JP7310496B2 - 光変調器及びそれを用いた光送信装置 - Google Patents

Description

本発明は、信号入力端子と光変調素子の信号電極との間の電気信号の伝搬を中継する中継基板を備える光変調器及び当該光変調器を用いた光送信装置に関する。

高速／大容量光ファイバ通信システムにおいては、導波路型の光変調素子を組み込んだ光変調器が多く用いられている。中でも、電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ_３（以下、ＬＮともいう）を基板に用いた光変調素子は、光の損失が少なく且つ広帯域な光変調特性を実現し得ることから、高速／大容量光ファイバ通信システムに広く用いられている。

このＬＮ基板を用いた光変調素子では、マッハツェンダ型光導波路と、当該光導波路に変調信号である高周波電気信号を印加するための信号電極が設けられている。そして、光変調素子に設けられたこれらの信号電極は、当該光変調素子を収容する光変調器の筺体内に設けられた中継基板を介して、当該筺体に設けられた信号入力端子であるリードピンやコネクタと接続される。これにより、光変調器に変調動作を行わせるための電子回路が搭載された回路基板に上記信号入力端子であるリードピンやコネクタが接続されることで、当該電子回路から出力された電気信号が上記中継基板を介して上記光変調素子の信号電極に印加される。

光ファイバ通信システムにおける変調方式は、近年の伝送容量の増大化の流れを受け、ＱＰＳＫ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）やＤＰ－ＱＰＳＫ（Ｄｕａｌ Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ － Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）等、多値変調や、多値変調に偏波多重を取り入れた伝送フォーマットが主流となっており、基幹光伝送ネットワークにおいて用いられるほか、メトロネットワークにも導入されつつある。

ＱＰＳＫ変調を行う光変調器（ＱＰＳＫ光変調器）やＤＰ－ＱＰＳＫ変調を行う光変調器（ＤＰ－ＱＰＳＫ光変調器）は、所謂ネスト型と呼ばれる入れ子構造になった複数のマハツェンダ型光導波路を備え、そのそれぞれが少なくとも一つの信号電極を備える。したがって、これらの光変調器は、複数の信号電極を備えるものとなり、これらの信号電極に与えられる高周波電気信号が協働して上記ＤＰ－ＱＰＳＫ変調動作を行う。具体的には、ＤＰ－ＱＰＳＫ変調器では、それぞれが一対の高周波電気信号により変調される２つの変調光を生成するよう構成され、これら２つの変調光が合成されて一つの変調光として出力される。

このような光変調器では、中継基板上に形成された信号線路に、高周波特性を改善等するための電気フィルタ等の電気回路要素を実装する場合があり得る（特許文献１、２）。

図１３は、そのような電気回路要素が搭載された中継基板を備える従来の光変調器の構成の一例を示す平面図である。光変調器２２００は、例えばＬＮ基板上に形成されたＤＰ－ＱＰＳＫ変調器である光変調素子２２０２と、当該光変調素子２２０２を収容する筺体２２０４と、を備える。ここで、筺体２２０４は、ケース２２１４ａとカバー２２１４ｂとで構成されている。光変調器２２００は、また、ケース２２１４ａに固定されて上記光変調素子２２０２への光の入出力を行う入力光ファイバ２２０８および出力光ファイバ２２１０と、を有する。

筺体２２０４のケース２２１４ａには、さらに、外部の電子回路から光変調素子２２０２を駆動する高周波電気信号を入力するための４つの信号入力端子２２２４ａ、２２２４ｂ、２２２４ｃ、２２２４ｄ（以下、総称して信号入力端子２２２４ともいう）が設けられている。信号入力端子２２２４は、具体的には、例えば高周波同軸コネクタである電気コネクタ２２１６ａ、２２１６ｂ、２２１６ｃ、２２１６ｄ（以下、総称して電気コネクタ２２１６ともいう）の中心電極である。信号入力端子２２２４のそれぞれから入力された高周波電気信号は、筺体２２０４内に収容された中継基板２２１８を介して、光変調素子２２０２に設けられた４つの信号電極２２１２ａ、２２１２ｂ、２２１２ｃ、２２１２ｄ（以下、総称して信号電極２２１２ともいう）の一端にそれぞれ入力され、信号電極２２１２の他端に設けられた所定のインピーダンスを有する終端器２２２０により終端される。

光変調素子２２０２は、２つの出力光導波路２２２６ａ、２２２６ｂから２つの変調光を出力し、当該出力された２つの光は、偏波合成プリズム等で構成される偏波合成部２２２８により一つのビームに合波される。当該合波された光は、出力光ファイバ２２１０を介して筺体２２０４の外部へ出力される。

図１４は、図１３に示す光変調器２２００における中継基板２２１８およびその周辺を示す図である。光変調素子２２０２には、信号電極２２１２のそれぞれがコプレーナ線路（ＣＰＷ、Ｃｏｐｌａｎａｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）を構成するように、グランド電極２２２２ａ、２２２２ｂ、２２２２ｃ、２２２２ｄ、２２２２ｅが設けられている。

また、中継基板２２１８上には、４つの信号入力端子２２２４と光変調素子２２０２の４つの信号電極２２１２とをそれぞれ接続する信号導体パターン２２３０ａ、２２３０ｂ、２２３０ｃ、２２３０ｄ（以下、総称して信号導体パターン２２３０という）が形成されている。これらの信号導体パターン２２３０は、中継基板２２１８上において、当該信号導体パターン２２３０を基板面方向において挟むように配置されたグランド導体パターン２２４０ａ、２２４０ｂ、２２４０ｃ、２２４０ｄ、２２４０ｅと共に、高周波信号線路を構成する。

中継基板２２１８の４つの信号導体パターン２２３０には、それぞれ、例えば光変調器２２００の高周波特性を改善するための電気フィルタが搭載された、部品搭載部２２５０ａ、２２５０ｂ、２２５０ｃ、２２５０ｄ（以下、総称して部品搭載部２２５０ともいう）が設けられている。図１５は、図１４に示す中継基板２２１８のＪ部の部分詳細図であり、図１６は、図１５におけるＸＶＩ－ＸＶＩ断面矢視図である。これらの図は、部品搭載部２２５０の一例として部品搭載部２２５０ｂの構成を示したものであり、他の部品搭載部２２５０ａ、２２５０ｃ、２２５０ｄも同様の構成を有し得る。

部品搭載部２２５０ｂは、例えば特許文献１に記載の電気フィルタと同様に、信号導体パターン２２３０ｂの一部に電気回路要素として形成された薄膜抵抗２２５２ｂ（図示斜線部分）と、信号導体パターン２２３０ｂ上に搭載されたコンデンサ２２５４ｂとで構成されている。また、部品搭載部２２５０ｂの信号導体パターン２２３０ｂは、例えば他の部分よりも幅広に形成されている。

薄膜抵抗２２５２ｂは、信号導体パターン２２３０ｂの一部分が所望の抵抗値を有するように当該部分を所望の厚さで形成したものであり、例えば他の部分の厚さより薄く形成されて構成される。また、例えば、コンデンサ２２５４ｂは、単板コンデンサであり、その下面電極部分が、薄膜抵抗２２５２ｂの一方の端部に接続された信号導体パターン２２３０ｂの幅広部分の上に、例えばハンダにより固定されている。一方、例えばコンデンサ２２５４ｂの上面電極は、導体ワイヤ２２７０を用いたワイヤボンディングにより、薄膜抵抗２２５２ｂの他方の端部に接続された信号導体パターン２２３０ｂの幅広部分の上に接続されている。これにより、部品搭載部２２５０ｂは、薄膜抵抗２２５２ｂとコンデンサ２２５４ｂとが並列に接続されて成る電気フィルタを構成している。

ここで、図１４に示すように、例えば電気フィルタであるそれぞれの部品搭載部２２５０を、互いに同じ方向を向くように且つ略同一間隔で配置することは、製造上および検査上好適であり、従来より常識的に実施されている。

ところで、上述したようなＤＰ－ＱＰＳＫ光変調器は、現在では１００Ｇｂ／ｓの伝送レートで使用さることが多いが、この伝送レートを４００Ｇｂ／ｓ以上へ拡大するための開発も進められている。このような変調器動作の高周波化に伴って、上述のような部品搭載部２２５０に搭載される電気回路要素（コンデンサ２２５４ｂ等）として高周波特性に優れた部品を選定したり、部品搭載部２２５０のインピーダンスを信号導体パターン２２３０の線路インピーダンスに整合させること等が行われている。

しかしながら、上述した部品搭載部２２５０は、例えば電気回路要素と信号導体パターン２２３０との物理的な形状の差や、当該電気回路要素の実装位置ずれなどに起因して、信号導体パターン２２３０を伝搬する高周波（マイクロ波）電気信号に乱れを生じさせ得る。その結果、部品搭載部２２５０から上記マイクロ波電気信号の一部が漏洩し、漏洩マイクロ波２２９０（図１４）となって、隣接する信号導体パターン２２３０や光変調素子２２０２上の信号電極２２１２に対し、ノイズとして作用し得る。

また、上述の如く、従来より常識的に実施されているような、部品搭載部２２５０が互いに同じ方向を向いて略同一間隔で配置される上述の構成では、それぞれの部品搭載部２２５０からの漏洩マイクロ波は、互いに略同一の方向を向く指向性をもって伝搬することとなり得る。また、ＤＰ－ＱＰＳＫ光変調器のように、それぞれが一対の高周波電気信号により変調される２つの変調光を生成するよう構成されている光変調器の場合には、これらの高周波信号は、対をなす高周波電気信号間において略同位相となるだけでなく、異なる対の間でも略同一の高周波成分を有することとなるため、位相や周波数成分が略同一の漏洩マイクロ波が部品搭載部２２５０から放射されることとなり得る。

その結果、漏洩マイクロ波が互いに干渉し強め合って、周囲の信号導体パターン２２３０及びこれに接続された光変調素子２２０２の信号電極２２１２に対し、電気的ノイズとして作用する、という従来の１００Ｇｂ／ｓ伝送では想定されていなかった新たな問題が発生し得る。更に、信号導体パターン２２３０の一部において電気フィルタを構成する部品搭載部２２５０から発生した漏洩マイクロ波が、自身の信号導体パターン２２３０及びこれに接続された光変調素子２２０２の信号電極２２１２に再結合した場合には、電気的なノイズとして作用するだけでなく、上記電気フィルタのフィルタ特性を劣化又は変化させるなど、更に付加的な問題も発生し得る。

特開２００９－２４４３２５号公報 特開２０１８－５４９２９号公報

上記背景より、光変調素子の信号電極と信号入力端子とを電気的に接続する中継基板に電気フィルタ等の電気回路要素が設けられた光変調器において、当該電気回路要素の部分から発生し得る漏洩マイクロ波に起因する電気的ノイズや高周波特性の劣化ないし変動を抑制して、良好な変調特性を実現することが求められている。

本発明の一の態様によると、それぞれが２つの電気信号を含む二組の電気信号によりそれぞれ変調される２つの変調光を生成するよう構成された、複数の信号電極を備える光変調素子と、前記信号電極のそれぞれに印加する電気信号を入力する複数の信号入力端子と、前記信号入力端子と前記信号電極とを電気的に接続する複数の信号導体パターン、及び複数のグランド導体パターンが形成された中継基板と、前記光変調素子および前記中継基板を収容する筺体と、を備える光変調器であって、前記信号導体パターンは、電気回路要素を含む少なくとも一つの部品搭載部を有し、前記中継基板において、隣接する２つの前記信号導体パターンにより構成される２つの信号導体パターン対のそれぞれにより、前記二組の電気信号のそれぞれの組が伝搬され、少なくとも一方の前記信号導体パターン対を構成する２つの前記信号導体パターンは、前記部品搭載部における信号伝搬方向である第１信号伝搬方向が互いに離れる方向を向くよう構成されている。
本発明の他の態様によると、少なくとも一方の前記信号導体パターン対を構成する２つの前記信号導体パターンの少なくとも一つは、前記信号入力端子との接続部分における信号伝搬方向である第２信号伝搬方向が、前記第１信号伝搬方向と異なるよう構成され、及び又は前記信号電極との接続部分から前記部品搭載部までの区間に、信号伝搬方向が前記第１信号伝搬方向と異なる第３信号伝搬方向へ変化する部分を含むよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記２つの信号導体パターン対は、一方の前記信号導体パターン対を構成する２つの前記信号導体パターンのそれぞれの、前記部品搭載部における信号伝搬方向である第１信号伝搬方向に対し、他方の前記信号導体パターン対を構成する２つの前記信号導体パターンのそれぞれの、前記部品搭載部における信号伝搬方向である第１信号伝搬方向が、互いに離れる方向を向くよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記２つの信号導体パターン対が含む全ての前記信号導体パターンは、それぞれ、前記信号入力端子との接続部分における信号伝搬方向である第２信号伝搬方向が、前記第１信号伝搬方向と異なるよう構成され、及び又は、前記信号電極との接続部分から前記部品搭載部までの区間に、信号伝搬方向が前記第１信号伝搬方向と異なる第３信号伝搬方向へ変化する部分を含むよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記２つの信号導体パターン対が含む全ての前記信号導体パターンは、それぞれの前記第１信号伝搬方向が互いに離れる方向を向くよう構成されている。
本発明の他の態様によると、全ての前記信号導体パターンにそれぞれ設けられた前記部品搭載部は、前記中継基板において、共通な一の直線上には配されない。
本発明の他の態様によると、前記部品搭載部を構成する前記電気回路要素は、電気フィルタを構成する。
本発明の他の態様は、上記いずれかの光変調器と、当該光変調器に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路と、を備える光送信装置である。

本発明によれば、中継基板に電気フィルタ等の電気回路要素が設けられた光変調器において、これら電気回路要素の部分から発生し得る漏洩マイクロ波に起因する電気的ノイズや高周波特性の劣化ないし変動を抑制して、良好な変調特性を実現することができる。

本発明の第１の実施形態に係る光変調器の平面図である。 図１に示す光変調器の側面図である。 図１に示す光変調器のＡ部詳細図である。 第１の実施形態に係る光変調器の第１の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 第１の実施形態に係る光変調器の第２の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 第１の実施形態に係る光変調器の第３の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 第１の実施形態に係る光変調器の第４の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 第２の実施形態に係る光変調器の構成を示す平面図である。 図８に示す光変調器のＢ部詳細図である。 第３の実施形態に係る光変調器の構成を示す平面図である。 図１０に示す光変調器のＣ部詳細図である。 本発明の第４の実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。 従来の光変調器の構成の一例を示すである。 従来の光変調器における中継基板の周辺を示す部分詳細図である。 図１４に示すＪ部の詳細を示す部分詳細図である。 図１５に示す部分詳細図のＸＶＩ－ＸＶＩ断面矢視図である。

一般に、中継基板の部品搭載部で発生する漏洩マイクロ波は、当該部品搭載部を点波源として全体的に広がるが、当該部品搭載部における信号導体パターンの高周波信号の伝搬方向に沿った指向性を有する。本発明は、それぞれの部品搭載部が搭載される信号導体パターン上の部分の向き（延在方向）や位置を、所定の向きや位置とすることで、上記指向性を持った漏洩マイクロ波が、互いに強め合って電気的ノイズとして作用したり、自信の信号導体パターン上に再結合して高周波特性を変動させることを抑制して、良好な変調特性を実現する。なお、以下では、「漏洩マイクロ波の方向」とは、漏洩マイクロ波についての上記指向性の方向をいうものとする。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
［第１の実施形態］
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る光変調器１００の構成を示す平面図、図２は、光変調器１００の側面図、図３は、図１におけるＡ部の部分詳細図である。

光変調器１００は、光変調素子１０２と、光変調素子１０２を収容する筺体１０４と、光変調素子１０２に光を入射するための入力光ファイバ１０８と、光変調素子１０２から出力される光を筺体１０４の外部へ導く出力光ファイバ１１０と、を備える。

光変調素子１０２は、例えば４００Ｇｂ／ｓの光変調を行うＤＰ－ＱＰＳＫ変調器であり、例えばＬＮ基板上に設けられた、それぞれが２つのマッハツェンダ型光導波路を含む２つのネスト型マッハツェンダ光導波路で構成されている。これら２つのネスト型マッハツェンダ光導波路を構成する合計４つのマッハツェンダ型光導波路には、当該マッハツェンダ型光導波路を伝搬する光波をそれぞれ変調する４つの信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ（以下、総称して信号電極１１２ともいう）が設けられている。また、従来技術として知られているように、光変調素子１０２のＬＮ基板の表面には、例えば、上記４つの信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄのそれぞれがコプレーナ線路（ＣＰＷ、Ｃｏｐｌａｎａｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）を構成するように、グランド電極１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、１２２ｄ、１２２ｅ（図３参照。図１においては不図示。）が設けられている。

具体的には、上記グランド電極１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、１２２ｄ、１２２ｅ（以下、総称してグランド電極１２２ともいう）は、ＬＮ基板表面の面内において信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄをそれぞれ挟むように配され、４つの信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄと共に所定の動作周波数において所定の特性インピーダンスを有するコプレーナ線路を構成する。

４つの信号電極１１２には、４つの高周波電気信号（変調信号）が、それぞれ入力される。これらの高周波電気信号は、協働して上記４つのマッハツェンダ型光導波路における光波の伝搬を制御し、全体として４００Ｇｂ／ｓのＤＰ－ＱＰＳＫ変調の動作を行う。

具体的には、４つの信号電極１１２のそれぞれには、１対が２つの高周波電気信号で構成される２対の高周波電気信号が印加される。光変調素子１０２は、それぞれの一対の電気信号により変調される２つの変調光１０６ａ、１０６ｂ（図示矢印）を生成するよう構成されている。生成された２つの変調光１０６ａ、１０６ｂは、光変調素子１０２を構成する上記２つのネスト型マッハツェンダ光導波路の２つの出力光導波路１２６ａ、１２６ｂからそれぞれ出力される。本実施形態では、一方の対を成す２つの高周波電気信号が、信号電極１１２ａ、１１２ｂに印加されて、出力光導波路１２６ａから出力される変調光１０６ａを生成し、他の対を成す他の２つの高周波電気信号が、信号電極１１２ｃ、１１２ｄに印加されて、出力光導波路１２６ｂから出力される変調光１０６ｂを生成する。これらの２つの変調光１０６ａ、１０６ｂは、偏波合成プリズム等で構成される偏波合成部１２８により一つのビームに合波された後、出力光ファイバ１１０を介して筺体１０４の外部へ出力される。

筺体１０４は、光変調素子１０２が固定されるケース１１４ａとカバー１１４ｂとで構成されている。なお、筺体１０４内部における構成の理解を容易するため、図１においては、カバー１１４ｂの一部のみを図示右方に示しているが、実際には、カバー１１４ｂは、箱状のケース１１４ａの全体を覆うように配されて筺体１０４の内部を気密封止する。ケース１１４ａは、金属、又は例えば金メッキされたセラミック等で構成されており、電気的には導電体として機能する。また、筺体１０４には通常、直流バイアス制御用等の複数のピンが設置され得るが、本図面では省略している。

ケース１１４ａは、光変調素子１０２の信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄのそれぞれに印加する高周波の電気信号を入力する信号入力端子１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ（以下、総称して信号入力端子１２４ともいう）を備えた同軸コネクタである電気コネクタ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ（以下、総称して電気コネクタ１１６ともいう）が設けられている。

電気コネクタ１１６のそれぞれは、例えば、プッシュオン型の同軸コネクタのソケットであって、円筒状のグランド導体を含み、信号入力端子１２４は、当該円筒状のグランド導体の中心線にそって延在する中心導体（芯線）で構成される。上記円筒状のグランド導体のそれぞれは、ケース１１４ａに電気的に接続され且つ固定される。したがって、ケース１１４ａは、グランド電位を供給するグランドラインの一部を構成する。また、信号入力端子１２４のそれぞれは、中継基板１１８を介して光変調素子１０２の信号電極１１２のそれぞれの一端に電気的に接続されている。

光変調素子１０２の信号電極１１２の他端は、所定のインピーダンスを有する終端器１２０により終端されている。これにより、信号電極１１２のそれぞれの一端に入力された電気信号は、進行波として信号電極１１２内をそれぞれ伝搬する。

図３は、図１に示すＡ部の詳細図であり、中継基板１１８及びその周囲の構成を示している。中継基板１１８には、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄ（以下、総称して信号導体パターン３３０ともいう）と、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ、３４０ｄ、３４０ｅ（以下、総称してグランド導体パターン３４０ともいう）と、が形成されている。

信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄは、それぞれ、信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄと、それぞれ対応する信号入力端子１２４と、を接続している。特に、変調光１０６ａを生成する一方の対の高周波電気信号は、互いに隣接する信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂを介して、信号電極１１２ａ、１１２ｂに与えられる。また、変調光１０６ｂを生成する他方の対の高周波電気信号は、互いに隣接する信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄを介して、信号電極１１２ｄ、１１２ｄに与えられる。すなわち、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂは、信号導体パターンの一方の対を構成して一方の高周波電気信号の対（組）を伝搬し、信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄは、信号導体パターンの他方の対を構成して他方の高周波電気信号の対（組）を伝搬する。

中継基板１１８は、オモテ面（信号導体パターン３３０およびグランド導体パターン３４０が形成された図３に示す面）に対向するウラ面の例えば全面に、ウラ面グランド導体（不図示）が形成されている。ウラ面グランド導体は、例えばハンダ、ロウ材、あるいは導電性接着剤等により筺体１０４のケース１１４ａに固定される。これにより、ウラ面グランド導体はグランドライン構成要素となる。グランド導体パターン３４０のそれぞれは、適切なビア（不図示）を介してウラ面グランド導体と接続されてグランドラインに接続される。

グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ、３４０ｄ、３４０ｅは、それぞれ、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄを中継基板１１８のオモテ面の面内において挟むように設けられている。これにより、信号導体パターン３３０は、それぞれ、グランド導体パターン３４０と共にコプレーナ線路を構成している。

信号導体パターン３３０は、本実施形態では図示上下方向に延在し、中継基板１１８の辺のうち図示下側の辺において、その一端が信号入力端子１２４と接続されている。ここで、中継基板１１８の辺のうち信号導体パターン３３０と信号入力端子１２４とが接続される側の辺を信号入力辺３１８ａという。

光変調素子１０２の信号電極１１２は、それぞれ、中継基板１１８の辺のうち図示上側の辺において、例えば導体ワイヤ３２６を用いたワイヤボンディングにより、中継基板１１８の信号導体パターン３３０の他端と電気的に接続されている。導体ワイヤ３２６は、例えば金ワイヤであるものとすることができる。ここで、中継基板１１８の辺のうち信号導体パターン３３０と光変調素子１０２の信号電極１１２とが接続される側の辺を信号出力辺３１８ｂという。本実施形態では、信号入力辺３１８ａと信号出力辺３１８ｂとは、平面視において中継基板１１８の相対向する２辺を構成している。図３における中継基板１１８の辺のうち、信号入力辺３１８ａ、信号出力辺３１８ｂ以外の、他の対向する２辺を、サイドエッジ（側方辺）３１８ｃ、３１８ｄというものとする。

光変調素子１０２において信号電極１１２と共にコプレーナ線路を構成するグランド電極１２２は、それぞれ、上記と同様に例えば導体ワイヤ３２６を用いたワイヤボンディングにより、中継基板１１８の信号出力辺３１８ｂにおいてグランド導体パターン３４０のそれぞれの一端と電気的に接続されている。なお、上述した導体ワイヤ３２６を用いたワイヤボンディングは一例であって、これには限られない。導体ワイヤ３２６のワイヤボンディングに代えて、例えば金リボン等の導体リボンを用いたリボンボンディングを用いることもできる。

信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄのそれぞれは、例えば電気フィルタ（バンドパスフィルタ、ハイパスフィルタ等）を構成する電気回路要素が設けられた部分（図示の濃い影付き部分）である部品搭載部３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄ（以下、総称して部品搭載部３５０ともいう）を有する。ここで、電気回路要素とは、回路を構成する機能要素としての能動素子及び又は受動素子をいい、専ら電気接続のために設けられる配線パターンやランド（パッド）は含まれない。

部品搭載部３５０は、例えば、図１３ないし図１６に示す部品搭載部２２５０と同様に、他より幅広に設けられた信号導体パターン３３０の部分に、コンデンサ等の電気回路要素が搭載され及び又は薄膜抵抗等の電気回路要素が形成されることにより構成されているものとすることができる。すなわち、例えば、図１５、図１６に示す信号導体パターン２２３０ｂと同様に信号導体パターン３３０に幅広部分が形成され、コンデンサ２２５４ｂと同様のコンデンサが搭載されると共に、信号導体パターン３３０の上記幅広部の一部に薄膜抵抗２２５２ｂと同様の薄膜抵抗が形成されて、部品搭載部３５０が構成され得る。ただし、部品搭載部３５０において信号導体パターン３３０を幅広に形成するのは一例であって、部品搭載部３５０の信号導体パターン３３０を他と同じ幅で形成することもできる。

本実施形態では、特に、対を成す２つの高周波電気信号がそれぞれ入力される２つの信号導体パターン３３０が、互いに角度を持って延在するよう形成されることで、それぞれの部品搭載部３５０における信号伝搬方向が互いに異なるように構成されている。なお、部品搭載部３５０における信号伝搬方向は、第１信号伝搬方向に対応する。

具体的には、上述した一方の対を成す２つの高周波電気信号がそれぞれ入力される信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂのうち一方の信号導体パターン３３０ａが、他方の信号導体パターン３３０ｂの延在方向に対して角度をもつ方向（図示の例では、図示右方向に傾いた方向）に延在するよう形成されている。

一般に、部品搭載部３５０から発生する漏洩マイクロ波の方向は、当該部品搭載部３５０における信号伝搬方向に沿っている。また、部品搭載部３５０における信号伝搬方向は、一般に、部品搭載部３５０が形成されている信号導体パターン３３０の部分における、当該信号導体パターン３３０の延在方向に沿っている。

本実施形態では、信号導体パターン３３０ａが、信号導体パターン３３０ｂに対して角度をもつ方向に形成されているので、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂのそれぞれから発生する漏洩マイクロ波の方向も互いに角度を持つこととなる。例えば、図３に示すように、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂから発生する漏洩マイクロ波は、当該部品搭載部３５０ａ、３５０ｂから延びるそれぞれ２つの一点鎖線の矢印が挟む範囲として示されているように、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂの延在方向を中心とする方向範囲において、それぞれ大きな強度分布を持つこととなる。

その結果、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂから発生する漏洩マイクロ波の互いの干渉は抑制され、これらの漏洩マイクロ波が互いに強め合って電気的ノイズとして作用することが回避される。すなわち、干渉を生じやすい対をなす２つの高周波電気信号がそれぞれ伝搬される信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂの間において、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂから発生する漏洩マイクロ波間の干渉に起因した電気的ノイズの発生が抑制される。

同様に、他方の対を成す２つの高周波電気信号がそれぞれ入力される信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄのうち一方の信号導体パターン３３０ｄが、他方の信号導体パターン３３０ｃの延在方向に対して角度をもつ方向（図示の例では、図示左方向に傾いた方向）に延在するよう形成されている。これにより、部品搭載部３５０ｃ、３５０ｄから発生する漏洩マイクロ波は、図３において部品搭載部３５０ｃ、３５０ｄから延びるそれぞれ２つの一点鎖線の矢印が挟む範囲として示されているように、信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄの延在方向に中心を持つ方向範囲において大きな強度分布を持つこととなる。

その結果、干渉を生じやすい対をなす２つの高周波電気信号がそれぞれ伝搬される信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄの間においても、部品搭載部３５０ｃ、３５０ｄから発生する漏洩マイクロ波間の干渉に起因した電気的ノイズの発生が抑制される。

ここで、中継基板１１８においては、例えば、対をなす高周波電気信号が入力される信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂにおいて、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂにおける信号伝搬方向が、互いに離れる方向に構成されるものとしたが、これには限られない。部品搭載部３５０における信号伝搬方向は、互いに異なっている限り、互いに近づく方向となるよう構成されるものとすることもできる。

次に、光変調器１００に用いられる中継基板の変形例について説明する。
＜第１変形例＞
図４は、第１の変形例に係る中継基板４１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板４１８は、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図４において、図３に示す中継基板１１８の構成要素と同じ構成要素については、図３における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３についての説明を援用する。

中継基板４１８は、図３に示す中継基板１１８と同様の構成を有するが、信号導体パターン３３０ａおよび３３０ｄに代えて、信号導体パターン４３０ａ、４３０ｄを有する点が、中継基板１１８と異なる。また、中継基板４１８は、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｄ、３４０ｅに代えて、グランド導体パターン４４０ａ、４４０ｂ、４４０ｄ、４４０ｅを有する点が、中継基板１１８と異なる。

信号導体パターン４３０ａ、４３０ｄは、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｄと同様の構成を有するが、その形状が信号導体パターン３３０ａ、３３０ｄと異なる。グランド導体パターン４４０ａ、４４０ｂ、４４０ｄ、４４０ｅは、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｄ、３４０ｅと同様の構成を有するが、信号導体パターン４３０ａ、４３０ｄと共にそれぞれコプレーナ線路を構成するため、それらの形状がグランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｄ、３４０ｅと異なっている。

具体的には、信号導体パターン４３０ａ、４３０ｄは、信号入力端子１２４ａ、１２４ｄとの接続部分の延在方向を除き、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｄと同様の構成を有する。

これにより、中継基板４１８では、中継基板１１８と同様に、部品搭載部３５０ａ、３５０ｄにおける信号伝搬方向が、隣接する部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃにおける信号伝搬方向と、それぞれ互いに異なっているため、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂとの間、および部品搭載部３５０ｃと３５０ｄとの間において、それらの部品搭載部分から発生する漏洩マイクロ波間の強め合う干渉が抑制される。

ただし、中継基板４１８の信号導体パターン４３０ａ、４３０ｄは、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｄとは異なり、その全体が直線状ではなく、信号入力辺３１８ａの近傍に形成される信号入力端子１２４ａ、１２４ｄとの接続部分における信号導体パターン４３０ａ、４３０ｄの延在方向が、それぞれ、部品搭載部３５０ａ、３５０ｄにおける延在方向と異なっている。ここで、信号導体パターン３３０、４３０ａ、４３０ｄと信号入力端子１２４との接続部分における信号伝搬方向は、第２信号伝搬方向に対応する。

すなわち、中継基板４１８では、信号導体パターン４３０ａ、４３０ｄに関し、部品搭載部３５０ａ、３５０ｄにおける信号伝搬方向と、信号入力端子１２４ａ、１２４ｄとの接続部分における信号伝搬方向とが、それぞれ互いに異なっている。例えば、中継基板４１８では、信号導体パターン４３０ａ、４３０ｄは、信号入力端子１２４ａ、１２４ｄとの接続部分における延在方向が、信号導体パターン３３０ｂ、３３０ｃと平行になるように（又はサイドエッジ３１８ｃ、３１８ｄと平行になるように）形成されることで、部品搭載部３５０ａ、３５０ｄにおける延在方向と異なるよう構成されている。

これにより、中継基板４１８では、上記接続部分において発生する漏洩マイクロ波の方向と、部品搭載部３５０ａで発生する漏洩マイクロ波の方向とが、互いに異なるものとなる。このため、中継基板４１８では、一つの信号導体パターン４３０ａの異なる２つの部分において生ずる、干渉を生じやすい２つの漏洩マイクロ波（すなわち、信号導体パターン４３０ａにおいて、信号入力端子１２４ａとの接続部分と、部品搭載部３５０ａと、でそれぞれ発生する２つの漏洩マイクロ波）の間の干渉も抑制されることとなる。

また、信号導体パターン４３０ｄも、信号導体パターン４３０ａと同様に、信号入力端子１２４ｄとの接続部分および部品搭載部３５０ｄでそれぞれ発生する２つの漏洩マイクロ波の方向が互いに異なるものとなるので、これらの漏洩マイクロ波間の干渉が抑制される。

その結果、中継基板４１８では、中継基板１１８に比べて更に、部品搭載部３５０から生ずる漏洩マイクロ波に起因する電気的ノイズの発生が抑制される。

＜第２変形例＞
次に、光変調器１００に用いられる中継基板の第２の変形例について説明する。
図５は、第２の変形例に係る中継基板５１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板５１８は、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図５において、図３に示す中継基板１１８の構成要素と同じ構成要素については、図３における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３についての説明を援用する。

中継基板５１８は、図３に示す中継基板１１８と同様の構成を有するが、信号導体パターン３３０ａおよび３３０ｄに代えて、信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄを有する点が、中継基板１１８と異なる。また、中継基板５１８は、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｄ、３４０ｅに代えて、グランド導体パターン５４０ａ、５４０ｂ、５４０ｄ、５４０ｅを有する点が、中継基板５１８と異なる。

信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄは、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｄと同様の構成を有するが、その形状が信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄと異なる。グランド導体パターン５４０ａ、５４０ｂ、５４０ｄ、５４０ｅは、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｄ、３４０ｅと同様の構成を有するが、信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄと共にそれぞれコプレーナ線路を構成するため、それらの形状がグランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｄ、３４０ｅと異なっている。

具体的には、信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄは、信号電極１１２ａ、１１２ｄとの接続部分から部品搭載部３５０ａ、３５０ｄまでの区間の形状を除き、図４に示す第１の変形例に係る信号導体パターン４３０ａ、４３０ｄと同様の構成を有する。

これにより、中継基板５１８は、図４に示す中継基板４１８と同様に、部品搭載部３５０ａと３５０ｂとの間および部品搭載部３５０ｃと３５０ｄとの間における漏洩マイクロ波間の干渉が抑制されると共に、信号入力端子１２４ａが接続される信号導体パターン５３０ａの部分と部品搭載部３５０ａとの間、及び信号入力端子１２４ｄが接続される信号導体パターン５３０ｄの部分と部品搭載部３５０ａとの間における漏洩マイクロ波間の干渉も抑制されるので、これらの干渉に起因する電気的ノイズの発生を抑制することができる。

ただし、中継基板５１８の信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄは、図４に示す第１変形例に係る信号導体パターン４３０ａ、４３０ｄとは異なり、信号出力辺３１８ｂにおける信号電極１１２ａ、１１２ｄとの接続部分から部品搭載部３５０ａ、３５０ｄまでの区間に、それぞれ、当該区間における信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄの延在方向、したがって当該区間における信号伝搬方向が、部品搭載部３５０ａ、３５０ｄにおける信号伝搬方向と異なる方向へ変化する部分を含むよう構成されている。

これにより、中継基板５１８では、信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄは、それぞれ対応する上記区間に、部品搭載部３５０ａ、３５０ｄから発生した漏洩マイクロ波の方向と異なる信号伝搬方向を有する部分を含むこととなる。このため、信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄに設けられている部品搭載部３５０ａ、３５０ｄから発生した漏洩マイクロ波が、それぞれ、同じ信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄへ再結合するのを抑制することができる。この再結合の抑制は、漏洩マイクロ波が、一般に、当該漏洩マイクロ波の方向と異なる信号伝搬方向を有する導体パターン内の伝搬モードに結合しにくいことによる。

一般に、部品搭載部３５０ａ、３５０ｄのそれぞれから自信の信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄへの漏洩マイクロ波の再結合が生ずると、例えば電気フィルタである部品搭載部３５０ａ、３５０ｄを含む信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄのそれぞれの、全体としての高周波特性（周波数特性）を変動させ、光変調器１００の変調動作に影響を与え得る。

これに対し、上記の構成を有する中継基板５１８では、上述した電気的ノイズの抑制に加えて、上述のとおり上記再結合を効果的に抑制することができるため、当該再結合に伴う高周波特性の変動をも抑制して、良好な変調動作を実現することができる。

なお、信号導体パターン５３０ａ、５３０ｂの、信号電極１１２との接続部分から部品搭載部３５０までの区間における信号伝搬方向のうち、対応する部品搭載部３５０の信号伝搬方向と異なる方向へ変化した後の信号伝搬方向は、第３信号伝搬方向に対応する。

＜第３変形例＞
次に、光変調器１００に用いられる中継基板の第３の変形例について説明する。
図６は、第３の変形例に係る中継基板６１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板６１８は、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図６において、図３に示す中継基板１１８の構成要素および図５に示す第２変形例に係る中継基板５１８の構成要素と同じ構成要素については、それぞれ、図３および図５における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３及び図５についての説明を援用する。

中継基板６１８は、図５に示す中継基板５１８と同様の構成を有するが、信号導体パターン３３０ｂおよび３３０ｃに代えて、信号導体パターン６３０ｂおよび６３０ｃを有する点が、中継基板５１８と異なる。また、中継基板６１８は、グランド導体パターン５４０ｂ、５４０ｃ、５４０ｄに代えて、グランド導体パターン６４０ｂ、６４０ｃ、６４０ｄを有する点が、中継基板５１８と異なる。

信号導体パターン６３０ｂ、６３０ｃは、信号導体パターン３３０ｂ、３３０ｃと同様の構成を有するが、その形状が信号導体パターン３３０ｂ、３３０ｃと異なる。グランド導体パターン６４０ｂ、６４０ｃ、６４０ｄは、グランド導体パターン５４０ｂ、５４０ｃ、５４０ｄと同様の構成を有するが、信号導体パターン６３０ｂ、６３０ｃと共にコプレーナ線路を構成するため、それらの形状がグランド導体パターン５４０ｂ、５４０ｃ、５４０ｄと異なっている。

具体的には、信号導体パターン６３０ｂ、６３０ｃは、信号導体パターン３３０ｂ、３３０ｃと同様の構成を有するが、直線状ではなく、信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄと同様の形状を有する点が、信号導体パターン３３０ｂ、３３０ｃと異なる。

すなわち、信号導体パターン６３０ｂ、６３０ｃは、部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃにおける信号伝搬方向が、それぞれ、隣接する信号導体パターン５３０ａ、５３０ｂの部品搭載部３５０ａ、３５０ｄにおける信号伝搬方向と異なるように形成されている。ここで、信号導体パターン５３０ａと６３０ｂ、及び６３０ｃと５３０ｄは、それぞれ対をなす高周波電気信号を伝搬するよう構成されている。

また、信号導体パターン６３０ｂ、６３０ｃは、信号入力端子１２４ｂ、１２４ｃとの接続部分における信号伝搬方向が、それぞれ部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃにおける信号伝搬方向と異なるように形成されている。また、信号導体パターン６３０ｂ、６３０ｃは、光変調素子１０２の信号電極１１２ｂ、１１２ｃとの接続部分から部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃまでの区間に、それぞれ、当該区間における導体パターンの延在方向、したがって当該区間における信号伝搬方向が、部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃにおける信号伝搬方向と異なる信号伝搬方向へ変化する部分を含むよう構成されている。

上記の構成により、本変形例では、信号導体パターン６３０ｂ、６３０ｃにおいても、信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄと同様に、信号入力端子１２４ｂ、１２４ｃとの接続部分からの漏洩マイクロ波の方向と部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃからの漏洩マイクロ波の方向とを異ならせて、これらの漏洩マイクロ波間の干渉を抑制することができる。これにより、中継基板６１８では、図５に示す中継基板に比べて、漏洩マイクロ波間の干渉に起因する電気的ノイズを更に低減することができる。

また、本変形例では、信号導体パターン６３０ｂ、６３０ｃにおいても、信号導体パターン５３０ａ、５３０ｄと同様に、光変調素子１０２の信号電極１１２ｂ、１１２ｃとの接続部までの区間に、信号伝搬方向が部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃにおける信号伝搬方向と異なる方向へ変化する部分を有する。このため、部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃから発生した漏洩マイクロ波が、自身の信号導体パターン６３０ｂ、６３０ｃに再結合することが抑制される。このため、信号導体パターン６３０ｂ、６３０ｃにおいても、それぞれ、例えば電気フィルタを構成する部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃを含む全体としての高周波特性の変動が抑制される。

その結果、中継基板６１８では、図５に示す中継基板５１８よりも更に、良好な光変調動作を実現することができる。

＜第４変形例＞
次に、光変調器１００に用いられる中継基板の第４の変形例について説明する。
図７は、第４の変形例に係る中継基板７１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板７１８は、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図７において、図３に示す中継基板１１８の構成要素と同じ構成要素については、図３における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３についての説明を援用する。

中継基板７１８は、図６に示す中継基板６１８と同様の構成を有する。ただし、中継基板７１８は、部品搭載部３５０が、中継基板６１８のように図示横方向に一直線上には配されないように（すなわち、直線的に配されないように）構成される。

具体的には、中継基板７１８は、図６に示す中継基板６１８と同様の構成を有するが、信号導体パターン５３０ａ、６３０ｂ、６３０ｃ、５３０ｄに代えて、信号導体パターン７３０ａ、７３０ｂ、７３０ｃ、７３０ｄ（以下、総称して信号導体パターン７３０ともいう）を有する点が異なる。また、中継基板７１８は、グランド導体パターン５４０ａ、６４０ｂ、６４０ｃ、６４０ｄ、５４０ｅに代えて、グランド導体パターン７４０ａ、７４０ｂ、７４０ｃ、７４０ｄ、７４０ｅ（以下、総称してグランド導体パターン７４０ともいう）を有する点が、中継基板６１８と異なる。

信号導体パターン７３０ａ、７３０ｂ、７３０ｃ、７３０ｄは、信号導体パターン５３０ａ、６３０ｂ、６３０ｃ、５３０ｄと同様の構成を有するが、その形状が信号導体パターン５３０ａ、６３０ｂ、６３０ｃ、５３０ｄと異なる。グランド導体パターン７４０ａ、７４０ｂ、７４０ｃ、７４０ｄ、７４０ｅは、グランド導体パターン５４０ａ、６４０ｂ、６４０ｃ、６４０ｄ、５４０ｅと同様の構成を有するが、信号導体パターン７３０ａ、７３０ｂ、７３０ｃ、７３０ｄと共にそれぞれコプレーナ線路を構成するため、それらの形状がグランド導体パターン５４０ａ、６４０ｂ、６４０ｃ、６４０ｄ、５４０ｅと異なっている。

具体的には、信号導体パターン７３０ａ、７３０ｂ、７３０ｃ、７３０ｄは、それぞれ、信号導体パターン５３０ａ、６３０ｂ、６３０ｃ、５３０ｄと同様の構成を有するが、部品搭載部３５０が、一直線上に配されないように、例えばジグザグな位置に配されている。ただし、このようなジグザグな配置は一例であって、３つ以上の部品搭載部３５０が共通な一の直線上に配されない限り、部品搭載部３５０は任意の位置に配されるものとすることができる。

これにより、中継基板７１８では、それぞれの部品搭載部３５０が点波源配列として機能して（例えば中継基板７１８上の特定の場所において）３つ以上の漏洩マイクロ波が重なり合って強い干渉を生じさせてしまうのを防止することができる。このため、中継基板７１８では、図６に示す中継基板６１８に比べて更に電気的ノイズの発生を抑制して、良好な光変調特性を実現することができる。

なお、このような、３つ以上の部品搭載部３５０からの漏洩マイクロ波の干渉を抑制するという意味合いからは、部品搭載部３５０が一直線上に配されないのみならず、不規則な位置に（ランダムな位置に）配されることが望ましい。上記ジグザグ配置は、不規則配置の一例である。

以下、信号導体パターン３３０、４３０ａ、４３０ｄ、５３０ａ、５３０ｄ、６３０ｂ、６３０ｃ、及び信号導体パターン７３０を総称して、信号導体パターン３３０等という。

［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態に係る光変調器について説明する。上述した第１の実施形態に係る光変調器１００では、光変調素子１０２の信号電極１１２の配列ピッチは、信号入力端子１２４の配列ピッチと等しいが、本発明はこれには限定されない。光変調素子の信号電極の配列ピッチは、信号入力端子１２４の配列ピッチより大きくてもよいし、小さくてもよい。本実施形態は、光変調素子の信号電極の配列ピッチが、信号入力端子１２４の配列ピッチより小さい場合の第１の例である。

図８は、本発明の第２の実施形態に係る光変調器８００の構成を示す平面図、図９は、図８におけるＢ部の部分詳細図である。
以下に説明するように、本実施形態に係る光変調器８００に用いられる中継基板８１８は、図７に示す中継基板７１８と同様の特徴を有するが、信号導体パターン９３０ａ等が、中継基板７１８の信号導体パターン７３０ａ等と異なる形状で形成されている。特に、本実施形態では、筺体１０４が備える信号入力端子１２４の配列ピッチに対して、光変調素子８０２の信号電極８１２の配列ピッチが狭くなっている。

図８において、図１に示す第１の実施形態に係る光変調器１００と同じ構成要素については、図１における符号と同じ符号を用いるものとし、上述した図１についての説明を援用する。図８に示す光変調器８００は、図１に示した光変調器１００と同様の構成を有するが、光変調素子１０２および中継基板１１８に代えて光変調素子８０２および中継基板８１８を備える点が異なる。

光変調素子８０２は、光変調素子１０２と同様の構成を有するが、信号電極１１２に代えて、信号電極８１２ａ、８１２ｂ、８１２ｃ、８１２ｄ（以下、総称して信号電極８１２ともいう）を備えると共に、グランド電極１２２に代えてグランド電極８２２ａ、８２２ｂ、８２２ｃ、８２２ｄ、８２２ｅ（以下、称してグランド電極８２２ともいう）を備える点が異なる（図９参照）。

信号電極８１２は、信号電極１１２と同様の構成を有するが、信号電極８１２間のピッチが信号電極１１２間のピッチと異なる。また、グランド電極８２２は、グランド電極１２２と同様の構成を有するが、信号電極８１２と共にコプレーナ線路を構成するため、それらの形状がグランド電極１２２の形状と異っている。

図９は、図８に示すＢ部の部分詳細図であり、光変調器８００における中継基板８１８及びその周囲の構成を示している。なお、図９において、図３に示す中継基板１１８と同じ構成要素については図３における符号と同じ符号を用いるものとし、上述した図３についての説明を援用するものとする。

中継基板８１８は、図７に示す中継基板７１８と同様の構成を有するが、信号導体パターン７３０ａ、７３０ｂ、７３０ｃ、７３０ｄに代えて、信号導体パターン９３０ａ、９３０ｂ、９３０ｃ、９３０ｄ（以下、総称して信号導体パターン９３０ともいう）を備える点が異なる。また、中継基板８１８は、グランド導体パターン７４０ａ、７４０ｂ、７４０ｃ、７４０ｄ、７４０ｅに代えて、グランド導体パターン９４０ａ、９４０ｂ、９４０ｃ、９４０ｄ、９４０ｅ（以下、総称してグランド導体パターン９４０ともいう）を備える点が、図７に示す中継基板７１８と異なる。

４つの信号導体パターン９３０は、図７に示す中継基板７１８の信号導体パターン７３０と同様に以下の特徴を有しているが、信号導体パターン７３０とは異なる形状で形成されている。
１）部品搭載部３５０における信号伝搬方向が互いに異なっている。
２）それぞれの信号導体パターン９３０は、信号入力端子１２４との接続部分における信号伝搬方向が、部品搭載部３５０における信号伝搬方向と異なるよう形成されている。
３）それぞれの信号導体パターン９３０は、光変調素子８０２の信号電極８１２との接続部分から部品搭載部３５０までの区間に、その信号伝搬方向が部品搭載部３５０の信号伝搬方向と異なる方向へ変化する部分を含む。
４）信号導体パターン９３０は、全体として、部品搭載部３５０が（例えば３つ以上の部品搭載部３５０が）一直線上に配されないように構成される。

なお、グランド導体パターン９４０は、グランド導体パターン７４０と同様の構成を有するが、信号導体パターン９３０と共にコプレーナ線路を構成するため、それらの形状がグランド導体パターン７４０と異なっている。

信号導体パターン９３０ａ、９３０ｂ、９３０ｃ、９３０ｄは、具体的には、信号導体パターン７３０ａ、７３０ｂ、７３０ｃ、７３０ｄと同様の構成を有するが、部品搭載部３５０が配された部分が、図示左方向に延在するか又は図示左方向へ傾いて延在する。これにより、信号入力端子１２４のそれぞれと、当該信号入力端子１２４の配列ピッチよりも狭い間隔で配列された光変調素子８０２の信号電極８１２のそれぞれとが、信号導体パターン９３０により接続される。

また、信号導体パターン９３０のうち、部品搭載部３５０が配される部分は、図示左方向へ傾斜する角度が互いに異なることにより、それらの延在する方向が互いに異なるよう形成されている。なお、信号導体パターン９３０ｄに含まれる図示左方向に延在する部分は、左方向への上記傾斜の角度が９０度であるものと解釈される。

これにより、中継基板８１８は、部品搭載部３５０における信号伝搬方向が互いに異なるように構成される。このため、中継基板８１８では、図３に示す中継基板１１８、図４に示す中継基板４１８、図５に示す中継基板５１８、図６に示す中継基板６１８、図７に示す中継基板７１８と同様に、部品搭載部３５０のそれぞれから生ずる漏洩マイクロ波間の干渉が抑制され、これに起因する電気的ノイズが抑制される。

また、信号導体パターン９３０のうち、信号入力端子１２４との接続部分は、それぞれ、図示上下方向、すなわち、信号入力辺３１８ａと直交するサイドエッジ３１８ｃ、３１８ｄと平行な方向に延在するよう構成されている。これにより、信号導体パターン９３０ａ、８０ｂ、９３０ｃ、９３０ｄは、それぞれ、信号入力端子１２４との接続部分における信号伝搬伝搬方向が、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄにおける信号伝搬方向と異なるように構成される。このため、中継基板８１８では、図４に示す中継基板４１８、図５に示す中継基板５１８、図６に示す中継基板６１８、図７に示す中継基板７１８と同様に、信号入力端子１２４との接続部分から発生する漏洩マイクロ波と部品搭載部３５０から発生する漏洩マイクロ波との干渉が抑制され、当該干渉に起因する電気的ノイズも抑制される。

さらに、信号導体パターン９３０は、光変調素子８０２の信号電極８１２との接続部分から部品搭載部３５０までの区間に、その延在方向が、サイドエッジ３１８ｃ、３１８ｄと平行な方向へ変化する部分を含むように形成されている。これにより、中継基板８１８は、これらの区間に、その信号伝搬方向が部品搭載部３５０の信号伝搬方向と異なる方向へ変化する部分を含むように構成される。このため、中継基板８１８では、図５に示す中継基板５１８、図６に示す中継基板６１８、図７に示す中継基板７１８と同様に、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄから発生する漏洩マイクロ波が、自信に対応する信号導体パターン９３０ａ、８０ｂ、９３０ｃ、９３０ｄに再結合することが抑制される。その結果、例えば電気フィルタである部品搭載部３５０を含む信号導体パターン９３０のそれぞれの、全体としての高周波特性の変動が抑制される。

以上より、中継基板８１８においては、図７に示す中継基板７１８と同様に、電気的ノイズの発生および高周波特性の変動が抑制され、良好な変調特性が実現され得る。

［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態に係る光変調器について説明する。上述した第１の実施形態及びその変形例に係る中継基板１１８、４１８、５１８、６１８、７１８、並びに第２の実施形態に係る中継基板９１８では、信号導体パターン３３０等および９４０は、屈曲を含む形状として構成されているが、当然ながら、本発明はこのような屈曲した形状には限定されない。これらの信号導体パターン３３０等および９４０は、屈曲に代えて曲線を用いて構成されるものとすることができる。

本実施形態は、光変調素子の信号電極の配列ピッチが、信号入力端子１２４の配列ピッチより小さい場合の第２の例であり、特に、後述するように、中継基板１０１８の信号導体パターン１１３０ａ、１１３０ｂ、１１３０ｃ、１１３０ｄの曲がり部分が、屈曲ではなく曲線で構成されている。

図１０は、本発明の第３の実施形態に係る光変調器１０００の構成を示す平面図、図１１は、図１０におけるＣ部の部分詳細図である。図１０において、図１に示す第１の実施形態に係る光変調器１００と同じ構成要素については、図１における符号と同じ符号を用いるものとし、上述した図１についての説明を援用する。図１０に示す光変調器１０００は、図１に示した光変調器１００と同様の構成を有するが、光変調素子１０２および中継基板１１８に代えて光変調素子１００２および中継基板１０１８を備える点が異なる。

光変調素子１００２は、光変調素子１０２と同様の構成を有するが、信号電極１１２に代えて、信号電極１０１２ａ、１０１２ｂ、１０１２ｃ、１０１２ｄ（以下、総称して信号電極１０１２ともいう）を備えると共に、グランド電極１２２に代えてグランド電極１０２２ａ、１０２２ｂ、１０２２ｃ、１０２２ｄ、１０２２ｅ（以下、称してグランド電極１０２２ともいう）を備える点が異なる。

信号電極１０１２は、信号電極１１２と同様の構成を有するが、信号電極１０１２間のピッチが信号電極１１２間のピッチと異なる。また、グランド電極１０２２は、グランド電極１２２と同様の構成を有するが、信号電極１０１２と共にコプレーナ線路を構成するため、それらの形状がグランド電極１２２の形状と異っている。

図１１は、図１０に示すＣ部の部分詳細図であり、光変調器１０００における中継基板１０１８及びその周囲の構成を示している。なお、図１１において、図３に示す中継基板１１８と同じ構成要素については図３における符号と同じ符号を用いるものとし、上述した図３についての説明を援用するものとする。

中継基板１０１８は、図７に示す中継基板７１８と同様の構成を有するが、信号導体パターン７３０ａ、７３０ｂ、７３０ｃ、７３０ｄに代えて、信号導体パターン１１３０ａ、１１３０ｂ、１１３０ｃ、１１３０ｄ（以下、総称して信号導体パターン１１３０ともいう）を備える点が異なる。また、中継基板１０１８は、グランド導体パターン７４０ａ、７４０ｂ、７４０ｃ、７４０ｄ、７４０ｅに代えて、グランド導体パターン１１４０ａ、１１４０ｂ、１１４０ｃ、１１４０ｄ、１１４０ｅ（以下、総称してグランド導体パターン１１４０ともいう）を備える点が、図７に示す中継基板７１８と異なる。

４つの信号導体パターン１１３０は、図９に示す第２の実施形態に係る中継基板８１８の信号導体パターン９３０と同様に、上述した４つの特徴を有しているが、信号導体パターン９３０とは異なる形状で形成されている。

なお、グランド導体パターン１１４０は、グランド導体パターン７４０と同様の構成を有するが、信号導体パターン１１３０と共にコプレーナ線路を構成するため、それらの形状がグランド導体パターン７４０と異なっている。

信号導体パターン１１３０は、信号導体パターン７３０と同様の構成を有するが、それらの形状が信号導体パターン７３０と異なっており、曲がり部分が屈曲ではなく曲線で構成されている。

そして、信号導体パターン１１３０のうち部品搭載部３５０が配された部分の信号伝搬方向が互いに異なっている。より具体的には、信号導体パターン１１３０ａ、１１３０ｂ、１１３０ｃのうち部品搭載部３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃが配された部分の延在方向が図示左方向へ傾斜しており、これらの傾斜角度が互いに異なっている。また、信号導体パターン１１３０ｄのうち部品搭載部３５０ｄが配された部分の延在方向は、図示右方向へ傾斜している。

これにより、中継基板１０１８では、図３に示す中継基板１１８、図４に示す中継基板４１８、図５に示す中継基板５１８、図６に示す中継基板６１８、図７に示す中継基板７１８、図９に示す中継基板８１８と同様に、部品搭載部３５０のそれぞれから生ずる漏洩マイクロ波間の干渉が抑制され、これに起因する電気的ノイズが抑制される。

また、信号導体パターン１１３０のうち、信号入力端子１２４との接続部分は、それぞれ、図示上下方向、すなわち、信号入力辺３１８ａと直交するサイドエッジ３１８ｃ、３１８ｄと平行な方向に延在するよう構成されている。これにより、信号導体パターン１１３０ａ、１１３０ｂ、１９３０ｃ、１１３０ｄは、それぞれ、信号入力端子１２４との接続部分における信号伝搬伝搬方向が、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄにおける信号伝搬方向と異なるように構成される。

このため、中継基板１０１８では、図４に示す中継基板４１８、図５に示す中継基板５１８、図６に示す中継基板６１８、図７に示す中継基板７１８、図９に示す中継基板８１８と同様に、信号導体パターン１１３０と信号入力端子１２４との接続部分から発生する漏洩マイクロ波と、部品搭載部３５０から発生する漏洩マイクロ波と、の干渉が抑制され、当該干渉に起因する電気的ノイズも抑制される。

さらに、信号導体パターン１１３０は、光変調素子１００２の信号電極１０１２との接続部分から部品搭載部３５０までの区間に、その延在方向が、サイドエッジ３１８ｃ、３１８ｄと平行な方向へ変化する部分を含むように形成されている。これにより、中継基板１０１８は、これらの区間に、その信号伝搬方向が部品搭載部３５０の信号伝搬方向と異なる方向へ変化する部分を含むように構成される。このため、中継基板１０１８では、図５に示す中継基板５１８、図６に示す中継基板６１８、図７に示す中継基板７１８、図９に示す中継基板８１８と同様に、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄから発生する漏洩マイクロ波が、自信に対応する信号導体パターン１１３０ａ、１１３０ｂ、１１３０ｃ、１１３０ｄに再結合することが抑制される。その結果、例えば電気フィルタである部品搭載部３５０を含む信号導体パターン１１３０のそれぞれの、全体としての高周波特性の変動が抑制される。

以上より、中継基板１０１８においては、図７に示す中継基板７１８と同様に、電気的ノイズの発生および高周波特性の変動が抑制され、良好な変調特性が実現され得る。

［第４実施形態］
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態に係る中継基板１１８を備える光変調器１００を搭載した、光送信装置である。なお、本構成は一例であり、中継基板１１８を備える光変調器１００に代えて、第１ないし第４の変形例に係る中継基板４１８、５１８、６１８、７１８を用いた光変調器１００、並びに中継基板８１８、１０１８をそれぞれ備える第２および第３の実施形態に係る光変調器８００、１０００を、光送信装置に搭載してもよい。

図１２は、本実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。この光送信装置２１００は、光変調器１００と、光変調器１００に光を入射する光源２１０４と、変調信号生成部２１０６と、変調データ生成部２１０８と、を有する。

変調データ生成部２１０８は、外部から与えられる送信データを受信して、当該送信データを送信するための変調データ（例えば、送信データを所定のデータフォーマットに変換又は加工したデータ）を生成し、当該生成した変調データを変調信号生成部２１０６へ出力する。

変調信号生成部２１０６は、光変調器１００に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路（ドライブ回路）であり、変調データ生成部２１０８が出力した変調データに基づき、光変調器１００に当該変調データに従った光変調動作を行わせるための高周波信号である変調信号を生成して、光変調器１００に入力する。当該変調信号は、光変調器１００が備える光変調素子１０２の４つの信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに対応する４つの高周波電気信号から成る。

当該４つの高周波電気信号は、光変調器１００の電気コネクタ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれの信号入力端子１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄから中継基板１１８の信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄへ入力され、これらの信号導体パターン３３０ａ等を介して、光変調素子１０２の信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに入力される。

これにより、光源２１０４から出力された光は、光変調器１００により、例えばＤＰ－ＱＰＳＫ変調され、変調光となって光送信装置２１００から出力される。

特に、光送信装置２１００では、光変調器１００の中継基板１１８において部品搭載部３５０から発生し得る漏洩マイクロ波間の干渉を抑制して、良好な変調特性を確保し、良好な伝送特性を実現することができる。また、光送信装置２１００において、中継基板１１８を備える光変調器１００に代えて、例えば図５に示す第２変形例に係る中継基板５１８を備える光変調器１００を用いれば、部品搭載部３５０から発生した漏洩マイクロ波が自身の信号導体パターン３３０等に再結合するのを抑制して、例えば電気フィルタである部品搭載部３５０を含む全体としての高周波特性の変動を抑制することもできる。その結果、光変調器１００において更に良好な変調特性を実現して、光送信装置２１００における良好な伝送特性を実現することができる。

なお、本発明は上記実施形態およびその変形例の構成に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能である。

例えば、上述した第１の実施形態およびその変形例、並びに第２および第３の実施形態においては、信号導体パターン３３０等、８３０、１１３０のすべてに、それぞれ一つの部品搭載部３５０が設けられているものとしたが、これには限られない。部品搭載部３５０は、信号導体パターン３３０等、８３０、１１３０のうちの少なくとも二つの（すなわち、複数の）信号導体パターンに設けられていればよく、また、同一の信号導体パターンに対して複数設けられていてもよい。すなわち、複数の信号導体パターンに少なくとも一つの部品搭載部３５０が設けられているものとすることができる。なお、同一の信号導体パターンに複数の部品搭載部を設ける場合には、それらの部品搭載部のそれぞれにおける信号伝搬方向も、互いに異なるものとなるように、当該信号導体パターンを形成することが望ましい。

また、図５、６、７では、例えば信号導体パターン５３０ａは、部品搭載部３５０ａの信号伝搬方向（第１信号伝搬方向）が、信号入力端子１２４ａとの接続部分における信号伝搬方向（第２信号伝搬方向）と異なり、且つ、信号電極１１２ａとの接続部分から部品搭載部３５０ａまでの区間に、信号伝搬方向が第１信号伝搬方向と異なる第３信号伝搬方向へ変化する部分を含むものとしたが、これには限られない。一つの信号導体パターン３３０について、部品搭載部３５０の第１信号伝搬方向と第２信号伝搬方向とが異なるか、又は、信号電極１１２との接続部分から部品搭載部３５０までの区間に、信号伝搬方向が第３信号伝搬方向へ変化する部分を含んでいるものとしてもよい。

また、上述した実施形態では、光変調素子１０２、８０２、１００２は、ＬＮ基板を用いて構成されるＤＰ－ＱＰＳＫ変調器であるものとしたが、これには限られない。光変調素子１０２、８０２、１００２は、ＤＰ－ＱＰＳＫ変調に代えて、２組の対を成す高周波信号によりそれぞれ変調される２つの変調光を用いる任意の変調方式、例えばＱＡＭ変調などを行うものであるものとすることができる。また、光変調素子１０２、８０２、１００２は、ＬＮ基板に代えて半導体基板を用いて構成される光変調素子であってもよい。

さらに、上述した実施形態では、筺体１０４には光変調素子１０２等と中継基板１１８等が収容されるものとしたが、これらに加えて、光変調素子１０２等を動作させるための電子回路素子（ドライバ素子）も、筺体１０４内に収容されるものとすることができる。

以上説明したように、上述した第１の実施形態に係る光変調器１００は、複数の信号電極１１２を備える光変調素子１０２と、中継基板１１８と、光変調素子１０２および中継基板１１８を収容する筺体１０４と、を備える。光変調素子１０２は、それぞれが２つの電気信号を含む２つの組の電気信号によりそれぞれ変調される２つの変調光１０６ａ、１０６ｂを生成するよう構成されている。中継基板１１８は、信号電極１１２のそれぞれに印加する電気信号を入力する複数の信号入力端子１２４と、信号入力端子１２４と信号電極１１２とを電気的に接続する複数の信号導体パターン３３０、及び複数のグランド導体パターン３４０が形成されている。また、中継基板１１８は、隣接する２つの信号導体パターン３３０によりそれぞれ構成される信号導体パターン３３０の２つの対により、上記２つの組の電気信号をそれぞれ伝搬するよう構成されている。そして、少なくとも２つの信号導体パターン３３０は、電気回路要素を含む少なくとも一つの部品搭載部５３０を有し、部品搭載部５３０における信号伝搬方向である第１信号伝搬方向が、互いに異なるよう構成されている。

この構成によれば、中継基板１１８上の信号導体パターン３３０に電気フィルタ等の電気回路要素で構成される部品搭載部３５０が設けられた光変調器１００において、これら部品搭載部３５０から発生し得る漏洩マイクロ波間の干渉に起因する電気的ノイズを抑制して、良好な変調特性を実現することができる。

また、光変調器１００は、中継基板４１８を備えることができる。中継基板４１８では、部品搭載部３５０を備える信号導体パターン３３０等の少なくとも一つが、信号入力端子１２４との接続部分における信号伝搬方向である第２信号伝搬方向が、上記第１信号伝搬方向と異なるよう構成されている。

この構成によれば、例えば信号導体パターン４３０ｄと信号入力端子１２４ｄとの接続部分から発生する漏洩マイクロ波が、当該信号導体パターン４３０ｄの部品搭載部３５０ｄから発生する漏洩マイクロ波と干渉することに起因する電気的ノイズの発生を抑制して、更に良好な変調特性を実現することができる。

また、光変調器１００は、中継基板５１８を備えるものとすることができる。中継基板５１８では、部品搭載部３５０を備える信号導体パターン３３０等の少なくとも一つは、信号電極１１２との接続部分から部品搭載部３５０までの区間に、信号伝搬方向が上記第１信号伝搬方向と異なる第３信号伝搬方向へ変化する部分を含むよう構成されている。

この構成によれば、例えば、信号導体パターン５３０ｄにおいて、部品搭載部３５０ｄから発生した漏洩マイクロ波が、上記区間において自信の信号導体パターン５３０ｄに再結合するのを抑制することができる。これにより、中継基板５１８を備える光変調器１００では、上記再結合に起因する、部品搭載部３５０ｄを含めた信号導体パターン３３０ｄ全体としての高周波特性の変動を抑制して、更に良好な変調特性を実現することができる。

また、光変調器１００では、部品搭載部３５０を備える少なくとも２つの信号導体パターン３３０等は、上記対を構成する２つの信号導体パターン３３０等を含み、同じ対を構成する２つの信号導体パターン３３０等の間において、第１信号伝搬方向が互いに異なっている。

一般に、対をなす２つの高周波電気信号をそれぞれ伝搬する隣接して配された２つの信号導体パターン３３０等では、電気的ノイズや高周波特性変動の影響を受けやすい。これに対し、上記の構成によれば、このような対をなす高周波電気信号を伝搬する隣接する信号導体パターン３３０等の間において、部品搭載部５３０から発生する漏洩マイクロ波間の干渉を抑制して、良好な変調特性を実現することができる。

また、光変調器１００では、全ての信号導体パターン３３０等が、少なくとも一つの部品搭載部３５０をそれぞれ備え、同じ対を構成する２つの信号導体パターン３３０等は、すべて、第１信号伝搬方向が互いに異なるよう構成されている。

この構成によれば、全ての信号導体パターン３３０等が部品搭載部３５０を含む構成において、これら部品搭載部３５０から発生する漏洩マイクロ波間の干渉を抑制して、良好な変調特性を実現することができる。

また、光変調器１００は、中継基板６１８を備えるものとすることができる。中継基板６１８では、全ての信号導体パターン３３０等において、上記第１信号伝搬方向が、上記第２信号伝搬方向及び上記第３信号伝搬方向と異なるように構成されている。ここで、第１信号伝搬方向は、必ずしも第２信号伝搬方向および第３信号伝搬方向の両者と異なってる必要はなく、第２信号伝搬方向または第３信号伝搬方向の一方と異なっているものとしてもよい。

この構成によれば、全ての信号導体パターン３３０等のそれぞれにおいて、漏洩マイクロ波に起因する電気的ノイズを抑制し、及び又は漏洩マイクロ波の再結合に起因する信号導体パターン３３０等の高周波特性の変動を抑制して、良好な変調特性を実現することができる。

また、光変調器１００では、全ての信号導体パターン３３０が部品搭載部３５０を備え、且つ、それぞれの部品搭載部３５０についての上記第１信号伝搬方向が互いに異なるよう構成されている。この構成によれば、全ての信号導体パターン３３０等の間において、部品搭載部３５０から発生する漏洩マイクロ波間の干渉を抑制して、良好な変調特性を実現することができる。

また、光変調器１００は、中継基板７１８を備えるものとすることができる。中継基板７１８では、全ての信号導体パターン３３０等にそれぞれ設けられた部品搭載部３５０は、中継基板７１８上において、共通な一の直線上には配されない。この構成によれば、例えば中継基板７１８上の特定の場所において、漏洩マイクロ波の強い干渉が生じるのを防止して、良好な変調特性を実現することができる。

また、光変調器１００では、部品搭載部は、電気フィルタを構成する。この構成によれば、所望の周波数特性を有する電気フィルタを部品搭載部３５０として信号導体パターン３３０等に設けることで、設計上の変調特性を良好なものにすると共に、漏洩マイクロ波の干渉や再結合を抑制して、上記設計された変調特性がより忠実に実現されるようにすることができる。

また、上述した第４の実施形態に係る光送信装置２１００は、第１の実施形態又はその変形例に示したいずれかの中継基板を用いた光変調器１００、若しくは第２又は第３の実施形態に係る光変調器８００又は１０００を備えると共に、当該光変調器に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路である変調信号生成部２１０６等を備える。この構成によれば、例えば伝送レートの高速化に伴って顕著となる漏洩マイクロ波の影響を抑制し、電気的ノイズ及び又は高周波特性の変動を効果的に低減して、安定且つ良好な伝送特性を実現することができる。

１００、８００、１０００、２２００…光変調器、１０２、８０２、１００２、２２０２…光変調素子、１０４、２２０４…筺体、１０６ａ、１０６ｂ…変調光、１０８、２２０８…入力光ファイバ、１１０、２２１０…出力光ファイバ、１１２、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、８１２、８１２ａ、８１２ｂ、８１２ｃ、８１２ｄ、１０１２、１０１２ａ、１０１２ｂ、１０１２ｃ、１０１２ｄ、２２１２、２２１２ａ、２２１２ｂ、２２１２ｃ、２２１２ｄ…信号電極、１１４ａ、２２１４ａ…ケース、１１４ｂ、２２１４ｂ…カバー、１１６、１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、２２１６、２２１６ａ、２２１６ｂ、２２１６ｃ、２２１６ｄ…電気コネクタ、１１８、４１８、５１８、６１８、７１８、８１８、１０１８、２２１８…中継基板、１２０、２２２０…終端器、１２２、１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、１２２ｄ、１２２ｅ、８２２、８２２ａ、８２２ｂ、８２２ｃ、８２２ｄ、８２２ｅ、１０２２、１０２２ａ、１０２２ｂ、１０２２ｃ、１０２２ｄ、１０２２ｅ、２２２２ａ、２２２２ｂ、２２２２ｃ、２２２２ｄ、２２２２ｅ…グランド電極、１２４、１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ、２２２４、２２２４ａ、２２２４ｂ、２２２４ｃ、２２２４ｄ…信号入力端子、１２６ａ、１２６ｂ…出力光導波路、３１８ａ…信号入力辺、３１８ｂ…信号出力辺、３１８ｃ、３１８ｄ…サイドエッジ、３２６、２２７０…導体ワイヤ、３３０、３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄ、４３０ａ、４３０ｄ、５３０ａ、５３０ｄ、６３０ｂ、６３０ｃ、７３０、７３０ａ、７３０ｂ、７３０ｃ、７３０ｄ、９３０、９３０ａ、９３０ｂ、９３０ｃ、９３０ｄ、１１３０、１１３０ａ、１１３０ｂ、１１３０ｃ、１１３０ｄ、２２３０、２２３０ａ、２２３０ｂ、２２３０ｃ、２２３０ｄ…信号導体パターン、３４０、３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ、３４０ｄ、３４０ｅ、４４０ａ、４４０ｂ、４４０ｄ、４４０ｅ、５４０ａ、５４０ｂ、５４０ｄ、５４０ｅ、６４０ｂ、６４０ｃ、６４０ｄ、７４０、７４０ａ、７４０ｂ、７４０ｃ、７４０ｄ、７４０ｅ、９４０、９４０ａ、９４０ｂ、９４０ｃ、９４０ｄ、９４０ｅ、１１４０、１１４０ａ、１１４０ｂ、１１４０ｃ、１１４０ｄ、１１４０ｅ、２２４０ａ、２２４０ｂ、２２４０ｃ、２２４０ｄ、２２４０ｅ…グランド導体パターン、３５０、３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄ…部品搭載部、２１００…光送信装置、２１０４…光源、２１０６…変調信号生成部、２１０８…変調データ生成部、２２５２ｂ…薄膜抵抗、２２５４ｂ…コンデンサ、２２９０…漏洩マイクロ波。

Claims (8)

1. それぞれが２つの電気信号を含む二組の電気信号によりそれぞれ変調される２つの変調光を生成するよう構成された、複数の信号電極を備える光変調素子と、
   前記信号電極のそれぞれに印加する電気信号を入力する複数の信号入力端子と、
   前記信号入力端子と前記信号電極とを電気的に接続する複数の信号導体パターン、及び複数のグランド導体パターンが形成された中継基板と、
   前記光変調素子および前記中継基板を収容する筺体と、
   を備える光変調器であって、
   前記信号導体パターンは、電気回路要素を含む少なくとも一つの部品搭載部を有し、
   前記中継基板において、隣接する２つの前記信号導体パターンにより構成される２つの信号導体パターン対のそれぞれにより、前記二組の電気信号のそれぞれの組が伝搬され、
   少なくとも一方の前記信号導体パターン対を構成する２つの前記信号導体パターンは、前記部品搭載部における信号伝搬方向である第１信号伝搬方向が互いに離れる方向を向くよう構成されている、
   光変調器。
2. 少なくとも一方の前記信号導体パターン対を構成する２つの前記信号導体パターンの少なくとも一つは、
   前記信号入力端子との接続部分における信号伝搬方向である第２信号伝搬方向が、前記第１信号伝搬方向と異なるよう構成され、及び又は、
   前記信号電極との接続部分から前記部品搭載部までの区間に、信号伝搬方向が前記第１信号伝搬方向と異なる第３信号伝搬方向へ変化する部分を含むよう構成されている、
   請求項１に記載の光変調器。
3. 前記２つの信号導体パターン対は、一方の前記信号導体パターン対を構成する２つの前記信号導体パターンのそれぞれの、前記部品搭載部における信号伝搬方向である第１信号伝搬方向に対し、他方の前記信号導体パターン対を構成する２つの前記信号導体パターンのそれぞれの、前記部品搭載部における信号伝搬方向である第１信号伝搬方向が、互いに離れる方向を向くよう構成されている、
   請求項１または２に記載の光変調器。
4. 前記２つの信号導体パターン対が含む全ての前記信号導体パターンは、それぞれ、
   前記信号入力端子との接続部分における信号伝搬方向である第２信号伝搬方向が、前記第１信号伝搬方向と異なるよう構成され、及び又は、
   前記信号電極との接続部分から前記部品搭載部までの区間に、信号伝搬方向が前記第１信号伝搬方向と異なる第３信号伝搬方向へ変化する部分を含むよう構成されている、
   請求項１ないし３のいずれか一項に記載の光変調器。
5. 前記２つの信号導体パターン対が含む全ての前記信号導体パターンは、それぞれの前記第１信号伝搬方向が互いに離れる方向を向くよう構成されている、
   請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光変調器。
6. 全ての前記信号導体パターンにそれぞれ設けられた前記部品搭載部は、前記中継基板において、共通な一の直線上には配されない、
   請求項１ないし５のいずれか一項に記載の光変調器。
7. 前記部品搭載部を構成する前記電気回路要素は、電気フィルタを構成する、
   請求項１ないし６のいずれか一項に記載の光変調器。
8. 請求項１ないし７のいずれか一項に記載の光変調器と、
   当該光変調器に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路と、
   を備える、
   光送信装置。

Images