JP4504925B2 - 多層プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
この問題を解決するために、ビルドアップ層上に低弾性率の応力緩和層を設け、この応力緩和層の上面に実装用電極を設け、ビルドアップ層上の導体パターンと実装用電極とを導体ポストで接続した多層プリント配線板が提案されている(特開昭58−28848号公報、特開2001−36253号公報を参照)。例えば特開2001−36253号公報には、図12に示すように、ビルドアップ層130の上面に低弾性率層140が積層され、ビルドアップ層130の上面の導体パターン132と低弾性率層140の上面に形成された実装用電極142とをバイアホール150で接続した多層プリント配線板100が開示されている。
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、熱膨張・熱収縮による電子部品との接続破壊を防止すると共に電子部品へ安定して電源を供給することができる多層プリント配線板を提供することを目的とする。また、そのような多層プリント配線板を製造する方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、鋭意研究を行った結果、従来の多層プリント配線板では低弾性率層を貫通するバイアホールのアスペクト比つまり高さ/径が小さいため(例えば特開2001−36253号公報の実施例では0.5)、低弾性率層が変形せず、はんだバンプに応力が集中して不具合が発生していることを突き止め、本発明を完成するに至った。本発明は、上述の目的を達成するために以下の手段を採った。
即ち、本発明の多層プリント配線板は、コア基板と、該コア基板上に形成され上面に導体パターンが設けられたビルドアップ層と、該ビルドアップ層上に形成された低弾性率層と、該低弾性率層の上面に設けられ電子部品と接続部を介して接続される実装用電極と、前記低弾性率層を貫通して前記実装用電極と前記導体パターンとを電気的に接続する導体ポストと、を備えた多層プリント配線板であって、前記導体ポストはアスペクト比Raspが4≦Rasp<20のものである。
この多層プリント配線板では、導体ポストのアスペクト比Raspが4≦Rasp<20であるため、コア基板と電子部品との熱膨張係数差に起因する応力が発生したとしてもその応力を確実に緩和することができ、熱膨張・熱収縮による電子部品との接続破壊を防止することができる。また、加熱・冷却を繰り返したときの電気抵抗の変化率を小さく抑えることができ、搭載した電子部品へ安定して電源を供給することができる。このような効果が得られる理由は、導体ポストのアスペクト比Raspが大きいため、低弾性率層に合わせて導体ポストも変形するからであると推察される。なお、本発明において導体ポストのアスペクト比Raspとは、導体ポストの高さ/導体ポストの径(径が一様でないときには最小径)をいう。
本発明の多層プリント配線板において、導体ポストのアスペクト比Raspが4を下回ると加熱・冷却を繰り返したときに電気抵抗が大きく変化するため好ましくなく、20以上になると加熱・冷却を繰り返したときに導体ポストにクラックが発生するおそれがあるため好ましくない。換言すれば、アスペクト比Raspが4を下回ると導体ポストが変形せずに低弾性率層の変形を妨げるから好ましくなく、20以上になると導体ポストが変形しすぎて疲労破壊するから好ましくない。このアスペクト比Raspは4≦Rasp≦6.5が好ましい。
本発明の多層プリント配線板において、導体ポストは直径が30μmを超えることが好ましい。こうすれば、搭載した電子部品に電源を供給する際の電圧降下を抑制することができ、電子部品が誤動作を起こすのを防止することができる。また、導体ポストの電気抵抗を低く抑えることもできる。ここで、電子部品が1GHz以下のICチップの場合には、導体ポストを30μm以下としても電圧降下が起きにくいが、3GHz以上の高速のICチップの場合には、電圧降下が顕著になるので導体ポストの直径が30μmを超えるようにすることが好ましい。なお、導体ポストの太さが一様でないときには最も細い部分の直径が30μmを超えることが好ましい。なぜなら、導体ポストの導体抵抗が小さくなったり、耐疲労劣化性や耐ヒートサイクル性が向上したりするからである。なお、導体ポストの直径は30μmを超え60μm以下であることが好ましい。
本発明の多層プリント配線板において、前記導体ポストは、クビレを持つ形状に形成されていてもよい。こうすれば、略ストレート形状の導体ポストに比べて、加熱・冷却を繰り返したときの電気抵抗の変化率を一層抑えることができる。なぜなら、クビレを中心(起点)として導体ポストが低弾性率層に合わせて変形するからである。なお、クビレとは、導体ポストを軸方向に沿ってみたときに上部や下部よりも細くなっている部分をいう。このようなクビレを持つ形状の導体ポストにおいて、該導体ポストのうち最も細い部分の直径に対する最も太い部分の直径(最も太い部分/最も細い部分)が2以上であることが好ましい。
本発明の多層プリント配線板において、前記実装用電極は、前記低弾性率層の上面と略同一平面となるように形成された前記導体ポストの頂部としてもよい。こうすれば、実装用電極を導体ポストとは別に形成する場合に比べて、簡単に作製することができる。
本発明の多層プリント配線板において、前記低弾性率層は、30℃におけるヤング率が10MPa〜1GPaであることが好ましい。こうすれば、熱膨張係数差に起因する応力をより確実に緩和することができる。また、この低弾性率層は、30℃におけるヤング率が10MPa〜300MPaであることがより好ましく、10MPa〜100MPaであることが最も好ましい。また、前記導体ポストは、導電性の良好な材料で形成されていることが好ましく、例えば銅、はんだ又はこれらのいずれかを含む合金で形成されていることが好ましい。
本発明の多層プリント配線板のうちクビレを持つ形状の導体ポストを備えたものを製造する方法は、
(a)コア基板上に形成されたビルドアップ層の上面に設けられた導体パターン上に頂部がレジストで保護され太さが略一様な導体ポストを形成する工程と、
(b)該導体ポストを浸食するエッチング液への浸漬時間を調整することにより該導体ポストがクビレを持つ形状に成形する工程と、
(c)前記頂部のレジストを除去したあと前記導体ポストと略同じ高さの低弾性率層を形成する工程と、
(d)該導体ポストの上面に実装用電極を形成する工程と、
を含むものである。
こうすれば、エッチング工程(前記工程(b))でのエッチング液への浸漬時間つまりエッチング時間を調整することにより、導体ポストをクビレを持つ形状に成形することができる。なお、エッチング時間と導体ポストの形状との関係は、エッチング液の種類や導体ポストの材質に応じて予め実験を行うことにより適宜設定すればよい。
図2は本実施形態の多層プリント配線板の作成途中を表す断面図、
図3は本実施形態の多層プリント配線板の作成途中を表す断面図、
図4は本実施形態の多層プリント配線板の作成途中を表す断面図、
図5は本実施形態の多層プリント配線板の作成途中を表す断面図、
図6は本実施形態の多層プリント配線板の作成途中を表す断面図、
図7は本実施形態の多層プリント配線板の作成途中を表す断面図、
図8は本実施形態の多層プリント配線板の作成途中を表す断面図、
図9は導体ポストの形状と電気抵抗の変化率との関係を表すテーブル、
図10は導体ポストの最小径と電圧降下量との関係を表すテーブル及びグラフ、
図11は導体ポストのアスペクト比と応力比との関係を表すテーブル及びグラフ、
図12は従来例の多層プリント配線板の断面図、
図13は導体ポストの形状と電気抵抗の変化率との関係を表すテーブルである。
本実施形態の多層プリント配線板10は、図1に示すように、上下両面に形成された配線パターン22同士をスルーホール導体24を介して電気的に接続するコア基板20と、このコア基板20の上下に樹脂絶縁層36を介して複数積層された導体パターン32,32がバイアホール34によって電気的に接続されたビルドアップ層30と、ビルドアップ層30の上に低弾性率材料で形成された低弾性率層40と、電子部品である半導体チップ70をはんだバンプ66を介して実装するランド(実装用電極)52と、低弾性率層40を貫通しランド52とビルドアップ層30の上面に形成された導体パターン32とを電気的に接続する導体ポスト50と、を備えている。
コア基板20は、BT(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂やガラスエポキシ樹脂等からなるコア基板本体21の上下両面に銅からなる配線パターン22,22と、コア基板本体21の上下を貫通するスルーホールの内周面に形成された銅からなるスルーホール導体24とを有しており、両配線パターン22,22はスルーホール導体24を介して電気的に接続されている。
ビルドアップ層30は、コア基板20の上下両面に樹脂絶縁層36と導体パターン32とを交互に積層したものであり、コア基板20の配線パターン22とビルドアップ層30の導体パターン32との電気的な接続やビルドアップ層30における導体パターン32,32同士の電気的な接続は樹脂絶縁層36の上下を貫通するバイアホール34によって確保されている。このようなビルドアップ層30は、周知のサブトラクティブ法やアディティブ法(セミアディティブ法やフルアディティブ法を含む)により形成される。具体的には、例えば以下のようにして形成される。すなわち、まず、コア基板20の上下両面に樹脂絶縁層36となる樹脂シートを貼り付ける。この樹脂シートは、変成エポキシ系樹脂シート、ポリフェニレンエーテル系樹脂シート、ポリイミド系樹脂シート、シアノエステル系樹脂シートなどで形成され、その厚みは概ね20〜80μmであり、常温でのヤング率は2〜7GPaである。この樹脂シートには無機フィラーを分散させてもよい。本実施例では味の素社製の熱硬化性樹脂フィルム(品名:ABF−45SH、ヤング率:3.0GPa)を用いた。次に、貼り付けた樹脂シートに炭酸ガスレーザやUVレーザ、YAGレーザ、エキシマレーザなどによりスルーホールを形成する。続いて、無電解銅めっきを施し、無電解銅めっき層の上にレジストを形成し露光・現像し、次いでレジストの非形成部に電解銅めっきを施したあとレジストを剥離し、そのレジストが存在していた部分の無電解銅めっきを硫酸−過酸化水素系のエッチング液でエッチングすることにより、配線パターン32を形成する。なお、スルーホール内部の導体層がバイアホール34となる。あとは、この手順を繰り返すことによりビルドアップ層30が形成される。
低弾性率層40は、30℃におけるヤング率が10〜1000MPa(好ましくは10〜300MPa、より好ましくは10〜100MPa)である弾性材料で形成されている。低弾性率層40のヤング率がこの範囲だと、ランド52にはんだバンプ66を介して電気的に接続される半導体チップ70とコア基板20との熱膨張係数差に起因する応力が発生したとしてもその応力を緩和することができる。また、低弾性率層40に用いられる弾性材料としては、例えばエポキシ樹脂、イミド系樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリオレフィン系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂等の熱可塑性樹脂にポリブタジエン、シリコーンゴム、ウレタン、SBR、NBR等のゴム系成分やシリカ、アルミナ、ジルコニア等の無機成分が分散した樹脂などのうち上述したヤング率に合致したものが挙げられる。なお、樹脂に分散させる成分は、1種でも2種以上でもよく、ゴム成分と無機成分の両方を分散させてもよい。また、熱硬化性樹脂の場合にはジシアンジアミド等の硬化剤を分散してもよい。本実施例では、低弾性率層40の弾性材料として、硬化剤を分散したエポキシ樹脂にウレタン樹脂が60vol%分散している樹脂を用いている。
導体ポスト50は、低弾性率層40を上下方向に貫通するように銅を主成分として形成され、ランド52とビルドアップ層30の上面に設けられた導体パターン32とを電気的に接続している。この導体ポスト50は、クビレを持つ形状、具体的には上部の直径や下部の直径に比べて中間部の直径が小さい形状に形成されている。本実施例では、上部の直径が80μm、下部の直径が80μm、中間部の直径が35μmであり、高さが200μmである。したがって、この導体ポスト50のアスペクト比Raspは最も細い中間部の直径に対する導体ポストの高さの比であるから5.7、最も細い中間部の直径に対する最も太い上部の直径の比が2.3である。
ランド52は、低弾性率層40から露出した各導体ポスト50の頂部である。このランド52は、ニッケルめっき及び金めっきがこの順に施されたあと半導体チップ70の電極部とはんだバンプ66を介して接続される。
次に、本実施形態の多層プリント配線板10の製造例について説明する。コア基板20及びビルドアップ層30の作製手順は周知であるため、ここでは低弾性率層40,導体ポスト50及びランド52を作製する手順を中心に説明する。図2〜図7はこの手順の説明図である。
まず、ビルドアップ層30が形成されたコア基板20を用意した。図2はコア基板20の上面に形成されたビルドアップ層30の部分断面図である。この段階では、最上部の樹脂絶縁層36の表面は無電解銅めっき層304で被覆されたままである。すなわち、スルーホール形成後の樹脂絶縁層36に無電解銅めっきが施され、無電解銅めっき層304上にフォトレジストが形成されパターン化されたあと、フォトレジストが形成されていない部分に電解銅めっきが施されて無電解銅めっき層304と電解銅めっき層が形成され、その後、フォトレジストが剥離された段階である。したがって、導体層のうち電解銅めっき層はパターン化されてパターン化めっき層302となっているが無電解銅めっき層304は残ったままである。なお、無電解銅めっき層304の厚さは数μmである。さて、このようなビルドアップ層30の上面に、ドライフィルム306(旭化成社製CX−A240を2枚重ねたもの、厚さ240μm)を貼り付け、所定位置に炭酸ガスレーザによりφ120μmの開口308を形成する(図3参照)。
続いて、この作成途中の基板につき、ドライフィルム306の開口308の底部から電解銅めっきを行うことにより柱状の銅層310で開口308内を充填し、更にこの銅層310の上面にはんだ層312を形成する(図4参照)。なお、電解銅めっき液は以下の組成のものを使用した。硫酸2.24mol/l、硫酸銅0.26mol/l、添加剤19.5ml/l(アトテックジャパン社製、カパラシドGL)。また、電解銅めっきは以下の条件で行った。電流密度1A/dm2、時間17時間、温度22±2℃。
続いて、ドライフィルム306を剥がしたあと(図5参照)、作成途中の基板をアンモニアアルカリエッチング液(商品名エープロセス、メルテックス社製)に浸漬することによりエッチングを行った。このエッチングにより、ドライフィルム306で覆われていた部分つまり電解銅めっき層302で覆われていない部分の無電解銅めっき層304が除去されると共に、柱状の銅層310の中間部が浸食されてクビレを持つ形状となった(図5参照)。この結果、電解銅めっき層302及び無電解銅めっき層304のうち樹脂絶縁層36の上面部分が導体パターン32となり、スルーホール部分がバイアホール34となる。このとき、はんだ層312はエッチングレジストとして機能する。ここで、銅層310の中間部をどの程度浸食させるかはエッチング時間によって制御することができる。例えば、エッチング時間を10〜60秒とすれば銅層310の最大径(上部又は下部の直径)は60〜120μmとなり、中間部の直径は30〜60μmとなる。但し、最大径及び中間部の直径は、開口308の径を変えることにより上述した大きさ以外の大きさにすることは可能である。
続いて、はんだ層312をはんだ剥離剤(商品名エンストリップTL−106、メルテックス社製)に浸漬して除去したあと、その作成途中の基板に、硬化剤を分散したエポキシ樹脂にウレタン樹脂が60vol%分散している樹脂フィルム316(500MPa)をラミネートし(図6参照)、150℃で60分硬化し、その後導体ポスト50の表面が露出するまで研磨した(図7参照)。なお、研磨後の樹脂フィルム316が低弾性率層40となる。また、低弾性率層40から露出した導体ポスト50の頂部がランド52となる。最終的に、導体ポスト50の高さは200μmとなった。
次に、この作成途中の基板を、銅表面を活性化するパラジウム触媒を含む酸性溶液に浸漬したあと、塩化ニッケル30g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/l、クエン酸ナトリウム10g/lからなるpH5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、ランド52の上に厚さ5μmのニッケルめっき層を形成した。更に、その基板を、シアン化金カリウム2g/l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/lからなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒浸漬して、ニッケルめっき層の上に厚さ0.03μmの金めっき層を形成した。そして、マスクパターンを用いてはんだペーストを印刷して200℃でリフローすることによりランド52上にはんだバンプ66を形成し、多層プリント配線板10を製造した(図8及び図1参照)。
以上詳述した本実施形態の多層プリント配線板10によれば、導体ポスト50のアスペクト比Raspが適正であるため、コア基板20と半導体チップ70との熱膨張係数差に起因する応力が発生したとしてもその応力を確実に緩和することができるので熱膨張・熱収縮による半導体チップ70との接続破壊や半導体チップ70の絶縁層の破壊を防止することができるし、加熱・冷却を繰り返したときの電気抵抗の変化率を小さく抑えることができるので半導体チップ70へ安定して電源を供給することができる。また、導体ポスト50は最も細い部分の直径が30μmを超えるため、半導体チップ70に電源を供給する際の電圧降下を抑制することができ、ひいては半導体チップ70が誤動作を起こすのを防止することができる。特に、3GHz以上のICチップ70を搭載したときにこの効果が顕著となる。更に、導体ポスト50は、クビレを持つ形状に形成され、しかも最も細い部分の直径に対する最も太い部分の直径(最も太い部分/最も細い部分)が2以上であるため、略ストレート形状の導体ポストに比べて、加熱・冷却を繰り返したときの電気抵抗の変化率をより抑えることができる。なぜなら、低弾性率層40と導体ポスト50とが一緒に変形するからである。これらの効果については後述する実験例で説明するとおり実証済みである。更にまた、ランド52として、低弾性率層40の上面と同一平面となるように形成された導体ポスト50の頂部を利用しているため、導体ポスト50とは別にランドを形成する場合に比べて、簡単に作製することができる。そしてまた、低弾性率層40は、30℃におけるヤング率が10MPa〜1GPaであるため、熱膨張係数差に起因する応力をより確実に緩和することができる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した実施形態では、導体ポスト50の形状をクビレを持つ形状としたが、略ストレートな柱状としてもよい。このように導体ポスト50を略ストレートな柱状にする場合には、例えばエッチング液をスリットノズル等により直線的にスプレー噴射してエッチングすればよい。この場合も、導体ポスト50のアスペクト比Raspが4≦Rasp<20であれば、上述した実施形態と同様、熱膨張・熱収縮による半導体チップ70との接続破壊を防止することができると共に半導体チップ70の誤動作を防止することができる。このとき、導体ポスト50の横断面の直径を30μmを超えるようにすることが電圧降下量を低く抑えることができるので好ましい。但し、80μmを超えると、導体ポスト50が低弾性率層40の変形を妨げるおそれがあるため、30μmを超えるが80μm以下とするのがより好ましい。なお、これらについても後述する実験例で説明するとおり実証済みである。
また、上述した実施形態の低弾性率層40上にソルダーレジスト層を形成してもよい。この場合、ソルダーレジスト層にはランド52が外部に露出するよう開口を設ける。なお、このようなソルダーレジスト層は常法により形成することができる。
更に、上述した実施形態ではビルドアップ層30の上に導体ポスト50を備えた低弾性率層40を1層だけ形成したが、複数積層してもよい。
更にまた、上述した実施形態ではランド52を導体ポスト50の頂部つまり導体ポスト50の一部としたが、ランド52を導体ポスト50とは別体としてもよい。
実験例
以下に、本実施形態の多層プリント配線板10の効果を実証するための実験例について説明する。まず、導体ポストのアスペクト比Raspと加熱・冷却を繰り返したあとの電気抵抗の変化率との関係について説明する。ここでは、図9のテーブルに示す実験例1〜12の導体ポストを備えた多層プリント配線板を上述した実施形態に準じて作成した。具体的には、各実験例において、図3のドライフィルム306(厚さ240μm)に炭酸ガスレーザを使って形成する開口308の穴径を導体ポストの最大径に合わせて設定し、図5の銅層310のエッチング時間を導体ポストの最小径に合わせて設定した。なお、最小径と最大径とが同じものは略ストレートな柱状の導体ポストであり、最小径と最大径が異なるものはクビレを持つ形状の導体ポストである。また、ストレート形状の導体ポストはスリットノズルを用いたスプレーエッチングを採用した。このようにして作製した各実施例の多層プリント配線板にICチップを実装し、その後ICチップと多層プリント配線板との間に封止樹脂を充填しIC搭載基板とした。そして、ICチップを介した特定回路の電気抵抗(IC搭載基板のICチップ搭載面とは反対側の面に露出しICチップと導通している一対の電極間の電気抵抗)を測定し、その値を初期値とした。その後、それらのIC搭載基板に、−55℃×5分、125℃×5分を1サイクルとしこれを1500サイクル繰り返すヒートサイクル試験を行った。このヒートサイクル試験において、500サイクル目、750サイクル目、1000サイクル目、1500サイクル目の電気抵抗を測定し、初期値との変化率(100×(測定値−初期値)/初期値(%))を求めた。その結果を図9のテーブルに示す。このテーブル中、電気抵抗の変化率が±5%以内のものを「良好」(○)、±5〜10%のものを「ふつう」(△)、±10%を超えたものを「不良」(×)とした。なお、目標スペックを、1000サイクル目の変化率が±10%以内(つまり評価で「ふつう」か「良好」)とした。このテーブルから明らかなように、アスペクト比Raspが4以上では少なくとも1000サイクル目まで評価が「良好」であったのに対して、アスペクト比Raspが3.3以下では評価は殆ど「不良」であった。また、アスペクト比Raspが20では導体ポストにクラックが発生して断線した。また、導体ポストのアスペクト比Raspが同じ場合にはクビレを持つ形状の方が略ストレート状よりも優れていた。
次に、導体ポストの最小径と電圧降下との関係について説明する。ここでは、図10のテーブルに示す実験例13〜18の多層プリント配線板を上述した実施形態に順じて作製した。具体的には、各実験例において、図3のドライフィルム306(厚さ240μm)に炭酸ガスレーザを使って形成する開口308の穴径を導体ポストの最大径に合わせて設定し、図5の銅層310のエッチング時間を導体ポストの最小径に合わせて設定した。このようにして作製した各実施例の多層プリント配線板に3.1GHzで高速に駆動するICチップを実装して、一定量の電源を供給してこのICチップを起動したときの電圧降下量を測定した。ちなみに、ICチップの電圧は直接測定できないので多層プリント配線板にICチップの電圧を測定できる回路を形成し、その回路で電圧降下量を測定した。その結果を図10のテーブルとグラフに示す。なお、ICチップのトランジスタをオンするとそのトランジスタは時間経過に伴って複数回電圧が降下するが、そのうちの1回めの電圧降下量を測定した。また、図10のテーブル中の電圧降下量は、電源電圧を1.0VとしてICチップを5回起動したときの電圧降下量の平均値とした。一方、図10のテーブル中の導体ポストの最小径に関しては断面研磨後に測定し、ICチップの誤動作の有無に関しては同時スイッチングを100回繰り返してその間に誤動作が発生したかどうかを確認した。図10のグラフから明らかなように、導体ポストの最小径が30μmを超えた付近で電圧降下量が目立って小さくなっている。なお、実験例13(図10のテーブル参照)の多層プリント配線板に1GHzのICチップを実装して同様にして誤動作が発生したかどうかを確認したが、誤動作は発生しなかった。なお、導体ポストの最小径が80μmを超えると、アスペクト比Raspを4以上にする必要があることから導体ポストが高くなり配線長が長くなるので、最小径は30μmを超え80μm以下であることが好ましい。
次に、導体ポストのアスペクト比とICチップの絶縁層にかかる応力との関係について説明する。ICチップ、低弾性率層、はんだバンプ、導体ポスト、コア基板等の各種構成材料の熱膨張係数や弾性率、ポアソン比を一定にしたまま導体ポストのアスペクト比Raspを変化させて3Dストリップシミュレーションを行い、導体ポストのアスペクト比Raspが1のときのICチップの絶縁層にかかる応力に対する種々のアスペクト比Raspの導体ポストにおけるICチップの絶縁層にかかる応力の比(単に応力比という)を計算した。その結果を図11のテーブル及びグラフに示す。このテーブル及びグラフから明らかなように、アスペクト比Raspが4を境に応力比が大きく変化していることがわかる。すなわち、応力比はアスペクト比Raspが4以上では小さいのに対して4未満では大きくなっている。
更なる実験例について以下に説明する。まず、導体ポストのアスペクト比Raspと加熱・冷却を繰り返したあとの電気抵抗の変化率との関係について説明する。ここでは、図13のテーブルに示す実験例19〜73の導体ポストを備えた多層プリント配線板を上述した実施形態に準じて作成した。具体的には、各実験例において、導体ポストの高さに応じて厚みを種々変更したドライフィルム306(図3参照、例えばフィルム枚数で厚みを調整してもよい)に炭酸ガスレーザを使って形成する開口308の穴径を導体ポストの最大径に合わせて設定し、図5の銅層310のエッチング時間を導体ポストの最小径に合わせて設定した。なお、最小径と最大径とが同じものは略ストレートな柱状の導体ポストであり、最小径と最大径が異なるものはクビレを持つ形状の導体ポストである。また、ストレート形状の導体ポストはスリットノズルを用いたスプレーエッチングを採用した。このようにして作製した各実施例の多層プリント配線板にICチップを実装し、その後ICチップと多層プリント配線板との間に封止樹脂を充填しIC搭載基板とした。そして、上述した実施例1〜18と同様のヒートサイクル試験を行った。但し、1750サイクル目、2000サイクル目、2500サイクル目についても電気抵抗を測定し評価を行った。その結果を図13のテーブルに示す。このテーブル中の○、△、×の意味するところは図9と同様である。
図13の結果から、アスペクト比Raspが4以上20未満であると、少なくとも1000サイクルまでは評価が「ふつう」(△)又は「良好」(○)であった。それに対し、アスペクト比Raspが4未満または20以上のものは1000サイクルにおいて「不良」(×)であった。これは、アスペクト比Raspが4未満では、低弾性率層が変形しようとしても導体ポストがその変形を妨げてしまうからと推察しており、20以上では、導体ポストが変形しすぎて疲労劣化してしまうからと推察している。また、特にアスペクト比Raspが4以上6.5以下のものがより長いサイクル数において良好な結果を与えた。また、アスペクト比Raspが4以上20未満において、導体ポストの形状を比較すると、クビレ形状のものは少なくとも1500サイクルまで評価が「ふつう」又は「良好」であったのに対し、ストレート形状のものは少なくとも1000サイクルまで評価が「ふつう」又は「良好」で1500サイクルでは評価が「不良」又は「ふつう」であった。これは、クビレ形状のものはクビレ部を中心として低弾性率層と一緒により変形しやすいためと推察している。一方、導体ポストの最小径に関しては、30μmを超え60μm以下のときに好ましい結果が得られた。これは、30μm以下では径が細いため繰り返される変形で疲労劣化してしまい、60μmを超えると導体ポストが変形しづらくなるからと推察している。また、導体ポストの最大径/最小径の比が2以上である実験例22〜24,35〜37と2未満である実験例25〜27,38〜40を比較すると、前者の方が長期信頼性が高かった。これは、最大径/最小径の比が大きいため、導体ポストが適度に変形しやすいからと推察している。
なお、低弾性率層の代わりに、ビルドアップ層の形成に用いた樹脂絶縁層(味の素社製、品名:ABF−45SH、ヤング率:3.0GPa)を採用して、実験例22と同様の導体ポストを作製し、上述した各実験例と同様の評価試験を行ったところ、500サイクル目で既に「不良」(×)であった。これは、低弾性率層の代わりに弾性率の高い樹脂絶縁層を採用したため、応力を緩和することができなかったためと推察している。
産業上の利用の可能性
本発明の多層プリント配線板は、ICチップなどの半導体素子を搭載するために用いられるものであり、例えば電気関連産業や通信関連産業などに利用される。
Claims (7)
- コア基板と、
該コア基板上に形成され上面に導体パターンが設けられたビルドアップ層と、
該ビルドアップ層上に形成された低弾性率層と、
該低弾性率層の上面に設けられ電子部品と接続部を介して接続される実装用電極と、
前記低弾性率層を貫通して前記実装用電極と前記導体パターンとを電気的に接続する導体ポストと、
を備えた多層プリント配線板であって、
前記導体ポストは、クビレを持つ形状に形成され、アスペクト比Raspが4≦Rasp<20である、多層プリント配線板。 - 前記導体ポストは、アスペクト比Raspが4≦Rasp≦6.5である、請求項1に記載の多層プリント配線板。
- 前記導体ポストは、直径が30μmを超え60μm以下である、請求項1又は2記載の多層プリント配線板。
- 前記導体ポストは、最も細い部分の直径に対する最も太い部分の直径の比が2以上である、請求項1〜3のいずれか記載の多層プリント配線板。
- 前記実装用電極は、前記低弾性率層の上面と略同一平面となるように形成された前記導体ポストの頂部である、請求項1〜4のいずれか記載の多層プリント配線板。
- 前記低弾性率層は、30℃におけるヤング率が10MPa〜1GPaである、請求項1〜5のいずれか記載の多層プリント配線板。
- (a)コア基板上に形成されたビルドアップ層の上面に設けられた導体パターン上に頂部がレジストで保護され太さが略一様な導体ポストを形成する工程と、
(b)該導体ポストを浸食するエッチング液への浸漬時間を調整することによりクビレを持つ形状に成形する工程と、
(c)前記頂部のレジストを除去したあと前記導体ポストと略同じ高さの低弾性率層を形成する工程と、
(d)該導体ポストの上面に実装用電極を形成する工程と、
を含む、多層プリント配線板の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4846572B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2011-12-28 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板 |
WO2017159386A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社村田製作所 | 実装構造体、及び、積層コンデンサ内蔵基板 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100827266B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2008-05-07 | 이비덴 가부시키가이샤 | 다층 프린트 배선판 |
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US7462784B2 (en) * | 2006-05-02 | 2008-12-09 | Ibiden Co., Ltd. | Heat resistant substrate incorporated circuit wiring board |
GB2444775B (en) | 2006-12-13 | 2011-06-08 | Cambridge Silicon Radio Ltd | Chip mounting |
US8455766B2 (en) * | 2007-08-08 | 2013-06-04 | Ibiden Co., Ltd. | Substrate with low-elasticity layer and low-thermal-expansion layer |
US8829355B2 (en) * | 2009-03-27 | 2014-09-09 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
US9312230B2 (en) | 2010-02-08 | 2016-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conductive pillar structure for semiconductor substrate and method of manufacture |
US9059187B2 (en) * | 2010-09-30 | 2015-06-16 | Ibiden Co., Ltd. | Electronic component having encapsulated wiring board and method for manufacturing the same |
US20120090883A1 (en) * | 2010-10-13 | 2012-04-19 | Qualcomm Incorporated | Method and Apparatus for Improving Substrate Warpage |
US9368439B2 (en) * | 2012-11-05 | 2016-06-14 | Nvidia Corporation | Substrate build up layer to achieve both finer design rule and better package coplanarity |
US20150195912A1 (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-09 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. | Substrates With Ultra Fine Pitch Flip Chip Bumps |
US10090267B2 (en) * | 2014-03-13 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Bump structure and method for forming the same |
US11101203B2 (en) * | 2019-07-31 | 2021-08-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wiring structure comprising intermediate layer including a plurality of sub-layers |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5828848A (ja) * | 1981-05-06 | 1983-02-19 | アイ・テイ・テイ・インダストリ−ズ・インコ−ポレ−テツド | 集積回路、半導体デバイスおよびコンポ−ネントの取付方法 |
JP2001036253A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線回路基板及びその製造方法 |
JP2001298272A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nec Corp | プリント基板 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5116459A (en) * | 1991-03-06 | 1992-05-26 | International Business Machines Corporation | Processes for electrically conductive decals filled with organic insulator material |
JPH0547842A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP3428070B2 (ja) | 1993-06-07 | 2003-07-22 | 株式会社東芝 | 印刷配線板の製造方法 |
KR100280298B1 (ko) * | 1995-11-17 | 2001-02-01 | 니시무로 타이죠 | 다층배선기판, 다층배선기판의 프리패브 소재, 다층배선기판의 제조방법, 전자부품, 전자부품 패키지 및 도전성 필러의 형성방법 |
JPH10270496A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 電子装置、情報処理装置、半導体装置並びに半導体チップの実装方法 |
JP3057156B2 (ja) * | 1998-10-08 | 2000-06-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板とその製造方法 |
JP2001085802A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-03-30 | Hitachi Cable Ltd | 配線基板及びそれを用いた電子装置及びその製造方法 |
JP3865989B2 (ja) * | 2000-01-13 | 2007-01-10 | 新光電気工業株式会社 | 多層配線基板、配線基板、多層配線基板の製造方法、配線基板の製造方法、及び半導体装置 |
US6729023B2 (en) * | 2000-05-26 | 2004-05-04 | Visteon Global Technologies, Inc. | Method for making a multi-layer circuit board assembly having air bridges supported by polymeric material |
JP2003008228A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
US20030034565A1 (en) * | 2001-08-18 | 2003-02-20 | Lan James Jaen-Don | Flip chip substrate with metal columns |
KR100827266B1 (ko) | 2004-04-28 | 2008-05-07 | 이비덴 가부시키가이샤 | 다층 프린트 배선판 |
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2010
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5828848A (ja) * | 1981-05-06 | 1983-02-19 | アイ・テイ・テイ・インダストリ−ズ・インコ−ポレ−テツド | 集積回路、半導体デバイスおよびコンポ−ネントの取付方法 |
JP2001036253A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線回路基板及びその製造方法 |
JP2001298272A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nec Corp | プリント基板 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4846572B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2011-12-28 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板 |
WO2017159386A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社村田製作所 | 実装構造体、及び、積層コンデンサ内蔵基板 |
US10510489B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-12-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mounting structure and multilayer capacitor built-in substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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