JP2010232636A - 多層プリント配線板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 平坦性に優れた低熱膨張基板50の表面にビルドアップ配線層を形成できるので、細い配線や厚み精度に優れた導体回路38を形成することができ、ファインピッチ化が実現できる。更に、コア基材12上にビルドアップ配線層38を形成することにより、高密度化が図られ、小型化でき、層数を低減することで薄板化が可能となる。低熱膨張基板50を内蔵させることで、低熱膨張基板50のビア導体40に対して、めっきによりビア46で接続を取ることができ、信頼性を向上させることができる。
【選択図】 図3
Description
前記低熱膨張基板の表面側と裏面側とを貫通するスルーホール導体と、
前記低熱膨張基板を開口内に収容するコア基材と、
前記低熱膨張基板及び前記コア基材上に層間樹脂絶縁層と導体層とを積層してなるビルドアップ層と、を備える多層プリント配線板を形成するとの着想に至った。
図3(A)を参照して、本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板について説明する。
多層プリント配線板10は、コア基材12の貫通部12a内に、熱膨張係数が約3ppmである樹脂からなる低熱膨張基板50を収容してなる。低熱膨張基板50の上面側(第1面側)には導体回路66が形成され、該導体回路66の上にはソルダーレジスト層28Uが被覆されている。ソルダーレジスト層28Uの内部には、導体回路66の一部を露出させる開口28aが形成されている。開口28aの内部には半田バンプ32Uが設けられている。この開口28aから露出される導体回路66の一部が、半導体素子を実装する「実装パッド」として機能する。この実装パッド間のピッチは30〜150μmピッチであり、実装パッド間の絶縁性、半田バンプ32U間の絶縁性、半導体素子の配線層をプリント配線基板側に取り込むことなどを考慮した場合、40〜80μmピッチが好ましい。そして、半田バンプ32Uを介してICチップ100及びICチップ110が実装されている。なお、ここで実装されるICチップの個数は特に限定されない。すなわち1つでもよく、3つ以上であってもよい。
また、スルーホール導体40は千鳥状又は格子状に形成されている。スルーホール導体40の径が小さくなると(例えば100μm以下)、導体抵抗が高くなり、スルーホール導体40の発熱量が大きくなる。そこで、スルーホール導体40を千鳥状又は格子状に形成することで、低熱膨張基板50における温度分布が一様になるため、特定の箇所への応力の集中を抑制することが可能となる。
層間樹脂絶縁層36の上層には、層間樹脂絶縁層42が形成され、層間樹脂絶縁層42上に形成された導体回路44と下層の導体回路38とは、層間樹脂絶縁層42内に形成されたビア導体46を介して接続されている。層間樹脂絶縁層42の上層にはソルダーレジスト層28Dが形成され、その内部には導体回路44の一部を露出させる開口28aが形成されている。この開口28aから露出される導体回路44の一部が、他の基板との電気的接続に寄与する「接続パッド」である。接続パッドのピッチはスルーホール導体40のピッチより大きく、50〜300μmである。接続パッドは、ビア導体46の直上やビア導体46から延びる導体回路44上に形成される。
この接続パッド上に半田バンプ32Dが形成されている。該半田バンプ32Dを介して、多層プリント配線板10は、図示しない別のプリント配線板に実装される。図4(A)は、低熱膨張基板50の上面と側面との間に設けられたテーパー面50Eを示し、図4(C)は、低熱膨張基板の側面と側面との間に設けられたテーパー面50eを示している。
先ず図1(A)に示すように、PETフィルム88上に載置したコア基材12の貫通部内に下面側に導体回路66の形成された低熱膨張基板50(東洋紡績(株)社製XENOMAX)を収容させる。ここで、コア基材12は、厚みが約0.8mmで、ガラスクロス等の心材にエポキシ、BT(ビスマレイミドトリアジン)等の樹脂を含浸させたプリプレグを複数枚重ねて硬化させて成る。
図3(B)を参照して、第1実施例の第1改変例の多層プリント配線板について説明する。
図3(A)を参照して上述した第1実施例では、スルーホール導体40が、コア基材12及び層間樹脂絶縁層36を貫通した。これに対して、第1実施例の第1改変例に係る多層プリント配線板では、スルーホール導体40が、低熱膨張基板50のみを貫通し、層間樹脂絶縁層36上に設けられた導体回路38とスルーホール導体40とが、層間樹脂絶縁層36内に設けられたビア導体39を介して接続されている。図4(B)は、第1実施例の第1改変例に係る低熱膨張基板50の上面と側面との間に設けられたR面50Rを示し、図4(D)は、低熱膨張基板の側面と側面との間に設けられたR面50rを示している。低熱膨張基板50は、周縁部を面取りして角部が無いように形成されている。
図3(C)を参照して、第1実施例の第2改変例の多層プリント配線板について説明する。
図3(A)を参照して上述した第1実施例では、スルーホール導体40が、コア基材12及び層間樹脂絶縁層36を貫通した。これに対して、第1実施例の第2改変例の多層プリント配線板では、スルーホール導体40が、低熱膨張基板50、層間樹脂絶縁層36及び層間樹脂絶縁層42を貫通している。
[第1実施例の第3改変例]
図3(A)〜(C)を参照して上述した第1実施例では、樹脂からなる低熱膨張基板50を採用した。これに対して、第1実施例の第3改変例の多層プリント配線板では、低熱膨張基板50としてシリコンを用いる。この場合、シリコン表面には例えば熱酸化処理により絶縁膜が形成される。この第3改変例では平坦性に優れるシリコン基板表面に配線層を形成できるので、幅精度や厚み精度に優れた導体回路を形成することが容易となる。さらに、鏡面処理された表面に配線層を形成することで、導体回路のばらつきが抑制され、インピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
図10(B)を参照して、本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板について説明する。
多層プリント配線板10は、コア基材12の貫通部12a内に実施例1と同様の低熱膨張基板150を収容してなる。低熱膨張基板50の内部にはスルーホール導体158が形成されている。低熱膨張基板50の上層(第1面上)には層間樹脂絶縁層136が形成され、層間樹脂絶縁層136上に導体回路168が形成されている。スルーホール導体158と導体回路168とは、層間樹脂絶縁層136内に形成されたビア導体164を介して接続されている。該導体回路168の上にはパッシベーション膜27が被覆されている。パッシペーション膜27の開口27a内には、半田バンプ32Uが形成されていて、該半田バンプ32Uを介してICチップ100が実装されている。
図10(A)に示すように、実施例1と同様の樹脂製の低熱膨張基板150の内部に、波長355nmのUVレーザを用いて、周波数10kHz、パルス幅10μ秒、10〜20ショットの条件でスルーホール用開口150aを形成する(図5(A))。
先ず、PETフィルム88上に載置したコア基材12の開口内に低熱膨張基板150を、その第1面側が下方になるように収容する。このとき、パッシベーション膜27の表面及び半田バンプ32Uの表面には保護層159(日産化学(株)社製、HT−250)が形成されている。なお、コア基材12は、実施例1と同様のものを用いる。
図11を参照して、第2実施例の第1改変例の多層プリント配線板について説明する。
図11(C)に第2実施例の第1改変例の多層プリント配線板を示し、図11(A)に本改変例の多層プリント配線板に用いる低熱膨張基板150を示す。上述した第2実施例では、低熱膨張基板150が一枚の樹脂フィルムから構成された。これに対して、本改変例では、低熱膨張基板150が、一対の樹脂フィルム150α、150αを接着材150βで接着して成る。この低熱膨張基板150に、図11(B)で示すようにレーザでスルーホール用開口150aを形成する。以降の製造工程は、図5〜図9を参照して上述した第2実施例と同様であるため、説明は省略する。
[第2実施例の第2改変例]
上述した第2実施例では、樹脂からなる低熱膨張基板50を採用した。これに対して、第1実施例の第3改変例の多層プリント配線板では、低熱膨張基板50としてシリコンを用いる。この場合、シリコン表面には例えば熱酸化処理により絶縁膜が形成される。この第3改変例では平坦性に優れるシリコン基板表面に配線層を形成できるので、幅精度や厚み精度に優れた導体回路を形成することが容易となる。さらに、鏡面処理された表面に配線層を形成することで、導体回路のばらつきが抑制され、インピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
第3実施例について、図12〜図21を参照して説明する。
図14は、第3実施例の多層プリント配線板10上にICチップ90を実装した状態を示している。
多層プリント配線板10は、ICチップ90を実装するための低CTEの低熱膨張基板50を備える。第3実施例では、低熱膨張基板50には、表裏を貫通する貫通電極250が設けられている。
第3実施例の低熱膨張基板50の第1面上には、無機材料よりなる無機絶縁層57と、無機絶縁層57の内部に形成された第1配線66及びビアランド64と、有機材料よりなる有機絶縁層68と、有機絶縁層68の表面に形成された第2配線78及びパッド80と、第1配線66と第2配線78とを電気的に接続する導体部としてのビア導体81とを有する。
第3実施例における低熱膨張基板50を形成する材料としては、シリコン、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミニウム、ムライト等のセラミック、或いは、ポリイミド(ゼノマックス(商標))等の低CTE樹脂を用い得る。それらのうち、表面の平坦度が高く、微細な配線を形成できるといった観点で、シリコンを用いることが好ましい。この低熱膨張基板50の厚みとしては特に限定されないが、30〜800μmが好ましい。低熱膨張基板50の厚みが30μm未満の場合は、剛性が確保できない可能性がある。一方、低熱膨張基板50の厚みが800μmを超える場合は、全体の厚みが増加してしまい好ましくない。
第3実施例における無機絶縁層57は、例えばSiO2(二酸化珪素)、Si3N4(窒化珪素)等の無機材料よりなる層である。具体的な層構成の一例については第3実施例の低熱膨張基板の製造方法の項で説明する。
この第1配線66の厚みは、後述する第2配線の厚みよりも小さい。第3実施例における第1配線66の厚みは特に限定されるものではないが、2μm以下であることが好ましい。第1配線66の厚みが2μm以下の場合、配線のファイン化が可能となり、半導体素子内部の配線の高密度化に順応することが容易となる。
具体的には、感光性ポリイミド樹脂からなることが望ましい。
保護膜82は、有機絶縁層68の上及び第2配線78の上に形成されている。この保護膜82は、パッド80を部分的に露出させる開口82aを有している。
そして、開口82aには、バリアメタル層84を介してはんだよりなるバンプ92が形成されており、このバンプ92を介して半導体素子90が低熱膨張基板50に実装されている。
まず、図16(A)に示すように、低熱膨張基板50の上に無機絶縁層57(例えば第1SiO2層52、Si3N4層54及び第2SiO2層56)を成膜する。第3実施例の低熱膨張基板50としてはシリコンウェハを用い、シリコンウェハ51の上面に、第1SiO2層52、Si3N4層54及び第2SiO2層56をそれぞれCVD(化学気相成長)法によって成膜する。
さらに、開口258を露出させるようにレジスト260をパターニングする(図17(C))。その後、レジスト260をマスクとしてドライエッチング(反応性イオンエッチング)を行って、第1SiO2層52及びSi3N4層54を順次エッチングして、ビアランド64の下面を露出させる。
この工程で用いる液状樹脂としては、後述するようにビアランド64表面の絶縁膜256を容易に除去することができるといった観点から、感光性樹脂(例えばJSR(株)社製、商品名:WPR、型番:2580)を用いることが望ましい。
具体的には、メチルエチルケトン20〜30重量%、乳酸エチル20〜30重量%、フィラー15〜25重量%、ノボラック樹脂5〜15重量%、メラミン系化合物1〜10重量%、フェノール系樹脂1〜10重量%、架橋ゴム1〜10重量%、エポキシ系化合物1〜5重量%、低分子フェノール樹脂1〜5重量%、カップリング剤0.1〜3重量%、トリアジン系感光剤0.1〜3重量%からなる液状樹脂が挙げられる。
なお、有機絶縁膜の形成方法としては、スピンコート法やディップコート法の他、例えば真空蒸着が挙げられる。
さらに、現像を行い、露光された部位(開口258の底部)の絶縁膜256を除去する(図18(B))。上記工程によって、ビアランド64の下面が低熱膨張基板50の裏面側に再度露出する。
導体薄膜254は、例えばNi/Cuよりなり、スパッタリングにより形成される。なお、この導体薄膜254の構成はこれに限定されるものではない。また、導体薄膜254の形成方法としてはスパッタリングに限定されるものではなく、例えば無電解めっきを採用してもよい。
さらに、導体薄膜254を給電層として電解銅めっきを行って銅めっき層252を形成する(図19(A))。
以上の工程により、有機絶縁層及び第2配線を形成することができる。
まず、PETフィルム402上に載置されたコア基材12の開口12a内に低熱膨張基板50を収容し、開口12aと低熱膨張基板50との隙間に樹脂404を充填してコア基材12に低熱膨張基板50を固定させる(図12(A))。
第4実施例の多層プリント配線板の製造方法について説明する。第4実施例の多層プリント配線板の構造は第3実施例と同様である。
(1)キャリア付金属膜460を準備する(図23(A))。このキャリア付金属膜はキャリア(支持板)460aとキャリア上の金属膜460bとからなり、金属膜はキャリアの両面に積層されている。金属膜460bには剥離層462が形成されている。キャリアとしては、40μmから800μm厚みのガラス繊維で強化された基板や両面銅張積層板を用いることができる。金属膜としては、3μmから50μm厚みの銅箔やニッケル箔、アルミニウム箔等を用いることができる。剥離層462としては、Ni、Crなどからなる金属系の剥離層やカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)、N',N'-ビス(ベンゾトリアゾリルメチル)ユリア(BTD−U)および3-アミノ-1H-1,2,4-トリアゾール(ATA)などからなる有機系の剥離層を用いることができる。
図25(A)は、第4実施例の第1改変例に係る多層プリント配線板を製造方法を示す。第4実施例では、キャリア付金属膜460を用いたが、第1改変例では、粘着膜の形成されたPETフィルム480の両面に低熱膨張基板50及びコア基材12を貼り、多層プリント配線板を製造する。
図25(B)は、第4実施例の第2改変例に係る多層プリント配線板を製造方法を示す。第4実施例では、キャリア付金属膜460に貼り付け後に層間樹脂絶縁層36を形成した。これに対して、第2改変例では、低熱膨張基板50及びコア基材12に層間樹脂絶縁層36を形成した後、キャリア付金属膜460に熱可塑樹脂からなる剥離材470を介在させて低熱膨張基板50及びコア基材12を貼り付ける。第2改変例では、低熱膨張基板50に保護用の銅メッキ膜を形成する必要が無い。
図25(C)は、第4実施例の第3改変例に係る多層プリント配線板を製造方法を示す。第3改変例では、第2改変例の剥離材470と、低熱膨張基板50及びコア基材12との間にさらに剥離シート472を設ける。
第5実施例の多層プリント配線板について説明する。図26に示すように、第5実施例の多層プリント配線板は、二枚のコア基板12A、12Bを備え、コア基板12Aとコア基板12Bとの間に、層間絶縁層42、バイアホール40、導体回路38、層間絶縁層36を有するビルドアップ層が形成されている。コア基板12Bの上面には、導体回路44が形成される。該コア基板12Bの内部には、当該コア基板12Bを貫通するバイアホール540が形成されている。バイアホール540上には、Ni/Pb/Au層512を介して半田バンプ32Dが形成されている。コア基板12Aの内部には開口12aが形成され、該開口12a内に上述した樹脂や、Si、セラミック等から形成されている低熱膨張基板50が収容されている。該低熱膨張基板50は、上述したバイアホール40及び導体回路38に接続するバイアホール158が形成されている。バイアホール158の上面側には半田バンプ32Uが形成されている。低熱膨張基板50には、位置決め用の位置決めマーク153が形成されている。コア基板12A及び低熱膨張基板50上にソルダーレジスト層28が形成されている。第5実施例では、ビルドアップ層を剛性の高い2枚のコア基板12A、12Bで挟むことで、基板全体の反りを抑制することができる。
(1)40μmから800μm厚みのガラス繊維で強化された樹脂含浸のコア基板12Aの中央部の開口12a内に、位置決めマーク153の形成された低熱膨張基板50を収容する(図27(A))。ここで、コア基板12A及び低熱膨張基板50をPETフィルム514で支持し、開口12aと低熱膨張基板50との間には樹脂516を充填する。
(2)一方、40μmから800μm厚みのガラス繊維で強化された樹脂含浸のコア基板12Bの上層に、導体回路44、層間絶縁層42、バイアホール40、導体回路38を形成する。次いで、層間絶縁層42及び導体回路38上に接着剤層36を形成する(図27(B))。
(3)低熱膨張基板50を収容するコア基板12A、及び、ビルドアップ層の形成されたコア基板12Bとを積層し、PETフィルムを剥離する(図27(C))。
(4)低熱膨張基板50及び層間絶縁層36を貫通する通孔518を形成し、バイアホール158を設ける。同様に、コア基板12Bを貫通する通孔520を形成し、バイアホール540を設ける(図27(D))。バイアホール540上に、Ni/Pb/Au層512を介して半田バンプ32Dを形成する。
(5)低熱膨張基板50及びコア基板12A上にソルダーレジスト層28を設け、ソルダーレジスト層の開口28aに半田バンプ32Uを形成する(図26)。
12 コア基材
12a 開口
14 層間樹脂層
22 ビア導体
24 スルーホール導体
28 ソルダーレジスト層
32 半田バンプ
36 層間樹脂絶縁層
38 導体回路
40 ビア導体
42 層間樹脂絶縁層
44 導体回路
46 ビア導体
50 低熱膨張基板
90 ICチップ
100 ICチップ
Claims (18)
- 第1面及び第1面とは反対側に位置する第2面を有し、貫通部を有するコア基材と、
前記コア基材の貫通部の内部に収容され、半導体素子が実装される側の第1面及び第1面の反対側に位置する第2面を有する低熱膨張基板と、
前記低熱膨張基板の内部に設けられ、第1面側と第2面側とを導通する第1スルーホール導体と、
前記低熱膨張基板と前記コア基材の内壁との隙間に充填される充填材料と、
前記低熱膨張基板及び前記コア基材の第1面側及び第2面側の少なくとも一方に形成され、樹脂絶縁層と導体層とを積層してなる配線層と、を備え、
前記配線層は、前記第1スルーホール導体と前記導体層とを接続するビア導体を有している多層プリント配線板。 - 前記コア基材のヤング率は、前記配線層を形成する樹脂絶縁層のヤング率よりも大きい請求項1の多層プリント配線板。
- 前記充填材料と前記樹脂絶縁層とは同一の材料からなる請求項1の多層プリント配線板。
- 前記低熱膨張基板の第1面上には、絶縁層と導体層とを積層してなる配線層が形成されている請求項1の多層プリント配線板。
- 前記低熱膨張基板の第1面上に形成されている配線層の厚みは、前記低熱膨張基板の厚みよりも小さい請求項1の多層プリント配線板。
- 前記低熱膨張基板の低熱膨張係数は、2.5〜10ppmである請求項1の多層プリント配線板。
- 前記低熱膨張基板の周縁の角部にテーパーを設けた請求項1の多層プリント配線板。
- 前記低熱膨張基板の第1面上の配線層は、半導体素子を搭載する搭載パッドを有しており、その搭載パッドのピッチは前記第1スルーホール導体のピッチよりも小さい請求項4の多層プリント配線板。
- 前記低熱膨張基板上の第1面上の配線層は、半導体素子を搭載する搭載パッドを有しており、その搭載パッドのピッチは前記第1スルーホール導体のピッチと略同一である請求項4の多層プリント配線板。
- 前記コア基材及び前記低熱膨張基板の第2面上の配線層は、他の基板と電気的に接続する接続パッドを有しており、その接続パッドのピッチは前記第1スルーホール導体のピッチよりも大きい請求項1の多層プリント配線板。
- 前記コア基材の第1面上には樹脂層が形成されている請求項1の多層プリント配線板。
- 前記樹脂層上には導体層が形成されている請求項11の多層プリント配線板。
- 第1面及び第1面とは反対側に位置する第2面を有し、貫通部を有するコア基材と、
前記コア基材の貫通部の内部に収容され、半導体素子が実装される側の第1面及び第1面の反対側に位置する第2面を有する低熱膨張基板と、
前記低熱膨張基板と前記コア基材の内壁との隙間に充填される充填材料と、
前記低熱膨張基板の第1面上に形成され、第1絶縁層と第1導体層とを積層してなる第1配線層と、
前記コア基材の第1面上及び前記低熱膨張基板の第1面上に形成されるとともに、前記半導体素子の実装面を露出する開口を有する第2配線層と、
前記コア基材の内部に形成され、その第1面側と第2面側とを導通するスルーホール導体と、を備え、
前記第2配線層は、第2絶縁層と第2導体層とを積層してなるとともに、該第2導体層と前記第1導体層とを接続するビア導体を有している多層プリント配線板。 - 前記低熱膨張基板の内部には、第1面側と第2面側とを導通するスルーホール導体が設けられている請求項13の多層プリント配線板。
- 前記低熱膨張基板に設けられたスルーホール導体は電源用又はグランド用のスルーホール導体であり、前記コア基材に設けられたスルーホール導体は信号用のスルーホール導体である請求項14の多層プリント配線板。
- 貫通部を有するコア基材を固定材上に配設すること;
前記コア基材の貫通部から露出する固定材上に、スルーホール導体を有する低熱膨張基板を載置すること;
載置した前記低熱膨張基板と前記コア基材の内壁との隙間に充填材料を充填し、前記低熱膨張基板を固定すること;
前記低熱膨張基板上及び前記コア基材上に、導体層と絶縁層とを積層するとともに、当該絶縁層の内部に前記導体層と前記スルーホール導体とを接続するビア導体を形成すること;
前記低熱膨張基板を固定した後、前記固定材を剥離すること、
とを有する多層プリント配線板の製造方法。 - スルーホール導体を有する低熱膨張基板上に、絶縁層と導体層とを積層して配線層を形成した状態で、この低熱膨張基板を前記固定材上に載置する請求項16の多層プリント配線板の製造方法。
- 前記導体層のうち最外層の導体層上に半田バンプを形成した状態で、前記低熱膨張基板を前記固定材上に載置する請求項16の多層プリント配線板の製造方法。
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