DE10132324A1

DE10132324A1 - Optisches Modul

Info

Publication number: DE10132324A1
Application number: DE10132324A
Authority: DE
Inventors: Minoru Kawano
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2000-11-10
Filing date: 2001-06-29
Publication date: 2002-05-23
Also published as: KR20020036660A; US6504177B2; CN1353485A; JP2002151781A; CA2349184A1; FR2816768A1; US20020056843A1; KR100408950B1

Abstract

Ein Übertragungsleitungsteil (4) ist als eine Mikrostreifenleitung ausgebildet, die einen auf einer oberen Oberfläche gebildeten Leiter (11) und eine Leiterschicht, die über einer gesamten rückseitigen Oberfläche gebildet ist, aufweist. Ein an einer Elektrode (14) einer Verpackungseinheit (6) eingegebenes Hochfrequenzsignal wird über einen Verbindungsdraht (15), das Übertragungsleitungsteil und einen Verbindungsdraht (16) zu einer Elektrode (8) eines Halbleiterlasers (2) übertragen. Da der dielektrische Verlust gering ist, kann das Übertragungsleitungsteil ein Hochfrequenzsignal mit geringem Verlust übertragen, wodurch die Hochfrequenzcharakteristiken eines in den Halbleiterlaser einzugebenden Signals verbessert werden.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein opti sches Modul, das zumindest ein optisches Element und ein Trägersubstrat, das aus einem halbleitenden oder dielektrischen Material besteht und auf welchem das optische Element auf einer oberen Oberfläche befe stigt ist, aufweist.

Optische Module, bei denen ein Halbleiterlaser und eine optische Phase auf einem Siliziumsubstrat unter Verwendung einer passiven Ausrichttechnik angeordnet sind, wurden bisher vorgeschlagen. Die passive Aus richttechnik, bei welcher die optische Faser in einer in der Oberfläche des Siliziumsubstrats ausgebildeten V-förmigen Nut eingebettet wird und der Halbleiterla ser in einer vorbestimmten Position befestigt wird, ermöglicht der optischen Faser und dem Halbleiterla ser, in jeweiligen vorbestimmten Positionen ohne Aus richtung der optischen Achsen fixiert zu werden. Bei einem derart ausgebildeten optischen Modul ist eine Elektrode des Halbleiterlasers elektrisch mit einer auf dem Siliziumsubstrat gebildeten Elektrodenschicht verbunden, so daß ein elektrisches Signal über diesen Elektrodenschicht in den Halbleiterlaser eingegeben wird. Eine derartige Konfiguration ist jedoch nach teilig dahingehend, daß Hochfrequenzcharakteristiken eines in den Halbleiterlaser einzugebenden Signals aufgrund eines hohen dielektrischen Verlustes des Si liziumsubstrats herabgesetzt werden.

Ein optisches Modul gemäß einem Aspekt der vorliegen den Erfindung hat zum Ziel, die Hochfrequenzcharakte ristiken eines in ein optisches Element einzugebenden Signals zu verbessern, und es weist ein optisches Element, ein Trägersubstrat, das aus einem halblei tenden oder dielektrischen Material besteht und das optische Element auf einer oberen Oberfläche stützt, und ein Übertragungsleitungsteil auf, das zumindest teilweise auf der oberen Oberfläche des Trägersub strats befestigt und elektrisch mit dem optischen Element verbunden ist.

Das obige optische Modul, bei welchem eine elektri sche Verbindung mit dem optischen Element durch das Übertragungsleitungsteil erzielt wird, kann die Hoch frequenzcharakteristiken verbessern, selbst wenn das Trägermaterial aus einem halbleitenden oder dielek trischen Material besteht.

Bei dem obigen optischen Modul kann das Trägersub strat eine Nut an der oberen Oberfläche aufweisen, und zumindest ein Teil des Übertragungsleitungsteils kann auf einer unteren Oberfläche der Nut befestigt sein. Bei diesem optischen Modul kann die Nut als ein ausgeschnittener Bereich ausgebildet sein. Welcher aus einer Seitenfläche des Trägersubstrats entfernt ist. Auch kann die Nut so ausgebildet sein, daß die Höhe des optischen Elements an einer oberen Oberflä che im Wesentlichen dieselbe ist wie die Höhe des Übertragungsleitungsteils an einer oberen Oberfläche.

Das optische Modul gemäß dem obigen Aspekt kann wei terhin ein Verbindungsteil zum elektrischen und kör perlichen Verbinden des optischen Elements mit dem Übertragungsleitungsteil an der Seite der oberen Oberfläche des optischen Elements aufweisen. Somit können die Induktivitätskomponenten des Verbindungs teils herabgesetzt werden, wodurch die Hochfrequenz charakteristiken des optischen Moduls weiter verbes sert werden.

Bei dem obigen optischen Modul mit einer Nut in der oberen Oberfläche kann die Nut so ausgebildet sein, daß die untere Oberfläche von dieser und das übertra gungsleitungsteil im Wesentlichen die gleiche Breite haben. Dies erleichtert die Positionierung des Über tragungsleitungsteils mit Bezug auf die untere Ober fläche der Nut. Weiterhin kann das Trägersubstrat ei ne Bodenelektrode aufweisen, die auf der Bodenfläche der Nut gebildet ist.

Bei dem obigen optischen Modul weist das Übertra gungsleitungsteil eine Leiterschicht auf, die auf im Wesentlichen der gesamten rückseitigen Oberfläche des Übertragungsleitungsteils gebildet ist, um ein Erdpo tential zu dem optischen Element über die Bodenelek trode zu liefern, sowie einen auf der oberen Oberflä che des Übertragungsleitungsteils gebildeten Leiter zum Übertragen eines Signals zu dem optischen Ele ment. Da das Erdpotential auf diese Weise zu der Leitschicht und der Bodenelektrode geliefert wird, ist eine Veränderung des Erdpotentials gering, selbst wenn ein Hochfrequenzsignal in das optische Element eingegeben wird. Dies führt zu einer weiteren Verbes serung der Hochfrequenzcharakteristiken des optischen Moduls.

Bei dem vorbeschriebenen optischen Modul mit einer in der oberen Oberfläche ausgebildeten Nut kann das Trä gersubstrat mit einer Bodenelektrode versehen sein, welche sich durch die rückseitige Oberfläche und eine Seitenfläche des Substrats zu dem Boden der Nut er streckt. Aufgrund der so vergrößerten Fläche der Bo denelektrode können die Hochfrequenzcharakteristiken weiter verbessert werden. Weiterhin kann das Träger substrat auch mit einer Bodenelektrode versehen sein, die sich durch die rückseitige Oberfläche und eine Seitenfläche des Substrats erstreckt, das eine abge schrägte Ecke zu dem Boden der Nut aufweist. Da die Ecke der Seitenfläche des Substrats abgeschrägt ist, kann ein Abschälen der Bodenelektrode von dem Nuten boden verhindert werden.

Das obige optische Modul kann ein Harzabdichtteil zum Abdichten des optischen Elements, des Trägersubstrats und des Übertragungsleitungsteils aufweisen. Dies führt zu einer weiteren Verbesserung der Hochfre quenzcharakteristiken.

Weiterhin kann bei dem obigen optischen Modul das op tische Element ein Halbleiterlaser oder ein einen Mo dulator aufweisender Halbleiterlaser sein. Auch kann das Trägersubstrat aus Silizium hergestellt sein. Zu sätzlich kann das obige optische Modul eine optische Faser aufweisen, welche von dem optischen Element emittiertes Licht empfängt, oder eine optische Faser, welche in einer V-förmigen Nut befestigt ist, die in der oberen Oberfläche des Trägersubstrats gebildet ist, und die von dem optischen Element emittiertes Licht empfängt.

Ein optisches Modul gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt ein optisches Element, ein aus einem halbleitenden oder dielektrischen Mate rial bestehendes Trägersubstrat, das das optische Element auf einer oberen Oberfläche trägt, wobei das Trägersubstrat mehrere in seiner oberen Oberfläche gebildete Nuten aufweist, und mehrere Übertragungs leitungsteile, die zumindest teilweise auf einer Bo denfläche von irgendeiner der mehreren Nuten befe stigt und elektrisch mit dem optischen Element ver bunden sind.

Mit dem vorstehend beschriebenen optischen Modul kön nen die Hochfrequenzcharakteristiken verbessert wer den, wenn mehrere Übertragungsleitungsteile erforder lich sind.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von in den Fi guren dargestellten Ausführungsbeispielen näher er läutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Draufsicht, die schematisch die Struktur eines optischen Moduls wiedergibt,

Fig. 2 eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A in Fig. 1,

Fig. 3 eine perspektivische Ansicht, die schematisch die Konfiguration eines Siliziumsubstrats des in den Fig. 1 und 2 gezeigten optischen Mo duls wiedergibt,

Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines optischen Mo duls, in welchem ein Teil des Inneren mit ei nem Harzfüllstoff gefüllt ist, um die Elemen te hermetisch abzudichten,

Fig. 5 eine Draufsicht, die schematisch die Struktur eines optischen Moduls mit zwei Übertragungs leitungsteilen wiedergibt, und

Fig. 6 eine perspektivische Ansicht, die schematisch die Konfiguration eines Siliziumsubstrats des öptischen Moduls nach Fig. 5 zeigt.

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die schematisch die Struktur eines optischen Moduls 1 zeigt, und Fig. 2 enthält eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A in Fig. 1. Das optische Modul 1 umfaßt einen Halbleiterlaser (optisches Element) 2, eine optische Faser 3 für die Fortpflanzung von Laserlicht mit, das von dem Halbleiterlaser 2 her eintritt, ein Übertra gungsleitungsteil 4, das elektrisch mit dem Halblei terlaser 2 verbunden ist. Ein Siliziumsubstrat (Trä gersubstrat) 5 zum Befestigen der optischen Faser 3 und des Übertragungsleitungsteils 4 und eine Verpac kung (Abdichtteil) 6 zum Umschließen des Halbleiter lasers 2 der optischen Faser 3, des Übertragungslei tungsteils 4 und des Siliziumsubstrats 5, wenn eine oberen Öffnung mit einer Abdeckung (nicht gezeigt) abgedichtet ist.

Der Halbleiterlaser 2 umfaßt eine Elektrode 7, welche auf der Seite der Befestigungsfläche des Siliziumsub strats 5 gebildet ist, und eine auf der gegenüberlie genden Seite gebildete Elektrode 8, und er oszil liert, wenn ein Hochfrequenzsignal an der Elektrode 8 eingegeben wird, wodurch Laserlicht emittiert wird.

Das Übertragungsleitungsteil 4 ist teilweise auf dem Siliziumsubstrat 5 befestigt und ebenfalls teilweise auf einem konvexen Bereich 9 befestigt, der auf dem Kantenbereich des Bodens der Verpackung 6 vorgesehen ist. Das Übertragungsleitungsteil 4 ist als eine Mi krostreifenleitung (Übertragungsleitung) ausgebildet, die eine Leiterschicht 10, die gebildet ist, um im Wesentlichen die gesamte Oberfläche auf dem Silizium substrat 5 abzudecken, einen auf der entgegengesetz ten Oberfläche gebildeten Leiter 11 und eine zwischen der Leitschicht 10 und dem Leiter 11 angeordnete die lektrische Schicht 12 aufweist. Die Leiterschicht 10 ist mit einer Elektrode 13 verbunden, die auf dem konvexen Bereich 9 der Verpackung 6 vorgesehen ist, um ein von außen zugeführtes Erdpotential vorzusehen. Der Leiter 11 ist mit einer auf der Verpackung 6 an geordneten Elektrode 14 über einen Verbindungsdraht 15 verbunden, und er ist auch mit der Elektrode 8 des Halbleiterlasers 2 über einen Verbindungsdraht (Ver bindungsteil) 16 verbunden, so daß ein von außen zu geführtes Hochfrequenzsignal zu der Elektrode 8 des Halbleiterlasers 2 eingegeben werden kann.

Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht, die schema tisch die Struktur des Siliziumsubstrats 5 zeigt. Das Siliziumsubstrat 5 umfaßt eine V-förmige Nut 17, in welche die optische Faser 3 eingebettet ist, eine als ein Ausschnittbereich gebildete Nut 18, welche von einer Seite des Siliziumsubstrats 5 ausgeschnitten ist, derart, daß sie einen trapezförmigen Querschnitt hat, auf deren Boden das Übertragungsleitungsteil 4 befestigt, und eine Bodenelektrode 19, die sich von einem Oberflächenbereich des Substrats, der den Halb leiterlaser 2 trägt, erstreckt, um die Bodenfläche der Nut 18, einen Teil der Seitenfläche der Nut 18 und die gesamte rückseitige Oberfläche des Silizium substrats 5 zu bedecken. Die Nut 18 wird in der Ober fläche des die V-förmige Nut 17 enthaltenden Silizi umsubstrats 5 durch ein Ätzverfahren gebildet. Der Seitenkantenbereich 20 der Nut 18 ist so geätzt (ab geschrägt), daß er einen Winkel von mehr als 90° hat, wodurch verhindert wird, daß die Bodenelektrode 19 an der Seitenkante 20 abschält. Weiterhin kann, da die Nut 18 so ausgebildet ist, daß die Bodenbreite B im Wesentlichen dieselbe ist wie die Breite C des Über tagungsleitungsteils 4, das Übertragungsleitungsteil 4 leicht positioniert werden. Die Nut 18 ist weiter hin so ausgebildet, daß der Abstand zwischen deren Boden und der oberen Oberfläche des Halbleiterlasers 2(der Abstand D in Fig. 2) im Wesentlichen derselbe ist wie der Abstand zwischen dem Boden von dieser und der oberen Oberfläche des Übertragungsleitungsteils 4 (der Abstand E in Fig. 2), so daß der Verbindungs draht 16 kürzer ist als derjenige, der verwendet wird wenn diese Abstände einander unterschiedlich sind. Dies führt zu einem Vorteil dahingehend, daß Indukti vitätskomponenten des Verbindungsdrahtes 16 herabge setzt werden können. Die Bodenelektrode 19 ist elek trisch mit der Elektrode 7 des Halbleiterlasers 2 verbunden, und sie ist auch mit der Leiterschicht 10 des Übertragungsleitungsteils 4 und mit einer Elek trode 21, die auf der Bodenfläche des Verpackungs teils 6 gebildet ist, verbunden, um ein Erdpotential zu der Elektrode 7 des Halbleiterlasers 2 zu liefern.

Die Übertragung eines Hochfrequenzsignals zu dem Halbleiterlaser 2 in dem so ausgebildeten optischen Modul wird nun beschrieben. Ein zu der Elektrode 14 des Verpackungsteils 6 eingegebenes Hochfrequenzsig nal wird über den Verbindungsdraht 15, das Übertra gungsleitungsteil 4 und den Verbindungsdraht 16 zu der Elektrode 8 des Halbleiterlasers 2 übertragen. Andererseits wird ein Erdpotential von der Elektrode 13 über die Leitschicht 10 und die Bodenelektrode 19 zu der Elektrode 7 des Halbleiterlasers 2 übertragen. Da das Übertragungsleitungsteil 4 als eine Mikrost reifenleitung ausgebildet ist, kann der dielektrische Verlust gegenüber dem Fall herabgesetzt werden, bei welchem eine Elektrode, die direkt auf dem Silizium substrat 5 gebildet ist, als eine Signalübertragungs leitung verwendet wird. Als eine Folge kann ein Hoch frequenzsignal mit geringem Verlust übertragen wer den, so daß die Hochfrequenzcharakteristiken eines zu dem Halbleiterlaser 2 eingegebenen Signals erhöht werden können. Weiterhin wird die Bodenelektrode 19 so auf dem Siliziumsubstrat 5 gebildet, daß sie sich von einem Oberflächenbereich des Substrats 5 zum Be festigen des Halbleiterlasers 2 so erstreckt, daß sie die Bodenfläche der Nut 18, einen Teil der Seitenflä che der Nut 18 und die gesamte rückseitige Oberfläche des Siliziumsubstrats 5 abdeckt, und es wird auch ein Erdpotential zu der Bodenelektrode 19 geliefert. Dies reduziert eine Veränderung des Erdpotentials, wodurch weiterhin die Hochfrequenzcharakteristiken des Ein gangssignals verbessert werden.

Bei dem vorstehenden Beispiel ist der Halbleiterlaser 2 auf dem Siliziumsubstrat 5 befestigt. Jedoch ist es auch möglich, andere Typen von optischen Elementen wie eine lichtemittierende Diode auf dem Siliziumsub strat 5 zu befestigen.

Weiterhin kann, obgleich vorstehend beschrieben ist, daß die Nut 18 einen trapezförmigen Querschnitt hat, der Querschnitt irgendeine von verschiedenen Formen einschließlich einer rechteckigen Form haben, solange wie das Übertragungsleitungsteil auf ihrer Oberfläche befestigt werden kann.

Auch ist, obgleich der Halbleiterlaser 2 oder der gleichen auf dem Siliziumsubstrat 5 des optischen Mo dul 1 nach dem vorhergehenden Beispiel befestigt ist, das Substrat nicht auf ein Siliziumsubstrat be schränkt, sondern es kann ein halbleitendes oder die lektrisches Substrat sein, solange wie es stark iso lierend ist.

Darüber hinaus kann, obgleich bei dem obigen Beispiel das Überleitungsteil 4 als eine Mikrostreifenleitung in dem optischen Modul 1 gebildet ist, das Übertra gungsleitungsteil als ein anderer Typ von Übertra gungsleitung ausgebildet sein, wie eine koplanare, schlitzartige oder koaxiale Leitung. Die Position je der Elektrode des Halbleiterlasers 2 und jeder Elek trode des Verpackungsteils 6 kann zweckmäßig so geän dert werden, daß diese Elektroden elektrisch mit dem Übertragungsleitungsteil 4 verbunden werden können.

Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht, die ein opti sches Modul 23 zeigt, das durch Füllen eines Teils des Inneren des optischen Modul I nach dem ersten Ausführungsbeispiel mit einem Harzfüllstoff erhalten wurden, um die Elemente hermetisch abzudichten. In Fig. 4 haben die Elemente dieselbe oder eine ähnliche Funktion wie diejenigen, die in den Fig. 1 bis 3 mit denselben Zahlen bezeichnet sind, und sie werden hier nicht wieder beschrieben. Das Innere des optischen Moduls 23 ist hierdurch hermetisch abgedichtet, so daß die Hochfrequenzcharakteristiken eines zu dem Halbleiterlaser 2 einzugebenden Signals weiter ver bessert werden können.

Fig. 5 ist eine Draufsicht, die schematisch die Struktur eines optischen Moduls 24 zeigt, das zwei Übertragungsleitungsteile aufweist, und Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch die Struktur eines Siliziumsubstrats 25 des optischen Mo duls 24 zeigt. In den Fig. 5 und 6 sind die Elemen te, welche dieselbe oder eine ähnliche Funktion wie die in den Fig. 1 bis 3 gezeigten haben, mit densel ben Zahlen bezeichnet und werden nicht wieder be schrieben. Das optische Modul 24 umfaßt einen Halb leiterlaser 26 mit einem Modulator, in welchen ein Modulator und eine Laservorrichtung integriert sind, und ein Übertragungsleitungsteil 28 mit einer Struk tur, die ähnlich der des Übertragungsleitungsteils 4 ist. Das Übertragungsleitungsteil 28 ist mit dem Halbleiterlaser 26 über einen Verbindungsdraht 27 verbunden und schließt einen Eingang des Modulators mit 50 Ohm ab. Das Siliziumsubstrat 25 hat eine Nut 29, die eine Form ähnlich der der Nut 18 hat und die mit einer Bodenelektrode versehen ist, die ähnlich der der Nut 18 ist. Das Übertragungsleitungsteil 28 ist auf der Bodenfläche der Nut 29 befestigt. Bei dem optischen Modul 24 ist es auch möglich, die Hochfre quenzcharakteristiken eines zu dem einen Modulator aufweisenden Halbleiterlaser 26 einzugebenden Signals zu verbessern.

Claims

1. Optisches Modul, welches aufweist:
ein optisches Element,
ein Trägersubstrat, das aus einem halbleitenden oder dielektrischen Material besteht und das op tische Element auf einer oberen Oberfläche trägt, und
ein Übertragungsleitungsteil, das zumindest teilweise auf der oberen Oberfläche des Träger substrats befestigt und elektrisch mit dem opti schen Element verbunden ist.

2. Optisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß das Trägersubstrat eine Nut in der oberen Oberfläche aufweist und zumindest ein Teil des Übertragungsleitungsteils auf einer Bo denfläche der Nut befestigt ist.

3. Optisches Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die Nut als ein Loch in einer Sei te des Trägersubstrats ausgebildet ist.

4. Optisches Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die Nut so ausgebildet ist, daß die Höhe des optischen Elements bei einer oberen Oberfläche im Wesentlichen dieselbe ist wie die Höhe des Übertragungsleitungsteils bei einer oberen Oberfläche.

5. Optisches Modul nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch ein Verbindungsteil zum elektrischen und körperlichen Verbinden des optischen Elements mit dem Übertragungsleitungsteil auf der Seite der oberen Oberfläche des optischen Elements.

6. Optisches Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die Nut derart ausgebildet ist, daß deren Bodenfläche und das Übertragungslei tungsteil im Wesentlichen dieselbe Breite haben.

7. Optisches Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß das Trägersubstrat mit einer Bo denelektrode versehen ist, die auf der Bodenflä che der Nut gebildet ist.

8. Optisches Modul nach Anspruch 7, dadurch gekenn zeichnet, daß das Übertragungsleitungsteil auf weist:
eine Leiterschicht, die auf im Wesentlichen der gesamten rückseitigen Oberfläche des Übertra gungsleitungsteils gebildet ist, um ein Erdpo tential über die Bodenelektrode zu dem optischen Element zu liefern, und
einen Leiter, der auf der oberen Oberfläche des Übertragungsleitungsteils gebildet ist, um ein Signal zu dem optischen Element zu übertragen.

9. Optisches Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß das Trägersubstrat mit einer Bo denelektrode versehen ist, die sich durch die rückseitige Oberfläche und eine Seitenfläche des Trägersubstrat zu der Bodenfläche der Nut er streckt.

10. Optisches Modul nach Anspruch 9, dadurch gekenn zeichnet, daß ein Seitenkantenbereich der Nut abgeschrägt geätzt ist.

11. Optisches Modul nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Harzdichtungsteil zum Abdichten des optischen Elements, des Trägersubstrats und des Übertragungsleitungsteils.

12. Optisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß das optische Element ein Halblei terlaser ist.

13. Optisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß das optische Element ein Halblei terlaser mit einem Modulator ist.

14. Optisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß das Trägersubstrat aus Silizium besteht.

15. Optisches Modul nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine optische Faser, welche von dem opti schen Element emittiertes Licht empfängt.

16. Optisches Modul nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine optische Faser, welche in einer V- förmigen Nut befestigt ist, die in der oberen Oberfläche des Trägersubstrats gebildet ist, und von dem optischen Element emittiertes Licht emp fängt.

17. Optisches Modul, welches aufweist:
ein optisches Element,
ein Trägersubstrat, das aus einem halbleitenden oder dielektrischen Material besteht und das op tische Element auf einer oberen Oberfläche trägt, wobei das Trägersubstrat mehrere in sei ner oberen Oberfläche gebildete Nuten aufweist, und
mehrere Übertragungsleitungsteile, die zumindest teilweise auf einer Bodenfläche von irgendeiner der mehreren Nuten befestigt und elektrisch mit dem optischen Element verbunden sind.