JP2001036253A - 多層配線回路基板及びその製造方法 - Google Patents
多層配線回路基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001036253A JP2001036253A JP11210045A JP21004599A JP2001036253A JP 2001036253 A JP2001036253 A JP 2001036253A JP 11210045 A JP11210045 A JP 11210045A JP 21004599 A JP21004599 A JP 21004599A JP 2001036253 A JP2001036253 A JP 2001036253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main body
- low
- resin
- circuit board
- wiring pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装される半導体装置等の電子部品との熱膨
張率差に起因して発生する応力を吸収し得る多層配線基
板を提供する。 【解決手段】 絶縁性樹脂からなる絶縁層を介して多層
に積層された配線パターンの各々が、絶縁層を貫通する
ヴィアによって電気的に接続されて成る多層配線回路基
板において、該配線パターンのうち、半導体素子等の電
子部品が実装される配線パターン２２、２２・・が、前
記多層配線回路基板を主として構成する本体部基板１０
の絶縁層１４，１４・・を形成する樹脂よりも低弾性率
の低弾性樹脂によって形成された低弾性樹脂層２４の外
層に形成され、且つ前記外層及び低弾性樹脂層２４を貫
通するヴィア２６によって本体部基板１０に形成された
本体部パターン１６，１６・・と電気的に接続されてい
ることを特徴とする。
張率差に起因して発生する応力を吸収し得る多層配線基
板を提供する。 【解決手段】 絶縁性樹脂からなる絶縁層を介して多層
に積層された配線パターンの各々が、絶縁層を貫通する
ヴィアによって電気的に接続されて成る多層配線回路基
板において、該配線パターンのうち、半導体素子等の電
子部品が実装される配線パターン２２、２２・・が、前
記多層配線回路基板を主として構成する本体部基板１０
の絶縁層１４，１４・・を形成する樹脂よりも低弾性率
の低弾性樹脂によって形成された低弾性樹脂層２４の外
層に形成され、且つ前記外層及び低弾性樹脂層２４を貫
通するヴィア２６によって本体部基板１０に形成された
本体部パターン１６，１６・・と電気的に接続されてい
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線回路基板及
びその製造方法に関し、更に詳細には絶縁性樹脂からな
る絶縁層を介して多層に積層された配線パターンの各々
が、前記絶縁層を貫通するヴィアによって電気的に接続
されて成る多層配線回路基板及びその製造方法に関す
る。
びその製造方法に関し、更に詳細には絶縁性樹脂からな
る絶縁層を介して多層に積層された配線パターンの各々
が、前記絶縁層を貫通するヴィアによって電気的に接続
されて成る多層配線回路基板及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等の電子部品が実装される多
層配線回路基板（以下、単に配線基板と称することがあ
る）には、図１０に示す如く、絶縁性樹脂によって形成
された絶縁層３００、３００・・を介して配線パターン
３０２、３０２・・が積層された配線基板が使用され
る。図１０に示す配線基板では、配線パターン３０２、
３０２・・の相互を電気的に接続するヴィア３０４が形
成されている。このヴィア３０４は、ドリル等の工作具
を用いて絶縁層３００、３００・・に穿設した透孔の内
壁面にめっきを施して形成されたものである。かかる図
１０に示す配線基板の一面側には、実装される半導体装
置等の電子部品３０６の外部接続端子３０８と電気的に
接続される実装配線パターン３１０が形成されている。
尚、ヴィア３０４は、必要に応じて導電性接着剤等の充
填材が充填されることもある。
層配線回路基板（以下、単に配線基板と称することがあ
る）には、図１０に示す如く、絶縁性樹脂によって形成
された絶縁層３００、３００・・を介して配線パターン
３０２、３０２・・が積層された配線基板が使用され
る。図１０に示す配線基板では、配線パターン３０２、
３０２・・の相互を電気的に接続するヴィア３０４が形
成されている。このヴィア３０４は、ドリル等の工作具
を用いて絶縁層３００、３００・・に穿設した透孔の内
壁面にめっきを施して形成されたものである。かかる図
１０に示す配線基板の一面側には、実装される半導体装
置等の電子部品３０６の外部接続端子３０８と電気的に
接続される実装配線パターン３１０が形成されている。
尚、ヴィア３０４は、必要に応じて導電性接着剤等の充
填材が充填されることもある。
【０００３】この図１０に示す配線基板の一面側に実装
された電子部品３０６には、半導体装置の様に、配線基
盤を形成する樹脂から成る絶縁層３００，３００・・の
熱膨張率とは異なる熱膨張率を有する電子部品が在る。
かかる電子部品が図１０に示す配線基板に実装されたと
き、配線基板と電子部品との熱膨張率差に基づく応力が
電子部品に作用する。この応力は、電子部品を構成する
部材間の断線等の故障原因となったりする。このため、
配線基板と電子部品との熱膨張率差に基づく応力を吸収
すべく、電子部品内に応力緩和層を形成することがなさ
れている。
された電子部品３０６には、半導体装置の様に、配線基
盤を形成する樹脂から成る絶縁層３００，３００・・の
熱膨張率とは異なる熱膨張率を有する電子部品が在る。
かかる電子部品が図１０に示す配線基板に実装されたと
き、配線基板と電子部品との熱膨張率差に基づく応力が
電子部品に作用する。この応力は、電子部品を構成する
部材間の断線等の故障原因となったりする。このため、
配線基板と電子部品との熱膨張率差に基づく応力を吸収
すべく、電子部品内に応力緩和層を形成することがなさ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様に、内部に応力
緩和層が形成された電子部品によれば、実装する配線基
板と電子部品との熱膨張率差に因る応力を応力緩和層で
吸収できるため、かかる応力に起因して発生する断線等
の故障を防止できる。しかし、内部に応力緩和が形成さ
れた電子部品は、応力緩和層を具備しない電子部品に比
較して大型化し、且つ製造コストも高くなる。しかも、
応力緩和効果にも限界が存在する。また、近年、半導体
素子がパッケージ化されることなく直接配線基板に実装
されることも多くなってきた。そこで、本発明の課題
は、実装される半導体装置等の電子部品との熱膨張率差
に起因して発生する応力を吸収し得る多層配線基板及び
その製造方法を提供することにある。
緩和層が形成された電子部品によれば、実装する配線基
板と電子部品との熱膨張率差に因る応力を応力緩和層で
吸収できるため、かかる応力に起因して発生する断線等
の故障を防止できる。しかし、内部に応力緩和が形成さ
れた電子部品は、応力緩和層を具備しない電子部品に比
較して大型化し、且つ製造コストも高くなる。しかも、
応力緩和効果にも限界が存在する。また、近年、半導体
素子がパッケージ化されることなく直接配線基板に実装
されることも多くなってきた。そこで、本発明の課題
は、実装される半導体装置等の電子部品との熱膨張率差
に起因して発生する応力を吸収し得る多層配線基板及び
その製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題を
解決すべく検討したところ、多層配線基板を形成する絶
縁層の樹脂よりも低弾性率の樹脂から成る低弾性樹脂層
を、実装配線パターンの直近に形成することによって、
電子部品との熱膨張率差に起因して発生する応力を充分
に吸収できることを知り、本発明に到達した。すなわ
ち、本発明は、絶縁性樹脂からなる絶縁層を介して多層
に積層された配線パターンの各々が、前記絶縁層を貫通
するヴィアによって電気的に接続されて成る多層配線回
路基板において、該配線パターンのうち、半導体素子等
の電子部品が実装される実装配線パターンが、前記多層
配線回路基板を主として構成する本体部基板の絶縁層を
形成する樹脂よりも低弾性率の低弾性樹脂によって形成
された低弾性樹脂層の外層に形成され、且つ前記外層及
び低弾性樹脂層を貫通するヴィアによって本体部基板に
形成された本体部配線パターンと電気的に接続されてい
ることを特徴とする多層配線回路基板にある。
解決すべく検討したところ、多層配線基板を形成する絶
縁層の樹脂よりも低弾性率の樹脂から成る低弾性樹脂層
を、実装配線パターンの直近に形成することによって、
電子部品との熱膨張率差に起因して発生する応力を充分
に吸収できることを知り、本発明に到達した。すなわ
ち、本発明は、絶縁性樹脂からなる絶縁層を介して多層
に積層された配線パターンの各々が、前記絶縁層を貫通
するヴィアによって電気的に接続されて成る多層配線回
路基板において、該配線パターンのうち、半導体素子等
の電子部品が実装される実装配線パターンが、前記多層
配線回路基板を主として構成する本体部基板の絶縁層を
形成する樹脂よりも低弾性率の低弾性樹脂によって形成
された低弾性樹脂層の外層に形成され、且つ前記外層及
び低弾性樹脂層を貫通するヴィアによって本体部基板に
形成された本体部配線パターンと電気的に接続されてい
ることを特徴とする多層配線回路基板にある。
【０００６】また、本発明は、絶縁性樹脂からなる絶縁
層を介して多層に積層された配線パターンの各々が、前
記絶縁層を貫通するヴィアにより電気的に接続されて成
る多層配線回路基板を製造する際に、該多層配線回路基
板を主として構成する本体部基板の絶縁層を形成する樹
脂よりも低弾性率の低弾性樹脂から成る低弾性樹脂層
と、前記低弾性樹脂よりも高弾性率の樹脂から成る高弾
性樹脂層とから形成され、且つ前記高弾性樹脂層の表面
に、半導体素子等の電子部品が実装される実装配線パタ
ーンが形成されて成るフィルム状基板を、前記本体部基
板の少なくとも一面側に接合すると共に、前記本体部基
板の本体部配線パターンとフィルム状基板の実装配線パ
ターンとを、前記フィルム状基板の低弾性樹脂層及び高
弾性樹脂層を貫通して形成したヴィアによって電気的に
接続することを特徴とする多層配線回路基板の製造方法
にある。
層を介して多層に積層された配線パターンの各々が、前
記絶縁層を貫通するヴィアにより電気的に接続されて成
る多層配線回路基板を製造する際に、該多層配線回路基
板を主として構成する本体部基板の絶縁層を形成する樹
脂よりも低弾性率の低弾性樹脂から成る低弾性樹脂層
と、前記低弾性樹脂よりも高弾性率の樹脂から成る高弾
性樹脂層とから形成され、且つ前記高弾性樹脂層の表面
に、半導体素子等の電子部品が実装される実装配線パタ
ーンが形成されて成るフィルム状基板を、前記本体部基
板の少なくとも一面側に接合すると共に、前記本体部基
板の本体部配線パターンとフィルム状基板の実装配線パ
ターンとを、前記フィルム状基板の低弾性樹脂層及び高
弾性樹脂層を貫通して形成したヴィアによって電気的に
接続することを特徴とする多層配線回路基板の製造方法
にある。
【０００７】更に、本発明は、絶縁性樹脂からなる絶縁
層を介して多層に積層された配線パターンの各々が、前
記絶縁層を貫通するヴィアにより電気的に接続されて成
る多層配線回路基板を製造する際に、該多層配線回路基
板を主として構成する本体部基板の絶縁層を形成する樹
脂よりも低弾性率の低弾性率樹脂から成る低弾性樹脂層
を前記本体部基板の一面側に形成した後、前記低弾性樹
脂層の表面に半導体素子等の電子部品が実装される実装
配線パターンを形成し、前記本体部基板の一面に形成さ
れた配線パターンと前記実装配線パターンとを電気的に
接続するヴィアを、前記低弾性樹脂層を貫通して形成す
ることを特徴とする多層配線基板の製造方法でもある。
これらの本発明において、低弾性樹脂層を、３０℃にお
ける弾性率が１００〜８００ＭＰａであり、且つ１５０
℃における弾性率が１〜１０ＭＰａの樹脂によって形成
することが好ましい。
層を介して多層に積層された配線パターンの各々が、前
記絶縁層を貫通するヴィアにより電気的に接続されて成
る多層配線回路基板を製造する際に、該多層配線回路基
板を主として構成する本体部基板の絶縁層を形成する樹
脂よりも低弾性率の低弾性率樹脂から成る低弾性樹脂層
を前記本体部基板の一面側に形成した後、前記低弾性樹
脂層の表面に半導体素子等の電子部品が実装される実装
配線パターンを形成し、前記本体部基板の一面に形成さ
れた配線パターンと前記実装配線パターンとを電気的に
接続するヴィアを、前記低弾性樹脂層を貫通して形成す
ることを特徴とする多層配線基板の製造方法でもある。
これらの本発明において、低弾性樹脂層を、３０℃にお
ける弾性率が１００〜８００ＭＰａであり、且つ１５０
℃における弾性率が１〜１０ＭＰａの樹脂によって形成
することが好ましい。
【０００８】本発明によれば、多層配線回路基板を主と
して構成する絶縁層を形成する樹脂よりも低弾性率の樹
脂から成る低弾性樹脂層を多層配線基板内に形成でき
る。このため、本発明に係る多層配線回路基板に電子部
品が実装されたとき、多層配線基板と電子部品との熱膨
張率差に起因する応力は、多層配線回路基板内の低弾性
樹脂層の変形によって吸収され或いは緩和される。その
結果、多層配線回路基板に実装された電子部品には、両
者の熱膨張率差に起因する応力の影響が及ばず或いは緩
和され、電子部品内で断線等の故障発生を防止できる。
して構成する絶縁層を形成する樹脂よりも低弾性率の樹
脂から成る低弾性樹脂層を多層配線基板内に形成でき
る。このため、本発明に係る多層配線回路基板に電子部
品が実装されたとき、多層配線基板と電子部品との熱膨
張率差に起因する応力は、多層配線回路基板内の低弾性
樹脂層の変形によって吸収され或いは緩和される。その
結果、多層配線回路基板に実装された電子部品には、両
者の熱膨張率差に起因する応力の影響が及ばず或いは緩
和され、電子部品内で断線等の故障発生を防止できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係る多層配線回路基板
（以下、単に配線基板と称することがある）は、図１に
示す様に、本体部基板１０とフィルム状基板１２とから
構成されている。かかる本体部基板１０には、絶縁性樹
脂から成る絶縁層１４、１４・・を介して本体部配線パ
ターン１６、１６・・（以下、単に配線パターン１６と
称することがある）が積層されている。この本体部基板
１０では、配線パターン１６の相互を電気的に接続する
ヴィア１８は、ドリル等の工作具を用いて絶縁層１４、
１４・・に穿設した透孔の内壁にめっきを施して形成さ
れたものである。尚、ヴィア１８は、必要に応じて導電
性接着剤等の充填材が充填されていてもよい。
（以下、単に配線基板と称することがある）は、図１に
示す様に、本体部基板１０とフィルム状基板１２とから
構成されている。かかる本体部基板１０には、絶縁性樹
脂から成る絶縁層１４、１４・・を介して本体部配線パ
ターン１６、１６・・（以下、単に配線パターン１６と
称することがある）が積層されている。この本体部基板
１０では、配線パターン１６の相互を電気的に接続する
ヴィア１８は、ドリル等の工作具を用いて絶縁層１４、
１４・・に穿設した透孔の内壁にめっきを施して形成さ
れたものである。尚、ヴィア１８は、必要に応じて導電
性接着剤等の充填材が充填されていてもよい。
【００１０】かかる本体部基板１０の一面側に接合され
たフィルム状基板１２は、ポリイミド等の樹脂から成る
フィルム２０と、フィルム２０の一面側に形成された本
体部基板１０の配線パターン１６よりも微細な配線パタ
ーン２２、２２・・と、フィルム２０の他面側に形成さ
れた、本体部基板１０の絶縁層１４、１４・・を形成す
る樹脂よりも低弾性率の低弾性樹脂によって形成された
低弾性樹脂層２４と、配線パターン２２、２２・・に一
端が接続されていると共に、他端が本体部基板１０の配
線パターン１６、１６・・に接続されたヴィア２６、２
６・・とから成る。このフィルム基板１２では、配線パ
ターン２２、２２・・は、実装される半導体装置等の電
子部品の外部接続端子と接続される実装配線パターンで
あり、ヴィア２６の径も本体部基板１０に形成されたヴ
ィア１８の径よりも小径である。ここで、「本体部基板
１０の配線パターン１６よりも微細な配線パターン２
２」とは、配線パターン２２を構成するラインのライン
幅及びライン間のスペースが、配線パターン１６を構成
するラインのライン幅及びライン間のスペースよりも狭
いことを意味する。
たフィルム状基板１２は、ポリイミド等の樹脂から成る
フィルム２０と、フィルム２０の一面側に形成された本
体部基板１０の配線パターン１６よりも微細な配線パタ
ーン２２、２２・・と、フィルム２０の他面側に形成さ
れた、本体部基板１０の絶縁層１４、１４・・を形成す
る樹脂よりも低弾性率の低弾性樹脂によって形成された
低弾性樹脂層２４と、配線パターン２２、２２・・に一
端が接続されていると共に、他端が本体部基板１０の配
線パターン１６、１６・・に接続されたヴィア２６、２
６・・とから成る。このフィルム基板１２では、配線パ
ターン２２、２２・・は、実装される半導体装置等の電
子部品の外部接続端子と接続される実装配線パターンで
あり、ヴィア２６の径も本体部基板１０に形成されたヴ
ィア１８の径よりも小径である。ここで、「本体部基板
１０の配線パターン１６よりも微細な配線パターン２
２」とは、配線パターン２２を構成するラインのライン
幅及びライン間のスペースが、配線パターン１６を構成
するラインのライン幅及びライン間のスペースよりも狭
いことを意味する。
【００１１】また、低弾性樹脂層２４を形成する低弾性
率の低弾性樹脂としては、３０℃における弾性率が１０
０〜８００ＭＰａであり、且つ１５０℃における弾性率
が１〜１０ＭＰａの樹脂を好ましく用いることができ、
具体的には熱可塑性樹脂であるポリオレフィン系樹脂や
ポリイミド系樹脂、熱硬化性樹脂であるシリコーン樹脂
やＮＢＲ等のゴム成を含有する変性エポキシ樹脂を挙げ
ることができる。更に、かかる低弾性樹脂に、接着力を
有している場合、図１に示す様に、本体部基板１０とフ
ィルム状基板１２とを、低弾性樹脂層２４によって接着
することができる。かかる接着の際に、フィルム状基板
１２の一面側に形成されたヴィア２６の他端が本体部基
板１０の一面側に形成された配線パターン１６に当接
し、フィルム状基板１２の一面側に形成された配線パタ
ーン２２と本体部基板１０の配線パターン１６とを電気
的に接続できる。
率の低弾性樹脂としては、３０℃における弾性率が１０
０〜８００ＭＰａであり、且つ１５０℃における弾性率
が１〜１０ＭＰａの樹脂を好ましく用いることができ、
具体的には熱可塑性樹脂であるポリオレフィン系樹脂や
ポリイミド系樹脂、熱硬化性樹脂であるシリコーン樹脂
やＮＢＲ等のゴム成を含有する変性エポキシ樹脂を挙げ
ることができる。更に、かかる低弾性樹脂に、接着力を
有している場合、図１に示す様に、本体部基板１０とフ
ィルム状基板１２とを、低弾性樹脂層２４によって接着
することができる。かかる接着の際に、フィルム状基板
１２の一面側に形成されたヴィア２６の他端が本体部基
板１０の一面側に形成された配線パターン１６に当接
し、フィルム状基板１２の一面側に形成された配線パタ
ーン２２と本体部基板１０の配線パターン１６とを電気
的に接続できる。
【００１２】図１に示す配線基板を形成する本体部基板
１０の絶縁層１４、１４・・は、エポキシ樹脂等の通常
の樹脂によって形成されており、実装された電子部品と
回路基板との熱膨張率に起因して発生する応力に対して
実質的に変形することがなく、回路基板に加えられた応
力を吸収又は緩和することができない。かかる本体部基
板１０に接着されたフィルム状基板１２の低弾性樹脂層
２４は、実装された電子部品と回路基板との熱膨張率に
起因して発生する応力に対して容易に変形する。このた
め、配線基板に加えられた応力を吸収又は緩和すること
ができ、実装された電子部品に対する応力の影響を可及
的に少なくできる。また、図１に示す配線基板の本体部
基板１０では、ヴィア１８がドリル等の工作具によって
穿設した透孔の内壁に、めっき金属皮膜によって形成さ
れたものである。このため、ヴィア径等がドリル等の工
作具の大きさ等で決定され、ヴィア１８の微細化には限
界があり、配線パターン１６の微細化にも限界が存在
し、小型化されたＣＳＰ等の電子部品を実装は困難であ
る。この点、図１に示す配線基板では、本体部基板１０
の一面側に、本体部基板１０の配線パターン１６及びヴ
ィア１８よりも微細な配線パターン２２及びヴィア２６
が形成されたフィルム状基板１２を接着することによっ
て、小型化され外部接続端子が高密度に配設されている
ＣＳＰ等の電子部品の実装を可能にしている。
１０の絶縁層１４、１４・・は、エポキシ樹脂等の通常
の樹脂によって形成されており、実装された電子部品と
回路基板との熱膨張率に起因して発生する応力に対して
実質的に変形することがなく、回路基板に加えられた応
力を吸収又は緩和することができない。かかる本体部基
板１０に接着されたフィルム状基板１２の低弾性樹脂層
２４は、実装された電子部品と回路基板との熱膨張率に
起因して発生する応力に対して容易に変形する。このた
め、配線基板に加えられた応力を吸収又は緩和すること
ができ、実装された電子部品に対する応力の影響を可及
的に少なくできる。また、図１に示す配線基板の本体部
基板１０では、ヴィア１８がドリル等の工作具によって
穿設した透孔の内壁に、めっき金属皮膜によって形成さ
れたものである。このため、ヴィア径等がドリル等の工
作具の大きさ等で決定され、ヴィア１８の微細化には限
界があり、配線パターン１６の微細化にも限界が存在
し、小型化されたＣＳＰ等の電子部品を実装は困難であ
る。この点、図１に示す配線基板では、本体部基板１０
の一面側に、本体部基板１０の配線パターン１６及びヴ
ィア１８よりも微細な配線パターン２２及びヴィア２６
が形成されたフィルム状基板１２を接着することによっ
て、小型化され外部接続端子が高密度に配設されている
ＣＳＰ等の電子部品の実装を可能にしている。
【００１３】図１に示す配線基板は、図２に示す様に、
本体部基板１０の一面側に、フィルム状基板１２を低弾
性率樹脂層２４（熱可塑性樹脂によって形成）により接
着することによって得ることができる。かかる接着の際
に、本体部基板１０の配線パターン１６と、フィルム状
基板１２の配線パターン２２とをヴィア２６によって電
気的に接続させつつ、本体部基板１０とフィルム状基板
１２とを接着すべく、一端が配線パターン２２に接続さ
れたヴィア２６の他端を配線パターン１６に当接させる
と共に、本体部基板１０の一面側に、フィルム状基板１
２の熱可塑性樹脂から成る低弾性樹脂層２４を当接させ
る。次いで、両基板が当接した状態を保持して加圧しつ
つ、低弾性樹脂層２４を形成する熱可塑性樹脂の接着力
が発現する温度に加熱することによって、両基板を接着
できる。
本体部基板１０の一面側に、フィルム状基板１２を低弾
性率樹脂層２４（熱可塑性樹脂によって形成）により接
着することによって得ることができる。かかる接着の際
に、本体部基板１０の配線パターン１６と、フィルム状
基板１２の配線パターン２２とをヴィア２６によって電
気的に接続させつつ、本体部基板１０とフィルム状基板
１２とを接着すべく、一端が配線パターン２２に接続さ
れたヴィア２６の他端を配線パターン１６に当接させる
と共に、本体部基板１０の一面側に、フィルム状基板１
２の熱可塑性樹脂から成る低弾性樹脂層２４を当接させ
る。次いで、両基板が当接した状態を保持して加圧しつ
つ、低弾性樹脂層２４を形成する熱可塑性樹脂の接着力
が発現する温度に加熱することによって、両基板を接着
できる。
【００１４】ここで、図１及び図２に示す本体部基板１
０は、従来から知られている方法で製造することができ
る。例えば、一面側に所定形状の配線パターン１６が形
成された複数枚の樹脂板を積層した後、ドリル等の工作
具によって透孔を形成し、次いで透孔の内壁にめっきを
施してヴィア１８を形成する。このめっきでは、先ず無
電解めっき等によって、透孔の内壁面に銅等のフラッシ
ュめっきを行った後、フラッシュめっきを電極の一方と
する電解めっきによって透孔の内壁面に銅層を形成して
ヴィア１８とする。尚、積層する樹脂板のうち、一部の
樹脂板を積層した後、透孔を穿設してからヴィア１８を
形成し、その後、残りの樹脂板を積層してもよい。
０は、従来から知られている方法で製造することができ
る。例えば、一面側に所定形状の配線パターン１６が形
成された複数枚の樹脂板を積層した後、ドリル等の工作
具によって透孔を形成し、次いで透孔の内壁にめっきを
施してヴィア１８を形成する。このめっきでは、先ず無
電解めっき等によって、透孔の内壁面に銅等のフラッシ
ュめっきを行った後、フラッシュめっきを電極の一方と
する電解めっきによって透孔の内壁面に銅層を形成して
ヴィア１８とする。尚、積層する樹脂板のうち、一部の
樹脂板を積層した後、透孔を穿設してからヴィア１８を
形成し、その後、残りの樹脂板を積層してもよい。
【００１５】かかる本体部基板１０の一面側に接着され
るフィルム状基板１２は、図３に示す方法で得ることが
できる。先ず、一面側に銅箔等の金属箔２８が形成され
ている共に、他面側に熱可塑性樹脂から成る低弾性率樹
脂層２４が形成されたポリイミド樹脂等の樹脂から成る
フィルム２０に、低弾性率樹脂層２４側に開口し且つ底
面に金属箔２８が露出する凹部３０を形成する［〔図３
（ａ）（ｂ）〕。この凹部３０は、炭酸ガスレーザ等の
レーザ加工によって形成できる。次いで、形成した凹部
３０には、金属箔２８を電極の一方とする電解めっきに
よって、銅等の金属３２を充填する［〔図３（ｃ）〕。
金属３２は、凹部３０の開口面まで充填してもよいが、
図３（ｃ）に示す様に、凹部３０の開口面よりも下方で
金属３２の充填を停止し、残存凹部３３を残すことが好
ましい。
るフィルム状基板１２は、図３に示す方法で得ることが
できる。先ず、一面側に銅箔等の金属箔２８が形成され
ている共に、他面側に熱可塑性樹脂から成る低弾性率樹
脂層２４が形成されたポリイミド樹脂等の樹脂から成る
フィルム２０に、低弾性率樹脂層２４側に開口し且つ底
面に金属箔２８が露出する凹部３０を形成する［〔図３
（ａ）（ｂ）〕。この凹部３０は、炭酸ガスレーザ等の
レーザ加工によって形成できる。次いで、形成した凹部
３０には、金属箔２８を電極の一方とする電解めっきに
よって、銅等の金属３２を充填する［〔図３（ｃ）〕。
金属３２は、凹部３０の開口面まで充填してもよいが、
図３（ｃ）に示す様に、凹部３０の開口面よりも下方で
金属３２の充填を停止し、残存凹部３３を残すことが好
ましい。
【００１６】この残存凹部３３には、金属箔２８及び金
属３２を電極の一方として、低弾性樹脂層２４を形成す
る熱可塑性樹脂の溶融温度以下で溶融するはんだ等の低
融点金属３４を電解めっきにより充填し、ヴィア２６を
形成する［図３（ｄ）］。その後、金属箔２８にフォト
リソ法等によってパターニングを施して微細な配線パタ
ーン２２を形成する。更に、形成した配線パターン２２
の所定箇所に、金めっき等の所要のめっきを施してもよ
い。尚、低融点金属としては、はんだ以外にも低弾性樹
脂層２４を形成する熱可塑性樹脂の溶融温度よりも低温
で溶融する低融点金属、具体的には錫、鉛、亜鉛、ビス
マス、アンチモン、インジウム等の単体又は二種以上の
金属から成る合金であって、融点が４００℃以下の金属
を用いることができる。
属３２を電極の一方として、低弾性樹脂層２４を形成す
る熱可塑性樹脂の溶融温度以下で溶融するはんだ等の低
融点金属３４を電解めっきにより充填し、ヴィア２６を
形成する［図３（ｄ）］。その後、金属箔２８にフォト
リソ法等によってパターニングを施して微細な配線パタ
ーン２２を形成する。更に、形成した配線パターン２２
の所定箇所に、金めっき等の所要のめっきを施してもよ
い。尚、低融点金属としては、はんだ以外にも低弾性樹
脂層２４を形成する熱可塑性樹脂の溶融温度よりも低温
で溶融する低融点金属、具体的には錫、鉛、亜鉛、ビス
マス、アンチモン、インジウム等の単体又は二種以上の
金属から成る合金であって、融点が４００℃以下の金属
を用いることができる。
【００１７】この様に、ヴィア２６の先端部を低融点金
属３４によって形成することによって、本体部基板１０
の一面側にフィルム状基板１２を熱圧着して接着する際
に、ヴィア２６の先端部を形成する低融点金属３４が溶
融して配線パターン１６にヴィア２６を確実に接着する
ことができる。更に、低融点金属３４として、金属箔２
８にフォトリソ法等によってパターニングを施して配線
パターン２２を形成する際に、エッチング液に対して保
護層となる低融点金属、例えばはんだを選択することが
好ましい。かかる保護層によって、ヴィア２６の露出面
をマスクによって覆うことを必要としないため、フィル
ム状基板１２の製造工程を簡略化できる。
属３４によって形成することによって、本体部基板１０
の一面側にフィルム状基板１２を熱圧着して接着する際
に、ヴィア２６の先端部を形成する低融点金属３４が溶
融して配線パターン１６にヴィア２６を確実に接着する
ことができる。更に、低融点金属３４として、金属箔２
８にフォトリソ法等によってパターニングを施して配線
パターン２２を形成する際に、エッチング液に対して保
護層となる低融点金属、例えばはんだを選択することが
好ましい。かかる保護層によって、ヴィア２６の露出面
をマスクによって覆うことを必要としないため、フィル
ム状基板１２の製造工程を簡略化できる。
【００１８】フィルム状基板１２に形成するヴィア２６
としては、図４（ａ）に示す様に、凹部３０の金属箔２
８が露出する底面に、保護金属３６を充填した後、銅等
の金属３２を電解めっき充填し、更に前述した低融点金
属３４を充填して三層構造としてもよい。かかる三層構
造のうち、銅等の金属３２から成る層が主としてヴィア
２６を形成する。かかる保護金属３６は、低融点金属３
４と同一金属であってもよく、異なる金属であってもよ
いが、ニッケル、錫、はんだを好適に使用できる。この
様に、凹部３０の底面に保護金属３６から成る層を形成
することによって、金属箔２８にフォトリソ法等によっ
てパターニングを施して微細な配線パターン２２を形成
する際に、図４（ｂ）に示す様に、ヴィア２６を形成す
る位置がずれて配線パターン２２からヴィア２６の一部
がはみ出しても、ヴィア２６は保護金属３６によってエ
ッチング液から保護することができる。尚、図５に示す
様に、凹部３０に前述した低融点金属３８のみを電解め
っきによって充填してヴィア２６を形成してもよい。
としては、図４（ａ）に示す様に、凹部３０の金属箔２
８が露出する底面に、保護金属３６を充填した後、銅等
の金属３２を電解めっき充填し、更に前述した低融点金
属３４を充填して三層構造としてもよい。かかる三層構
造のうち、銅等の金属３２から成る層が主としてヴィア
２６を形成する。かかる保護金属３６は、低融点金属３
４と同一金属であってもよく、異なる金属であってもよ
いが、ニッケル、錫、はんだを好適に使用できる。この
様に、凹部３０の底面に保護金属３６から成る層を形成
することによって、金属箔２８にフォトリソ法等によっ
てパターニングを施して微細な配線パターン２２を形成
する際に、図４（ｂ）に示す様に、ヴィア２６を形成す
る位置がずれて配線パターン２２からヴィア２６の一部
がはみ出しても、ヴィア２６は保護金属３６によってエ
ッチング液から保護することができる。尚、図５に示す
様に、凹部３０に前述した低融点金属３８のみを電解め
っきによって充填してヴィア２６を形成してもよい。
【００１９】図３〜図５に示す工程で形成されたフィル
ム状基板１２は、図２に示す様に、本体部基板１０の一
面側に加熱圧着されて一体化され、図１に示す配線基板
を得ることができる。更に、図１に示す配線基板には、
その電子部品が実装される実装面を、図６に示す様に、
電子部品の外部接続端子と接合される部分を除いてソル
ダレジスト等の樹脂から成る保護膜４０によって覆うこ
とが好ましい。微細な配線パターン２２等の酸化等を保
護膜４０によって防止できるためである。
ム状基板１２は、図２に示す様に、本体部基板１０の一
面側に加熱圧着されて一体化され、図１に示す配線基板
を得ることができる。更に、図１に示す配線基板には、
その電子部品が実装される実装面を、図６に示す様に、
電子部品の外部接続端子と接合される部分を除いてソル
ダレジスト等の樹脂から成る保護膜４０によって覆うこ
とが好ましい。微細な配線パターン２２等の酸化等を保
護膜４０によって防止できるためである。
【００２０】図１〜図６においては、単層のフィルム状
基板１２について説明してきたが、図７に示す様に、フ
ィルム状基板１２を多層フィルム状基板としてもよい。
図７に示す多層フィルム状基板１２は、第１層のフィル
ム状基板１２ａと第２層のフィルム状基板１２ｂとが、
第２層のフィルム状基板１２ｂに形成された低弾性樹脂
層２４によって接着されているものである。かかる多層
フィルム状基板１２の微細な配線パターン２２の相互
は、フィルム２０及び低弾性樹脂層２４を貫通するヴィ
ア２６によって電気的に接続されている。この様に、フ
ィルム状基板１２を多層化することによって、複数の低
弾性樹脂層２４を形成でき、配線基板に加えられる応力
を更に一層吸収又は緩和できる。更に、微細な配線パタ
ーンを更に一層微細化、高密度化できる。
基板１２について説明してきたが、図７に示す様に、フ
ィルム状基板１２を多層フィルム状基板としてもよい。
図７に示す多層フィルム状基板１２は、第１層のフィル
ム状基板１２ａと第２層のフィルム状基板１２ｂとが、
第２層のフィルム状基板１２ｂに形成された低弾性樹脂
層２４によって接着されているものである。かかる多層
フィルム状基板１２の微細な配線パターン２２の相互
は、フィルム２０及び低弾性樹脂層２４を貫通するヴィ
ア２６によって電気的に接続されている。この様に、フ
ィルム状基板１２を多層化することによって、複数の低
弾性樹脂層２４を形成でき、配線基板に加えられる応力
を更に一層吸収又は緩和できる。更に、微細な配線パタ
ーンを更に一層微細化、高密度化できる。
【００２１】図１〜図７に示す配線基板は、ポリイミド
等の樹脂から成るフィルム２０の一面側に配線パターン
２２が形成され、且つフィルム２０の他面側に低弾性樹
脂層２４が形成されたフィルム状基板１２が、本体部基
板１０の一面側に接着されて形成されているが、図８に
示す配線基板であってもよい。図８に示す配線基板は、
実装される電子部品の外部接続端子と接続される配線パ
ターン２２，２２・・が、本体部基板１０を主として構
成する絶縁層１４、１４・・を主として形成する樹脂よ
りも低弾性率の低弾性樹脂から成る低弾性樹脂層２４の
表面に形成され、且つ低弾性樹脂層２４を貫通するヴィ
ア２６の一端が配線パターン２２に接続されていると共
に、ヴィア２６の他端が本体部基板１０の配線パターン
１６に接続されているものである。
等の樹脂から成るフィルム２０の一面側に配線パターン
２２が形成され、且つフィルム２０の他面側に低弾性樹
脂層２４が形成されたフィルム状基板１２が、本体部基
板１０の一面側に接着されて形成されているが、図８に
示す配線基板であってもよい。図８に示す配線基板は、
実装される電子部品の外部接続端子と接続される配線パ
ターン２２，２２・・が、本体部基板１０を主として構
成する絶縁層１４、１４・・を主として形成する樹脂よ
りも低弾性率の低弾性樹脂から成る低弾性樹脂層２４の
表面に形成され、且つ低弾性樹脂層２４を貫通するヴィ
ア２６の一端が配線パターン２２に接続されていると共
に、ヴィア２６の他端が本体部基板１０の配線パターン
１６に接続されているものである。
【００２２】図８に示す配線基板は、図９に示す方法に
よって形成できる。先ず、本体部基板１０の一面側に、
低弾性樹脂を印刷等によって塗布して形成した低弾性樹
脂層２４の表面に、低弾性樹脂の接着力を利用して銅箔
等の金属箔２８を接着する［図９（ａ）の工程］。次い
で、底面に本体部基板１０の配線パターン１６が露出す
る凹部４０を、金属箔２８側に開口する［図９
（ｂ）］。この凹部４０は、金属箔２８の所定個所をエ
ッチングした後、露出した低弾性樹脂層２４に炭酸ガス
レーザ等のレーザを照射することによって形成できる。
更に、凹部４０の内壁面等に無電解めっき又はスパッタ
リングによって銅層等の金属層４２を形成した後［図９
（ｃ）］、凹部４０の開口部を除く金属層４２上にレジ
スト層４６を形成し、金属箔２８を電極の一方とする電
解めっきによって、銅等の金属４４を充填してヴィア２
６を形成する［図９（ｄ）］。その後、レジスト層４２
を剥離し、露出した金属層４２及び金属箔２８にフォト
リソ法によって配線パターン２２を形成することによ
り、図８に示す多層配線基板を得ることができる。尚、
形成した配線パターン２２の所定箇所に、金めっき等の
所要のめっきを施してもよい。
よって形成できる。先ず、本体部基板１０の一面側に、
低弾性樹脂を印刷等によって塗布して形成した低弾性樹
脂層２４の表面に、低弾性樹脂の接着力を利用して銅箔
等の金属箔２８を接着する［図９（ａ）の工程］。次い
で、底面に本体部基板１０の配線パターン１６が露出す
る凹部４０を、金属箔２８側に開口する［図９
（ｂ）］。この凹部４０は、金属箔２８の所定個所をエ
ッチングした後、露出した低弾性樹脂層２４に炭酸ガス
レーザ等のレーザを照射することによって形成できる。
更に、凹部４０の内壁面等に無電解めっき又はスパッタ
リングによって銅層等の金属層４２を形成した後［図９
（ｃ）］、凹部４０の開口部を除く金属層４２上にレジ
スト層４６を形成し、金属箔２８を電極の一方とする電
解めっきによって、銅等の金属４４を充填してヴィア２
６を形成する［図９（ｄ）］。その後、レジスト層４２
を剥離し、露出した金属層４２及び金属箔２８にフォト
リソ法によって配線パターン２２を形成することによ
り、図８に示す多層配線基板を得ることができる。尚、
形成した配線パターン２２の所定箇所に、金めっき等の
所要のめっきを施してもよい。
【００２３】図９（ｄ）の電解めっきの際に、金属層４
２は、凹部４０の開口面まで充填してもよいが、凹部４
０の開口面よりも下方で金属層４２の充填を停止し、残
存凹部を残すことが好ましい。この残存凹部には、金属
箔２８及び金属層４２を電極の一方として、低弾性樹脂
層２４を形成する熱可塑性樹脂の溶融温度以下で溶融す
るはんだ等の低融点金属を電解めっきにより充填し、ヴ
ィア２６を形成する。尚、低融点金属としては、はんだ
以外にも低弾性樹脂層２４を形成する熱可塑性樹脂の溶
融温度よりも低温で溶融する低融点金属、具体的には
錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム等の
単体又は二種以上の金属から成る合金であって、融点が
４００℃以下の金属を用いることができる。
２は、凹部４０の開口面まで充填してもよいが、凹部４
０の開口面よりも下方で金属層４２の充填を停止し、残
存凹部を残すことが好ましい。この残存凹部には、金属
箔２８及び金属層４２を電極の一方として、低弾性樹脂
層２４を形成する熱可塑性樹脂の溶融温度以下で溶融す
るはんだ等の低融点金属を電解めっきにより充填し、ヴ
ィア２６を形成する。尚、低融点金属としては、はんだ
以外にも低弾性樹脂層２４を形成する熱可塑性樹脂の溶
融温度よりも低温で溶融する低融点金属、具体的には
錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム等の
単体又は二種以上の金属から成る合金であって、融点が
４００℃以下の金属を用いることができる。
【００２４】以上、説明してきた図１〜図８に示す配線
基板によれば、配線基板内に低弾性樹脂層２４を形成す
ることができ、実装された電子部品と配線基板との熱膨
張率差に起因して発生する応力を、低弾性樹脂層２４が
変形して吸収又は緩和することができる。このため、実
装された電子部品には、熱膨張率差に起因して発生する
応力等の影響を可及的に少なくでき電子部品内の断線等
の故障発生を防止できる。更に、電子部品内に応力緩和
手段を設けることを実質的に要しないため、電子部品の
小型化を更に一層図ることが可能である。また、図１〜
図８に示す配線基板では、フィルム状基板１２に微細な
配線パターン２２を形成でき、本体部基板１０に微細な
配線パターンを造り込むをことを要しないため、ＣＳＰ
等の小型化された電子部品を実装できる配線基板を安価
に且つ容易に形成できる。更に、本体部基板１０とフィ
ルム状基板１２との各々について、導通試験等の試験を
実施して良品のみを一体化できるため、配線基板の累積
歩留りを向上できる。尚、これまでの説明は、ＣＳＰ等
の小型化された電子部品を実装できる配線基板について
説明してきたが、本発明に係る配線基板を半導体素子搭
載用の半導体装置用配線基板にも適用できる。
基板によれば、配線基板内に低弾性樹脂層２４を形成す
ることができ、実装された電子部品と配線基板との熱膨
張率差に起因して発生する応力を、低弾性樹脂層２４が
変形して吸収又は緩和することができる。このため、実
装された電子部品には、熱膨張率差に起因して発生する
応力等の影響を可及的に少なくでき電子部品内の断線等
の故障発生を防止できる。更に、電子部品内に応力緩和
手段を設けることを実質的に要しないため、電子部品の
小型化を更に一層図ることが可能である。また、図１〜
図８に示す配線基板では、フィルム状基板１２に微細な
配線パターン２２を形成でき、本体部基板１０に微細な
配線パターンを造り込むをことを要しないため、ＣＳＰ
等の小型化された電子部品を実装できる配線基板を安価
に且つ容易に形成できる。更に、本体部基板１０とフィ
ルム状基板１２との各々について、導通試験等の試験を
実施して良品のみを一体化できるため、配線基板の累積
歩留りを向上できる。尚、これまでの説明は、ＣＳＰ等
の小型化された電子部品を実装できる配線基板について
説明してきたが、本発明に係る配線基板を半導体素子搭
載用の半導体装置用配線基板にも適用できる。
【００２５】
【実施例】実施例１ 絶縁性樹脂からなる絶縁層１４を介して積層された４層
の配線パターン１６の各々が、絶縁層１４を貫通するヴ
ィア１８によって電気的に接続されて成る本体部基板１
０の一面側に、ＮＢＲゴム分散型熱硬化性変性エポキシ
樹脂シートを、その接着力を利用して接合し低弾性樹脂
層２４を形成した。更に、この低弾性樹脂層２４に厚さ
１８μｍの銅箔２８を接着した。次いで、銅箔２８の所
定個所にエッチングを施して低弾性樹脂層２４を露出さ
せた後、低弾性樹脂層２４に炭酸ガスレーザを照射し、
本体部基板１０の配線パターン１６が底面に露出する内
径が１００μｍの凹部４０を形成した。この凹部４０の
内壁面及び銅箔２８の表面に、無電解めっきによって銅
層４２を形成した後、凹部４０の開口部を除く銅層４２
の表面にレジスト層４６を形成し、銅箔２８を電極の一
方とする電解めっきによって凹部４０内に銅を充填して
ヴィア２６を形成した。その後、レジスト層４６を剥離
し、銅層４２及び銅箔２８にフォトリソ法によって配線
パターン２２を形成して図８に示す配線基板を得た。
尚、図８に示す配線基板の配線パターン２２が形成され
た面側には、ソルダレジスト層を形成した。
の配線パターン１６の各々が、絶縁層１４を貫通するヴ
ィア１８によって電気的に接続されて成る本体部基板１
０の一面側に、ＮＢＲゴム分散型熱硬化性変性エポキシ
樹脂シートを、その接着力を利用して接合し低弾性樹脂
層２４を形成した。更に、この低弾性樹脂層２４に厚さ
１８μｍの銅箔２８を接着した。次いで、銅箔２８の所
定個所にエッチングを施して低弾性樹脂層２４を露出さ
せた後、低弾性樹脂層２４に炭酸ガスレーザを照射し、
本体部基板１０の配線パターン１６が底面に露出する内
径が１００μｍの凹部４０を形成した。この凹部４０の
内壁面及び銅箔２８の表面に、無電解めっきによって銅
層４２を形成した後、凹部４０の開口部を除く銅層４２
の表面にレジスト層４６を形成し、銅箔２８を電極の一
方とする電解めっきによって凹部４０内に銅を充填して
ヴィア２６を形成した。その後、レジスト層４６を剥離
し、銅層４２及び銅箔２８にフォトリソ法によって配線
パターン２２を形成して図８に示す配線基板を得た。
尚、図８に示す配線基板の配線パターン２２が形成され
た面側には、ソルダレジスト層を形成した。
【００２６】実施例２ 厚さ５０μｍのポリイミド樹脂フィルム２０の一面側に
厚さ１８μｍの銅箔２８を接着し、且つその他面側に熱
可塑性ポリオレフィン樹脂シートを接着して低弾性樹脂
層２４を形成した。更に、低弾性樹脂層２４側から炭酸
ガスレーザを照射し、底面に銅箔２８が露出する内径１
００μｍの凹部３０を形成した後、銅箔２８を電極の一
方とする電解めっきによって、凹部３０内に錫鉛共晶合
金を充填してヴィア２６を形成してヴィア付銅箔とし
た。次いで、このヴィア付銅箔を、絶縁性樹脂からなる
絶縁層１４を介して積層された４層の配線パターン１６
の各々が、絶縁層１４を貫通するヴィア１８によって電
気的に接続されて成る本体部基板１０の一面側に接着し
た。その後、銅箔２８にフォトリソ法によって配線パタ
ーン２２を形成し、図１に示す配線基板を得た。
厚さ１８μｍの銅箔２８を接着し、且つその他面側に熱
可塑性ポリオレフィン樹脂シートを接着して低弾性樹脂
層２４を形成した。更に、低弾性樹脂層２４側から炭酸
ガスレーザを照射し、底面に銅箔２８が露出する内径１
００μｍの凹部３０を形成した後、銅箔２８を電極の一
方とする電解めっきによって、凹部３０内に錫鉛共晶合
金を充填してヴィア２６を形成してヴィア付銅箔とし
た。次いで、このヴィア付銅箔を、絶縁性樹脂からなる
絶縁層１４を介して積層された４層の配線パターン１６
の各々が、絶縁層１４を貫通するヴィア１８によって電
気的に接続されて成る本体部基板１０の一面側に接着し
た。その後、銅箔２８にフォトリソ法によって配線パタ
ーン２２を形成し、図１に示す配線基板を得た。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係る配線基板内には、実装され
た電子部品と配線基板との熱膨張率差に起因して発生す
る応力を変形して吸収又は緩和する低弾性樹脂層が形成
されている。このため、かかる応力に対する電子部品へ
の影響を可及的に緩和できる。その結果、半導体素子等
の応力緩和手段が何等設けられていない電子部品であっ
ても直接実装することが可能となった。
た電子部品と配線基板との熱膨張率差に起因して発生す
る応力を変形して吸収又は緩和する低弾性樹脂層が形成
されている。このため、かかる応力に対する電子部品へ
の影響を可及的に緩和できる。その結果、半導体素子等
の応力緩和手段が何等設けられていない電子部品であっ
ても直接実装することが可能となった。
【図１】本発明に係る配線基板の部分断面図である。
【図２】図１に示す配線基板の製造方法を説明するため
の説明図である。
の説明図である。
【図３】図１に示す配線基板を形成するフィルム状基板
の製造工程を説明する工程図である。
の製造工程を説明する工程図である。
【図４】図３に示すフィルム状基板の他の例を説明する
ための部分断面図である。
ための部分断面図である。
【図５】図３に示すフィルム状基板の他の例を説明する
ための部分断面図である。
ための部分断面図である。
【図６】本発明に係る配線基板の他の例を説明するため
の部分断面図である。
の部分断面図である。
【図７】本発明に係る配線基板の他の例を説明するため
の部分断面図である。
の部分断面図である。
【図８】本発明に係る配線基板の他の例を説明するため
の部分断面図である。
の部分断面図である。
【図９】図８に示す配線基板をの製造方法を説明するた
めの説明図である。
めの説明図である。
【図１０】従来の配線基板の部分断面図である。
１０ 本体部基板 １２ フィルム状基板 １４ 絶縁層 １６、２２ 配線パターン １８、２６ ビア ２０ フィルム ２４ 低弾性樹脂層 ２８ 金属層 ３０ 凹部 ３２、４４ 金属 ３４、３６、３８ 低融点金属 ４０ 保護膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｎ 3/40 3/40 Ｋ 3/42 ６４０ 3/42 ６４０Ｂ Ｆターム(参考） 5E317 AA04 AA07 AA24 BB01 BB03 BB12 BB18 CC32 CC33 CC51 CC52 CD21 CD32 GG09 GG14 5E346 AA43 CC08 CC09 CC32 CC33 DD17 DD23 DD24 DD44 EE13 FF04 FF09 FF13 FF14 GG15 GG17 GG18 GG22
Claims (15)
- 【請求項１】 絶縁性樹脂からなる絶縁層を介して多層
に積層された配線パターンの各々が、前記絶縁層を貫通
するヴィアによって電気的に接続されて成る多層配線回
路基板において、 該配線パターンのうち、半導体素子等の電子部品が実装
される実装配線パターンが、前記多層配線回路基板を主
として構成する本体部基板の絶縁層を形成する樹脂より
も低弾性率の低弾性樹脂から成る低弾性樹脂層の外層に
形成され、 且つ前記外層及び低弾性樹脂層を貫通するヴィアによっ
て本体部基板に形成された本体部配線パターンと電気的
に接続されていることを特徴とする多層配線回路基板。 - 【請求項２】 低弾性樹脂層が、３０℃における弾性率
が１００〜８００ＭＰａであり、且つ１５０℃における
弾性率が１〜１０ＭＰａの樹脂によって形成されている
請求項１記載の多層配線回路基板。 - 【請求項３】 実装配線パターンが、本体部基板に形成
された本体部配線パターンよりも微細である請求項１又
は請求項２記載の多層配線回路基板。 - 【請求項４】 実装配線パターンが、多層配線回路基板
を主として構成する本体部基板の絶縁層を形成する樹脂
よりも低弾性率の低弾性樹脂から成る低弾性樹脂層の表
面に形成され、且つ前記低弾性樹脂層を貫通するヴィア
によって前記本体部基板に形成された本体部配線パター
ンと電気的に接続されている請求項１〜３のいずれか一
項記載の多層配線回路基板。 - 【請求項５】 本体部基板の絶縁層を形成する樹脂より
も低弾性率の低弾性樹脂から成る低弾性樹脂層と、前記
低弾性樹脂よりも高弾性率の樹脂から成る高弾性樹脂層
とから形成されていると共に、前記高弾性樹脂層の表面
に実装配線パターンが形成されて成るフィルム状基板
が、前記本体部基板の一面側に接合され、 且つ前記フィルム状基板の低弾性樹脂層と高弾性樹脂層
とを貫通するヴィアによって前記実装配線パターンと本
体部配線パターンとが電気的に接続されている請求項１
〜３のいずれか一項記載の多層配線回路基板。 - 【請求項６】 本体部基板に形成された本体部配線パタ
ーンが、絶縁層を貫通する透孔の内壁にめっき金属皮膜
が形成されて成るヴィアによって電気的に接続されてい
る請求項１〜５のいずれか一項記載の多層配線回路基
板。 - 【請求項７】 実装配線パターンに一端部が接続された
ヴィアの他端部が、低弾性樹脂層を形成する樹脂の融点
以下の温度で溶融する低融点金属によって形成されてい
る請求項１〜６記載の多層配線回路基板。 - 【請求項８】 低弾性樹脂層が複数層形成されている請
求項１〜７のいずれか一項記載の多層配線回路基板。 - 【請求項９】 絶縁性樹脂からなる絶縁層を介して多層
に積層された配線パターンの各々が、前記絶縁層を貫通
するヴィアにより電気的に接続されて成る多層配線回路
基板を製造する際に、 該多層配線回路基板を主として構成する本体部基板の絶
縁層を形成する樹脂よりも低弾性率の低弾性樹脂から成
る低弾性樹脂層と、前記低弾性樹脂よりも高弾性率の樹
脂から成る高弾性樹脂層とから形成され、且つ前記高弾
性樹脂層の表面に、半導体素子等の電子部品が実装され
る実装配線パターンが形成されて成るフィルム状基板
を、前記本体部基板の少なくとも一面側に接合すると共
に、 前記本体部基板の本体部配線パターンとフィルム状基板
の実装配線パターンとを、前記フィルム状基板の低弾性
樹脂層及び高弾性樹脂層を貫通して形成したヴィアによ
って電気的に接続することを特徴とする多層配線回路基
板の製造方法。 - 【請求項１０】 絶縁性樹脂からなる絶縁層を介して多
層に積層された配線パターンの各々が、前記絶縁層を貫
通するヴィアにより電気的に接続されて成る多層配線回
路基板を製造する際に、 該多層配線回路基板を主として構成する本体部基板の絶
縁層を形成する樹脂よりも低弾性率の低弾性樹脂から成
る低弾性樹脂層を前記本体部基板の一面側に形成した
後、 前記低弾性樹脂層の表面に半導体素子等の電子部品が実
装される実装配線パターンを形成し、 前記本体部基板の一面に形成された本体部配線パターン
と前記実装配線パターンとを電気的に接続するヴィア
を、前記低弾性樹脂層を貫通して形成することを特徴と
する多層配線基板の製造方法。 - 【請求項１１】 低弾性樹脂層を形成する樹脂として、
３０℃における弾性率が１００〜８００ＭＰａであり、
且つ１５０℃における弾性率が１〜１０ＭＰａの樹脂を
用いる請求項９又は請求項１０記載の多層配線基板の製
造方法。 - 【請求項１２】 実装配線パターンを、本体部基板に形
成した本体部配線パターンよりも微細に形成する請求項
９〜１１のいずれか一項記載の多層配線回路基板の製造
方法。 - 【請求項１３】 本体部基板に形成された本体部配線パ
ターンを、絶縁層を貫通する透孔の内壁にめっき金属皮
膜を形成したヴィアによって電気的に接続する請求項９
〜１２のいずれか一項記載の多層配線回路基板の製造方
法。 - 【請求項１４】 実装配線パターンに一端部が接続され
たヴィアの他端部を、低弾性樹脂層を形成する樹脂の融
点以下の温度で溶融する低融点金属によって形成する請
求項９〜１３のいずれか一項記載の多層配線回路基板の
製造方法。 - 【請求項１５】 低弾性樹脂層を複数層形成する請求項
９〜１４のいずれか一項記載の多層配線回路基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11210045A JP2001036253A (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 多層配線回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11210045A JP2001036253A (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 多層配線回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001036253A true JP2001036253A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16582902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11210045A Pending JP2001036253A (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 多層配線回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001036253A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110062A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体パッケージ |
| JP2004247668A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 積層用中間配線部材、配線板及びそれらの製造方法 |
| WO2005074340A1 (ja) | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Ibiden Co., Ltd. | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| WO2005107350A1 (ja) | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Ibiden Co., Ltd. | 多層プリント配線板 |
| KR100651323B1 (ko) | 2004-12-30 | 2006-11-29 | 삼성전기주식회사 | 휨저항 물질층이 구비된 반도체 패키지 기판 |
| WO2006134977A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Ibiden Co., Ltd. | 多層プリント配線板 |
| WO2006134914A1 (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Ibiden Co., Ltd. | プリント配線板 |
| US7240429B2 (en) | 2001-06-13 | 2007-07-10 | Denso Corporation | Manufacturing method for a printed circuit board |
| US7285856B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-10-23 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Package for semiconductor devices |
| US7495332B2 (en) | 2004-05-27 | 2009-02-24 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| JP2009044118A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Ibiden Co Ltd | Ｉｃ搭載用基板およびその製造方法 |
| US7514781B2 (en) | 2005-11-25 | 2009-04-07 | Denso Corporation | Circuit substrate and manufacturing method thereof |
| JP2009170753A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Panasonic Corp | 多層プリント配線板とこれを用いた実装体 |
| JP2010232636A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| US7982139B2 (en) | 2003-12-05 | 2011-07-19 | Ibiden Co. Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US8455766B2 (en) | 2007-08-08 | 2013-06-04 | Ibiden Co., Ltd. | Substrate with low-elasticity layer and low-thermal-expansion layer |
| JP5771987B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2015-09-02 | 住友ベークライト株式会社 | 多層回路基板、絶縁シート、および多層回路基板を用いた半導体パッケージ |
| JPWO2018043184A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2019-06-24 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板、貫通電極基板の製造方法及び実装基板 |
| US11246214B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-02-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resin multilayer board |
-
1999
- 1999-07-26 JP JP11210045A patent/JP2001036253A/ja active Pending
Cited By (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7240429B2 (en) | 2001-06-13 | 2007-07-10 | Denso Corporation | Manufacturing method for a printed circuit board |
| JP2003110062A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体パッケージ |
| JP4670213B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2011-04-13 | 凸版印刷株式会社 | 半導体パッケージ |
| JP2004247668A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 積層用中間配線部材、配線板及びそれらの製造方法 |
| US7696617B2 (en) | 2003-05-30 | 2010-04-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Package for semiconductor devices |
| US7285856B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-10-23 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Package for semiconductor devices |
| US8563420B2 (en) | 2003-12-05 | 2013-10-22 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US8253030B2 (en) | 2003-12-05 | 2012-08-28 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US7982139B2 (en) | 2003-12-05 | 2011-07-19 | Ibiden Co. Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US8124882B2 (en) | 2003-12-05 | 2012-02-28 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US7971354B2 (en) | 2004-01-30 | 2011-07-05 | Ibiden Co., Ltd. | Method of manufacturing a multilayer printed wiring board |
| JPWO2005074340A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2007-09-13 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| WO2005074340A1 (ja) | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Ibiden Co., Ltd. | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| US7754978B2 (en) | 2004-01-30 | 2010-07-13 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board and method of manufacturing the same |
| JP4504925B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2010-07-14 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| US7489521B2 (en) | 2004-04-28 | 2009-02-10 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| JPWO2005107350A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2008-03-21 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板 |
| US8169792B2 (en) | 2004-04-28 | 2012-05-01 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US7881071B2 (en) | 2004-04-28 | 2011-02-01 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| WO2005107350A1 (ja) | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Ibiden Co., Ltd. | 多層プリント配線板 |
| JP4504975B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-07-14 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板 |
| US7495332B2 (en) | 2004-05-27 | 2009-02-24 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| KR100651323B1 (ko) | 2004-12-30 | 2006-11-29 | 삼성전기주식회사 | 휨저항 물질층이 구비된 반도체 패키지 기판 |
| US8164920B2 (en) | 2005-06-13 | 2012-04-24 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board |
| JP4971152B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2012-07-11 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
| WO2006134914A1 (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Ibiden Co., Ltd. | プリント配線板 |
| WO2006134977A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Ibiden Co., Ltd. | 多層プリント配線板 |
| JP5095398B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2012-12-12 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板 |
| KR101046890B1 (ko) * | 2005-06-15 | 2011-07-06 | 이비덴 가부시키가이샤 | 다층 프린트 배선판 |
| US7817440B2 (en) | 2005-06-15 | 2010-10-19 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| KR101045505B1 (ko) * | 2005-06-15 | 2011-06-30 | 이비덴 가부시키가이샤 | 다층 프린트 배선판 |
| US7649748B2 (en) | 2005-06-15 | 2010-01-19 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US7514781B2 (en) | 2005-11-25 | 2009-04-07 | Denso Corporation | Circuit substrate and manufacturing method thereof |
| US8455766B2 (en) | 2007-08-08 | 2013-06-04 | Ibiden Co., Ltd. | Substrate with low-elasticity layer and low-thermal-expansion layer |
| JP2009044118A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Ibiden Co Ltd | Ｉｃ搭載用基板およびその製造方法 |
| JP4509189B2 (ja) * | 2007-08-08 | 2010-07-21 | イビデン株式会社 | Ｉｃチップ搭載用基板 |
| US8395056B2 (en) | 2008-01-18 | 2013-03-12 | Panasonic Corporation | Multilayer printed wiring board and mounting body using the same |
| JP2009170753A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Panasonic Corp | 多層プリント配線板とこれを用いた実装体 |
| JP5771987B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2015-09-02 | 住友ベークライト株式会社 | 多層回路基板、絶縁シート、および多層回路基板を用いた半導体パッケージ |
| US8829355B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-09-09 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| JP2010232636A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| JPWO2018043184A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2019-06-24 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板、貫通電極基板の製造方法及び実装基板 |
| JP7075625B2 (ja) | 2016-08-31 | 2022-05-26 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板、貫通電極基板の製造方法及び実装基板 |
| US11373906B2 (en) | 2016-08-31 | 2022-06-28 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Through electrode substrate, method of manufacturing through electrode substrate, and mounting substrate |
| JP2022107008A (ja) * | 2016-08-31 | 2022-07-20 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板、貫通電極基板の製造方法及び実装基板 |
| US11810820B2 (en) | 2016-08-31 | 2023-11-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Through electrode substrate, method of manufacturing through electrode substrate, and mounting substrate |
| JP7400873B2 (ja) | 2016-08-31 | 2023-12-19 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板、貫通電極基板の製造方法及び実装基板 |
| US11246214B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-02-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resin multilayer board |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8177577B2 (en) | Printed wiring board having a substrate with higher conductor density inserted into a recess of another substrate with lower conductor density | |
| JP2001036253A (ja) | 多層配線回路基板及びその製造方法 | |
| US8347493B2 (en) | Wiring board with built-in electronic component and method of manufacturing same | |
| US20100108371A1 (en) | Wiring board with built-in electronic component and method for manufacturing the same | |
| JP2003218282A (ja) | 半導体素子内蔵基板および多層回路基板 | |
| JPWO2005004567A1 (ja) | 部品内蔵基板の製造方法 | |
| JP2002313996A (ja) | 半導体パッケージ用基板およびその製造方法 | |
| JP2010027948A (ja) | キャパシタ、キャパシタ内蔵基板及びキャパシタの製造方法 | |
| JP5861400B2 (ja) | 半導体実装部材 | |
| JP2007088058A (ja) | 多層基板、及びその製造方法 | |
| JP3981227B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| US20200203266A1 (en) | Substrate, method of manufacturing substrate, and electronic device | |
| JP2008091377A (ja) | プリント配線基板及びその製造方法 | |
| JPH07193166A (ja) | 半田バンプ付き半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4353873B2 (ja) | プリント配線板 | |
| JP5176500B2 (ja) | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 | |
| JP2008182071A (ja) | 電子部品内蔵配線板及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| KR101109287B1 (ko) | 전자부품 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| JP2007305636A (ja) | 部品実装モジュール | |
| JP2011249457A (ja) | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 | |
| JP4002117B2 (ja) | 多層基板及びその製造方法 | |
| JP4410370B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JP2002190549A (ja) | 多層配線板および多層配線板の製造方法 | |
| TWI420989B (zh) | 印刷電路板及其製造方法 | |
| JP2000013022A (ja) | 多層配線回路基板及びその製造方法 |