JP7006802B2 - 樹脂多層基板 - Google Patents

Description

本発明は、樹脂多層基板に関し、特に、異なる複数の樹脂基材を備える樹脂多層基板に関する。

従来、弾性率の異なる複数の樹脂層を積層してなる絶縁基材と、樹脂基材に形成される導体パターンと、を備えた樹脂多層基板が知られている。

例えば、特許文献１には、第１樹脂層と第２樹脂層とを積層してなる構造において、相対的に弾性率の高い第１樹脂層が実装面側に配置され、第１樹脂層と第２樹脂層との接合面（界面）に凹凸を有する樹脂多層基板が開示されている。この構成により、第１樹脂層と第２樹脂層との接合強度を高めることができるため、線膨張係数の違いや外力による第１樹脂層と第２樹脂層との接合面の剥離が抑制される。また、この構成により、弾性率の高い第１樹脂層が配置される実装面の機械的強度が高まり、実装面の平坦性を高めることができるため、他の回路基板への実装性が高まる。

国際公開第２０１８／１００９２２号

しかし、特許文献１に記載の樹脂多層基板では、凹凸のある樹脂基材の表面に導体パターンが形成されていると、導体パターンの変形により、樹脂多層基板に形成される回路を所定の電気的特性に制御することが難しい。

本発明の目的は、弾性率が異なる複数の樹脂基材を備える構成において、線膨張係数の違いや外力による樹脂基材同士の接合面の剥離を抑制し、実装面の機械的強度を高めつつ、所定の電気的特性を有する樹脂多層基板を提供することにある。

本発明の樹脂多層基板は、
第１主面を有し、複数の第１樹脂層および複数の第２樹脂層を積層してなる絶縁基材と、
前記絶縁基材に形成される導体パターンと、
前記第１主面のみに形成される実装電極と、
を備え、
前記第２樹脂層のヤング率は、前記第１樹脂層のヤング率よりも高く、
前記複数の第１樹脂層および前記複数の第２樹脂層は、前記複数の第１樹脂層および前記複数の第２樹脂層の積層方向に分散配置され、
前記絶縁基材は、前記積層方向に二等分したときに、前記第１主面側に位置する第１部分と、前記第１主面から離れた第２部分と、を有し、
前記第１部分における第２樹脂層の体積比率は、前記第２部分における第２樹脂層の体積比率よりも高いことを特徴とする。

この構成によれば、複数の第１樹脂層および複数の第２樹脂層が分散配置され、第１樹脂層と第２樹脂層との接合面が複数存在するため、線膨張係数の違いや外力が掛かることによって生じる応力が、上記接合面の一つに集中することなく分散される。そのため、樹脂層間の線膨張係数の相違や外力が掛かった場合でも、第１樹脂層と第２樹脂層との接合面が一つである絶縁基材に比べて、層間剥離を抑制できる。

また、この構成によれば、応力が一つの接合面に集中することなく分散されるため、上記接合面に凹凸を形成することなく上記接合面の剥離を抑制できる。そのため、接合面に形成される導体パターンの変形に起因する、電気的特性の変動は生じ難い。したがって、所定の電気的特性を有する回路を樹脂多層基板に形成しやすい。

さらに、この構成によれば、絶縁基材の第１主面（実装面）側のヤング率が相対的に高まるため、樹脂多層基板の実装時や熱加工時における第１主面の変形が抑制される。そのため、他の回路基板に対する樹脂多層基板の実装不良や、樹脂多層基板に対する実装部品の実装不良を抑制できる。

本発明によれば、弾性率が異なる複数の樹脂基材を備える構成において、線膨張係数の違いや外力による樹脂基材同士の接合面の剥離を抑制し、実装面の機械的強度を高めつつ、所定の電気特性を有する樹脂多層基板を実現できる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の断面図であり、図１（Ｂ）は樹脂多層基板１０１の平面図である。 図２は、樹脂多層基板１０１の分解平面図である。 図３は、第１の実施形態に係る電子機器５０１の主要部を示す断面図である。 図４は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。 図５は、第２の実施形態に係る電子機器５０２の主要部を示す断面図である。 図６は、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の外観斜視図である。 図７は、樹脂多層基板１０３の断面図である。 図８は、第３の実施形態に係る電子機器５０３の主要部を示す断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の断面図であり、図１（Ｂ）は樹脂多層基板１０１の平面図である。図２は、樹脂多層基板１０１の分解平面図である。

樹脂多層基板１０１は、絶縁基材３０、絶縁基材３０の表面または内部に形成される導体パターン（信号導体パターン４１、グランド導体パターン５１，５２および複数の接続用導体パターン５３）、実装電極Ｐ１，Ｐ２、複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２，ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ１３および保護膜１，２等を備える。

絶縁基材３０は、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。絶縁基材３０は、熱可塑性樹脂を主成分とする素体である。

図１（Ａ）等に示すように、絶縁基材３０の第１主面ＶＳ１には、実装電極Ｐ１，Ｐ２、グランド導体パターン５１および保護膜１が形成されている。絶縁基材３０の内部には、信号導体パターン４１、複数の接続用導体パターン５３および複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２，ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ１３が形成されている。絶縁基材３０の第２主面ＶＳ２には、グランド導体パターン５２および保護膜２が形成されている。

絶縁基材３０は、複数の第１樹脂層１１，１２および複数の第２樹脂層２１，２２，２３を積層してなる積層体である。具体的には、絶縁基材３０は、第２樹脂層２１，２２、第１樹脂層１１、第２樹脂層２３および第１樹脂層１２をこの順に積層して形成されている。第１樹脂層１１，１２および第２樹脂層２１，２２，２３は、それぞれ可撓性を有し、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の樹脂（熱可塑性樹脂）平板である。第２樹脂層２１，２２，２３のヤング率（Ｅ２）は、第１樹脂層１１，１２のヤング率（Ｅ１）よりも高い（Ｅ１＜Ｅ２）。第１樹脂層１１，１２は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とするシートである。第２樹脂層２１，２２，２３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を主成分とする樹脂シートである。

本実施形態では、複数の第１樹脂層１１，１２および複数の第２樹脂層２１，２２，２３が、第１樹脂層１１，１２および第２樹脂層２１，２２，２３の積層方向（Ｚ軸方向）に分散配置されている。なお、「複数の第１樹脂層および複数の第２樹脂層が分散配置される」とは、第１樹脂層が積層方向に第２樹脂層で挟まれており、且つ、第２樹脂層が積層方向に第１樹脂層で挟まれている状態を言う。

第２樹脂層２１の裏面には、実装電極Ｐ１，Ｐ２およびグランド導体パターン５１が形成されている。実装電極Ｐ１は、第２樹脂層２１の第１端（図２における第２樹脂層２１の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ２は、第２樹脂層２１の第２端（図２における第２樹脂層２１の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体パターン５１は、第２樹脂層２１の略全面に形成される平面状の導体パターンである。実装電極Ｐ１，Ｐ２およびグランド導体パターン５１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

第１樹脂層１１の表面には、信号導体パターン４１および複数の接続用導体パターン５３が形成されている。信号導体パターン４１は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。複数の接続用導体パターン５３は、第１樹脂層１１の第１端（図２における第１樹脂層１１の左端）付近および第２端（図２における第１樹脂層１１の右端）付近にそれぞれ配置される矩形の導体パターンである。信号導体パターン４１および接続用導体パターン５３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

第１樹脂層１２の表面には、グランド導体パターン５２が形成されている。グランド導体パターン５２は、第１樹脂層１２の略全面に形成された平面状の導体パターンである。グランド導体パターン５２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

保護膜１は、第２樹脂層２１の裏面（絶縁基材３０の第１主面ＶＳ１）に積層される保護膜であり、平面形状が第２樹脂層２１と略同じである。保護膜２は、第１樹脂層１２の表面（絶縁基材３０の第２主面ＶＳ２）に積層される保護膜であり、平面形状が第１樹脂層１２と略同じである。保護膜１，２は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、エポキシ樹脂膜等である。

保護膜１は、複数の開口ＯＰ１，ＯＰ２，ＯＧ１，ＯＧ２を有する。開口ＯＰ１は、実装電極Ｐ１の位置に応じた位置に形成されており、開口ＯＰ２は、実装電極Ｐ２の位置に応じた位置に形成されている。そのため、第２樹脂層２１の裏面に保護膜１が形成された場合でも、開口ＯＰ１から実装電極Ｐ１が外部に露出し、開口ＯＰ２から実装電極Ｐ２が外部に露出する。また、複数の開口ＯＧ１は、保護膜１の第１端（図２における保護膜１の左端）付近に形成されており、複数の開口ＯＧ２は、保護膜１の第２端（図２における保護膜１の右端）付近に形成されている。そのため、第２樹脂層２１の裏面に保護膜１が形成された場合でも、複数の開口ＯＧ１，ＯＧ２からグランド導体パターン５１の一部が外部に露出する。本実施形態では、複数の開口ＯＧ１，ＯＧ２から露出するグランド導体パターン５１の一部がグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２である。

図１（Ａ）等に示すように、実装電極Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を介して、信号導体パターン４１の一端に接続される。信号導体パターン４１の他端は、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２を介して、実装電極Ｐ２に接続される。このように、実装電極Ｐ１，Ｐ２は互いに電気的に接続されている。また、図２等に示すように、グランド導体パターン５１（グランド電極ＰＧ１，ＰＧ２）は、接続用導体パターン５３および層間接続導体ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ１３を介して、グランド導体パターン５２に接続される。

本実施形態では、信号導体パターン４１、グランド導体パターン５１，５２、信号導体パターン４１とグランド導体パターン５１とで挟まれる第１樹脂層１１および第２樹脂層２１，２２、信号導体パターン４１とグランド導体パターン５２とで挟まれる第１樹脂層１２および第２樹脂層２３、を含んだストリップライン構造の伝送線路が構成されている。

図１（Ａ）に示すように、絶縁基材３０は、第１部分Ｆ１および第２部分Ｆ２を有する。具体的には、第１部分Ｆ１は、絶縁基材３０を積層方向（Ｚ軸方向）に二等分したとき（図１（Ａ）における分割平面ＭＳで分割したとき）に、第１主面ＶＳ１側に位置する部分を言う。第２部分Ｆ２は、絶縁基材３０を積層方向に二等分したときに、第１主面ＶＳ１から離れている部分を言う。第１部分Ｆ１における第２樹脂層の体積比率は、第２部分Ｆ２における第２樹脂層の体積比率よりも高い。また、第１部分Ｆ１における第２樹脂層の体積比率は、第１部分Ｆ１における第１樹脂層の体積比率よりも高い。ここで、「第１部分における第２樹脂層の体積比率」とは、第１部分Ｆ１の体積に占める第２樹脂層の体積の割合のことを言い、「第２部分における第２樹脂層の体積比率」とは、第２部分Ｆ２の体積に占める第２樹脂層の体積の割合のことを言う。図１（Ａ）では、実装電極が位置する側に最も近い樹脂層が第２樹脂層２１になっているが、上記体積比率が満たされていれば、実装電極が位置する側に最も近い樹脂層は第１樹脂層であってもよい。

本実施形態における第２樹脂層２１は第１主面ＶＳ１（実装面）を有するため、相対的にヤング率の高いものが望ましい。また、第１主面ＶＳ１を有する第２樹脂層２１の線膨張係数は、実装先の回路基板、または樹脂多層基板に実装される実装部品に一致することが望ましい。そのような材質（第２樹脂層の材料）として、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）やエポキシ樹脂（ＥＰ）等が挙げられる。一方、第１樹脂層１１，１２は、直接第１主面ＶＳ１（実装面）を有する樹脂層ではなく、このような制約は小さい。そのため、第１樹脂層１１，１２には、目的に沿った物性を有する材質を選択すればよい。本実施形態のように、樹脂多層基板が高周波用に用いられる場合には、第１樹脂層１１，１２が高周波特性に優れた材質であることが望まく、そのような材質（第１樹脂層の材料）として、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）が挙げられる。

本実施形態では、第１樹脂層１１，１２が、第２樹脂層２１，２２，２３よりも高周波特性に優れる。具体的には、第１樹脂層１１，１２の比誘電率（ε１）が、第２樹脂層２１，２２，２３の比誘電率（ε２）よりも低い（ε１＜ε２）。また、第１樹脂層１１，１２の誘電正接は、第２樹脂層２１，２２，２３の誘電正接よりも小さい。

また、本実施形態では、図１（Ａ）および図２等に示すように、層間接続導体ＶＧ１２およびＶＧ１３が、接続用導体パターン５３を介して接続されている。層間接続導体ＶＧ１２は一部が第１樹脂層１１に形成された導体であり、層間接続導体ＶＧ１３は一部が第２樹脂層２３に形成された導体である。接続用導体パターン５３は、互いに隣接する第１樹脂層１１と第２樹脂層２３との界面に配置され、且つ、層間接続導体ＶＧ１２と層間接続導体ＶＧ１３とで挟まれる導体パターンである。なお、層間接続導体ＶＧ１２は、本発明における「第１層間接続導体」の一例であり、層間接続導体ＶＧ１３は本発明における「第２層間接続導体」の一例である。

接続用導体パターン５３の面積（ＡＣ）は、積層方向（Ｚ軸方向）から視た層間接続導体ＶＧ１２の面積（Ａ１）よりも大きく、Ｚ軸方向から視た層間接続導体ＶＧ１３の面積（Ａ２）よりも大きい（ＡＣ＞Ａ１，ＡＣ＞Ａ２）。

次に、樹脂多層基板１０１の実装例について、図を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る電子機器５０１の主要部を示す断面図である。本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は表面実装部品である。

電子機器５０１は、樹脂多層基板１０１および回路基板４０１等を備える。図３に示すように、回路基板４０１の第１面Ｓ１には、外部電極ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ１１，ＥＰ１２および保護膜３が形成されている。回路基板４０１は、例えばガラス／エポキシ基板である。

樹脂多層基板１０１は、回路基板４０１の第１面Ｓ１に実装されている。具体的には、樹脂多層基板１０１の実装電極Ｐ１は、はんだ等の導電性接合材５を介して、回路基板４０１の外部電極ＥＰ１に接続されている。樹脂多層基板１０１の実装電極Ｐ２は、導電性接合材５を介して、回路基板４０１の外部電極ＥＰ２に接続されている。また、樹脂多層基板１０１のグランド電極ＰＧ１は、導電性接合材５を介して、回路基板４０１の外部電極ＥＰ１１に接続されている。また、樹脂多層基板１０１のグランド電極ＰＧ２は、導電性接合材５を介して、回路基板４０１の外部電極ＥＰ１２に接続されている。なお、図示省略するが、回路基板４０１の第１面Ｓ１には他のチップ部品等も実装されている。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態に係る絶縁基材３０は、複数の第１樹脂層１１，１２および第２樹脂層２１，２２，２３が分散配置された積層体である。この構成によれば、第１樹脂層と第２樹脂層との接合面が複数存在するため、第１樹脂層と第２樹脂層との線膨張係数の違いや外力が掛かることによって生じる応力が、上記接合面の一つに集中することなく分散される。そのため、樹脂層間の線膨張係数の相違や外力が掛かった場合でも、第１樹脂層と第２樹脂層との接合面が一つである絶縁基材に比べて、層間剥離を抑制できる。

また、上記構成によれば、応力が一つの接合面に集中することなく分散されるため、上記接合面に凹凸を形成することなく上記接合面の剥離を抑制できる。そのため、接合面に形成される導体パターンの変形に起因する、電気的特性の変動は生じ難い。したがって、所定の電気的特性を有する回路を樹脂多層基板に形成しやすい。

（ｂ）さらに、本実施形態では、第１部分Ｆ１（第１主面ＶＳ１側に位置する部分）における第２樹脂層の体積比率が、第２部分Ｆ２における第２樹脂層の体積比率よりも高い。この構成によれば、絶縁基材３０の第１主面ＶＳ１（実装面）側のヤング率が相対的に高まるため、樹脂多層基板の実装時（例えば、リフロー工程等）や熱加工時（例えば、加熱プレス時や、加熱による曲げ加工時）における第１主面ＶＳ１の変形が抑制される。そのため、他の回路基板に対する樹脂多層基板１０１の実装不良や、樹脂多層基板に対する実装部品の実装不良を抑制できる。

（ｃ）本実施形態では、第１樹脂層１１，１２の比誘電率（ε１）は、第２樹脂層２１，２２，２３の比誘電率（ε２）よりも低い（ε１＜ε２）。この構成によれば、図１（Ａ）等に示すように、高周波特性に優れる第１樹脂層１１が、信号導体パターン４１に接する位置に配置されているため、樹脂多層基板の高周波特性を向上できる。また、この構成によれば、複数の第２樹脂層のみを積層して形成された絶縁基材に比べて、樹脂多層基板１０１に形成される回路での導体損失を低減できる、または、樹脂多層基板１０１（絶縁基材３０）を薄くできる。具体的に説明すると、絶縁基材３０は、第２樹脂層２１，２２，２３よりも比誘電率の低い第１樹脂層１１，１２を含んで形成される。そのため、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に構成した場合に、絶縁基材３０に形成される導体パターンの線幅を広くでき、上記回路の導体損失を低減できる。また、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に構成した場合に、導体パターンの線幅を狭くしなくても樹脂層を薄くでき、絶縁基材３０を薄型化できる。

さらに、絶縁基材３０は、第２樹脂層２１，２２，２３よりも誘電正接が小さい第１樹脂層１１，１２を含んで形成される。この構成により、複数の第２樹脂層のみを積層してなる絶縁基材の場合に比べて、誘電損失を低減できる。

（ｄ）本実施形態に係る絶縁基材３０は、熱可塑性樹脂の素体である。この構成によれば、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる樹脂多層基板を実現できる。

（ｅ）本実施形態では、第１樹脂層１１に形成される層間接続導体ＶＧ１２（第１層間接続導体）と、第２樹脂層２３に形成されるＶＧ１３（第２層間接続導体）とが、接続用導体パターン５３を介して接続されている。また、第１層間接続導体と第２層間接続導体とで挟まれた接続用導体パターン５３の面積（ＡＣ）は、積層方向（Ｚ軸方向）から視た層間接続導体ＶＧ１２，ＶＧ１３のいずれの面積（Ａ１，Ａ２）よりも大きい（ＡＣ＞Ａ１，ＡＣ＞Ａ２）。第１樹脂層と第２樹脂層のような異種材料同士の接合面（界面）には、物性差（例えば、線膨張係数差）によって積層する際に位置ずれが生じやすく、これらの異種材料にそれぞれ形成される層間導体同士を接続する場合、上記位置ずれにより接続不良が生じやすい。一方、上記構成によれば、面積の大きな接続用導体パターン５３を間に挟んで、第１樹脂層１１に形成された第１層間接続導体と、第２樹脂層２３に形成された第２層間接続導体とが接続されるため、物性差による位置ずれに起因した接合不良は生じ難い。言い換えると、第１層間接続導体と第２層間接続導体とを接続用導体パターン５３を介して接続する場合、接続用導体パターン５３の面積を大きくすることで、位置ずれによる接続不良を生じ難くできる。

なお、第２樹脂層２１と第２樹脂層２２のような同一材料同士の接合面（界面）では、位置ずれが生じ難いため、例えば層間接続導体ＶＧ１１，ＶＧ１２の接続部分のように、接続用導体パターンを介して層間接続導体同士を接続する必要はない。なお、本実施形態では、グランド導体パターン５１，５２間の接続に用いられる第１層間接続導体と第２層間接続導体とが、接続用導体パターンを介して接続される例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、信号導体パターン同士の接続に用いられる第１層間接続導体と第２層間接続導体とが、接続用導体パターンを介して接続される構成でもよい。

また、第１主面ＶＳ１に形成される保護膜１のヤング率（Ｅ０）は、第２樹脂層のヤング率（Ｅ２）よりも高いことが望ましい（Ｅ０＞Ｅ２）。この構成によれば、第１主面ＶＳ１側のヤング率がさらに高まるため、樹脂多層基板の実装時や熱加工時における第１主面ＶＳ１の変形をさらに抑制できる。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図４は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。なお、図４では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。

まず、図４中の（１）に示すように、複数の第１樹脂層１１，１２および複数の第２樹脂層２１，２２，２３を準備し、第１樹脂層１１，１２および第２樹脂層２１にそれぞれ導体パターンを形成する。

具体的には、第２樹脂層２１の裏面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることにより、第２樹脂層２１の裏面に実装電極Ｐ１，Ｐ２およびグランド導体パターン５１を形成する。また、第１樹脂層１１の表面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、第１樹脂層１１の裏面に第２樹脂層２２を貼り合わせた後、フォトリソグラフィでパターニングすることにより、第１樹脂層１１の表面に信号導体パターン４１を形成する。さらに、第１樹脂層１２の表面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、第１樹脂層１２の裏面に第２樹脂層２３を貼り合わせた後、フォトリソグラフィでパターニングすることにより、第１樹脂層１２の表面にグランド導体パターン５２を形成する。

第２樹脂層２１，２２，２３は、第１樹脂層１１，１２よりもヤング率が高く、形状保持性が高い。第１樹脂層１１，１２は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とするシートである。第２樹脂層２１，２２，２３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を主成分とする樹脂シートである。

また、第２樹脂層２１には層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１，ＶＧ１１が形成される。第１樹脂層１１と第２樹脂層２２とを貼り合わせたシートには、層間接続導体Ｖ１２，Ｖ２２，ＶＧ１２が形成される。第１樹脂層１２と第２樹脂層２３とを貼り合せたシートには、層間接続導体ＶＧ１３が形成される。具体的には、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１，ＶＧ１１は、第２樹脂層２１にレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレスで硬化させることによって設けられる。層間接続導体Ｖ１２，Ｖ２２，ＶＧ１２は、第１樹脂層１１および第２樹脂層２２にレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレスで硬化させることによって設けられる。また、層間接続導体ＶＧ１３は、第１樹脂層１２および第２樹脂層２３にレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレスで硬化させることによって設けられる。

次に、第２樹脂層２１，２２、第１樹脂層１１、第２樹脂層２３および第１樹脂層１２の順に積層（載置）する。その後、積層方向（Ｚ軸方向）に、第１樹脂層１１，１２および第２樹脂層２１，２２，２３を加熱プレス（一括プレス）することにより、図４中の（２）に示す絶縁基材３０を形成する。

その後、図４中の（３）に示すように、絶縁基材３０の第１主面ＶＳ１に保護膜１を形成し、絶縁基材３０の第２主面ＶＳ２に保護膜２を形成する。保護膜１，２は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、エポキシ樹脂膜等である。

最後に、集合基板から個々の個片に分離して樹脂多層基板１０１を得る。

この製造方法によれば、第１樹脂層１１，１２および第２樹脂層２１，２２，２３を一括プレスすることにより、絶縁基材３０を容易に形成できる。そのため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

なお、ヤング率の低い材料を用いた第１樹脂層１１，１２は変形しやすく、形状を保持しにくいため、第１樹脂層１１，１２単体では積層が困難になる場合がある。一方、この製造方法によれば、第１樹脂層に、相対的にヤング率の高い第２樹脂層を貼り合わせてから積層するため、形状を保持しやすくなり、積層が容易となる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、高さの異なる面を有する回路基板に、樹脂多層基板を接続した例を示す。

図５は、第２の実施形態に係る電子機器５０２の主要部を示す断面図である。

電子機器５０２は、樹脂多層基板１０２および回路基板４０２等を備える。後に詳述するように、本実施形態に係る樹脂多層基板１０２は、他の回路基板に実装される伝送線路基板である。

樹脂多層基板１０２は折り曲げられている（折り曲げ部ＦＰ１，ＦＰ２を有する）点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。また、樹脂多層基板１０２は、コネクタ６１，６２を備える点で、樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０２の他の構成については、樹脂多層基板１０１と実質的に同じである。

また、回路基板４０２は、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる第１面Ｓ１と第２面Ｓ２１，Ｓ２２とを有する点で、第１の実施形態に係る回路基板４０１と異なる。回路基板４０２は、レセプタクル７１，７２を備える点で、回路基板４０１と異なる。回路基板４０２の他の構成については、回路基板４０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る電子機器５０１と異なる部分について説明する。

図５に示すように絶縁基材３０は、伝送方向（Ｘ軸方向）に長い長尺状である。コネクタ６１，６２は第１主面ＶＳ１に実装されている。図示省略するが、コネクタ６１，６２は、導電性接合材を介して、樹脂多層基板１０２の実装電極およびグランド電極に接続されている。

図５に示すように、樹脂多層基板１０２は、折り曲げられた状態で回路基板４０２に実装されている。具体的には、樹脂多層基板１０２のコネクタ６１が、回路基板４０２の第２面Ｓ２１に実装されたレセプタクル７１に接続される。また、樹脂多層基板１０２のコネクタ６２は、回路基板４０２の第２面Ｓ２２に実装されたレセプタクル７２に接続されている。

このように、樹脂多層基板１０２を折り曲げた状態で実装することにより、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる面（第１面Ｓ１と第２面Ｓ２１，Ｓ２２）を有する回路基板への樹脂多層基板の実装が容易となる。なお、絶縁基材３０は、第２樹脂層よりもヤング率の低い第１樹脂層を含んで形成されるため、複数の第２樹脂層のみを積層して形成した絶縁基材に比べて、全体的に折り曲げやすくできる。

本実施形態のように樹脂多層基板を折り曲げる場合（折り曲げ部を有する場合）には、絶縁基材に生じる応力によって層間剥離が特に生じやすい。一方、本実施形態に係る構成によれば、絶縁基材３０に生じた応力を、第１樹脂層と第２樹脂層との複数の接合面に分散できるため、絶縁基材の層間剥離を抑制できる。すなわち、絶縁基材の層間剥離を抑制する点では、本実施形態で示したように、絶縁基材３０のうち折り曲げ部ＦＰ１，ＦＰ２が位置する部分が、複数の第１樹脂層および前記複数の第２樹脂層が積層方向に分散配置された部分であることが好ましい。

なお、本実施形態のように、絶縁基材３０が熱可塑性樹脂の素体である場合、加熱した状態で所望の形状（または、所望の形状に近い形状）に塑性変形させることができ、塑性変形した樹脂多層基板を回路基板等に実装することが可能となる。これにより、回路基板等への樹脂多層基板の実装または取り付け等をしやすくできる。また、絶縁基材３０を塑性変形させた場合には、コネクタを回路基板（レセプタクル）等に接続する際に生じる応力を小さくできる。なお、絶縁基材３０を塑性変形した場合、塑性変形していない絶縁基材３０を折り曲げてコネクタを回路基板等に接続する場合よりは小さくなるものの、コネクタを回路基板等に接続する際には応力が生じる。一方、本発明の構成（複数の第１樹脂層および第２樹脂層が分散配置された構成）によれば、絶縁基材３０に生じた上記応力に起因する層間剥離を抑制できる。

また、本実施形態に係る構成によれば、絶縁基材３０の第１主面ＶＳ１（実装面）側のヤング率が相対的に高いため、絶縁基材３０に対してコネクタ（実装部品）を実装する際に、実装部品を実装する部分（第１主面ＶＳ１）の変形を抑制できる。これにより、絶縁基材３０に対する実装部品の接合不良を抑制できる。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、樹脂多層基板が２つの回路基板同士を接続する例を示す。

図６は、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の外観斜視図である。図７は、樹脂多層基板１０３の断面図である。

樹脂多層基板１０３は、絶縁基材３０Ａ、信号導体パターン４１、導体パターン４２，４３、グランド導体パターン５１ａ、実装電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１，Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３および保護膜１ａ，１ｂ等を備える。

以下、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。

樹脂多層基板１０３は、本体部ＢＰ、接続部ＣＮおよび線路部ＳＬを有する。本体部ＢＰおよび接続部ＣＮは、他の回路基板に接続される部分である。線路部ＳＬには、本体部ＢＰと接続部ＣＮとを繋ぐ伝送線路が構成されている。

線路部ＳＬの樹脂層の積層数（２層）は、本体部ＢＰの樹脂層の積層数（５層）および接続部ＣＮの樹脂層の積層数（３層）よりも少なく、本体部ＢＰおよび接続部ＣＮよりも曲がり易く、可撓性を有する。一方、本体部ＢＰおよび接続部ＣＮは、線路部ＳＬよりも硬く、曲がり難い。

絶縁基材３０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板である。絶縁基材３０Ａは熱可塑性樹脂を主成分とする素体である。

絶縁基材３０Ａは、互いに対向する第１主面ＶＳ１Ａおよび第２主面ＶＳ２Ａを有する。第１主面ＶＳ１Ａおよび第２主面ＶＳ２Ａは、本体部ＢＰに位置する面である。また、絶縁基材３０Ａは、互いに対向する第１主面ＶＳ１Ｂ，ＶＳ１Ｃおよび第２主面ＶＳ２Ｂを有する。第１主面ＶＳ１Ｂ，ＶＳ１Ｃおよび第２主面ＶＳ２Ｂは、線路部ＳＬおよび接続部ＣＮに位置する面である。

絶縁基材３０Ａの第１主面ＶＳ１Ａには、実装電極Ｐ１，Ｐ３、グランド導体パターン５１ａおよび保護膜１ａが形成されている。絶縁基材３０Ａの第１主面ＶＳ１Ｃには、実装電極Ｐ２および保護膜１ｂが形成されている。絶縁基材３０Ａの内部には、信号導体パターン４１、導体パターン４２および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１，Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３が形成されている。絶縁基材３０Ａの第２主面ＶＳ２Ａには、放射導体パターン４３が形成されている。放射導体パターン４３も本発明における「導体パターン」の一例である。

絶縁基材３０Ａは、複数の第１樹脂層１１ａ，１２ａおよび複数の第２樹脂層２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２３ａを積層してなる積層体である。第１樹脂層１１ａ，１２ａの基本的な構成は、第１の実施形態で説明した第１樹脂層１１，１２と同じである。また、第２樹脂層２１ａ，２２ａ，２３ａの基本的な構成は、第１の実施形態で説明した第２樹脂層２１，２２，２３と同じである。

また、複数の第１樹脂層１１ａ，１２ａおよび複数の第２樹脂層２１ａ，２２ａ，２３ａは、本体部ＢＰにおいて、積層方向（Ｚ軸方向）に分散配置されている。具体的には、本体部ＢＰの絶縁基材３０Ａは、第２樹脂層２１ａ、第１樹脂層１１ａ、第２樹脂層２２ａ，２３ａおよび第１樹脂層１２ａをこの順に積層して形成されている。線路部ＳＬの絶縁基材３０Ａは、第１樹脂層１１ａおよび第２樹脂層２２ａをこの順に積層して形成されている。また、接続部ＣＮの絶縁基材３０Ａは、第２樹脂層２１ｂ、第１樹脂層１１ａおよび第２樹脂層２２ａをこの順に積層して形成されている。

第２樹脂層２１ａの裏面には、実装電極Ｐ１，Ｐ３およびグランド導体パターン５１ａが形成されている。実装電極Ｐ３は、第２樹脂層２１ａの第１端（図７における第２樹脂層２１ａの左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ１は、第２樹脂層２１ａの第２端（図７における第２樹脂層２１ａの右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体パターン５１ａは、第２樹脂層２１ａの略全面に形成される平面状の導体パターンである。グランド導体パターン５１ａの基本的な構成は、第１の実施形態で説明したグランド導体パターン５１と同じである。実装電極Ｐ３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

第２樹脂層２１ｂの裏面には、実装電極Ｐ２が形成されている。実装電極Ｐ２は、第２樹脂層２１ｂの略中央に配置される矩形の導体パターンである。

第１樹脂層１１ａの裏面には、信号導体パターン４１および導体パターン４２が形成されている。信号導体パターン４１は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンであり、第１樹脂層１１ａの中央よりも第２端（図７における第１樹脂層１１ａの右端）寄りの位置に配置される。導体パターン４２は、第１樹脂層１１ａの第１端（図７における第１樹脂層１１ａの左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

第１樹脂層１２ａの表面には、放射導体パターン４３が形成されている。放射導体パターン４３は、第１樹脂層１２ａの第１端（図７における第１樹脂層１２ａの左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。放射導体パターン４３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

保護膜１ａは、第２樹脂層２１ａの裏面（絶縁基材３０Ａの第１主面ＶＳ１Ａ）に積層される保護膜であり、平面形状が第２樹脂層２１ａと略同じである。保護膜１ａは、実装電極Ｐ１，Ｐ３の位置に応じた位置に形成される、開口を有する。そのため、第２樹脂層２１ａの裏面に保護膜１ａが形成された場合でも、それらの開口から実装電極Ｐ１，Ｐ３が外部に露出する。保護膜１ａは、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、エポキシ樹脂膜等である。

保護膜１ｂは、第２樹脂層２１ｂの裏面（絶縁基材３０Ａの第１主面ＶＳ１Ｃ）に積層される保護膜であり、平面形状が第２樹脂層２１ｂと略同じである。保護膜１ｂは、実装電極Ｐ２に応じた位置に形成される、開口を有する。そのため、第２樹脂層２１ｂの裏面に保護膜１ｂが形成された場合でも、その開口から実装電極Ｐ２が外部に露出する。保護膜１ｂは、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、エポキシ樹脂膜等である。

図７に示すように、実装電極Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１１を介して、信号導体パターン４１の一端に接続される。信号導体パターン４１の他端は、層間接続導体Ｖ２１を介して、実装電極Ｐ２に接続される。このように、実装電極Ｐ１，Ｐ２は互いに電気的に接続されている。また、実装電極Ｐ３は、導体パターン４２および層間接続導体Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３を介して、放射導体パターン４３に接続される。本実施形態では、放射導体パターン４３がアンテナの放射素子である。

また、本体部ＢＰの絶縁基材３０Ａは、第１部分Ｆ１および第２部分Ｆ２を有する。第１部分Ｆ１における第２樹脂層の体積比率は、第２部分Ｆ２における第２樹脂層の体積比率よりも高い。また、本実施形態では、放射導体パターン４３が第１樹脂層１２に接触している。

次に、樹脂多層基板１０３の実装例について、図を参照して説明する。図８は、第３の実施形態に係る電子機器５０３の主要部を示す断面図である。本実施形態に係る樹脂多層基板は、二つの回路基板同士を接続する基板である。

電子機器５０３は、樹脂多層基板１０３および回路基板４０１Ａ，４０２Ａ等を備える。電子機器５０３内において、樹脂多層基板１０３は、折り曲げ部ＦＰを有する。回路基板４０１Ａの第１面Ｓ１Ａには、外部電極ＥＰ１，ＥＰ３および保護膜３Ａが形成されている。また、回路基板４０２Ａの第１面Ｓ１Ｂには、外部電極ＥＰ２および保護膜３Ｂが形成されている。回路基板４０１Ａ，４０２Ａは、例えばガラス／エポキシ基板である。

樹脂多層基板１０３は、線路部ＳＬを折り曲げた状態で、回路基板４０１Ａ，４０２Ａに実装されている。なお、図示省略するが、回路基板４０１Ａの第１面Ｓ１Ａ、および回路基板４０２Ａの第１面Ｓ１Ｂには、他のチップ部品等も実装されている。

図８に示すように、本体部ＢＰは、回路基板４０１Ａの第１面Ｓ１Ａに実装され、接続部ＣＮは、回路基板４０２Ａの第１面Ｓ１Ｂに実装されている。具体的には、樹脂多層基板１０３の実装電極Ｐ１は、導電性接合材５を介して、回路基板４０１Ａの外部電極ＥＰ１に接続される。また、樹脂多層基板１０３の実装電極Ｐ３は、導電性接合材５を介して、回路基板４０１Ａの外部電極ＥＰ３に接続されている。

本実施形態では、放射導体パターン４３が、本体部ＢＰの第２主面ＶＳ２Ａに形成されている。この構成によれば、絶縁基材３０Ａの内部に放射導体パターン４３を形成する場合に比べ、他の導体（絶縁基材３０Ａに形成される他の導体パターンや、回路基板４０１Ａに形成される導体）等に放射導体パターンが不要結合することを抑制できる。

また、本実施形態では、放射導体パターン４３が、第１樹脂層１２ａに接触している。この構成によれば、放射導体パターンが、第２樹脂層２１ａ，２２ａ，２３ａよりも高周波特性に優れる第１樹脂層１２ａの近傍に配置されているため、高周波におけるアンテナの放射効率が高まる。

なお、本実施形態では、放射導体パターンが、絶縁基材（本体部）の第２主面に形成された樹脂多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。放射導体パターンは、絶縁基材に形成される導体パターンのうち、絶縁基材の第２主面に最も近接して配置される導体パターンであることが好ましい。但し、他の導体等との不要な結合を抑制する点において、放射導体パターンが、絶縁基材の第２主面に形成されることがより好ましい。また、本実施形態のように、第２部分Ｆ２（本体部ＢＰの第２主面ＶＳ２Ａ側）において高周波特性に優れた第１樹脂層の体積比率が高い場合には、放射導体パターンが第２部分Ｆ２に配置されることが好ましい。

本実施形態では、接続部ＣＮが線路部ＳＬよりも曲がり難いため、線路部ＳＬが折り曲げられていても、接続部ＣＮの形状保持性は高く、接続部ＣＮの回路基板４０２Ａへの実装性は高い。

本実施形態の樹脂多層基板１０３では、折り曲げ部ＦＰが位置する部分（線路部ＳＬ）は、第１樹脂層（１１ａ）および第２樹脂層（２２ａ）を有した積層体である。この構成によれば、折り曲げ部ＦＰが位置する線路部ＳＬの可撓性を、第１樹脂層と第２樹脂層との体積比率によって調整できる。つまり、保護膜等の他の部材を用いることなく、第１樹脂層と第２樹脂層との体積比率のみによって、所定の厚みで所定の可撓性を有する折り曲げ部を形成できる。

なお、本実施形態では、折り曲げ部ＦＰ（線路部ＳＬ）が、一つの第１樹脂層（１１ａ）と一つの第２樹脂層（２２ａ）を有した積層体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。折り曲げ部ＦＰは、複数の第１樹脂層および一つの第２樹脂層を有した積層体、または、一つの第１樹脂層および複数の第２樹脂層を有した積層体でもよい。

また、折り曲げ部ＦＰは、線路部ＳＬを塑性変形させ、折り曲げ部ＦＰの形状を維持（保持）してもよい。本実施形態では、絶縁基材３０Ａが熱可塑性樹脂の素体であるため、絶縁基材３０Ａを容易に塑性変形することができる。これにより、回路基板に対する樹脂多層基板のピックアップおよびハンドリングをしやすくできる。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、絶縁基材が矩形または略矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。絶縁基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。絶縁基材の平面形状は、例えばＬ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。また、樹脂多層基板の折り曲げ形状は、以上に示した各実施形態での構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

また、以上に示した各実施形態では、２つの第１樹脂層および３つの第２樹脂層を積層してなる絶縁基材３０，３０Ａについて示したが、本発明の絶縁基材はこの構成に限定されるものではない。絶縁基材を形成する第１樹脂層および第２樹脂層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、本発明の絶縁基材において、第１主面および第２主面に形成される保護膜は必須ではない。

以上に示した各実施形態では、絶縁基材３０，３０Ａが、熱可塑性樹脂の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。絶縁基材は熱硬化性樹脂の平板であってもよい。

なお、第２樹脂層の融点（Ｔｍ２）は、第１樹脂層の融点（Ｔｍ１）よりも高いことが望ましい（Ｔｍ１＜Ｔｍ２）。本発明の絶縁基材は、第１主面側に位置する第１部分Ｆ１における第２樹脂層の体積比率が、第２部分Ｆ２における第２樹脂層の体積比率よりも高い。そのため、この構成により、樹脂多層基板に熱を加えた際（リフロー工程や、加熱プレス時、加熱による曲げ加工時等）の第１主面の変形を抑制でき、実装不良を生じ難くできる。

また、樹脂多層基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで形成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂多層基板には、例えば他の各種伝送線路（マイクロストリップライン、ミアンダ、コプレーナ等）が形成されていてもよい。さらに樹脂多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

以上に示した各実施形態では、１つの伝送線路が構成された樹脂多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではなく、伝送線路の数は樹脂多層基板に形成される回路構成によって適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、矩形の実装電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が、絶縁基材の第１主面ＶＳ１に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。実装電極の形状・個数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。実装電極の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等であってもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＢＰ…樹脂多層基板の本体部
ＣＮ…樹脂多層基板の接続部
ＳＬ…樹脂多層基板の線路部
ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ３…外部電極
Ｆ１…絶縁基材の第１部分
Ｆ２…絶縁基材の第２部分
ＦＰ…折り曲げ部
ＭＳ…分割平面
ＯＰ１，ＯＰ２，ＯＧ１，ＯＧ２…開口
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３…実装電極
ＰＧ１，ＰＧ２…グランド電極
Ｓ１，Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ…第１面
Ｓ２１，Ｓ２２…第２面
Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３，Ｖ１１，Ｖ１２，ＶＧ１１…層間接続導体
ＶＧ１２…層間接続導体（第１層間接続導体）
ＶＧ１３…層間接続導体（第２層間接続導体）
ＶＳ１，ＶＳ１Ａ，ＶＳ１Ｂ，ＶＳ１Ｃ…第１主面
ＶＳ２，ＶＳ２Ａ，ＶＳ２Ｂ…第２主面
１，１ａ，１ｂ，２，３，３Ａ，３Ｂ…保護膜
５…導電性接合材
１１，１１ａ，１２，１２ａ…第１樹脂層
２１，２１ａ，２１ｂ，２２，２２ａ，２３，２３ａ…第２樹脂層
３０，３０Ａ…絶縁基材
４１…信号導体パターン
４２…導体パターン
４３…放射導体パターン
５１，５１ａ，５２…グランド導体パターン
５３…接続用導体パターン
６１，６２…コネクタ
７１，７２…レセプタクル
１０１，１０２，１０３…樹脂多層基板
４０１，４０１Ａ，４０２，４０２Ａ…回路基板
５０１，５０２，５０３…電子機器

Claims (14)

1. 第１主面を有し、複数の第１樹脂層および複数の第２樹脂層を積層してなる絶縁基材と、
   前記絶縁基材に形成される導体パターンと、
   前記第１主面のみに形成される実装電極と、
   を備え、
   前記第２樹脂層のヤング率は、前記第１樹脂層のヤング率よりも高く、
   前記複数の第１樹脂層および前記複数の第２樹脂層は、前記複数の第１樹脂層および前記複数の第２樹脂層の積層方向に分散配置され、
   前記絶縁基材は、前記積層方向に二等分したときに、前記第１主面側に位置する第１部分と、前記第１主面から離れた第２部分と、を有し、
   前記第１部分における前記第２樹脂層の体積比率は、前記第２部分における前記第２樹脂層の体積比率よりも高い、樹脂多層基板。
2. 前記第１主面に形成される保護膜を備え、
   前記保護膜のヤング率は、前記第１樹脂層のヤング率よりも高い、請求項１に記載の樹脂多層基板。
3. 前記第１樹脂層の比誘電率は、前記第２樹脂層の比誘電率よりも低い、請求項１または２に記載の樹脂多層基板。
4. 前記絶縁基材は、前記第１主面に対向する第２主面を有し、
   前記導体パターンのうち、前記第２主面に最も近接して配置される導体パターンは、放射導体パターンであり、
   前記第２主面に最も近接して配置される前記放射導体パターンは、前記複数の第１樹脂層のいずれかに接触している、請求項３に記載の樹脂多層基板。
5. 前記複数の第１樹脂層のうち、いずれか一つの第１樹脂層に形成される第１層間接続導体と、
   前記複数の第２樹脂層のうち、前記第１樹脂層に隣接する第２樹脂層に形成される第２層間接続導体と、
   を備え、
   前記導体パターンは、隣接する前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との界面に配置され、且つ、前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とで挟まれる接続用導体パターンを有し、
   前記第１層間接続導体および前記第２層間接続導体は、前記接続用導体パターンを介して接続され、
   前記接続用導体パターンの面積は、前記積層方向から視た前記第１層間接続導体の面積よりも大きく、前記積層方向から視た前記第２層間接続導体の面積よりも大きい、請求項１から４のいずれかに記載の樹脂多層基板。
6. 前記樹脂多層基板は折り曲げ部を有する、請求項１から５のいずれかに記載の樹脂多層基板。
7. 前記絶縁基材のうち前記折り曲げ部が位置する部分は、前記複数の第１樹脂層および前記複数の第２樹脂層が前記積層方向に分散配置された部分である、請求項６に記載の樹脂多層基板。
8. 前記折り曲げ部は、前記複数の第１樹脂層の少なくとも一つおよび前記第２樹脂層の少なくとも一つを有した積層体である、請求項６に記載の樹脂多層基板。
9. 前記絶縁基材は熱可塑性樹脂である、請求項１から８のいずれかに記載の樹脂多層基板。
10. 前記複数の第２樹脂層は、液晶ポリマーを主成分とする層である、請求項９に記載の樹脂多層基板。
11. 前記複数の第１樹脂層は、フッ素樹脂を主成分とする層である、請求項１から１０のいずれかに記載の樹脂多層基板。
12. 第１主面を有し、フッ素樹脂を主成分とする複数の第１樹脂層および液晶ポリマーを主成分とする複数の第２樹脂層を積層してなる絶縁基材と、
    前記絶縁基材に形成される導体パターンと、
    前記第１主面のみに形成される実装電極と、
    を備え、
    前記複数の第１樹脂層および前記複数の第２樹脂層は、前記複数の第１樹脂層および前記複数の第２樹脂層の積層方向に分散配置され、
    前記絶縁基材は、前記積層方向に二等分したときに、前記第１主面側に位置する第１部分と、前記第１主面から離れた第２部分と、を有し、
    前記第１部分における前記第２樹脂層の体積比率は、前記第２部分における前記第２樹脂層の体積比率よりも高い、樹脂多層基板。
13. 前記第１樹脂層はパーフルオロアルコキシアルカンを主成分とする、請求項１２に記載の樹脂多層基板。
14. 前記第１樹脂層はポリテトラフルオロエチレンを主成分とする、請求項１２に記載の樹脂多層基板。

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