レジスト膜2Cは、主面PS1Fに形成される導体パターンの一部を覆っている(オーバーレジスト構造)。
 図11に示すように、第1基板104の主面S1F(第1主面)は、第1レジスト膜1Cおよび第2レジスト膜2Cを挟んで第2基板204の主面PS1F(第2主面)と対向している。第1基板104の第1電極パッドP11と第2基板204の第2電極パッドP21とは、導電性接合材を介して接合される。また、補強用電極パッドEP11と補強用電極パッドEP21とが導電性接合材を介して接合され、補強用電極パッドEP12と補強用電極パッドEP22とが導電性接合材を介して接合され、補強用電極パッドEP13と補強用電極パッドEP23とが導電性接合材を介して接合され、補強用電極パッドEP14と補強用電極パッドEP24とが導電性接合材を介して接合される(図示省略)。このようにして、第1基板104と第2基板204とが接合されることにより、一つのケーブル402が形成される。
 本実施形態に係るケーブル402は例えば次のように用いられる。図12は、第4の実施形態に係る電子機器302の主要部を示す斜視図である。
 電子機器302は、ケーブル402、実装基板501,502等を備える。実装基板501,502には、多数の電子部品等が実装されるが、図示を省略している。実装基板501,502は、例えばプリント配線板である。
 図12に示すように、ケーブル402は、曲げ部CR1,CR2を有する。具体的には、ケーブル402は、フレキシブル部(図10に示す第1基板104のフレキシブル部FP1と、第2基板204のフレキシブル部FP2)が曲げられた状態で、実装基板501,502間に接続されている。ケーブル402のコネクタ(51)は、実装基板501に実装されたレセプタクル(図示省略)に接続されている。また、ケーブル402のコネクタ52は、実装基板502に実装されたレセプタクル72に接続されている。
 本実施形態によれば、第3の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。
(j)本実施形態では、複数の補強用電極パッドEP13,EP14が、主面S1Fを平面視して(Z軸方向から視て)、第1方向(X軸方向)に第1電極パッドP11を挟んで配置されている。また、複数の補強用電極パッドEP11,EP12が、主面S1Fを平面視して(Z軸方向から視て)、第2方向(Y軸方向)に第1電極パッドP11を挟んで配置されている。この構成によれば、4つの補強用電極パッドで電極パッドを挟む構造のため、絶縁基材が曲がった場合等の曲げ応力による電極パッドの接合箇所の破損がさらに抑制される。
 《その他の実施形態》
 以上に示した各実施形態では、第1絶縁基材および第2絶縁基材が、直方体状またはL字形の平板である例を示したが、第1絶縁基材および第2絶縁基材の形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。第1絶縁基材および第2絶縁基材の形状は、例えば平面形状が多角形、円形、楕円形、T字形、Y字形、クランク形等であってもよい。
 以上に示した各実施形態では、第1絶縁基材が、熱可塑性樹脂を主材料とする樹脂平板、または、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される積層体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。第1絶縁基材は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の平板であってもよく、低温同時焼成セラミックス(LTCC)の誘電体セラミックであってもよい。また、第1絶縁基材は、複数の樹脂の複合積層体であってもよく、例えばガラス/エポキシ基板等の熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂とが積層されて形成される構成でもよい。また、積層体である第1絶縁基材は、積層した複数の絶縁基材層を加熱プレスすることで表面同士を融着するものに限らず、各絶縁基材層間に接着材層を有する構成でもよい。なお、第2絶縁基材についても、上述した第1絶縁基材と同様に、各実施形態で示した構成に限定されるものではない。
 また、以上に示した各実施形態では、第1電極パッドP11,P12および第2電極パッドP21が矩形の導体パターンである例を示したが、この構成に限定されるものではない。第1電極パッドおよび第2電極パッドの形状、個数等は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。第1電極パッドおよび第2電極パッドの形状は、例えば、線状、多角形、円形、楕円形、円弧状、環状、L字形、T字形、Y字形、クランク形等であってもよい。
 以上に示した各実施形態では、線状の補強用電極パッドを2つまたは4つ備える基板(第1基板および第2基板)の例を示したが、補強用電極パッドの形状、個数等は本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。補強用電極パッドの形状は、例えば線状、多角形、円形、楕円形、円弧状、環状、L字形、T字形、Y字形、クランク形等であってもよい。
 なお、第1基板(基板)または第2基板(基板接合部材)には、例えば、信号導体およびグランド導体以外の導体パターンが形成されていてもよい。また、第1基板または第2基板には、導体パターンでインダクタ、キャパシタや各種フィルタ(ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ)等の周波数フィルタが形成されていてもよい。さらに、第1基板または第2基板には、各種伝送線路(例えば、ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナライン等)が形成されていてもよい。
 また、第1基板(基板)または第2基板(基板接合部材)には、チップ部品等の各種部品が実装(または、埋設)されていてもよい。
 最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
CP,CP11,CP12…第1レジスト膜の開口
EP11,EP12,EP13,EP14,EP21,EP22,EP23,EP24…補強用電極パッド
FP1…第1基板のフレキシブル部
FP2…第2基板のフレキシブル部
RP1…第1基板のリジッド部
RP2…第2基板のリジッド部
MR…接合範囲
CR1,CR2…曲げ部
P11,P12…第1電極パッド
P21,P22,P23…第2電極パッド
S1…第1絶縁基材の主面(第1主面)
S1F…第1絶縁基材の主面(第1主面)(フレキシブル部)
S1R…第1絶縁基材の主面(リジッド部)
S2…第1絶縁基材の主面
PS1…第2絶縁基材の主面(第2主面)
PS1F…第2絶縁基材の主面(第2主面)(フレキシブル部)
PS1R…第2絶縁基材の主面(リジッド部)
PS2…第2絶縁基材の主面
SP…導電性接合材の飛散部
WP…導電性接合材の濡れ拡がり部
V1,V2…層間接続導体
1,1A,1B,1C…第1レジスト膜
2B,2C…第2レジスト膜
3…ホットバー
5…導電性接合材
5P…導電性ペースト
10,10A,10B,10C…第1絶縁基材
20,20B,20C…第2絶縁基材
41…導体
51,52…コネクタ
61,62…第1導体
72…レセプタクル
100,101,102,103,104…第1基板(基板)
201,203,204…第2基板(基板接合部材)
301,302…電子機器
401,402…ケーブル

Claims (14)

  1.  主面を有する絶縁基材と、
     前記主面に形成される電極パッドと、
     前記主面に形成され、前記電極パッドに近接して配置されるレジスト膜と、
     を備え、
     前記レジスト膜は、間隙を挟んで前記電極パッドから離間して配置され、前記電極パッドよりも厚い、
     基板。
  2.  前記レジスト膜は、前記主面を平面視して、前記電極パッドの全周を囲むように形成される、請求項1に記載の基板。
  3.  前記絶縁基材は、可撓性を有し、且つ、長尺状である、請求項1または2に記載の基板。
  4.  前記電極パッドの表面に、所定量の導電性ペーストがプリコートされている、請求項1から3のいずれかに記載の基板。
  5.  前記絶縁基材に形成される第1導体と、
     前記絶縁基材の内部に形成される層間接続導体と、
     を備え、
     前記電極パッドと前記第1導体とは、前記層間接続導体を介して接続されている、請求項1から4のいずれかに記載の基板。
  6.  前記電極パッドの数は複数であり、
     前記レジスト膜の少なくとも一部は、複数の前記電極パッド間に位置している、請求項1から5のいずれかに記載の基板。
  7.  前記主面に形成される複数の補強用電極パッドをさらに備え、
     前記複数の補強用電極パッドは、前記主面を平面視して、第1方向に前記電極パッドを挟んで配置される、請求項1から6のいずれかに記載の基板。
  8.  前記絶縁基材は長手方向を有し、
     前記長手方向は前記第1方向に一致する、請求項7に記載の基板。
  9.  前記複数の補強用電極パッドは、前記主面を平面視して、前記第1方向に直交する第2方向に前記電極パッドを挟んで配置される、請求項7または8に記載の基板。
  10.  前記主面に形成され、表面の一部が前記レジスト膜で覆われる第2導体を備え、
     前記複数の補強用電極パッドは、前記第2導体のうち前記レジスト膜に覆われてない部分である、請求項7から9のいずれかに記載の基板。
  11.  基板と、基板接合部材とを備える、基板接合構造であって、
     前記基板は、
      第1主面を有する第1絶縁基材と、
      前記第1主面に形成される第1電極パッドと、
      前記第1主面に形成され、前記第1電極パッドに近接して配置される第1レジスト膜と、
      を有し、
      前記第1レジスト膜は、間隙を挟んで前記第1電極パッドから離間して配置され、前記第1電極パッドよりも厚く、
     前記基板接合部材は、
      第2主面を有する第2絶縁基材と、
      前記第2主面に形成される第2電極パッドと、
      を有し、
     前記第1主面は、前記第1レジスト膜を挟んで前記第2主面と対向し、
     前記第1電極パッドと前記第2電極パッドとは、導電性接合材を介して接合されている、基板接合構造。
  12.  前記基板接合部材は、前記第2主面に形成され、第2電極パッドに近接して配置される第2レジスト膜を有し、
     前記第2レジスト膜は、間隙を挟んで前記第2電極パッドから離間して配置され、前記第2電極パッドよりも厚く、
     前記第1主面は、前記第1レジスト膜および前記第2レジスト膜を挟んで前記第2主面と対向する、請求項11に記載の基板接合構造。
  13.  前記第1絶縁基材は可撓性を有する、請求項11または12に記載の基板接合構造。
  14.  前記第2絶縁基材は可撓性を有する、請求項11から13のいずれかに記載の基板接合構造。
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