JP7359308B2 - 伝送線路 - Google Patents

Description

本発明は、高周波信号が伝送される伝送線路に関する。

従来の伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の高周波信号伝送線路が知られている。この高周波信号伝送線路は、信号線路を備えている。信号線路は、第１端部及び第２端部を有している。信号線路は、第１区間及び第２区間を備えている。第１区間では、第１端部における第１インピーダンス以上のインピーダンスが発生する。第２区間では、第１インピーダンスより低いインピーダンスを発生させる。第２区間は、第１区間より長い。これにより、低いインピーダンスを有する第２区間の長さが長い。その結果、高周波信号伝送線路の挿入損失が低減される。

国際公開第２０１５／１１８７９１号

ところで、特許文献１に記載の高周波信号伝送線路では、信号線路の第１端部にビアホール導体が接続されたり、信号線路の第１端部にコネクタが電気的に接続されたりする。そのため、ビアホールやコネクタにおいて、インピーダンスが変動する場合がある。その結果、信号線路の第１端部付近においてインピーダンスの不整合が発生する場合がある。

そこで、本発明の目的は、特性インピーダンスの不整合の発生を抑制できる伝送線路を提供することである。

本発明の第１の形態に係る伝送線路は、
素体と、
前記素体に設けられており、線形状を有している信号導体層と、
を備えている伝送線路であって、
前記伝送線路は、第１インピーダンス区間、第２インピーダンス区間、第３インピーダンス区間、インピーダンス変換区間及び反射区間を有しており、
前記第２インピーダンス区間、前記反射区間、前記第１インピーダンス区間、前記インピーダンス変換区間及び前記第３インピーダンス区間は、前記信号導体層に沿ってこの順に連続的に並んでおり、
前記第１インピーダンス区間の特性インピーダンスは、前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンス及び前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンスより低く、
前記反射区間における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量は、前記インピーダンス変換区間における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量より大きい。

本発明の第２の形態に係る伝送線路は、
素体と、
前記素体に設けられている信号導体層と、
を備えている伝送線路であって、
前記伝送線路は、第１インピーダンス区間、第２インピーダンス区間、第３インピーダンス区間、インピーダンス変換区間及び反射区間を有しており、
前記第２インピーダンス区間、前記反射区間、前記第１インピーダンス区間、前記インピーダンス変換区間及び前記第３インピーダンス区間は、前記信号導体層に沿ってこの順に連続的に並んでおり、
前記第１インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅は、前記第２インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅及び前記第３インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅より大きく、
前記反射区間における単位長さ当たりの前記信号導体層の線幅の変化量は、前記インピーダンス変換区間における単位長さ当たりの前記信号導体層の線幅の変化量より大きい。

以下に、本明細書における用語の定義について説明する。本明細書において、前後方向に延びる軸や部材は、必ずしも前後方向と平行である軸や部材だけを示すものではない。前後方向に延びる軸や部材とは、前後方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。同様に、上下方向に延びる軸や部材とは、上下方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。左右方向に延びる軸や部材とは、左右方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。

以下では、第１部材ないし第３部材とは、伝送線路が備える部材等を意味する。本明細書において、特に断りのない場合には、第１部材の各部について以下のように定義する。第１部材の前部とは、第１部材の前半分を意味する。第１部材の後部とは、第１部材の後半分を意味する。第１部材の左部とは、第１部材の左半分を意味する。第１部材の右部とは、第１部材の右半分を意味する。第１部材の上部とは、第１部材の上半分を意味する。第１部材の下部とは、第１部材の下半分を意味する。第１部材の前端とは、第１部材の前方向の端を意味する。第１部材の後端とは、第１部材の後方向の端を意味する。第１部材の左端とは、第１部材の左方向の端を意味する。第１部材の右端とは、第１部材の右方向の端を意味する。第１部材の上端とは、第１部材の上方向の端を意味する。第１部材の下端とは、第１部材の下方向の端を意味する。第１部材の前端部とは、第１部材の前端及びその近傍を意味する。第１部材の後端部とは、第１部材の後端及びその近傍を意味する。第１部材の左端部とは、第１部材の左端及びその近傍を意味する。第１部材の右端部とは、第１部材の右端及びその近傍を意味する。第１部材の上端部とは、第１部材の上端及びその近傍を意味する。第１部材の下端部とは、第１部材の下端及びその近傍を意味する。

本明細書において、「第１部材と第２部材とが電気的に接続される」とは、第１部材と第２部材との間で電流が流れることができることを意味する。従って、第１部材と第２部材とが接触していてもよいし、第１部材と第２部材とが接触していなくてもよい。第１部材と第２部材とが接触していない場合には、第１部材と第２部材との間に導電性を有する第３部材が位置している。

本発明に係る伝送線路によれば、特性インピーダンスの不整合の発生を抑制できる。

図１は、電子機器１の正面図である。 図２は、伝送線路１０の分解斜視図である。 図３は、図２のＤ－Ｄにおける断面図である。 図４は、伝送線路１０ａの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。 図５は、伝送線路１０ｂの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。 図６は、伝送線路１０ｃの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。 図７は、伝送線路１０ｄの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。 図８は、伝送線路１０ｅの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。 図９は、伝送線路１０ｆの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。 図１０は、伝送線路１０ｇの左端部の断面図である。 図１１は、伝送線路１０ｈの信号導体層２０、グランド導体層５０，５２及び絶縁体層１６ｂの上面図である。 図１２は、伝送線路１０ｉの上面図である。 図１３は、図１２のＢ－Ｂにおける伝送線路１０ｉの断面図である。 図１４は、図１２のＡ－Ａ及びＣ－Ｃにおける伝送線路１０ｉの断面図である。

（実施形態）
［伝送線路の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る伝送線路１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、電子機器１の正面図である。図２は、伝送線路１０の分解斜視図である。図３は、図２のＤ－Ｄにおける断面図である。

本明細書において、方向を以下のように定義する。伝送線路１０の素体１２の積層方向を上下方向と定義する。伝送線路１０の信号導体層２０が延びる方向を左右方向と定義する。伝送線路１０の信号導体層２０の線幅方向を前後方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は、互いに直交している。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、伝送線路１０の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。なお、図１では、説明の便宜上、紙面上下方向は、上下方向と逆である。

電子機器１は、例えば、スマートフォンやタブレット型の携帯型端末である。電子機器１は、図１に示すように、伝送線路１０、コネクタ３０ａ，３０ｂ及び回路基板１００を備えている。

回路基板１００は、基板本体１０２及びコネクタ１０４ａ，１０４ｂを備えている。基板本体１０２は、板形状を有している。従って、基板本体１０２は、上主面及び下主面を有している。また、基板本体１０２は、図示しない配線導体層やグランド導体層、電極等を含んでいる。また、基板本体１０２の下主面には、図示しない電子部品や半導体集積回路等が実装されている。コネクタ１０４ａ，１０４ｂは、基板本体１０２の下主面に実装されている。

コネクタ３０ａは、伝送線路１０の上主面の左端部に実装されている。コネクタ３０ａは、コネクタ１０４ａに接続されている。コネクタ３０ｂは、伝送線路１０の上主面の右端部に実装されている。コネクタ３０ｂは、コネクタ１０４ｂに接続されている。

伝送線路１０は、電子機器１内において、２つの電気回路を電気的に接続するために用いられる。本実施形態では、伝送線路１０は、１つの回路基板１００の２か所を電気的に接続している。ただし、伝送線路１０は、複数の回路基板を電気的に接続してもよい。また、伝送線路１０は、上下方向に曲げられて使用されてもよい。

伝送線路１０は、図２及び図３に示すように、素体１２、信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、外部電極２６ａ，２６ｂ及び層間接続導体ｖ１～ｖ４を備えている。なお、図２では、複数の層間接続導体ｖ３，ｖ４の内の代表的な層間接続導体に参照符号を付した。

素体１２は、板形状を有している。素体１２は、図２に示すように、上下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、素体１２の左右方向の長さは、素体１２の前後方向の長さより長い。素体１２は、可撓性を有する。従って、伝送線路１０は、電子機器１において上下方向に曲げられた状態で用いられることが可能である。

素体１２は、図２及び図３に示すように、絶縁体層１６ａ，１６ｂ及びレジスト層１８ａ，１８ｂが上下方向（積層方向）に積層された構造を有している。レジスト層１８ａ、絶縁体層１６ａ，１６ｂ及びレジスト層１８ｂは、上から下へとこの順に並ぶように積層されている。絶縁体層１６ａ，１６ｂは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁体層１６ａ，１６ｂの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。絶縁体層１６ａ，１６ｂは、上下方向に見て、素体１２と同じ長方形状を有している。レジスト層１８ａ，１８ｂの詳細については後述する。

信号導体層２０は、図２に示すように、素体１２に設けられている。より詳細には、信号導体層２０は、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。これにより、信号導体層２０は、素体１２内に設けられている。信号導体層２０は、線形状を有している。信号導体層２０は、左右方向に延びている。信号導体層２０は、絶縁体層１６ｂの上主面の前後方向の中央に位置している。信号導体層２０は、信号導体層第１端部ｔ１及び信号導体層第２端部ｔ２を有している。信号導体層第１端部ｔ１は、信号導体層２０の右端部である。信号導体層第２端部ｔ２は、信号導体層２０の左端部である。信号導体層第１端部ｔ１は、絶縁体層１６ｂの右端部に位置している。信号導体層第２端部ｔ２は、絶縁体層１６ｂの左端部に位置している。信号導体層２０には、高周波信号が伝送される。高周波信号の周波数は、例えば、６０ＧＨｚである。

第１グランド導体層２２は、素体１２に設けられている。第１グランド導体層２２は、上下方向に見て信号導体層２０と重なるように、信号導体層２０の上に位置している。本明細書において、「第１グランド導体層２２が信号導体層２０の上に位置している。」とは、以下の状態を指す。第１グランド導体層２２の少なくとも一部分は、信号導体層２０の真上に位置している。よって、第１グランド導体層２２の一部分が信号導体層２０の真上に位置し、第１グランド導体層２２の残部が信号導体層２０の真上に位置していなくてもいい。ただし、「第１グランド導体層２２が信号導体層２０の上に位置している。」は、第１グランド導体層２２の全体が斜め上に位置している状態を含まない。本実施形態では、第１グランド導体層２２の一部分は、信号導体層２０の真上に位置している。

第１グランド導体層２２は、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。第１グランド導体層２２は、図２に示すように、上下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。第１グランド導体層２２は、上下方向に見て、素体１２と略一致する形状を有している。ただし、第１グランド導体層２２は、上下方向に見て、素体１２より僅かに小さい。第１グランド導体層２２は、グランドに接続される。

第２グランド導体層２４は、素体１２に設けられている。第２グランド導体層２４は、上下方向に見て、信号導体層２０と重なるように、信号導体層２０の下に位置している。より詳細には、第２グランド導体層２４は、絶縁体層１６ｂの下主面に設けられている。第２グランド導体層２４は、図２に示すように、上下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。第２グランド導体層２４は、上下方向に見て、素体１２と略一致する形状を有している。ただし、第２グランド導体層２４は、上下方向に見て、素体１２より僅かに小さい。第２グランド導体層２４は、グランドに接続される。以上のような、信号導体層２０、第１グランド導体層２２及び第２グランド導体層２４は、ストリップライン構造を有している。

外部電極２６ａは、絶縁体層１６ａの上主面の左端部に設けられている。外部電極２６ａは、上下方向に見て、長方形状を有している。外部電極２６ａが第１グランド導体層２２と絶縁されるように、外部電極２６ａの周囲には第１グランド導体層２２が設けられていない。外部電極２６ａは、上下方向に見て、信号導体層第２端部ｔ２と重なっている。高周波信号は、外部電極２６ａを介して、信号導体層２０に入出力する。外部電極２６ｂは、外部電極２６ａと左右対称な構造を有する。従って、外部電極２６ｂの説明を省略する。

以上のような信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４及び外部電極２６ａ，２６ｂは、例えば、絶縁体層１６ａ，１６ｂの上主面又は下主面に設けられた銅箔にエッチングが施されることにより形成されている。

レジスト層１８ａ，１８ｂは、可撓性を有する絶縁体層である。レジスト層１８ａ，１８ｂは、上下方向に見て、素体１２と同じ長方形状を有している。

レジスト層１８ａは、絶縁体層１６ａの上主面の全面を覆っている。これにより、レジスト層１８ａは、第１グランド導体層２２を保護している。ただし、レジスト層１８ａには、開口ｈ１～ｈ８が設けられている。開口ｈ１は、上下方向に見て、外部電極２６ａと重なっている。これにより、外部電極２６ａは、開口ｈ１を介して伝送線路１０から外部に露出している。開口ｈ２は、開口ｈ１の前に設けられている。開口ｈ３は、開口ｈ１の左に設けられている。開口ｈ４は、開口ｈ１の後に設けられている。これにより、第１グランド導体層２２は、開口ｈ２～ｈ４を介して伝送線路１０から外部に露出している。なお、開口ｈ５～ｈ８はそれぞれ、開口ｈ１～ｈ４と左右対称な構造を有する。従って、開口ｈ５～ｈ８の説明を省略する。

コネクタ３０ａは、開口ｈ１～ｈ４から露出している外部電極２６ａ及び第１グランド導体層２２に実装される。これにより、信号導体層第２端部ｔ２には、コネクタ３０ａが電気的に接続される。

コネクタ３０ｂは、開口ｈ５～ｈ８から露出している外部電極２６ｂ及び第１グランド導体層２２に実装される。これにより、信号導体層第１端部ｔ１には、コネクタ３０ｂが電気的に接続される。

レジスト層１８ｂは、絶縁体層１６ｂの下主面の略全面を覆っている。これにより、レジスト層１８ｂは、第２グランド導体層２４を保護している。

層間接続導体ｖ１は、絶縁体層１６ａ，１６ｂの左端部に設けられている。層間接続導体ｖ１は、絶縁体層１６ａ，１６ｂの内の少なくとも１つの絶縁体層を上下方向（積層方向）に貫通している。本実施形態では、層間接続導体ｖ１は、絶縁体層１６ａ，１６ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１は、信号導体層第２端部ｔ２に接続されている。具体的には、層間接続導体ｖ１の中間部は、信号導体層第２端部ｔ２に接続されている。層間接続導体ｖ１の上端は、外部電極２６ａに接続されている。これにより、層間接続導体ｖ１は、信号導体層２０と外部電極２６ａとを電気的に接続している。また、層間接続導体ｖ１が第２グランド導体層２４と絶縁されるように、層間接続導体ｖ１の周囲には第２グランド導体層２４が設けられていない。なお、層間接続導体ｖ２は、層間接続導体ｖ１と左右対称な構造を有する。従って、層間接続導体ｖ２の説明を省略する。

複数の層間接続導体ｖ３は、信号導体層２０の前に位置するように、素体１２に設けられている。複数の層間接続導体ｖ３は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ３は、絶縁体層１６ａ，１６ｂを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ３の上端は、第１グランド導体層２２に接続されている。複数の層間接続導体ｖ３の下端は、第２グランド導体層２４に接続されている。これにより、複数の層間接続導体ｖ３は、第１グランド導体層２２と第２グランド導体層２４とを電気的に接続している。

複数の層間接続導体ｖ４は、信号導体層２０の後に位置するように、素体１２に設けられている。複数の層間接続導体ｖ４は、左右方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ４は、絶縁体層１６ａ，１６ｂを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ４の上端は、第１グランド導体層２２に接続されている。複数の層間接続導体ｖ４の下端は、第２グランド導体層２４に接続されている。これにより、複数の層間接続導体ｖ４は、第１グランド導体層２２と第２グランド導体層２４とを電気的に接続している。

以上のような層間接続導体ｖ１～ｖ４は、スルーホール導体である。スルーホール導体は、ドリル又はレーザービームにより絶縁体層１６ａ，１６ｂに貫通孔を形成した後に、貫通孔の内周面にめっきにより導体を形成することにより形成される。スルーホール導体の中心には、図３に示すように、空洞が形成されている。ただし、スルーホール導体には、空洞が形成されていなくてもよい。

伝送線路１０は、図２に示すように、第１インピーダンス区間Ａ１、第２インピーダンス区間Ａ２、第３インピーダンス区間Ａ３、インピーダンス変換区間Ａ１１及び反射区間Ａ１２を有している。第１インピーダンス区間Ａ１は、第１インピーダンス区間第１端ｔ１１及び第１インピーダンス区間第２端ｔ１２を有している。第１インピーダンス区間第１端ｔ１１は、第１インピーダンス区間Ａ１の右端である。第１インピーダンス区間第２端ｔ１２は、第１インピーダンス区間Ａ１の左端である。

第２インピーダンス区間Ａ２は、第２インピーダンス区間第１端ｔ２１及び第２インピーダンス区間第２端ｔ２２を有している。第２インピーダンス区間第１端ｔ２１は、第２インピーダンス区間Ａ２の右端である。第２インピーダンス区間第２端ｔ２２は、第２インピーダンス区間Ａ２の左端である。

第３インピーダンス区間Ａ３は、第３インピーダンス区間第１端ｔ３１及び第３インピーダンス区間第２端ｔ３２を有している。第３インピーダンス区間第１端ｔ３１は、第３インピーダンス区間Ａ３の右端である。第３インピーダンス区間第２端ｔ３２は、第３インピーダンス区間Ａ３の左端である。

インピーダンス変換区間Ａ１１は、インピーダンス変換区間第１端ｔ４１及びインピーダンス変換区間第２端ｔ４２を有している。インピーダンス変換区間第１端ｔ４１は、インピーダンス変換区間Ａ１１の右端である。インピーダンス変換区間第２端ｔ４２は、インピーダンス変換区間Ａ１１の左端である。

反射区間Ａ１２は、反射区間第１端ｔ５１及び反射区間第２端ｔ５２を有している。反射区間第１端ｔ５１は、反射区間Ａ１２の右端である。反射区間第２端ｔ５２は、反射区間Ａ１２の左端である。

第２インピーダンス区間Ａ２、反射区間Ａ１２、第１インピーダンス区間Ａ１、インピーダンス変換区間Ａ１１及び第３インピーダンス区間Ａ３は、信号導体層２０に沿ってこの順に連続的に並んでいる。「連続的に並ぶ」とは、隣り合う区間同士が接した状態で並んでいることを意味する。従って、反射区間第２端ｔ５２は、第２インピーダンス区間第１端ｔ２１に接している。また、反射区間第１端ｔ５１は、第１インピーダンス区間第２端ｔ１２に接している。インピーダンス変換区間第２端ｔ４２は、第１インピーダンス区間第１端ｔ１１に接している。インピーダンス変換区間第１端ｔ４１は、第３インピーダンス区間第２端ｔ３２に接している。

第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスは、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス及び第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンスより低い。第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスは、例えば、４０Ωである。第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス及び第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。そこで、第１インピーダンス区間Ａ１の信号導体層２０の線幅は、第２インピーダンス区間Ａ２の信号導体層２０の線幅及び第３インピーダンス区間Ａ３の信号導体層２０の線幅より大きい。第２インピーダンス区間Ａ２の信号導体層２０の線幅は、第３インピーダンス区間Ａ３の信号導体層２０の線幅と実質的に等しい。

反射区間Ａ１２は、第１インピーダンス区間Ａ１から入力してきた高周波信号を第１インピーダンス区間Ａ１へと反射させる役割を果たす。反射区間Ａ１２は、第２インピーダンス区間Ａ２から入力してきた高周波信号を第２インピーダンス区間Ａ２へと反射させる役割を果たす。そこで、反射区間Ａ１２は、第１インピーダンス区間Ａ１と第２インピーダンス区間Ａ２との間において急激なインピーダンスの変化を生じさせている。

反射区間Ａ１２の特性インピーダンスの変化量は、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスの変化量、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンスの変化量及び第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンスの変化量より大きい。本明細書において、区間（例えば、反射区間Ａ１２）の特性インピーダンスの変化量は、区間の特性インピーダンスの最大値と区間の特性インピーダンスの最小値との差である。本実施形態では、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス及び第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンスは、５０Ωで実質的に一定である。第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスは、４０Ωで実質的に一定である。一方、反射区間Ａ１２の特性インピーダンスは、４０Ω以上５０Ω以下である。従って、反射区間Ａ１２の特性インピーダンスの変化量は、１０Ωである。

また、反射区間Ａ１２の特性インピーダンスは、第２インピーダンス区間Ａ２から第１インピーダンス区間Ａ１に近づくと減少する。また、反射区間Ａ１２の特性インピーダンスは、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンス以上、かつ、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス以下である。そこで、反射区間Ａ１２の信号導体層２０の線幅は、第２インピーダンス区間Ａ２から第１インピーダンス区間Ａ１に近づくと増加する。ここでの増加は、不連続な増加及び連続的な増加の両方を含む。また、反射区間Ａ１２の信号導体層２０の線幅は、第２インピーダンス区間Ａ２の信号導体層２０の線幅以上、かつ、第１インピーダンス区間Ａ１の信号導体層２０の線幅以下である。本実施形態では、信号導体層２０が左右方向に延びる辺と前後方向に延びる辺とが接続されていることにより、信号導体層２０の線幅が反射区間Ａ１２において急激に変化している。ただし、信号導体層２０には面取りが施されている。左右方向に延びる辺と前後方向に延びる辺とが接続されている部分には、面取りが施されている。従って、反射区間Ａ１２は、前後方向に延びる辺と面取りが施されている部分とを含んでいる。そのため、反射区間Ａ１２の長さは、非常に短い。本明細書において、区間（例えば、反射区間Ａ１２）の長さは、区間の左右方向の長さである。なお、左右方向に延びる辺と前後方向に延びる辺とが接続されている部分に面取りが施されていない場合、反射区間Ａ１２は、信号導体層２０の前後方向に延びる辺と重なる領域である。この場合、反射区間Ａ１２は、第１インピーダンス区間第２端ｔ１２と第２インピーダンス区間第１端ｔ２１との境界である。すなわち、反射区間Ａ１２の長さは、実質的に０である。

インピーダンス変換区間Ａ１１は、第１インピーダンス区間Ａ１から入力してきた高周波信号を第３インピーダンス区間Ａ３へと反射を抑制しつつ伝達させる役割を果たす。インピーダンス変換区間Ａ１１は、第３インピーダンス区間Ａ３から入力してきた高周波信号を第１インピーダンス区間Ａ１へと反射を抑制しつつ伝達させる役割を果たす。そこで、インピーダンス変換区間Ａ１１は、第１インピーダンス区間Ａ１と第３インピーダンス区間Ａ３との間において緩やかなインピーダンスの変化を生じさせている。

インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスの変化量は、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスの変化量、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンスの変化量及び第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンスの変化量より大きい。本実施形態では、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス及び第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンスは、５０Ωで実質的に一定である。第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスは、４０Ωで実質的に一定である。一方、インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスは、４０Ω以上５０Ω以下である。従って、インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスの変化量は、１０Ωである。

インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスは、第３インピーダンス区間Ａ３から第１インピーダンス区間Ａ１に近づくと減少する。ここでの減少は、不連続な減少及び連続的な減少の両方を含む。また、インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスは、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンス以上、かつ、第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンス以下である。そこで、インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０の線幅は、第３インピーダンス区間Ａ３から第１インピーダンス区間Ａ１に近づくと増加する。ここでの増加は、不連続な増加及び連続的な増加の両方を含む。インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０の線幅は、第３インピーダンス区間Ａ３の信号導体層２０の線幅以上、かつ、第１インピーダンス区間Ａ１の信号導体層２０の線幅以下である。本実施形態では、信号導体層２０の線幅は、インピーダンス変換区間Ａ１１において階段状に変化している。

インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０の長さは、伝送線路１０を伝送される高周波信号の半波長の整数倍と高周波信号の波長の１／４との合計の長さと実質的に等しい。本実施形態では、インピーダンス変換区間Ａ１１の長さは、例えば、伝送線路１０を伝送される高周波信号の波長の１／４の長さと実質的に等しい。

反射区間Ａ１２における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量は、インピーダンス変換区間Ａ１１における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量より大きい。本明細書において、区間（例えば、反射区間Ａ１２）における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量とは、区間の特性インピーダンスの最大値と区間の特性インピーダンスの最小値との差を区間の長さで割った値である。なお、反射区間Ａ１２の長さが０である場合には、反射区間Ａ１２における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量は、正の無限大となる。インピーダンス変換区間Ａ１１の長さは、０ではない。従って、インピーダンス変換区間Ａ１１における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量は、有限値である。そのため、反射区間Ａ１２における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量は、インピーダンス変換区間Ａ１１における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量より大きい。

本実施形態では、反射区間Ａ１２における信号導体層２０の線幅の変化量は、インピーダンス変換区間Ａ１１における信号導体層２０の線幅の変化量と等しい。そこで、反射区間Ａ１２の長さは、インピーダンス変換区間Ａ１１の長さより短い。これにより、反射区間Ａ１２における単位長さ当たりの信号導体層２０の線幅の変化量は、インピーダンス変換区間Ａ１１における単位長さ当たりの信号導体層２０の線幅の変化量より大きい。すなわち、反射区間Ａ１２の信号導体層２０の線幅の増加率は、インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０の線幅の増加率より大きい。

反射区間Ａ１２から信号導体層第２端部ｔ２までの信号導体層２０の長さは、インピーダンス変換区間Ａ１１から信号導体層第１端部ｔ１までの信号導体層２０の長さより短い。反射区間Ａ１２から信号導体層第２端部ｔ２までの信号導体層２０の長さは、伝送線路１０を伝送される高周波信号の波長以下であることが好ましい。

また、第２インピーダンス区間Ａ２及び反射区間Ａ１２には、チップコンデンサが実装されていない。チップコンデンサは、例えば、コネクタ３０ａと伝送線路１０とのインピーダンス整合を取るための整合回路を構成する電子部品である。

［効果］
伝送線路１０によれば、特性インピーダンスの不整合の発生を抑制できる。より詳細には、信号導体層第２端部ｔ２は、層間接続導体ｖ１と接続される。また、信号導体層第２端部ｔ２は、コネクタ３０ａと電気的に接続される。そのため、信号導体層第２端部ｔ２近傍では、インピーダンスの不整合が発生しやすい。

そこで、伝送線路１０は、反射区間Ａ１２を有している。反射区間Ａ１２における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量は、インピーダンス変換区間Ａ１１における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量より大きい。これにより、反射区間Ａ１２は、第２インピーダンス区間Ａ２から入力してきた高周波信号を第２インピーダンス区間Ａ２へと反射させる役割を果たす。この反射が利用されることにより、信号導体層第２端部ｔ２における高周波信号の反射が抑制される。その結果、信号導体層第２端部ｔ２近傍におけるインピーダンスの不整合の発生が抑制される。これにより、第１インピーダンス区間Ａ１及び反射区間Ａ１２には、インピーダンス整合のためのチップコンデンサが実装されていなくてもよい。

特に、伝送線路１０では、インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０の長さは、伝送線路１０を伝送される高周波信号の半波長の整数倍と高周波信号の波長の１／４との合計の長さと実質的に等しい。これにより、インピーダンス変換区間Ａ１１における不要な反射が抑制される。

伝送線路１０によれば、伝送線路１０の挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、反射区間Ａ１２の特性インピーダンスは、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンス以上、かつ、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス以下である。インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスは、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンス以上、かつ、第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンス以下である。これにより、インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンス及び反射区間Ａ１２の特性インピーダンスが、不要に大きくなることが抑制される。その結果、伝送線路１０の挿入損失の低減を図ることができる。

伝送線路１０によれば、反射区間Ａ１２の長さは、インピーダンス変換区間Ａ１１の長さより短い。これにより、反射区間Ａ１２において特性インピーダンスが急激に変化しやすくなる。従って、伝送線路１０によれば、反射区間Ａ１２において高周波信号の反射が発生しやすくなる。

伝送線路１０によれば、伝送線路１０の挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、第１インピーダンス区間Ａ１の信号導体層２０の線幅は、第２インピーダンス区間Ａ２の信号導体層２０の線幅及び第３インピーダンス区間Ａ３の信号導体層２０の線幅より大きい。これにより、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスは、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス及び第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンスより低い。従って、伝送線路１０において第１インピーダンス区間Ａ１が占める割合が高くなれば、伝送線路１０の挿入損失が低減される。

伝送線路１０によれば、反射区間Ａ１２は、信号導体層第２端部ｔ２に近いことが好ましい。そこで、反射区間Ａ１２から信号導体層第２端部ｔ２までの信号導体層２０の長さは、伝送線路１０を伝送される高周波信号の波長以下である。これにより、反射区間Ａ１２における反射の影響が大きくなり、信号導体層第２端部ｔ２における高周波信号の反射がより抑制される。

（第１の変形例）
次に、第１の変形例に係る伝送線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図４は、伝送線路１０ａの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。

伝送線路１０ａは、信号導体層２０の形状において伝送線路１０と相違する。具体的には、伝送線路１０ａでは、インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０は、テーパ形状を有している。具体的には、インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０の線幅は、第３インピーダンス区間Ａ３から第１インピーダンス区間Ａ１に近づくにしたがって連続的に増加している。伝送線路１０ａのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。これにより、インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスの変化が緩やかになる。その結果、インピーダンス変換区間Ａ１１において高周波信号の反射が発生することが抑制される。

（第２の変形例）
次に、第２の変形例に係る伝送線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図５は、伝送線路１０ｂの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。

伝送線路１０ｂは、信号導体層２０の形状において伝送線路１０と相違する。具体的には、伝送線路１０ｂでは、反射区間Ａ１２の信号導体層２０は、テーパ形状を有している。具体的には、反射区間Ａ１２の信号導体層２０の線幅は、第２インピーダンス区間Ａ２から第１インピーダンス区間Ａ１に近づくにしたがって連続的に増加している。伝送線路１０ｂのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

（第３の変形例）
次に、第３の変形例に係る伝送線路１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図６は、伝送線路１０ｃの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。

伝送線路１０ｃは、信号導体層２０の形状において伝送線路１０と相違する。具体的には、伝送線路１０ｃでは、インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０は、テーパ形状を有している。インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０の線幅は、第３インピーダンス区間Ａ３から第１インピーダンス区間Ａ１に近づくにしたがって連続的に増加している。これにより、インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスの変化が緩やかになる。その結果、インピーダンス変換区間Ａ１１において高周波信号の反射が発生することが抑制される。

また、伝送線路１０ｃでは、反射区間Ａ１２の信号導体層２０は、テーパ形状を有している。具体的には、反射区間Ａ１２の信号導体層２０の線幅は、第２インピーダンス区間Ａ２から第１インピーダンス区間Ａ１に近づくにしたがって連続的に増加している。伝送線路１０ｃのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

（第４の変形例）
次に、第４の変形例に係る伝送線路１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図７は、伝送線路１０ｄの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。

伝送線路１０ｄは、信号導体層２０の形状において伝送線路１０と相違する。伝送線路１０ｄでは、反射区間Ａ１２の信号導体層２０の線幅は、第２インピーダンス区間Ａ２の信号導体層２０の線幅より小さい。これにより、反射区間Ａ１２の信号導体層２０の線幅の変化量がより大きくなる。すなわち、反射区間Ａ１２の特性インピーダンスの変化量が大きくなる。その結果、反射区間Ａ１２において、高周波信号の反射が発生しやすくなる。よって、伝送線路１０ｄによれば、特性インピーダンスの不整合の発生を抑制できる。

（第５の変形例）
次に、第５の変形例に係る伝送線路１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図８は、伝送線路１０ｅの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。

伝送線路１０ｅは、信号導体層２０が左右対称な構造を有している点において伝送線路１０と相違する。より詳細には、伝送線路１０ｅは、第１インピーダンス区間Ａ１、第２インピーダンス区間Ａ２、第３インピーダンス区間Ａ３、インピーダンス変換区間Ａ１１及び反射区間Ａ１２の組を２組有している。伝送線路１０ｅの左部において、第２インピーダンス区間Ａ２、反射区間Ａ１２、第１インピーダンス区間Ａ１、インピーダンス変換区間Ａ１１及び第３インピーダンス区間Ａ３は、左から右へとこの順に連続的に並んでいる。また、伝送線路１０ｅの右部において、第２インピーダンス区間Ａ２、反射区間Ａ１２、第１インピーダンス区間Ａ１、インピーダンス変換区間Ａ１１及び第３インピーダンス区間Ａ３は、右から左へとこの順に連続的に並んでいる。伝送線路１０ｅのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明省略する。

伝送線路１０ｅによれば、伝送線路１０ｅの信号導体層第１端部ｔ１近傍及び信号導体層第２端部ｔ２近傍におけるインピーダンスの不整合の発生が抑制される。

（第６の変形例）
次に、第６の変形例に係る伝送線路１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図９は、伝送線路１０ｆの信号導体層２０及び絶縁体層１６ｂの上面図である。

伝送線路１０ｆは、信号導体層２０の形状及びアンテナ２００に接続されることにおいて伝送線路１０と相違する。具体的には、伝送線路１０では、第１インピーダンス区間Ａ１の信号導体層２０の線幅は、均一である。一方、伝送線路１０ｆでは、第１インピーダンス区間Ａ１の信号導体層２０の線幅は、均一ではない。第１インピーダンス区間Ａ１は、第１区間ａ１、第２区間ａ２及び第３区間ａ３を含んでいる。第１区間ａ１、第２区間ａ２及び第３区間ａ３は、信号導体層２０に沿ってこの順に連続的に並んでいる。第１区間ａ１の信号導体層２０の線幅は、第２区間ａ２の信号導体層２０の線幅より小さい。第２区間ａ２の信号導体層２０の線幅は、第３区間ａ３の信号導体層２０の線幅より小さい。これにより、第１区間ａ１の特性インピーダンスは、第２区間ａ２の特性インピーダンスより大きい。第２区間ａ２の特性インピーダンスは、第３区間ａ３の特性インピーダンスより大きい。第１区間ａ１の特性インピーダンスは、３０Ωである。第２区間ａ２の特性インピーダンスは、２５Ωである。第３区間ａ３の特性インピーダンスは、２０Ωである。

また、信号導体層第１端部ｔ１には、アンテナ２００が電気的に接続されている。

（第７の変形例）
次に、第７の変形例に係る伝送線路１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１０は、伝送線路１０ｇの左端部の断面図である。

伝送線路１０ｇは、素体１２の構造及び層間接続導体ｖ１の構造において伝送線路１０と相違する。素体１２は、レジスト層１８ａ、絶縁体層１６ａ～１６ｄ及びレジスト層１８ｂが上から下へとこの順に積層された構造を有している。信号導体層２０は、絶縁体層１６ｃの上主面に設けられている。第１グランド導体層２２は、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。第２グランド導体層２４は、絶縁体層１６ｄの下主面に設けられている。

層間接続導体ｖ１は、絶縁体層１６ａ，１６ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１は、第１ビアホール導体ｖ１１及び第２ビアホール導体ｖ１２を含んでいる。第１ビアホール導体ｖ１１及び第２ビアホール導体ｖ１２のそれぞれは、上下方向（積層方向）に絶縁体層１６ａ，１６ｂを貫通している。第１ビアホール導体ｖ１１及び第２ビアホール導体ｖ１２は、互いに電気的に直列に接続されている。

第１ビアホール導体ｖ１１は、外部電極２６ａに接続されている。より詳細には、第１ビアホール導体ｖ１１の上端は、外部電極２６ａに接続されている。第２ビアホール導体ｖ１２は、信号導体層第２端部ｔ２に接続されている。より詳細には、第２ビアホール導体ｖ１２の下端は、信号導体層第２端部ｔ２に接続されている。

伝送線路１０ｆは、接続導体層４０を更に備えている。接続導体層４０は、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。接続導体層４０は、第１ビアホール導体ｖ１１と第２ビアホール導体ｖ１２とに接続されている。具体的には、第１ビアホール導体ｖ１１の下端は、接続導体層４０に接続されている。第２ビアホール導体ｖ１２の上端は、接続導体層４０に接続されている。これにより、第１ビアホール導体ｖ１１及び第２ビアホール導体ｖ１２は、接続導体層４０を介して互いに電気的に直列に接続されている。

伝送線路１０ｇは、ビアホール導体ｖ２１～ｖ２４を更に備えている。ビアホール導体ｖ２１～ｖ２４のそれぞれは、上下方向（積層方向）に絶縁体層１６ａ～１６ｄを貫通している。ビアホール導体ｖ２１～ｖ２４は、互いに電気的に直列に接続されている。ビアホール導体ｖ２１の上端は、第１グランド導体層２２に接続されている。ビアホール導体ｖ２４の下端は、第２グランド導体層２４に接続されている。

伝送線路１０ｇは、接続導体層４２，４４を更に備えている。接続導体層４２は、ビアホール導体ｖ２１とビアホール導体ｖ２２とに接続されている。接続導体層４４は、ビアホール導体ｖ２２とビアホール導体ｖ２３とに接続されている。これにより、ビアホール導体ｖ２１～ｖ２４は、接続導体層４２，４４を介して互いに電気的に直列に接続されている。

このような伝送線路１０ｇでは、図１０に示すように、接続導体層４０と第１グランド導体層２２との間に寄生容量が発生する。また、接続導体層４０と接続導体層４２との間に寄生容量が発生する。そのため、層間接続導体ｖ１において特性インピーダンスが変化しやすい。従って、伝送線路１０ｆは、第１インピーダンス区間Ａ１、第２インピーダンス区間Ａ２、第３インピーダンス区間Ａ３、インピーダンス変換区間Ａ１１及び反射区間Ａ１２を有していることが特に好ましい。

（第８の変形例）
次に、第８の変形例に係る伝送線路１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１１は、伝送線路１０ｈの信号導体層２０、グランド導体層５０，５２及び絶縁体層１６ｂの上面図である。

伝送線路１０ｈは、グランド導体層５０，５２を更に備えている点において伝送線路１０と相違する。より詳細には、グランド導体層５０，５２は、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。グランド導体層５０は、信号導体層２０の前に設けられている。グランド導体層５０は、左右方向に延びている。第１インピーダンス区間Ａ１におけるグランド導体層５０と信号導体層２０との距離ｄ１は、第２インピーダンス区間Ａ２、第３インピーダンス区間Ａ３、インピーダンス変換区間Ａ１１及び反射区間Ａ１２におけるグランド導体層５０と信号導体層２０との距離ｄ２より小さい。これにより、第１インピーダンス区間Ａ１においてグランド導体層５０と信号導体層２０と間に発生する容量は、第２インピーダンス区間Ａ２、第３インピーダンス区間Ａ３、インピーダンス変換区間Ａ１１及び反射区間Ａ１２におけるグランド導体層５０と信号導体層２０との間に発生する容量より大きくなる。グランド導体層５２は、グランド導体層５０と前後対称な構造を有するので説明を省略する。以上のような伝送線路１０ｈでは、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスは、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス、第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンス、インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンス及び反射区間Ａ１２の特性インピーダンスより小さくなる。

以上のように、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンス、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス、第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンス、インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンス及び反射区間Ａ１２の特性インピーダンスは、グランド導体層５０，５２により調整されてもよい。このとき、信号導体層２０の線幅が信号導体層２０の全体にわたって均一であってもよい。

（第９の変形例）
次に、第９の変形例に係る伝送線路１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図１２は、伝送線路１０ｉの上面図である。図１２では、信号導体層２０を点線で示した。図１３は、図１２のＢ－Ｂにおける伝送線路１０ｉの断面図である。図１４は、図１２のＡ－Ａ及びＣ－Ｃにおける伝送線路１０ｉの断面図である。

伝送線路１０ｉは、グランド導体層５４を更に備えている点において伝送線路１０ｈと相違する。グランド導体層５４は、信号導体層２０の下、かつ、第２グランド導体層２４の上に設けられている。第１インピーダンス区間Ａ１では、グランド導体層５４は、図１３に示すように、上下方向に見て、信号導体層２０と重なっている。一方、第２インピーダンス区間Ａ２、第３インピーダンス区間Ａ３及びインピーダンス変換区間Ａ１１では、グランド導体層５４は、図１４に示すように、上下方向に見て、信号導体層２０と重なっていない。これにより、第１インピーダンス区間Ａ１において信号導体層２０とグランド導体層５４との間に発生する容量は、第２インピーダンス区間Ａ２、第３インピーダンス区間Ａ３及びインピーダンス変換区間Ａ１１において信号導体層２０とグランド導体層５４との間に発生する容量より大きくなる。その結果、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスは、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス、第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンス及びインピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスより小さくなる。

以上のように、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンス、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス、第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンス、インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンス及び反射区間Ａ１２の特性インピーダンスは、グランド導体層５４により調整されてもよい。このとき、信号導体層２０の線幅が信号導体層２０の全体にわたって均一であってもよい。

（その他の実施形態）
本発明に係る信号伝送線路は、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉの構成を組み合わせることが可能である。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、素体１２は複数の絶縁体層が積層された積層構造を有していなくてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、信号導体層２０は、左右方向に延びる直線形状以外の形状であってもよい。信号導体層２０は、例えば、上下方向に見て、曲がっていてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、第１インピーダンス区間Ａ１、第２インピーダンス区間Ａ２、第３インピーダンス区間Ａ３、インピーダンス変換区間Ａ１１及び反射区間Ａ１２以外の区間を更に有していてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンスは、第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンスと等しくなくてもよい。また、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンス及び第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンスは、５０Ωでなくてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、反射区間Ａ１２の特性インピーダンスは、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスより小さくてもよい。反射区間Ａ１２の特性インピーダンスは、第２インピーダンス区間Ａ２の特性インピーダンスより大きくてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスは、第１インピーダンス区間Ａ１の特性インピーダンスより小さくてもよい。インピーダンス変換区間Ａ１１の特性インピーダンスは、第３インピーダンス区間Ａ３の特性インピーダンスより大きくてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、反射区間Ａ１２の長さは、インピーダンス変換区間Ａ１１の長さ以上であってもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｄ，１０ｆ～１０ｉにおいて、反射区間Ａ１２から信号導体層第２端部ｔ２までの信号導体層２０の長さは、インピーダンス変換区間Ａ１１から信号導体層第１端部ｔ１までの信号導体層２０の長さ以上であってもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０の長さは、伝送線路１０を伝送される高周波信号の半波長の整数倍と前記高周波信号の波長の１／４との合計の長さと実質的に等しくなくてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、第２インピーダンス区間Ａ２及び反射区間Ａ１２には、チップコンデンサが実装されていてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、反射区間Ａ１２の信号導体層２０の線幅は、第２インピーダンス区間Ａ２の信号導体層２０の線幅より小さくてもよい。反射区間Ａ１２の信号導体層２０の線幅は、第１インピーダンス区間Ａ１の信号導体層２０の線幅より大きくてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０の線幅は、第３インピーダンス区間Ａ３の信号導体層２０の線幅より小さくてもよい。インピーダンス変換区間Ａ１１の信号導体層２０の線幅は、第１インピーダンス区間Ａ１の信号導体層２０の線幅より大きくてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｉにおいて、第１グランド導体層２２及び第２グランド導体層２４は、必須の構成要件ではない。従って、第１グランド導体層２２及び第２グランド導体層２４のいずれか一方が設けられてもよいし、第１グランド導体層２２及び第２グランド導体層２４の両方が設けられなくてもよい。

１：電子機器
１０，１０ａ～１０ｉ：伝送線路
１２：素体
１６ａ～１６ｄ：絶縁体層
１８ａ，１８ｂ：レジスト層
２０：信号導体層
２２：第１グランド導体層
２４：第２グランド導体層
２６ａ，２６ｂ：外部電極
３０ａ，３０ｂ，１０４ａ，１０４ｂ：コネクタ
４０，４２，４４：接続導体層
５０，５２，５４：グランド導体層
１００：回路基板
１０２：基板本体
２００：アンテナ
Ａ１：第１インピーダンス区間
Ａ１１：インピーダンス変換区間
Ａ１２：反射区間
Ａ２：第２インピーダンス区間
Ａ３：第３インピーダンス区間
ａ１：第１区間
ａ２：第２区間
ａ３：第３区間
ｈ１～ｈ８：開口
ｔ１：信号導体層第１端部
ｔ１１：第１インピーダンス区間第１端
ｔ１２：第１インピーダンス区間第２端
ｔ２：信号導体層第２端部
ｔ２１：第２インピーダンス区間第１端
ｔ２２：第２インピーダンス区間第２端
ｔ３１：第３インピーダンス区間第１端
ｔ３２：第３インピーダンス区間第２端
ｔ４１：インピーダンス変換区間第１端
ｔ４２：インピーダンス変換区間第２端
ｖ１～ｖ４：層間接続導体
ｖ１１：第１ビアホール導体
ｖ１２：第２ビアホール導体
ｖ２１～ｖ２４：ビアホール導体

Claims (34)

1. 素体と、
   前記素体に設けられており、線形状を有している信号導体層と、
   を備えている伝送線路であって、
   前記伝送線路は、第１インピーダンス区間、第２インピーダンス区間、第３インピーダンス区間、インピーダンス変換区間及び反射区間を有しており、
   前記第２インピーダンス区間、前記反射区間、前記第１インピーダンス区間、前記インピーダンス変換区間及び前記第３インピーダンス区間は、前記信号導体層に沿ってこの順に連続的に並んでおり、
   前記第１インピーダンス区間の特性インピーダンスは、前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンス及び前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンスより低く、
   前記反射区間における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量は、前記インピーダンス変換区間における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量より大きい、
   伝送線路。
2. 前記反射区間の特性インピーダンスは、前記第１インピーダンス区間の特性インピーダンス以上、かつ、前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンス以下であり、
   前記インピーダンス変換区間の特性インピーダンスは、前記第１インピーダンス区間の特性インピーダンス以上、かつ、前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンス以下である、
   請求項１に記載の伝送線路。
3. 前記反射区間の長さは、前記インピーダンス変換区間の長さより短い、
   請求項１又は請求項２に記載の伝送線路。
4. 前記信号導体層は、信号導体層第１端部及び信号導体層第２端部を有しており、
   前記第２インピーダンス区間は、第２インピーダンス区間第１端及び第２インピーダンス区間第２端を有しており、
   前記反射区間は、前記第２インピーダンス区間第１端に接しており、
   前記第２インピーダンス区間第２端から前記信号導体層第２端部までの距離は、前記第２インピーダンス区間第１端から前記信号導体層第２端部までの距離より短い、
   請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の伝送線路。
5. 前記素体は、複数の絶縁体層が積層方向に積層された構造を有しており、
   前記伝送線路は、
   前記複数の絶縁体層の内の少なくとも１つの絶縁体層を前記積層方向に貫通する層間接続導体を、
   更に備えており、
   前記層間接続導体は、前記信号導体層第２端部に接続されている、
   請求項４に記載の伝送線路。
6. 前記層間接続導体は、第１ビアホール導体及び第２ビアホール導体を含んでおり、
   前記第１ビアホール導体及び前記第２ビアホール導体は、前記積層方向に前記少なくとも１つの絶縁体層を貫通し、かつ、互いに電気的に直列に接続されており、
   前記伝送線路は、
   前記第１ビアホール導体と前記第２ビアホール導体とに接続されている接続導体層を、
   更に備えており、
   前記第２ビアホール導体は、前記信号導体層第２端部に接続されている、
   請求項５に記載の伝送線路。
7. 前記信号導体層第２端部には、コネクタが電気的に接続されている、
   請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の伝送線路。
8. 前記信号導体層第１端部には、アンテナが電気的に接続されている、
   請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の伝送線路。
9. 前記反射区間から前記信号導体層第２端部までの前記信号導体層の長さは、前記インピーダンス変換区間から前記信号導体層第１端部までの前記信号導体層の長さより短い、
   請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の伝送線路。
10. 前記インピーダンス変換区間の前記信号導体層の長さは、前記伝送線路を伝送される高周波信号の半波長の整数倍と前記高周波信号の波長の１／４との合計の長さと実質的に等しい、
    請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の伝送線路。
11. 前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンス及び前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンスは、５０Ωである、
    請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の伝送線路。
12. 前記第２インピーダンス区間及び前記反射区間には、チップコンデンサが実装されていない、
    請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の伝送線路。
13. 前記インピーダンス変換区間の特性インピーダンスの変化量は、前記第１インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量、前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量及び前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量より大きく、
    前記反射区間の特性インピーダンスの変化量は、前記第１インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量、前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量及び前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量より大きい、
    請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の伝送線路。
14. 素体と、
    前記素体に設けられている信号導体層と、
    を備えている伝送線路であって、
    前記伝送線路は、第１インピーダンス区間、第２インピーダンス区間、第３インピーダンス区間、インピーダンス変換区間及び反射区間を有しており、
    前記第２インピーダンス区間、前記反射区間、前記第１インピーダンス区間、前記インピーダンス変換区間及び前記第３インピーダンス区間は、前記信号導体層に沿ってこの順に連続的に並んでおり、
    前記第１インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅は、前記第２インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅及び前記第３インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅より大きく、
    前記反射区間における単位長さ当たりの前記信号導体層の線幅の変化量は、前記インピーダンス変換区間における単位長さ当たりの前記信号導体層の線幅の変化量より大きい、
    伝送線路。
15. 前記反射区間の前記信号導体層の線幅は、前記第２インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅以上、かつ、前記第１インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅以下であり、
    前記インピーダンス変換区間の前記信号導体層の線幅は、前記第３インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅以上、かつ、前記第１インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅以下である、
    請求項１４に記載の伝送線路。
16. 前記反射区間の前記信号導体層の線幅は、前記第２インピーダンス区間から前記第１インピーダンス区間に近づくと増加し、
    前記インピーダンス変換区間の前記信号導体層の線幅は、前記第３インピーダンス区間から前記第１インピーダンス区間に近づくと増加し、
    前記反射区間の前記信号導体層の線幅の増加率は、前記インピーダンス変換区間の前記信号導体層の線幅の増加率より大きい、
    請求項１５に記載の伝送線路。
17. 前記反射区間の長さは、前記インピーダンス変換区間の長さより短い、
    請求項１５又は請求項１６に記載の伝送線路。
18. 前記信号導体層は、信号導体層第１端部及び信号導体層第２端部を有しており、
    前記第２インピーダンス区間は、第２インピーダンス区間第１端及び第２インピーダンス区間第２端を有しており、
    前記反射区間は、前記第２インピーダンス区間第１端に接しており、
    前記第２インピーダンス区間第２端から前記信号導体層第２端部までの距離は、前記第２インピーダンス区間第１端から前記信号導体層第２端部までの距離より短い、
    請求項１５ないし請求項１７のいずれかに記載の伝送線路。
19. 前記素体は、複数の絶縁体層が積層方向に積層された構造を有しており、
    前記伝送線路は、
    前記複数の絶縁体層の内の少なくとも１つの絶縁体層を前記積層方向に貫通する層間接続導体を、
    更に備えており、
    前記層間接続導体は、前記信号導体層第２端部に接続されている、
    請求項１８に記載の伝送線路。
20. 前記層間接続導体は、第１ビアホール導体及び第２ビアホール導体を含んでおり、
    前記第１ビアホール導体及び前記第２ビアホール導体は、前記積層方向に前記少なくとも１つの絶縁体層を貫通し、かつ、互いに電気的に直列に接続されており、
    前記伝送線路は、
    前記第１ビアホール導体と前記第２ビアホール導体とに接続されている接続導体層を、
    更に備えており、
    前記第２ビアホール導体は、前記信号導体層第２端部に接続されている、
    請求項１９に記載の伝送線路。
21. 前記信号導体層第１端部には、コネクタが電気的に接続されている、
    請求項１８ないし請求項２０のいずれかに記載の伝送線路。
22. 前記信号導体層第２端部には、アンテナが電気的に接続されている、
    請求項１８ないし請求項２０のいずれかに記載の伝送線路。
23. 前記反射区間から前記信号導体層第２端部までの前記信号導体層の長さは、前記インピーダンス変換区間から前記信号導体層第１端部までの前記信号導体層の長さより短い、
    請求項１８ないし請求項２２のいずれかに記載の伝送線路。
24. 前記インピーダンス変換区間の前記信号導体層の長さは、前記伝送線路を伝送される高周波信号の半波長の整数倍と前記高周波信号の波長の１／４との合計の長さと実質的に等しい、
    請求項１４ないし請求項２３のいずれかに記載の伝送線路。
25. 前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンス及び前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンスは、５０Ωである、
    請求項１４ないし請求項２４のいずれかに記載の伝送線路。
26. 前記第２インピーダンス区間及び前記反射区間には、チップコンデンサが実装されていない、
    請求項１４ないし請求項２５のいずれかに記載の伝送線路。
27. 前記インピーダンス変換区間の特性インピーダンスの変化量は、前記第１インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量、前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量及び前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量より大きく、
    前記反射区間の特性インピーダンスの変化量は、前記第１インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量、前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量及び前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンスの変化量より大きい、
    請求項１４ないし請求項２６のいずれかに記載の伝送線路。
28. 前記反射区間は、前記第１インピーダンス区間と前記第２インピーダンス区間との間において前後方向に延びる辺を含む区間である、
    請求項１ないし請求項２７のいずれかに記載の伝送線路。
29. 前記第１インピーダンス区間ないし前記第３インピーダンス区間の線幅は、実質的に一定である、
    請求項１ないし請求項２８のいずれかに記載の伝送線路。
30. 前記第１インピーダンス区間ないし前記第３インピーダンス区間のインピーダンスは、実質的に一定である、
    請求項１ないし請求項２９のいずれかに記載の伝送線路。
31. 素体と、
    前記素体に設けられており、線形状を有している信号導体層と、
    を備えている伝送線路であって、
    前記伝送線路は、第１インピーダンス区間、第２インピーダンス区間、第３インピーダンス区間、インピーダンス変換区間及び反射区間を有しており、
    前記第２インピーダンス区間、前記反射区間、前記第１インピーダンス区間、前記インピーダンス変換区間及び前記第３インピーダンス区間は、前記信号導体層に沿ってこの順に連続的に並んでおり、
    前記第１インピーダンス区間の特性インピーダンスは、前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンス及び前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンスより低く、
    前記反射区間における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量は、前記インピーダンス変換区間における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量より大きく、
    前記反射区間は、前記第１インピーダンス区間と前記第２インピーダンス区間との間において前後方向に延びる辺を含む区間であり、
    前記第１インピーダンス区間ないし前記第３インピーダンス区間の線幅は、実質的に一定である、
    伝送線路。
32. 素体と、
    前記素体に設けられており、線形状を有している信号導体層と、
    を備えている伝送線路であって、
    前記伝送線路は、第１インピーダンス区間、第２インピーダンス区間、第３インピーダンス区間、インピーダンス変換区間及び反射区間を有しており、
    前記第２インピーダンス区間、前記反射区間、前記第１インピーダンス区間、前記インピーダンス変換区間及び前記第３インピーダンス区間は、前記信号導体層に沿ってこの順に連続的に並んでおり、
    前記第１インピーダンス区間の特性インピーダンスは、前記第２インピーダンス区間の特性インピーダンス及び前記第３インピーダンス区間の特性インピーダンスより低く、
    前記反射区間における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量は、前記インピーダンス変換区間における単位長さ当たりの特性インピーダンスの変化量より大きく、
    前記反射区間は、前記第１インピーダンス区間と前記第２インピーダンス区間との間において前後方向に延びる辺を含む区間である、
    前記第１インピーダンス区間ないし前記第３インピーダンス区間のインピーダンスは、実質的に一定である、
    伝送線路。
33. 素体と、
    前記素体に設けられている信号導体層と、
    を備えている伝送線路であって、
    前記伝送線路は、第１インピーダンス区間、第２インピーダンス区間、第３インピーダンス区間、インピーダンス変換区間及び反射区間を有しており、
    前記第２インピーダンス区間、前記反射区間、前記第１インピーダンス区間、前記インピーダンス変換区間及び前記第３インピーダンス区間は、前記信号導体層に沿ってこの順に連続的に並んでおり、
    前記第１インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅は、前記第２インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅及び前記第３インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅より大きく、
    前記反射区間における単位長さ当たりの前記信号導体層の線幅の変化量は、前記インピーダンス変換区間における単位長さ当たりの前記信号導体層の線幅の変化量より大きく、
    前記反射区間は、前記第１インピーダンス区間と前記第２インピーダンス区間との間において前後方向に延びる辺を含む区間であり、
    前記第１インピーダンス区間ないし前記第３インピーダンス区間の線幅は、実質的に一定である、
    伝送線路。
34. 素体と、
    前記素体に設けられている信号導体層と、
    を備えている伝送線路であって、
    前記伝送線路は、第１インピーダンス区間、第２インピーダンス区間、第３インピーダンス区間、インピーダンス変換区間及び反射区間を有しており、
    前記第２インピーダンス区間、前記反射区間、前記第１インピーダンス区間、前記インピーダンス変換区間及び前記第３インピーダンス区間は、前記信号導体層に沿ってこの順に連続的に並んでおり、
    前記第１インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅は、前記第２インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅及び前記第３インピーダンス区間の前記信号導体層の線幅より大きく、
    前記反射区間における単位長さ当たりの前記信号導体層の線幅の変化量は、前記インピーダンス変換区間における単位長さ当たりの前記信号導体層の線幅の変化量より大きく、
    前記反射区間は、前記第１インピーダンス区間と前記第２インピーダンス区間との間において前後方向に延びる辺を含む区間であり、
    前記第１インピーダンス区間ないし前記第３インピーダンス区間のインピーダンスは、実質的に一定である、
    伝送線路。

Images