JP7400821B2 - 伝送線路の製造方法及び伝送線路 - Google Patents

Description

本発明は、複数の絶縁性樹脂基材が積層されて形成された伝送線路の製造方法及び伝送線路に関する。

従来、導体パターンが形成された絶縁性樹脂基材が積層され熱圧着されることで構成される多層基板が知られている。

例えば、特許文献１には、それぞれ異なる材質からなる２つの絶縁性樹脂基材層を含む多層基板が示されている。

国際公開第２０１６／０４７５４０号

単一の絶縁性樹脂基材を積層して多層基板を構成する場合に比べて、材質の異なる２つの絶縁性樹脂基材層を積層して多層基板を構成する場合には、それ特有の問題がある。例えば、それぞれ異なる材質からなる第１絶縁性樹脂基材層と第２絶縁性樹脂基材層との間に導体パターンが配置される場合に、第１絶縁性樹脂基材層と第２絶縁性樹脂基材層と導体パターンに対する密着強度が異なるため、配置の仕方によっては、積層時の導体パターンの剥がれや、絶縁性樹脂基材層の流動に伴って、積層体内で本来の位置からずれたりして、所期の電気的特性が得られない場合がある。

本発明の目的は、２つの絶縁性樹脂基材層を含む伝送線路において、導体パターンの位置ずれが抑制された、電気的特性の安定性の高い伝送線路の製造方法、及び伝送線路を提供することにある。

本開示の一例としての伝送線路の製造方法は、それぞれ材質の異なる第１絶縁性樹脂基材層及び第２絶縁性樹脂基材層を含む伝送線路の製造方法であって、前記第１絶縁性樹脂基材層に導体膜を形成して第１導体膜付き絶縁性樹脂基材を構成する第１工程、または少なくとも前記第１絶縁性樹脂基材層を含む積層体において、前記積層体の主面を有する前記第１絶縁性樹脂基材層の主面上に導体膜を形成して第２導体膜付き絶縁性樹脂基材を構成する第２工程のいずれかの工程を含む導体膜付き絶縁性樹脂基材構成工程と、前記導体膜が前記第２絶縁性樹脂基材層に接触するように、前記第１導体膜付き絶縁性樹脂基材または前記第２導体膜付き絶縁性樹脂基材を、他の基材層と積層する積層工程と、前記第１導体膜付き絶縁性樹脂基材または前記第２導体膜付き絶縁性樹脂基材と前記他の基材層とを熱圧着する熱圧着工程と、を有し、前記導体膜に対する前記第１絶縁性樹脂基材層の密着性が、前記導体膜に対する前記第２絶縁性樹脂基材層の密着性より高く、前記導体膜は、信号導体を含み、かつ、グランド導体又はグランド導体と導通する電極の少なくともいずれかを含むことを特徴とする。

上記製造方法により、積層工程で、導体膜が第１絶縁性樹脂基材層から剥がれず、積層体内における導体膜の位置ずれの少ない伝送線路が得られる。

本開示の一例としての伝送線路は、それぞれ材質の異なる第１絶縁性樹脂基材層及び第２絶縁性樹脂基材層を含み、導体膜が形成された前記第１絶縁性樹脂基材層に前記第２絶縁性樹脂基材層が積層された伝送線路であって、前記第１絶縁性樹脂基材層と前記導体膜との密着強度は、前記第２絶縁性樹脂基材層と前記導体膜との密着強度よりも高く、前記導体膜は、信号導体を含み、かつ、グランド導体又はグランド導体と導通する電極の少なくともいずれかを含むことを特徴とする。

上記構造により、積層体内における導体膜の位置ずれの少ない、安定した電気的特性を有する伝送線路が得られる。

本発明によれば、２つの絶縁性樹脂基材層を含む伝送線路において、導体パターンの位置ずれが抑制された、電気的特性の安定性の高い伝送線路が得られる。

図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の斜視図である。 図２（Ａ）は、伝送線路を有する多層基板１０１の実装状態を示す、携帯電子機器の断面図であり、図２（Ｂ）は当該携帯電子機器の筐体内部の平面図である。 図３は、多層基板１０１を構成する積層体の各層の平面図である。 図４は、図３に示した各層の部分断面図である。 図５は多層基板１０１の全体の断面図である。 図６（Ａ）は、多層基板１０１のＡ－Ａ断面でのＹ－Ｚ面に平行な面の断面図であり、図６（Ｂ）は、Ｂ－Ｂ断面でのＹ－Ｚ面に平行な面の断面図である。 図７は、図６に示す部分の、積層前における断面図である。 図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、導体膜付き絶縁性樹脂基材の製造工程を示す断面図である。 図９は、第２の実施形態に係る多層基板の、各絶縁性樹脂基材層の積層前における、信号導体に延伸方向に対する垂直な面での断面図である。 図１０は、図９に示す部分の積層後における断面図である。 図１１は、第３の実施形態に係る多層基板の、各絶縁性樹脂基材層の積層前における、信号導体に延伸方向に対する垂直な面での断面図である。 図１２は、図１１に示す部分の積層後における断面図である。 図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）は、多層基板にコネクタを実装した構成の断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の斜視図である。この多層基板１０１は、所定の導体パターンが形成された絶縁性樹脂基材層の積層体で構成されている。本実施形態では、２つの端子電極１１及びグランド導体２１を有する伝送線路が構成されている。

図２（Ａ）は、上記伝送線路を有する多層基板１０１の実装状態を示す、携帯電子機器の断面図であり、図２（Ｂ）は当該携帯電子機器の筐体内部の平面図である。

携帯電子機器３０１は、薄型の筐体２１０を備える。筐体２１０内には、回路基板２０１ａ，２０１ｂと、バッテリーパック２０２等が配置される。回路基板２０１ａ，２０１ｂの表面には、チップ部品が実装される。

本実施形態の多層基板１０１は可撓性を有するので隙間に沿って曲げられる。この多層基板１０１は、その厚み方向と、筐体２１０の厚み方向とが一致するように配置することで、バッテリーパック２０２と筐体２１０との間に、多層基板１０１を通すことができる。これにより、バッテリーパック２０２を中間に配して離間された回路基板２０１ａ，２０１ｂを多層基板１０１で接続できる。

以降、本実施形態の多層基板１０１の構造及び製造方法について各図を参照して説明する。

図３は、多層基板１０１を構成する積層体の各層の平面図である。第１絶縁性樹脂基材層１Ａの上面にはグランド導体２２が形成されている。この第１絶縁性樹脂基材層１Ａの内部には、破線で示す円形状の層間接続導体が形成されている。第２絶縁性樹脂基材層２Ａには開口Ｈが形成されている。第１絶縁性樹脂基材層１Ｂの上面には信号導体１０及び電極２４が形成されている。この第１絶縁性樹脂基材層１Ｂの内部には、破線で示す円形状の層間接続導体が形成されている。第２絶縁性樹脂基材層２Ｂには開口Ｈが形成されている。第１絶縁性樹脂基材層１Ｃの下面にはグランド導体２１及び端子電極１１が形成されている。

図３に示した各層を積層し、例えば１８０℃以上３２０℃以下の範囲内の所定の温度（例えば３００℃）で加熱プレスすることにより、信号導体１０の端部１０Ｅは層間接続導体を介して端子電極１１に導通する。また、グランド導体２１とグランド導体２２とは層間接続導体及び電極２４を介して導通する。

図４は、図３に示した各層の部分断面図である。図５は多層基板１０１の全体の断面図である。本実施形態の多層基板の製造方法では、第１絶縁性樹脂基材層１Ａ，１Ｂ，１Ｃに導体膜を形成して導体膜付き絶縁性樹脂基材３Ａ，３Ｂ，３Ｃを構成する、導体膜付き絶縁性樹脂基材構成工程（第１工程）を備える。図４に示す例では、第１絶縁性樹脂基材層１Ａに銅箔を貼付し、それをフォトリソグラフィによりパターンニングすることでグランド導体２２を形成する。同様に、第１絶縁性樹脂基材層１Ｃに銅箔を貼付し、それをフォトリソグラフィによりパターンニングすることでグランド導体２１を形成する。また、第１絶縁性樹脂基材層１Ｂに銅箔を貼付し、それをフォトリソグラフィによりパターンニングすることで、信号導体１０及び電極２４を形成する。言い換えると、第１絶縁性樹脂基材層１Ｂに信号導体１０を形成して導体膜付き絶縁性樹脂基材３Ｂ（第１導体膜付き絶縁性樹脂基材）を構成する。

なお、図４に示す例では、第１絶縁性樹脂基材層１Ａに、グランド導体２２に接する層間接続導体Ｖを形成し、第１絶縁性樹脂基材層１Ｃに、グランド導体２１に接する層間接続導体Ｖを形成し、第１絶縁性樹脂基材層１Ｂに、電極２４に接する層間接続導体Ｖ及び信号導体１０に接する層間接続導体Ｖを形成する。

本実施形態の多層基板の製造方法では、上記導体膜付き絶縁性樹脂基材構成工程の後に、導体膜付き絶縁性樹脂基材３Ａ，３Ｂ，３Ｃを、第２絶縁性樹脂基材層２Ａ，２Ｂを介して積層する積層工程を有する。図４に示す例では、導体膜付き絶縁性樹脂基材３Ａの層間接続導体Ｖと導体膜付き絶縁性樹脂基材３Ｂの電極２４とが、第２絶縁性樹脂基材層２Ａの開口Ｈを介して接する。言い換えると、積層工程では、信号導体１０が第２絶縁性樹脂基材層２Ａに接触するように、導体膜付き絶縁性樹脂基材３Ｂ（第１導体膜付き絶縁性樹脂基材）を、第２絶縁性樹脂基材層２Ａと積層する。同様に、導体膜付き絶縁性樹脂基材３Ｃの層間接続導体Ｖと導体膜付き絶縁性樹脂基材３Ｂの層間接続導体Ｖとが、第２絶縁性樹脂基材層２Ｂの開口Ｈを介して接する。

図６（Ａ）は、多層基板１０１のＡ－Ａ断面でのＹ－Ｚ面に平行な面の断面図であり、図６（Ｂ）は、Ｂ－Ｂ断面でのＹ－Ｚ面に平行な面の断面図である。第１絶縁性樹脂基材層１Ａ，１Ｂ，１Ｃは例えばフッ素樹脂等の可撓性を有する樹脂シートである。また、第２絶縁性樹脂基材層２Ａ，２Ｂは液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリ・エーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）等の可撓性を有する樹脂シートである。

銅箔に対する第１絶縁性樹脂基材層（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ）の密着性（密着強度）は、銅箔に対する第２絶縁性樹脂基材層２Ａ，２Ｂの密着性（密着強度）より高い。図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図７に示した例では、信号導体１０に対する第１絶縁性樹脂基材層１Ｂの密着性（密着強度）は、信号導体１０に対する第２絶縁性樹脂基材層２Ａの密着性（密着強度）より高い。

上記製造方法により、積層工程で、信号導体１０が第１絶縁性樹脂基材層１Ｂから剥がれず、積層体内における信号導体１０の位置ずれの少ない多層基板が得られる。その結果、電気的特性の安定性の高い多層基板が得られる。

また、図６（Ａ）、図６（Ｂ）に示すように、多層基板１０１の厚み方向の一方端にあるグランド導体２２は、第１絶縁性樹脂基材層１Ａに埋没しており、多層基板１０１の厚み方向の他方端にあるグランド導体２１は、第１絶縁性樹脂基材層１Ｃに埋没している。このように、電極を第１絶縁基材に埋没させることによって、電極と第１絶縁基材との接触面積を大きくでき、接合強度を向上できる。また、上述のように、第１絶縁性樹脂基材層１Ａ、１Ｃは、それぞれグランド導体２２、２１に対する密着性（密着強度）が高い。多層基板１０１を、図２（Ａ）に示すように、折り曲げて使用する場合、厚み方向の両端に応力が係り易い。しかしながら、上述の構成を備えることによって、グランド導体２１、２２の剥離を抑制できる。なお、ここでは、グランド導体２１、２２の厚み方向の全体が埋まっている態様を示しているが、少なくとも一部が埋没していればよい。ただし、剥離の抑制には、埋没量は多いほど好ましいので、第１絶縁性樹脂基材層１Ａは、グランド導体２２よりも厚く、第１絶縁性樹脂基材層１Ｃは、グランド導体２１よりも厚いことが好ましい。

また、図６（Ｂ）に示すように、端子電極１１、および、グランド導体２１の端子電極は、外部の電極等への接合面を除いて、第１絶縁性樹脂基材層１Ｃに埋没している。第１絶縁性樹脂基材層１Ｃは、これら電極に対する密着性（密着強度）が高い。外部の電極等へ接合される端子電極は、応力が係り易く、剥離や接合不良が発生し易い。しかしながら、上記構成を備えることによって、端子電極１１、および、グランド導体２１の端子電極の剥離を抑制でき、これによる接合不良も抑制できる。同様に、グランド導体２２も第１絶縁性樹脂基材層１Ａに埋没しているので、グランド導体２２を端子電極として用いる場合にも、剥離を抑制でき、これによる接合不良も抑制できる。なお、ここでは、電極や導体の厚み方向の全体が埋まっている態様を示しているが、少なくとも一部が埋没していればよい。ただし、剥離、接合不良の抑制には、埋没量は多いほど好ましいので、第１絶縁性樹脂基材層１Ａは、グランド導体２２よりも厚く、第１絶縁性樹脂基材層１Ｃは、端子電極１１およびグランド導体２１よりも厚いことが好ましい。

既に述べたとおり、グランド導体２１，２２及び信号導体１０は銅箔であり、その線膨張係数は１７［ppm／℃］である。第１絶縁性樹脂基材層１Ａ，１Ｂ，１Ｃはフッ素樹脂であり、その線膨張係数は、例えば室温からリフロー温度までの温度範囲において１２０［ppm／℃］である。第２絶縁性樹脂基材層２Ａ，２ＢはＬＣＰであり、その線膨張係数は、例えば室温からリフロー温度までの温度範囲において２０［ppm／℃］である。したがって、グランド導体２１，２２及び信号導体１０の線膨張係数と第１絶縁性樹脂基材層１Ａ，１Ｂ，１Ｃの線膨張係数との差は、信号導体１０の線膨張係数と第２絶縁性樹脂基材層２Ａ，２Ｂの線膨張係数との差より大きい。しかし、第１絶縁性樹脂基材層１Ａ，１Ｂ，１Ｃの厚みは第２絶縁性樹脂基材層２Ａ，２Ｂの厚みより薄い。このことにより、上記線膨張係数の差によって生じる内部残留応力が小さく抑えられる。したがって、第１絶縁性樹脂基材層１Ａ，１Ｂ，１Ｃの材質としては、上記線膨張係数の差よりも、銅箔との密着性（密着強度）を優先して選択することが好ましい。

次に、本実施形態の多層基板内における導体パターンの断面形状の特徴について、図８（Ａ）、図８（Ｂ）を参照して説明する。図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、導体膜付き絶縁性樹脂基材の製造工程を示す断面図である。まず、図８（Ａ）に示すように、第１絶縁性樹脂基材層１Ｂに銅箔による導体膜ＭＦをラミネートする。その後、図８（Ｂ）に示すように、導体膜ＭＦをフォトリソグラフィによりパターンニングすることで、信号導体１０を形成する。このフォトリソグラフィのケミカルエッチングによって、第２絶縁性樹脂基材層２Ａに接する側で先細りの、断面テーパー形状となる。

信号導体１０の断面形状が上記テーパー形状であることにより、積層加熱プレスを行うことにより、信号導体１０の周囲の絶縁性樹脂基材層の形状は図６に示したようになる。つまり、信号導体１０が第１絶縁性樹脂基材層１Ｂに部分的に埋没することにより、信号導体１０の、第１絶縁性樹脂基材層１Ｂに接する面積は、信号導体１０の上面に位置する第２絶縁性樹脂基材層２Ａに接する面積よりも大きくなる。

上記信号導体１０の断面形状によって、第１絶縁性樹脂基材層１Ｂに対する密着性（密着強度）が効果的に高まる。このことにより、信号導体１０の位置ずれが効果的に抑制される。

本実施形態の多層基板１０１は、第１絶縁性樹脂基材層１Ｂが第２絶縁性樹脂基材層２Ａよりも低誘電率であり、また、低誘電正接であるので、高周波信号に対する損失は抑えられる。しかも、上記のとおり、信号導体１０と第１絶縁性樹脂基材層１Ｂとの接触面積が増大するので、上記損失は効果的に抑制される。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１絶縁性樹脂基材層だけでなく、第２絶縁性樹脂基材層を有する積層体を用いる多層基板の製造方法について示す。

図９は、第２の実施形態に係る多層基板の、各絶縁性樹脂基材層の積層前における、信号導体に延伸方向に対する垂直な面での断面図である。図１０は、その部分の積層後における断面図である。

グランド導体２２は第１絶縁性樹脂基材層１Ａ及び第２絶縁性樹脂基材層２Ａと共に、予め積層されている。同様に、グランド導体２１は第１絶縁性樹脂基材層１Ｃ及び第２絶縁性樹脂基材層２Ｃと共に、予め積層されている。また、信号導体１０は第１絶縁性樹脂基材層１Ｂ及び第２絶縁性樹脂基材層２Ｂと共に、予め積層されている。

言い換えると、導体膜付き絶縁性樹脂基材構成工程（の第２工程）では、少なくとも第１絶縁性樹脂基材層１Ｂを含む積層体（この例では、第１絶縁性樹脂基材層１Ｂ及び第２絶縁性樹脂基材層２Ｂによって構成されている）において、積層体の主面を有する第１絶縁性樹脂基材層１Ｂの主面上に信号導体１０を形成して第２導体膜付き絶縁性樹脂基材を構成する。また、積層工程において、信号導体１０は、第２絶縁性樹脂基材層２Ａに接触するように、第２導体膜付き絶縁性樹脂基材を第２絶縁性樹脂基材層２Ａと積層する。

第１の実施形態において図７に示した例とは異なり、グランド導体２１は、第１絶縁性樹脂基材層１Ｃよりも、積層方向において信号導体１０に近接する側に設けられている。また、第１の実施形態とは異なり、第１絶縁性樹脂基材層１Ｃに第２絶縁性樹脂基材層２Ｃが積層されている。

第１絶縁性樹脂基材層１Ａ，１Ｂ，１Ｃは例えばフッ素樹脂等のシートであり、第２絶縁性樹脂基材層２Ａ，２Ｂ，２Ｃは液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリ・エーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）等のシートである。グランド導体２１，２２及び信号導体１０はいずれも銅箔をパターンニングしたものである。

第２の実施形態によれば、第１絶縁性樹脂基材層１Ａ，１Ｂ，１Ｃが薄くても、第２絶縁性樹脂基材層２Ａ，２Ｂ，２Ｃに積層された積層体状態でハンドリングされるので、この積層体（ハイブリッド基材）は破損し難い。

導体膜として、例えば、銅膜、第２絶縁性樹脂基材層として、例えば、LCPが使用された場合、LCPよりも銅膜に対して密着性の高いフッ素樹脂、例えば、パーフルオロアルコキシアルカン（PFA）またはパーフルオロエチレン・プロペンコポリマー（FEP）が第１絶縁性樹脂基材層として使用される。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、導体パターンの両面に第１絶縁性樹脂基材層が設けられた多層基板の製造方法について示す。

図１１は、第３の実施形態に係る多層基板の、各絶縁性樹脂基材層の積層前における、信号導体に延伸方向に対する垂直な面での断面図である。図１２は、その部分の積層後における断面図である。

第２絶縁性樹脂基材層２Ａの上面に第１絶縁性樹脂基材層１Ａが積層されていて、下面に第１絶縁性樹脂基材層１Ｂ１が積層されている。同様に、第２絶縁性樹脂基材層２Ｂの上面に第１絶縁性樹脂基材層１Ｂ２が積層されていて、下面に第１絶縁性樹脂基材層１Ｃが積層されている。

図１２において、第１絶縁性樹脂基材層１Ｂは、図１１に示す第１絶縁性樹脂基材層１Ｂ１，１Ｂ２の積層による層である。

グランド導体２２は第１絶縁性樹脂基材層１Ａの上面に設けられている。信号導体１０は第１絶縁性樹脂基材層１Ｂ２の上面に形成されている。グランド導体２１は第２絶縁性樹脂基材層２Ｃの上面に設けられている。

第１、第２の実施形態と同様に、第１絶縁性樹脂基材層１Ａ，１Ｂ１，１Ｂ２，１Ｃは例えばフッ素樹脂等のシートであり、第２絶縁性樹脂基材層２Ａ，２Ｂ，２Ｃは液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリ・エーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）等のシートである。グランド導体２１，２２及び信号導体１０はいずれも銅箔をパターンニングしたものである。

第３の実施形態によれば、信号導体１０の両面が第１絶縁性樹脂基材層１Ｂ１，１Ｂ２で被覆されるので、また、グランド導体２１，２２の表面が第１絶縁性樹脂基材層１Ｃ，１Ａで被覆されるので、信号導体１０とグランド導体２１，２２との間にそれぞれ３層の絶縁性樹脂基材層が介在する。そのため、積層、加熱プレス工程で、信号導体１０が傾いたり変形したりしても、その信号導体１０とグランド導体２１，２２との接触が効果的に抑制される。

《端子部の構造》
上述の多層基板にコネクタを実装する場合、次の構成であることが好ましい。図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）は、多層基板にコネクタを実装した構成の断面図である。

図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）に示すように、コネクタＣＮは、信号用端子ＣＮＳが端子電極１１に重なり、グランド用端子ＣＮＧがグランド導体２１の端子電極に重なるように、配置される。そして、端子電極１１と信号用端子ＣＮＳとは、はんだ等の導電性接合材９０で接合される。同様に、グランド導体２１の端子電極とグランド用端子ＣＮＧとは、はんだ等の導電性接合材９０で接合される。

ここで、端子電極１１、および、グランド導体２１の端子電極は、それぞれに接続する層間接続導体に対して、平面視して重なっている。すなわち、多層基板１０１とコネクタＣＮとが導電性接合材９０によって接合される箇所は、層間接続導体の位置と、平面視して重なっている。これにより、端子電極１１、および、グランド導体２１の端子電極に係る応力は抑制され、剥離は抑制される。

さらに、図１３（Ｂ）に示すように、多層基板１０１Ｒの厚み方向の端子電極１１およびグランド導体２１が形成されている側の面に、保護膜４０を形成することで、次の作用効果を奏することができる。まず、上述のように、端子電極１１およびグランド導体２１の端子電極が第１絶縁性樹脂基材層１Ｃに埋没していることによって、保護膜形成面の平坦性を高めることができ、段差に対する被覆性が低い保護膜でも、容易に形成できる。また、端子電極１１およびグランド導体２１の端子電極に対して、部分的に覆う、所謂のオーバーレジストを採用することによって、端子電極１１およびグランド導体２１の端子電極の剥離を抑制できる。なお、図１３（Ｂ）に示すように、保護膜４０は、多層基板１０１Ｒの両面に形成されていてもよいが、端子電極１１およびグランド導体２１が形成されている側の面に少なくとも形成されていればよい。この場合、端子電極１１およびグランド導体２１に重なる位置に開口４００を設ける。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。例えば、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

例えば、信号導体とグランド導体を有するストリップライン型の伝送線路を備える多層基板を例示したが、本発明における「導体膜」は信号導体やグランド導体に限るものではなく、その他の導体パターンを有する多層基板にも適用できる。例えばコイルデバイス、インダクタ、アンテナ、アクチュエータ、センサ等各種電子部品として用いる多層基板にも適用できる。

以上に示した各実施形態では、一単位の部品について図示したが、当然ながら、複数の素子形成部を含む集合基板状態で各工程の処理がなされ（大判プロセスによって製造され）、最後に個片に分離されてもよい。

Ｈ…開口
ＭＦ…導体膜
Ｖ…層間接続導体
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…第１絶縁性樹脂基材層
１Ｂ１，１Ｂ２…第１絶縁性樹脂基材層
２Ａ，２Ｂ，２Ｃ…第２絶縁性樹脂基材層
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ…導体膜付き絶縁性樹脂基材
１０…信号導体
１０Ｅ…信号導体の端部
１１…端子電極
２１，２２…グランド導体
２４…電極
１０１…多層基板
２０１ａ，２０１ｂ…回路基板
２０２…バッテリーパック
２１０…筐体
３０１…携帯電子機器

Claims (15)

1. それぞれ材質の異なる第１絶縁性樹脂基材層及び複数の第２絶縁性樹脂基材層を含む伝送線路の製造方法であって、
   前記第１絶縁性樹脂基材層に導体膜及び前記導体膜に接する層間接続導体を形成して第１導体膜付き絶縁性樹脂基材を構成する第１工程、または少なくとも前記第１絶縁性樹脂基材層を含む積層体において、前記積層体の主面を有する前記第１絶縁性樹脂基材層の主面上に導体膜を形成し、かつ、前記第１絶縁性樹脂基材層に前記導体膜に接する層間接続導体を形成して第２導体膜付き絶縁性樹脂基材を構成する第２工程のいずれかの工程を含む導体膜付き絶縁性樹脂基材構成工程と、
   前記導体膜が前記複数の第２絶縁性樹脂基材層のうち前記第１絶縁性樹脂基材層の天面側に配置される天面側第２絶縁性樹脂基材層に接触するように、前記第１導体膜付き絶縁性樹脂基材または前記第２導体膜付き絶縁性樹脂基材を他の基材層と積層する積層工程と、
   前記第１導体膜付き絶縁性樹脂基材または前記第２導体膜付き絶縁性樹脂基材と前記他の基材層とを熱圧着する熱圧着工程と、を有し、
   前記層間接続導体は、積層方向を向く天面及び前記積層方向の反対方向を向く底面を有し、
   前記導体膜に対する前記第１絶縁性樹脂基材層の密着性は、前記導体膜に対する前記第２絶縁性樹脂基材層の密着性より高く、
   前記導体膜は、信号導体、グランド導体及びグランド導体と導通する電極を含み、
   前記電極は、前記積層方向を向く天面及び前記積層方向の反対方向を向く底面を有し、
   前記第１絶縁性樹脂基材層と前記複数の第２絶縁性樹脂基材層のそれぞれとの接触面の位置と、前記導体膜と前記層間接続導体との接触面の位置とは、前記積層方向においてずれており、
   前記伝送線路の一部分において、前記電極の天面、前記第１絶縁性樹脂基材層と前記天面側第２絶縁性樹脂基材層との接触面、前記電極の底面と前記層間接続導体との接触面、前記第１絶縁性樹脂基材層と前記複数の第２絶縁性樹脂基材層のうち前記第１絶縁性樹脂基材層の底面側に配置される底面側第２絶縁性樹脂基材層との接触面及び前記層間接続導体の底面は、前記積層方向においてこの順に並ぶ、
   伝送線路の製造方法。
2. 前記導体膜の線膨張係数と、前記第１絶縁性樹脂基材層の線膨張係数との差は、前記導体膜の線膨張係数と前記第２絶縁性樹脂基材層の線膨張係数との差より大きく、
   前記第１絶縁性樹脂基材層の厚みは前記第２絶縁性樹脂基材層の厚みよりも薄い、
   請求項１に記載の伝送線路の製造方法。
3. 前記積層体は、前記第１絶縁性樹脂基材層と前記第２絶縁性樹脂基材層とで構成される、
   請求項１又は２に記載の伝送線路の製造方法。
4. 前記導体膜付き絶縁性樹脂基材構成工程の前記第２工程は、前記第２絶縁性樹脂基材層を前記第１絶縁性樹脂基材層で前記積層方向に挟み込んだ積層体の表面に前記導体膜を形成する工程である、
   請求項１から３のいずれかに記載の伝送線路の製造方法。
5. 前記第１絶縁性樹脂基材層は、フッ素樹脂である、
   請求項１から４のいずれかに記載の伝送線路の製造方法。
6. 前記導体膜は、前記積層方向に直交する方向に延びる形状を有しており、
   幅を前記積層方向及び前記導体膜が延びる方向に直交する方向の長さと定義し、
   前記導体膜が前記第１絶縁性樹脂基材層に接する部分の前記幅は、前記導体膜が前記第２絶縁性樹脂基材層に接する部分の前記幅よりも長い、
   請求項１から５のいずれかに記載の伝送線路の製造方法。
7. それぞれ材質の異なる第１絶縁性樹脂基材層、及び、前記第１絶縁性樹脂基材層の線膨張係数より低い線膨張係数を有する第２絶縁性樹脂基材層を含む伝送線路の製造方法であって、
   前記第１絶縁性樹脂基材層に導体膜を形成して第１導体膜付き絶縁性樹脂基材を構成する第１工程、または少なくとも前記第１絶縁性樹脂基材層を含む積層体において、前記積層体の主面を有する前記第１絶縁性樹脂基材層の主面上に導体膜を形成して第２導体膜付き絶縁性樹脂基材を構成する第２工程のいずれかの工程を含む導体膜付き絶縁性樹脂基材構成工程と、
   前記第１導体膜付き絶縁性樹脂基材または前記第２導体膜付き絶縁性樹脂基材を他の基材層と積層する積層工程と、
   前記第１導体膜付き絶縁性樹脂基材または前記第２導体膜付き絶縁性樹脂基材と前記他の基材層とを熱圧着する熱圧着工程と、を有し、
   前記導体膜は、信号導体を含み、かつ、グランド導体又はグランド導体と導通する電極の少なくともいずれかを含み、
   前記伝送線路の一部分において、前記第２絶縁性樹脂基材層、前記第１絶縁性樹脂基材層、前記導体膜、前記第１絶縁性樹脂基材層及び前記第２絶縁性樹脂基材層は、積層方向に平行な直線上にこの順に並び、
   前記導体膜は、前記第１絶縁性樹脂基材層に接し、かつ、前記第２絶縁性樹脂基材層には接しない、
   伝送線路の製造方法。
8. それぞれ材質の異なる第１絶縁性樹脂基材層及び複数の第２絶縁性樹脂基材層を含み、導体膜が形成された前記第１絶縁性樹脂基材層に前記複数の第２絶縁性樹脂基材層が積層された伝送線路であって、
   前記導体膜と接する層間接続導体を有し、
   前記層間接続導体は、積層方向を向く天面及び前記積層方向の反対方向を向く底面を有し、
   前記第１絶縁性樹脂基材層と前記導体膜との密着強度は、前記第２絶縁性樹脂基材層と前記導体膜との密着強度よりも高く、
   前記導体膜は、信号導体、グランド導体及びグランド導体と導通する電極を含み、
   前記電極は、前記積層方向を向く天面及び前記積層方向の反対方向を向く底面を有し、
   前記第１絶縁性樹脂基材層と前記複数の第２絶縁性樹脂基材層のそれぞれとの接触面の位置と、前記導体膜と前記層間接続導体との接触面の位置とは、前記積層方向においてずれており、
   前記伝送線路の一部分において、前記電極の天面、前記第１絶縁性樹脂基材層と前記複数の第２絶縁性樹脂基材層のうち前記第１絶縁性樹脂基材層の天面側に配置される天面側第２絶縁性樹脂基材層との接触面、前記電極の底面と前記層間接続導体との接触面、前記第１絶縁性樹脂基材層と前記複数の第２絶縁性樹脂基材層のうち前記第１絶縁性樹脂基材層の底面側に配置される底面側第２絶縁性樹脂基材層との接触面及び前記層間接続導体の底面は、前記積層方向においてこの順に並ぶ、
   伝送線路。
9. 前記導体膜は、当該導体膜の一方面で前記第１絶縁性樹脂基材層に接し、他方面で前記第２絶縁性樹脂基材層に接し、
   前記導体膜の、前記第１絶縁性樹脂基材層に接する面積は、前記第２絶縁性樹脂基材層に接する面積よりも大きい、
   請求項８に記載の伝送線路。
10. 前記導体膜の線膨張係数と前記第１絶縁性樹脂基材層の線膨張係数との差は、前記導体膜の線膨張係数と前記第２絶縁性樹脂基材層の線膨張係数との差よりも大きく、
    前記第１絶縁性樹脂基材層の厚みは前記第２絶縁性樹脂基材層の厚みよりも薄い、
    請求項８又は９に記載の伝送線路。
11. 前記導体膜が前記第１絶縁性樹脂基材層で前記積層方向に挟み込まれた部分を有する、
    請求項８から１０のいずれかに記載の伝送線路。
12. 前記導体膜は、当該導体膜の一方面で前記第１絶縁性樹脂基材層に接し、かつ、前記当該導体膜の他方面で前記第２絶縁性樹脂基材層に接し、
    前記一方面は、前記積層方向に視て、前記他方面と重なっている、
    請求項８から１１のいずれかに記載の伝送線路。
13. 前記第１絶縁性樹脂基材層は、フッ素樹脂である、
    請求項８から１２のいずれかに記載の伝送線路。
14. 前記導体膜は、前記積層方向に直交する方向に延びる形状を有しており、
    幅を前記積層方向及び前記導体膜が延びる方向に直交する方向の長さと定義し、
    前記導体膜が前記第１絶縁性樹脂基材層に接する部分の前記幅は、前記導体膜が前記第２絶縁性樹脂基材層に接する部分の前記幅よりも長い、
    請求項８から１３のいずれかに記載の伝送線路。
15. それぞれ材質の異なる第１絶縁性樹脂基材層、及び、前記第１絶縁性樹脂基材層の線膨張係数より低い線膨張係数を有する第２絶縁性樹脂基材層を含み、導体膜が形成された前記第１絶縁性樹脂基材層に前記第２絶縁性樹脂基材層が積層された伝送線路であって、
    前記導体膜は、信号導体を含み、かつ、グランド導体又はグランド導体と導通する電極の少なくともいずれかを含み、
    前記伝送線路の一部分において、前記第２絶縁性樹脂基材層、前記第１絶縁性樹脂基材層、前記導体膜、前記第１絶縁性樹脂基材層及び前記第２絶縁性樹脂基材層は、積層方向に平行な直線上にこの順に並び、
    前記導体膜は、前記第１絶縁性樹脂基材層に接し、かつ、前記第２絶縁性樹脂基材層には接しない、
    伝送線路。

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