JP7409493B2 - 信号伝送線路及び信号伝送線路の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、信号導体層及びグランド導体層を備える信号伝送線路に関する。

従来の信号伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の信号伝送線路が知られている。特許文献１に記載の信号伝送線路は、積層体、信号導体、第１グランド導体及び第２グランド導体を備えている。積層体は、複数の樹脂シートが上下方向に積層された構造を有する。積層体は、可撓性を有している。信号導体、第１グランド導体及び第２グランド導体は、積層体に設けられている。第１グランド導体は、信号導体の上に配置されている。第２グランド導体は、信号導体の下に配置されている。これにより、信号導体、第１グランド導体及び第２グランド導体は、ストリップライン構造を有している。また、積層体において、第１グランド導体と信号導体との間に空隙が設けられている。同様に、積層体において、第２グランド導体と信号導体との間に空隙が設けられている。これにより、特許文献１に記載の信号伝送線路では、誘電損失の発生を抑制している。このような特許文献１に記載の信号伝送線路は、上下方向に曲げられた状態で使用される。

国際公開第２０１７／１３０７３１号

ところで、特許文献１に記載の信号伝送線路では、信号伝送線路の特性インピーダンスが変化する。より詳細には、第１グランド導体と信号導体との間に空隙が設けられている。そのため、空隙は、下方向に見て、第１グランド導体及び信号導体と重なっている。この場合、空隙が変形すると、第１グランド導体と信号導体との距離が変化する。そして、第１グランド導体と信号導体との間の容量値が変化する。その結果、信号伝送線路の特性インピーダンスが変化する。

そこで、本発明の目的は、信号伝送線路の特性インピーダンスの変化を抑制できる信号伝送線路を提供することである。

本発明の一形態に係る信号伝送線路は、
信号伝送線路であって、
複数の絶縁樹脂層が積層体上下方向に積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられている第１信号導体層であって、積層体前後方向に延びる第１信号導体層と、
前記積層体に設けられている第１グランド導体層であって、積層体下方向に見て前記第１信号導体層と重なるように、前記第１信号導体層の前記積層体上下方向における上に配置されている第１グランド導体層と、
前記積層体に設けられている第２グランド導体層であって、前記積層体下方向に見て前記第１信号導体層と重なるように、前記第１信号導体層の前記積層体上下方向における下に配置されている第２グランド導体層と、
前記第１信号導体層の積層体左右方向における左に位置するように、前記積層体に設けられている第１層間接続導体であって、前記第１グランド導体層と前記第２グランド導体層とを電気的に接続している第１層間接続導体と、
前記第１信号導体層の前記積層体左右方向における右に位置するように、前記積層体に設けられている第２層間接続導体であって、前記第１グランド導体層と前記第２グランド導体層とを電気的に接続している第２層間接続導体と、
を備えており、
前記第１グランド導体層には、導体層が存在しない導体非形成部が設けられており、
前記積層体には、絶縁樹脂が存在しない空隙が設けられており、
前記導体非形成部の少なくとも一部分は、前記積層体下方向に見て、前記第１層間接続導体より前記積層体左右方向における右、かつ、前記第２層間接続導体より前記積層体左右方向における左に位置する第１領域に配置されており、
前記空隙の少なくとも一部分は、前記積層体下方向に見て、前記第１領域において前記導体非形成部と重なっており、かつ、前記第１信号導体層より前記積層体上下方向における上、かつ、前記第１グランド導体層より前記積層体上下方向における下に配置されており、
前記第１領域には、前記第１グランド導体層と前記第２グランド導体層とを電気的に接続している層間接続導体が設けられていない。

以下に、本明細書における用語の定義について説明する。本明細書において、前後方向に延びる軸や部材は、必ずしも前後方向と平行である軸や部材だけを示すものではない。前後方向に延びる軸や部材とは、前後方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。同様に、上下方向に延びる軸や部材とは、上下方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。左右方向に延びる軸や部材とは、左右方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。

以下では、第１部材ないし第３部材とは、信号伝送線路が備える部材等を意味する。本明細書において、特に断りのない場合には、第１部材の各部について以下のように定義する。第１部材の前部とは、第１部材の前半分を意味する。第１部材の後部とは、第１部材の後半分を意味する。第１部材の左部とは、第１部材の左半分を意味する。第１部材の右部とは、第１部材の右半分を意味する。第１部材の上部とは、第１部材の上半分を意味する。第１部材の下部とは、第１部材の下半分を意味する。第１部材の前端とは、第１部材の前方向の端を意味する。第１部材の後端とは、第１部材の後方向の端を意味する。第１部材の左端とは、第１部材の左方向の端を意味する。第１部材の右端とは、第１部材の右方向の端を意味する。第１部材の上端とは、第１部材の上方向の端を意味する。第１部材の下端とは、第１部材の下方向の端を意味する。第１部材の前端部とは、第１部材の前端及びその近傍を意味する。第１部材の後端部とは、第１部材の後端及びその近傍を意味する。第１部材の左端部とは、第１部材の左端及びその近傍を意味する。第１部材の右端部とは、第１部材の右端及びその近傍を意味する。第１部材の上端部とは、第１部材の上端及びその近傍を意味する。第１部材の下端部とは、第１部材の下端及びその近傍を意味する。

本明細書における任意の２つの部材を第１部材及び第２部材と定義した場合、任意の２つの部材の関係は以下のような意味になる。本明細書において、第１部材が第２部材に支持されているとは、第１部材が第２部材に対して移動不可能に第２部材に取り付けられている（すなわち、固定されている）場合、及び、第１部材が第２部材に対して移動可能に第２部材に取り付けられている場合を含む。また、第１部材が第２部材に支持されているとは、第１部材が第２部材に直接に取り付けられている場合、及び、第１部材が第３部材を介して第２部材に取り付けられている場合の両方を含む。

本明細書において、第１部材が第２部材に固定されているとは、第１部材が第２部材に対して移動不可能に第２部材に取り付けられている場合を含み、第１部材が第２部材に対して移動可能に第２部材に取り付けられている場合を含まない。また、第１部材が第２部材に固定されているとは、第１部材が第２部材に直接に取り付けられている場合、及び、第１部材が第３部材を介して第２部材に取り付けられている場合の両方を含む。

本明細書において、「第１部材と第２部材とが電気的に接続される」とは、第１部材と第２部材との間で直流電流が流れることができることを意味する。従って、第１部材と第２部材とが接触していてもよいし、第１部材と第２部材とが接触していなくてもよい。第１部材と第２部材とが接触していない場合には、第１部材と第２部材との間に導電性を有する第３部材が配置されている。

本発明に係る信号伝送線路によれば、信号伝送線路の特性インピーダンスの変化を抑制できる。

図１は、電子機器１の正面図である。 図２は、信号伝送線路１０の外観斜視図である。 図３は、信号伝送線路１０の分解斜視図である。 図４（ａ）は、図２のＡ－Ａにおける断面図である。図４（ｂ）は、図２のＢ－Ｂにおける断面図である。 図５は、信号伝送線路１０ａのＢ－Ｂにおける断面図である。 図６（ａ）は、信号伝送線路１０ｂのＡ－Ａにおける断面図である。図６（ｂ）は、信号伝送線路１０ｂのＢ－Ｂにおける断面図である。 図７（ａ）は、信号伝送線路１０ｃのＡ－Ａにおける断面図である。図７（ｂ）は、信号伝送線路１０ｃのＢ－Ｂにおける断面図である。 図８は、信号伝送線路１０ｄの分解斜視図である。 図９は、信号伝送線路１０ｅの分解斜視図である。 図１０は、信号伝送線路１０ｆの分解斜視図である。 図１１は、信号伝送線路１０ｇの斜視図である。 図１２は、信号伝送線路１０ｇの分解斜視図である。 図１３は、信号伝送線路１０ｈの断面図である。 図１４は、信号伝送線路１０ｉの断面図である。

（実施形態）
［信号伝送線路の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る信号伝送線路１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、電子機器１の正面図である。図２は、信号伝送線路１０の外観斜視図である。図３は、信号伝送線路１０の分解斜視図である。図４（ａ）は、図２のＡ－Ａにおける断面図である。図４（ｂ）は、図２のＢ－Ｂにおける断面図である。

信号伝送線路１０は、図１に示すように、携帯電話等の電子機器１において、２つの回路を接続するために用いられる。また、信号伝送線路１０は、図１に示すように、上下方向に曲げられて使用される。そのため、信号伝送線路１０は、非湾曲区間Ａ１，Ａ３及び湾曲区間Ａ２を有している。非湾曲区間Ａ１，Ａ３は、信号伝送線路１０が上下方向に曲げられない区間である。湾曲区間Ａ２は、信号伝送線路１０が上下方向に曲げられる区間である。非湾曲区間Ａ１は、湾曲区間Ａ２の左に位置している。非湾曲区間Ａ１は、湾曲区間Ａ２と隣接している。非湾曲区間Ａ３は、湾曲区間Ａ２の右に位置している。非湾曲区間Ａ３は、湾曲区間Ａ２と隣接している。

ここで、本明細書において、方向を以下のように定義する。信号伝送線路１０の積層体１２の積層方向を積層体上下方向と定義する。信号伝送線路１０の第１信号導体層１８が延びる方向を積層体前後方向と定義する。信号伝送線路１０の第１信号導体層１８の線幅方向を積層体左右方向と定義する。積層体上下方向、積層体前後方向及び積層体左右方向は、互いに直交している。

ただし、図１に示すように、信号伝送線路１０は上下方向に曲げられる。従って、積層体上下方向及び積層体前後方向は、図１に示すように、信号伝送線路１０の位置によって異なる。積層体１２が折り曲げられていない非湾曲区間Ａ１，Ａ３（例えば、（１）の位置）では、積層体上下方向及び積層体前後方向のそれぞれは、上下方向及び前後方向と一致する。一方、積層体１２が折り曲げられている湾曲区間Ａ２（例えば、（２）の位置）では、積層体上下方向及び積層体前後方向のそれぞれは、上下方向及び前後方向と一致しない。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、信号伝送線路１０の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。

信号伝送線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの回路を接続するために用いられる。信号伝送線路１０は、図２及び図３に示すように、積層体１２、レジスト層１７ａ，１７ｂ、第１信号導体層１８、第１グランド導体層２０、第２グランド導体層２２、外部電極２４，２６、複数の第１層間接続導体ｖ１、複数の第２層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ１１，ｖ１２を備えている。

なお、図２及び図３では、複数の第１層間接続導体ｖ１及び複数の第２層間接続導体ｖ２、複数の導体非形成部ｐ１，ｐ２及び複数の空隙ｈ１，ｈ２の内の代表的な層間接続導体、導体非形成部及び空隙に参照符号を付した。

積層体１２は、板形状を有している。積層体１２は、図２に示すように、積層体下方向に見て、積層体前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、積層体１２の積層体前後方向の長さは、積層体１２の積層体左右方向の長さより長い。積層体１２の積層体前後方向の長さは、積層体１２の積層体上下方向の長さより長い。積層体１２は、可撓性を有する。従って、積層体１２は、電子機器１において上下方向に曲げられた状態で用いられる。

積層体１２は、図３に示すように、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄが積層体上下方向に積層された構造を有している。絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄは、積層体上下方向における上から下へとこの順に並ぶように積層されている。絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄは、積層体下方向に見て、積層体１２と同じ長方形状を有している。

第１信号導体層１８は、図３に示すように、積層体１２に設けられている。より詳細には、第１信号導体層１８は、絶縁樹脂層１６ｃの上面に設けられている。これにより、第１信号導体層１８は、積層体１２内に設けられている。第１信号導体層１８は、積層体前後方向に延びる線形状を有している。第１信号導体層１８は、絶縁樹脂層１６ｃの上面の積層体左右方向の中央に配置されている。第１信号導体層１８の前端は、絶縁樹脂層１６ｃの前端部に位置している。第１信号導体層１８の後端は、絶縁樹脂層１６ｃの後端部に位置している。第１信号導体層１８には、高周波信号が伝送される。

第１グランド導体層２０は、積層体１２に設けられている。第１グランド導体層２０は、積層体下方向に見て第１信号導体層１８と重なるように、第１信号導体層１８の積層体上下方向における上に配置されている。本明細書において、「第１グランド導体層２０が第１信号導体層１８の積層体上下方向における上に配置される。」とは、以下の状態を指す。第１グランド導体層２０の少なくとも一部分は、第１信号導体層１８が積層体上方向に平行移動するときに通過する領域内に配置されている。よって、第１グランド導体層２０は、第１信号導体層１８が積層体上方向に平行移動するときに通過する領域内に収まっていてもよいし、第１信号導体層１８が積層体上方向に平行移動するときに通過する領域から突出していてもよい。本実施形態では、第１グランド導体層２０は、第１信号導体層１８が積層体上方向に平行移動するときに通過する領域から突出している。

第１グランド導体層２０は、絶縁樹脂層１６ａの上面に設けられている。第１グランド導体層２０は、図３に示すように、積層体下方向に見て、積層体前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。第１グランド導体層２０は、積層体下方向に見て、積層体１２と略一致する形状を有している。ただし、第１グランド導体層２０は、積層体下方向に見て、積層体１２より僅かに小さい。第１グランド導体層２０には、グランド電位が接続される。

第２グランド導体層２２は、積層体１２に設けられている。第２グランド導体層２２は、積層体下方向に見て、第１信号導体層１８と重なるように、第１信号導体層１８の下に配置されている。より詳細には、第２グランド導体層２２は、絶縁樹脂層１６ｄの下面に設けられている。第２グランド導体層２２は、図３に示すように、積層体下方向に見て、積層体前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。第２グランド導体層２２は、積層体下方向に見て、積層体１２と略一致する形状を有している。ただし、第２グランド導体層２２は、積層体下方向に見て、積層体１２より僅かに小さい。第２グランド導体層２２には、グランド電位が接続される。以上のような、第１信号導体層１８、第１グランド導体層２０及び第２グランド導体層２２は、ストリップライン構造を有している。

外部電極２４は、絶縁樹脂層１６ｄの左端部の下面に設けられている。外部電極２４は、積層体下方向に見て、長方形状を有している。外部電極２４が第２グランド導体層２２と絶縁されるように、外部電極２４の周囲には第２グランド導体層２２が設けられていない。外部電極２４は、積層体下方向に見て、第１信号導体層１８の前端部と重なっている。高周波信号は、外部電極２４を介して、第１信号導体層１８に入出力する。外部電極２６は、外部電極２４と前後対称な構造を有する。従って、外部電極２６の説明を省略する。

レジスト層１７ａ，１７ｂは、可撓性を有する保護層である。レジスト層１７ａ，１７ｂは、積層体下方向に見て、積層体１２と同じ長方形状を有している。レジスト層１７ａ，１７ｂは、積層体１２の一部分ではない。

レジスト層１７ａは、絶縁樹脂層１６ａの上面の全面を覆っている。これにより、レジスト層１７ａは、第１グランド導体層２０を保護している。

レジスト層１７ｂは、絶縁樹脂層１６ｄの下面の略全面を覆っている。これにより、レジスト層１７ｂは、第２グランド導体層２２を保護している。ただし、レジスト層１７ｂには、開口ｈ１１～ｈ１８が設けられている。開口ｈ１１は、積層体下方向に見て、外部電極２４と重なっている。これにより、外部電極２４は、開口ｈ１１を介して信号伝送線路１０から外部に露出している。開口ｈ１２は、開口ｈ１１の積層体左右方向における右に設けられている。開口ｈ１３は、開口ｈ１１の積層体前後方向における前に設けられている。開口ｈ１４は、開口ｈ１１の積層体左右方向における左に設けられている。これにより、第２グランド導体層２２は、開口ｈ１２～ｈ１４を介して信号伝送線路１０から外部に露出している。なお、開口ｈ１５～ｈ１８はそれぞれ、開口ｈ１１～ｈ１４と前後対称な構造を有する。従って、開口ｈ１５～ｈ１８の説明を省略する。

以上のような第１信号導体層１８、第１グランド導体層２０、第２グランド導体層２２及び外部電極２４，２６は、例えば、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄの上面又は下面に設けられた銅箔にエッチングが施されることにより形成されている。

複数の第１層間接続導体ｖ１は、第１信号導体層１８の積層体左右方向における左に位置するように、積層体１２に設けられている。複数の第１層間接続導体ｖ１は、積層体前後方向に等間隔に一列に並ぶように配置されている。複数の第１層間接続導体ｖ１は、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄを上下方向に貫通している。複数の第１層間接続導体ｖ１の上端は、第１グランド導体層２０に接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ１の下端は、第２グランド導体層２２に接続されている。これにより、複数の第１層間接続導体ｖ１は、第１グランド導体層２０と第２グランド導体層２２とを電気的に接続している。

複数の第２層間接続導体ｖ２は、第１信号導体層１８の積層体左右方向における右に位置するように、積層体１２に設けられている。複数の第２層間接続導体ｖ２は、積層体前後方向に等間隔に一列に並ぶように配置されている。複数の第２層間接続導体ｖ２は、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄを上下方向に貫通している。複数の第２層間接続導体ｖ２の上端は、第１グランド導体層２０に接続されている。複数の第２層間接続導体ｖ２の下端は、第２グランド導体層２２に接続されている。これにより、複数の第２層間接続導体ｖ２は、第１グランド導体層２０と第２グランド導体層２２とを電気的に接続している。

層間接続導体ｖ１１は、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄの前端部に設けられている。層間接続導体ｖ１１は、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１１の中間部は、第１信号導体層１８の前端部に接続されている。層間接続導体ｖ１１の下端は、外部電極２４に接続されている。これにより、層間接続導体ｖ１１は、第１信号導体層１８と外部電極２４とを電気的に接続している。なお、層間接続導体ｖ１２は、層間接続導体ｖ１１と前後対称な構造を有する。従って、層間接続導体ｖ１２の説明を省略する。

以上のような複数の第１層間接続導体ｖ１、複数の第２層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ１１，ｖ１２は、スルーホールである。スルーホールは、ドリル又はレーザービームにより積層体１２に貫通孔を形成した後に、貫通孔の内周面にめっきにより導体を形成することにより形成される。スルーホールの中心には、図４に示すように、空洞が形成されている。ただし、スルーホールには、空洞が形成されていなくてもよい。

第１グランド導体層２０には、図３及び図４に示すように、導体層が存在しない複数の導体非形成部ｐ１が設けられている。より詳細には、複数の導体非形成部ｐ１の少なくとも一部分は、積層体下方向に見て、第１層間接続導体ｖ１より積層体左右方向における右、かつ、第２層間接続導体ｖ２より積層体左右方向における左に位置する第１領域Ａ２０に配置されている。本実施形態では、導体非形成部ｐ１の少なくとも一部分は、積層体下方向に見て、第１層間接続導体ｖ１より積層体左右方向における右、かつ、第１信号導体層１８より積層体左右方向における左に位置する第２領域Ａ２１に配置されている。特に、導体非形成部ｐ１の全体は、積層体下方向に見て、第１層間接続導体ｖ１より積層体左右方向における右、かつ、第１信号導体層１８より積層体左右方向における左に位置する第２領域Ａ２１に配置されている。従って、導体非形成部ｐ１は、積層体下方向に見て、第１信号導体層１８と重なっていない。

複数の導体非形成部ｐ１は、図３に示すように、積層体下方向に見て、長方形状を有している。複数の導体非形成部ｐ１は、積層体前後方向に等間隔に一列に並んでいる。本実施形態では、複数の導体非形成部ｐ１のそれぞれは、積層体下方向に見て、複数の第１層間接続導体ｖ１と積層体左右方向に並ばない。従って、各導体非形成部ｐ１は、積層体前後方向に隣り合う２つの第１層間接続導体ｖ１の内の前に配置されている第１層間接続導体ｖ１より後に配置されている。各導体非形成部ｐ１は、積層体前後方向に隣り合う２つの第１層間接続導体ｖ１の内の後に配置されている第１層間接続導体ｖ１より前に配置されている。ここで、導体非形成部ｐ１が第１層間接続導体ｖ１より前に配置されるとは、以下の状態を指す。導体非形成部ｐ１は、第１層間接続導体ｖ１の前端を通り前後方向に直交する平面の前に配置される。この場合、導体非形成部ｐ１及び第１層間接続導体ｖ１は、前後方向に並んでいてもよく、並んでいなくてもよい。本実施形態では、導体非形成部ｐ１及び第１層間接続導体ｖ１は、前後方向に並んでいない。

第２グランド導体層２２には、図３及び図４に示すように、導体層が存在しない複数の導体非形成部ｐ３が設けられている。複数の導体非形成部ｐ３のそれぞれは、積層体下方向に見て、複数の導体非形成部ｐ１と一致した状態で重なっている。従って、複数の導体非形成部ｐ３の説明を省略する。

積層体１２には、図３及び図４に示すように、絶縁樹脂が存在しない複数の空隙ｈ１が設けられている。複数の空隙ｈ１のそれぞれの少なくとも一部分は、積層体下方向に見て、第１領域Ａ２０において複数の導体非形成部ｐ１及び複数の導体非形成部ｐ３と重なっている。本実施形態では、複数の空隙ｈ１のそれぞれは、積層体下方向に見て、複数の導体非形成部ｐ１及び複数の導体非形成部ｐ３と一致した状態で重なっている。従って、複数の空隙ｈ１は、積層体下方向に見て、第２領域Ａ２１に配置されている。そして、複数の空隙ｈ１は、積層体下方向に見て、第１信号導体層１８と重なっていない。

複数の空隙ｈ１は、図３に示すように、積層体下方向に見て、長方形状を有している。複数の空隙ｈ１は、積層体前後方向に等間隔に一列に並んでいる。本実施形態では、複数の空隙ｈ１のそれぞれは、積層体下方向に見て、複数の第１層間接続導体ｖ１と積層体左右方向に並ばない。すなわち、空隙ｈ１は、積層体左方向に見て、第１層間接続導体ｖ１と重なっていない。従って、各空隙ｈ１は、積層体前後方向に隣り合う２つの第１層間接続導体ｖ１の内の前に配置されている第１層間接続導体ｖ１より後に配置されている。各空隙ｈ１は、積層体前後方向に隣り合う２つの第１層間接続導体ｖ１の内の後に配置されている第１層間接続導体ｖ１より前に配置されている。

また、複数の空隙ｈ１のそれぞれの少なくとも一部分は、図４に示すように、第１信号導体層１８より積層体上下方向における上、かつ、第１グランド導体層２０より積層体上下方向における下に配置されている。本実施形態では、複数の空隙ｈ１は、積層体１２の上面から積層体１２の下面まで貫通する貫通孔である。また、空隙ｈ１は、レジスト層１７ａ，１７ｂも上下方向に貫通している。そのため、複数の空隙ｈ１のそれぞれは、第１信号導体層１８より積層体上下方向における下、かつ、第２グランド導体層２２より積層体上下方向における上にも配置されている。これにより、導体非形成部ｐ１と導体非形成部ｐ３と空隙ｈ１とは、一つの空間を形成している。

複数の導体非形成部ｐ２及び複数の空隙ｈ２は、複数の導体非形成部ｐ１及び複数の空隙ｈ１と左右対称な構造を有する。従って、複数の導体非形成部ｐ２及び複数の空隙ｈ２の説明を省略する。

以上のような信号伝送線路１０では、第１領域Ａ２０には、第１グランド導体層２０と第２グランド導体層２２とを電気的に接続している層間接続導体が設けられていない。換言すれば、信号伝送線路１０に最も近い層間接続導体は、複数の第１層間接続導体ｖ１及び複数の第２層間接続導体ｖ２である。

信号伝送線路１０では、信号伝送線路１０の特性インピーダンスの変化を抑制できる。より詳細には、導体非形成部ｐ１は、積層体下方向に見て、第１層間接続導体ｖ１より積層体左右方向における右、かつ、第２層間接続導体ｖ２より積層体左右方向における左に位置する第１領域Ａ２０に配置されている。複数の空隙ｈ１のそれぞれの少なくとも一部分は、積層体下方向に見て、複数の導体非形成部ｐ１と重なっている。これにより、導体非形成部ｐ１は、空隙ｈ１の上に配置されている。そのため、空隙ｈ１の形状が変化しても、第１信号導体層１８と第１グランド導体層２０との上下方向の距離が変化することが抑制される。これにより、第１信号導体層１８と第１グランド導体層２０との間の容量値が変化することが抑制されるので、信号伝送線路１０の特性インピーダンスが変化することが抑制される。

信号伝送線路１０では、信号伝送線路１０がノイズの影響を受けにくくなる。より詳細には、導体非形成部ｐ１は、積層体下方向に見て、第１層間接続導体ｖ１より積層体左右方向における右、かつ、第１信号導体層１８より積層体左右方向における左に位置する第２領域Ａ２１に配置されている。これにより、導体非形成部ｐ１は、積層体下方向に見て、第１信号導体層１８と重なっていない。そのため、導体非形成部ｐ１を介して信号伝送線路１０に侵入したノイズが第１信号導体層１８に到達することが抑制される。その結果、信号伝送線路１０がノイズの影響を受けにくくなる。同じ理由により、第１信号導体層１８から放射されたノイズは、導体非形成部ｐ１を介して信号伝送線路１０外に漏れることが抑制される。

信号伝送線路１０では、以下の理由によっても、信号伝送線路１０の特性インピーダンスの変化を抑制できる。より詳細には、空隙ｈ１は、積層体下方向に見て、第１信号導体層１８と重なっていない。これにより、変形しやすい空隙ｈ１は、第１信号導体層１８の近傍に配置されることが抑制される。その結果、空隙ｈ１の変形による信号伝送線路１０の特性インピーダンスの変化が抑制される。

信号伝送線路１０では、第１グランド導体層２０の電位及び第２グランド導体層２２の電位をグランド電位に保つことが容易となる。より詳細には、空隙ｈ１は、積層体左方向に見て、第１層間接続導体ｖ１と重なっていない。これにより、空隙ｈ１は、第１層間接続導体ｖ１の積層体左右方向における右に配置されない。そのため、第１層間接続導体ｖ１を太くすることが可能となる。第１層間接続導体ｖ１が太くなると、第１層間接続導体ｖ１の抵抗値が低くなる。その結果、第１グランド導体層２０の電位及び第２グランド導体層２２の電位がグランド電位に保たれやすくなる。

更に、第１層間接続導体ｖ１は、空隙ｈ１の積層体左右方向の左に配置されない。そのため、空隙ｈ１を大きくすることが可能となる。空隙ｈ１が大きくなると、積層体１２が変形しやすくなる。また、空隙ｈ１が大きくなると、信号伝送線路１０における誘電損失が低減される。

次に、信号伝送線路１０を備える電子機器１について図１を参照しながら説明する。電子機器１は、信号伝送線路１０及び回路基板１００を備えている。信号伝送線路１０は、コネクタ３０ａ，３０ｂを更に備えている。コネクタ３０ａは、レジスト層１７ｂの前端部の下面に実装される。コネクタ３０ａは、中心導体及び外導体を含んでいる。中心導体は、はんだにより外部電極２４に電気的に接続される。外導体は、はんだにより第２グランド導体層２２に電気的に接続される。

コネクタ３０ｂは、レジスト層１７ｂの後端部の下面に実装される。コネクタ３０ｂは、中心導体及び外導体を含んでいる。中心導体は、はんだにより外部電極２６に電気的に接続される。外導体は、はんだにより第２グランド導体層２２に電気的に接続される。

回路基板１００は、基板本体１０２及びコネクタ１０４ａ，１０４ｂを備えている。基板本体１０２は、板形状を有している。コネクタ１０４ａは、基板本体１０２の前部の上面に実装されている。コネクタ１０４ａは、中心導体及び外導体を含んでいる。コネクタ１０４ａの中心導体は、コネクタ３０ａの中心導体に接続される。コネクタ１０４ａの外導体は、コネクタ３０ａの外導体に接続される。

コネクタ１０４ｂは、基板本体１０２の後部の上面に実装されている。コネクタ１０４ｂは、中心導体及び外導体を含んでいる。コネクタ１０４ｂの中心導体は、コネクタ３０ｂの中心導体に接続される。コネクタ１０４ｂの外導体は、コネクタ３０ｂの外導体に接続される。

ところで、図１に示すように、コネクタ１０４ａの上下方向における位置は、コネクタ１０４ｂの上下方向における位置と異なる。そのため、信号伝送線路１０は、曲げられて使用される。湾曲区間Ａ２は、積層体１２の上面が山折りされることにより曲げられていると共に、積層体１２の上面が谷折りされることにより曲げられている。

［信号伝送線路の製造方法］
以下に、信号伝送線路１０の製造方法について図３を参照しながら説明する。

まず、第１信号導体層１８、第１グランド導体層２０、第２グランド導体層２２及び外部電極２４，２６を絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄの上面及び下面に形成する。本工程は、一般的な工程であるので説明を省略する。

次に、図３に示すように、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄを積層体上下方向における上から下へとこの順に積み重ねる。そして、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄに対して熱圧着を施す。これにより、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄが一体化される。本工程により、第１信号導体層１８、第１グランド導体層２０、第２グランド導体層２２及び外部電極２４，２６が設けられた積層体１２を形成する積層体形成工程が完了する。

次に、積層体１２に第１層間接続導体ｖ１、第２層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ１１，ｖ１２を形成する。具体的には、積層体１２を上下方向に貫通する貫通孔をレーザービーム照射により積層体１２に形成する。貫通孔に対してめっきを施すことにより、貫通孔の内周面に金属膜を形成する。これにより、積層体１２に第１層間接続導体ｖ１、第２層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ１１，ｖ１２を形成する層間接続導体形成工程が完了する。

次に、図３に示すように、レジスト層１７ａを絶縁樹脂層１６ａの上面に形成すると共に、レジスト層１７ｂを絶縁樹脂層１６ｄの下面に形成する。レジスト層１７ａ，１７ｂの形成は、例えば、印刷により行われる。

次に、積層体形成工程にて形成した積層体１２の上面から積層体下方向に延びる穴を形成することにより、導体非形成部ｐ１～ｐ４及び空隙ｈ１，ｈ２を形成する（空隙形成工程）。本実施形態では、積層体１２の上面から積層体１２の下面まで貫通する貫通孔を形成する。貫通孔は、例えば、レーザービームやドリル等により形成される。以上の工程を経て、信号伝送線路１０が完成する。

信号伝送線路１０の製造方法によれば、信号伝送線路１０を簡単に製造することができる。より詳細には、積層体形成工程にて形成した積層体１２の上面から積層体下方向に延びる穴を形成することにより、導体非形成部ｐ１～ｐ４及び空隙ｈ１，ｈ２を形成する。これにより、積層体１２の形成後に、導体非形成部ｐ１～ｐ４及び空隙ｈ１，ｈ２を一括して形成することができる。その結果、信号伝送線路１０を簡単に製造することができる。

また、信号伝送線路１０の製造方法によれば、信号伝送線路１０を簡単に製造することができる。より詳細には、空隙形成工程では、積層体１２の上面から積層体１２の下面まで貫通する貫通孔を形成する。貫通孔の形成時には、レーザービームの強度やドリルの挿入深さの精度が低くて済む。その結果、信号伝送線路１０の製造方法によれば、信号伝送線路１０を簡単に製造することができる。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る信号伝送線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図５は、信号伝送線路１０ａのＢ－Ｂにおける断面図である。なお、信号伝送線路１０ａの外観斜視図については、図２を援用する。

信号伝送線路１０ａは、図５に示すように、複数の第１層間接続導体ｖ１及び複数の第２層間接続導体ｖ２がビアホール導体である点において、信号伝送線路１０と相違する。ビアホール導体は、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｄに形成された貫通孔に金属及び樹脂を含む導電性ペーストを充填し、加熱により導電性ペーストを焼結させることにより形成される。ビアホール導体には、樹脂が残存する。なお、信号伝送線路１０ａのその他の構成は、信号伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る信号伝送線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図６（ａ）は、信号伝送線路１０ｂのＡ－Ａにおける断面図である。図６（ｂ）は、信号伝送線路１０ｂのＢ－Ｂにおける断面図である。なお、信号伝送線路１０ｂの外観斜視図については、図２を援用する。

信号伝送線路１０ｂは、空隙ｈ１，ｈ２の代わりに、空隙ｈ３～ｈ６が設けられている点において、信号伝送線路１０と相違する。空隙ｈ３，ｈ５は、空隙ｈ１が二つに分離された構造を有する。空隙ｈ４，ｈ６は、空隙ｈ２が二つに分離された構造を有する。

より詳細には、空隙ｈ１，ｈ２は、積層体１２の上面から積層体１２の下面まで貫通している貫通孔である。一方、空隙ｈ３，ｈ４は、積層体１２の上面から積層体下方向に延びる穴である。空隙ｈ３，ｈ４は、レジスト層１７ａを上下方向に貫通している。空隙ｈ３，ｈ４の下端は、第１信号導体層１８より積層体上下方向における上、かつ、第１グランド導体層２０より積層体上下方向における下に位置している。空隙ｈ５，ｈ６は、積層体１２の下面から積層体上方向に延びる穴である。空隙ｈ５，ｈ６は、レジスト層１７ｂを上下方向に貫通している。空隙ｈ５は、積層体下方向に見て、空隙ｈ３と重なっている。空隙ｈ６は、積層体下方向に見て、空隙ｈ４と重なっている。空隙ｈ５，ｈ６の上端は、第１信号導体層１８より積層体上下方向における下、かつ、第２グランド導体層２２より積層体上下方向における上に位置している。信号伝送線路１０ｂのその他の構成は、信号伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

信号伝送線路１０ｂでは、空隙ｈ３～ｈ６が積層体１２を貫通していないので、積層体１２の強度が向上する。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る信号伝送線路１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図７（ａ）は、信号伝送線路１０ｃのＡ－Ａにおける断面図である。図７（ｂ）は、信号伝送線路１０ｃのＢ－Ｂにおける断面図である。なお、信号伝送線路１０ｃの外観斜視図については、図２を援用する。

信号伝送線路１０ｃは、図７に示すように、複数の第１層間接続導体ｖ１及び複数の第２層間接続導体ｖ２がビアホール導体である点において、信号伝送線路１０ｂと相違する。なお、信号伝送線路１０ｃのその他の構成は、信号伝送線路１０ｂと同じであるので説明を省略する。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る信号伝送線路１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図８は、信号伝送線路１０ｄの分解斜視図である。

信号伝送線路１０ｄは、空隙ｈ１，ｈ２の形状、導体非形成部ｐ１～ｐ４の形状、複数の第１層間接続導体ｖ１の位置、及び、複数の第２層間接続導体ｖ２の位置において、信号伝送線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に、信号伝送線路１０ｄについて説明する。

空隙ｈ１の前端部は、積層体下方向に見て、積層体前方向に突出する半円形状を有している。これにより、空隙ｈ１の前端部の積層体左右方向の幅は、積層体前方向に行くにしたがって小さくなっている。また、空隙ｈ１の後端部は、積層体下方向に見て、積層体後方向に突出する半円形状を有している。これにより、空隙ｈ１の後端部の積層体左右方向の幅は、積層体後方向に行くにしたがって小さくなっている。また、空隙ｈ１の前端部と空隙ｈ１の後端部との間の積層体左右方向の幅は、一定である。空隙ｈ１が上記構造を有することにより、空隙ｈ１の前端部及び空隙ｈ１の後端部において、空隙ｈ１と第１信号導体層１８との距離が徐々に変化するようになる。これにより、第１信号導体層１８の周囲の比誘電率の急激な変化が抑制され、信号伝送線路１０ｄの特性インピーダンスの急激な変化が抑制される。なお、空隙ｈ２は、空隙ｈ１と左右対称な構造を有する。従って、空隙ｈ２の説明を省略する。

また、導体非形成部ｐ１の形状は、積層体下方向に見て、空隙ｈ１の形状と同じである。これにより、導体非形成部ｐ１の前端部及び導体非形成部ｐ１の後端部において、導体非形成部ｐ１と第１信号導体層１８との距離が徐々に変化するようになる。これにより、第１信号導体層１８と第１グランド導体層２０との間の容量値が急激に変化することが抑制される。そのため、信号伝送線路１０ｄの特性インピーダンスの急激な変化が抑制される。なお、導体非形成部ｐ２は、導体非形成部ｐ１と左右対称な構造を有する。従って、導体非形成部ｐ２の説明を省略する。

複数の第１層間接続導体ｖ１のそれぞれは、積層体左方向に見て、複数の空隙ｈ１と重なっている。すなわち、複数の空隙ｈ１のそれぞれは、積層体左方向に見て、複数の第１層間接続導体ｖ１と重なっている。また、空隙ｈ１の積層体前後方向の長さは、第１層間接続導体ｖ１の積層体前後方向の長さより長い。これにより、複数の空隙ｈ１のそれぞれは、積層体下方向に見て、複数の第１層間接続導体ｖ１と第１信号導体層１８との間に配置されている。信号伝送線路１０ｄでは、第１信号導体層１８と第１層間接続導体ｖ１との容量結合を抑制できる。なお、複数の第２層間接続導体ｖ２は、複数の第１層間接続導体ｖ１と左右対称な構造を有する。従って、複数の第２層間接続導体ｖ２の説明を省略する。

（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る信号伝送線路１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図９は、信号伝送線路１０ｅの分解斜視図である。

信号伝送線路１０ｅは、第１信号導体層１８の形状において、信号伝送線路１０ｄと相違する。以下に、かかる相違点を中心に、信号伝送線路１０ｅについて説明する。

第１信号導体層１８は、第１信号導体層細部１８ａ及び第１信号導体層太部１８ｂを含んでいる。第１信号導体層細部１８ａは、相対的に細い積層体左右方向の幅を有している。第１信号導体層太部１８ｂは、相対的に太い前記積層体左右方向の幅を有している。すなわち、第１信号導体層細部１８ａの積層体左右方向の幅は、第１信号導体層太部１８ｂの積層体左右方向の幅より細い。更に、第１信号導体層太部１８ｂは、積層体左方向に見て、空隙ｈ１，ｈ２と重なっている。第１信号導体層細部１８ａは、積層体左方向に見て、空隙ｈ１，ｈ２と重なっていない。

信号伝送線路１０ｅでは、第１信号導体層１８の抵抗値を低減できる。より詳細には、空隙ｈ１，ｈ２は、第１信号導体層１８の周囲に設けられている。これにより、第１信号導体層１８の周囲の比誘電率が低くなる。そのため、第１信号導体層１８に形成される容量値が大きくなりにくい。そこで、第１信号導体層太部１８ｂは、積層体左方向に見て、空隙ｈ１，ｈ２と重なっている。これにより、第１信号導体層１８の積層体左右方向の幅が部分的に大きくなっている。その結果、第１信号導体層１８の抵抗値を低減できる。

（第６の変形例）
以下に、第６の変形例に係る信号伝送線路１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１０は、信号伝送線路１０ｆの分解斜視図である。

信号伝送線路１０ｆは、複数の空隙ｈ１，ｈ２の代わりに複数の空隙ｈ１－１～ｈ１－３，ｈ２－１～ｈ２－３が設けられている点において、信号伝送線路１０ｅと相違する。より詳細には、信号伝送線路１０ｆでは、一つの空隙ｈ１の代わりに、空隙ｈ１－１～ｈ１－３が設けられている。空隙ｈ１－１～ｈ１－３は、空隙ｈ１が設けられる場所と同じ場所において、積層体前後方向において前から後へとこの順に等間隔に並んでいる。空隙ｈ１－１～ｈ１－３は、積層体下方向に見て、円形状を有している。これにより、信号伝送線路１０ｆでは、空隙ｈ１－１～ｈ１－３をドリル又はレーザービームにより容易に形成できる。空隙ｈ２－１～ｈ２－３は、空隙ｈ１－１～ｈ１－３と左右対称な構造を有する。従って、空隙ｈ２－１～ｈ２－３の説明を省略する。

（第７の変形例）
以下に、第７の変形例に係る信号伝送線路１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１１は、信号伝送線路１０ｇの斜視図である。図１２は、信号伝送線路１０ｇの分解斜視図である。

信号伝送線路１０ｇは、第１層間接続導体ｖ１及び第２層間接続導体ｖ２の構造において信号伝送線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に信号伝送線路１０ｇについて説明する。

信号伝送線路１０ｇでは、第１層間接続導体ｖ１は、積層体１２の左面に設けられている。第２層間接続導体ｖ２は、積層体１２の右面に設けられている。第１層間接続導体ｖ１及び第２層間接続導体ｖ２のそれぞれは、例えば、めっきにより、積層体１２の左面の全体及び積層体１２の右面の全体を覆うように形成される。

また、第１グランド導体層２０は、絶縁樹脂層１６ａの左辺及び右辺に接している。これにより、第１グランド導体層２０は、絶縁樹脂層１６ａとレジスト層１７ａとの間から積層体１２の外部に露出している。これにより、第１グランド導体層２０は、第１層間接続導体ｖ１及び第２層間接続導体ｖ２に接続されている。

また、第２グランド導体層２２は、絶縁樹脂層１６ｄの左辺及び右辺に接している。これにより、第２グランド導体層２２は、絶縁樹脂層１６ｄとレジスト層１７ｂとの間から積層体１２の外部に露出している。これにより、第２グランド導体層２２は、第１層間接続導体ｖ１及び第２層間接続導体ｖ２に接続されている。

信号伝送線路１０ｇでは、積層体１２の左面及び積層体１２の右面のそれぞれは、グランド電位に接続される第１層間接続導体ｖ１及び第２層間接続導体ｖ２に覆われている。これにより、信号伝送線路１０ｇでは、信号伝送線路１０ｇがノイズの影響を受けにくくなる。信号伝送線路１０ｇでは、第１信号導体層１８から放射されたノイズが信号伝送線路１０ｇ外に漏れることが抑制される。

（第８の変形例）
以下に、第８の変形例に係る信号伝送線路１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１３は、信号伝送線路１０ｈの断面図である。

信号伝送線路１０ｈは、第２信号導体層１１８及び層間接続導体ｖ３を更に備えている点、及び、空隙ｈ１０１，ｈ１０２が設けられている点において信号伝送線路１０ｄと相違する。以下にかかる相違点を中心に信号伝送線路１０ｈについて説明する。

第２信号導体層１１８は、第１信号導体層１８及び第１層間接続導体ｖ１より積層体左右方向における左に位置するように積層体１２に設けられている。第２信号導体層１１８は、第１信号導体層１８の左に配置されている。第２信号導体層１１８は、積層体前後方向に延びている。

第１グランド導体層２０は、積層体下方向に見て第２信号導体層１１８と重なるように、第２信号導体層１１８の積層体上下方向における上に配置されている。第２グランド導体層２２は、積層体下方向に見て第２信号導体層１１８と重なるように、第２信号導体層１１８の積層体上下方向における下に配置されている。

層間接続導体ｖ３は、第２信号導体層１１８の左に配置されている。層間接続導体ｖ３は、第１グランド導体層２０と第２グランド導体層２２とを電気的に接続している。

空隙ｈ１０１は、第２信号導体層１１８と層間接続導体ｖ３との間において積層体上下方向に延びている。空隙ｈ１０１は、積層体１２及びレジスト層１７ａ，１７ｂを上下方向に貫通している。空隙ｈ１０２は、第２信号導体層１１８と第１層間接続導体ｖ１との間において積層体上下方向に延びている。空隙ｈ１０２は、積層体１２及びレジスト層１７ａ，１７ｂを上下方向に貫通している。

信号伝送線路１０ｈでは、第１信号導体層１８と第２信号導体層１１８との間に、空隙ｈ１，ｈ１０２及び第１層間接続導体ｖ１が配置されている。これにより、第１信号導体層１８と第２信号導体層１１８とのアイソレーションが確保される。

（第９の変形例）
以下に、第９の変形例に係る信号伝送線路１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図１４は、信号伝送線路１０ｉの断面図である。

信号伝送線路１０ｉは、空隙ｈ１，ｈ２，ｈ１０１，ｈ１０２の代わりに、空隙ｈ３～ｈ６，ｈ１０３～ｈ１０６が設けられている点において、信号伝送線路１０ｈと相違する。空隙ｈ３，ｈ５は、空隙ｈ１が二つに分離された構造を有する。空隙ｈ４，ｈ６は、空隙ｈ２が二つに分離された構造を有する。空隙ｈ１０３，ｈ１０５は、空隙ｈ１０１が二つに分離された構造を有する。空隙ｈ１０４，ｈ１０６は、空隙ｈ１０２が二つに分離された構造を有する。

より詳細には、信号伝送線路１０ｈでは、空隙ｈ１，ｈ２は、積層体１２の上面から積層体１２の下面まで貫通している貫通孔である。一方、空隙ｈ３，ｈ４は、積層体１２の上面から積層体下方向に延びる穴である。空隙ｈ３，ｈ４は、レジスト層１７ａを上下方向に貫通している。空隙ｈ３，ｈ４の下端は、第１信号導体層１８より積層体上下方向における上、かつ、第１グランド導体層２０より積層方向上下方向における下に位置している。空隙ｈ５，ｈ６は、積層体１２の下面から積層体上方向に延びる穴である。空隙ｈ５，ｈ６は、レジスト層１７ｂを上下方向に貫通している。空隙ｈ５は、積層体下方向に見て、空隙ｈ３と重なっている。空隙ｈ６は、積層体下方向に見て、空隙ｈ４と重なっている。空隙ｈ５，ｈ６の上端は、第１信号導体層１８より積層体上下方向における下、かつ、第２グランド導体層２２より積層体上下方向における上に位置している。

信号伝送線路１０ｈでは、空隙ｈ１０１，ｈ１０２は、積層体１２の上面から積層体１２の下面まで貫通している貫通孔である。一方、空隙ｈ１０３，ｈ１０４は、積層体１２の上面から積層体下方向に延びる穴である。空隙ｈ１０３，ｈ１０４は、レジスト層１７ａを上下方向に貫通している。空隙ｈ１０３，ｈ１０４の下端は、第２信号導体層１１８より積層体上下方向における上、かつ、第１グランド導体層２０より積層方向上下方向における下に位置している。空隙ｈ１０５，ｈ１０６は、積層体１２の下面から積層体上方向に延びる穴である。空隙ｈ１０５，ｈ１０６は、レジスト層１７ｂを上下方向に貫通している。空隙ｈ１０５は、積層体下方向に見て、空隙ｈ１０３と重なっている。空隙ｈ１０６は、積層体下方向に見て、空隙ｈ１０４と重なっている。空隙ｈ１０５，ｈ１０６の上端は、第２信号導体層１１８より積層体上下方向における下、かつ、第２グランド導体層２２より積層体上下方向における上に位置している。信号伝送線路１０ｉのその他の構成は、信号伝送線路１０ｈと同じであるので説明を省略する。

（その他の実施形態）
本発明に係る信号伝送線路は、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉの構成を組み合わせることが可能である。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、第１信号導体層１８及び第２信号導体層１１８は、前後方向に直線に延びている。しかしながら、第１信号導体層１８及び第２信号導体層１１８は、下方向に見て、曲がっていてもよい。この場合、第１信号導体層１８及び第２信号導体層１１８が曲がっている部分において、積層体前後方向は、第１信号導体層１８及び第２信号導体層１１８の接線が延びる方向である。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、空隙ｈ１は、積層体下方向に見て、第１信号導体層１８と重なっていてもよい。この場合、導体非形成部ｐ１は、積層体下方向に見て、第１信号導体層１８と重なっていてもよいし、第１信号導体層１８と重なっていなくてもよい。ただし、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉの特性インピーダンスの変化の抑制の観点から、空隙ｈ１及び導体非形成部ｐ１は、積層体下方向に見て、第１信号導体層１８と重なっていないことが好ましい。この場合、導体非形成部ｐ１を介して信号伝送線路１０に侵入したノイズが第１信号導体層１８に到達することが抑制される。その結果、信号伝送線路１０がノイズの影響を受けにくくなる。同じ理由により、第１信号導体層１８から放射されたノイズは、導体非形成部ｐ１を介して信号伝送線路１０外に漏れることが抑制される。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、導体非形成部ｐ１の少なくとも一部分は、積層体下方向に見て、第１層間接続導体ｖ１より積層体左右方向における右に配置されていればよい。従って、導体非形成部ｐ１の一部分は、積層体下方向に見て、第１層間接続導体ｖ１の右端より左に配置されていてもよい。また、空隙ｈ１の一部分は、積層体下方向に見て、第１層間接続導体ｖ１の右端より左に配置されていてもよい。この場合、空隙ｈ１は、積層体下方向に見て、第１層間接続導体ｖ１の右端より左において導体非形成部ｐ１と重なっていてもよい。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、導体非形成部ｐ１と空隙ｈ１，ｈ１－１～ｈ１－３，ｈ３との間に絶縁樹脂層が存在してもよい。すなわち、導体非形成部ｐ１と空隙ｈ１，ｈ１－１～ｈ１－３，ｈ３とが分離されていてもよい。

なお、信号伝送線路１０ｅにおいて、第１信号導体層太部１８ｂは、積層体左方向に見て、空隙ｈ１と重なっていなくてもよい。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、空隙ｈ１～ｈ６，ｈ１０１～ｈ１０６は、湾曲区間Ａ２に配置されていることが好ましい。これにより、湾曲区間Ａ２が変形しやすくなる。ただし、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、空隙ｈ１～ｈ６，ｈ１０１～ｈ１０６は、湾曲区間Ａ２に配置されていなくてもよい。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、第１層間接続導体ｖ１及び第２層間接続導体ｖ２は、湾曲区間Ａ２に配置されていないことが好ましい。これにより、湾曲区間Ａ２が変形しやすくなる。ただし、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、第１層間接続導体ｖ１及び第２層間接続導体ｖ２は、湾曲区間Ａ２に配置されていてもよい。

なお、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉの製造方法において、空隙ｈ１～ｈ６，ｈ１０１～ｈ１０６は、レジスト層１７ａ，１７ｂの形成前に積層体１２に形成されてもよい。この場合、空隙ｈ１～ｈ６，ｈ１０１～ｈ１０６は、レジスト層１７ａ，１７ｂの材料により塞がれていない。ただし、レジスト層１７ａ，１７ｂの材料は、空隙ｈ１～ｈ６，ｈ１０１～ｈ１０６に僅かに流入している場合があってもよい。

信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、空隙ｈ１は、積層体下方向に見て、導体非形成部ｐ１と一致した状態で重なっている。空隙ｈ１は、積層体下方向に見て、導体非形成部ｐ１と一致しない状態で重なっていてもよい。ただし、空隙ｈ１は、積層体下方向に見て、導体非形成部ｐ１から突出していないことが好ましい。すなわち、空隙ｈ１は、積層体下方向に見て、導体非形成部ｐ１の外縁に囲まれた領域内に収まっていることが好ましい。これにより、第１信号導体層１８と第１グランド導体層２０との間に空隙ｈ１が存在することが抑制される。その結果、信号伝送線路１０，１０ａ～１０ｉの特性インピーダンスの変化を抑制できる。

１：電子機器
１０，１０ａ～１０ｉ：信号伝送線路
１２：積層体
１６ａ～１６ｄ：絶縁樹脂層
１７ａ，１７ｂ：レジスト層
１８：第１信号導体層
１８ａ：第１信号導体層細部
１８ｂ：第１信号導体層太部
２０：第１グランド導体層
２２：第２グランド導体層
２４，２６：外部電極
３０ａ，３０ｂ，１０４ａ，１０４ｂ：コネクタ
１００：回路基板
１０２：基板本体
１１８：第２信号導体層
Ａ１，Ａ３：非湾曲区間
Ａ２：湾曲区間
Ａ２０：第１領域
Ａ２１：第２領域
ｈ１～ｈ６，ｈ１０１～ｈ１０６，ｈ１－１～ｈ１－３，ｈ２－１～ｈ２－３：空隙
ｈ１１～ｈ１８：開口
ｐ１～ｐ４：導体非形成部
ｖ１：第１層間接続導体
ｖ２：第２層間接続導体
ｖ３，ｖ１１，ｖ１２：層間接続導体

Claims (19)

1. 信号伝送線路であって、
   複数の絶縁樹脂層が積層体上下方向に積層された構造を有する積層体と、
   前記積層体に設けられている第１信号導体層であって、積層体前後方向に延びる第１信号導体層と、
   前記積層体に設けられている第１グランド導体層であって、積層体下方向に見て前記第１信号導体層と重なるように、前記第１信号導体層の前記積層体上下方向における上に配置されている第１グランド導体層と、
   前記積層体に設けられている第２グランド導体層であって、前記積層体下方向に見て前記第１信号導体層と重なるように、前記第１信号導体層の前記積層体上下方向における下に配置されている第２グランド導体層と、
   前記第１信号導体層の積層体左右方向における左に位置するように、前記積層体に設けられている第１層間接続導体であって、前記第１グランド導体層と前記第２グランド導体層とを電気的に接続している第１層間接続導体と、
   前記第１信号導体層の前記積層体左右方向における右に位置するように、前記積層体に設けられている第２層間接続導体であって、前記第１グランド導体層と前記第２グランド導体層とを電気的に接続している第２層間接続導体と、
   を備えており、
   前記第１グランド導体層には、導体層が存在しない導体非形成部が設けられており、
   前記積層体には、絶縁樹脂が存在しない複数の空隙が前記第１信号導体層に沿って並ぶように設けられており、
   前記導体非形成部の少なくとも一部分は、前記積層体下方向に見て、前記第１層間接続導体より前記積層体左右方向における右、かつ、前記第２層間接続導体より前記積層体左右方向における左に位置する第１領域に配置されており、
   前記複数の空隙の少なくとも一部分は、前記積層体下方向に見て、前記第１領域において前記導体非形成部と重なっており、かつ、前記第１信号導体層より前記積層体上下方向における上、かつ、前記第１グランド導体層より前記積層体上下方向における下に配置されており、
   前記第１領域には、前記第１グランド導体層と前記第２グランド導体層とを電気的に接続している層間接続導体が設けられていない、
   信号伝送線路。
2. 前記導体非形成部の少なくとも一部分は、前記積層体下方向に見て、前記第１層間接続導体より前記積層体左右方向における右、かつ、前記第１信号導体層より前記積層体左右方向における左に位置する第２領域に配置されている、
   請求項１に記載の信号伝送線路。
3. 前記導体非形成部と前記複数の空隙とは、一つの空間を形成している、
   請求項１又は請求項２のいずれかに記載の信号伝送線路。
4. 前記複数の空隙は、前記積層体の上面から前記積層体下方向に延びる穴である、
   請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の信号伝送線路。
5. 前記複数の空隙は、前記積層体の上面から前記積層体の下面まで貫通する貫通孔である、
   請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の信号伝送線路。
6. 前記複数の空隙は、前記積層体下方向に見て、前記第１信号導体層と重なっていない、
   請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の信号伝送線路。
7. 前記複数の空隙は、積層体左方向に見て、前記第１層間接続導体と重なっていない、
   請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の信号伝送線路。
8. 前記複数の空隙は、積層体左方向に見て、前記第１層間接続導体と重なっている、
   請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の信号伝送線路。
9. 前記複数の空隙の積層体前後方向の長さは、前記第１層間接続導体の前記積層体前後方向の長さより長い、
   請求項８に記載の信号伝送線路。
10. 前記複数の空隙の前端部の前記積層体左右方向の幅は、積層体前方向に行くにしたがって小さくなり、
    前記複数の空隙の後端部の前記積層体左右方向の幅は、積層体後方向に行くにしたがって小さくなる、
    請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の信号伝送線路。
11. 前記第１信号導体層は、相対的に細い前記積層体左右方向の幅を有する第１信号導体層細部と、相対的に太い前記積層体左右方向の幅を有する第１信号導体層太部と、を含んでおり、
    前記第１信号導体層太部は、積層体左方向に見て、前記複数の空隙と重なっている、
    請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の信号伝送線路。
12. 前記第１層間接続導体は、前記積層体の左面に設けられている、
    請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の信号伝送線路。
13. 前記信号伝送線路は、上下方向に曲げられている湾曲区間を有している、
    請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の信号伝送線路。
14. 前記複数の空隙は、前記湾曲区間に配置されている、
    請求項１３に記載の信号伝送線路。
15. 前記第１層間接続導体及び第２層間接続導体は、前記湾曲区間に配置されていない、
    請求項１３又は請求項１４のいずれかに記載の信号伝送線路。
16. 前記第１信号導体層及び前記第１層間接続導体より前記積層体左右方向における左に位置するように前記積層体に設けられている第２信号導体層であって、前記積層体前後方向に延びる第２信号導体層を、
    更に備えており、
    前記第１グランド導体層は、前記積層体下方向に見て前記第２信号導体層と重なるように、前記第２信号導体層の前記積層体上下方向における上に配置されており、
    前記第２グランド導体層は、前記積層体下方向に見て前記第２信号導体層と重なるように、前記第２信号導体層の前記積層体上下方向における下に配置されている、
    請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載の信号伝送線路。
17. 前記複数の空隙は、前記積層体下方向に見て、前記導体非形成部から突出していない、
    請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載の信号伝送線路。
18. 請求項１に記載の信号伝送線路の製造方法であって、
    前記第１信号導体層、前記第１グランド導体層及び前記第２グランド導体層が設けられた前記積層体を形成する積層体形成工程と、
    前記積層体形成工程にて形成した前記積層体の上面から前記積層体下方向に延びる穴を形成することにより、前記導体非形成部及び前記空隙を形成する空隙形成工程と、
    を備える、
    信号伝送線路の製造方法。
19. 前記空隙形成工程では、前記積層体の上面から前記積層体の下面まで貫通する貫通孔を形成する、
    請求項１８に記載の信号伝送線路の製造方法。

Images