DE10132324A1 - Optisches Modul - Google Patents
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Abstract
Ein Übertragungsleitungsteil (4) ist als eine Mikrostreifenleitung ausgebildet, die einen auf einer oberen Oberfläche gebildeten Leiter (11) und eine Leiterschicht, die über einer gesamten rückseitigen Oberfläche gebildet ist, aufweist. Ein an einer Elektrode (14) einer Verpackungseinheit (6) eingegebenes Hochfrequenzsignal wird über einen Verbindungsdraht (15), das Übertragungsleitungsteil und einen Verbindungsdraht (16) zu einer Elektrode (8) eines Halbleiterlasers (2) übertragen. Da der dielektrische Verlust gering ist, kann das Übertragungsleitungsteil ein Hochfrequenzsignal mit geringem Verlust übertragen, wodurch die Hochfrequenzcharakteristiken eines in den Halbleiterlaser einzugebenden Signals verbessert werden.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein opti
sches Modul, das zumindest ein optisches Element und
ein Trägersubstrat, das aus einem halbleitenden oder
dielektrischen Material besteht und auf welchem das
optische Element auf einer oberen Oberfläche befe
stigt ist, aufweist.
Optische Module, bei denen ein Halbleiterlaser und
eine optische Phase auf einem Siliziumsubstrat unter
Verwendung einer passiven Ausrichttechnik angeordnet
sind, wurden bisher vorgeschlagen. Die passive Aus
richttechnik, bei welcher die optische Faser in einer
in der Oberfläche des Siliziumsubstrats ausgebildeten
V-förmigen Nut eingebettet wird und der Halbleiterla
ser in einer vorbestimmten Position befestigt wird,
ermöglicht der optischen Faser und dem Halbleiterla
ser, in jeweiligen vorbestimmten Positionen ohne Aus
richtung der optischen Achsen fixiert zu werden. Bei
einem derart ausgebildeten optischen Modul ist eine
Elektrode des Halbleiterlasers elektrisch mit einer
auf dem Siliziumsubstrat gebildeten Elektrodenschicht
verbunden, so daß ein elektrisches Signal über diesen
Elektrodenschicht in den Halbleiterlaser eingegeben
wird. Eine derartige Konfiguration ist jedoch nach
teilig dahingehend, daß Hochfrequenzcharakteristiken
eines in den Halbleiterlaser einzugebenden Signals
aufgrund eines hohen dielektrischen Verlustes des Si
liziumsubstrats herabgesetzt werden.
Ein optisches Modul gemäß einem Aspekt der vorliegen
den Erfindung hat zum Ziel, die Hochfrequenzcharakte
ristiken eines in ein optisches Element einzugebenden
Signals zu verbessern, und es weist ein optisches
Element, ein Trägersubstrat, das aus einem halblei
tenden oder dielektrischen Material besteht und das
optische Element auf einer oberen Oberfläche stützt,
und ein Übertragungsleitungsteil auf, das zumindest
teilweise auf der oberen Oberfläche des Trägersub
strats befestigt und elektrisch mit dem optischen
Element verbunden ist.
Das obige optische Modul, bei welchem eine elektri
sche Verbindung mit dem optischen Element durch das
Übertragungsleitungsteil erzielt wird, kann die Hoch
frequenzcharakteristiken verbessern, selbst wenn das
Trägermaterial aus einem halbleitenden oder dielek
trischen Material besteht.
Bei dem obigen optischen Modul kann das Trägersub
strat eine Nut an der oberen Oberfläche aufweisen,
und zumindest ein Teil des Übertragungsleitungsteils
kann auf einer unteren Oberfläche der Nut befestigt
sein. Bei diesem optischen Modul kann die Nut als ein
ausgeschnittener Bereich ausgebildet sein. Welcher
aus einer Seitenfläche des Trägersubstrats entfernt
ist. Auch kann die Nut so ausgebildet sein, daß die
Höhe des optischen Elements an einer oberen Oberflä
che im Wesentlichen dieselbe ist wie die Höhe des
Übertragungsleitungsteils an einer oberen Oberfläche.
Das optische Modul gemäß dem obigen Aspekt kann wei
terhin ein Verbindungsteil zum elektrischen und kör
perlichen Verbinden des optischen Elements mit dem
Übertragungsleitungsteil an der Seite der oberen
Oberfläche des optischen Elements aufweisen. Somit
können die Induktivitätskomponenten des Verbindungs
teils herabgesetzt werden, wodurch die Hochfrequenz
charakteristiken des optischen Moduls weiter verbes
sert werden.
Bei dem obigen optischen Modul mit einer Nut in der
oberen Oberfläche kann die Nut so ausgebildet sein,
daß die untere Oberfläche von dieser und das übertra
gungsleitungsteil im Wesentlichen die gleiche Breite
haben. Dies erleichtert die Positionierung des Über
tragungsleitungsteils mit Bezug auf die untere Ober
fläche der Nut. Weiterhin kann das Trägersubstrat ei
ne Bodenelektrode aufweisen, die auf der Bodenfläche
der Nut gebildet ist.
Bei dem obigen optischen Modul weist das Übertra
gungsleitungsteil eine Leiterschicht auf, die auf im
Wesentlichen der gesamten rückseitigen Oberfläche des
Übertragungsleitungsteils gebildet ist, um ein Erdpo
tential zu dem optischen Element über die Bodenelek
trode zu liefern, sowie einen auf der oberen Oberflä
che des Übertragungsleitungsteils gebildeten Leiter
zum Übertragen eines Signals zu dem optischen Ele
ment. Da das Erdpotential auf diese Weise zu der
Leitschicht und der Bodenelektrode geliefert wird,
ist eine Veränderung des Erdpotentials gering, selbst
wenn ein Hochfrequenzsignal in das optische Element
eingegeben wird. Dies führt zu einer weiteren Verbes
serung der Hochfrequenzcharakteristiken des optischen
Moduls.
Bei dem vorbeschriebenen optischen Modul mit einer in
der oberen Oberfläche ausgebildeten Nut kann das Trä
gersubstrat mit einer Bodenelektrode versehen sein,
welche sich durch die rückseitige Oberfläche und eine
Seitenfläche des Substrats zu dem Boden der Nut er
streckt. Aufgrund der so vergrößerten Fläche der Bo
denelektrode können die Hochfrequenzcharakteristiken
weiter verbessert werden. Weiterhin kann das Träger
substrat auch mit einer Bodenelektrode versehen sein,
die sich durch die rückseitige Oberfläche und eine
Seitenfläche des Substrats erstreckt, das eine abge
schrägte Ecke zu dem Boden der Nut aufweist. Da die
Ecke der Seitenfläche des Substrats abgeschrägt ist,
kann ein Abschälen der Bodenelektrode von dem Nuten
boden verhindert werden.
Das obige optische Modul kann ein Harzabdichtteil zum
Abdichten des optischen Elements, des Trägersubstrats
und des Übertragungsleitungsteils aufweisen. Dies
führt zu einer weiteren Verbesserung der Hochfre
quenzcharakteristiken.
Weiterhin kann bei dem obigen optischen Modul das op
tische Element ein Halbleiterlaser oder ein einen Mo
dulator aufweisender Halbleiterlaser sein. Auch kann
das Trägersubstrat aus Silizium hergestellt sein. Zu
sätzlich kann das obige optische Modul eine optische
Faser aufweisen, welche von dem optischen Element
emittiertes Licht empfängt, oder eine optische Faser,
welche in einer V-förmigen Nut befestigt ist, die in
der oberen Oberfläche des Trägersubstrats gebildet
ist, und die von dem optischen Element emittiertes
Licht empfängt.
Ein optisches Modul gemäß einem zweiten Aspekt der
vorliegenden Erfindung umfaßt ein optisches Element,
ein aus einem halbleitenden oder dielektrischen Mate
rial bestehendes Trägersubstrat, das das optische
Element auf einer oberen Oberfläche trägt, wobei das
Trägersubstrat mehrere in seiner oberen Oberfläche
gebildete Nuten aufweist, und mehrere Übertragungs
leitungsteile, die zumindest teilweise auf einer Bo
denfläche von irgendeiner der mehreren Nuten befe
stigt und elektrisch mit dem optischen Element ver
bunden sind.
Mit dem vorstehend beschriebenen optischen Modul kön
nen die Hochfrequenzcharakteristiken verbessert wer
den, wenn mehrere Übertragungsleitungsteile erforder
lich sind.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von in den Fi
guren dargestellten Ausführungsbeispielen näher er
läutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht, die schematisch die Struktur
eines optischen Moduls wiedergibt,
Fig. 2 eine Querschnittsansicht entlang der Linie
A-A in Fig. 1,
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht, die schematisch
die Konfiguration eines Siliziumsubstrats des
in den Fig. 1 und 2 gezeigten optischen Mo
duls wiedergibt,
Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines optischen Mo
duls, in welchem ein Teil des Inneren mit ei
nem Harzfüllstoff gefüllt ist, um die Elemen
te hermetisch abzudichten,
Fig. 5 eine Draufsicht, die schematisch die Struktur
eines optischen Moduls mit zwei Übertragungs
leitungsteilen wiedergibt, und
Fig. 6 eine perspektivische Ansicht, die schematisch
die Konfiguration eines Siliziumsubstrats des
öptischen Moduls nach Fig. 5 zeigt.
Fig. 1 ist eine Draufsicht, die schematisch die
Struktur eines optischen Moduls 1 zeigt, und Fig. 2
enthält eine Querschnittsansicht entlang der Linie
A-A in Fig. 1. Das optische Modul 1 umfaßt einen
Halbleiterlaser (optisches Element) 2, eine optische
Faser 3 für die Fortpflanzung von Laserlicht mit, das
von dem Halbleiterlaser 2 her eintritt, ein Übertra
gungsleitungsteil 4, das elektrisch mit dem Halblei
terlaser 2 verbunden ist. Ein Siliziumsubstrat (Trä
gersubstrat) 5 zum Befestigen der optischen Faser 3
und des Übertragungsleitungsteils 4 und eine Verpac
kung (Abdichtteil) 6 zum Umschließen des Halbleiter
lasers 2 der optischen Faser 3, des Übertragungslei
tungsteils 4 und des Siliziumsubstrats 5, wenn eine
oberen Öffnung mit einer Abdeckung (nicht gezeigt)
abgedichtet ist.
Der Halbleiterlaser 2 umfaßt eine Elektrode 7, welche
auf der Seite der Befestigungsfläche des Siliziumsub
strats 5 gebildet ist, und eine auf der gegenüberlie
genden Seite gebildete Elektrode 8, und er oszil
liert, wenn ein Hochfrequenzsignal an der Elektrode 8
eingegeben wird, wodurch Laserlicht emittiert wird.
Das Übertragungsleitungsteil 4 ist teilweise auf dem
Siliziumsubstrat 5 befestigt und ebenfalls teilweise
auf einem konvexen Bereich 9 befestigt, der auf dem
Kantenbereich des Bodens der Verpackung 6 vorgesehen
ist. Das Übertragungsleitungsteil 4 ist als eine Mi
krostreifenleitung (Übertragungsleitung) ausgebildet,
die eine Leiterschicht 10, die gebildet ist, um im
Wesentlichen die gesamte Oberfläche auf dem Silizium
substrat 5 abzudecken, einen auf der entgegengesetz
ten Oberfläche gebildeten Leiter 11 und eine zwischen
der Leitschicht 10 und dem Leiter 11 angeordnete die
lektrische Schicht 12 aufweist. Die Leiterschicht 10
ist mit einer Elektrode 13 verbunden, die auf dem
konvexen Bereich 9 der Verpackung 6 vorgesehen ist,
um ein von außen zugeführtes Erdpotential vorzusehen.
Der Leiter 11 ist mit einer auf der Verpackung 6 an
geordneten Elektrode 14 über einen Verbindungsdraht
15 verbunden, und er ist auch mit der Elektrode 8 des
Halbleiterlasers 2 über einen Verbindungsdraht (Ver
bindungsteil) 16 verbunden, so daß ein von außen zu
geführtes Hochfrequenzsignal zu der Elektrode 8 des
Halbleiterlasers 2 eingegeben werden kann.
Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht, die schema
tisch die Struktur des Siliziumsubstrats 5 zeigt. Das
Siliziumsubstrat 5 umfaßt eine V-förmige Nut 17, in
welche die optische Faser 3 eingebettet ist, eine als
ein Ausschnittbereich gebildete Nut 18, welche von
einer Seite des Siliziumsubstrats 5 ausgeschnitten
ist, derart, daß sie einen trapezförmigen Querschnitt
hat, auf deren Boden das Übertragungsleitungsteil 4
befestigt, und eine Bodenelektrode 19, die sich von
einem Oberflächenbereich des Substrats, der den Halb
leiterlaser 2 trägt, erstreckt, um die Bodenfläche
der Nut 18, einen Teil der Seitenfläche der Nut 18
und die gesamte rückseitige Oberfläche des Silizium
substrats 5 zu bedecken. Die Nut 18 wird in der Ober
fläche des die V-förmige Nut 17 enthaltenden Silizi
umsubstrats 5 durch ein Ätzverfahren gebildet. Der
Seitenkantenbereich 20 der Nut 18 ist so geätzt (ab
geschrägt), daß er einen Winkel von mehr als 90° hat,
wodurch verhindert wird, daß die Bodenelektrode 19 an
der Seitenkante 20 abschält. Weiterhin kann, da die
Nut 18 so ausgebildet ist, daß die Bodenbreite B im
Wesentlichen dieselbe ist wie die Breite C des Über
tagungsleitungsteils 4, das Übertragungsleitungsteil
4 leicht positioniert werden. Die Nut 18 ist weiter
hin so ausgebildet, daß der Abstand zwischen deren
Boden und der oberen Oberfläche des Halbleiterlasers
2(der Abstand D in Fig. 2) im Wesentlichen derselbe
ist wie der Abstand zwischen dem Boden von dieser und
der oberen Oberfläche des Übertragungsleitungsteils 4
(der Abstand E in Fig. 2), so daß der Verbindungs
draht 16 kürzer ist als derjenige, der verwendet wird
wenn diese Abstände einander unterschiedlich sind.
Dies führt zu einem Vorteil dahingehend, daß Indukti
vitätskomponenten des Verbindungsdrahtes 16 herabge
setzt werden können. Die Bodenelektrode 19 ist elek
trisch mit der Elektrode 7 des Halbleiterlasers 2
verbunden, und sie ist auch mit der Leiterschicht 10
des Übertragungsleitungsteils 4 und mit einer Elek
trode 21, die auf der Bodenfläche des Verpackungs
teils 6 gebildet ist, verbunden, um ein Erdpotential
zu der Elektrode 7 des Halbleiterlasers 2 zu liefern.
Die Übertragung eines Hochfrequenzsignals zu dem
Halbleiterlaser 2 in dem so ausgebildeten optischen
Modul wird nun beschrieben. Ein zu der Elektrode 14
des Verpackungsteils 6 eingegebenes Hochfrequenzsig
nal wird über den Verbindungsdraht 15, das Übertra
gungsleitungsteil 4 und den Verbindungsdraht 16 zu
der Elektrode 8 des Halbleiterlasers 2 übertragen.
Andererseits wird ein Erdpotential von der Elektrode
13 über die Leitschicht 10 und die Bodenelektrode 19
zu der Elektrode 7 des Halbleiterlasers 2 übertragen.
Da das Übertragungsleitungsteil 4 als eine Mikrost
reifenleitung ausgebildet ist, kann der dielektrische
Verlust gegenüber dem Fall herabgesetzt werden, bei
welchem eine Elektrode, die direkt auf dem Silizium
substrat 5 gebildet ist, als eine Signalübertragungs
leitung verwendet wird. Als eine Folge kann ein Hoch
frequenzsignal mit geringem Verlust übertragen wer
den, so daß die Hochfrequenzcharakteristiken eines zu
dem Halbleiterlaser 2 eingegebenen Signals erhöht
werden können. Weiterhin wird die Bodenelektrode 19
so auf dem Siliziumsubstrat 5 gebildet, daß sie sich
von einem Oberflächenbereich des Substrats 5 zum Be
festigen des Halbleiterlasers 2 so erstreckt, daß sie
die Bodenfläche der Nut 18, einen Teil der Seitenflä
che der Nut 18 und die gesamte rückseitige Oberfläche
des Siliziumsubstrats 5 abdeckt, und es wird auch ein
Erdpotential zu der Bodenelektrode 19 geliefert. Dies
reduziert eine Veränderung des Erdpotentials, wodurch
weiterhin die Hochfrequenzcharakteristiken des Ein
gangssignals verbessert werden.
Bei dem vorstehenden Beispiel ist der Halbleiterlaser
2 auf dem Siliziumsubstrat 5 befestigt. Jedoch ist es
auch möglich, andere Typen von optischen Elementen
wie eine lichtemittierende Diode auf dem Siliziumsub
strat 5 zu befestigen.
Weiterhin kann, obgleich vorstehend beschrieben ist,
daß die Nut 18 einen trapezförmigen Querschnitt hat,
der Querschnitt irgendeine von verschiedenen Formen
einschließlich einer rechteckigen Form haben, solange
wie das Übertragungsleitungsteil auf ihrer Oberfläche
befestigt werden kann.
Auch ist, obgleich der Halbleiterlaser 2 oder der
gleichen auf dem Siliziumsubstrat 5 des optischen Mo
dul 1 nach dem vorhergehenden Beispiel befestigt ist,
das Substrat nicht auf ein Siliziumsubstrat be
schränkt, sondern es kann ein halbleitendes oder die
lektrisches Substrat sein, solange wie es stark iso
lierend ist.
Darüber hinaus kann, obgleich bei dem obigen Beispiel
das Überleitungsteil 4 als eine Mikrostreifenleitung
in dem optischen Modul 1 gebildet ist, das Übertra
gungsleitungsteil als ein anderer Typ von Übertra
gungsleitung ausgebildet sein, wie eine koplanare,
schlitzartige oder koaxiale Leitung. Die Position je
der Elektrode des Halbleiterlasers 2 und jeder Elek
trode des Verpackungsteils 6 kann zweckmäßig so geän
dert werden, daß diese Elektroden elektrisch mit dem
Übertragungsleitungsteil 4 verbunden werden können.
Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht, die ein opti
sches Modul 23 zeigt, das durch Füllen eines Teils
des Inneren des optischen Modul I nach dem ersten
Ausführungsbeispiel mit einem Harzfüllstoff erhalten
wurden, um die Elemente hermetisch abzudichten. In
Fig. 4 haben die Elemente dieselbe oder eine ähnliche
Funktion wie diejenigen, die in den Fig. 1 bis 3 mit
denselben Zahlen bezeichnet sind, und sie werden hier
nicht wieder beschrieben. Das Innere des optischen
Moduls 23 ist hierdurch hermetisch abgedichtet, so
daß die Hochfrequenzcharakteristiken eines zu dem
Halbleiterlaser 2 einzugebenden Signals weiter ver
bessert werden können.
Fig. 5 ist eine Draufsicht, die schematisch die
Struktur eines optischen Moduls 24 zeigt, das zwei
Übertragungsleitungsteile aufweist, und Fig. 6 ist
eine perspektivische Ansicht, die schematisch die
Struktur eines Siliziumsubstrats 25 des optischen Mo
duls 24 zeigt. In den Fig. 5 und 6 sind die Elemen
te, welche dieselbe oder eine ähnliche Funktion wie
die in den Fig. 1 bis 3 gezeigten haben, mit densel
ben Zahlen bezeichnet und werden nicht wieder be
schrieben. Das optische Modul 24 umfaßt einen Halb
leiterlaser 26 mit einem Modulator, in welchen ein
Modulator und eine Laservorrichtung integriert sind,
und ein Übertragungsleitungsteil 28 mit einer Struk
tur, die ähnlich der des Übertragungsleitungsteils 4
ist. Das Übertragungsleitungsteil 28 ist mit dem
Halbleiterlaser 26 über einen Verbindungsdraht 27
verbunden und schließt einen Eingang des Modulators
mit 50 Ohm ab. Das Siliziumsubstrat 25 hat eine Nut
29, die eine Form ähnlich der der Nut 18 hat und die
mit einer Bodenelektrode versehen ist, die ähnlich
der der Nut 18 ist. Das Übertragungsleitungsteil 28
ist auf der Bodenfläche der Nut 29 befestigt. Bei dem
optischen Modul 24 ist es auch möglich, die Hochfre
quenzcharakteristiken eines zu dem einen Modulator
aufweisenden Halbleiterlaser 26 einzugebenden Signals
zu verbessern.
Claims (17)
1. Optisches Modul, welches aufweist:
ein optisches Element,
ein Trägersubstrat, das aus einem halbleitenden oder dielektrischen Material besteht und das op tische Element auf einer oberen Oberfläche trägt, und
ein Übertragungsleitungsteil, das zumindest teilweise auf der oberen Oberfläche des Träger substrats befestigt und elektrisch mit dem opti schen Element verbunden ist.
ein optisches Element,
ein Trägersubstrat, das aus einem halbleitenden oder dielektrischen Material besteht und das op tische Element auf einer oberen Oberfläche trägt, und
ein Übertragungsleitungsteil, das zumindest teilweise auf der oberen Oberfläche des Träger substrats befestigt und elektrisch mit dem opti schen Element verbunden ist.
2. Optisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Trägersubstrat eine Nut in der
oberen Oberfläche aufweist und zumindest ein
Teil des Übertragungsleitungsteils auf einer Bo
denfläche der Nut befestigt ist.
3. Optisches Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Nut als ein Loch in einer Sei
te des Trägersubstrats ausgebildet ist.
4. Optisches Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Nut so ausgebildet ist, daß
die Höhe des optischen Elements bei einer oberen
Oberfläche im Wesentlichen dieselbe ist wie die
Höhe des Übertragungsleitungsteils bei einer
oberen Oberfläche.
5. Optisches Modul nach Anspruch 4, gekennzeichnet
durch ein Verbindungsteil zum elektrischen und
körperlichen Verbinden des optischen Elements
mit dem Übertragungsleitungsteil auf der Seite
der oberen Oberfläche des optischen Elements.
6. Optisches Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Nut derart ausgebildet ist,
daß deren Bodenfläche und das Übertragungslei
tungsteil im Wesentlichen dieselbe Breite haben.
7. Optisches Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Trägersubstrat mit einer Bo
denelektrode versehen ist, die auf der Bodenflä
che der Nut gebildet ist.
8. Optisches Modul nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Übertragungsleitungsteil auf
weist:
eine Leiterschicht, die auf im Wesentlichen der gesamten rückseitigen Oberfläche des Übertra gungsleitungsteils gebildet ist, um ein Erdpo tential über die Bodenelektrode zu dem optischen Element zu liefern, und
einen Leiter, der auf der oberen Oberfläche des Übertragungsleitungsteils gebildet ist, um ein Signal zu dem optischen Element zu übertragen.
eine Leiterschicht, die auf im Wesentlichen der gesamten rückseitigen Oberfläche des Übertra gungsleitungsteils gebildet ist, um ein Erdpo tential über die Bodenelektrode zu dem optischen Element zu liefern, und
einen Leiter, der auf der oberen Oberfläche des Übertragungsleitungsteils gebildet ist, um ein Signal zu dem optischen Element zu übertragen.
9. Optisches Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Trägersubstrat mit einer Bo
denelektrode versehen ist, die sich durch die
rückseitige Oberfläche und eine Seitenfläche des
Trägersubstrat zu der Bodenfläche der Nut er
streckt.
10. Optisches Modul nach Anspruch 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Seitenkantenbereich der Nut
abgeschrägt geätzt ist.
11. Optisches Modul nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch ein Harzdichtungsteil zum Abdichten des
optischen Elements, des Trägersubstrats und des
Übertragungsleitungsteils.
12. Optisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das optische Element ein Halblei
terlaser ist.
13. Optisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das optische Element ein Halblei
terlaser mit einem Modulator ist.
14. Optisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Trägersubstrat aus Silizium
besteht.
15. Optisches Modul nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch eine optische Faser, welche von dem opti
schen Element emittiertes Licht empfängt.
16. Optisches Modul nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch eine optische Faser, welche in einer V-
förmigen Nut befestigt ist, die in der oberen
Oberfläche des Trägersubstrats gebildet ist, und
von dem optischen Element emittiertes Licht emp
fängt.
17. Optisches Modul, welches aufweist:
ein optisches Element,
ein Trägersubstrat, das aus einem halbleitenden oder dielektrischen Material besteht und das op tische Element auf einer oberen Oberfläche trägt, wobei das Trägersubstrat mehrere in sei ner oberen Oberfläche gebildete Nuten aufweist, und
mehrere Übertragungsleitungsteile, die zumindest teilweise auf einer Bodenfläche von irgendeiner der mehreren Nuten befestigt und elektrisch mit dem optischen Element verbunden sind.
ein optisches Element,
ein Trägersubstrat, das aus einem halbleitenden oder dielektrischen Material besteht und das op tische Element auf einer oberen Oberfläche trägt, wobei das Trägersubstrat mehrere in sei ner oberen Oberfläche gebildete Nuten aufweist, und
mehrere Übertragungsleitungsteile, die zumindest teilweise auf einer Bodenfläche von irgendeiner der mehreren Nuten befestigt und elektrisch mit dem optischen Element verbunden sind.
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JPH05343709A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ピッグテール型光モジュールの製造方法 |
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US6670208B2 (en) * | 2000-06-23 | 2003-12-30 | Nec Corporation | Optical circuit in which fabrication is easy |
JP4828015B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2011-11-30 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール作製方法 |
JP2002151781A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光素子モジュール |
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